JPH0870152A

JPH0870152A - 半導体レーザ駆動装置

Info

Publication number: JPH0870152A
Application number: JP20560494A
Authority: JP
Inventors: Yoshihisa Miyazaki; 佳久宮崎
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1994-08-30
Filing date: 1994-08-30
Publication date: 1996-03-12

Abstract

(57)【要約】【目的】記録時の半導体レーザに印加される電流の周波
数特性を改善することにより、確実な記録動作を行うこ
とができる半導体レーザ駆動装置を提供する。【構成】記録用レーザ光を照射するための記録用駆動信
号が記録用ラインにより、また再生用レーザ光を照射す
るための再生用駆動信号が再生用ラインにより半導体レ
ーザＬＤ１に供給され、高周波発振回路により再生用駆
動信号に高周波信号が重畳されることにより、半導体レ
ーザＬＤ１から供給される再生用レーザ光のレーザノイ
ズが低減される。また、再生用ラインに設けられた不要
輻射防止回路８により、高周波発振回路の駆動に伴う不
要輻射が防止され、上記記録用ラインから見た不要輻射
防止回路８及び高周波発振回路のインピーダンスが低下
する帯域が上記記録用駆動信号の帯域外に設定される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザから放出
されるノイズを低減する高周波発振回路を有する半導体
レーザ駆動装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体レーザ駆動装置を有する光
学式情報記録再生装置においては、半導体レーザ（Ｌas
er Ｄiode ；ＬＤ）が照射するレーザ光のノイズを低
減するために高周波発振回路が設けられている。この高
周波発振回路は、半導体レーザに印加される直流電流に
高周波電流を重畳することにより、上記半導体レーザが
照射するレーザ光のノイズを低減するためのものであ
る。したがって、半導体レーザ駆動装置を有する光学式
情報記録再生装置においては、半導体レーザと高周波発
振回路とを電気的に接続する必要がある。

【０００３】例えば、特開昭６３−４４７８２号公報に
より、高周波重畳用発振回路と電気的負帰還回路をワン
パッケージ化した半導体レーザ駆動装置が開示されてい
るが、さらにこの装置には、高周波重畳に伴う不要輻射
の防止回路が設けられている。

【０００４】すなわち、上記特開昭６３−４４７８２号
公報の半導体レーザ駆動装置では、図５に示すように、
高周波重畳用ガリウム・砒素集積回路１０１と電気的負
帰還用シリコン集積回路１０２がプリント基板上に配線
されて、シールドケース１０３内に収納されたハイブリ
ッド集積回路を構成している。

【０００５】そして、高周波重畳用ガリウム・砒素集積
回路１０１と電気的負帰還用シリコン集積回路１０２と
に、正負５Ｖの電圧が貫通コンデンサ１０４，１０５を
介して供給されている。上記高周波重畳用ガリウム・砒
素集積回路１０１の出力は、負荷コイル１０６と結合コ
ンデンサ１０７を介して半導体レーザ１０８に供給され
ている。

【０００６】上記電気的負帰還用シリコン集積回路１０
２の入力部には、上記シールドケース１０３の外部に設
けられたＰＩＮフォトダイオード１０９のアノードが接
続され、電気的負帰還用シリコン集積回路１０２の出力
部には半導体レーザ１０８のカソードが接続されてい
る。また、電気的負帰還用シリコン集積回路１０２に
は、帰還系の利得調整ボリウム１１０が接続されてい
る。

【０００７】また、半導体レーザ１０８は、コイル
（Ｌ）とコンデンサ（Ｃ）から成るＬＣフィルタ１１１
と貫通コンデンサ１１２を介して外部からも駆動できる
ように構成されている。また、内蔵ＰＩＮフォトダイオ
ード１１３も貫通コンデンサ１１４を介して、外部に接
続できるようになっている。

【０００８】したがって、図５に示した従来例では、高
周波重畳用ガリウム・砒素集積回路１０１により半導体
レーザ１０８に印加される直流電流に高周波電流を重畳
することで、半導体レーザ１０８から照射されるレーザ
光のノイズの低減をはかり、ＬＣフィルタ１１１により
上記高周波電流による不要輻射の漏れを防止している。

【０００９】ところが、上記従来例では、上記半導体レ
ーザ１０８に高速変調を与える場合に、上記ＬＣフィル
タ１１１が半導体レーザ１０８に印加される電流のライ
ンに接続されていると、記録時における半導体レーザ出
力の変調速度及び、記録パルスの立ち上がり及び立ち下
がり速度の上限が制限されてしまう。

【００１０】そこで、このような欠点を解決する手段と
して、図６に示す装置が考えられる。すなわち、図６に
示すように、半導体レーザ１２１は、図示しない光学ヘ
ッドの光源であって、後述する再生モード、記録モー
ド、さらに消去モードでそれぞれ駆動される。上記半導
体レーザ１２１は、高周波重畳用発振器回路（以下、高
周波発振回路と略記する）１２２や不要輻射防止回路１
２３などと共に、シールドケース１２４内に収納されて
いる。

【００１１】高周波発振回路１２２は、再生時のみ駆動
して、再生時の上記半導体レーザ１２１から照射される
レーザ光のノイズを低減させる働きをするものである。
半導体レーザ１２１は、不要輻射防止回路１２３を構成
する貫通コンデンサ１２５及びコイル１２６を介して、
再生用半導体レーザ駆動回路（以下、Ｒ用ＬＤドライバ
と略記する）１２７により駆動される。このときの駆動
モードが再生モードである。また、半導体レーザ１２１
は、貫通コンデンサ１２８及びスイッチングダイオード
１２９を介して、記録用半導体レーザ駆動回路（以下、
Ｗ用ＬＤドライバと略記する）１３０により駆動され
る。このときの駆動モードが記録モードである。

【００１２】また、上記コイル１２６の一端とスイッチ
ングダイオード１２９のカソードとは、上記半導体レー
ザ１２１のアノードに接続され、さらに半導体レーザ１
２１のカソードは、上記シールドケース１２４を中継し
て基準電位点（ＧＮＤ）に接続されている。

【００１３】また、高周波発振回路１２２は、上記不要
輻射防止回路１２３を構成するコイル１３１及び貫通コ
ンデンサ１３２を介して、高周波発振回路１２２用の電
源、例えば＋５Ｖに接続されている。上記高周波発振回
路１２２は、図７に示すようにトランジスタ１４０、コ
イル１４１，１４２、及びコンデンサ１４３〜１４７、
抵抗１４８，１４９によって構成されている。

【００１４】そして、上記高周波発振回路１２２は、カ
ップリングコンデンサ１４７を介して、上記半導体レー
ザ１２１に高周波電流を重畳するようになっている。さ
らに、高周波発振回路１２２は、上記不要輻射防止回路
１２３を構成するコイル１３３及び貫通コンデンサ１３
４を介して、ＣＰＵ（Ｃentral Ｐrocessing Ｕnit；
ＣＰＵ）１３５に接続されており、その駆動のオン／オ
フをＣＰＵ１３５からのコントロール電圧で制御され
る。

【００１５】また、上記貫通コンデンサ１２５，１２
８，１３２，１３４は、上記シールドケース１２４に貫
通して固定されている。また、上記高周波電流は、コイ
ル１２６，１３１，１３３と貫通コンデンサ１２５，１
３２，１３４とで構成されるＬＣフィルタにより、上記
シールドケース１２４の外部に放射されないようになっ
ている。このような高周波電流の重畳により、上記半導
体レーザ１２１は、光学ヘッドの光学系の影響を受け
ず、安定かつ低レベルの雑音レベルで発光する。

【００１６】また、上記記録用半導体レーザ駆動回路１
３０と貫通コンデンサ１２８の中間接続点と基準電位点
との間には、スイッチ１３６が接続されており、このス
イッチ１３６のオン／オフは、上記ＣＰＵ１３５からの
コントロール信号によって制御される。さらに、上記再
生用半導体レーザ駆動回路１２７及び記録用半導体レー
ザ駆動回路１３０は、上記ＣＰＵ１３５に制御される再
生用制御回路１３７及び記録用制御回路１３８によりそ
れぞれ制御される。また、記録用制御回路１３８には、
ＣＰＵ１３５から記録用の情報信号が与えられ、変調信
号が加えられる。

【００１７】したがって、上述のように構成された図６
に示した半導体レーザ駆動装置は、記録時には高周波重
畳電流は重畳されないので、記録用電流のラインには不
要輻射防止用のＬＣフィルタを挿入する必要がなく、半
導体レーザ１２１に高速変調を与えることができる。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、図６に示した半導体レーザ駆動装置では、記録時に
半導体レーザ１２１に印加される電流の周波数特性を変
えると、高周波発振回路１２２のコイル１４１，１４
２、及びコンデンサ１４７による直列共振周波数ｆ
１′，ｆ２′と、再生側のＬＣフィルタのコイル１２
６、貫通コンデンサ１２５による直列共振周波数ｆ３′
において、図８に示すようにインピーダンスの低下によ
るゲインの谷が生じる。

【００１９】したがって、図６に示した半導体レーザ駆
動装置における記録時のライトデータパターンの周波数
帯域をｆlow ′〜ｆhigh′とする。ここで、図８に示す
ように、上述したゲインの谷の直列共振周波数ｆ１′，
ｆ２′，ｆ３′が、ｆlow ′〜ｆhigh′の周波数帯域内
にある場合、すなわちライトデータパターンの周波数帯
域ｆlow ′〜ｆhigh′と重なってしまう場合、上記半導
体レーザ１２１に供給される記録電流波形が乱れてしま
う。このため、半導体レーザ１２１が正確な記録のため
のレーザ発光を行わなくなり、その結果、図６に示した
半導体レーザ駆動装置では、正常な記録動作が行えない
場合があるという課題を有していた。

【００２０】そこで本発明は、上記課題を鑑みてなされ
たものであり、記録時の半導体レーザに印加される電流
の周波数特性を改善することにより、確実な記録動作を
行うことができる半導体レーザ駆動装置を提供すること
を目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体レーザ駆動装置は、光学記録媒体に
照射する記録用レーザ光及び再生用レーザ光を供給する
半導体レーザと、上記記録用レーザ光を照射するための
記録用駆動信号を上記半導体レーザに供給する記録用ラ
インと、上記再生用レーザ光を照射するための再生用駆
動信号を上記半導体レーザに供給する再生用ラインと、
上記再生用駆動信号に高周波信号を重畳し、上記半導体
レーザから供給される上記再生用レーザ光のレーザノイ
ズを低減する高周波重畳発振手段と、上記再生用ライン
に設けられ、上記高周波重畳発振手段の駆動に伴う不要
輻射を防止する不要輻射防止手段と、上記半導体レーザ
と上記高周波重畳発振手段を収納するシールド手段とを
具備した半導体レーザ駆動装置であり、上記記録用ライ
ンから見た上記不要輻射防止手段及び上記高周波重畳発
振手段のインピーダンスが低下する帯域を上記記録用駆
動信号の帯域外に設定することを特徴とする。

【００２２】

【作用】本発明の半導体レーザ駆動装置では、光学記録
媒体に照射する記録用レーザ光及び再生用レーザ光が半
導体レーザにより供給され、上記記録用レーザ光を照射
するための記録用駆動信号が記録用ラインにより上記半
導体レーザに供給され、また上記再生用レーザ光を照射
するための再生用駆動信号が再生用ラインにより上記半
導体レーザに供給される。さらに、高周波重畳発振手段
により上記再生用駆動信号に高周波信号が重畳され、上
記半導体レーザから供給される上記再生用レーザ光のレ
ーザノイズが低減される。さらに、上記再生用ラインに
設けられ、上記高周波重畳発振手段の駆動に伴う不要輻
射が不要輻射防止手段により防止され、上記半導体レー
ザと上記高周波重畳発振手段がシールド手段により収納
される。そして、上記記録用ラインから見た上記不要輻
射防止手段及び上記高周波重畳発振手段のインピーダン
スが低下する帯域が上記記録用駆動信号の帯域外に設定
される。

【００２３】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明に係る第１実施例の半導体レーザ
駆動装置の構成を示す回路図である。

【００２４】この半導体レーザ駆動装置において、ＣＰ
Ｕ１は貫通コンデンサＣ１、さらに、コイルＬ１を介し
てトランジスタＱ１のベースに接続されると共に、コン
デンサＣ２の一端に接続され、さらにこのコンデンサＣ
２の他端はシールドケース２を介して基準電位点（ＧＮ
Ｄ）に接続されている。

【００２５】また、ＣＰＵ１は再生用制御回路（Ｒ用制
御回路）３を介して再生用半導体レーザ駆動回路（Ｒ用
ＬＤドライバ）４に接続され、さらに、この再生用半導
体レーザ駆動回路４は貫通コンデンサＣ３、さらに、コ
イルＬ２を介してコンデンサＣ４の一端に接続されると
共に、半導体レーザＬＤ１のアノードと、スイッチング
ダイオードＤ１のカソードに接続され、さらに、この半
導体レーザＬＤ１のカソードはシールドケース２を介し
て、基準電位点に接続されている。

【００２６】さらに、上記コンデンサＣ４の他端は、コ
イルＬ３を介してコイルＬ４の一端、コンデンサＣ５の
一端、抵抗Ｒ１の一端、トランジスタＱ１のコレクタに
それぞれ並列に接続されている。さらに、コンデンサＣ
５の他端は、コンデンサＣ６の一端、上記トランジスタ
Ｑ１のエミッタ、抵抗Ｒ２の一端にそれぞれ並列に接続
されている。さらに、コンデンサＣ６の他端と抵抗Ｒ２
の他端は、シールドケース２を介して基準電位点に接続
されている。

【００２７】また、ＣＰＵ１は記録用制御回路（Ｗ用制
御回路）５を介して記録用半導体レーザ駆動回路（Ｗ用
ＬＤドライバ）６に接続され、さらに、この記録用半導
体レーザ駆動回路６は貫通コンデンサＣ７を介してスイ
ッチングダイオードＤ１のアノードに接続されると共
に、スイッチ７の一端に接続されている。

【００２８】さらに、ＣＰＵ１からスイッチ７の制御端
にはコントロール信号ラインが接続され、スイッチ７の
他端は基準電位点に接続されている。また、ＣＰＵ１か
ら記録用制御回路５には記録用情報信号ラインが接続さ
れている。

【００２９】また、上記抵抗Ｒ１の他端、コイルＬ４の
他端、及び一端を基準電圧点に接続されたコンデンサＣ
８の他端は、コイルＬ５、さらには貫通コンデンサＣ９
を介して、電圧源（＋５Ｖ）に接続されている。また、
シールドケース２は、基準電位点に接続されている。

【００３０】また、トランジスタＱ１、抵抗Ｒ１，Ｒ
２、コンデンサＣ２，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ８、コイル
Ｌ３，Ｌ４により高周波発振回路８を構成し、ＣＰＵ１
からのコントロール電圧によってトランジスタＱ１のベ
ース電圧を制御することにより、上記高周波発振回路８
のオン／オフの制御を行う。

【００３１】また、上記貫通コンデンサＣ１，Ｃ３，Ｃ
７，Ｃ９は、上記シールドケース２に貫通して固定され
ている。そして、上記高周波発振回路８からの高周波電
流は、コイルＬ１，Ｌ２，Ｌ５と貫通コンデンサＣ１，
Ｃ３，Ｃ９とで構成されるＬＣフィルタの不要輻射防止
回路９により、上記シールドケース２の外部に放射され
ないようになっている。

【００３２】このとき、記録時における半導体レーザＬ
Ｄ１に供給される記録用電流の周波数特性は、直列共振
周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３において３つの谷が生じる。こ
れらのうち、上記直列共振周波数ｆ１，ｆ２は、上記高
周波発振回路８のＬＣによる直列共振周波数であり、上
記直列共振周波数ｆ３は再生側のＬＣフィルタであるコ
イルＬ２、コンデンサＣ３による直列共振周波数であ
る。

【００３３】ここで、直列共振周波数ｆ１はコイルＬ
３，Ｌ４、コンデンサＣ４による直列共振周波数であ
り、次式で表される。ｆ１＝１／［２π｛（Ｌ３＋Ｌ４）Ｃ４｝^1/2 ］ …（１）また、直列共振周波数ｆ２はコイルＬ４、コンデンサＣ
４，Ｃ５，Ｃ６による直列共振周波数であり、次式で表
される。

【００３４】ｆ２＝１／｛２π（Ｌ４・Ｃ０）^1/2 ｝ …（２）但し、Ｃ０＃Ｃ４・Ｃ５・Ｃ６／（Ｃ５・Ｃ６＋Ｃ４・
Ｃ５＋Ｃ４・Ｃ５・Ｃ６）また、直列共振周波数ｆ３は上述したように再生側のＬ
ＣフィルタであるコイルＬ２、コンデンサＣ３による直
列共振周波数であり、次式で表される。

【００３５】ｆ３＝１／｛２π（Ｌ２・Ｃ３）^1/2 ｝ …（３）で表される。そこで、本第１実施例の半導体レーザ駆動
装置における記録時のライトデータパターンの周波数帯
域をｆlow 〜ｆhighとした場合、図２に示すように直列
共振周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３が上記ライトデータパター
ンの周波数帯域ｆlow 〜ｆhighの帯域外になるように構
成する。すなわち、直列共振周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３
を、上記（１），（２），（３）式により、上記ライト
データパターンの周波数帯域ｆlow 〜ｆhighの帯域外に
設定する。

【００３６】なお、上記直列共振周波数ｆ１，ｆ２，ｆ
３の設定については、設定手段１０により半導体レーザ
駆動装置の動作時において自動的に変化させても良い。
上述のように構成された本第１実施例の半導体レーザ駆
動装置においては、再生時には、上記高周波発振回路８
にＣＰＵ１からのコントロール電圧が印加され、記録用
電流に高周波が重畳され半導体レーザＬＤ１に供給され
る。

【００３７】一方、記録時には、上記高周波発振回路８
にＣＰＵ１からのコントロール電圧は印加されず、高周
波発振回路８はオフとなる。そして、記録時のライトデ
ータパターンの周波数帯域ｆlow 〜ｆhighの帯域外に上
記直列共振周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３を設定することによ
り、上記高周波発振回路８のＬＣの直列共振周波数ｆ
１，ｆ２と再生側のＬＣフィルタによる直列共振周波数
ｆ３の影響を受けることなく、記録用電流が半導体レー
ザＬＤ１に供給される。

【００３８】以上説明したように、本第１実施例の半導
体レーザ駆動装置によれば、ライトデータパターンの周
波数帯域内の特性をフラットにすることにより、確実な
記録動作を行うことができる。

【００３９】次に、本発明に係る第２実施例について説
明する。図３は、本発明に係る第２実施例の半導体レー
ザ駆動装置の構成を示す回路図である。

【００４０】この半導体レーザ駆動装置において、ＣＰ
Ｕ１１は貫通コンデンサＣ１１、さらにコイルＬ１１を
介してトランジスタＱ１１のベースに接続されると共
に、コンデンサＣ１３の一端と、さらにコンデンサＣ１
４の一端とに接続されている。

【００４１】上記コンデンサＣ１３の他端はコイルＬ１
２の一端に接続され、さらにこのコイルＬ１２の他端は
シルードケース１２を介して、基準電位点（ＧＮＤ）に
接続されている。

【００４２】また、ＣＰＵ１１は再生用制御回路（Ｒ用
制御回路）１３を介して再生用半導体レーザ駆動回路
（Ｒ用ＬＤドライバ）１４に接続され、さらにこの再生
用半導体レーザ駆動回路１４は貫通コンデンサＣ１５、
さらにコイルＬ１３介してコンデンサＣ１６の一端に接
続されると共に、半導体レーザＬＤ１１のアノードとス
イッチングダイオードＤ１１のカソードに接続され、ま
たこの半導体レーザＬＤ１１のカソードはシールドケー
ス１２を介して、基準電位点（ＧＮＤ）に接続されてい
る。

【００４３】さらに、上記コンデンサＣ１６の他端は、
コイルＬ１４の一端、抵抗Ｒ１１の一端、トランジスタ
Ｑ１２のコレクタにそれぞれ並列に接続されている。ま
た、ＣＰＵ１１は記録用制御回路（Ｗ用制御回路）１５
を介して記録用半導体レーザ駆動回路（Ｗ用ＬＤドライ
バ）１６に接続され、さらにこの記録用半導体レーザ駆
動回路１６は貫通コンデンサＣ１７を介して、スイッチ
ングダイオードＤ１１に接続されると共に、スイッチ１
７の一端に接続されている。

【００４４】さらに、ＣＰＵ１１からスイッチ１７の制
御端にはコントロール信号ラインが接続され、スイッチ
１７の他端は基準電位点に接続されている。また、ＣＰ
Ｕ１１から記録用制御回路１５には記録用情報信号ライ
ンが接続されている。

【００４５】また、電圧源（＋５Ｖ）は貫通コンデンサ
Ｃ１８、さらにコイルＬ１５を介して上記コイルＬ１４
の他端、抵抗Ｒ１１の他端、抵抗Ｒ１２の他端、上記ト
ランジスタＱ１１のコレクタに接続されると共に、コン
デンサＣ１９を介して基準電位点に接続されている。

【００４６】さらに、上記抵抗Ｒ１２の他端はトランジ
スタＱ１２のベース、抵抗Ｒ１３の一端、コンデンサＣ
２０の一端にそれぞれ接続され、上記トタンジスタＱ１
２のエミッタは抵抗Ｒ１４、さらにシールドケース１２
を介して基準電位点に接続されている。

【００４７】また、上記トランジスタＱ１１のエミッタ
は上記コンデンサＣ２０の他端、コンデンサＣ２１の一
端、抵抗Ｒ１５の一端、上記コンデンサＣ１４の他端に
接続されている。さらに、上記抵抗Ｒ１３の他端、コン
デンサＣ２１の他端、抵抗Ｒ１５の他端は、シールドケ
ース１２を介して基準電位点に接続されている。また、
シールドケース１２は、基準電位点に接続されている。

【００４８】また、トランジスタＱ１１、抵抗Ｒ１５、
コンデンサＣ１３，Ｃ１４，Ｃ２１、コイルＬ１２によ
り高周波発振回路が構成され、ＣＰＵ１１からのコント
ロール電圧によってトランジスタＱ１１のベース電圧を
制御することにより、上記高周波発振回路のオン／オフ
の制御を行う。高周波発振回路の出力は、トランジスタ
Ｑ１２、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４、コンデ
ンサＣ１６，Ｃ２０、コイルＬ１４により構成される高
周波増幅回路によって、高周波電流を半導体レーザＬＤ
１１に供給する。

【００４９】また、上記貫通コンデンサＣ１１，Ｃ１
５，Ｃ１７，Ｃ１８は、上記シールドケース１２に貫通
して固定されている。そして、上記高周波増幅回路から
の高周波電流は、コイルＬ１１，Ｌ１３，Ｌ１５と貫通
コンデンサＣ１１，Ｃ１５，Ｃ１８とで構成されている
ＬＣフィルタの不要輻射防止回路１８により、上記シー
ルドケース１２の外部に放射されないようになってい
る。

【００５０】このとき、記録時における半導体レーザＬ
Ｄ１１に供給される記録用電流の周波数特性は、直列共
振周波数ｆ１１，ｆ１２において２つの谷が生じる。こ
れらのうち、上記直列共振周波数ｆ１１は、上記高周波
発振回路のＬＣによる直列共振周波数であり、上記直列
共振周波数ｆ１２は再生側のＬＣフィルタであるコイル
Ｌ１３、コンデンサＣ１５による直列共振周波数であ
る。

【００５１】ここで、直列共振周波数ｆ１１はコイルＬ
１４、コンデンサＣ１６による直列共振周波数であり、
次式で表される。ｆ１１＝１／｛２π（Ｌ１４・Ｃ１６）^1/2 ｝ …（４）また、直列共振周波数ｆ１２は上述したように再生側の
ＬＣフィルタであるコイルＬ１３、コンデンサＣ１５に
よる直列共振周波数であり、次式で表される。

【００５２】ｆ１２＝１／｛２π（Ｌ１３・Ｃ１５）^1/2 ｝ …（５）で表される。そこで、本第２実施例の半導体レーザ駆動
装置における記録時のライトデータパターンの周波数帯
域をｆlow 〜ｆhighとした場合、図４に示すように直列
共振周波数ｆ１１，ｆ１２が上記ライトデータパターン
の周波数帯域ｆlow 〜ｆhighの帯域外になるように構成
する。すなわち、直列共振周波数ｆ１１，ｆ１２を、上
記（４），（５）式により、上記ライトデータパターン
の周波数帯域ｆlow 〜ｆhighの帯域外に設定する。

【００５３】上述のように構成された本第２実施例の半
導体レーザ駆動装置においては、再生時には、上記高周
波発振回路にＣＰＵ１１からのコントロール電圧が印加
され、記録用電流に高周波が重畳され半導体レーザＬＤ
１１に供給される。

【００５４】一方、記録時には、上記高周波発振回路に
ＣＰＵ１１からのコントロール電圧は印加されず、高周
波発振回路はオフとなる。そして、記録時のライトデー
タパターンの周波数帯域ｆlow 〜ｆhighの帯域外に上記
直列共振周波数ｆ１１，ｆ１２を設定することにより、
上記高周波発振回路のＬＣの直列共振周波数ｆ１１と再
生側のＬＣフィルタによる直列共振周波数ｆ１２の影響
を受けることなく、記録用電流が半導体レーザＬＤ１１
に供給される。

【００５５】以上説明したように、本第２実施例の半導
体レーザ駆動装置によれば、ライトデータパターンの周
波数帯域内の特性をフラットにすることにより、確実な
記録動作を行うことができる。

【００５６】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、記録
時の半導体レーザに印加される電流の周波数特性を改善
することにより、確実な記録動作を行うことができる半
導体レーザ駆動装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１実施例の半導体レーザ駆動装
置の構成を示す回路図である。

【図２】本第１実施例の半導体レーザ駆動装置におい
て、記録時に半導体レーザＬＤ１に印加される電流の周
波数特性を示す図である。

【図３】本発明に係る第２実施例の半導体レーザ駆動装
置の構成を示す回路図である。

【図４】本第２実施例の半導体レーザ駆動装置におい
て、記録時に半導体レーザＬＤ１１に印加される電流の
周波数特性を示す図である。

【図５】第１の従来例の半導体レーザ駆動装置の構成を
示す図である。

【図６】第２の従来例の半導体レーザ駆動装置の構成を
示す図である。

【図７】第２の従来例の半導体レーザ駆動装置内の高周
波発振回路１２２の詳細な回路図である。

【図８】第２の従来例の半導体レーザ駆動装置におい
て、記録時に半導体レーザ１２１に印加される電流の周
波数特性を示す図である。

【符号の説明】

１，１１…ＣＰＵ、２，１２…シールドケース、３，１
３…再生用制御回路（Ｒ用制御回路）、４，１４…再生
用半導体レーザ駆動回路（Ｒ用ＬＤドライバ）、５，１
５…記録用制御回路（Ｗ用制御回路）、６，１６…記録
用半導体レーザ駆動回路（Ｗ用ＬＤドライバ）、７，１
７…スイッチ、８…高周波発振回路、９，１８…不要輻
射防止回路、ＬＤ１，ＬＤ１１…半導体レーザ、Ｄ１，
Ｄ１１…スイッチングダイオード、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ１
１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５…抵抗、Ｃ１，Ｃ
３，Ｃ７，Ｃ９，Ｃ１１，Ｃ１５，Ｃ１７，１８…貫通
コンデンサ、Ｃ２，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ８，Ｃ１３，
Ｃ１４，Ｃ１６，Ｃ１９，Ｃ２０，Ｃ２１…コンデン
サ、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５、Ｌ１１，Ｌ１２，
Ｌ１３，Ｌ１４，Ｌ１５…コイル、Ｑ１，Ｑ１１，Ｑ１
２…トランジスタ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学記録媒体に照射する記録用レーザ光
及び再生用レーザ光を供給する半導体レーザと、上記記録用レーザ光を照射するための記録用駆動信号を
上記半導体レーザに供給する記録用ラインと、上記再生用レーザ光を照射するための再生用駆動信号を
上記半導体レーザに供給する再生用ラインと、上記再生用駆動信号に高周波信号を重畳し、上記半導体
レーザから供給される上記再生用レーザ光のレーザノイ
ズを低減する高周波重畳発振手段と、上記再生用ラインに設けられ、上記高周波重畳発振手段
の駆動に伴う不要輻射を防止する不要輻射防止手段と、上記半導体レーザと上記高周波重畳発振手段を収納する
シールド手段と、を具備し、上記記録用ラインから見た上記不要輻射防止手段及び上
記高周波重畳発振手段のインピーダンスが低下する帯域
を上記記録用駆動信号の帯域外に設定することを特徴と
する半導体レーザ駆動装置。