JPH087449B2 - 電子写真感光体の製法 - Google Patents
電子写真感光体の製法Info
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- JPH087449B2 JPH087449B2 JP61303538A JP30353886A JPH087449B2 JP H087449 B2 JPH087449 B2 JP H087449B2 JP 61303538 A JP61303538 A JP 61303538A JP 30353886 A JP30353886 A JP 30353886A JP H087449 B2 JPH087449 B2 JP H087449B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば半導体レーザービームプリンター用
電子写真感光体の製法に関し、詳細には基板温度を制御
して感光体層の基板に対する密着力を高めると共に電子
写真特性を向上させた電子写真感光体の製法に関するも
のである。
電子写真感光体の製法に関し、詳細には基板温度を制御
して感光体層の基板に対する密着力を高めると共に電子
写真特性を向上させた電子写真感光体の製法に関するも
のである。
近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複
写機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進
められており、これらの機器に搭載される感光体は長期
間高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要
求されている。この要求に対して水素化アモルファスシ
リコンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性
等に優れているという理由から注目されており、今日、
アモルファスシリコン（以下、a-Siと略す）を光導電層
とした電子写真感光体が製品化されている。
写機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進
められており、これらの機器に搭載される感光体は長期
間高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要
求されている。この要求に対して水素化アモルファスシ
リコンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性
等に優れているという理由から注目されており、今日、
アモルファスシリコン（以下、a-Siと略す）を光導電層
とした電子写真感光体が製品化されている。
その一例として半導体レーザービームプリンター用感
光体があり、光導電層をa-Siによって形成しているが、
このプリンターには光源としてコヒーレント光を用いる
ために感光体層の内部に入った光は基板で反射され、そ
の反射光と入射光が干渉し、これにより、画像に干渉縞
模様が発生するという問題があった。
光体があり、光導電層をa-Siによって形成しているが、
このプリンターには光源としてコヒーレント光を用いる
ために感光体層の内部に入った光は基板で反射され、そ
の反射光と入射光が干渉し、これにより、画像に干渉縞
模様が発生するという問題があった。
かかる問題を解決するために、例えば、第１図に示す
ようにグロー放電分解法によってアモルファスシリコン
ゲルマニウム層を基板上に形成した電子写真感光体が提
案されている。
ようにグロー放電分解法によってアモルファスシリコン
ゲルマニウム層を基板上に形成した電子写真感光体が提
案されている。
即ち、第１図によれば、導電性基板（１）上にアモル
ファスシリコンゲルマニウム層（２）（以下、アモルフ
ァスシリコンゲルマニウムをa-SiGeと略す）を形成し、
更にその層（２）の上にa-Siキャリア注入阻止層
（３）、a-Si光導電層（４）及び表面保護層（５）を順
次形成した積層型感光体であり、キャリア注入阻止層
（３）は基板（１）からのキャリアの注入を阻止して表
面電位を高めるために形成されており、また、表面保護
層（５）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高
めている。そして、a-SiGe層（２）によれば、600乃至8
50nmの波長領域の吸収率がa-Si層に比べて顕著に高くな
っており、これにより、入射光がキャリア注入阻止層
（３）を透過してもa-SiGe層（２）で吸収され、或いは
a-SiGe層（２）を透過してもその透過光は基板（１）で
反射し、その反射光が再度a-SiGe層（２）で吸収される
ことになる。
ファスシリコンゲルマニウム層（２）（以下、アモルフ
ァスシリコンゲルマニウムをa-SiGeと略す）を形成し、
更にその層（２）の上にa-Siキャリア注入阻止層
（３）、a-Si光導電層（４）及び表面保護層（５）を順
次形成した積層型感光体であり、キャリア注入阻止層
（３）は基板（１）からのキャリアの注入を阻止して表
面電位を高めるために形成されており、また、表面保護
層（５）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高
めている。そして、a-SiGe層（２）によれば、600乃至8
50nmの波長領域の吸収率がa-Si層に比べて顕著に高くな
っており、これにより、入射光がキャリア注入阻止層
（３）を透過してもa-SiGe層（２）で吸収され、或いは
a-SiGe層（２）を透過してもその透過光は基板（１）で
反射し、その反射光が再度a-SiGe層（２）で吸収される
ことになる。
かくして、このような積層型感光体によれば、上述し
たような干渉縞模様の発生を防止することができる。
たような干渉縞模様の発生を防止することができる。
しかしながら、この感光体によれば、基板（１）上に
直にa-SiGe層（２）を形成しているために製造の条件に
よっては基板（１）に対する密着性に劣り、例えばアル
ミニウム製の基板（１）を用いた場合にはその基板上の
薄膜が剥離し易かった。
直にa-SiGe層（２）を形成しているために製造の条件に
よっては基板（１）に対する密着性に劣り、例えばアル
ミニウム製の基板（１）を用いた場合にはその基板上の
薄膜が剥離し易かった。
本発明者等は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めた結
果、上述したような感光体をグロー放電分解法によって
製作するに際して、a-SiGe層の形成時の基板温度が基板
に対する密着性に著しく影響し、更にa-SiGe層と光導電
層のそれぞれの形成時の基板温度を違えると電子写真特
性を向上させることができることを見い出した。
果、上述したような感光体をグロー放電分解法によって
製作するに際して、a-SiGe層の形成時の基板温度が基板
に対する密着性に著しく影響し、更にa-SiGe層と光導電
層のそれぞれの形成時の基板温度を違えると電子写真特
性を向上させることができることを見い出した。
従って本発明は上記知見に基いて完成されたものであ
り、その目的は基板に対する感光体層の密着性を高め且
つ電子写真特性を向上させ、これにより、高性能且つ高
信頼性を達成した電子写真感光体の製法を提供すること
にある。
り、その目的は基板に対する感光体層の密着性を高め且
つ電子写真特性を向上させ、これにより、高性能且つ高
信頼性を達成した電子写真感光体の製法を提供すること
にある。
本発明の他の目的は半導体レーザービームプリンター
用に適した電子写真感光体の製法を提供することにあ
る。
用に適した電子写真感光体の製法を提供することにあ
る。
本発明によれば、グロー放電分解法によって、アルミ
ニウムからなる導電性基板に基板温度T1（＝200℃〜250
℃）でa-SiGe層を形成する工程と、該層の上にT1と同じ
基板温度でa-Siを含むキャリア注入阻止層を形成する工
程と、該キャリア注入阻止層の上に上記基板温度T1より
高く400℃より低い温度に設定した基板温度でシリコン
を含む光導電性アモルファス半導体層を形成する工程と
を含むことを特徴とする電子写真感光体の製法が提供さ
れる。
ニウムからなる導電性基板に基板温度T1（＝200℃〜250
℃）でa-SiGe層を形成する工程と、該層の上にT1と同じ
基板温度でa-Siを含むキャリア注入阻止層を形成する工
程と、該キャリア注入阻止層の上に上記基板温度T1より
高く400℃より低い温度に設定した基板温度でシリコン
を含む光導電性アモルファス半導体層を形成する工程と
を含むことを特徴とする電子写真感光体の製法が提供さ
れる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明によれば、前述した第１図に示すような積層型
感光体をグロー放電分解法によって製作するにあたっ
て、a-SiGe層（２）と、それ以外のアモルファス半導体
層、例えばa-Si光導電層（４）のそれぞれの層形成時の
基板温度を所要の範囲内に設定し、これにより、感光体
層の基板に対する密着力を高め且つ優れた光導電性を得
ることが特徴である。
感光体をグロー放電分解法によって製作するにあたっ
て、a-SiGe層（２）と、それ以外のアモルファス半導体
層、例えばa-Si光導電層（４）のそれぞれの層形成時の
基板温度を所要の範囲内に設定し、これにより、感光体
層の基板に対する密着力を高め且つ優れた光導電性を得
ることが特徴である。
即ち、a-Si光導電層（４）に対する基板温度T3は、感
光体の積層型の種類に関係するが、約250乃至300℃の範
囲内に設定するのがよく、これにより、電荷保持能力及
び光導電性を高めることができ、これに対してa-SiGe層
（２）を形成する基板温度T1を上記基板温度T3よりも下
げると基板（１）とa-SiGe層（２）の密着力が顕著に大
きくなることを見い出した。
光体の積層型の種類に関係するが、約250乃至300℃の範
囲内に設定するのがよく、これにより、電荷保持能力及
び光導電性を高めることができ、これに対してa-SiGe層
（２）を形成する基板温度T1を上記基板温度T3よりも下
げると基板（１）とa-SiGe層（２）の密着力が顕著に大
きくなることを見い出した。
このa-SiGe層（２）を形成する基板温度T1は、基板
（１）の材料の種類に関係するが、例えばアルミニウム
製基板を用いた場合、その基板温度T1を約200乃至250℃
の範囲内に設定するとよい。
（１）の材料の種類に関係するが、例えばアルミニウム
製基板を用いた場合、その基板温度T1を約200乃至250℃
の範囲内に設定するとよい。
また、この基板材料には、例えばステンレス、ITO、
アルミニウム、銅、真鍮等の金属導電体、或いはガラ
ス、セラミックス等の絶縁体に導電性被膜をコーティン
グしたものなどがあるが、就中、アルミニウムは製造コ
ストの低減化及び感光体層との優れた密着力という点で
望ましい。
アルミニウム、銅、真鍮等の金属導電体、或いはガラ
ス、セラミックス等の絶縁体に導電性被膜をコーティン
グしたものなどがあるが、就中、アルミニウムは製造コ
ストの低減化及び感光体層との優れた密着力という点で
望ましい。
本発明によれば、このようなアモルファス半導体層と
してシリコン元素を構成元素とするのであれば、a-Si以
外に種々の半導体があり、例えばアモルファスシリコン
カーバイド（以下、a-SiCと略す）、アモルファスシリ
コンゲルマニウムカーバイド、アモルファスシリコンナ
イトライドなどがあり、これらに対する基板温度T3は約
250乃至400℃の範囲内に設定するとよい。
してシリコン元素を構成元素とするのであれば、a-Si以
外に種々の半導体があり、例えばアモルファスシリコン
カーバイド（以下、a-SiCと略す）、アモルファスシリ
コンゲルマニウムカーバイド、アモルファスシリコンナ
イトライドなどがあり、これらに対する基板温度T3は約
250乃至400℃の範囲内に設定するとよい。
次に本発明の実施例を述べる。
（グロー放電分解装置の説明） 第２図はグロー放電分解装置であり、図中、６は円筒
形状の反応室、７は感光体ドラム装着用の円筒形状の導
電性基板支持体、８は基板加熱用ヒータ、９は円筒形状
のグロー放電用電極板であり、この電極板９にはガス噴
出口10が形成されており、そして、11は反応室内部へガ
スを導入するガス導入口、12はグロー放電に晒されたガ
スの残余ガスを排気するためのガス排気口であり、13は
基板支持体７とグロー放電用電極９の間でグロー放電を
発生させる高周波電源である。
形状の反応室、７は感光体ドラム装着用の円筒形状の導
電性基板支持体、８は基板加熱用ヒータ、９は円筒形状
のグロー放電用電極板であり、この電極板９にはガス噴
出口10が形成されており、そして、11は反応室内部へガ
スを導入するガス導入口、12はグロー放電に晒されたガ
スの残余ガスを排気するためのガス排気口であり、13は
基板支持体７とグロー放電用電極９の間でグロー放電を
発生させる高周波電源である。
このグロー放電分解装置を用いてa-Si感光体を製作す
る場合には、a-Si成膜用のドラム状基板14を基板支持体
７に装着し、薄膜生成用ガスをガス導入口11より反応室
内部へ導入し、このガスをガス噴出口10を介して基板面
へ噴出し、更にヒータ８によって基板を所要の温度に設
定すると共に基板支持体７と電極板９の間でグロー放電
を発生させ、これにより、基板14の周面に薄膜が形成さ
れる。
る場合には、a-Si成膜用のドラム状基板14を基板支持体
７に装着し、薄膜生成用ガスをガス導入口11より反応室
内部へ導入し、このガスをガス噴出口10を介して基板面
へ噴出し、更にヒータ８によって基板を所要の温度に設
定すると共に基板支持体７と電極板９の間でグロー放電
を発生させ、これにより、基板14の周面に薄膜が形成さ
れる。
（積層型感光体の製作例） 第２図のグロー放電分解装置を用いて第１図に示すよ
うな積層型感光体を製作した。この製作条件は第１表に
示す通りである。尚、表中の表面保護層は絶縁性a-SiC
から成る。
うな積層型感光体を製作した。この製作条件は第１表に
示す通りである。尚、表中の表面保護層は絶縁性a-SiC
から成る。
このようにして製作した電子写真感光体の暗導電率は
８×10-13（Ω・cm）-1であり、この明導電率は２×10
-6（Ω・cm）-1であった。また、この感光体層の基板に
対する密着力は著しく大きく、この感光体を半導体レー
ザービームプリンターに搭載して実際に使用しても膜の
剥離が全く生じなかった。
８×10-13（Ω・cm）-1であり、この明導電率は２×10
-6（Ω・cm）-1であった。また、この感光体層の基板に
対する密着力は著しく大きく、この感光体を半導体レー
ザービームプリンターに搭載して実際に使用しても膜の
剥離が全く生じなかった。
更にこの実施例中キャリア注入阻止層を形成するに当
たって基板温度T2を220℃に設定し、その他の製作条件
は本例と全く同じにし、これによって電子写真感光体を
製作し、その感光体の暗導電率及び明導電率並びに基板
との密着力を調べたところ、本例の感光体と特性上全く
差がなかった。
たって基板温度T2を220℃に設定し、その他の製作条件
は本例と全く同じにし、これによって電子写真感光体を
製作し、その感光体の暗導電率及び明導電率並びに基板
との密着力を調べたところ、本例の感光体と特性上全く
差がなかった。
〔比較例１〕 第１表に示した製作条件のなかで全ての層の形成時の
基板温度を260℃に設定し、その他の製作条件は本例と
全く同一とし、これによって電子写真感光体を製作した
ところ、グロー放電分解装置からその感光体ドラムを取
り出すと同時に感光体層の剥離が見られた。
基板温度を260℃に設定し、その他の製作条件は本例と
全く同一とし、これによって電子写真感光体を製作した
ところ、グロー放電分解装置からその感光体ドラムを取
り出すと同時に感光体層の剥離が見られた。
〔比較例２〕 第１表に示した製作条件のなかで全ての層の形成時に
基板温度を220℃に設定し、その他の製作条件は本例と
全く同一とし、これによって得られた電子写真感光体に
よれば、その感光体層の剥離が全く生じなかった。ま
た、この感光体の暗導電率及び明導電率を測定したとこ
ろ、それぞれ３×10-12（Ω・cm）-1及び３×10-6（Ω
・cm）-1となり、本発明の電子写真感光体に比べて暗導
電率が著しく大きくなっていることが判る。
基板温度を220℃に設定し、その他の製作条件は本例と
全く同一とし、これによって得られた電子写真感光体に
よれば、その感光体層の剥離が全く生じなかった。ま
た、この感光体の暗導電率及び明導電率を測定したとこ
ろ、それぞれ３×10-12（Ω・cm）-1及び３×10-6（Ω
・cm）-1となり、本発明の電子写真感光体に比べて暗導
電率が著しく大きくなっていることが判る。
上述した実施例から明らかな通り、本発明の電子写真
感光体の製法によれば、基板温度を所要の範囲内で成膜
中変えることによって光導電性を損うことなく電荷保持
能力を大きくすることができ、その結果、帯電能、光感
度及び強露光電位が大幅に改善された電子写真感光体が
提供される。
感光体の製法によれば、基板温度を所要の範囲内で成膜
中変えることによって光導電性を損うことなく電荷保持
能力を大きくすることができ、その結果、帯電能、光感
度及び強露光電位が大幅に改善された電子写真感光体が
提供される。
更に本発明の製法によれば、感光体層の基板に対する
密着力が大きくなり、これによって高性能且つ長期信頼
性の半導体レーザービームプリンター用感光体が提供さ
れる。
密着力が大きくなり、これによって高性能且つ長期信頼
性の半導体レーザービームプリンター用感光体が提供さ
れる。
第１図は本発明の実施例に述べられる積層型電子写真感
光体の断面図、第２図はグロー放電分解装置の説明図で
ある。 １……導電性基板 ２……アモルファスシリコンゲルマニウム層 ３……アモルファスシリコンキャリア注入阻止層 ４……アモルファスシリコン光導電層 ５……表面保護層
光体の断面図、第２図はグロー放電分解装置の説明図で
ある。 １……導電性基板 ２……アモルファスシリコンゲルマニウム層 ３……アモルファスシリコンキャリア注入阻止層 ４……アモルファスシリコン光導電層 ５……表面保護層
Claims (1)
- 【請求項１】グロー放電分解法によって、アルミニウム
からなる導電性基板に基板温度T1（＝200℃〜250℃）で
アモルファスシリコンゲルマニウム層を形成する工程
と、該層の上にT1と同じ基板温度でアモルファスシリコ
ンを含むキャリア注入阻止層を形成する工程と、該キャ
リア注入阻止層の上に上記基板温度T1より高く400℃よ
り低い温度に設定した基板温度でシリコンを含む光導電
性アモルファス半導体層を形成する工程とを含むことを
特徴とする電子写真感光体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61303538A JPH087449B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 電子写真感光体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61303538A JPH087449B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 電子写真感光体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155054A JPS63155054A (ja) | 1988-06-28 |
| JPH087449B2 true JPH087449B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=17922199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61303538A Expired - Lifetime JPH087449B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 電子写真感光体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087449B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116037A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of electrophotographic receptor |
| JPS58190954A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Canon Inc | レーザー光を用いる光導電部材 |
| JPS58171039A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS60131540A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS6191665A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61303538A patent/JPH087449B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63155054A (ja) | 1988-06-28 |
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