JPH08757Y2 - 半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止装置Info
- Publication number
- JPH08757Y2 JPH08757Y2 JP1987120540U JP12054087U JPH08757Y2 JP H08757 Y2 JPH08757 Y2 JP H08757Y2 JP 1987120540 U JP1987120540 U JP 1987120540U JP 12054087 U JP12054087 U JP 12054087U JP H08757 Y2 JPH08757 Y2 JP H08757Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- heater block
- mold clamping
- heater
- spacer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、トランスファ成形プレスを用いて樹脂成形
する半導体装置の樹脂封止装置に関する。
する半導体装置の樹脂封止装置に関する。
一般に、半導体装置の樹脂封止装置は、トランスファ
成形プレスに装着した上下２つの型板を型締めした後、
プランジャーによってトランスファポット内のレジンタ
ブレットをキャビティ内に圧送し成形を行うものとして
知られている。
成形プレスに装着した上下２つの型板を型締めした後、
プランジャーによってトランスファポット内のレジンタ
ブレットをキャビティ内に圧送し成形を行うものとして
知られている。
従来、この種樹脂封止装置の両型板のうち下側の型板
は第３図に示すように構成されている。これを同図に基
づいて説明すると、同図において、符号１で示すものは
ヒータ２を内蔵する定盤（ヒータブロック）で、ベース
３上に多数のサポートピン４を介して保持されている。
この定盤１には加圧方向に開口する大小２つの孔5a,5b
およびこれら両孔5a,5bの軸線と直角な段部5cからなる
挿通孔５が設けられている。そして、この定盤１の上端
部には後述するチェイスブロック（キャビティブロッ
ク）６およびセンタブロック７が保持されている。これ
ら両ブロック6,7のうちセンタブロック７にはプランジ
ャー（図示せず）が内部を進退するポット８およびこの
ポット８に連通するランナ９が設けられており、チェイ
スブロック６にはパーティング面6a側に開口するキャビ
ティ11が設けられている。12は側方に開口する取付溝12
aを有するスペーサブロックで、前記キャビティ11の下
方に位置し前記定盤１と前記ベース３との間に介装され
ている。また、13は前記スペーサブロック12に対して前
記定盤１を固定するボルト、14はプレス側にプレート15
を介して前記スペーサブロック12を取り付けるボルトで
ある。なお、前記チェイスブロック６の上方には上側の
型板Ａが配設されている。
は第３図に示すように構成されている。これを同図に基
づいて説明すると、同図において、符号１で示すものは
ヒータ２を内蔵する定盤（ヒータブロック）で、ベース
３上に多数のサポートピン４を介して保持されている。
この定盤１には加圧方向に開口する大小２つの孔5a,5b
およびこれら両孔5a,5bの軸線と直角な段部5cからなる
挿通孔５が設けられている。そして、この定盤１の上端
部には後述するチェイスブロック（キャビティブロッ
ク）６およびセンタブロック７が保持されている。これ
ら両ブロック6,7のうちセンタブロック７にはプランジ
ャー（図示せず）が内部を進退するポット８およびこの
ポット８に連通するランナ９が設けられており、チェイ
スブロック６にはパーティング面6a側に開口するキャビ
ティ11が設けられている。12は側方に開口する取付溝12
aを有するスペーサブロックで、前記キャビティ11の下
方に位置し前記定盤１と前記ベース３との間に介装され
ている。また、13は前記スペーサブロック12に対して前
記定盤１を固定するボルト、14はプレス側にプレート15
を介して前記スペーサブロック12を取り付けるボルトで
ある。なお、前記チェイスブロック６の上方には上側の
型板Ａが配設されている。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装置にお
いては、型締め時にポット（図示せず）内に充填された
樹脂タブレット（図示せず）を加圧し、キャビティ11内
で予めチェイスブロック６に装着されたリードフレーム
上の半導体素子（図示せず）を樹脂封止する。
いては、型締め時にポット（図示せず）内に充填された
樹脂タブレット（図示せず）を加圧し、キャビティ11内
で予めチェイスブロック６に装着されたリードフレーム
上の半導体素子（図示せず）を樹脂封止する。
ところで、従来の半導体装置の樹脂封止装置において
は、ボルト13によってスペーサブロック12上に定盤１を
固定する構造であり、かつスペーサブロック12がサポー
トピン４と比較して剛性が高いものであるため、型締め
時にスペーサブロック12の弾性変形がサポートピン４の
弾性変形より小さく、加熱時には定盤１の水平方向への
変形が規制され、定盤１が一方側に反るように変形して
いた。この結果、樹脂封止時に上下チェイスブロック６
（一方のみ図示）の両パーティング面6a間に間隙が形成
されてしまい、チェイスブロック６上のリードフレーム
に樹脂ばりが発生するという問題があった。
は、ボルト13によってスペーサブロック12上に定盤１を
固定する構造であり、かつスペーサブロック12がサポー
トピン４と比較して剛性が高いものであるため、型締め
時にスペーサブロック12の弾性変形がサポートピン４の
弾性変形より小さく、加熱時には定盤１の水平方向への
変形が規制され、定盤１が一方側に反るように変形して
いた。この結果、樹脂封止時に上下チェイスブロック６
（一方のみ図示）の両パーティング面6a間に間隙が形成
されてしまい、チェイスブロック６上のリードフレーム
に樹脂ばりが発生するという問題があった。
本考案はこのような事情に鑑みなされたもので、樹脂
封止時に各パーティング面を互いに密着させることがで
き、もってチェイスブロック上のリードフレームにおけ
る樹脂ばりの発生を防止することができる半導体装置の
樹脂封止装置を提供するものである。
封止時に各パーティング面を互いに密着させることがで
き、もってチェイスブロック上のリードフレームにおけ
る樹脂ばりの発生を防止することができる半導体装置の
樹脂封止装置を提供するものである。
本考案に係る半導体装置の樹脂封止装置は、加圧方向
に開口する挿通孔を有するチェイスブロック保持用のヒ
ータブロックと、このヒータブロックとベースとの間に
設けられたスペーサブロックと、このスペーサブロック
に螺着され挿通孔を挿通する位置決め用のボルトとを備
え、スペーサブロックとヒータブロックとの間に間隔を
設けてなり、この間隔を、ヒータブロックを支持する同
一高さで複数のサポートピンが型締め時に型締力によっ
て圧縮変形される寸法より大きくしたものである。
に開口する挿通孔を有するチェイスブロック保持用のヒ
ータブロックと、このヒータブロックとベースとの間に
設けられたスペーサブロックと、このスペーサブロック
に螺着され挿通孔を挿通する位置決め用のボルトとを備
え、スペーサブロックとヒータブロックとの間に間隔を
設けてなり、この間隔を、ヒータブロックを支持する同
一高さで複数のサポートピンが型締め時に型締力によっ
て圧縮変形される寸法より大きくしたものである。
本考案においては、型締め時および加熱時にヒータブ
ロックの反り変形を阻止することができる。
ロックの反り変形を阻止することができる。
〔実施例〕 第１図は本考案に係る半導体装置の樹脂封止装置にお
ける下側の型板を示す断面図で、同図以下において第３
図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。同図において、符号21で示すものはヒー
タ（図示せず）を内蔵するヒータブロックで、前記ベー
ス３上に前記サポートピン４を介して設けられており、
上端部には前記チェイスブロック６が保持されている。
このヒータブロック21の両側縁には、前記チェイスブロ
ック６の外側に位置し加圧方向に開口する挿通孔22が設
けられている。23は側方に開口する取付溝23aを有する
スペーサブロックで、前記挿通孔22の軸線上に設けら
れ、かつボルト24によって前記ベース３上にプレート25
を介して固定されている。このスペーサブロック23と前
記ヒータブロック21との間には所定の間隔ｇが設けられ
ている。26は位置決め用の段付ボルトで、前記スペーサ
ブロック23の上端部に螺着され、かつ前記挿通孔22に挿
通されている。この段付ボルト26には、前記スペーサブ
ロック23の上端面に当接する段付部26aおよび前記ヒー
タブロック21の上端面に対向するボルト頭部26bが設け
られている。また、この段付部ボルト26の段付部26aは
外径が前記挿通孔22の口径より小さい寸法に設定されて
おり、前記ヒータブロック21を水平方向に熱変形可能に
構成されている。なお、前記チェイスブロック６の上方
には上側の型板（図示せず）が設けられている。
ける下側の型板を示す断面図で、同図以下において第３
図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。同図において、符号21で示すものはヒー
タ（図示せず）を内蔵するヒータブロックで、前記ベー
ス３上に前記サポートピン４を介して設けられており、
上端部には前記チェイスブロック６が保持されている。
このヒータブロック21の両側縁には、前記チェイスブロ
ック６の外側に位置し加圧方向に開口する挿通孔22が設
けられている。23は側方に開口する取付溝23aを有する
スペーサブロックで、前記挿通孔22の軸線上に設けら
れ、かつボルト24によって前記ベース３上にプレート25
を介して固定されている。このスペーサブロック23と前
記ヒータブロック21との間には所定の間隔ｇが設けられ
ている。26は位置決め用の段付ボルトで、前記スペーサ
ブロック23の上端部に螺着され、かつ前記挿通孔22に挿
通されている。この段付ボルト26には、前記スペーサブ
ロック23の上端面に当接する段付部26aおよび前記ヒー
タブロック21の上端面に対向するボルト頭部26bが設け
られている。また、この段付部ボルト26の段付部26aは
外径が前記挿通孔22の口径より小さい寸法に設定されて
おり、前記ヒータブロック21を水平方向に熱変形可能に
構成されている。なお、前記チェイスブロック６の上方
には上側の型板（図示せず）が設けられている。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装置にお
いては、挿通孔22を挿通する段付ボルト26をスペーサブ
ロック23に螺着し、このスペーサブロック23とヒータブ
ロック21との間に間隔ｇを設けたので、型締め時および
加熱時にヒータブロック21の反り変形を阻止することが
できる。すなわち、型締め時にサポートピン４のみを加
圧方向に弾性圧縮変形させることができ、加熱時にはヒ
ータブロック21を水平方向に熱変形させることができる
のである。
いては、挿通孔22を挿通する段付ボルト26をスペーサブ
ロック23に螺着し、このスペーサブロック23とヒータブ
ロック21との間に間隔ｇを設けたので、型締め時および
加熱時にヒータブロック21の反り変形を阻止することが
できる。すなわち、型締め時にサポートピン４のみを加
圧方向に弾性圧縮変形させることができ、加熱時にはヒ
ータブロック21を水平方向に熱変形させることができる
のである。
したがって、本考案においては、樹脂封止時に両チェ
イスブロック６の各パーティング面6aを互いに密着させ
ることができる。
イスブロック６の各パーティング面6aを互いに密着させ
ることができる。
なお、本実施例においては、段付ボルト26のボルト頭
部26bをヒータブロック21に対向させる場合を示した
が、本考案はこれに限定されるものではなく、第２図に
示すようにヒータブロク21とボルト頭部26bとの間に弾
性体27を介装しても何等差し支えない。この場合、ヒー
タブロック21は弾性体27によってサポートピン４側に弾
撥力が付与されている。
部26bをヒータブロック21に対向させる場合を示した
が、本考案はこれに限定されるものではなく、第２図に
示すようにヒータブロク21とボルト頭部26bとの間に弾
性体27を介装しても何等差し支えない。この場合、ヒー
タブロック21は弾性体27によってサポートピン４側に弾
撥力が付与されている。
以上説明したように本考案によれば、加圧方向に開口
する挿通孔を有するチェイスブロック保持用のヒータブ
ロックと、このヒータブロックとベースとの間に設けら
れたスペーサブロックと、このスペーサブロックに螺着
され挿通孔を挿通する位置決め用のボルトとを備え、ス
ペーサブロックとヒータブロックとの間に間隔を設けて
なり、この間隔を、ヒータブロックを支持する同一高さ
で複数のサポートピンが型締め時に型締力によって圧縮
変形される寸法より大きくしたため、ヒータブロックは
型締力が加えられる部位の直下に位置するサポートピン
のみによって支持され、型締圧が加えられる部位の側方
に位置するスペーサブロックでは支持されなくなる。こ
のため、型締力がヒータブロックの全域にわたって略均
一に加えられるから、型締め時及び加熱時にヒータブロ
ックが凹状に変形することがない。したがって、型締め
力が種々変化した場合でも、樹脂封止時に各パーティン
グ面を互いに密着させることができるから、チェイスブ
ロック上のリードフレームにおける樹脂ばりの発生を防
止することができる。また、本考案によれば、サポート
ピンを全て同一長さに形成でき、その長さもこのサポー
トピンが型締め時に圧縮変形されたときにスペーサブロ
ックより上方へ突出するように設定するだけでよいか
ら、金型製造をきわめて容易に行うことができるという
効果もある。
する挿通孔を有するチェイスブロック保持用のヒータブ
ロックと、このヒータブロックとベースとの間に設けら
れたスペーサブロックと、このスペーサブロックに螺着
され挿通孔を挿通する位置決め用のボルトとを備え、ス
ペーサブロックとヒータブロックとの間に間隔を設けて
なり、この間隔を、ヒータブロックを支持する同一高さ
で複数のサポートピンが型締め時に型締力によって圧縮
変形される寸法より大きくしたため、ヒータブロックは
型締力が加えられる部位の直下に位置するサポートピン
のみによって支持され、型締圧が加えられる部位の側方
に位置するスペーサブロックでは支持されなくなる。こ
のため、型締力がヒータブロックの全域にわたって略均
一に加えられるから、型締め時及び加熱時にヒータブロ
ックが凹状に変形することがない。したがって、型締め
力が種々変化した場合でも、樹脂封止時に各パーティン
グ面を互いに密着させることができるから、チェイスブ
ロック上のリードフレームにおける樹脂ばりの発生を防
止することができる。また、本考案によれば、サポート
ピンを全て同一長さに形成でき、その長さもこのサポー
トピンが型締め時に圧縮変形されたときにスペーサブロ
ックより上方へ突出するように設定するだけでよいか
ら、金型製造をきわめて容易に行うことができるという
効果もある。
第１図は本考案に係る半導体装置の樹脂封止装置におけ
る下側の型板を示す断面図、第２図は他の実施例を示す
断面図、第３図は従来の半導体装置の樹脂封止装置にお
ける下側の型板を示す断面図である。 ３……ベース、４……サポートピン、６……チェイスブ
ロック、21……ヒータブロック、22……挿通孔、23……
スペーサブロック、26……段付ボルト、ｇ……間隔。
る下側の型板を示す断面図、第２図は他の実施例を示す
断面図、第３図は従来の半導体装置の樹脂封止装置にお
ける下側の型板を示す断面図である。 ３……ベース、４……サポートピン、６……チェイスブ
ロック、21……ヒータブロック、22……挿通孔、23……
スペーサブロック、26……段付ボルト、ｇ……間隔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 末崎 英明 福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号 三菱電機株式会社福岡製作所内 (72)考案者 山田 弘道 福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号 菱電エンジニアリング株式会社ＬＳＩ設計 センター福岡支所内 (72)考案者 田中 末吉 福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号 三菱電機株式会社福岡製作所内 (56)参考文献 特開 昭62−26827（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ベース上に同一高さで複数のサポートピン
を介して設けられ加圧方向に開口する挿通孔を有するチ
ェイスブロック保持用のヒータブロックと、このヒータ
ブロックと前記ベースとの間に設けられ前記サポートピ
ンの外側に位置するスペーサブロックと、このスペーサ
ブロックに螺着され前記挿通孔を挿通する位置決め用の
ボルトとを備え、前記ヒータブロックと前記スペーサブ
ロックとの間に間隔を設けてなり、この間隔を、型締め
時に前記サポートピンが型締力によって圧縮変形される
寸法より大きくしたことを特徴とする半導体装置の樹脂
封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987120540U JPH08757Y2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987120540U JPH08757Y2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424836U JPS6424836U (ja) | 1989-02-10 |
| JPH08757Y2 true JPH08757Y2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=31366740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987120540U Expired - Lifetime JPH08757Y2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08757Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4969328B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2012-07-04 | 住友重機械工業株式会社 | 圧縮成形金型及び圧縮成形金型装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226827A (ja) * | 1985-07-27 | 1987-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の樹脂封止方法及びその装置 |
-
1987
- 1987-08-05 JP JP1987120540U patent/JPH08757Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6424836U (ja) | 1989-02-10 |
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