JPH087317A - 発光素子、発光素子の製造方法、光学ピックアップ及び光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】光記録媒体に照射するレーザー光の光量を増大
することができる光学ピックアップと、この光学ピック
アップを用いた光ディスク装置、この光学ピックアップ
に適用する発光素子、その発光素子の製造方法を提供す
ること。 【構成】基板３０上に２以上のレーザー光源２１ａ及び
２１ｂと、このレーザー光源２１ａ及び２１ｂから出射
されるレーザー光Ｌ２〜Ｌ４をそれぞれ反射して基板平
面に対してほぼ垂直に出射する反射ミラー２１ｃ、２１
ｄ、２１ｅとを備えるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディスク状記録媒体の
表面に対して、情報信号の記録及び／または再生を行う
ためにレーザー光を照射する光学ピックアップと、この
光学ピックアップを用いた光ディスク装置、及びこの光
学ピックアップに適用する発光素子、さらに、このよう
な発光素子の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光磁気ディスク装置用の光学ピッ
クアップは、例えば図１７に示すように構成されてい
る。即ち、図１７において、光学ピックアップ１は、半
導体レーザー素子等のレーザー光源２と、このレーザー
光源２から出射されたレーザー光Ｌ１を０次光、＋１次
光、−１次光に分解する回折格子３と、この回折格子３
で分解されたレーザー光を平行光線に変換するリレーレ
ンズ４と、このリレーレンズ４の出射光を図面にて上方
に折り曲げる反射ミラー５と、この反射ミラー５によっ
て折り曲げられたレーザー光を光磁気ディスクの情報記
録面に収束させる対物レンズ６と、リレーレンズ４及び
反射ミラー５間に介挿されたプリズム７と、このプリズ
ム７から出射される戻り光を受光する受光光学系とを有
している。

【０００３】ここでプリズム７は、平行四辺形形状のプ
リズム８に対して、このプリズム８の斜面に直角プリズ
ム９の斜面を接着して形成され、この斜面を透過してリ
レーレンズ４からのレーザー光Ｌ１を反射ミラー５に出
射すると共に、このレーザー光Ｌ１とは逆に反射ミラー
５から入射する戻り光をこの斜面で２つの光束に分解
し、そのうちのひとつを受光光学系に出射する。

【０００４】この受光光学系は、プリズム８から出射さ
れる戻り光を直交する成分に分解するウォラストンプリ
ズム１１と、このウォラストンプリズム１１から出射さ
れる戻り光を収束光線に変換するコリメータレンズ１２
と、このコリメータレンズ１２の出射光に非点収差を与
えるマルチレンズ１３と、このマルチレンズ１３の出射
光を受光する受光素子１４とで形成される。ここで受光
素子１４は、直交する成分に分割された０次光の戻り光
を受光するように、２つの受光面が形成され、さらに上
下左右に延長する分割ラインによって、これらの受光面
が４つに分割されるようになっている。

【０００５】さらに、この受光光学系は、プリズム８の
側方にて、プリズム８から出射される戻り光を受光する
受光素子１０で形成され、この受光素子１０は、０次
光、＋１次光、−１次光に分解されて光磁気ディスクに
照射されたレーザー光の戻り光をそれぞれ受光すること
により、この受光結果によってトラッキングエラーを検
出することができるようになっている。

【０００６】このように構成された光学ピックアップ１
によれば、レーザー光源２から射出されたレーザー光
は、回折格子３で０次光、＋１次光、−１次光に分解さ
れた後、プリズム７の反射面でその一部が反射されて、
レーザーパワーモニタ用のフォトディテクタ１０に入射
し、他の光は、反射ミラー５で反射され、対物レンズ６
の作用によって回転駆動される光磁気ディスクの情報記
録面に収束される。このとき図１８に示すように、この
レーザー光は、光磁気ディスク１５のピットＰの連続す
る方向，即ち光磁気ディスクのトラック方向に対して、
斜めに＋１次回折光、０次回折光、−１次回折光のビー
ムスポットＢ１、Ｂ２、Ｂ３が連続するように、光磁気
ディスク１５の情報記録面に集光される。

【０００７】この光磁気ディスク１５の記録面で反射さ
れた戻り光は、反射する際、記録面の磁化極性に応じて
カー効果を受け、反射ミラー５で反射された後、プリズ
ム７に入射する。このプリズム７内にて、戻り光は、こ
のプリズム７の反射面によって、２つの光束に分解さ
れ、そのうちの１つが透過する。

【０００８】またプリズム７によって分解された残りの
戻り光は、プリズム７の残りの斜面で反射してレーザー
光Ｌ１の光路とほぼ平行に出射され、ウォラストンプリ
ズム１１に入射する。このウォラストンプリズム１１内
にて、戻り光は、直交する成分に分解され、この分解さ
れた成分が続くコリメータレンズ１２で平行光線に変換
された後、マルチレンズ１３で非点収差が与えられ、続
く受光素子１４で受光される。これにより光学ピックア
ップでは、この受光素子１４の出力信号に基づいて、再
生信号を検出するようになっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の光学ピックアップ１においては、以下のよう
な問題がある。

【００１０】即ち、この種の光学ピックアップ１におい
ては、レーザー光源２から射出されたレーザー光を回折
格子３で０次回折光、＋１次回折光、−１次回折光に分
解することにより、光量が減少するという問題がある。

【００１１】このうち０次回折光の光量を増大すること
ができれば、その分再生信号のＳＮ比を向上することが
できる。特に光磁気ディスク装置に適用する場合におい
ては、この光量を増大することができれば記録密度を向
上することができ、また転送レートも向上することがで
きる。

【００１２】また、＋１次回折光、−１次回折光の光量
を増大することができれば、その分トラッキングエラー
の検出精度を向上することができることにより、確実に
トラッキング制御することができる。

【００１３】本発明は上記課題に鑑みてなされたもの
で、光記録媒体に照射するレーザー光の光量を増大する
ことができる光学ピックアップと、この光学ピックアッ
プを用いた光ディスク装置、この光学ピックアップに適
用する発光素子、その発光素子の製造方法を提供するこ
とを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明にあ
っては、基板上に設けた２以上のレーザー光源と、前記
基板上に、前記２以上のレーザー光源から出射されるレ
ーザー光をそれぞれ反射して、前記基板平面に対してほ
ぼ垂直に出射する反射ミラーとを備える発光素子によ
り、達成される。

【００１５】前記発光素子は、前記基板平面に対してほ
ぼ垂直に３つの前記レーザー光を出射し、前記反射ミラ
ー上に形成される前記３つのレーザー光の仮想発光点
が、等間隔で直線状に並ぶように形成されていてもよ
い。

【００１６】前記レーザー光源の少なくとも１つは、共
振器両端面から前記レーザー光をそれぞれ出射し、前記
反射ミラーの少なくとも１つは、前記共振器両端面から
出射された前記レーザー光をそれぞれ反射して、前記基
板平面に対してほぼ垂直に出射する第１及び第２の反射
ミラーで形成されていてもよい。

【００１７】また、前記発光素子は、レーザーダイオー
ドチップを積層して形成することにより、基板上に２以
上のレーザー光源を有していてもよい。

【００１８】また、上記目的は、本発明にあっては、レ
ーザー光出射面の前方に斜めに反射ミラーを形成したレ
ーザーダイオードチップを積層し、同一基板上に２以上
のレーザー光源を形成する発光素子の製造方法によって
も、達成される。

【００１９】また、上記目的は、本発明にあっては、レ
ーザー光源の共振器を形成する領域を整列して複数形成
し、前記領域に、前記整列する方向に沿ってひとつのへ
き開面を形成して複数のレーザー光源の共振器端面を形
成すると共に、前記へき開面に対向して、基板上に斜め
にひとつの斜面を形成し、この斜面で前記複数のレーザ
ー光源の共振器端面から出射されるレーザー光の反射面
を形成する発光素子の製造方法によっても、達成され
る。

【００２０】さらに、上記目的は、本発明にあっては、
複数のレーザー光を出射する発光素子と、前記複数のレ
ーザー光をディスク状記録媒体に集光する対物レンズ
と、前記ディスク状記録媒体から得られる戻り光を受光
する受光素子とを備え、且つ前記発光素子は、基板上に
２以上のレーザー光源と、前記基板上に、前記２以上の
レーザー光源から出射されるレーザー光をそれぞれ反射
して、前記基板平面に対してほぼ垂直に出射する反射ミ
ラーとを備える光学ピックアップによっても、達成され
る。

【００２１】本発明の光学ピックアップでは、前記発光
素子は、前記基板平面に対してほぼ垂直に３つの前記レ
ーザー光を出射し、前記反射ミラー上に形成される前記
３つのレーザー光の仮想発光点が、等間隔で直線状に並
ぶように形成されていてもよい。

【００２２】また、本発明の光学ピックアップでは、前
記レーザー光源の少なくとも１つは、共振器両端面から
前記レーザー光をそれぞれ出射し、前記反射ミラーの少
なくとも１つは、前記共振器両端面から出射された前記
レーザー光をそれぞれ反射して、前記基板平面に対して
ほぼ垂直に出射する第１及び第２の反射ミラーで形成さ
れていてもよい。

【００２３】また、本発明の光学ピックアップでは、前
記発光素子は、レーザーダイオードチップを積層して形
成することにより、基板上に２以上のレーザー光源を有
していてもよい。

【００２４】上記目的は、また、本発明にあっては、デ
ィスク状記録媒体にレーザー光を照射して前記ディスク
状記録媒体に記録したデータを再生し、及び又は前記デ
ィスク状記録媒体の所望のデータを記録するディスク装
置において、複数のレーザー光を出射する発光素子と、
前記複数のレーザー光をディスク状記録媒体に集光する
対物レンズと、前記ディスク状記録媒体から得られる戻
り光を受光する受光素子とを備え、且つ前記発光素子
は、基板上に２以上のレーザー光源と、前記基板上に、
前記２以上のレーザー光源から出射されるレーザー光を
それぞれ反射して、前記基板平面に対してほぼ垂直に出
射する反射ミラーとを備える光ディスク装置によって
も、達成される。

【００２５】本発明の光ディスク装置では、前記発光素
子は、前記基板平面に対してほぼ垂直に３つの前記レー
ザー光を出射し、前記反射ミラー上に形成される前記３
つのレーザー光の仮想発光点が、等間隔で直線状に並ぶ
ように形成されていてもよい。

【００２６】また、本発明の光ディスク装置では、前記
レーザー光源の少なくとも１つは、共振器両端面から前
記レーザー光をそれぞれ出射し、前記反射ミラーの少な
くとも１つは、前記共振器両端面から出射された前記レ
ーザー光をそれぞれ反射して、前記基板平面に対してほ
ぼ垂直に出射する第１及び第２の反射ミラーで形成され
ていてもよい。

【００２７】また、本発明の光ディスク装置では、前記
発光素子は、レーザーダイオードチップを積層して形成
することにより、基板上に２以上のレーザー光源を有し
ていてもよい。

【００２８】

【作用】上述した構成によれば、基板上に２以上のレー
ザー光源と、この２以上のレーザー光源から出射される
レーザー光をそれぞれ反射する反射ミラーとを備えるこ
とにより、必要に応じて各レーザー光源の駆動条件を選
定して自由に光量を増大することができる。

【００２９】特に、３つのレーザー光を出射し、反射ミ
ラー上に形成される前記３つのレーザー光の仮想発光点
が、等間隔で直線状に並ぶように形成することにより、
この３つのレーザー光を従来の＋１次回折光、０次回折
光、−１次回折光に代えて使用することができる。

【００３０】また、レーザー光源の少なくとも１つが、
共振器両端面から前記レーザー光をそれぞれ出射し、こ
の両端面から出射された前記レーザー光をそれぞれ反射
して出射することにより、１つのレーザー光源で２つの
レーザー光を生成することができる。

【００３１】さらに、レーザーダイオードチップを積層
して基板上に２以上のレーザー光源を配置することによ
り、従来の半導体製造工程を利用して簡易に作成するこ
とができる。

【００３２】また、半導体製造工程において、レーザー
光出射面の前方に斜めに反射ミラーを形成したレーザー
ダイオードチップを積層して同一基板上に２以上のレー
ザー光源を形成することにより、必要に応じて各レーザ
ー光源の駆動条件を選定して自由に光量を増大すること
ができる発光素子を作成することができる。

【００３３】特に、レーザー光源の共振器を形成する領
域を整列して複数形成して複数のレーザー光源を形成す
ると共に、基板上に斜めに１の反射面を形成することに
より、簡易かつ高い精度で、自由に光量を増大すること
ができる発光素子を作成することができる。

【００３４】また、この発光素子を光学ピックアップに
適用して、精度の高いトラッキングエラー信号を検出す
ることができ、また再生信号のＳＮ比を向上することが
できる。

【００３５】さらにこの発光素子を適用した光ディスク
装置においては、トラッキング制御の精度を向上するこ
とができ、ビットエラーレート等を向上することができ
る。

【００３６】

【実施例】以下、本発明の好適な一実施例を添付図面に
基づいて詳細に説明する。尚、以下に述べる実施例は、
本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種
々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説
明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、
これらの態様に限られるものではない。

【００３７】図２は、本発明による光磁気ディスク用の
光学ピックアップの一実施例を示している。即ち、図２
において、光学ピックアップ２０は、３つのレーザー光
を射出する発光素子２１と、この発光素子２１からのレ
ーザー光を光磁気ディスク２２の情報記録面に収束させ
る対物レンズ２３と、発光素子２１及び対物レンズ２３
間に介挿されて、発光素子２１からのレーザー光を対物
レンズ２３に向かって出射し、また光磁気ディスク２２
からの戻り光を図にて側方に折り曲げて出射するビーム
スプリッタ２４と、このビームスプリッタ２４の出射面
に張り付けられて保持され、ビームスプリッタ２４から
の戻り光を偏波面の直交する成分に分解するウォラスト
ンプリズム２５と、このウォラストンプリズム２５から
出射される戻り光に非点収差を与えるシリンドリカルレ
ンズ２６と、このシリンドリカルレンズ２６の出射光を
受光する受光素子２７とを有している。

【００３８】ここで発光素子２１は、図１に示すよう
に、構成されている。即ち、図１において、発光素子２
１は、半導体製造工程において、２つのレーザーダイオ
ードチップ２１ａ及び２１ｂを一体化して発光素子チッ
プが形成され、この発光素子チップを半導体パッケージ
に封止して形成される。

【００３９】第１のレーザーダイオードチップ２１ａ
は、図面にて左上から右下方向に延長するように共振器
が形成され、この共振器の両端面からレーザー光Ｌ２及
びＬ３を出射し、このレーザー光Ｌ２及びＬ３の光路上
に配置した反射ミラー２１ｃ及び２１ｄによって、それ
ぞれ発光素子チップから垂直に立ち上がるようにレーザ
ー光Ｌ２及びＬ３を出射する。これにより光学ピックア
ップ２０では、このレーザー光Ｌ２及びＬ３を従来の＋
１次回折光及び−１次回折光に代えて光磁気ディスクに
照射するようになっている。

【００４０】第２のレーザーダイオードチップ２１ｂ
は、第１のレーザーダイオードチップ２１ａの上に積層
するように、第１のレーザーダイオードチップ２１ａの
共振器と直交する方向に延長するように共振器が形成さ
れる。さらに第２のレーザーダイオードチップ２１ｂ
は、レーザーダイオードチップ２１ａ側の共振器端面か
ら、レーザーダイオードチップ２１ａの共振器の方向に
レーザー光Ｌ４を出射し、このレーザー光Ｌ４の光路上
に配置した反射ミラー２１ｅによって、発光素子チップ
から垂直に立ち上がるようにレーザー光Ｌ４を出射す
る。これにより光学ピックアップ２０では、このレーザ
ー光Ｌ４を従来の０次回折光に代えて光磁気ディスクに
照射するようになっている。

【００４１】発光素子２１は、このようにして第１及び
第２のレーザーダイオードチップ２１ａ及び２１ｂを形
成する際、図面にて上方から発光素子チップを見て、反
射ミラー２１ｃ及び２１ｄ上に形成されるレーザー光Ｌ
２及びＬ３の仮想発光点を直線で結んだとき、この直線
上の中点がレーザー光Ｌ４の仮想発光点になるように形
成される。これにより光学ピックアップ２０では、この
レーザー光Ｌ２〜Ｌ４を従来の０次回折光、＋１次回折
光、−１次回折光に代えて用いた場合において、従来の
光学ピックアップに適用されていた受光光学系をそのま
ま用いて、トラッキングエラー、フォーカスエラー等を
検出することができるようになっている。

【００４２】この発光素子チップは、図３〜図１１に示
す工程によって形成される。 なお図３〜図１０におい
ては、第１のレーザーダイオードチップ２１ａの共振器
近傍だけを拡大して表す。即ち図３及び図４において、
この発光素子チップ製造工程は、始めにｎ型ＧａＡｓ半
導体基板でなる基板３０上に、例えばＭＯＣＶ（Metal
Origanic Chemical Vaper Deposition）の手法により、
ＡｌＧａＡｓで形成される第１導電型のｎ型の第１のク
ラッド層３１を形成し、続いて同様の手法を適用してＧ
ａＡｓの活性層３２を形成する。続いて発光素子チップ
製造工程は、このＧａＡｓの活性層３２上に、ＡｌＧａ
Ａｓで形成される第２導電型のｐ型の第２のクラッド層
３３を形成し、さらにＧａＡｓで形成されるキャップ層
３４を形成する。

【００４３】これによりこの発光素子チップ製造工程
は、従来のレーザダイーオードチップ製造工程と同様に
エピタキシャル成長させて基板３０上に順次クラッド層
３１からキャップ層３４までを形成した後、図４に示す
ように、所定のマスクを用いてキャップ層３４上からｎ
型不純物をドープさせることにより、電流阻止領域３５
を形成し、これによりこの電流阻止領域３５で両側から
挟むように、第１のレーザーダイオードチップ２１ａの
共振器の領域を作成する。

【００４４】続いてこの発光素子チップ製造工程は、図
５に示すように、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等
の異方性エッチングにより、基板表面に対してほぼ４５
度の角度で、先端が基板３０にまで到達するように、電
流阻止領域３５の前後に斜め溝３６を形成する。

【００４５】続いて図６に示すように、この発光素子チ
ップ製造工程は、同様の手法を適用して、斜め溝３６の
ストライプ方向に沿って、基板に対して垂直に、先端が
基板３０にまで到達するように、電流阻止領域３５の前
後、斜め溝３６の内側に垂直の溝３７を形成する。

【００４６】これにより発光素子チップ製造工程は、電
流阻止領域３５で両側から挟むように保持された活性層
３２の両端にへき開面を形成し、このへき開面で共振器
端面３８を形成し、さらに共振器端面３８で水平共振器
を形成する。

【００４７】さらに発光素子チップ製造工程は、図７及
び図８に示すように、このように垂直の溝３７を形成し
て斜め溝３６に残る斜面に対して、金属膜、誘電体多層
膜等でなる反射膜を蒸着により形成し、これによりこの
斜面に反射ミラー２１ｃ及び２１ｄを形成する。なおこ
のようにして形成される第１のレーザーダイオードチッ
プは、図９に示すように、各層が形成されることにな
る。

【００４８】続いて発光素子チップ製造工程は、図１０
に示すように、この共振器端面３８で挟まれる領域につ
いて、キャップ層３４の上から蒸着により電極３９を形
成し、さらに基板３０の下側端面に同様に電極４０を形
成し、これにより第１のレーザーダイオードチップ２１
ａについて、製造工程を完了する。

【００４９】発光素子チップ製造工程は、図１１に示す
ように、同様の製造工程を適用して第２のレーザーダイ
オードチップ２１ｂを作成し、この第２のレーザーダイ
オードチップ２１ｂを第１のレーザーダイオードチップ
２１ａに積層してこの発光素子チップを形成する。なお
この第２のレーザーダイオードチップ２１ｂにおいて
は、反射ミラー２１ｅと対向する側の共振器端面だけへ
き開面で形成し、残りの他面には反射膜を形成し、これ
により効率良くレーザー光を出射することができるよう
になっている。

【００５０】本実施例による光学ピックアップ２０は以
上のように構成されており、発光素子２１を形成する第
１のレーザーダイオードチップ２１ａから第１及び第２
のレーザー光Ｌ２及びＬ３が出射され、このレーザー光
Ｌ２及びＬ３の仮想発光点の中央から、第２のレーザー
ダイオードチップ２１ｂにより第３のレーザー光Ｌ４が
出射される。これら第１〜第３のレーザー光Ｌ２〜Ｌ４
は、ビームスプリッタ２４を透過した後、対物レンズ２
３によって屈折されることにより、回転駆動される光磁
気ディスク２２の情報記録面にて収束することになる。

【００５１】この光磁気ディスク２２の情報記録面で反
射された戻り光は、反射する際、記録面の磁化極性に応
じてカー効果を受け、ビームスプリッタ２４に入射す
る。このビームスプリッタ２４にて、戻り光は、このビ
ームスプリッタ２４の反射面によって反射され、出射面
に配置されたウォラストンプリズム２５によって直交す
る成分に分解された後、受光素子２７で受光される。こ
れにより受光素子２７において、従来の光学ピックアッ
プを同様にこれら第１〜第３のレーザー光Ｌ２〜Ｌ４に
対応する戻り光を受光して、再生信号、フォーカスエラ
ー、トラッキングエラーを検出することができる。

【００５２】かくしてこの実施例の光学ピックアップ２
０によれば、発光素子において、従来の＋１次回折光及
び−１次回折光に対応するレーザー光Ｌ２及びＬ３を第
１のレーザーダイオードチップ２１ａで形成し、さらに
従来の０次回折光に対応するレーザー光Ｌ４を第２のレ
ーザーダイオードチップ２１ｂで形成しているので、従
来と同様の手法を適用して再生信号等を検出することが
でき、このとき各レーザーダイオードチップ２１ａ及び
２１ｂの駆動条件を自由に設定して、光量を自由に増
大、選定することができる。

【００５３】従ってその分、簡易な構成で、再生信号の
ＳＮ比を向上することができ、またトラッキングエラー
信号等の検出精度を向上することができ、光ディスク装
置に適用して再生信号のＳＮ比が向上した分、ビットエ
ラーレート等を向上することができ、またトラッキング
エラー信号等の検出精度を向上した分、トラッキング制
御等の精度を向上することができ、これにより確実の所
望のデータを記録再生することができる。

【００５４】また第１及び第２のレーザーダイオードチ
ップ２１ａ及び２１ｂを積層して発光素子を形成したこ
とにより、従来の半導体製造工程を利用して、簡易にこ
の発光素子を形成することができる。さらに半導体製造
工程においては、高い精度でレーザー光の仮想発光点を
設定することができ、これにより従来の光学ピックアッ
プに比して、発光素子及び光学系間の位置決め調整作業
を簡略化することができ、また回折格子を省略して全体
構成を簡略化することができる。

【００５５】図１２は、本発明による光磁気ディスク用
の光学ピックアップに適用する発光素子の第２の実施例
を示している。ここでこの実施例においては、この発光
素子以外の構成は、上述の第１の実施例と同様の構成で
なることにより、重複した説明を省略する。

【００５６】この実施例における発光素子は、図１２に
示す発光素子チップ４２を半導体パッケージに収納して
形成される。ここでこの発光素子チップ４２は、図１３
に示す第１のレーザーダイオードチップ４２ａ上に、図
１４に示す第２のレーザーダイオードチップ４２ｂを、
共振器が重なり合うように積層して形成される。

【００５７】ここで第１及び第２のレーザーダイオード
チップ４２ａ及び４２ｂは、上述した第１の実施例と同
様の半導体製造工程で作成され、第１のレーザーダイオ
ードチップ４２ａは、第２のレーザーダイオードチップ
４２ｂの共振器に比して、共振器の長さが２倍以上の長
さになるように形成されている。

【００５８】また第１のレーザーダイオードチップ４２
ａは、共振器の両端面からレーザー光Ｌ２及びＬ３を出
射するように形成され、このレーザー光Ｌ２及びＬ３を
反射ミラー４２ｃ及び４２ｄでそれぞれ反射して基板面
から垂直に出射するように形成されている。

【００５９】これに対して第２のレーザーダイオードチ
ップ４２ｂは、共振器の片側端面からレーザー光Ｌ４を
出射するように形成され、このレーザー光Ｌ４を反射ミ
ラー４２ｅで反射して基板面から垂直に出射するように
形成されている。さらに第２のレーザーダイオードチッ
プ４２ｂは、第１のレーザーダイオードチップ４２ａの
反射ミラー４２ｃ及び４２ｄ上に形成されるレーザー光
Ｌ２及びＬ３の仮想発光点に対して、反射ミラー４２ｅ
上に形成されるレーザー光Ｌ４の仮想発光点の位置が、
レーザー光Ｌ２及びＬ３の仮想発光点間を結ぶ直線上の
中点になるように、第１のレーザーダイオードチップ４
２ａ上に積層して形成される。

【００６０】かくしてこの実施例の光学ピックアップに
よれば、発光素子において、第１のレーザーダイオード
チップ４２ａ上に第２のレーザーダイオードチップ４２
ｂを共振器が重なり合うように積層して形成しても、第
１の実施例と同様の効果を得ることができる。

【００６１】図１５は、本発明による光磁気ディスク用
の光学ピックアップに適用する発光素子の第３の実施例
を示している。ここでこの実施例においては、この発光
素子以外の構成は、上述の第１の実施例と同様の構成で
なることにより、重複した説明を省略する。

【００６２】この実施例における発光素子は、図１５に
示す発光素子チップ４４を半導体パッケージに収納して
形成される。ここで図１５に示す発光素子チップ４４
は、上述した第１の実施例の半導体製造工程において、
第１及び第２のレーザーダイオードの共振器の領域が、
直線状に延長するように一体に形成された後、この直線
状領域の両端と、この直線状領域の中間位置から片側に
所定距離だけ変位した位置とに、異方性エッチングによ
り基板表面からほぼ４５度の角度で斜め溝が形成され、
続いてこの斜め溝に対して垂直に溝が形成され、残った
斜め溝の斜面に反射ミラー４４ａ〜４４ｃが形成されて
作成される。

【００６３】これにより発光素子チップ４４は、第１及
び第２のレーザーダイオードの共振器が直線状に整列し
て形成され、この第１のレーザダイオードから従来の＋
１次回折光及び０次回折光に相当するレーザー光Ｌ２及
びＬ４を出射するのに対し、第２のレーザーダイオード
から従来の−１次回折光に相当するレーザー光Ｌ３を出
射するようになっている。

【００６４】かくしてこの第３の実施例によれば、１つ
の半導体基板上に共振器を整列して形成しても、第１の
実施例と同様の効果を得ることができる。さらにこの実
施例においては、いちいちレーザーダイオードチップを
積層する必要がないことにより、製造工程を簡略化する
ことができる。

【００６５】図１６は、本発明による光磁気ディスク用
の光学ピックアップに適用する発光素子の第４の実施例
を示している。ここでこの実施例においては、この発光
素子以外の構成は、上述の第１の実施例と同様の構成で
なることにより、重複した説明を省略する。

【００６６】この実施例における発光素子は、図１６に
示す発光素子チップ４６を半導体パッケージに収納して
形成される。ここで図１６に示す発光素子チップ４６
は、上述した第１の実施例の半導体製造工程において、
３つのレーザーダイオードの共振器の領域が平行に整列
するように形成された後、この整列した方向に延長する
ように、共振器の片側端面にほぼ４５度の角度で斜め溝
が形成され、続いてこの斜め溝に対して垂直に溝が形成
され、この斜め溝の斜面に１の反射ミラー４６ａが形成
されて作成される。

【００６７】これにより発光素子チップ４６は、１つの
基板上に、共振器を整列して形成した３つのレーザーダ
イオードにより、それぞれ従来の＋１次回折光、０次回
折光、−１次回折光に相当するレーザー光Ｌ２、Ｌ４、
Ｌ３を出射するようになっている。

【００６８】かくしてこの第４の実施例によれば、１つ
の半導体基板上に共振器を平行に整列して形成しても、
第３の実施例と同様の効果を得ることができる。

【００６９】なお上述した実施例においては、何れも従
来の＋１次回折光、０次回折光、−１次回折光に相当す
るレーザー光Ｌ２、Ｌ４、Ｌ３を出射する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、複数のレーザー光を
出射する場合に広く適用することができる。

【００７０】即ちメインビームに対してサイドビームを
発生してトラッキング制御する場合においては、サイド
ビームの数を自由に選定し、またこのサイドビームの光
量も自由に選定することができる。また、記録再生に用
いるメインビームの数も自由に選定することができ、こ
れにより光ディスク装置に適用してライトリトライ等の
処理を高速度化し、またデータ転送レート等の向上でき
ると考えられる。また、さらに回折格子を組み合わせて
用いて、光学ピックアップを構成する場合も考えられ
る。

【００７１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る発光素
子、発光素子の製造方法と、この発光素子を用いた光学
ピックアップ及び光ディスク装置によれば、所望の数の
レーザー光を所望の光量で自由に出射することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光学ピックアップの第一の実施例
に適用される発光素子の構成を示す概略図である。

【図２】図１の光学ピックアップの光学系の概略構成図
である。

【図３】図１の発光素子の第１の製造工程を示す側面図
である。

【図４】図１の発光素子の第１の製造工程を示す斜視図
である。

【図５】図１の発光素子の第２の製造工程を示す側面図
である。

【図６】図１の発光素子の第３の製造工程を示す側面図
である。

【図７】図１の発光素子の第４の製造工程を示す側面図
である。

【図８】図１の発光素子の第４の製造工程を示す斜視図
である。

【図９】図１の発光素子の第５の製造工程を示す斜視図
である。

【図１０】図１の発光素子の第５の製造工程によるレー
ザーダイオードチップを示す斜視図である。

【図１１】図１の発光素子の第２のレーザーダイオード
チップを示す斜視図である。

【図１２】本発明による光学ピックアップの第２の実施
例に適用される発光素子の構成を示す概略図である。

【図１３】図１２の発光素子の第１のレーザーダイオー
ドチップを示す斜視図である。

【図１４】図１２の発光素子の第２のレーザーダイオー
ドチップを示す斜視図である。

【図１５】本発明による光学ピックアップの第３の実施
例に適用される発光素子の構成を示す概略図である。

【図１６】本発明による光学ピックアップの第４の実施
例に適用される発光素子の構成を示す概略図である。

【図１７】従来の光学ピックアップの一例を示す概略図
である。

【図１８】光ディスク上のビームスポットを示す概略図
である。

【符号の説明】

１ 光学ピ
ックアップ ２０ 光学
ピックアップ ３ 回折格
子 ６ 対物レ
ンズ ２３ 対物レ
ンズ １１ ウォラ
ストンプリズム ２５ ウォラ
ストンプリズム ２１ 発光素
子チップ ４２ 発光素
子チップ ４４ 発光素
子チップ ４６ 発光素
子チップ ２１ａ レーザ
ーダイオードチップ ２１ｂ レーザ
ーダイオードチップ ４２ａ レーザ
ーダイオードチップ ４２ｂ レーザ
ーダイオードチップ ２１ｃ〜２１ｅ 反射ミ
ラー ４２ｃ〜４２ｅ 反射ミ
ラー ４４ａ〜４４ｃ 反射ミ
ラー ４６ａ 反射ミ
ラー

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に設けた２以上のレーザー光源
   と、 前記基板上に、前記２以上のレーザー光源から出射され
   るレーザー光をそれぞれ反射して、前記基板平面に対し
   てほぼ垂直に出射する反射ミラーとを備えることを特徴
   とする発光素子。
2. 【請求項２】 前記発光素子は、前記基板平面に対して
   ほぼ垂直に３つの前記レーザー光を出射し、前記反射ミ
   ラー上に形成される前記３つのレーザー光の仮想発光点
   が、等間隔で直線状に並ぶように形成されていることを
   特徴とする請求項１に記載の発光素子。
3. 【請求項３】 前記レーザー光源の少なくとも１つは、
   共振器両端面から前記レーザー光をそれぞれ出射し、前
   記反射ミラーの少なくとも１つは、前記共振器両端面か
   ら出射された前記レーザー光をそれぞれ反射して、前記
   基板平面に対してほぼ垂直に出射する第１及び第２の反
   射ミラーで形成されていることを特徴とする請求項１又
   は請求項２に記載の発光素子。
4. 【請求項４】 前記発光素子は、レーザーダイオードチ
   ップを積層して形成することにより、基板上に２以上の
   レーザー光源を有することを特徴とする請求項１から３
   のいずれかに記載の発光素子。
5. 【請求項５】 レーザー光出射面の前方に斜めに反射ミ
   ラーを形成したレーザーダイオードチップを積層し、同
   一基板上に２以上のレーザー光源を形成することを特徴
   とする発光素子の製造方法。
6. 【請求項６】 レーザー光源の共振器を形成する領域を
   整列して複数形成し、 前記領域に、前記整列する方向に沿ってひとつのへき開
   面を形成して複数のレーザー光源の共振器端面を形成す
   ると共に、 前記へき開面に対向して、基板上に斜めにひとつの斜面
   を形成し、 この斜面で前記複数のレーザー光源の共振器端面から出
   射されるレーザー光の反射面を形成することを特徴とす
   る発光素子の製造方法。
7. 【請求項７】 複数のレーザー光を出射する発光素子
   と、 前記複数のレーザー光をディスク状記録媒体に集光する
   対物レンズと、 前記ディスク状記録媒体から得られる戻り光を受光する
   受光素子とを備え、 且つ前記発光素子は、 基板上に２以上のレーザー光源と、 前記基板上に、前記２以上のレーザー光源から出射され
   るレーザー光をそれぞれ反射して、前記基板平面に対し
   てほぼ垂直に出射する反射ミラーと、を備えることを特
   徴とする光学ピックアップ。
8. 【請求項８】 前記発光素子は、前記基板平面に対して
   ほぼ垂直に３つの前記レーザー光を出射し、前記反射ミ
   ラー上に形成される前記３つのレーザー光の仮想発光点
   が、等間隔で直線状に並ぶように形成されていることを
   特徴とする請求項７に記載の光学ピックアップ。
9. 【請求項９】 前記レーザー光源の少なくとも１つは、
   共振器両端面から前記レーザー光をそれぞれ出射し、前
   記反射ミラーの少なくとも１つは、前記共振器両端面か
   ら出射された前記レーザー光をそれぞれ反射して、前記
   基板平面に対してほぼ垂直に出射する第１及び第２の反
   射ミラーで形成されていることを特徴とする請求項７又
   は請求項９に記載の光学ピックアップ。
10. 【請求項１０】 前記発光素子は、レーザーダイオード
    チップを積層して形成することにより、基板上に２以上
    のレーザー光源を有することを特徴とする請求項７から
    ９のいずれかに記載の光学ピックアップ。
11. 【請求項１１】 ディスク状記録媒体にレーザー光を照
    射して前記ディスク状記録媒体に記録したデータを再生
    し、及び又は前記ディスク状記録媒体の所望のデータを
    記録するディスク装置において、 複数のレーザー光を出射する発光素子と、 前記複数のレーザー光をディスク状記録媒体に集光する
    対物レンズと、 前記ディスク状記録媒体から得られる戻り光を受光する
    受光素子とを備え、 且つ前記発光素子は、 基板上に２以上のレーザー光源と、 前記基板上に、前記２以上のレーザー光源から出射され
    るレーザー光をそれぞれ反射して、前記基板平面に対し
    てほぼ垂直に出射する反射ミラーとを備えることを特徴
    とする光ディスク装置。
12. 【請求項１２】 前記発光素子は、前記基板平面に対し
    てほぼ垂直に３つの前記レーザー光を出射し、前記反射
    ミラー上に形成される前記３つのレーザー光の仮想発光
    点が、等間隔で直線状に並ぶように形成されていること
    を特徴とする請求項１１に記載の光ディスク装置。
13. 【請求項１３】 前記レーザー光源の少なくとも１つ
    は、共振器両端面から前記レーザー光をそれぞれ出射
    し、 前記反射ミラーの少なくとも１つは、前記共振器両端面
    から出射された前記レーザー光をそれぞれ反射して、前
    記基板平面に対してほぼ垂直に出射する第１及び第２の
    反射ミラーで形成されていることを特徴とする請求項１
    １又は請求項１２に記載の光ディスク装置。
14. 【請求項１４】 前記発光素子は、レーザーダイオード
    チップを積層して形成することにより、基板上に２以上
    のレーザー光源を有することを特徴とする請求項１１か
    ら１３のいずれかに記載の光ディスク装置。