JPH087203A

JPH087203A - Ｍｒヘッドの駆動方法及びハードディスクシステム

Info

Publication number: JPH087203A
Application number: JP13983794A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Sonobe; 義明園部; Hiroshi Uchida; 博内田; Takashi Toyooka; 孝資豊岡; Takao Matsui; 孝夫松井; Tatsuji Aoki; 達司青木; Yasuhiro Iihara; 康弘飯原; Kazunari Tsuchimoto; 和成土本; Yutaka Ozawa; 豊小澤
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1994-06-22
Filing date: 1994-06-22
Publication date: 1996-01-12

Abstract

(57)【要約】【目的】分解組み立て等の複雑な作業をすることな
く、容易にＭＲヘッドの磁区の安定性を向上させ、デー
タ再生することができる。【構成】ＨＤＣ３０のコントローラ本体４０から出力
された信号に応じ駆動装置２８が駆動してアクセスアー
ムが所定角度旋回した位置で、情報の記録再生を行う。
このディスクに対する情報の記録再生にあたり、再生制
御回路３２ＡによりＭＲ効果を有する磁気ヘッド２０Ａ
の再生素子２１Ａに供給するバイアス電流を所定時間だ
けオンオフする。従って、所定時間内で磁化ベクトルの
方向が変化するので、再生素子２１Ａ（ＭＲ素子）の磁
区が不安定になることがなく、安定化され、安定的にデ
ィスクから情報を再生することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＭＲヘッドの駆動方法
及びハードディスクシステムにかかり、特に、磁気抵抗
効果を有するＭＲヘッドを用いて情報を記録再生すると
きのＭＲヘッドの駆動方法、及びＭＲヘッドを備えたハ
ードディスクシステムに関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】コンピ
ュータ等で用いられる膨大な情報を記録するための情報
記録媒体として、ハードディスクドライブユニット（以
下、ＨＤＤ装置という。）が実用化されている。このＨ
ＤＤ装置では、複数の磁気記録円盤（以下、ディスクと
いう。）を備え、このディスクに定められた所望のトラ
ック上に再生・記録ヘッド（以下、磁気ヘッドとい
う。）を位置させて、ディスクへの情報記録またはディ
スクからの情報再生を行っている。

【０００３】このＨＤＤ装置には、ディスクの所定位置
に磁気ヘッドを位置決めするために、ボイスコイルモー
ター（ＶＣＭ）を用いたロータリーアクチュエータが、
軽量、高速、低コストという点で広く用いられている。
このロータリーアクチュエータはディスク外に回転軸を
有し、先端部に配置された磁気ヘッドをディスク上に旋
回させて所定位置に位置決めしている。サーボ方式は、
例えば、各ディスク面のセクタごとに位置制御に必要な
パターン、シリンダ番号やセクタ番号が記録されたセク
タサーボ方式があり、特に小型のＨＤＤ装置に広く用い
られている。

【０００４】近年、このコンピュータ等での処理が多岐
に渡る点等を考慮してＨＤＤ装置の大容量化が加速して
いる。このようなＨＤＤ装置の大容量化を促進するた
め、トラック幅の狭幅化やこれに伴うトラック上に位置
決めする磁気ヘッドの小型化が叫ばれており、本出願人
は、情報の記録・再生のための磁気ヘッドとして、ＭＲ
ヘッドを用いて構成することを勘案している。

【０００５】このＭＲヘッドは、再生素子と記録素子が
独立に形成され、再生素子としてＭＲ効果を有するＭＲ
素子と、記録素子としてインダクティブ薄膜ヘッドとか
ら構成されている。ＭＲ素子は、周知のように、磁界ま
たは磁化により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果（ＭＲ
効果）を有する素子であり、ＭＲ素子近傍の磁界を検出
することができる。このＭＲ素子は、抵抗値の変化によ
って磁界を検出する際、感度と変化する磁界との直線性
を向上させるためにバイアス磁界を必要とする。このバ
イアス磁界を得るための一般的な方法として、永久磁石
膜によるハードバイアス方法、バイアス用導体を用いて
バイアス電流が生成する磁界を用いるシャントバイアス
方法またはバイアス用導体を用いることなくＭＲ素子の
検出電流から発生する磁界を用いるセルフバイアス法
（ソフトバイアス方法）がある。このようなバイアス法
によりＭＲヘッドの再生素子における磁区を制御するこ
とができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＨＤＤ
装置の大容量化を図るための磁気記録領域であるトラッ
ク幅を縮小する狭トラック化に伴って、ＭＲヘッドのギ
ャップ長が短縮化されることによりＭＲヘッド自体が縮
小化される。このため、ＭＲヘッドの磁区の不安定性が
増加し、外部磁場やＥＳＤ／ＥＯＳ（Electrical Overs
tress Damage）などの外部からのストレスにより、出力
信号が不安定になることがある。このように磁区が不安
定になったＭＲヘッドは、ＭＲヘッドの初期化処理を再
度行うことにより元の特性に戻すことができる。

【０００７】しかしながら、ＨＤＤ装置等の磁気ディス
ク装置で代表されるデータへ直接アクセスできる記憶装
置である直接アクセス記憶装置（ＤＡＳＤ、Direct Acc
essStorage Device）においてはＭＲヘッドの磁区の不
安定性によりデータ再生不能になった場合に、直接アク
セス記憶装置を分解してＭＲヘッドを取り出して初期化
した後に再度組み立てなければならなかった。

【０００８】本発明は、外部磁場やＥＳＤ／ＥＯＳ等の
ストレスによりＭＲヘッドの磁区が変化した場合であっ
ても、分解組み立て等の複雑な作業をすることなく、容
易にＭＲヘッドの磁区の安定性を向上させ、データ再生
することができるＭＲヘッドの駆動方法及びハードディ
スクシステムを得ることを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載の発明は、磁気抵抗効果を有しかつバ
イアス磁界が付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて
情報を再生するための再生素子を少なくとも備えたＭＲ
ヘッドによって、情報記録用ディスクから前記情報を再
生するときの前記ＭＲヘッドの駆動方法であって、前記
バイアス磁界を所定時間だけ変化させた後に前記情報を
再生することを特徴としている。

【００１０】請求項２に記載の発明は、磁気抵抗効果を
有しかつバイアス磁界が付与されると共に該磁気抵抗効
果を用いて情報を再生するための再生素子と、該情報を
記録するための記録素子とから構成されるＭＲヘッドに
よって、情報記録用ディスクから前記情報を少なくとも
再生するときの前記ＭＲヘッドの駆動方法であって、前
記バイアス磁界を所定時間だけ変化させた後に前記情報
を再生することまたは前記情報を記録することを特徴と
している。

【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載のＭＲヘッドの駆動方法であって、前記
バイアス磁界を付与及び未付与を繰り返すことによって
前記再生素子に付与する前記バイアス磁界を変化させる
ことを特徴としている。

【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載のＭＲヘッドの駆動方法であって、前記
再生素子にバイアス磁界を付与するためにバイアス電流
を供給し、該バイアス電流の電流値を変化させることに
よって前記再生素子に付与する前記バイアス磁界を変化
させることを特徴としている。

【００１３】請求項５に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載のＭＲヘッドの駆動方法であって、前記
再生素子にバイアス磁界を付与するためにバイアス電流
を供給し、該バイアス電流の極性を変化させることによ
って前記再生素子に付与する前記バイアス磁界を変化さ
せることを特徴としている。

【００１４】請求項６に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載のＭＲヘッドの駆動方法であって、前記
再生素子は、磁気抵抗効果を有しかつバイアス電流が供
給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子に供
給されたバイアス電流によって磁化されると共に該磁化
された磁界によって該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界
を付与する被磁化素子とから構成されることを特徴とし
ている。

【００１５】請求項７に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載のＭＲヘッドの駆動方法であって、前記
再生素子は、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子
と、バイアス電流が供給されかつ供給されたバイアス電
流によって該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与す
る磁界付与素子とから構成されることを特徴としてい
る。

【００１６】請求項８に記載の発明のハードディスクシ
ステムは、磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が付与
されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を情報記録用
ディスクから再生するための再生素子と、該情報を該情
報記録用ディスクへ記録するための記録素子とから構成
されるＭＲヘッドと、前記再生素子に前記バイアス磁界
を付与する磁界付与手段と、前記ＭＲヘッドからの出力
信号に基づいて前記情報を再生すると共に、入力された
信号に基づいて前記情報を記録する情報記録再生手段
と、前記情報記録再生手段により前記情報を記録または
再生するときに前記バイアス磁界を所定時間だけ変化す
るように前記磁界付与手段を制御すると共に、該バイア
ス磁界を変化させた後に前記情報を再生するまたは前記
情報を記録するように制御する制御手段と、を備えてい
る。

【００１７】

【作用】本発明のＭＲヘッドの駆動方法では、磁気抵抗
効果を有しかつバイアス磁界が付与されると共に該磁気
抵抗効果を用いて情報を再生するための再生素子を少な
くとも備えたＭＲヘッドによって、ＨＤＤ装置等の情報
記録用ディスクから情報を再生する。この情報を再生す
るときは、請求項１に記載したように、バイアス磁界を
所定時間だけ変化させた後に情報を再生する。このバイ
アス磁界の変化によって再生素子内に不安定な磁区が生
じた場合であっても、この不安定な磁区が低減し、ＭＲ
ヘッドの初期化処理を行うことなく、安定的な磁区を有
する再生素子にできる。これにより、データ等の再生不
良が発生することがない。

【００１８】また、請求項２にも記載したように、ＭＲ
ヘッドは磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が付与さ
れると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生するため
の再生素子と、該情報を記録するための記録素子とから
構成してもよい。ＨＤＤ装置等の情報記録用ディスクか
ら情報を少なくとも再生するとき、すなわち、情報を再
生するときまたは情報を記録するときに、バイアス磁界
を所定時間だけ変化させる。従って、情報の記録または
再生する以前に不安定な磁区を低減させることができ、
情報の記録または再生時において生じるような不安定な
磁区を、次の情報の記録または再生する以前に低減させ
ることができる。従って、情報の記録または再生する時
点においては、安定的な磁区を有する状態として再生素
子を供給できる。これにより、常時データ等の再生不良
が発生することがない。

【００１９】前記再生素子に付与するバイアス磁界は、
請求項３にも記載したように、バイアス磁界を付与及び
未付与を繰り返すことによって変化させることができ
る。すなわち、情報の記録または再生する以前に付与す
る磁界をオンオフすれば、バイアス磁界が所定時間だけ
変化されたこととなり、ＭＲヘッドの初期化処理を行う
ことなく、安定的な磁区を有する再生素子にできる。ま
た、ＭＲヘッドに付与するバイアス磁界を生成するため
には、バイアス電流の供給によってすることが一般的で
ある。このため、前記再生素子に付与するバイアス磁界
として、請求項４にも記載したように、再生素子にバイ
アス磁界を付与するためにバイアス電流を供給し、該バ
イアス電流の電流値を変化させることによって再生素子
に付与するバイアス磁界を変化させてもよい。電流は、
周知のように、電流の流れる方向に対応する極性を有し
ているので、請求項５にも記載したように、再生素子に
バイアス磁界を付与するためにバイアス電流を供給し、
該バイアス電流の極性を変化させれば、バイアス電流の
極性反転という単純な構成で再生素子に付与するバイア
ス磁界を変化させることができる。

【００２０】前記ＭＲヘッドの再生素子は、請求項６に
記載したように、磁気抵抗効果を有しかつバイアス電流
が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子
に供給されたバイアス電流によって磁化されると共に該
磁化された磁界によって該磁気抵抗効果素子にバイアス
磁界を付与する被磁化素子とから構成する、所謂ソフト
バイアス方式のＭＲヘッドを用いることができる。ま
た、前記ＭＲヘッドの再生素子は、請求項７に記載した
ように、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子と、バ
イアス電流が供給されかつ供給されたバイアス電流によ
って該磁気抵抗効果素子に磁界を付与する磁界付与素子
とから構成する、所謂シャントバイアス方式のＭＲヘッ
ドを用いることができる。

【００２１】前記ＭＲヘッドの駆動方法は、請求項８に
記載したハードディスクシステムはで実現可能である。
このハードディスクシステムは、磁気抵抗効果を有しか
つバイアス磁界が付与されると共に該磁気抵抗効果を用
いて情報を情報記録用ディスクから再生するための再生
素子と、該情報を該情報記録用ディスクへ記録するため
の記録素子とから構成されるＭＲヘッドを備えている。
このＭＲヘッドには、前記の所謂シャントバイアス方式
のＭＲヘッド及び所謂ソフトバイアス方式のＭＲヘッド
を用いてもよい。このＭＲヘッドの再生素子には磁界付
与手段によってバイアス磁界が付与される。このバイア
ス磁界が付与されたＭＲヘッドからは情報記録再生手段
によって、出力信号に基づいて情報を再生すると共に、
入力された信号に基づいて情報を記録する。この情報記
録再生手段により情報を記録または再生するときには、
制御手段が、バイアス磁界を所定時間だけ変化するよう
に磁界付与手段を制御すると共に、該バイアス磁界を変
化させた後に情報を再生するまたは情報を記録するよう
に制御する。従って、情報記録再生手段によって、情報
の記録または再生をする以前にバイアス磁界を所定時間
だけ変化させる単純かつ容易な構成で、ＭＲヘッドの初
期化処理を行うことなく、安定的な磁区を有する再生素
子にできる。従って、ＨＤＤ装置からＭＲヘッドを取り
出したり、再度初期化処理を行うことなく、不安定な磁
区が低減し、データ等の再生不良が発生することがない
ＨＤＤ装置を提供できる。

【００２２】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。本実施例は、磁気記録円盤（ディスク）
に対して、セクタサーボ法によって磁気ヘッドを位置決
めするＨＤＤ装置１０に本発明を適用したものである。

【００２３】図２に示すように、第１実施例に係るＨＤ
Ｄ装置１０はシャフト１２を高速で回転させる駆動装置
１４を備えている。シャフト１２には、互いの軸線が一
致するように円筒状の支持体１６が取付けられており、
支持体１６の外周面には複数枚（図２では２枚）のディ
スク１８Ａ、１８Ｂが各々所定間隔隔てて取付けられて
いる。ディスク１８Ａ，１８Ｂは所定の厚み寸法の円盤
状とされており、各々硬質の材料で製作されかつ両面に
磁性材料が塗布されており、両面が記録面とされてい
る。ディスク１８Ａ，１８Ｂの中心部には支持体１６の
外径寸法とほぼ同径の孔が穿設されている。孔には支持
体１６が挿入されており、ディスク１８Ａ，１８Ｂは支
持体１６の外周面に固定されている。従って、駆動装置
１４によってシャフト１２が回転されると、ディスク１
８Ａ，１８Ｂは支持体１６と一体的に回転される。

【００２４】ディスク１８Ａ，１８Ｂの各々の記録面に
は、図３に示すようにディスク１８の半径方向に沿って
複数のサーボ領域５０が放射状に形成され、残りの領域
がデータトラック領域５２とされている。サーボ領域５
０には、データトラックの配列方向等を示すためのバー
ストパターン等のサーボ信号が記録され、また、パター
ンの開始を示す特殊コード（１μsec 程度の無信号領域
等）及び各データトラックのアドレス等を表すグレイコ
ード（巡回２進符号）が、データトラックに対応されて
記録されている。なお、サーボ領域５０の回転方向の終
端には、サーボ領域５０の終了を表す（セクタの開始を
表す）セクタパルス信号ＳＰを発生させるための情報が
記録されている。データトラック領域５２には複数のデ
ータトラックが半径方向に沿って同心円状にピッチＰで
形成されており、各データトラックは、後述する磁気ヘ
ッドによってディスク１８Ａ，１８Ｂの回転方向に沿っ
て情報が書き込まれる。

【００２５】上記ＨＤＤ装置１０は、ディスク１８Ａ，
１８Ｂの各々の記録面に対応して設けられた所定ヘッド
ギャップ幅及びギャップ長の磁気ヘッド２０Ａ〜２０Ｄ
を備えている。各磁気ヘッド２０Ａ〜２０Ｄは、ＭＲヘ
ッドとして機能すると共に、情報を読取るための再生素
子２１Ａ〜２１Ｄと、情報を書込むための記録素子１９
Ａ〜１９Ｄとから構成されている（図１参照、詳細は後
述）。磁気ヘッド２０Ａ〜２０Ｄの各々は、対応するア
クセスアーム２２Ａ〜２２Ｄの先端部に取付けられてお
り、ディスク１８Ａ，１８Ｂの対応する記録面から若干
（例えば 0.1〜0.2ミクロン程度）離れた位置に保持さ
れている。アクセスアーム２２Ａ〜２２Ｄのの後端部は
支持部２４に取り付けられている。支持部２４は、シャ
フト２６を介して駆動装置２８に取り付けられており、
駆動装置２８が所定角度だけ回動することによってアク
セスアーム２２Ａ〜２２Ｄが旋回するようになってい
る。このアクセスアーム２２Ａ〜２２Ｈの旋回によっ
て、各磁気ヘッド２０Ａ〜２０Ｄがディスク１８Ａ，１
８Ｂの各記録面上を半径方向（図３参照）に移動し、デ
ィスク１８Ａ〜１８Ｄの記録面上の所定部位に位置され
る。

【００２６】駆動装置２８は、ハードディスクコントロ
ーラ（以下、ＨＤＣという。）３０に接続されている。
このＨＤＣ３０は、後述するように磁気ヘッド２０Ａ〜
２０Ｄの各々にも接続されている（図１参照）。

【００２７】図１に示すように、ＨＤＣ３０はコントロ
ーラ本体４０を有している。コントローラ本体４０は、
デジタルアナログ変換器（Ｄ／Ａ）２８ａ、増幅回路
（ＡＭＰ）２８ｂ、及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
２８ｃから構成される駆動装置２８に接続されている。
従って、コントローラ本体４０から出力されたデジタル
信号が、Ｄ／Ａ２８ａにおいてアナログ信号に変換さ
れ、ＡＭＰ２８ｂにおいて所定倍率で増幅された後に、
ＶＣＭ２８ｃへ供給される。ＶＣＭ２８ｃは供給された
信号に応じた所定角度だけ回動し、アクセスアーム２２
Ａ〜２２Ｄが所定角度旋回する。

【００２８】また、コントローラ本体４０は、情報記録
用の電流を供給するためのドライバ３４Ａを介して磁気
ヘッド２０Ａの記録素子１９Ａに接続されると共に、バ
イアス電流を制御するための再生制御回路３２Ａを介し
て磁気ヘッド２０Ａの再生素子２１Ａに接続されてい
る。この再生制御回路３２Ａは、ＭＲ効果を有し、情報
を読取るための再生素子２１Ａへバイアス電流を供給及
び変化させると共にディスクに記録された情報に応じた
磁界を検出するための回路である（図４参照、詳細は後
述）。同様に、コントローラ本体４０は、ドライバ３４
Ｂ〜３４Ｄを介して磁気ヘッド２０Ｂ〜２０Ｄの記録素
子１９Ｂ〜１９Ｄに接続されると共に、再生制御回路３
２Ｂ〜３２Ｄを介して磁気ヘッド２０Ｂ〜２０Ｄの再生
素子２１Ｂ〜２１Ｄに接続されている。

【００２９】本実施例では、上記再生制御回路３２Ａに
おいて、磁気ヘッド２０Ａの再生素子２１Ａに供給する
バイアス電流を変化させることによって、再生素子２１
Ａに付与されるバイアス磁界を変更させる構成になって
いる。このバイアス磁界を変更させる具体的な方法とし
ては、以下の５つの方法がある。

【００３０】〔バイアス磁界の変更〕バイアス電流の供給をオンオフすること。

【００３１】バイアス電流の電流値Ｉｘを、電流値０
から初期値Ｉｂまでの間の予め定めた電流値Ｉｓに変動
させること。

【００３２】バイアス電流の電流値Ｉｘを、初期値Ｉ
ｂから初期値Ｉｂの２倍の電流値２Ｉｂまでの間の予め
定めた電流値Ｉｕに変動させること。

【００３３】バイアス電流の電流値Ｉｘを、電流値０
から初期値Ｉｂの２倍の電流値２Ｉｂまでの間で変動さ
せること。すなわち、電流値０から初期値Ｉｂまでの間
の予め定めた電流値Ｉｓに変動させたり、初期値Ｉｂか
ら初期値Ｉｂの２倍の電流値２Ｉｂまでの間の予め定め
た電流値Ｉｕに変動させたりすること。

【００３４】バイアス電流の供給方向を逆転（極性を
反転）させること。なお、上記の初期値Ｉｂの２倍の電
流値２Ｉｂとして設定される電流値は、初期値Ｉｂの２
倍に限定されるものではなく、ＭＲ効果を奏するために
適切な電流値を予め求め、この適切な電流値の最大値を
設定してもよい。

【００３５】また、上記のバイアス磁界の変更方法〜
変更方法を組み合わせて変更するようにしてもよい。

【００３６】次に、上記の方法を実現するための概略構
成例を説明する。図４（Ａ）に示すように、変更方法
を実現するための再生制御回路３２Ａは、バイアス電流
を供給するための再生用ドライバ３６Ａ及びディスクに
記録された情報に応じた磁界を検出するための検出回路
３８Ａ並びにスイッチ回路４２Ａから構成されている。
コントローラ本体４０はドライバ３６Ａを介してスイッ
チ回路４２Ａの一方の端子Ｓ_Iに接続されている。他方
の端子Ｓ_Oは、再生素子２１Ａ及び検出回路３８Ａを介
してコントローラ本体４０に接続されている。また、ス
イッチ回路３２Ａはコントローラ本体４０に接続された
制御端Ｇを備えている。このスイッチ回路３２Ａは、制
御端Ｇから入力される信号に応じてオンオフするアナロ
グスイッチ回路等で構成され、制御端Ｇにローレベル信
号が入力されるとオフ、制御端Ｇにハイレベル信号が入
力されるとオンする構成である。従って、スイッチ回路
３２Ａがオンのときはバイアス電流が供給され、オフの
ときは未供給となる。

【００３７】図４（Ｂ）に示すように、変更方法、
、を実現するための再生制御回路３２Ａは、再生素
子２１Ａへ供給するバイアス電流の電流値を変更するた
めの電流変更回路４４Ａ及び検出回路３８Ａから構成さ
れている。コントローラ本体４０は電流変更回路４４Ａ
を介して再生素子２１Ａの一方に接続され、再生素子２
１Ａの他方は検出回路３８Ａを介してコントローラ本体
４０に接続されている。また、電流変更回路４４Ａはコ
ントローラ本体４０に接続された制御端Ｇを備えてい
る。この電流変更回路４４Ａは、増幅回路等で構成され
た電流出力型の回路であり、入力信号に応じた電流を出
力するようになっている。

【００３８】例えば、図示しない増幅回路の２種類の時
定数を予め定め、コントローラ本体４０からの入力信号
（例えば、ローレベルまたはハイレベル）に応じ切り換
え可能なように電流変更回路４４Ａを構成する。変更方
法の適用では、上記の２種類の時定数は、電流変更回
路４４Ａから出力されるバイアス電流の電流値Ｉｘが、
初期値Ｉｂ及び電流値０から初期値Ｉｂまでの間の予め
定めた電流値Ｉｓとなるように定めればよい。従って、
制御端Ｇにローレベル信号が入力されると電流変更回路
４４Ａからは初期値Ｉｂのバイアス電流が出力され、制
御端Ｇにハイレベル信号が入力されると電流変更回路４
４Ａからは電流値Ｉｓのバイアス電流が出力されること
になる。

【００３９】また、変更方法の適用では、上記の２種
類の時定数は、電流変更回路４４Ａから出力されるバイ
アス電流の電流値Ｉｘが、初期値Ｉｂ及び初期値Ｉｂか
ら初期値Ｉｂの２倍の電流値２Ｉｂまでの間の予め定め
た電流値Ｉｕとなるように定めればよい。従って、制御
端Ｇにローレベル信号が入力されると電流変更回路４４
Ａからは初期値Ｉｂのバイアス電流が出力され、制御端
Ｇにハイレベル信号が入力されると電流変更回路４４Ａ
からは電流値Ｉｕのバイアス電流が出力されることにな
る。

【００４０】さらに、変更方法の適用では、図示しな
い増幅回路の３種類の時定数を予め定める。すなわち、
電流変更回路４４Ａから出力されるバイアス電流の電流
値Ｉｘが、初期値Ｉｂ、電流値０から初期値Ｉｂまでの
間の予め定めた電流値Ｉｓ及び初期値Ｉｂから初期値Ｉ
ｂの２倍の電流値２Ｉｂまでの間の予め定めた電流値Ｉ
ｕとなるように定める。この場合、制御端Ｇにローレベ
ル信号が入力されると電流変更回路４４Ａからは初期値
Ｉｂのバイアス電流が出力されるようにすると共に、制
御端Ｇにハイレベル信号が入力されると電流変更回路４
４Ａからは所定時間毎に電流値Ｉｓまたは電流値Ｉｕの
バイアス電流が出力されるように切り替わって出力され
るようにすればよい。

【００４１】図４（Ｃ）に示すように、変更方法を実
現するための再生制御回路３２Ａは、再生用ドライバ３
６Ａ、検出回路３８Ａ及び切換スイッチ回路４６Ａから
構成されている。コントローラ本体４０はドライバ３６
Ａを介して切換スイッチ回路４６Ａの端子Ｓ_Dに接続さ
れると共に、検出器３８Ａを介して切換スイッチ回路４
６Ａの端子Ｓ_Cに接続されている。この切換スイッチ回
路４６Ａはコントローラ本体４０に接続された制御端Ｇ
を備えている。切換スイッチ回路４６Ａは、内部を通過
する２回線の経路を切り換えるための回路であり、制御
端Ｇにローレベル信号が入力されているときにオフし端
子Ｓ_A−Ｓ_D及び端子Ｓ_B−Ｓ_Cが導通する経路（図４
の実線）に設定されている。また、制御端Ｇにハイレベ
ル信号が入力されるとオンされて端子Ｓ_A−Ｓ_C及び端
子Ｓ_B−Ｓ_Dが導通する経路（図４の想像線）に切り替
わる。この切換スイッチ回路４６Ａの端子Ｓ_A、Ｓ_Bは
再生素子２１Ａの両端部に接続されている。従って、切
換スイッチ回路４６Ａがオンのときは所定方向（図４の
矢印Ｌ方向）で再生素子２１Ａにバイアス電流が供給さ
れ、オフのときは逆方向（図４の矢印Ｒ方向）で再生素
子２１Ａにバイアス電流が供給される。なお、切換スイ
ッチ回路４６Ａ〜３２Ｄは、Ｈブリッジ回路等で構成す
ることができる。

【００４２】なお、再生制御回路３２Ｂ〜３２Ｄは、再
生制御回路３２Ａと同様の構成であるため、詳細な説明
を省略する。

【００４３】上記の磁気ヘッド２０Ａは、ＭＲヘッドと
して機能するが、再生素子２１Ａと、記録素子１９Ａと
が独立して構成されている。記録素子１９Ａはインダク
ティブ薄膜等がスパッタリングで形成されている。一
方、再生素子２１Ａは、後述するように、磁界または磁
化により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果（ＭＲ効果）
を有する素子を含み、本実施例では、ソフトバイアス方
法によるバイアス磁界付与によって抵抗値の変化により
磁界を検出するときの感度と変化する磁界との直線性を
向上させて、再生素子近傍の磁界を検出するものであ
る。なお、磁気ヘッド２０Ｂ〜２０Ｄは、磁気ヘッド２
０Ａと同様の構成であるため、以下、磁気ヘッド２０Ａ
についてのみ説明し、磁気ヘッド２０Ｂ〜２０Ｄの詳細
な説明を省略する。

【００４４】図５に示すように、再生素子２１Ａは、Ｍ
Ｒ効果を有する略板状のＭＲ素子６２及び軟磁性（膜）
材料（soft Adjacent Layer 、以下、ＳＡＬという。）
６４を備えている。ＭＲ素子６２の両端部の各々には、
リード線６６が取り付けられており、このリード線６６
はＨＤＣ３０に接続されている。ＳＡＬ６４はＭＲ素子
６２と平行に積層されて構成されており、各々はディス
ク１８Ａに対して水平な位置になるように配設されてい
る。このＳＡＬ６４は軟磁性体であるためＭＲ素子６２
に供給される電流によって磁化される。この磁化された
ＳＡＬ６４の磁界によってＭＲ素子６２にはバイアス磁
界が付与される。

【００４５】図６に示すように、再生素子２１ＡのＭＲ
素子６２に電流を供給しない場合には、ＳＡＬ６４は磁
化されないので、磁化ベクトルの向きは製造時の向き
（図６の矢印Ｈ₀）である。ＭＲ素子６２にバイアス電
流として所定電流を所定方向（図６の白抜矢印Ｉ方向）
に供給すると、ＳＡＬ６４ではＭＲ素子６２に供給され
た所定電流によって所定方向（図６の矢印Ｕ方向）の垂
直磁界が生じる。このＳＡＬ６４の磁界がＭＲ素子６２
にバイアス磁界として付与され、ＭＲ素子６２における
磁化ベクトルの向きが（図６の矢印Ｈ_D方向に）変動す
る。

【００４６】一方、ＭＲ素子６２に供給した電流の向き
（極性）を反転（図６の白抜矢印Ｉ方向と逆方向）させ
ると、ＳＡＬ６４では逆方向（図６の矢印Ｕ方向と逆方
向）の垂直磁界が生じる。このため、ＭＲ素子６２にお
ける磁化ベクトルの向きは逆方向（図６の矢印Ｈ_U方
向）に変動する。従って、ＳＡＬ６４がＭＲ素子６２に
付与する垂直磁界の方向が反転することにより、ＭＲ素
子６２における磁化ベクトルの方向が、バイアス電流が
供給されないときの方向Ｈ₀から、ＭＲ素子６２に供給
されたバイアス電流の方向によって方向Ｈ_Uまたは方向
Ｈ_Dに変動することになる。

【００４７】次に、本実施例の作用を図７及び図８のフ
ローチャートを参照し、ＭＲヘッドの不安定な磁区を解
消するためのＨＤＣ３０における処理と共に説明する。
図示を省略したホストコンピュータ等からディスク１８
Ａに対する情報の記録再生の処理が指示されると、図７
に示す記録再生処理ルーチンが実行される。図７のステ
ップ１００では、後述する回復処理が実行される。この
回復処理が終了すると、ステップ１５０へ記録再生処理
モード（Ｒ／Ｗモード）へ移行し、ディスク１８Ａに対
する情報の記録処理または再生処理が実行される。

【００４８】図８の回復処理が実行されると、ステップ
１０２において、磁気ヘッド２０Ａの再生素子２１Ａに
付与されるバイアス磁界を変化させるため、電流変更回
路４４Ａへハイレベルの信号を出力する。これによっ
て、電流変更回路４４Ａから出力されるバイアス電流が
初期値Ｉｂから変化されて、再生素子２１Ａに付与され
るバイアス磁界が変更される。ハイレベルの信号が予め
定めた所定時間（例えば、１０ms）だけ出力されると
（ステップ１０４）、ステップ１０６においてバイアス
電流を初期値へ戻すため、電流変更回路４４Ａへローレ
ベルの信号を出力し、本ルーチンを終了する。

【００４９】このように、バイアス電流が初期値Ｉｂか
ら変化されるので、再生素子２１Ａに付与されるバイア
ス磁界が変更される。従って、所定時間内で磁化ベクト
ルの方向が変化する。このため、再生素子、特にＭＲ素
子の磁区が不安定になることがなく、安定的にディスク
から情報を再生することができる。

【００５０】このバイアス磁界の変更を詳細に説明す
る。図９（Ａ）に示すように、所定のバイアス電流Ｉｂ
を供給し、再生素子２１Ａが安定的な状態のときには、
再生素子２１Ａに不安定な磁区が生じることはない。こ
の所定のバイアス電流Ｉｂを供給したときの再生素子２
１Ａにおける磁化ベクトルの向きは、バイアス電流を供
給しないとき（図９（Ｃ）参照）の磁化ベクトルの向き
から所定角θb をなす角度になる。この再生素子２１Ａ
に外部磁場やＥＳＤ／ＥＯＳ（Electrical Overstress
Damage）などの外部からのストレスが負荷的に付与され
ると、不安定な磁区が生じる（図９（Ｂ）参照）。この
不安定な磁区の発生により磁気ヘッドの出力信号が不安
定になる。

【００５１】そこで、上記で説明した変更方法では、
制御端Ｇ（図４（Ａ）参照）にハイレベルの信号を出力
しバイアス電流の供給から未供給へ変更することによっ
て（図９（Ａ）の状態と、図９（Ｃ）の状態）、磁化ベ
クトルの向きを連続的に変更して消磁するときのよう
に、磁化ベクトルの向きを変更しているので、不安定な
磁区を解消することができる。

【００５２】また、変更方法では、制御端Ｇ（図４
（Ｂ）参照）にハイレベルの信号を出力しバイアス電流
を初期値Ｉｂから電流値Ｉｓ（０＜Ｉｓ＜Ｉｂ）に変動
させることによって（図９（Ａ）の状態と、図９（Ｄ）
の状態）、磁化ベクトルの向きを変更しているので、不
安定な磁区を解消することができる。この電流値Ｉｓを
供給したときの再生素子２１Ａにおける磁化ベクトルの
向きは、バイアス電流を供給しないとき（図９（Ｃ）参
照）の磁化ベクトルの向きから角度θ₁をなすことにな
る（０＜θ₁＜θb ）。変更方法では、バイアス電流
を初期値Ｉｂから電流値Ｉｕ（Ｉｂ＜Ｉｕ＜２Ｉｂ）に
変動させることによって（図９（Ａ）の状態と、図９
（Ｅ）の状態）、磁化ベクトルの向きを変更しているの
で、不安定な磁区を解消することができる。この電流値
Ｉｕを供給したときの再生素子２１Ａにおける磁化ベク
トルの向きは、バイアス電流を供給しないとき（図９
（Ｃ）参照）の磁化ベクトルの向きから角度θ₂をなす
ことになる（０＜θ₂＜θb ）。変更方法では、バイ
アス電流を初期値Ｉｂから、電流値Ｉｘ（Ｉｓ＜Ｉｘ＜
Ｉｕ）に変動させることによって（図９（Ａ）の状態
と、図９（Ｄ）の状態、図９（Ｅ）の状態）、磁化ベク
トルの向きを変更しているので、不安定な磁区を解消す
ることができる。すなわち、電流値０から初期値Ｉｂま
での間の予め定めた電流値Ｉｓに変動させたり、初期値
Ｉｂから初期値Ｉｂの２倍の電流値２Ｉｂまでの間の予
め定めた電流値Ｉｕに変動させたりすることにより、選
択的にバイアス電流を供給することができる。

【００５３】なお、変更方法、では、設定した電流
値Ｉｓまたは電流値Ｉｕとして、再生に充分なバイアス
磁界を得ることができる電流値を設定すれば、初期値Ｉ
ｂに戻すことなく、そのまま（電流値Ｉｓまたは電流値
Ｉｕ）記録再生処理へ移行してもよい。すなわち、上記
のステップ１０６を省略してもよい。この場合には、図
８のステップ１０２において、初期値Ｉｂから電流値Ｉ
ｓまたは電流値Ｉｕ、電流値Ｉｓまたは電流値Ｉｕから
初期値Ｉｂとなるように現在設定されている電流値を変
更するようにすればよい。

【００５４】変更方法では、制御端Ｇ（図４（Ｃ）参
照）にハイレベルの信号を出力することによってバイア
ス電流の極性を反転する。すなわち、バイアス電流を初
期値Ｉｂから電流値−Ｉｂに変動させることによって
（図９（Ａ）の状態と、図９（Ｆ）の状態）、磁化ベク
トルの向きを変更しているので、不安定な磁区を解消す
ることができる。このバイアス電流の極性を反転したと
きの再生素子２１Ａにおける磁化ベクトルの向きは、バ
イアス電流を供給しないときの磁化ベクトルの向きから
角度θ₃をなすことになる（θ₃＝−θb ）。

【００５５】なお、上記の回復処理は、記録再生処理の
以前に実行されることに限定されるものではなく、定期
的に実行するようにしてもよい。また、オペレータやホ
ストコンピュータからの指示によって実行するようにし
てもよい。

【００５６】このように、本実施例では、ＭＲヘッドに
バイアス磁界を付与するときに、バイアス磁界の方向を
変化させることによって、磁区の不安定性を解消させる
ことができるので、ＨＤＤ装置を分解して磁気ヘッドを
初期化することなく、安定した磁区による磁気ヘッドを
提供することができる。このため、情報の再生におい
て、再生不良が発生することがない。

【００５７】上記では、変更方法〜に対応するバイ
アス磁界の変更を説明したが、次に、これらの変形例を
説明する。記録再生処理モード（ステップ１５０）で
は、記録処理と再生処理があるが、バイアス磁界を必要
とするのは主に再生処理である。このため、以下の説明
では、記録処理から再生処理に切り換わる時点に供給す
るバイアス電流を変更することによって再生処理におけ
るこのバイアス磁界を変更する場合を説明する。

【００５８】変形例Ａは、図１２に示すように、バイア
ス電流の電流値Ｉｘを、記録処理のときの電流値０から
再生処理で使用される電流値（初期値Ｉｂ、例えば、
８．５ｍＡ）の１０％〜５０％増加した電流値（電流値
Ｉｕ、例えば、１０ｍＡ）に所定時間ｔだけ変動させた
後に、再生処理で使用される電流値（初期値Ｉｂ）に変
動させることによって、バイアス磁界を変更する。この
場合、図４（Ｂ）の電流変更回路４４Ａの制御端Ｇへ、
所定時間ｔで電流値Ｉｕが供給された後に、電流値Ｉｂ
が供給されるように、制御信号を入力する構成とすれば
よい。なお、所定時間ｔは、記録処理から再生処理に切
り換わるタイムラグ内の時間未満に設定することが好ま
しい。このようにすれば、再生処理が開始される以前に
磁化ベクトルの向きが変更されるので、再生処理が開始
される時点では、不安定な磁区が解消された安定的な状
態で、再生処理をすることができる。

【００５９】変形例Ｂは、変形例Ａの応用であり、装置
構成を簡略化可能なバイアス磁界の変更方法である。す
なわち、図１３に示すように、再生処理へ移行する時点
に所定のバイアス電流（例えば、電流値Ｉｕ）が供給さ
れ、図示しない減衰回路の時定数τに応じた時間ｔで所
定のバイアス電流（例えば、電流値Ｉｂ）まで徐々に減
衰されるバイアス電流が供給されることにより、バイア
ス磁界を変更する。この場合、図４（Ａ）に示す再生制
御回路３２Ａをスイッチ回路４２Ａに代えて所定の時定
数τを有する図示しない減衰回路で構成するればよい。
なお、この図示しない減衰回路は、コントローラ本体４
０との接続が不要である。このように、変形例Ｂは、バ
イアス磁界を変更するための特別な処理をＣＰＵで行う
ことがなく、単にバイアス電流を供給することによって
バイアス磁界が変更されると共に、装置は減衰回路の付
加のみの簡略な構成になる。また、通常、バイアス電流
の供給を開始した時点では、供給するために設定した電
流値を越えた電流が供給されるオーバーシュートが生じ
るので、このオーバーシュートが生じた場合であって
も、本例は有効に機能する。

【００６０】変形例Ｃは、変形例Ｂの減衰を段階的に行
うものであり、図１４に示すように、再生処理へ移行す
る時点に所定のバイアス電流（例えば、電流値Ｉｕ）を
供給した後、所定のバイアス電流（例えば、電流値Ｉ
ｂ）まで段階的に減衰してバイアス電流を供給すること
で、バイアス磁界を変更する。この場合、図４（Ｂ）に
示す電流変更回路４４Ａを、複数の電流値のバイアス電
流を出力可能なように制御端Ｇに段階的に制御信号が入
力されるように構成すればよい。なお、制御信号は変形
例Ａの所定時間ｔを複数に分割した時間（ｔ₁，ｔ₂，
・・・，ｔ_n）毎に離散的に変化するように出力する。
これにより、段階的に電流値が電流値Ｉｕから電流値Ｉ
ｂまで変化し、バイアス磁界が変更される。

【００６１】変形例Ｄは、上記の組み合わせであり、図
１５に示すように、所定時間ｔを複数に分割した分割時
間ｔ₁の間は、電流値Ｉｕを維持し、この後、徐々にバ
イアス電流を減衰させることにより、バイアス磁界を変
更する。この場合、図４（Ａ）に示す再生制御回路３２
Ａをスイッチ回路４２Ａを、所定の時定数τを有する図
示しない減衰回路を介する接点とそのまま通過する接点
とに切り換え可能なスイッチ回路を備えて構成すればよ
い。制御端Ｇには分割時間ｔ₁の間は電流がそのまま通
過し、その後に減衰回路を介するように制御信号を入力
する。

【００６２】変形例Ｅは、バイアス電流の電流値を交流
的に変動させることによってバイアス磁界を変更する。
すなわち、図１６に示すように、所定の最大振幅から予
め定めた電流値（例えば、電流値Ｉｂ）まで、交流的に
電流値が変動しながら減衰し安定する。この交流的なバ
イアス電流の電流値の変動によって、バイアス磁界を変
更する。この場合、図４（Ａ）に示す再生制御回路３２
Ａをスイッチ回路４２Ａに代えて所定の時定数τを有
し、図１６に示す特性を有する図示しない交流減衰回路
で構成すればよい。

【００６３】変形例Ｆは、図１７に示すように、バイア
ス電流の極性を反転させた後に、変形例Ｂで説明した、
所定のバイアス電流（例えば、電流値Ｉｕ）から、所定
のバイアス電流（例えば、電流値Ｉｂ）まで徐々にバイ
アス電流を減衰させることにより、バイアス磁界を変更
する。この場合、図４（Ｃ）に示す切換スイッチ回路４
６Ａの一方に図示を省略した減衰回路を設けて構成すれ
ばよい。

【００６４】変形例Ｇは、図１８に示すように、バイア
ス電流の電流値をバイアス電流の極性反転を交流的に変
動ながら減衰させることによってバイアス磁界を変更す
る。この場合、図４（Ｃ）に示す切換スイッチ回路４６
Ａに上述の交流減衰回路を設けて構成すればよい。

【００６５】上記磁気ヘッドにおける磁区の安定性は再
生信号の歪み率と相関がある。このため、磁気ヘッドの
出力信号の歪み率を２ＯＬＯＧ（Ｆ１／Ｆ２）から求め
る。但し、Ｆ１：外部磁場の信号周波数の信号レベル、
Ｆ２：Ｆ１信号の２次高調波の信号レベルである。この
磁気ヘッド信号の歪み率２ＯＬＯＧ（Ｆ１／Ｆ２）の変
化は、再生信号波形の僅かな変化を精度良く測定でき
る。

【００６６】図１０には、上記の変更方法による所定
時間（１０ms）だけバイアス電流を繰り返して反転させ
たときに出力される磁気ヘッドの信号変化特性を示し
た。図中、横軸には時間、縦軸には磁気ヘッドの歪み率
を設定している。上記で説明した復帰処理であるバイア
ス電流の極性を反転している初期段階では（所定時間、
１０ms）、歪み率は逆方向のバイアス電流の供給により
激しく変動しているが、このバイアス電流の極性反転を
繰り返すことにより歪み率の変動が小さくなり、安定な
磁区構造に再構成されたことが理解される。

【００６７】次に、第２実施例を説明する。上記実施例
では、ディスク１８Ａに対する情報の記録再生の処理を
行う度に復帰処理をする例について説明したが、本実施
例は、磁気ヘッドの磁区の不安定性が生じたときにのみ
復帰処理をするものである。なお、本実施例は、上記の
実施例を同様の構成のため、同一部分には同一符号を付
して詳細な説明を省略し、以下異なる部分を説明する。

【００６８】例えば、図示を省略したホストコンピュー
タ等からディスク１８Ａに対する情報の記録再生の処理
が指示されると、図１１に示す記録再生処理ルーチンが
実行される。図１１のステップ２００では、磁気ヘッド
の性能低下検出処理をする。すなわち、上記で説明し
た、磁気ヘッドにおける磁区の安定性と再生信号の歪み
率との相関を用いて、磁気ヘッドの磁区の不安定性が生
じたことを検出する。この検出は、上記実施例のように
バイアス電流を所定回繰り返して反転させたときに出力
される信号の標準偏差、分散、最大値及び最小値等の統
計的な演算によって求めることができる。次のステップ
２１０では、ステップ２００において検出処理した結
果、性能低下が生じているか否かを判断し、肯定判断の
場合には、ステップ１００において上記と同様に復帰処
理をする。一方、否定判断の場合には、磁気ヘッドの磁
区は安定的であるのでそのまま、ステップ１５０へ進
み、記録再生処理モード（Ｒ／Ｗモード）へ移行し、デ
ィスク１８Ａに対する情報の記録処理または再生処理が
実行されて本ルーチンを終了する。

【００６９】このように、本実施例では、磁気ヘッドの
性能低下検出をしてこの検出結果に基づいて復帰処理を
するか否かを判断しているため、復帰処理が必要とされ
る磁気ヘッドの状態のときにのみ最適に復帰処理をする
ことができる。従って、復帰処理のＣＰＵ負荷が軽減さ
れる。

【００７０】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明の実施例には特許請求の範囲に記載した要件
以外に、次のような各種の技術事項の実施態様を有する
ものである。請求項１に記載したＭＲヘッドの駆動方法
は、前記再生素子の磁区を検出し、検出された磁区が不
安定か否かを判定し、不安定と判定されたとき、前記バ
イアス磁界を所定時間だけ変化させた後に前記情報を再
生することを特徴とする。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように本発明のＭＲヘッド
の駆動方法によれば、再生素子内に不安定な磁区が生じ
た場合であっても、バイアス磁界の変化によって不安定
な磁区が低減するので、不安定な磁区によるデータ等の
再生不良が発生することがない、という効果がある。

【００７２】また、本発明のハードディスクシステムに
よれば、ＭＲヘッドを取り出したり、再度初期化処理を
行うことなく、不安定な磁区が低減し、データ等の再生
不良が発生することなく、情報の記録再生を継続的に行
うことができる装置を容易に提供することができる、と
いう効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用可能なＨＤＤ装置のハードディス
クコントローラ周辺の概略構成を示すブロック図であ
る。

【図２】本発明が適用可能なＨＤＤ装置の概略構成を示
すブロック図である。

【図３】ＨＤＤ装置のディスクを示すイメージ図であ
る。

【図４】再生制御回路の概念構成図であり、（Ａ）はバ
イアス電流オンオフ、（Ｂ）はバイアス電流の変更、
（Ｃ）はバイアス電流の極性変更を示している。

【図５】ソフトバイアス方式による再生素子の概念斜視
図である。

【図６】再生素子におけるバイアス磁界を説明するため
の説明図である。

【図７】第１実施例にかかる情報記録再生時にバイアス
磁界を変更付与するための処理の流れを示すフローチャ
ートである。

【図８】復帰処理の詳細を示すフローチャートである。

【図９】バイアス電流による再生素子のバイアス磁界の
方向を説明するための説明図であり、（Ａ）は所定方向
のバイアス電流供給のとき、（Ｂ）は不安定磁区を示す
イメージ図、（Ｃ）はバイアス電流未供給のとき、
（Ｄ）は初期値より小さな電流供給のとき、（Ｅ）は初
期値より大きな電流供給のとき、（Ｆ）は逆方向のバイ
アス電流を供給したときのバイアス磁界の方向を示すイ
メージ図である。

【図１０】磁気ヘッドの信号変化特性を示す特性図であ
る。

【図１１】第２実施例にかかる情報記録再生時にバイア
ス磁界を変更付与するための処理の流れを示すフローチ
ャートである。

【図１２】バイアス磁界を変更付与するための変形例Ａ
によるバイアス電流特性を示す線図である。

【図１３】バイアス磁界を変更付与するための変形例Ｂ
によるバイアス電流特性を示す線図である。

【図１４】バイアス磁界を変更付与するための変形例Ｃ
によるバイアス電流特性を示す線図である。

【図１５】バイアス磁界を変更付与するための変形例Ｄ
によるバイアス電流特性を示す線図である。

【図１６】バイアス磁界を変更付与するための変形例Ｅ
によるバイアス電流特性を示す線図である。

【図１７】バイアス磁界を変更付与するための変形例Ｆ
によるバイアス電流特性を示す線図である。

【図１８】バイアス磁界を変更付与するための変形例Ｇ
によるバイアス電流特性を示す線図である。

【符号の説明】

１０ハードディスク装置１８Ａディスク１９Ａ記録素子２０Ａ磁気ヘッド２１Ａ再生素子２２Ａアクセスアーム３０ハードディスクコントローラ３２Ａ再生制御回路４０コントローラ本体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者内田博神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本アイ・ビー・エム株式会社東京基礎研究所内 (72)発明者豊岡孝資神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本アイ・ビー・エム株式会社東京基礎研究所内 (72)発明者松井孝夫神奈川県藤沢市桐原町１番地日本アイ・ビー・エム株式会社藤沢事業所内 (72)発明者青木達司神奈川県藤沢市桐原町１番地日本アイ・ビー・エム株式会社藤沢事業所内 (72)発明者飯原康弘神奈川県藤沢市桐原町１番地日本アイ・ビー・エム株式会社藤沢事業所内 (72)発明者土本和成神奈川県藤沢市桐原町１番地日本アイ・ビー・エム株式会社藤沢事業所内 (72)発明者小澤豊神奈川県藤沢市桐原町１番地日本アイ・ビー・エム株式会社藤沢事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が
付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生す
るための再生素子を少なくとも備えたＭＲヘッドによっ
て、情報記録用ディスクから前記情報を再生するときの
前記ＭＲヘッドの駆動方法であって、前記バイアス磁界を所定時間だけ変化させた後に前記情
報を再生することを特徴とするＭＲヘッドの駆動方法。
【請求項２】磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が
付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を再生す
るための再生素子と、該情報を記録するための記録素子
とから構成されるＭＲヘッドによって、情報記録用ディ
スクから前記情報を少なくとも再生するときの前記ＭＲ
ヘッドの駆動方法であって、前記バイアス磁界を所定時間だけ変化させた後に前記情
報を再生することまたは前記情報を記録することを特徴
とするＭＲヘッドの駆動方法。
【請求項３】前記バイアス磁界を付与及び未付与を繰
り返すことによって前記再生素子に付与する前記バイア
ス磁界を変化させることを特徴とする請求項１または請
求項２に記載のＭＲヘッドの駆動方法。
【請求項４】前記再生素子にバイアス磁界を付与する
ためにバイアス電流を供給し、該バイアス電流の電流値
を変化させることによって前記再生素子に付与する前記
バイアス磁界を変化させることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載のＭＲヘッドの駆動方法。
【請求項５】前記再生素子にバイアス磁界を付与する
ためにバイアス電流を供給し、該バイアス電流の極性を
変化させることによって前記再生素子に付与する前記バ
イアス磁界を変化させることを特徴とする請求項１また
は請求項２に記載のＭＲヘッドの駆動方法。
【請求項６】前記再生素子は、磁気抵抗効果を有しか
つバイアス電流が供給される磁気抵抗効果素子と、該磁
気抵抗効果素子に供給されたバイアス電流によって磁化
されると共に該磁化された磁界によって該磁気抵抗効果
素子にバイアス磁界を付与する被磁化素子とから構成さ
れることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
ＭＲヘッドの駆動方法。
【請求項７】前記再生素子は、磁気抵抗効果を有する
磁気抵抗効果素子と、バイアス電流が供給されかつ供給
されたバイアス電流によって該磁気抵抗効果素子にバイ
アス磁界を付与する磁界付与素子とから構成されること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載のＭＲヘッ
ドの駆動方法。
【請求項８】磁気抵抗効果を有しかつバイアス磁界が
付与されると共に該磁気抵抗効果を用いて情報を情報記
録用ディスクから再生するための再生素子と、該情報を
該情報記録用ディスクへ記録するための記録素子とから
構成されるＭＲヘッドと、前記再生素子に前記バイアス磁界を付与する磁界付与手
段と、前記ＭＲヘッドからの出力信号に基づいて前記情報を再
生すると共に、入力された信号に基づいて前記情報を記
録する情報記録再生手段と、前記情報記録再生手段により前記情報を記録または再生
するときに前記バイアス磁界を所定時間だけ変化するよ
うに前記磁界付与手段を制御すると共に、該バイアス磁
界を変化させた後に前記情報を再生するまたは前記情報
を記録するように制御する制御手段と、を備えたハードディスクシステム。