JPH0870144A - 超電導部品の作製方法 - Google Patents
超電導部品の作製方法Info
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- JPH0870144A JPH0870144A JP6225709A JP22570994A JPH0870144A JP H0870144 A JPH0870144 A JP H0870144A JP 6225709 A JP6225709 A JP 6225709A JP 22570994 A JP22570994 A JP 22570994A JP H0870144 A JPH0870144 A JP H0870144A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- H10N60/01—Manufacture or treatment
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- H10N60/01—Manufacture or treatment
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- H10N60/00—Superconducting devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 酸化物超電導薄膜で構成された超電導部材を
有する超電導部品を作製する場合に、チャンバ内でレー
ザアブレーション法で超電導部材の概形をなす酸化物超
電導薄膜を成膜し、連続してチャンバ内の酸化物超電導
薄膜をレーザで加工する。 【効果】 酸化物超電導薄膜を使用した超電導部品が同
一のチャンバ内から、搬出することなく作製可能であ
る。
有する超電導部品を作製する場合に、チャンバ内でレー
ザアブレーション法で超電導部材の概形をなす酸化物超
電導薄膜を成膜し、連続してチャンバ内の酸化物超電導
薄膜をレーザで加工する。 【効果】 酸化物超電導薄膜を使用した超電導部品が同
一のチャンバ内から、搬出することなく作製可能であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導部品の作製方法
に関する。より詳細には、本発明は、複合酸化物超電導
体薄膜で構成された超電導部材を含む超電導部品の作製
方法に関する。
に関する。より詳細には、本発明は、複合酸化物超電導
体薄膜で構成された超電導部材を含む超電導部品の作製
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜の作製には、各種の方法が使用され
るが、レーザアブレーション法は、組成の制御がやり易
く、成膜速度が高い等の利点がある。また、一切の電磁
場を必要としないので、高品質の薄膜を作製するのに適
した方法と考えられている。一方、酸化物超電導体は多
元系の複合酸化物であり、組成比が僅かでも適正値から
外れると超電導特性が大幅に低下する。上記のように、
レーザアブレーション法では、成膜する薄膜の組成の制
御が容易であるので、レーザアブレーション法を使用し
て特性の優れた酸化物超電導薄膜を作製することが研究
されている。例えば、社団法人電気学会による光・量子
デバイス研究会資料（資料番号ＯＱＤ−92−53）pp.69-
77（1992年10月28日）には、エキシマレーザを使用した
レーザアブレーション法（レーザ蒸着法）により、高品
質のＹ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導薄膜を成膜する方法
が開示されている。
るが、レーザアブレーション法は、組成の制御がやり易
く、成膜速度が高い等の利点がある。また、一切の電磁
場を必要としないので、高品質の薄膜を作製するのに適
した方法と考えられている。一方、酸化物超電導体は多
元系の複合酸化物であり、組成比が僅かでも適正値から
外れると超電導特性が大幅に低下する。上記のように、
レーザアブレーション法では、成膜する薄膜の組成の制
御が容易であるので、レーザアブレーション法を使用し
て特性の優れた酸化物超電導薄膜を作製することが研究
されている。例えば、社団法人電気学会による光・量子
デバイス研究会資料（資料番号ＯＱＤ−92−53）pp.69-
77（1992年10月28日）には、エキシマレーザを使用した
レーザアブレーション法（レーザ蒸着法）により、高品
質のＹ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導薄膜を成膜する方法
が開示されている。
【０００３】レーザアブレーション法で薄膜を作製する
場合は、上記の文献に示されているように、内部を高真
空に排気可能で、任意の雰囲気ガスを導入できるチャン
バ内に基板およびターゲットを配置し、チャンバ外部に
配置したレーザ装置の発するレーザ光を光学手段により
誘導し、必要に応じて集光してターゲットに照射してい
た。
場合は、上記の文献に示されているように、内部を高真
空に排気可能で、任意の雰囲気ガスを導入できるチャン
バ内に基板およびターゲットを配置し、チャンバ外部に
配置したレーザ装置の発するレーザ光を光学手段により
誘導し、必要に応じて集光してターゲットに照射してい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】酸化物超電導薄膜を使
用して、超電導電線路、超電導電極、超電導マイクロ波
部品等の超電導部品を作製する場合には、酸化物超電導
薄膜を成膜後、所定の形状に加工する。加工方法として
は、ウェットエッチング法またはドライエッチング法が
一般に使用される。
用して、超電導電線路、超電導電極、超電導マイクロ波
部品等の超電導部品を作製する場合には、酸化物超電導
薄膜を成膜後、所定の形状に加工する。加工方法として
は、ウェットエッチング法またはドライエッチング法が
一般に使用される。
【０００５】しかしながら、酸化物超電導体は反応性が
高いので、フォトレジスト、剥離剤、水等と反応して劣
化することがある。また、空気中に含まれる水分と反応
することもある。従って、酸化物超電導薄膜を成膜した
ら、なるべくその場で加工することが好ましい。
高いので、フォトレジスト、剥離剤、水等と反応して劣
化することがある。また、空気中に含まれる水分と反応
することもある。従って、酸化物超電導薄膜を成膜した
ら、なるべくその場で加工することが好ましい。
【０００６】そこで、本発明の目的は、レーザアブレー
ション法により成膜した高品質の酸化物超電導薄膜を、
劣化させないで加工して超電導部品を作製する方法を提
供することにある。
ション法により成膜した高品質の酸化物超電導薄膜を、
劣化させないで加工して超電導部品を作製する方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、酸化物
超電導体薄膜で構成された超電導部材を含む超電導部品
を作製する方法において、チャンバ内でターゲットにレ
ーザ光を照射して、前記ターゲットに対向して配置した
基板上に薄膜を成長させるレーザアブレーション法によ
り成膜した酸化物超電導薄膜で前記超電導部材の概形を
形成し、前記チャンバ内で連続してレーザ光を前記酸化
物超電導薄膜に照射して該酸化物超電導薄膜を該レーザ
光により超電導部材に加工することを特徴とする超電導
部品の作製方法が提供される。
超電導体薄膜で構成された超電導部材を含む超電導部品
を作製する方法において、チャンバ内でターゲットにレ
ーザ光を照射して、前記ターゲットに対向して配置した
基板上に薄膜を成長させるレーザアブレーション法によ
り成膜した酸化物超電導薄膜で前記超電導部材の概形を
形成し、前記チャンバ内で連続してレーザ光を前記酸化
物超電導薄膜に照射して該酸化物超電導薄膜を該レーザ
光により超電導部材に加工することを特徴とする超電導
部品の作製方法が提供される。
【０００８】
【作用】本発明の方法は、レーザアブレーション法によ
り酸化物超電導薄膜を成膜する際に、マスク等を使用し
て超電導部材の概形を形成し、その後、レーザ光をこの
酸化物超電導薄膜に照射して細部の加工を行い、超電導
部材を作製する。レーザアブレーション法では、レーザ
光をターゲットに照射した時に発生する炎状のプルーム
と呼ばれるプラズマの先端部を基板に当てて成膜を行
う。プルームの先端は極めて微小であるので、マスク等
を使用し、さらに基板またはレーザ光を走査することに
より、超電導部材の概形の形状の酸化物超電導薄膜を容
易に成膜することができる。
り酸化物超電導薄膜を成膜する際に、マスク等を使用し
て超電導部材の概形を形成し、その後、レーザ光をこの
酸化物超電導薄膜に照射して細部の加工を行い、超電導
部材を作製する。レーザアブレーション法では、レーザ
光をターゲットに照射した時に発生する炎状のプルーム
と呼ばれるプラズマの先端部を基板に当てて成膜を行
う。プルームの先端は極めて微小であるので、マスク等
を使用し、さらに基板またはレーザ光を走査することに
より、超電導部材の概形の形状の酸化物超電導薄膜を容
易に成膜することができる。
【０００９】一方、レーザアブレーションに使用するレ
ーザ光は、高エネルギであるので酸化物超電導薄膜のト
リミング等の加工にも十分使用可能である。従って、本
発明の方法では、上記の超電導部材の概形をなす酸化物
超電導薄膜をレーザ光を使用して加工する。本発明の方
法によれば、成膜した酸化物超電導薄膜をその場で、フ
ォトレジスト等を使用せずに加工できるので、酸化物超
電導薄膜が劣化することがない。
ーザ光は、高エネルギであるので酸化物超電導薄膜のト
リミング等の加工にも十分使用可能である。従って、本
発明の方法では、上記の超電導部材の概形をなす酸化物
超電導薄膜をレーザ光を使用して加工する。本発明の方
法によれば、成膜した酸化物超電導薄膜をその場で、フ
ォトレジスト等を使用せずに加工できるので、酸化物超
電導薄膜が劣化することがない。
【００１０】上記の加工においては、主に、酸化物超電
導薄膜の不要な部分を除去することを目的とするが、特
にこの部分を物理的に除去する必要がなければ、この部
分に高エネルギのレーザ光を照射して劣化させ、非超電
導体にしてもよい。この方法によれば、不要部分近傍の
酸化物超電導薄膜が加工による影響をあまり受けないの
で、より微細な加工が可能である。
導薄膜の不要な部分を除去することを目的とするが、特
にこの部分を物理的に除去する必要がなければ、この部
分に高エネルギのレーザ光を照射して劣化させ、非超電
導体にしてもよい。この方法によれば、不要部分近傍の
酸化物超電導薄膜が加工による影響をあまり受けないの
で、より微細な加工が可能である。
【００１１】上記本発明の方法の実施には、例えば基板
の向きを変更できる基板ホルダと、複数のレーザ光入射
窓を備えるチャンバを使用することが好ましい。即ち、
成膜時には、基板はターゲットに対向し、レーザ光はタ
ーゲットに照射される。一方、加工時には、レーザ光は
基板上の酸化物超電導薄膜に照射され、レーザ光または
基板を正確に動かすことが要求される。精密な加工のた
めには、レーザ光は基板の酸化物超電導薄膜が成膜され
ている面に対し、垂直に照射されることが好ましい。従
って、本発明の方法では、成膜時と加工時とで基板の向
きを変更可能で、成膜時にはターゲットに向かって、加
工時には基板成膜面に垂直にレーザ光が入射するよう構
成されていることが好ましい。
の向きを変更できる基板ホルダと、複数のレーザ光入射
窓を備えるチャンバを使用することが好ましい。即ち、
成膜時には、基板はターゲットに対向し、レーザ光はタ
ーゲットに照射される。一方、加工時には、レーザ光は
基板上の酸化物超電導薄膜に照射され、レーザ光または
基板を正確に動かすことが要求される。精密な加工のた
めには、レーザ光は基板の酸化物超電導薄膜が成膜され
ている面に対し、垂直に照射されることが好ましい。従
って、本発明の方法では、成膜時と加工時とで基板の向
きを変更可能で、成膜時にはターゲットに向かって、加
工時には基板成膜面に垂直にレーザ光が入射するよう構
成されていることが好ましい。
【００１２】本発明の方法で使用する酸化物超電導薄膜
は、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X、Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏx 、Tl2Ba2Ca2Cu3
Ｏx 等の高温酸化物超電導体が好ましく、また、レーザ
としてはエキシマレーザ、ＣＯ2レーザ等を使用するこ
とが好ましい。
は、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X、Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏx 、Tl2Ba2Ca2Cu3
Ｏx 等の高温酸化物超電導体が好ましく、また、レーザ
としてはエキシマレーザ、ＣＯ2レーザ等を使用するこ
とが好ましい。
【００１３】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
【００１４】
【実施例】図１に、本発明の方法を実施するレーザアブ
レーション装置の一例の概略図を示す。図１のレーザア
ブレーション装置は、レーザ装置１と、チャンバ10と、
レーザ装置１が発振したレーザ光をチャンバ10に誘導す
る光学手段とを具備する。第１の入射窓11および第２の
入射窓12を備えるチャンバ10は、内部の圧力および雰囲
気を任意に変更することが可能である。また、チャンバ
10の内部には、搭載したターゲット７を回転することが
可能なターゲットホルダ13が、入射窓11から入射したレ
ーザ光がターゲット７の回転軸からやや外れた部位に当
たる位置に配置されている。さらに、チャンバ10の内部
の入射窓12の直下には、基板８を搭載する基板ホルダ14
が備えられる。基板ホルダ14には、ＸＹステージ（不図
示）およびヒータ（不図示）が内蔵され、基板８を平行
に移動することが可能であり、且つ加熱することができ
る。また、基板ホルダ14は、水平軸廻りに転回可能に構
成され、搭載した基板８の向きをターゲット７に対向し
た向きと、入射窓12から入射したレーザ光が垂直に入射
する向きとに変更できる。
レーション装置の一例の概略図を示す。図１のレーザア
ブレーション装置は、レーザ装置１と、チャンバ10と、
レーザ装置１が発振したレーザ光をチャンバ10に誘導す
る光学手段とを具備する。第１の入射窓11および第２の
入射窓12を備えるチャンバ10は、内部の圧力および雰囲
気を任意に変更することが可能である。また、チャンバ
10の内部には、搭載したターゲット７を回転することが
可能なターゲットホルダ13が、入射窓11から入射したレ
ーザ光がターゲット７の回転軸からやや外れた部位に当
たる位置に配置されている。さらに、チャンバ10の内部
の入射窓12の直下には、基板８を搭載する基板ホルダ14
が備えられる。基板ホルダ14には、ＸＹステージ（不図
示）およびヒータ（不図示）が内蔵され、基板８を平行
に移動することが可能であり、且つ加熱することができ
る。また、基板ホルダ14は、水平軸廻りに転回可能に構
成され、搭載した基板８の向きをターゲット７に対向し
た向きと、入射窓12から入射したレーザ光が垂直に入射
する向きとに変更できる。
【００１５】レーザ装置１の発振したレーザ光を上記の
チャンバ10内に誘導する光学手段は、ミラー２、３、４
と、レンズ５、６とを備える。ミラー２、３、４は、チ
ャンバ10の入射窓12からレーザ光を入射させる場合に使
用し、入射窓11からレーザ光を入射させる場合には特に
ミラー２を光路を妨げない位置に移動させることができ
る。また、ミラー２、３、４は、それぞれ反射面の角度
を変更可能であり、ミラー２、３、４で反射するレーザ
光を精密に走査することができる。一方、レンズ５およ
び６は、入射したレーザ光をそれぞれターゲット７上お
よび基板８上に集光させる。
チャンバ10内に誘導する光学手段は、ミラー２、３、４
と、レンズ５、６とを備える。ミラー２、３、４は、チ
ャンバ10の入射窓12からレーザ光を入射させる場合に使
用し、入射窓11からレーザ光を入射させる場合には特に
ミラー２を光路を妨げない位置に移動させることができ
る。また、ミラー２、３、４は、それぞれ反射面の角度
を変更可能であり、ミラー２、３、４で反射するレーザ
光を精密に走査することができる。一方、レンズ５およ
び６は、入射したレーザ光をそれぞれターゲット７上お
よび基板８上に集光させる。
【００１６】上記レーザアブレーション装置では、成膜
時に、基板８がターゲット７と対向するよう基板ホルダ
14を図示した位置に操作し、ミラー２を移動してレーザ
装置１が発振したレーザ光がレンズ５に入射するように
する。レーザ光はレンズ５を透過し、入射窓11を経てタ
ーゲット７上に集光される。ＸＹステージにより基板８
を走査しながら酸化物超電導薄膜を成膜する。一方、成
膜した酸化物超電導薄膜を加工する際には、基板ホルダ
14を図１の矢印の方向に転回し、基板８の成膜面を入射
窓12に正対させる。ミラー２をレーザ装置１とレンズ５
との間に挿入し、レーザ装置１が発振したレーザ光がミ
ラー２、３、４を経てレンズ６に入射するようにする。
レーザ光はレンズ６を透過し、入射窓12を経て基板８上
に集光される。ミラー２、３、４の反射面の角度を変位
させてレーザ光を走査し、酸化物超電導薄膜を加工す
る。
時に、基板８がターゲット７と対向するよう基板ホルダ
14を図示した位置に操作し、ミラー２を移動してレーザ
装置１が発振したレーザ光がレンズ５に入射するように
する。レーザ光はレンズ５を透過し、入射窓11を経てタ
ーゲット７上に集光される。ＸＹステージにより基板８
を走査しながら酸化物超電導薄膜を成膜する。一方、成
膜した酸化物超電導薄膜を加工する際には、基板ホルダ
14を図１の矢印の方向に転回し、基板８の成膜面を入射
窓12に正対させる。ミラー２をレーザ装置１とレンズ５
との間に挿入し、レーザ装置１が発振したレーザ光がミ
ラー２、３、４を経てレンズ６に入射するようにする。
レーザ光はレンズ６を透過し、入射窓12を経て基板８上
に集光される。ミラー２、３、４の反射面の角度を変位
させてレーザ光を走査し、酸化物超電導薄膜を加工す
る。
【００１７】上記のレーザアブレーション装置を使用し
て本発明の方法により、酸化物超電導薄膜を使用した超
電導マイクロストリップ線路を作製した。作製したマイ
クロストリップ線路の斜視図を図２に示す。図２のマイ
クロストリップ線路はコプラナー型と呼ばれるもので、
基板８上に配置された超電導導体線路21と、基板８上で
超電導導体線路21の両側にそれぞれ平行に配置された超
電導接地導体22および23とを具備する。超電導導体線路
21の寸法は100μｍ×12mmで、超電導接地導体22および2
3の寸法は5.9×12mmである。本実施例では、超電導導体
線路21、超電導接地導体22および23にＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸
化物超電導体を使用した。また、基板８には、MgＯ単結
晶基板を使用し、ターゲット７には、直径２cmのＹ1Ba2
Cu3Ｏ7-Xの焼結体を使用した。以下、作製工程を説明す
る。
て本発明の方法により、酸化物超電導薄膜を使用した超
電導マイクロストリップ線路を作製した。作製したマイ
クロストリップ線路の斜視図を図２に示す。図２のマイ
クロストリップ線路はコプラナー型と呼ばれるもので、
基板８上に配置された超電導導体線路21と、基板８上で
超電導導体線路21の両側にそれぞれ平行に配置された超
電導接地導体22および23とを具備する。超電導導体線路
21の寸法は100μｍ×12mmで、超電導接地導体22および2
3の寸法は5.9×12mmである。本実施例では、超電導導体
線路21、超電導接地導体22および23にＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸
化物超電導体を使用した。また、基板８には、MgＯ単結
晶基板を使用し、ターゲット７には、直径２cmのＹ1Ba2
Cu3Ｏ7-Xの焼結体を使用した。以下、作製工程を説明す
る。
【００１８】最初に、ターゲット７をターゲットホルダ
13に、基板８を基板ホルダ14にセットした。チャンバ10
の内部を１×10-6Torrに排気してからＯ2 を導入し、圧
力を400ｍTorrに調整した。基板８とターゲット７との
間の距離は７cmとし、基板温度が700℃となるよう加熱
した。レーザ装置１には、波長193nmのエキシマレーザ
を使用し、レーザ出力は3.5Ｊ／cm2、レーザ光の照射面
積を２×４mm2とし、パルス周波数を５Hzとした。ター
ゲット７は、1.5回転／秒で回転させながら成膜を行っ
た。
13に、基板８を基板ホルダ14にセットした。チャンバ10
の内部を１×10-6Torrに排気してからＯ2 を導入し、圧
力を400ｍTorrに調整した。基板８とターゲット７との
間の距離は７cmとし、基板温度が700℃となるよう加熱
した。レーザ装置１には、波長193nmのエキシマレーザ
を使用し、レーザ出力は3.5Ｊ／cm2、レーザ光の照射面
積を２×４mm2とし、パルス周波数を５Hzとした。ター
ゲット７は、1.5回転／秒で回転させながら成膜を行っ
た。
【００１９】一方、基板ホルダ14に内蔵されたＸＹステ
ージにより基板８を走査し、酸化物超電導薄膜が図２に
示したマイクロストリップ線路の概形をなすよう成膜を
行った。酸化物超電導薄膜が500nmまで成長したら、チ
ャンバ10内に酸素を導入し、基板温度が200℃以下にな
るまで放置した。次に、ミラー２をセットし、基板ホル
ダ14を転回してチャンバ10内を１×10-6Torrまで排気
し、再度レーザを発振させて酸化物超電導薄膜の加工を
行った。このとき、20：１の結像光学系により２mm×１
mmのスリットを用いてレーザ出力を1.5Ｊ／cm2、レーザ
光の照射面積を100×50μｍ2とし、パルス周波数を10Hz
とした。１箇所あたりのレーザパルスの照射回数を20回
とし、ＸＹステージで基板を95μｍずつ移動させながら
超電導体線路と超電導体接地導体とを分離する加工を行
った。
ージにより基板８を走査し、酸化物超電導薄膜が図２に
示したマイクロストリップ線路の概形をなすよう成膜を
行った。酸化物超電導薄膜が500nmまで成長したら、チ
ャンバ10内に酸素を導入し、基板温度が200℃以下にな
るまで放置した。次に、ミラー２をセットし、基板ホル
ダ14を転回してチャンバ10内を１×10-6Torrまで排気
し、再度レーザを発振させて酸化物超電導薄膜の加工を
行った。このとき、20：１の結像光学系により２mm×１
mmのスリットを用いてレーザ出力を1.5Ｊ／cm2、レーザ
光の照射面積を100×50μｍ2とし、パルス周波数を10Hz
とした。１箇所あたりのレーザパルスの照射回数を20回
とし、ＸＹステージで基板を95μｍずつ移動させながら
超電導体線路と超電導体接地導体とを分離する加工を行
った。
【００２０】上記の本発明の方法で作製したマイクロス
トリップ線路と、従来の方法で作製したマイクロストリ
ップ線路の損失をネットワークアナライザによって測定
した。それぞれのマイクロストリップ線路を液体窒素に
より冷却しながら、77.3Ｋで測定したところ、下記に示
すように、本発明の方法で作製したマイクロストリップ
線路は、従来の方法で作製したマイクロストリップ線路
よりも低損失であることがわかった。 本発明（＜10ＧHz）0.1 dB 比較例（＜10ＧHz）0.3 dB
トリップ線路と、従来の方法で作製したマイクロストリ
ップ線路の損失をネットワークアナライザによって測定
した。それぞれのマイクロストリップ線路を液体窒素に
より冷却しながら、77.3Ｋで測定したところ、下記に示
すように、本発明の方法で作製したマイクロストリップ
線路は、従来の方法で作製したマイクロストリップ線路
よりも低損失であることがわかった。 本発明（＜10ＧHz）0.1 dB 比較例（＜10ＧHz）0.3 dB
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法で作
製した超電導部品は、超電導部材を構成する酸化物超電
導薄膜が高品質であるので、従来の方法で作製した超電
導部品よりも特性が優れている。本発明の方法で作製し
た超電導部品は、高速電子計算機、マイクロ波通信機等
に極めて有利に使用することができる。
製した超電導部品は、超電導部材を構成する酸化物超電
導薄膜が高品質であるので、従来の方法で作製した超電
導部品よりも特性が優れている。本発明の方法で作製し
た超電導部品は、高速電子計算機、マイクロ波通信機等
に極めて有利に使用することができる。
【図１】本発明の方法を実施する装置の概略図である。
【図２】超電導マイクロストリップ線路の構成を示す斜
視図である。
視図である。
１ レーザ装置 ２、３、４ ミラー ５、６ レンズ ７ ターゲット ８ 基板 10 チャンバ 11、12 入射窓 13 ターゲットホルダ 14 基板ホルダ
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化物超電導体薄膜で構成された超電導
部材を含む超電導部品を作製する方法において、チャン
バ内でターゲットにレーザ光を照射して、前記ターゲッ
トに対向して配置した基板上に薄膜を成長させるレーザ
アブレーション法により成膜した酸化物超電導薄膜で前
記超電導部材の概形を形成し、前記チャンバ内で連続し
てレーザ光を前記酸化物超電導薄膜に照射して該酸化物
超電導薄膜を該レーザ光により超電導部材に加工するこ
とを特徴とする超電導部品の作製方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6225709A JPH0870144A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 超電導部品の作製方法 |
| US08/517,957 US5672210A (en) | 1994-08-26 | 1995-08-22 | Method and apparatus for manufacturing superconducting components via laser ablation followed by laser material processing |
| CA002156878A CA2156878A1 (en) | 1994-08-26 | 1995-08-24 | Method and apparatus for manufacturing superconducting components via laser ablation followed by laser material processing |
| DE69506338T DE69506338T2 (de) | 1994-08-26 | 1995-08-25 | Verfahren und Gerät zur Herstellung von supraleitenden Komponenten via Laserablation, gefolgt durch Laserbearbeitung |
| EP95113376A EP0698931B1 (en) | 1994-08-26 | 1995-08-25 | Method and apparatus for manufacturing superconducting components via laser ablation followed by laser material processing |
| TW084108862A TW383512B (en) | 1994-08-26 | 1995-08-25 | Method and apparatus for manufacturing superconducting components via laser ablation followed by laser material processing |
| KR1019950026697A KR100234850B1 (ko) | 1994-08-26 | 1995-08-26 | 레이저재료 가공시 수반되는 레이저융삭을 경유한 초전도부품의 제작방법 및 장치 |
| US08/813,076 US5952271A (en) | 1994-08-26 | 1997-03-07 | Method for manufacturing oxide superconducting films via laser ablation followed by laser material processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6225709A JPH0870144A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 超電導部品の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870144A true JPH0870144A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16833580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6225709A Pending JPH0870144A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 超電導部品の作製方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5672210A (ja) |
| EP (1) | EP0698931B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0870144A (ja) |
| KR (1) | KR100234850B1 (ja) |
| CA (1) | CA2156878A1 (ja) |
| DE (1) | DE69506338T2 (ja) |
| TW (1) | TW383512B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001342558A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形成方法 |
| US6506439B1 (en) * | 1999-11-26 | 2003-01-14 | Zentrum für Funktionswerkstoffe Gemeinnuetzige Gesellschaft mbH | Apparatus and process for the production of a superconductive layer |
| JP2011012349A (ja) * | 2010-10-01 | 2011-01-20 | Hochiki Corp | 薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形成方法 |
| JP2013122065A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 機能性薄膜の成膜方法および成膜装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| US6120857A (en) * | 1998-05-18 | 2000-09-19 | The Regents Of The University Of California | Low work function surface layers produced by laser ablation using short-wavelength photons |
| US6265033B1 (en) | 1998-09-11 | 2001-07-24 | Donald Bennett Hilliard | Method for optically coupled vapor deposition |
| WO2000031315A1 (en) * | 1998-11-20 | 2000-06-02 | Fernandez Felix E | Apparatus and method for pulsed laser deposition of materials on wires and pipes |
| US6335208B1 (en) | 1999-05-10 | 2002-01-01 | Intersil Americas Inc. | Laser decapsulation method |
| US6491759B1 (en) * | 2000-03-14 | 2002-12-10 | Neocera, Inc. | Combinatorial synthesis system |
| CA2427103A1 (en) * | 2000-10-26 | 2002-06-06 | Neophotonics Corporation | Multilayered optical structures |
| JP2002235168A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
| FR2827705B1 (fr) * | 2001-07-19 | 2003-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Transistor et procede de fabrication d'un transistor sur un substrat sige/soi |
| US20030054105A1 (en) * | 2001-08-14 | 2003-03-20 | Hammond Robert H. | Film growth at low pressure mediated by liquid flux and induced by activated oxygen |
| JP2003156858A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理システム |
| US20030129396A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-10 | Gerhard Kiessling | Coating composition for metal conductors and coating process involving the use thereof |
| US7271012B2 (en) * | 2003-07-15 | 2007-09-18 | Control Systemation, Inc. | Failure analysis methods and systems |
| US20050067389A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Greer James A. | Target manipulation for pulsed laser deposition |
| US7405165B2 (en) * | 2004-11-05 | 2008-07-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, Ltd | Dual-tank etch method for oxide thickness control |
| ES2325894B1 (es) * | 2006-02-24 | 2010-10-28 | Universidad De Cadiz | Metodo y aparato para la fabricacion de elementos opticos difractivos. |
| ES2299335B2 (es) * | 2006-03-09 | 2010-10-13 | Universidad De Cadiz | Metodo para la fabricacion de estructuras opticas con funcionalidad puramente refractivas. |
| US8742282B2 (en) | 2007-04-16 | 2014-06-03 | General Electric Company | Ablative plasma gun |
| US9368772B1 (en) | 2009-06-15 | 2016-06-14 | Sakti3, Inc. | Packaging and termination structure for a solid state battery |
| US20150179418A1 (en) * | 2012-08-08 | 2015-06-25 | Milman Thin Film Systems Pvt. Ltd. | Miniature physical vapour deposition station |
| KR102188372B1 (ko) * | 2019-09-19 | 2020-12-08 | 주식회사 테토스 | 기판 양 측면부 증착 장치 |
| KR102188373B1 (ko) * | 2019-09-20 | 2020-12-08 | 주식회사 테토스 | 기판 양 측면부 증착 장치 |
| CN115537737B (zh) * | 2022-10-13 | 2023-11-17 | 西南交通大学 | 一种薄涂层的制备方法及系统 |
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|---|---|---|---|---|
| US4701592A (en) * | 1980-11-17 | 1987-10-20 | Rockwell International Corporation | Laser assisted deposition and annealing |
| JPS63250881A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導体の作製方法 |
| JPS6443915A (en) | 1987-08-10 | 1989-02-16 | Univ Tokai | Manufacture of superconductive material |
| JP2822447B2 (ja) * | 1989-05-19 | 1998-11-11 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導線材の製造方法および装置 |
| JPH03174307A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-29 | Chiyoudendou Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物超電導体の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP6225709A patent/JPH0870144A/ja active Pending
-
1995
- 1995-08-22 US US08/517,957 patent/US5672210A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-24 CA CA002156878A patent/CA2156878A1/en not_active Abandoned
- 1995-08-25 EP EP95113376A patent/EP0698931B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-25 TW TW084108862A patent/TW383512B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-08-25 DE DE69506338T patent/DE69506338T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-26 KR KR1019950026697A patent/KR100234850B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-07 US US08/813,076 patent/US5952271A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6506439B1 (en) * | 1999-11-26 | 2003-01-14 | Zentrum für Funktionswerkstoffe Gemeinnuetzige Gesellschaft mbH | Apparatus and process for the production of a superconductive layer |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69506338T2 (de) | 1999-05-12 |
| US5952271A (en) | 1999-09-14 |
| EP0698931B1 (en) | 1998-12-02 |
| EP0698931A1 (en) | 1996-02-28 |
| DE69506338D1 (de) | 1999-01-14 |
| US5672210A (en) | 1997-09-30 |
| KR960009251A (ko) | 1996-03-22 |
| CA2156878A1 (en) | 1996-02-27 |
| TW383512B (en) | 2000-03-01 |
| KR100234850B1 (ko) | 1999-12-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021203 |