JPS6336261A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6336261A JPS6336261A JP18059286A JP18059286A JPS6336261A JP S6336261 A JPS6336261 A JP S6336261A JP 18059286 A JP18059286 A JP 18059286A JP 18059286 A JP18059286 A JP 18059286A JP S6336261 A JPS6336261 A JP S6336261A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous carbon
- layer
- amorphous silicon
- amorphous
- conductive substrate
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/104—Bases for charge-receiving or other layers comprising inorganic material other than metals, e.g. salts, oxides, carbon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、導電性基体上にプラズマ気相成長法によって
シリコンを含む非晶質光導電層を被覆した電子写真感光
体に関する。
シリコンを含む非晶質光導電層を被覆した電子写真感光
体に関する。
電子写真用感光体の光導電材料としては、現在セレン、
セレン−テルル合金、セレンーヒ素合金、酸化亜鉛、硫
化カドミウム、有機材料あるいはアモルファスシリコン
系材料が用いられている。特にアモルファスシリコン系
材料は高耐刷性の感光体として注目を集めており、アモ
ルファス窒化シリコン（ａ−３ｉｃｘ （Ｈ） ） 、
アモルファス炭素（ａ−Ｃ（Ｈ） ）等の表面保護膜に
より著しく耐刷性が向上している。
セレン−テルル合金、セレンーヒ素合金、酸化亜鉛、硫
化カドミウム、有機材料あるいはアモルファスシリコン
系材料が用いられている。特にアモルファスシリコン系
材料は高耐刷性の感光体として注目を集めており、アモ
ルファス窒化シリコン（ａ−３ｉｃｘ （Ｈ） ） 、
アモルファス炭素（ａ−Ｃ（Ｈ） ）等の表面保護膜に
より著しく耐刷性が向上している。
しかしアモルファスシリコン系感光層は膜厚が３０μｍ
前後と他の光導電材料の場合より薄いため、表面に像露
光を行い画像を得ようとすると、感光層を通過して導電
性基体表面で反射した光と感光層表面で干渉を起こし、
画像に干渉縞の濃淡が現れてしまうという欠点を有して
いた。
前後と他の光導電材料の場合より薄いため、表面に像露
光を行い画像を得ようとすると、感光層を通過して導電
性基体表面で反射した光と感光層表面で干渉を起こし、
画像に干渉縞の濃淡が現れてしまうという欠点を有して
いた。
本発明の目的は、上記のような光の干渉による画質低下
のない電子写真感光体を提供することにある。
のない電子写真感光体を提供することにある。
本発明の感光体は、この目的を達成するため、アモルフ
ァスシリコン系光導電層と導電性基体との間にアモルフ
ァス炭素の層を設け、そのレーザー露光光源の波長に対
する吸収係数を１０００ｃｏ＋−１以上とすることによ
り、光導電層を通過した光を吸収し、導電性基体表面で
の反射を防止し干渉縞を発生させないようにしたもので
ある。
ァスシリコン系光導電層と導電性基体との間にアモルフ
ァス炭素の層を設け、そのレーザー露光光源の波長に対
する吸収係数を１０００ｃｏ＋−１以上とすることによ
り、光導電層を通過した光を吸収し、導電性基体表面で
の反射を防止し干渉縞を発生させないようにしたもので
ある。
ここでアモルファスシリコン系光導電層としては、水素
化アモルファスシリコン（ａ−３ｔ（Ｈ））、水素化弗
素化アモルファスシリコン（ａ −３ｉ （Ｈ，Ｆ）
） 、水素化アモルファス炭化シリ：１７ （ａ Ｓ
Ｉ Ｉ−Ｘ Ｃｘ （Ｈ） ） 、水素化弗素化アモ
ルファス炭化シリコン（ａ−３ｌｙ−ｘＣｘ （Ｈ，Ｆ
））、水素化アモルファス窒化シリコン（ａ−３ｉＮｘ
（Ｈ） ） 、水素化弗素化アモルファス窒化シリコ
ン（ａ−３ＩＮＸ（肥 Ｆ））、水素化アモルファス酸
化シリコン（ａＳｉＯｘ（Ｈ））、水素化弗素化アモル
ファス酸化シリコン（ａ−５ｔｙｘ （Ｈ，Ｆ））のう
ちの少なくとも一つを用いることができる。
化アモルファスシリコン（ａ−３ｔ（Ｈ））、水素化弗
素化アモルファスシリコン（ａ −３ｉ （Ｈ，Ｆ）
） 、水素化アモルファス炭化シリ：１７ （ａ Ｓ
Ｉ Ｉ−Ｘ Ｃｘ （Ｈ） ） 、水素化弗素化アモ
ルファス炭化シリコン（ａ−３ｌｙ−ｘＣｘ （Ｈ，Ｆ
））、水素化アモルファス窒化シリコン（ａ−３ｉＮｘ
（Ｈ） ） 、水素化弗素化アモルファス窒化シリコ
ン（ａ−３ＩＮＸ（肥 Ｆ））、水素化アモルファス酸
化シリコン（ａＳｉＯｘ（Ｈ））、水素化弗素化アモル
ファス酸化シリコン（ａ−５ｔｙｘ （Ｈ，Ｆ））のう
ちの少なくとも一つを用いることができる。
導電性基体とは、アルミニウム等の金属、合金のほかに
、絶縁物表面を導電処理したものも含んでいる。
、絶縁物表面を導電処理したものも含んでいる。
また、アモルファス炭素とは、水素および炭素からなり
、ａ−、Ｃ（Ｈ）と表され、基本的にＸ線あるいは電子
線による回折像は明確でなく、たとえ一部に結晶化した
部分を含んだとしてもその比率は小さいものである。さ
らに、膜中の水素は炭素と結合し、少なくとも２９００
ｃｍ−’付近の吸収が存在する。
、ａ−、Ｃ（Ｈ）と表され、基本的にＸ線あるいは電子
線による回折像は明確でなく、たとえ一部に結晶化した
部分を含んだとしてもその比率は小さいものである。さ
らに、膜中の水素は炭素と結合し、少なくとも２９００
ｃｍ−’付近の吸収が存在する。
以下本発明の感光体について図面を参照しながら詳細に
説明する。
説明する。
本発明の感光体は第１図に示すように、導電性基体１上
に少なくともアモルファス炭素境界層２およびアモルフ
ァスシリコン系光導電層３が積層された構造を有する。
に少なくともアモルファス炭素境界層２およびアモルフ
ァスシリコン系光導電層３が積層された構造を有する。
なお、耐環境性、耐摩耗性の向上のために、光導電層３
の上にさらに表面層４を積層することもできる。
の上にさらに表面層４を積層することもできる。
本発明の最も特徴とするところは、界面層にアモルファ
ス炭素を用いる点にある。本発明の発明者は、レーザー
ビームプリンターの干渉縞発生を界面層における反射防
止により無くすことを目的として鋭意研究を重ねた結果
、アモルファス炭素はその作成条件を変えることにより
１、吸収係数あるいは光学的エネルギーギャップ等を広
い範囲にわたり制御可能であることを見出したのである
。
ス炭素を用いる点にある。本発明の発明者は、レーザー
ビームプリンターの干渉縞発生を界面層における反射防
止により無くすことを目的として鋭意研究を重ねた結果
、アモルファス炭素はその作成条件を変えることにより
１、吸収係数あるいは光学的エネルギーギャップ等を広
い範囲にわたり制御可能であることを見出したのである
。
それ故どのような露光光源を用いる場合にもアモルファ
ス炭素界面層の作成条件を変えることで干渉縞を防止す
ることができる。
ス炭素界面層の作成条件を変えることで干渉縞を防止す
ることができる。
第１図に示す構造を有する感光体の製造には例えば第２
図に一例を示すようなアモルファス膜の生成装置が用い
られ、真空槽１１の内部に基体ｌの保持部１２とそれに
対向する電極１３が配置され、保持部１２）電極１３に
はそれぞれヒータ１４．１５が備えられている。トリク
ロルエチレンで脱脂洗浄したＡｎ製の円筒基体１を保持
部１２に固定し、真空槽１１内の圧力を１０−’Ｔ ｏ
ｒ ｒになるように排気ポンプ１６により排気パルプ
１７を介して排気する。基体１および電極１３の温度を
所定温度になるようにヒータ１４およびヒータ１５によ
り加熱する。保持部１２と導電性基体１は周方向の膜均
一性を出すために回転する。
図に一例を示すようなアモルファス膜の生成装置が用い
られ、真空槽１１の内部に基体ｌの保持部１２とそれに
対向する電極１３が配置され、保持部１２）電極１３に
はそれぞれヒータ１４．１５が備えられている。トリク
ロルエチレンで脱脂洗浄したＡｎ製の円筒基体１を保持
部１２に固定し、真空槽１１内の圧力を１０−’Ｔ ｏ
ｒ ｒになるように排気ポンプ１６により排気パルプ
１７を介して排気する。基体１および電極１３の温度を
所定温度になるようにヒータ１４およびヒータ１５によ
り加熱する。保持部１２と導電性基体１は周方向の膜均
一性を出すために回転する。
次に原料ガスの圧力容器２１〜２５の中から成膜に必要
なガスの圧力容器例えば２１のバルブ１８を開け、流量
調節計１９を通し、ストップバルブ２０を開けて、ガス
を真空槽１１の中に供給する。他のガスについても同様
である。次に、槽内圧力を所定の圧力、例えば０．００
１〜５Ｔｏ ｒ ｒに調整後、高周波（ＲＦ）電源３１
から高周波（１３，５６ＭＨｚ）電力を絶縁材３２を通
して対向電極１３に供給し、電極１３と基体１との間に
グロー放電を発生させて成膜を行う。
なガスの圧力容器例えば２１のバルブ１８を開け、流量
調節計１９を通し、ストップバルブ２０を開けて、ガス
を真空槽１１の中に供給する。他のガスについても同様
である。次に、槽内圧力を所定の圧力、例えば０．００
１〜５Ｔｏ ｒ ｒに調整後、高周波（ＲＦ）電源３１
から高周波（１３，５６ＭＨｚ）電力を絶縁材３２を通
して対向電極１３に供給し、電極１３と基体１との間に
グロー放電を発生させて成膜を行う。
次に、具体的な実施例について説明する。
実施例１
アルミニウムの円筒基体を第２図の装置に装着し、以下
の条件で第１図に示す感光体を作成した。
の条件で第１図に示す感光体を作成した。
（１） アモルファス炭素界面層
（膜厚 １＋ｕｍ＞
ＣＨ斗ガス流量 ５０ ｃ ｃ／分ガス圧
０． ］、 Ｔ ｏ ｒ ｒＲＦ電力
１００Ｗ 基体温度 ２５０℃ 成膜時間 １時間 （２）アモルファスシリコン系光導電層（膜厚 ３０μ
ｍ） ＳｉＨ，流量 ２００ｃｃ／分Ｂ２Ｈｓ（２
０ｐｐｍ、 Ｈ２ベース）流ｉｔ １ｏｃｃ／分ガス圧
１．２ＴｏｒｒＲＦ電力 ３
００Ｗ 成膜時間 ４時間 以上のようにして形成した感光体を露光光源波長７８０
ｎｍのレーザービームプリンターに装着し画像試験を行
ったところ、極めて良好な画像が得られた。
０． ］、 Ｔ ｏ ｒ ｒＲＦ電力
１００Ｗ 基体温度 ２５０℃ 成膜時間 １時間 （２）アモルファスシリコン系光導電層（膜厚 ３０μ
ｍ） ＳｉＨ，流量 ２００ｃｃ／分Ｂ２Ｈｓ（２
０ｐｐｍ、 Ｈ２ベース）流ｉｔ １ｏｃｃ／分ガス圧
１．２ＴｏｒｒＲＦ電力 ３
００Ｗ 成膜時間 ４時間 以上のようにして形成した感光体を露光光源波長７８０
ｎｍのレーザービームプリンターに装着し画像試験を行
ったところ、極めて良好な画像が得られた。
比較のため、アモルファス炭素界面層２のない感光体を
上記の条件で作成し、同様の試験を行ったところ干渉縞
が発生し、実用」１不適当であった。
上記の条件で作成し、同様の試験を行ったところ干渉縞
が発生し、実用」１不適当であった。
このことから、アモルファス炭素界面層２が干渉縞の防
止に非常に有益であることがわかる。
止に非常に有益であることがわかる。
なお、このときのアモルファス炭素界面層の７８０ｎｍ
における吸収係数は約６５００ｃｍ””であった。
における吸収係数は約６５００ｃｍ””であった。
実施例２
吸収係数の異なるアモルファス炭素界面Ｎ２は、ガスの
種類、ガス流量、ガス圧、放電パワー等作成条件を変え
ることで得られる。種々のアモルファス炭素界面層２と
実施例１と同条件のアモルファスシリコン系光導電層３
との組み合わせで感光体を作成し、７８０ｎｍのレーザ
ービームプリンターで画像試験を行った結果を第１表に
示す。なお、アモルファス炭素界面層の厚さは１μｍに
揃えた。
種類、ガス流量、ガス圧、放電パワー等作成条件を変え
ることで得られる。種々のアモルファス炭素界面層２と
実施例１と同条件のアモルファスシリコン系光導電層３
との組み合わせで感光体を作成し、７８０ｎｍのレーザ
ービームプリンターで画像試験を行った結果を第１表に
示す。なお、アモルファス炭素界面層の厚さは１μｍに
揃えた。
第１表
この画像試験結果の◎は干渉縞のない極めて良好な画像
、Ｏは実用上問題のない画像、△は実用上問題のある画
像、×は不良の重大な画像を示している。このことから
、吸収係数１００００ｃｍ−’以上が望ましいことがわ
かる。
、Ｏは実用上問題のない画像、△は実用上問題のある画
像、×は不良の重大な画像を示している。このことから
、吸収係数１００００ｃｍ−’以上が望ましいことがわ
かる。
実施例３
７８０ｎｍの吸収係数が１００１００Ｏ’のアモ）Ｌ／
ファス炭素界面層の厚さを種々変えたものと実施例１の
アモルファスシリコン系光導電層とを用いて感光体を作
成し、レーザービームプリンター（露光波長７８０ｎｍ
）による画像試験を行った。
ファス炭素界面層の厚さを種々変えたものと実施例１の
アモルファスシリコン系光導電層とを用いて感光体を作
成し、レーザービームプリンター（露光波長７８０ｎｍ
）による画像試験を行った。
その結果を第２表に示す。
第２表
この画像試験結果の各記号の意味は実施例２と同じであ
る。この結果より、露光光源波長に対する吸収係数とそ
のときのアモルファス炭素界面層の厚さの積は０．３以
上であることが望ましいことがわかる。
る。この結果より、露光光源波長に対する吸収係数とそ
のときのアモルファス炭素界面層の厚さの積は０．３以
上であることが望ましいことがわかる。
実施例４
レーザービームプリンターの露光光源には７８Ｑｎｍの
波長のほかにも種々あるので、露光光源を変えて画像試
験を行った。このときの露光光に対する吸収係数は５０
００ｃｍ−’で、界面層の厚さは１μｍに固定した。
波長のほかにも種々あるので、露光光源を変えて画像試
験を行った。このときの露光光に対する吸収係数は５０
００ｃｍ−’で、界面層の厚さは１μｍに固定した。
この結果、すべての露光波長に対して干渉縞のない良好
な画像が得られた。
な画像が得られた。
実施例５
電子写真感光体の層構成として、導電性基体と光導電層
との間に電荷注入阻止のためブロッキング層を設ける場
合がある。第３図ａは導電性基体１とブロッキング層５
との間にアモルファス炭素界面層２を挿入した場合、第
３図すはブロッキング層５とアモルファスシリコン系光
導電層３との間にアモルファス炭素界面層２を挿入した
場合であり、両者の画像評価の結果を比較したところ差
は認められなかった。
との間に電荷注入阻止のためブロッキング層を設ける場
合がある。第３図ａは導電性基体１とブロッキング層５
との間にアモルファス炭素界面層２を挿入した場合、第
３図すはブロッキング層５とアモルファスシリコン系光
導電層３との間にアモルファス炭素界面層２を挿入した
場合であり、両者の画像評価の結果を比較したところ差
は認められなかった。
本発明によれば、導電性基体とアモルファスシリコン系
光導電層との間にアモルファス炭素界面層を設けること
により、光導電層を通過した光はこの界面層に吸収され
、干渉縞の発生が防止され、画像の品質を高めることが
できる。
光導電層との間にアモルファス炭素界面層を設けること
により、光導電層を通過した光はこの界面層に吸収され
、干渉縞の発生が防止され、画像の品質を高めることが
できる。
第１図は本発明の実施例の構成図、第２図は本発明の感
光体の製造装置の一例の概念的系統図、第３図ａ、ｂは
本発明の他の実施例の構成図である。 １・・・導電性基体、 ２・・・アモルファス炭素界面
層、 ３・・・アモルファスシリコン系光導電層、４・
・・表面層、 ５・・・ブロッキング層。
光体の製造装置の一例の概念的系統図、第３図ａ、ｂは
本発明の他の実施例の構成図である。 １・・・導電性基体、 ２・・・アモルファス炭素界面
層、 ３・・・アモルファスシリコン系光導電層、４・
・・表面層、 ５・・・ブロッキング層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体レーザーを露光光源とする電子写真装置に用
いられ、少なくとも導電性基体と界面層とアモルファス
シリコン系光導電層とを有する電子写真感光体において
、該界面層が露光光源の波長に対して１０００ｃｍ＾−
＾１以上の吸収係数を有するアモルファス炭素よりなる
ことを特徴とする電子写真感光体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体におい
て、界面層の露光光源の波長に対する吸収係数と界面層
の厚さとの積が０．３以上であることを特徴とする電子
写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18059286A JPS6336261A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18059286A JPS6336261A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6336261A true JPS6336261A (ja) | 1988-02-16 |
Family
ID=16085955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18059286A Pending JPS6336261A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6336261A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197956A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18059286A patent/JPS6336261A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197956A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
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