JPH0876160A - 波長変換装置およびその製造方法 - Google Patents
波長変換装置およびその製造方法Info
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- JPH0876160A JPH0876160A JP21231894A JP21231894A JPH0876160A JP H0876160 A JPH0876160 A JP H0876160A JP 21231894 A JP21231894 A JP 21231894A JP 21231894 A JP21231894 A JP 21231894A JP H0876160 A JPH0876160 A JP H0876160A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 疑似位相整合条件を安定に満足出来、かつ、
設計が容易で作製が容易な波長変換装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ１１と、該半導体レーザからの
レーザ光が入射され然も疑似位相整合条件を満たす分極
反転領域２３ａを有しかつ前記レーザ光の第二高調波を
発生するための光導波路（第１の光導波路）２３と、を
具える波長変換装置であって、第１の導波路２３に対し
並置される関係で設けられ、半導体レーザ１１からのレ
ーザ光を反射する周期的屈折率分布構造２５ａを有した
第２の光導波路２５と、半導体レーザからのレーザ光の
一部を第２の光導波路２５に導くと共に、該導かれたレ
ーザ光の前記周期的屈折率分布構造２５ａによって選択
的に反射される光を半導体レーザ１１に戻すための手段
３１とを具えた波長変換装置。
設計が容易で作製が容易な波長変換装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ１１と、該半導体レーザからの
レーザ光が入射され然も疑似位相整合条件を満たす分極
反転領域２３ａを有しかつ前記レーザ光の第二高調波を
発生するための光導波路（第１の光導波路）２３と、を
具える波長変換装置であって、第１の導波路２３に対し
並置される関係で設けられ、半導体レーザ１１からのレ
ーザ光を反射する周期的屈折率分布構造２５ａを有した
第２の光導波路２５と、半導体レーザからのレーザ光の
一部を第２の光導波路２５に導くと共に、該導かれたレ
ーザ光の前記周期的屈折率分布構造２５ａによって選択
的に反射される光を半導体レーザ１１に戻すための手段
３１とを具えた波長変換装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光第二高調波発生
（ＳＨＧ：Second-Harmonic Generation）を利用して半
導体レーザ（ＬＤ：Laser Diode ）の光をその波長の半
分の波長の光に変換する装置とその製造方法とに関す
る。
（ＳＨＧ：Second-Harmonic Generation）を利用して半
導体レーザ（ＬＤ：Laser Diode ）の光をその波長の半
分の波長の光に変換する装置とその製造方法とに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光第二高調波発生を利用して半導体レー
ザの出力光の波長を第二高調波（ＳＨ波）に変換する場
合、ＳＨ波変換部の各点で発生したＳＨ波どうしが干渉
して打ち消し合わない条件すなわち位相整合条件を、い
かにして安定的に満足させるかが重要になる。そのため
の従来技術として、例えば特開平５−２５７１８４号公
報、特開平５−６６４４０号公報、特開平６−５１３５
９号公報、或は特開平６−６７２３４号公報に開示の波
長変換装置があった。いずれの波長変換装置も、半導体
レーザと、該半導体レーザの出力光をＳＨ波に変換する
部分となる所定の光導波路とを具えるものであった。こ
こで所定の光導波路とは、レーザ光をＳＨ波に変換する
ための分極反転領域とレーザ光の一部を半導体レーザに
戻すための回折格子とを、これらが直列の関係となるよ
うに、具えたものである。この種の波長変換装置では、
半導体レーザからのレーザ光が分極反転領域および回折
格子を具えた光導波路に入射される。このレーザ光はこ
の光導波路の分極反転領域において（ＳＨ波）に変換さ
れる。また、このレーザ光の一部はこの光導波路の回折
格子において半導体レーザ側に戻されるので半導体レー
ザの発振波長が安定化されることから、位相整合条件を
安定的に満足できるようになる。
ザの出力光の波長を第二高調波（ＳＨ波）に変換する場
合、ＳＨ波変換部の各点で発生したＳＨ波どうしが干渉
して打ち消し合わない条件すなわち位相整合条件を、い
かにして安定的に満足させるかが重要になる。そのため
の従来技術として、例えば特開平５−２５７１８４号公
報、特開平５−６６４４０号公報、特開平６−５１３５
９号公報、或は特開平６−６７２３４号公報に開示の波
長変換装置があった。いずれの波長変換装置も、半導体
レーザと、該半導体レーザの出力光をＳＨ波に変換する
部分となる所定の光導波路とを具えるものであった。こ
こで所定の光導波路とは、レーザ光をＳＨ波に変換する
ための分極反転領域とレーザ光の一部を半導体レーザに
戻すための回折格子とを、これらが直列の関係となるよ
うに、具えたものである。この種の波長変換装置では、
半導体レーザからのレーザ光が分極反転領域および回折
格子を具えた光導波路に入射される。このレーザ光はこ
の光導波路の分極反転領域において（ＳＨ波）に変換さ
れる。また、このレーザ光の一部はこの光導波路の回折
格子において半導体レーザ側に戻されるので半導体レー
ザの発振波長が安定化されることから、位相整合条件を
安定的に満足できるようになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の波長変換装置では、ＳＨ波を発生する部分とレ
ーザ光を帰還する部分とが直列に配置されていたので、
両部分にレーザ光およびＳＨ波が影響する。この場合、
光導波路のＳＨ波を発生する部分とレーザ光を帰還する
部分との設計の際は、レーザ光およびＳＨ波を同一の基
本横モード（０次モードが望ましい）で導波させるよう
にするのが好ましいため、この従来の波長変換装置で
は、光導波路のＳＨ波を発生する部分とレーザ光を帰還
する部分との設計条件（主に導波路の寸法）が厳しいも
のとなる。したがって、光導波路の形成が複雑となり高
度の技術が必要になり、また、ＳＨ波を発生する部分と
レーザ光を帰還する部分それぞれの最適化もしずらいと
いう問題点があった。
た従来の波長変換装置では、ＳＨ波を発生する部分とレ
ーザ光を帰還する部分とが直列に配置されていたので、
両部分にレーザ光およびＳＨ波が影響する。この場合、
光導波路のＳＨ波を発生する部分とレーザ光を帰還する
部分との設計の際は、レーザ光およびＳＨ波を同一の基
本横モード（０次モードが望ましい）で導波させるよう
にするのが好ましいため、この従来の波長変換装置で
は、光導波路のＳＨ波を発生する部分とレーザ光を帰還
する部分との設計条件（主に導波路の寸法）が厳しいも
のとなる。したがって、光導波路の形成が複雑となり高
度の技術が必要になり、また、ＳＨ波を発生する部分と
レーザ光を帰還する部分それぞれの最適化もしずらいと
いう問題点があった。
【０００４】また、従来の波長変換装置では、ＳＨ波を
発生する部分およびレーザ光を帰還する部分を有した光
導波路がプレーナ構造のものであるため、この光導波路
と半導体レーザとをモジュール化する場合、例えば１／
２波長板を必要とする等、構成成分が増加するので、半
導体レーザとのモジュール化がしずらいという問題点が
あった。
発生する部分およびレーザ光を帰還する部分を有した光
導波路がプレーナ構造のものであるため、この光導波路
と半導体レーザとをモジュール化する場合、例えば１／
２波長板を必要とする等、構成成分が増加するので、半
導体レーザとのモジュール化がしずらいという問題点が
あった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、設計条件が厳し
いものとなりかつ各部の最適化もしずらいという問題点
を解決するため、この出願の第一発明では、半導体レー
ザと、該半導体レーザからのレーザ光が入射され然も疑
似位相整合条件を満たす分極反転領域を有しかつ前記レ
ーザ光の第二高調波を発生するための光導波路と、を具
える波長変換装置において、第二高調波を発生するため
の前記光導波路（第１の導波路）に対し並置された関係
で設けられ、前記半導体レーザからのレーザ光を反射す
る周期的屈折率分布構造を有した第２の光導波路と、前
記半導体レーザからのレーザ光の一部を前記第２の光導
波路に導くと共に、該導かれたレーザ光の前記周期的屈
折率分布構造によって選択的に反射される光を前記半導
体レーザに戻すための手段（以下、「光路規定手段」と
略称することもある。）とを具えたことを特徴とする。
ここで、並置された関係とは典型的には第１及び第２の
光導波路が平行に配置された関係であるが、場合によっ
ては両光導波路が非平行に並置されても良い。
いものとなりかつ各部の最適化もしずらいという問題点
を解決するため、この出願の第一発明では、半導体レー
ザと、該半導体レーザからのレーザ光が入射され然も疑
似位相整合条件を満たす分極反転領域を有しかつ前記レ
ーザ光の第二高調波を発生するための光導波路と、を具
える波長変換装置において、第二高調波を発生するため
の前記光導波路（第１の導波路）に対し並置された関係
で設けられ、前記半導体レーザからのレーザ光を反射す
る周期的屈折率分布構造を有した第２の光導波路と、前
記半導体レーザからのレーザ光の一部を前記第２の光導
波路に導くと共に、該導かれたレーザ光の前記周期的屈
折率分布構造によって選択的に反射される光を前記半導
体レーザに戻すための手段（以下、「光路規定手段」と
略称することもある。）とを具えたことを特徴とする。
ここで、並置された関係とは典型的には第１及び第２の
光導波路が平行に配置された関係であるが、場合によっ
ては両光導波路が非平行に並置されても良い。
【０００６】この第一発明の実施に当たり、前記第１の
光導波路と前記第２の光導波路との一端同士を合流する
ための合流導波路をさらに具え、かつ、前記光路規定手
段を、前記合流導波路、前記第１の光導波路及び前記第
２の光導波路で構成することもできる。
光導波路と前記第２の光導波路との一端同士を合流する
ための合流導波路をさらに具え、かつ、前記光路規定手
段を、前記合流導波路、前記第１の光導波路及び前記第
２の光導波路で構成することもできる。
【０００７】また、設計条件が厳しいものとなりかつ各
部の最適化もしずらいという問題点を緩和するための別
の発明として、この出願の第二発明によれば、波長変換
装置を、半導体レーザと、該半導体レーザからのレーザ
光が入射され然も疑似位相整合条件を満たす分極反転領
域を有しかつ前記レーザ光の第二高調波を発生するため
の光導波路が作り込まれた第１の強誘電体結晶基板と、
該第１の強誘電体結晶基板に貼り付けられた第２の強誘
電体結晶基板であって、前記光導波路を伝搬する光が相
互作用できる範囲に前記半導体レーザからのレーザ光を
反射するための周期的屈折率分布構造が作り込まれた第
２の強誘電体結晶基板とを具えるもので構成する。
部の最適化もしずらいという問題点を緩和するための別
の発明として、この出願の第二発明によれば、波長変換
装置を、半導体レーザと、該半導体レーザからのレーザ
光が入射され然も疑似位相整合条件を満たす分極反転領
域を有しかつ前記レーザ光の第二高調波を発生するため
の光導波路が作り込まれた第１の強誘電体結晶基板と、
該第１の強誘電体結晶基板に貼り付けられた第２の強誘
電体結晶基板であって、前記光導波路を伝搬する光が相
互作用できる範囲に前記半導体レーザからのレーザ光を
反射するための周期的屈折率分布構造が作り込まれた第
２の強誘電体結晶基板とを具えるもので構成する。
【０００８】また、この第二発明の波長変換装置を製造
するためこの出願の第三発明の製造方法によれば、強誘
電体結晶基板に分極反転領域を形成する工程と、前記強
誘電体結晶基板の前記分極反転領域が形成された部分若
しくは分極反転領域形成予定部分に光導波路を形成する
工程とを含む方法により、前記第１の強誘電体結晶基板
を得、別の強誘電体結晶に周期的屈折率分布構造を形成
して第２の強誘電体結晶基板を得、これら第１及び第２
の強誘電体結晶基板を、前記光導波路の形成面及び前記
周期的屈折率分布構造の形成面が対向するように密着さ
せて熱処理することを特徴とする。
するためこの出願の第三発明の製造方法によれば、強誘
電体結晶基板に分極反転領域を形成する工程と、前記強
誘電体結晶基板の前記分極反転領域が形成された部分若
しくは分極反転領域形成予定部分に光導波路を形成する
工程とを含む方法により、前記第１の強誘電体結晶基板
を得、別の強誘電体結晶に周期的屈折率分布構造を形成
して第２の強誘電体結晶基板を得、これら第１及び第２
の強誘電体結晶基板を、前記光導波路の形成面及び前記
周期的屈折率分布構造の形成面が対向するように密着さ
せて熱処理することを特徴とする。
【０００９】また、半導体レーザとのモジュール化がし
ずらいという問題点をも解決するためこの出願の第四発
明によれば、波長変換装置を、分極反転領域を有した強
誘電体結晶で構成されたコアおよび該コアを囲んでいる
クラッドであって周期的屈折率分布構造を有しているク
ラッドで構成された光ファイバと、該光ファイバにレー
ザ光を入力するための半導体レーザとを具えたもので構
成する。
ずらいという問題点をも解決するためこの出願の第四発
明によれば、波長変換装置を、分極反転領域を有した強
誘電体結晶で構成されたコアおよび該コアを囲んでいる
クラッドであって周期的屈折率分布構造を有しているク
ラッドで構成された光ファイバと、該光ファイバにレー
ザ光を入力するための半導体レーザとを具えたもので構
成する。
【００１０】なお、この第四発明の実施に当たり、周期
的屈折率分布構造を有した前記クラッドにより当該周期
的屈折率分布構造を構成する代わりに、前記コアの直径
を該コアの長手方向において周期的に違えることにより
当該周期的屈折率分布構造を構成しても良い。
的屈折率分布構造を有した前記クラッドにより当該周期
的屈折率分布構造を構成する代わりに、前記コアの直径
を該コアの長手方向において周期的に違えることにより
当該周期的屈折率分布構造を構成しても良い。
【００１１】
【作用】この出願の第一発明、第二発明および第四発明
の各構成によれば、レーザ光をＳＨ波に変換する部分と
レーザ光の一部を半導体レーザに帰還する部分とが独立
する。おのおの部分の設計に当たってはそれぞれの目的
に即した最適化が図れる。
の各構成によれば、レーザ光をＳＨ波に変換する部分と
レーザ光の一部を半導体レーザに帰還する部分とが独立
する。おのおの部分の設計に当たってはそれぞれの目的
に即した最適化が図れる。
【００１２】また、合流導波路を用いる構成では半導体
レーザの入力点を１つとできるのでそうしない場合に比
べ半導体レーザと第１及び第２のの光導波路との光軸合
わせなどが容易になる。
レーザの入力点を１つとできるのでそうしない場合に比
べ半導体レーザと第１及び第２のの光導波路との光軸合
わせなどが容易になる。
【００１３】第三発明の製造方法によれば、第二発明に
おける第１の強誘電体結晶基板と第２の強誘電体結晶基
板とを結晶光学的に連続する状態で貼り合わせることが
出来る。
おける第１の強誘電体結晶基板と第２の強誘電体結晶基
板とを結晶光学的に連続する状態で貼り合わせることが
出来る。
【００１４】第四発明の構成によればレーザ光をＳＨ波
に変換する部分およびレーザ光の一部を半導体レーザに
戻す部分それぞれは偏波無依存性を有するものとなる。
に変換する部分およびレーザ光の一部を半導体レーザに
戻す部分それぞれは偏波無依存性を有するものとなる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照してこの出願の各発明の実
施例についてそれぞれ説明する。ただし、説明に用いる
各図はこの発明を理解出来る程度に各構成成分の寸法、
形状及び配置関係を概略的に示してある。また、説明に
用いる各図において同様な構成成分については同一の番
号を付して示してある。
施例についてそれぞれ説明する。ただし、説明に用いる
各図はこの発明を理解出来る程度に各構成成分の寸法、
形状及び配置関係を概略的に示してある。また、説明に
用いる各図において同様な構成成分については同一の番
号を付して示してある。
【００１６】１．第一発明の説明 １−１．第一発明の第１実施例 図１は第一発明の第１実施例の波長変換装置を示した斜
視図である。図１において１１は半導体レーザ、２１は
第二高調波発生素子（以下、ＳＨＧ素子ともいう。）を
それぞれ示す。このＳＨＧ素子２１は、半導体レーザ１
１からのレーザ光が入射され然も疑似位相整合条件を満
たす分極反転領域２３ａを有しかつ前記レーザ光の第二
高調波を発生するための光導波路２３（以下、第１の光
導波路２３ともいう。）と、第１の導波路２３に対し並
置される関係で設けられ、半導体レーザ１１からのレー
ザ光を反射する周期的屈折率分布構造２５ａを有した第
２の光導波路２５とを、共通な下地２７に具えたものと
なっている。ただし、この実施例の場合は、第１及び第
２の光導波路２３，２５は互いが平行にかつ近接するよ
うに下地２７に形成してある。ここで、両導波路２３、
２５間の距離（近接程度）の下限は、一方の導波路のエ
バネッセントフィールド（光のしみ出し領域）が他方の
導波路に達しない距離であり、上限は波長変換装置の幅
方向の大きさをどの程度にするかにより決定出来る。さ
らに、図１において、３１は、半導体レーザからのレー
ザ光の一部を前記第２の光導波路２５に導くと共に、該
導かれたレーザ光の前記周期的屈折率分布構造２５ａに
よって選択的に反射される光を半導体レーザに戻すため
の手段（以下、説明の都合上、光路規定手段３１ともい
う。）を、示す。以下、各構成成分について詳細に説明
する。
視図である。図１において１１は半導体レーザ、２１は
第二高調波発生素子（以下、ＳＨＧ素子ともいう。）を
それぞれ示す。このＳＨＧ素子２１は、半導体レーザ１
１からのレーザ光が入射され然も疑似位相整合条件を満
たす分極反転領域２３ａを有しかつ前記レーザ光の第二
高調波を発生するための光導波路２３（以下、第１の光
導波路２３ともいう。）と、第１の導波路２３に対し並
置される関係で設けられ、半導体レーザ１１からのレー
ザ光を反射する周期的屈折率分布構造２５ａを有した第
２の光導波路２５とを、共通な下地２７に具えたものと
なっている。ただし、この実施例の場合は、第１及び第
２の光導波路２３，２５は互いが平行にかつ近接するよ
うに下地２７に形成してある。ここで、両導波路２３、
２５間の距離（近接程度）の下限は、一方の導波路のエ
バネッセントフィールド（光のしみ出し領域）が他方の
導波路に達しない距離であり、上限は波長変換装置の幅
方向の大きさをどの程度にするかにより決定出来る。さ
らに、図１において、３１は、半導体レーザからのレー
ザ光の一部を前記第２の光導波路２５に導くと共に、該
導かれたレーザ光の前記周期的屈折率分布構造２５ａに
よって選択的に反射される光を半導体レーザに戻すため
の手段（以下、説明の都合上、光路規定手段３１ともい
う。）を、示す。以下、各構成成分について詳細に説明
する。
【００１７】先ず、半導体レーザ１１、は例えば通常の
ファブリペーロ型の半導体レーザで構成出来る。ただ
し、半導体レーザ１１の少なくともＳＨＧ素子２１側に
面した端面にＡＲ膜（反射防止膜）１１ａを形成する。
このようにＡＲ膜１１ａを設けると、半導体レーザ１１
の発振しきい値はＡＲ膜を形成しない場合に比べ高くな
る。ＡＲ膜１１ａの反射率を低くすればするほど半導体
レーザの発振しきい値は高くなり、半導体レーザ１１が
独立に発振してしまうのを防止出来るので、この発明に
おいては好ましい。また、半導体レーザ１１の他方の端
面にはＨＲ膜（高反射膜）１１ｂを形成するのが好まし
い。ただし、ＨＲ膜１１ｂの反射率を高めれば高める
程、ＡＲ膜１１ａの反射率を低くする必要がある。これ
らＡＲ膜１１ａ，ＨＲ膜１１ｂの形成は、半導体レーザ
の該当する端面に例えばＳｉＯ2 膜等を例えば真空蒸着
法等により形成するいわゆるＡＲコーティング処理、Ｈ
Ｒコーティング処理により、行なえる。
ファブリペーロ型の半導体レーザで構成出来る。ただ
し、半導体レーザ１１の少なくともＳＨＧ素子２１側に
面した端面にＡＲ膜（反射防止膜）１１ａを形成する。
このようにＡＲ膜１１ａを設けると、半導体レーザ１１
の発振しきい値はＡＲ膜を形成しない場合に比べ高くな
る。ＡＲ膜１１ａの反射率を低くすればするほど半導体
レーザの発振しきい値は高くなり、半導体レーザ１１が
独立に発振してしまうのを防止出来るので、この発明に
おいては好ましい。また、半導体レーザ１１の他方の端
面にはＨＲ膜（高反射膜）１１ｂを形成するのが好まし
い。ただし、ＨＲ膜１１ｂの反射率を高めれば高める
程、ＡＲ膜１１ａの反射率を低くする必要がある。これ
らＡＲ膜１１ａ，ＨＲ膜１１ｂの形成は、半導体レーザ
の該当する端面に例えばＳｉＯ2 膜等を例えば真空蒸着
法等により形成するいわゆるＡＲコーティング処理、Ｈ
Ｒコーティング処理により、行なえる。
【００１８】次に、ＳＨＧ素子２１について説明する。
第１および第２の光導波路２３、２５を造り込むための
下地２７としては、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ
3 ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）或はポタシ
ュームタイタニールフォスフェート（ＫＴｉＯＰＯ4 ）
など、非線形光学効果を示す任意好適な基板を用いるこ
とが出来る。また、第１および第２の光導波路２３、２
５の形成方法や構成は、ＳＨＧ素子の設計や用いる下地
の材質に応じ任意とできる。以下にいくつかの好適例を
説明する。
第１および第２の光導波路２３、２５を造り込むための
下地２７としては、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ
3 ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）或はポタシ
ュームタイタニールフォスフェート（ＫＴｉＯＰＯ4 ）
など、非線形光学効果を示す任意好適な基板を用いるこ
とが出来る。また、第１および第２の光導波路２３、２
５の形成方法や構成は、ＳＨＧ素子の設計や用いる下地
の材質に応じ任意とできる。以下にいくつかの好適例を
説明する。
【００１９】下地２７としてＬｉＮｂＯ3 或はＬｉＴａ
Ｏ3 を用いる場合は、第１の光導波路２３における分極
反転領域２３ａは、Ｔｉ熱拡散法、Ｌｉ2 Ｏ外拡散法、
或は電子ビーム照射法など任意好適な方法で形成出来
る。このうち、Ｔｉ拡散法或はＬｉ2 Ｏ外拡散法により
分極反転領域２３ａを形成する場合、分極反転部分２３
ａｂは非分極反転部分（下地のままの部分）２３ａａと
比べて僅かに屈折率が高くなる。これに対し電子ビーム
照射法では、非分極反転部分２３ａａと分極反転部分２
３ａｂとの間の屈折率差を生じさせることなく、分極反
転領域２３ａを形成出来る。非分極反転部分２３ａａと
分極反転部分２３ａｂとの間に屈折率差が生じていない
分極反転領域２３では、基本波が散乱等の損失を受けず
高エネルギーを保ったまま第１の光導波路２３を長距離
伝播できるので、ＳＨＧ変換効率がそれだけ高められ
る。この意味から、分極反転領域２３ａの形成は、電子
ビーム照射法により行なうのが好適である。電子ビーム
照射による分極反転の方法は例えば文献（固体物理、Ｖ
ｏｌ．２９，Ｎｏ．１，１９９４，ｐｐ．７９−９０）
に開示されている。また、この第１の光導波路２３にお
けるストライプ状の部分は、例えば安息香酸やピロリン
酸などの酸を用いたイオン交換法により形成出来る。
Ｏ3 を用いる場合は、第１の光導波路２３における分極
反転領域２３ａは、Ｔｉ熱拡散法、Ｌｉ2 Ｏ外拡散法、
或は電子ビーム照射法など任意好適な方法で形成出来
る。このうち、Ｔｉ拡散法或はＬｉ2 Ｏ外拡散法により
分極反転領域２３ａを形成する場合、分極反転部分２３
ａｂは非分極反転部分（下地のままの部分）２３ａａと
比べて僅かに屈折率が高くなる。これに対し電子ビーム
照射法では、非分極反転部分２３ａａと分極反転部分２
３ａｂとの間の屈折率差を生じさせることなく、分極反
転領域２３ａを形成出来る。非分極反転部分２３ａａと
分極反転部分２３ａｂとの間に屈折率差が生じていない
分極反転領域２３では、基本波が散乱等の損失を受けず
高エネルギーを保ったまま第１の光導波路２３を長距離
伝播できるので、ＳＨＧ変換効率がそれだけ高められ
る。この意味から、分極反転領域２３ａの形成は、電子
ビーム照射法により行なうのが好適である。電子ビーム
照射による分極反転の方法は例えば文献（固体物理、Ｖ
ｏｌ．２９，Ｎｏ．１，１９９４，ｐｐ．７９−９０）
に開示されている。また、この第１の光導波路２３にお
けるストライプ状の部分は、例えば安息香酸やピロリン
酸などの酸を用いたイオン交換法により形成出来る。
【００２０】次に、第２の光導波路２５の形成は、例え
ばイオン交換法により行なえる。具体的には、先ず、第
２の光導波路のストライプ形状に相当する部分を、例え
ば安息香酸やピロリン酸などの酸を用いたイオン交換法
により形成する。次に、周期的屈折率分布構造２５を形
成するために、このストライプ状部分の所定部分に、イ
オン交換法により屈折率が高い部分２５ａａをそれぞれ
形成する。この際、屈折率が高い部分２５ａａの間の部
分は屈折率の低い部分２５ａｂとなるので、結果的に周
期的屈折率分布構造２５ａが得られる。
ばイオン交換法により行なえる。具体的には、先ず、第
２の光導波路のストライプ形状に相当する部分を、例え
ば安息香酸やピロリン酸などの酸を用いたイオン交換法
により形成する。次に、周期的屈折率分布構造２５を形
成するために、このストライプ状部分の所定部分に、イ
オン交換法により屈折率が高い部分２５ａａをそれぞれ
形成する。この際、屈折率が高い部分２５ａａの間の部
分は屈折率の低い部分２５ａｂとなるので、結果的に周
期的屈折率分布構造２５ａが得られる。
【００２１】この第１実施例では、上記第１の光導波路
２３における分極反転領域２３ａは周期Λを有した周期
的分極反転領域としてあり、上記第２の光導波路２５に
おける周期的屈折率分極構造２５ａの周期をＬとしてい
る。そして、周期的分極反転領域２３ａの周期Λと、周
期的屈折率分極構造２５ａの周期Ｌとが次式を満たすよ
うに、周期的分極反転領域２３ａおよび周期的屈折率分
極構造２５ａをそれぞれ形成している。
２３における分極反転領域２３ａは周期Λを有した周期
的分極反転領域としてあり、上記第２の光導波路２５に
おける周期的屈折率分極構造２５ａの周期をＬとしてい
る。そして、周期的分極反転領域２３ａの周期Λと、周
期的屈折率分極構造２５ａの周期Ｌとが次式を満たすよ
うに、周期的分極反転領域２３ａおよび周期的屈折率分
極構造２５ａをそれぞれ形成している。
【００２２】 Λ／２＝（２ｓ−１）λ／［４｛Ｎ（λ／２）−Ｎ（λ）｝］ Ｌ＝ｐλ／｛４Ｎ（λ）｝ ただし、上記式中ｓ，ｐはそれぞれ自然数を示し、Ｎ
（λ）およびＮ（λ／２）はそれぞれ波長λの基本波お
よび波長λ／２のＳＨ波に対する分極反転領域２３ａの
実効屈折率を示す。
（λ）およびＮ（λ／２）はそれぞれ波長λの基本波お
よび波長λ／２のＳＨ波に対する分極反転領域２３ａの
実効屈折率を示す。
【００２３】また、下地２７としてＫＴｉＯＰＯ4 を用
いる場合、第１の光導波路２３および第２の光導波路２
５を、それぞれセグメンテドウエーブガイド（Segument
ed Waveguide）とするのが良い。なぜなら、技術的に確
立しておりかつプロセスが容易だからである。これらは
いずれもイオン交換法によって形成出来る。先ず、ＫＴ
ｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）基板に分極反転領域２３ａを形成
するには、Ｒｂイオン交換を行なえば良い。具体的に
は、ＫＴＰ基板にＴｉ薄膜でセグメンテドウエーブガイ
ドのパターニングをし、次いで、これを３００℃程度の
ＲｂＮＯ3 とＢａ（ＮＯ3 ）2 との混合融液に浸すこと
で行なえる。また、ＫＴｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）基板に周
期的屈折率分布構造２５ａを形成するには、上記同様に
Ｒｂイオン交換を行なえば良いが、その際、ＲｂＮＯ3
とＢａ（ＮＯ3 ）2 との混合融液の温度を高めにする
か、或は、Ｂａ（ＮＯ3 ）2 の混合比を大きくするか、
或は、交換時間を長めにするかの一または複数を実施し
て、交換部分と非交換部分との間の屈折率差が大きくな
るようにすれば良い。
いる場合、第１の光導波路２３および第２の光導波路２
５を、それぞれセグメンテドウエーブガイド（Segument
ed Waveguide）とするのが良い。なぜなら、技術的に確
立しておりかつプロセスが容易だからである。これらは
いずれもイオン交換法によって形成出来る。先ず、ＫＴ
ｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）基板に分極反転領域２３ａを形成
するには、Ｒｂイオン交換を行なえば良い。具体的に
は、ＫＴＰ基板にＴｉ薄膜でセグメンテドウエーブガイ
ドのパターニングをし、次いで、これを３００℃程度の
ＲｂＮＯ3 とＢａ（ＮＯ3 ）2 との混合融液に浸すこと
で行なえる。また、ＫＴｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）基板に周
期的屈折率分布構造２５ａを形成するには、上記同様に
Ｒｂイオン交換を行なえば良いが、その際、ＲｂＮＯ3
とＢａ（ＮＯ3 ）2 との混合融液の温度を高めにする
か、或は、Ｂａ（ＮＯ3 ）2 の混合比を大きくするか、
或は、交換時間を長めにするかの一または複数を実施し
て、交換部分と非交換部分との間の屈折率差が大きくな
るようにすれば良い。
【００２４】次に、光路規定手段３１について説明す
る。この実施例の場合、光路規定手段３１を、半導体レ
ーザ１１の出力光を第１及び第２の光導波路２３、２５
の２方向に分けるための半透鏡３１ａと、半透鏡３１ａ
および第２の光導波路２５間で光を往来させるための全
反射鏡３１ｂと、レンズ（例えばコリメータレンズ）３
１ｃ〜３１ｅと、１／２波長板３１ｆとで構成してあ
る。１／２波長板３１ｆを設けている理由は次のとおり
である。ＳＨＧ素子２１の下地２７を構成する材料とし
て、ＬｉＮｂＯ3 またはＬｉＴａＯ3 を用いた場合、第
１および第２の光導波路２３、２５を伝播する光の伝播
モードはＴＭモードに限られる。また、半導体レーザ１
１の出射光は、半導体レーザにおけるｐｎ接合面に平行
な方向に偏光している。これらのため、ＬｉＮｂＯ3 基
板またはＬｉＴａＯ3 基板のｚ面と半導体レーザ１１の
ｐｎ接合面とが平行になるようにＳＨＧ素子２１および
半導体レーザ１１を配置した場合、第１および第２の光
導波路２３、２５の入射端面にはＴＥモードしか到達し
ない。したがって、半導体レーザ１１の出射光はＳＨＧ
２１にほとんど伝播しなくなる。ところが、半導体レー
ザ１１とＳＨＧ素子２１との間に１／２波長板３１ｆを
入れると半導体レーザ１１の出射光をＴＭモードに変換
できるので、半導体レーザ１１の出射光のＳＨＧ素子２
１への入射効率を高くできる。ただし、１／２波長板３
１ｆの挿入個所は図示例に限られない。また、光路規定
手段３１の構成は半導体レーザ１１、第１及び第２の光
導波路２３、２５の配置等に応じ変更出来ることは明ら
かである。
る。この実施例の場合、光路規定手段３１を、半導体レ
ーザ１１の出力光を第１及び第２の光導波路２３、２５
の２方向に分けるための半透鏡３１ａと、半透鏡３１ａ
および第２の光導波路２５間で光を往来させるための全
反射鏡３１ｂと、レンズ（例えばコリメータレンズ）３
１ｃ〜３１ｅと、１／２波長板３１ｆとで構成してあ
る。１／２波長板３１ｆを設けている理由は次のとおり
である。ＳＨＧ素子２１の下地２７を構成する材料とし
て、ＬｉＮｂＯ3 またはＬｉＴａＯ3 を用いた場合、第
１および第２の光導波路２３、２５を伝播する光の伝播
モードはＴＭモードに限られる。また、半導体レーザ１
１の出射光は、半導体レーザにおけるｐｎ接合面に平行
な方向に偏光している。これらのため、ＬｉＮｂＯ3 基
板またはＬｉＴａＯ3 基板のｚ面と半導体レーザ１１の
ｐｎ接合面とが平行になるようにＳＨＧ素子２１および
半導体レーザ１１を配置した場合、第１および第２の光
導波路２３、２５の入射端面にはＴＥモードしか到達し
ない。したがって、半導体レーザ１１の出射光はＳＨＧ
２１にほとんど伝播しなくなる。ところが、半導体レー
ザ１１とＳＨＧ素子２１との間に１／２波長板３１ｆを
入れると半導体レーザ１１の出射光をＴＭモードに変換
できるので、半導体レーザ１１の出射光のＳＨＧ素子２
１への入射効率を高くできる。ただし、１／２波長板３
１ｆの挿入個所は図示例に限られない。また、光路規定
手段３１の構成は半導体レーザ１１、第１及び第２の光
導波路２３、２５の配置等に応じ変更出来ることは明ら
かである。
【００２５】次に、この第１実施例の波長変換装置の動
作について説明する。半導体レーザ１１に電流を流し始
めるとこの半導体レーザ１１は発光ダイオードモード
（発光ダイオードとしての動作）で発光を始める。この
ときの発光スペクトルは１００ｎｍ程度の幅を持つもの
である。このように発光し始めた半導体レーザ１１から
の光は、レンズ３１ｃによって平行光にされた後半透鏡
３１ａにより２方向に分けられ、その一方は、全反射鏡
３１ｂを介して周期的屈折率分布構造２５ａを有した第
２の光導波路２５に導かれ、他方は半透鏡３１ａを透過
して第１の光導波路２３に導かれる。ここで、第２の光
導波路２５には周期Ｌを有した周期的屈折率分布構造２
５が設けてあるので、この周期的屈折率分布構造２５
は、レーザ光のうちの Ｌ＝ｐλ／｛４Ｎ（λ）｝・・・（１） を満足する波長の光のみを選択的に反射する。ここに、
ｐは自然数、Ｎ（λ）は波長λの光に対する導波路２５
の実効屈折率である。なお、発光当初１００ｎｍ程度あ
るレーザ光スペクトルの波長範囲内においては、上記
（１）式を満たす自然数ｐは２つないし３つ存在するの
が普通である。
作について説明する。半導体レーザ１１に電流を流し始
めるとこの半導体レーザ１１は発光ダイオードモード
（発光ダイオードとしての動作）で発光を始める。この
ときの発光スペクトルは１００ｎｍ程度の幅を持つもの
である。このように発光し始めた半導体レーザ１１から
の光は、レンズ３１ｃによって平行光にされた後半透鏡
３１ａにより２方向に分けられ、その一方は、全反射鏡
３１ｂを介して周期的屈折率分布構造２５ａを有した第
２の光導波路２５に導かれ、他方は半透鏡３１ａを透過
して第１の光導波路２３に導かれる。ここで、第２の光
導波路２５には周期Ｌを有した周期的屈折率分布構造２
５が設けてあるので、この周期的屈折率分布構造２５
は、レーザ光のうちの Ｌ＝ｐλ／｛４Ｎ（λ）｝・・・（１） を満足する波長の光のみを選択的に反射する。ここに、
ｐは自然数、Ｎ（λ）は波長λの光に対する導波路２５
の実効屈折率である。なお、発光当初１００ｎｍ程度あ
るレーザ光スペクトルの波長範囲内においては、上記
（１）式を満たす自然数ｐは２つないし３つ存在するの
が普通である。
【００２６】周期的屈折率分布構造２５ａで上記のごと
く選択的に反射された反射光は、半導体レーザ１１に帰
還される。したがって、半導体レーザ１１のＨＲ膜１１
ｂ側のへき開面と第２の光導波路２５とにより共振器が
構成されることになる。そして、このような構成におい
て半導体ーザ１１への注入電流を増していくと、発光当
初１００ｎｍ程度あったレーザ光スペクトルの内の、上
記（１）式を満たす波長の光の内で最大強度のスペクト
ルを与える波長の光で、半導体レーザ１１はレーザ発振
を始める。一方、このようにレーザ発振したレーザ光が
供給される第１の光導波路２３には、周期Λの分極反転
領域２３ａを設けてあり、かつ、この周期が下記（２）
式を満たすようにされているので、この第１の光導波路
２３からＳＨ波が取り出せる。
く選択的に反射された反射光は、半導体レーザ１１に帰
還される。したがって、半導体レーザ１１のＨＲ膜１１
ｂ側のへき開面と第２の光導波路２５とにより共振器が
構成されることになる。そして、このような構成におい
て半導体ーザ１１への注入電流を増していくと、発光当
初１００ｎｍ程度あったレーザ光スペクトルの内の、上
記（１）式を満たす波長の光の内で最大強度のスペクト
ルを与える波長の光で、半導体レーザ１１はレーザ発振
を始める。一方、このようにレーザ発振したレーザ光が
供給される第１の光導波路２３には、周期Λの分極反転
領域２３ａを設けてあり、かつ、この周期が下記（２）
式を満たすようにされているので、この第１の光導波路
２３からＳＨ波が取り出せる。
【００２７】 Λ／２＝（２ｓ−１）λ／［４｛Ｎ（λ／２）−Ｎ（λ）｝］・・（２） ただし、Λは非分極反転部分２３ａａおよび分極反転部
分２３ａｂそれぞれの光の伝播方向に沿った寸法を示
し、ｓは自然数を示し、Ｎ（λ）およびＮ（λ／２）は
それぞれ基本波およびＳＨ波に対する分極反転領域２３
ａの実効屈折率を示す。
分２３ａｂそれぞれの光の伝播方向に沿った寸法を示
し、ｓは自然数を示し、Ｎ（λ）およびＮ（λ／２）は
それぞれ基本波およびＳＨ波に対する分極反転領域２３
ａの実効屈折率を示す。
【００２８】１−２．第一発明の第２実施例 上述の第１実施例では、ＳＨＧ素子２１を、レーザ光の
入射口を２つ有したものとしていた。しかし、レーザ光
の入射口が１つの方が半導体レーザ１１とＳＨＧ素子２
１との光軸合わせが容易でありまた光路規定手段の部品
点数も減らせる等、利点が多いと考える。この第２実施
例はそれを考慮した例である。以下、図２を参照してこ
の第２実施例の波長変換装置について説明する。ここ
で、図２は第２実施例の波長変換装置を示した斜視図で
ある。
入射口を２つ有したものとしていた。しかし、レーザ光
の入射口が１つの方が半導体レーザ１１とＳＨＧ素子２
１との光軸合わせが容易でありまた光路規定手段の部品
点数も減らせる等、利点が多いと考える。この第２実施
例はそれを考慮した例である。以下、図２を参照してこ
の第２実施例の波長変換装置について説明する。ここ
で、図２は第２実施例の波長変換装置を示した斜視図で
ある。
【００２９】この第２実施例の波長変換装置は、第１実
施例の構成に加え、下地２７に、第１の光導波路２３と
第２の光導波路２５との一端同士を合流するための合流
導波路２９を具えている。この合流導波路２９は例えば
Ｙ字状の導波路で構成出来る。
施例の構成に加え、下地２７に、第１の光導波路２３と
第２の光導波路２５との一端同士を合流するための合流
導波路２９を具えている。この合流導波路２９は例えば
Ｙ字状の導波路で構成出来る。
【００３０】この第２実施例の場合、第１実施例におい
て説明した半透鏡、全反射鏡、１／２波長板、レンズ
を、合流導波路２９の部分にモノリシックに形成して光
路規定手段を構成することも出来る。また、例えば、合
流導波路２９の入射口に１／２波板を積層しておき、か
つ、第１の光導波路２３は非分極反転部分と分極反転部
分との屈折率差が生じないもの（例えば電子ビーム照射
により形成したもの）としてレーザ光の第１の光導波路
２３での反射を防止するようにしておくと、合流度導波
路、第１の光導波路および第２の光導波路により光路規
定手段を構成出来る。
て説明した半透鏡、全反射鏡、１／２波長板、レンズ
を、合流導波路２９の部分にモノリシックに形成して光
路規定手段を構成することも出来る。また、例えば、合
流導波路２９の入射口に１／２波板を積層しておき、か
つ、第１の光導波路２３は非分極反転部分と分極反転部
分との屈折率差が生じないもの（例えば電子ビーム照射
により形成したもの）としてレーザ光の第１の光導波路
２３での反射を防止するようにしておくと、合流度導波
路、第１の光導波路および第２の光導波路により光路規
定手段を構成出来る。
【００３１】なお、この第２実施例の波長変換装置の動
作は第１実施例のものと同様であるのでその説明は省略
する。
作は第１実施例のものと同様であるのでその説明は省略
する。
【００３２】１−３．第一発明の第３実施例 上述の第１および第２実施例では、分極反転領域２３ａ
を周期的分極反転領域としていた。しかし、分極反転領
域２３ａが厳密には周期的に形成されていないもの（非
周期的分極反転領域）でも構わない。分極反転領域２３
ａを非周期的なものとした場合の利点は例えば文献（電
子情報通信学会、信学技報 ＯＱＥ９３−１６４ｐｐ．
９７−１０２）に開示されている。これによれば、分極
反転領域２３ａを非周期的なものとした場合、周期的な
ものとする場合に比べ、ＳＨＧ変換効率は１／１０程度
に低下するが、疑似位相整合（ＱＰＭ：Quasi-phase ma
tching）条件が基本波の波長に対し１０倍程度緩和され
る。ＱＰＭ条件が緩和された分、波長変換装置は温度変
化の影響を受けにくい優れたものになる。
を周期的分極反転領域としていた。しかし、分極反転領
域２３ａが厳密には周期的に形成されていないもの（非
周期的分極反転領域）でも構わない。分極反転領域２３
ａを非周期的なものとした場合の利点は例えば文献（電
子情報通信学会、信学技報 ＯＱＥ９３−１６４ｐｐ．
９７−１０２）に開示されている。これによれば、分極
反転領域２３ａを非周期的なものとした場合、周期的な
ものとする場合に比べ、ＳＨＧ変換効率は１／１０程度
に低下するが、疑似位相整合（ＱＰＭ：Quasi-phase ma
tching）条件が基本波の波長に対し１０倍程度緩和され
る。ＱＰＭ条件が緩和された分、波長変換装置は温度変
化の影響を受けにくい優れたものになる。
【００３３】なお、この場合、第２の光導波路２５の周
期的屈折率分布構造２５においてブラッグ反射条件を満
たす波長が第１の光導波路２３におけるＱＰＭ条件を満
たす波長範囲の中心値λ0 となるように、第２の光導波
路２５における周期的屈折率分布構造２５の周期Ｌを決
めるのが良い。つまり、Ｌ＝ｐλ0 ／｛４Ｎ（λ0 ）｝
を満たすように周期Ｌを決めるのが良い。
期的屈折率分布構造２５においてブラッグ反射条件を満
たす波長が第１の光導波路２３におけるＱＰＭ条件を満
たす波長範囲の中心値λ0 となるように、第２の光導波
路２５における周期的屈折率分布構造２５の周期Ｌを決
めるのが良い。つまり、Ｌ＝ｐλ0 ／｛４Ｎ（λ0 ）｝
を満たすように周期Ｌを決めるのが良い。
【００３４】２．第二発明の説明 次に第二発明の実施例について説明する。図３（Ａ）〜
（Ｃ）はその説明に供する図である。特に、図３（Ａ）
は第二発明に係る第２の強誘電体結晶基板４３を示した
斜視図、図３（Ｂ）は第二発明に係る第１の強誘電体結
晶基板４１を示した斜視図、図３（Ｃ）は、第二発明の
実施例の波長変換装置の要部（ＳＨＧ素子部分）を示し
た斜視図である。
（Ｃ）はその説明に供する図である。特に、図３（Ａ）
は第二発明に係る第２の強誘電体結晶基板４３を示した
斜視図、図３（Ｂ）は第二発明に係る第１の強誘電体結
晶基板４１を示した斜視図、図３（Ｃ）は、第二発明の
実施例の波長変換装置の要部（ＳＨＧ素子部分）を示し
た斜視図である。
【００３５】この第二発明の波長変換装置は、半導体レ
ーザ（図示せず）と、該半導体レーザからのレーザ光が
入射され然も疑似位相整合条件を満たす分極反転領域２
３ａを有しかつ前記レーザ光の第二高調波を発生するた
めの光導波路２３が作り込まれた第１の強誘電体結晶基
板４１と、該第１の強誘電体結晶基板４１に貼り付けら
れた第２の強誘電体結晶基板４３であって、光導波路２
３を伝搬する光が相互作用できる範囲に前記半導体レー
ザからのレーザ光を反射するための周期的屈折率分布構
造２５ａが作り込まれた第２の強誘電体結晶基板４３と
を具えた構成となっている。
ーザ（図示せず）と、該半導体レーザからのレーザ光が
入射され然も疑似位相整合条件を満たす分極反転領域２
３ａを有しかつ前記レーザ光の第二高調波を発生するた
めの光導波路２３が作り込まれた第１の強誘電体結晶基
板４１と、該第１の強誘電体結晶基板４１に貼り付けら
れた第２の強誘電体結晶基板４３であって、光導波路２
３を伝搬する光が相互作用できる範囲に前記半導体レー
ザからのレーザ光を反射するための周期的屈折率分布構
造２５ａが作り込まれた第２の強誘電体結晶基板４３と
を具えた構成となっている。
【００３６】ここで、第１の強誘電体結晶基板４１は、
例えば、第一発明におけるＳＨＧ素子２１の構成から第
２の光導波路２５を除いた構成のものとできる。また、
第２の強誘電体結晶基板４３は、例えば、第一発明にお
けるＳＨＧ素子２１の構成から第１の光導波路２３と、
第２の光導波路２５のストライプ状の導波路部分とを除
いた構成のものとできる。ここで、第２の強誘電体結晶
基板４３に設ける周期的屈折率分布構造２５ａの幅は、
第１の強誘電体結晶基板４１における光導波路２３のス
トライプ状の部分の幅に拘束されることなく任意であ
る。ただし、周期的屈折率分布構造２５ａの幅を、第１
の強誘電体結晶基板４１における光導波路２３のストラ
イプ状の部分の幅より広くした方が、波長変換装置製造
時の第１および第２の強誘電体結晶基板４１、４３の位
置合わせが容易になる。
例えば、第一発明におけるＳＨＧ素子２１の構成から第
２の光導波路２５を除いた構成のものとできる。また、
第２の強誘電体結晶基板４３は、例えば、第一発明にお
けるＳＨＧ素子２１の構成から第１の光導波路２３と、
第２の光導波路２５のストライプ状の導波路部分とを除
いた構成のものとできる。ここで、第２の強誘電体結晶
基板４３に設ける周期的屈折率分布構造２５ａの幅は、
第１の強誘電体結晶基板４１における光導波路２３のス
トライプ状の部分の幅に拘束されることなく任意であ
る。ただし、周期的屈折率分布構造２５ａの幅を、第１
の強誘電体結晶基板４１における光導波路２３のストラ
イプ状の部分の幅より広くした方が、波長変換装置製造
時の第１および第２の強誘電体結晶基板４１、４３の位
置合わせが容易になる。
【００３７】この第二発明の波長変換装置では、基本波
は第２の強誘電体単結晶基板４３に形成されている周期
的屈折率分布構造を感じながら第１の強誘電体結晶基板
４１の光導波路２３を伝播してゆくのでこの周期に対応
するブラッグ反射がおこる。また、第１の強誘電体結晶
基板４１の分極反転領域において基本波はＳＨ波に変換
される。
は第２の強誘電体単結晶基板４３に形成されている周期
的屈折率分布構造を感じながら第１の強誘電体結晶基板
４１の光導波路２３を伝播してゆくのでこの周期に対応
するブラッグ反射がおこる。また、第１の強誘電体結晶
基板４１の分極反転領域において基本波はＳＨ波に変換
される。
【００３８】また、この第二発明の場合も基本波をＳＨ
波に変換するための第１の強誘電体結晶基板４１と、基
本波を半導体レーザに帰還するための第２の強誘電体単
結晶基板４３を別々にそれぞれ最適化して作製出来る。
波に変換するための第１の強誘電体結晶基板４１と、基
本波を半導体レーザに帰還するための第２の強誘電体単
結晶基板４３を別々にそれぞれ最適化して作製出来る。
【００３９】なお、この第二発明の波長変換装置の場合
も、基本波をＳＨ波に変換するための分極反転領域は、
第一発明の場合と同様、周期的なもの、非周期的なもの
いずれとしても良い。分極反転領域を非周期的なものと
する場合、第２の強誘電体結晶基板４３の周期的屈折率
分布構造２５においてブラッグ反射条件を満たす波長
が、第１の強誘電体結晶基板４１の分極反転領域２３ａ
におけるＱＰＭ条件を満たす波長範囲の中心値λ0 とな
るように、第２の強誘電体結晶基板４３の光導波路２５
における周期的屈折率分布構造２５の周期Ｌを決めるの
が良い。
も、基本波をＳＨ波に変換するための分極反転領域は、
第一発明の場合と同様、周期的なもの、非周期的なもの
いずれとしても良い。分極反転領域を非周期的なものと
する場合、第２の強誘電体結晶基板４３の周期的屈折率
分布構造２５においてブラッグ反射条件を満たす波長
が、第１の強誘電体結晶基板４１の分極反転領域２３ａ
におけるＱＰＭ条件を満たす波長範囲の中心値λ0 とな
るように、第２の強誘電体結晶基板４３の光導波路２５
における周期的屈折率分布構造２５の周期Ｌを決めるの
が良い。
【００４０】３．第三発明の説明 上述の第二発明の波長変換装置は以下に説明する方法
（第三発明の製造方法）で製造するのが好適である。こ
の説明を第二発明と同様、図３（Ａ）〜（Ｃ）を参照し
て行なう。
（第三発明の製造方法）で製造するのが好適である。こ
の説明を第二発明と同様、図３（Ａ）〜（Ｃ）を参照し
て行なう。
【００４１】強誘電体結晶基板としての例えばＬｉＮｂ
Ｏ3 ２７ａに分極反転領域２３ａを有した光導波路２３
を例えば第一発明の実施例で説明した方法により形成す
る。これにより第１の強誘電体結晶基板４１を得る。ま
た、別の強誘電体結晶としての例えばＬｉＮｂＯ3 基板
２７ｂに周期的屈折率分布構造２５ａを例えば第一発明
の実施例で説明した方法により形成する。これにより第
２の強誘電体結晶基板４３を得る。次に、これら第１お
よび第２の強誘電体結晶基板４１、４３表面をそれらが
親水性を示すように洗浄する。次に、これら第１及び第
２の強誘電体結晶基板４１、４２を、光導波路２３の形
成面及び周期的屈折率分布構造２５ａの形成面が対向す
るように密着させ、その状態でこれらを３００〜４００
℃の温度で熱処理する。これにより第１及び第２の強誘
電体結晶基板４１、４２は充分な機械的強度で接合され
る（貼り合わされる）。なお、このような接合方法の具
体例として、ＬｉＮｂＯ3 基板同士の接合、ＬｉＮｂＯ
3 基板とＭｇＯをドープしたＬｉＮｂＯ3 基板との接合
例が、例えば文献（１９９４年春第４１回応用物理学関
係連合講演会講演予稿集ｐ．１０６５，３１ａ−Ｇ−
６）に開示されている。また、ここでは、強誘電体結晶
としてＬｉＮｂＯ3 を用いる例を説明したが、強誘電体
結晶としてたＬｉＴａＯ3 やＫＴｉＯＰＯ4 を用いる場
合にも直接接合が期待出来る。
Ｏ3 ２７ａに分極反転領域２３ａを有した光導波路２３
を例えば第一発明の実施例で説明した方法により形成す
る。これにより第１の強誘電体結晶基板４１を得る。ま
た、別の強誘電体結晶としての例えばＬｉＮｂＯ3 基板
２７ｂに周期的屈折率分布構造２５ａを例えば第一発明
の実施例で説明した方法により形成する。これにより第
２の強誘電体結晶基板４３を得る。次に、これら第１お
よび第２の強誘電体結晶基板４１、４３表面をそれらが
親水性を示すように洗浄する。次に、これら第１及び第
２の強誘電体結晶基板４１、４２を、光導波路２３の形
成面及び周期的屈折率分布構造２５ａの形成面が対向す
るように密着させ、その状態でこれらを３００〜４００
℃の温度で熱処理する。これにより第１及び第２の強誘
電体結晶基板４１、４２は充分な機械的強度で接合され
る（貼り合わされる）。なお、このような接合方法の具
体例として、ＬｉＮｂＯ3 基板同士の接合、ＬｉＮｂＯ
3 基板とＭｇＯをドープしたＬｉＮｂＯ3 基板との接合
例が、例えば文献（１９９４年春第４１回応用物理学関
係連合講演会講演予稿集ｐ．１０６５，３１ａ−Ｇ−
６）に開示されている。また、ここでは、強誘電体結晶
としてＬｉＮｂＯ3 を用いる例を説明したが、強誘電体
結晶としてたＬｉＴａＯ3 やＫＴｉＯＰＯ4 を用いる場
合にも直接接合が期待出来る。
【００４２】４．第四発明の説明 次に、ＳＨＧ素子部分をファイバー型とした波長変換装
置（第四発明の波長変換装置）の実施例を説明する。図
４（Ａ）および（Ｂ）は第四発明の各実施例を説明する
図である。
置（第四発明の波長変換装置）の実施例を説明する。図
４（Ａ）および（Ｂ）は第四発明の各実施例を説明する
図である。
【００４３】４−１．第四発明の第１実施例 図４（Ａ）の例は、分極反転領域を有した強誘電体結晶
で構成されたコア５１および該コア５１を囲んでいるク
ラッド５３であって周期的屈折率分布構造を有している
クラッドで構成された光ファイバ５５をもって、ＳＨＧ
素子部を構成した例を示している。コア５１における分
極反転領域は、強誘電体結晶の自発分極の方向が互いに
反転している部分５１ａ，５１ｂをコアに交互に形成し
構成する。また、クラッド５３における周期的屈折率分
布構造は、屈折率が高い部分５３ａと屈折率が低い部分
５３ｂとを交互に配置して構成する。この光ファイバ５
５と半導体レーザとで第四発明の第１実施例の波長変換
装置が構成できる。
で構成されたコア５１および該コア５１を囲んでいるク
ラッド５３であって周期的屈折率分布構造を有している
クラッドで構成された光ファイバ５５をもって、ＳＨＧ
素子部を構成した例を示している。コア５１における分
極反転領域は、強誘電体結晶の自発分極の方向が互いに
反転している部分５１ａ，５１ｂをコアに交互に形成し
構成する。また、クラッド５３における周期的屈折率分
布構造は、屈折率が高い部分５３ａと屈折率が低い部分
５３ｂとを交互に配置して構成する。この光ファイバ５
５と半導体レーザとで第四発明の第１実施例の波長変換
装置が構成できる。
【００４４】ここで、コア５１としては例えばファイバ
ー状のＬｉＮｂＯ3 単結晶を用いることができる。この
ようなファイバー状の単結晶ＬｉＮｂＯ3 の作製は、例
えばレーザ溶融ペデスタル法により行なえる。その詳細
は例えば文献（応用物理第５９巻第８号（１９９０）、
第１００６頁の４．２項或は、ジャーナルオブクリスタ
ルグロース（Journal of Crystal Growth ），７８（１
９８６）ｐｐ．１３５−１４３）に詳しい。また、ファ
イバー状の単結晶ＬｉＮｂＯ3 に分極反転領域を造り付
ける方法としては、例えばレーザ溶融ペデスタル法によ
る単結晶ファイバの作製において、加熱源を強弱する手
法または非対称な加熱を回転する手法がある（例えば文
献：応用物理第５９巻第８号（１９９０）、第１００８
頁の４．４項、特に第１００９頁左欄後半部）。
ー状のＬｉＮｂＯ3 単結晶を用いることができる。この
ようなファイバー状の単結晶ＬｉＮｂＯ3 の作製は、例
えばレーザ溶融ペデスタル法により行なえる。その詳細
は例えば文献（応用物理第５９巻第８号（１９９０）、
第１００６頁の４．２項或は、ジャーナルオブクリスタ
ルグロース（Journal of Crystal Growth ），７８（１
９８６）ｐｐ．１３５−１４３）に詳しい。また、ファ
イバー状の単結晶ＬｉＮｂＯ3 に分極反転領域を造り付
ける方法としては、例えばレーザ溶融ペデスタル法によ
る単結晶ファイバの作製において、加熱源を強弱する手
法または非対称な加熱を回転する手法がある（例えば文
献：応用物理第５９巻第８号（１９９０）、第１００８
頁の４．４項、特に第１００９頁左欄後半部）。
【００４５】また、周期的屈折率分布構造を有するクラ
ッド５３を作製するには、例えば文献（オプチクス＆フ
ォトニクス ニュース（OPTICS & PHOTONICS NEWS ）２
月号（１９９４）ｐｐ．８−１４）に開示の方法を用い
れば良い。簡単に説明すれば、クラッド形成材料として
Ｇｅドープガラスを用い、これにＵＶ光を照射すること
で、ブラッググレーティングを形成する方法である。
ッド５３を作製するには、例えば文献（オプチクス＆フ
ォトニクス ニュース（OPTICS & PHOTONICS NEWS ）２
月号（１９９４）ｐｐ．８−１４）に開示の方法を用い
れば良い。簡単に説明すれば、クラッド形成材料として
Ｇｅドープガラスを用い、これにＵＶ光を照射すること
で、ブラッググレーティングを形成する方法である。
【００４６】４−２．第四発明の第２実施例 上述の第１実施例では、周期的屈折率分布構造をクラッ
ド５３に設けていたが、前記コア５１の直径を該コア５
１の長手方向において周期的に違えることにより周期的
屈折率分布構造を構成しても良い。図４（Ｂ）にこの例
（第２実施例）を示している。図４（Ｂ）において、５
１ｘはコアの直径が太い部分、５１ｙはコアの直径が細
い部分である。この第２実施例の場合のクラッド５７は
周期的屈折率分布構造を有するものである必要は特にな
い。
ド５３に設けていたが、前記コア５１の直径を該コア５
１の長手方向において周期的に違えることにより周期的
屈折率分布構造を構成しても良い。図４（Ｂ）にこの例
（第２実施例）を示している。図４（Ｂ）において、５
１ｘはコアの直径が太い部分、５１ｙはコアの直径が細
い部分である。この第２実施例の場合のクラッド５７は
周期的屈折率分布構造を有するものである必要は特にな
い。
【００４７】コアの太さを周期的に違える方法として
は、ファイバー状の単結晶を作製する過程でこのような
構造を作りつける方法、或はファイバー状の単結晶を作
製後にエッチング等により加工する方法などが挙げられ
る。
は、ファイバー状の単結晶を作製する過程でこのような
構造を作りつける方法、或はファイバー状の単結晶を作
製後にエッチング等により加工する方法などが挙げられ
る。
【００４８】この第四発明の波長変換装置では、基本波
はクラッド若しくはコアに形成されている周期的屈折率
分布構造を感じながらコア５１を伝播してゆくのでこの
周期に対応するブラッグ反射がおこる。また、コア５１
の分極反転領域において基本波はＳＨ波に変換される。
また、この第四発明の場合ＳＨＧ素子部がファイバー状
であるので光ファイバーモジュールへの応用に有利であ
る。
はクラッド若しくはコアに形成されている周期的屈折率
分布構造を感じながらコア５１を伝播してゆくのでこの
周期に対応するブラッグ反射がおこる。また、コア５１
の分極反転領域において基本波はＳＨ波に変換される。
また、この第四発明の場合ＳＨＧ素子部がファイバー状
であるので光ファイバーモジュールへの応用に有利であ
る。
【００４９】なお、この第四発明の波長変換装置の場合
も、基本波をＳＨ波に変換するための分極反転領域は、
第一発明の場合と同様、周期的なもの、非周期的なもの
いずれとしても良い。コア５１における分極反転領域を
周期的なものとする場合のその周期Λと、クラッド５３
における周期的屈折率分布構造の周期Ｌとの間に、次の
関係が成立するようにするのが良い。
も、基本波をＳＨ波に変換するための分極反転領域は、
第一発明の場合と同様、周期的なもの、非周期的なもの
いずれとしても良い。コア５１における分極反転領域を
周期的なものとする場合のその周期Λと、クラッド５３
における周期的屈折率分布構造の周期Ｌとの間に、次の
関係が成立するようにするのが良い。
【００５０】 Λ／２＝（２ｓ−１）λ／［４｛Ｎ（λ／２）−Ｎ（λ）｝］ Ｌ＝ｐλ／｛４Ｎ（λ）｝ ただし、上記式中ｓ，ｐはそれぞれ自然数を示し、Ｎ
（λ）およびＮ（λ／２）はそれぞれ波長λの基本波お
よび波長λ／２のＳＨ波に対する分極反転領域の実効屈
折率を示す。
（λ）およびＮ（λ／２）はそれぞれ波長λの基本波お
よび波長λ／２のＳＨ波に対する分極反転領域の実効屈
折率を示す。
【００５１】また、コア５１における分極反転領域を非
周期的なものとする場合、クラッド或はコアに形成する
周期的屈折率分布構造においてブラッグ反射条件を満た
す波長が、コア５１における分極反転領域におけるＱＰ
Ｍ条件を満たす波長範囲の中心値λ0 となるように、周
期的屈折率分布構造の周期Ｌを決めるのが良い。
周期的なものとする場合、クラッド或はコアに形成する
周期的屈折率分布構造においてブラッグ反射条件を満た
す波長が、コア５１における分極反転領域におけるＱＰ
Ｍ条件を満たす波長範囲の中心値λ0 となるように、周
期的屈折率分布構造の周期Ｌを決めるのが良い。
【００５２】４−３．適用例の説明 第四発明の波長変換装置のより詳細な具体例（光ファイ
バーモジュール）について説明する。図５はその説明に
供する図であり、ＳＨＧ素子部として機能する第四発明
に係る光ファイバー５５（以下、ＳＨＧファイバー５５
ともいう。）を、レンズ系を介して、半導体レーザ１１
と一体化した光ファイバーモジュールを示した図であ
る。具体的には、光学ベッド６１上にモニター用フォト
ダイオード６３、半導体レーザ１１、ロッドレンズ６５
を所定の関係で配置する。一方、スリーブ６７にはレン
ズ６９、グレーデッドイデックスレンズ７１、ＳＨＧフ
ァイバ５５および通常の光ファイバ７３が直列に設けて
ある。このようなスリーブは光学ベッド６１に、半導体
レーザ１１の光軸とスリーブ側の光軸とが合うように、
固定されている。
バーモジュール）について説明する。図５はその説明に
供する図であり、ＳＨＧ素子部として機能する第四発明
に係る光ファイバー５５（以下、ＳＨＧファイバー５５
ともいう。）を、レンズ系を介して、半導体レーザ１１
と一体化した光ファイバーモジュールを示した図であ
る。具体的には、光学ベッド６１上にモニター用フォト
ダイオード６３、半導体レーザ１１、ロッドレンズ６５
を所定の関係で配置する。一方、スリーブ６７にはレン
ズ６９、グレーデッドイデックスレンズ７１、ＳＨＧフ
ァイバ５５および通常の光ファイバ７３が直列に設けて
ある。このようなスリーブは光学ベッド６１に、半導体
レーザ１１の光軸とスリーブ側の光軸とが合うように、
固定されている。
【００５３】この波長変換装置（光ファイバーモジュー
ル）では、半導体レーザ１１の後方端面（ＳＨＧファイ
バー５５側とは反対の端面）からの出射光はモニター用
フォトダイオードで受けられ半導体レーザの駆動電流の
制御に使われる。一方、半導体レーザ１１のＳＨＧファ
イバー５５側の端面からの出射光は、各レンズ６５、６
９および７１を介しＳＨＧファイバー５５に入射され
る。ＳＨＧファイバー５５は上述のように周期的屈折率
分布構造を有しているので、半導体レーザ１１は、ＳＨ
Ｇファイバーの周期的屈折率分布構造で反射され帰還さ
れるレーザ発振するようになる。これが基本光となる。
この基本光はＳＨＧファイバー５５においてＳＨ波に変
換される。このＳＨ波はＳＨＧファイバー５５と接続さ
れている通常の光ファイバ７３により外部に取り出され
る。
ル）では、半導体レーザ１１の後方端面（ＳＨＧファイ
バー５５側とは反対の端面）からの出射光はモニター用
フォトダイオードで受けられ半導体レーザの駆動電流の
制御に使われる。一方、半導体レーザ１１のＳＨＧファ
イバー５５側の端面からの出射光は、各レンズ６５、６
９および７１を介しＳＨＧファイバー５５に入射され
る。ＳＨＧファイバー５５は上述のように周期的屈折率
分布構造を有しているので、半導体レーザ１１は、ＳＨ
Ｇファイバーの周期的屈折率分布構造で反射され帰還さ
れるレーザ発振するようになる。これが基本光となる。
この基本光はＳＨＧファイバー５５においてＳＨ波に変
換される。このＳＨ波はＳＨＧファイバー５５と接続さ
れている通常の光ファイバ７３により外部に取り出され
る。
【００５４】なお、上述の光ファイバーモジュールの構
成例は一例にすぎない。この発明の趣旨を逸脱しない範
囲で種々の変更ができる。
成例は一例にすぎない。この発明の趣旨を逸脱しない範
囲で種々の変更ができる。
【００５５】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
出願の第一発明、第二発明および第四発明によればレー
ザ光を帰還する部分と基本波をＳＨ波に変換する部分と
を並列に具えるので各部分は独立にできる。このため、
一方の部分の設計に当たって他方の部分を実質的に考慮
することなく設計できるので、両部分が直列に配置され
ている場合に比べ、設計条件を緩和できる。したがっ
て、光導波路の形成が簡易に出来る。また、おのおの部
分の設計に当たってはそれぞれの目的に即した最適化が
図れる。
出願の第一発明、第二発明および第四発明によればレー
ザ光を帰還する部分と基本波をＳＨ波に変換する部分と
を並列に具えるので各部分は独立にできる。このため、
一方の部分の設計に当たって他方の部分を実質的に考慮
することなく設計できるので、両部分が直列に配置され
ている場合に比べ、設計条件を緩和できる。したがっ
て、光導波路の形成が簡易に出来る。また、おのおの部
分の設計に当たってはそれぞれの目的に即した最適化が
図れる。
【００５６】また、第三発明によれば、第二発明の波長
変換装置の製造を容易にする。
変換装置の製造を容易にする。
【００５７】また、第四発明によれば、波長変換装置の
ＳＨＧ素子部がファイバー形状のものとなるので半導体
レーザとのモジュール化が行ない易い。
ＳＨＧ素子部がファイバー形状のものとなるので半導体
レーザとのモジュール化が行ない易い。
【図１】第一発明の第１実施例の説明図である。
【図２】第一発明の第２実施例の説明図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は第二発明および第三発明の実
施例の説明図である。
施例の説明図である。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、第四発明の第１及び第２
実施例の説明図である。
実施例の説明図である。
【図５】第四発明のより具体的な例を示した図である。
１１：半導体レーザ １１ａ：ＡＲ膜 １１ｂ：ＨＲ膜 ２１：ＳＨＧ素子 ２３：第１の光導波路 ２３ａ：分極反転領域 ２３ａａ：非分極反転部分 ２３ａｂ：分極反転部分 ２５：第２の光導波路 ２５ａ：周期的屈折率分布構造 ２５ａａ：屈折率が高い部分 ２５ａｂ：屈折率が低い部分 ２７：下地 ２９：合流導波路 ３１：光路規定手段 ３１ａ：半透鏡 ３１ｂ：全反射鏡 ３１ｃ〜３１ｅ：レンズ ３１ｆ：１／２波長板 ４１：第１の強誘電体結晶基板 ４３：第２の境誘電体結晶基板 ５１：分極反転領域を有した強誘電体結晶で構成された
コア ５３：周期的屈折率分布構造を有したクラッド ５５：光ファイバー（ＳＨＧファイバー）
コア ５３：周期的屈折率分布構造を有したクラッド ５５：光ファイバー（ＳＨＧファイバー）
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体レーザと、該半導体レーザからの
レーザ光が入射され然も疑似位相整合条件を満たす分極
反転領域を有しかつ前記レーザ光の第二高調波を発生す
るための光導波路と、を具える波長変換装置において、 第二高調波を発生するための前記光導波路（第１の導波
路）に対し並置される関係で設けられ、前記半導体レー
ザからのレーザ光を反射する周期的屈折率分布構造を有
した第２の光導波路と、 前記半導体レーザからのレーザ光の一部を前記第２の光
導波路に導くと共に、該導かれたレーザ光の前記周期的
屈折率分布構造によって選択的に反射される光を前記半
導体レーザに戻すための手段とを具えたことを特徴とす
る波長変換装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の波長変換装置におい
て、 前記第１の光導波路と前記第２の光導波路との一端同士
を合流するための合流導波路を具え、 前記レーザ光の一部を前記第２の光導波路に導くと共に
そこでの反射光を前記半導体レーザに戻すための前記手
段を、前記合流導波路、前記第１の光導波路及び前記第
２の光導波路で構成したことを特徴とする波長変換装
置。 - 【請求項３】 半導体レーザと、 該半導体レーザからのレーザ光が入射され然も疑似位相
整合条件を満たす分極反転領域を有しかつ前記レーザ光
の第二高調波を発生するための光導波路が作り込まれた
第１の強誘電体結晶基板と、 該第１の強誘電体結晶基板に貼り付けられた第２の強誘
電体結晶基板であって、前記光導波路を伝搬する光が相
互作用できる範囲に前記半導体レーザからのレーザ光を
反射するための周期的屈折率分布構造が作り込まれた第
２の強誘電体結晶基板とを具えたことを特徴とする波長
変換装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の波長変換装置を製造す
るに当たり、 強誘電体結晶基板に分極反転領域を形成する工程と、前
記強誘電体結晶基板の前記分極反転領域が形成された部
分若しくは分極反転領域形成予定部分に光導波路を形成
する工程とを含む方法により、前記第１の強誘電体結晶
基板を得、 別の強誘電体結晶に周期的屈折率分布構造を形成して第
２の強誘電体結晶基板を得、 これら第１及び第２の強誘電体結晶基板を、前記光導波
路の形成面及び前記周期的屈折率分布構造の形成面が対
向するように密着させて熱処理することを特徴とする波
長変換装置の製造方法。 - 【請求項５】 分極反転領域を有した強誘電体結晶で構
成されたコアおよび該コアを囲んでいるクラッドであっ
て周期的屈折率分布構造を有しているクラッドで構成さ
れた光ファイバと、 該光ファイバにレーザ光を入力するための半導体レーザ
とを具えたことを特徴とする波長変換装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の波長変換装置におい
て、 周期的屈折率分布構造を有した前記クラッドにより当該
周期的屈折率分布構造を構成する代わりに、前記コアの
直径を該コアの長手方向において周期的に違えることに
より周期的屈折率分布構造を構成してあることを特徴と
する波長変換装置。 - 【請求項７】 請求項１、３または５に記載の波長変換
装置において、 前記分極反転領域を、周期的分極反転領域としてあるこ
とを特徴とする波長変換装置。 - 【請求項８】 請求項１、３または５に記載の波長変換
装置において、 前記分極反転領域を、非周期的分極反転領域としてある
ことを特徴とする波長変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21231894A JPH0876160A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 波長変換装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21231894A JPH0876160A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 波長変換装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0876160A true JPH0876160A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16620567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21231894A Pending JPH0876160A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 波長変換装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0876160A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050307A1 (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-02 | National Institute For Materials Science | マルチグレ－テｲングを有する波長変換素子とそれを用いた光発生装置、および、円柱状強誘電体単結晶を有する波長変換素子とそれを用いた光発生装置 |
| WO2013073080A1 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 富士電機株式会社 | 光源装置及び波長変換方法 |
-
1994
- 1994-09-06 JP JP21231894A patent/JPH0876160A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050307A1 (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-02 | National Institute For Materials Science | マルチグレ－テｲングを有する波長変換素子とそれを用いた光発生装置、および、円柱状強誘電体単結晶を有する波長変換素子とそれを用いた光発生装置 |
| US7403327B2 (en) | 2003-11-20 | 2008-07-22 | National Institute For Materials Science | Wavelength conversion element having multi-gratings and light generating apparatus using said element, and wavelength conversion element having cylindrical ferroelectric single crystals and light generating apparatus using said element |
| EP1686415A4 (en) * | 2003-11-20 | 2011-10-05 | Nat Inst For Materials Science | MULTI-GRID WAVE LENGTH CONVERTING ELEMENT AND ASSOCIATED LIGHT GENERATION DEVICE, AND WAVELENGTH CONVERTING ELEMENT PROVIDED WITH A SINGLE COLUMN FERROELECTRIC CRYSTAL, AND LIGHT GENERATING DEVICE USING THE SAME |
| WO2013073080A1 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 富士電機株式会社 | 光源装置及び波長変換方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
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