JPH087627Y2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH087627Y2 JPH087627Y2 JP1990052052U JP5205290U JPH087627Y2 JP H087627 Y2 JPH087627 Y2 JP H087627Y2 JP 1990052052 U JP1990052052 U JP 1990052052U JP 5205290 U JP5205290 U JP 5205290U JP H087627 Y2 JPH087627 Y2 JP H087627Y2
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は、半導体素子の材料であるウェーハをプラズ
マエッチング等処理するプラズマ処理装置に関するもの
である。 ［従来の技術］ ウェーハは半導体素子製造の過程でプラズマエッチン
グ等の処理を受ける。 プラズマエッチング処理は、気密な処理室に相対向し
て設けられた電極の一方にウェーハが載置され、ウェー
ハが載置された状態で、低圧反応ガス雰囲気の下で、両
電極間に高周波電圧が印加されてプラズマが発生され、
このプラズマのエネルギによってエッチング処理がなさ
れる。 従来のプラズマ処理装置としては、第２図に示される
ものがある。 １は真空容器、２は蓋である。上電極３、下電極４が
それぞれ絶縁材5,6で絶縁された状態で蓋２、真空容器
１の底部に設けられている。両電極板3,4の背面側には
冷却板7,8が設けられ、冷却板7,8の流路に冷却水が流通
されて、両電極板3,4を冷却する様になっている。 上電極３は中空構造となっており、下面には多数のガ
ス吹出孔９が穿設され、該ガス吹出孔９より反応ガスが
分散吹出される様になっている。 又、下電極４は特に図示しないが、ウェーハを静電吸
着できる構造となっている。 前記真空容器１の下電極４の周囲所要箇所には、排気
ポンプ（図示せず）に連通されたガス排気口10が設けら
れ、前記ガス吹出孔９より吹出し分散された反応ガスが
該ガス排出口10より排気管12を経て下方へ排出される様
になっている。図中11はウェーハである。 プラズマ処理に於いて、ウェーハを均質に処理する為
には、処理室内部の反応ガスの流れ分布、濃度分布等が
均一でなければならない。その為、上電極噴出させたガ
スは、対向する底面の複数のガス排出口10より分散排気
する構造となっている。 ［考案が解決しようとする課題］ 然し乍ら、排気口10が下電極４の周囲に設けられ、排
気管12によって下方に排出されている為、真空容器１の
下方は前記排気管12及び該排気管12の処理の為大きなス
ペースが必要となっており、真空容器１設置の為に確保
しなければならないスペースも大きく、更にプラズマ発
生装置として具備する機器の設置位置にも大きな制約を
受けることになっている。 更に、排出口10は、下電極を避けて設けなければなら
ないので、大きな開口面積とすることができず、排気抵
抗を小さくするにも限界があって大排気量が得にくいと
いう問題もあった。 本考案は斯かる実情に鑑みなしたものであって、排気
を真空容器の側方に排出する様にし、スペース的な制約
を解消すると共に排気口の開口面積を充分に大きくで
き、而も製作が容易なプラズマ処理装置を提供しようと
するものである。 ［課題を解決する為の手段］ 本考案は、真空容器内部を下電極の周囲に設けた排気
分散板により、下電極を含む処理室と下電極下方のドー
ナッツ状のダクト室とに仕切り、前記下電極の上面を除
いて絶縁材で囲繞した下電極ユニットを形成し、該下電
極ユニットの周囲を筒状の電極カバーで囲繞して下電極
ユニットの周りにダクト室を画成し、前記排気分散板に
所要数の分散孔を穿設し、前記真空容器壁部にダクト室
と連通する排気口を設け、前記処理室に反応ガスを導入
すると共に該排気口より排出する様構成したことを特徴
とするものである。 ［作用］ 処理室に導入された反応ガスはプラズマ化され、反応
後排気分散板の分散孔により分散してダクト室に流入
し、排気口より真空室の外部へ排出される。 ［実施例］ 以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。 真空容器14を上蓋15によって気密室が画成され、上蓋
15下面には上電極16が取付けられ、該上電極16は特に図
示していないが、所要の手段で冷却される様になってい
る。 真空容器14の底面には前記上電極16と対峙して下電極
ユニット17が設けてある。 該下電極ユニット17は、支持部18を介して絶縁材19が
真空容器15に取付けられ、該絶縁材19に冷却板20を介し
て下電極21が取付けられ、更に該下電極21の周囲に石英
材から成るカバーリング22が設けられて構成されてい
る。 前記下電極ユニット17の周囲を囲繞する筒状の電極カ
バー23を真空容器14の底面に立設する。該電極カバー14
の上端にはドーナッツ状の排気分散板24を固着する。該
排気分散板24には円周に沿って所要数の分散孔25を穿設
してある。而して、該排気分散板24より上方に処理室26
が画成されると共に排気分散板24の下方、前記電極カバ
ー23の周囲にダクト室27が画成される。 該排気分散板24より上方の真空容器14の側壁に反応ガ
ス導入口28が穿設され、排気分散板24より下方、前記ダ
クト室27に連通する排気口30が穿設される。該排気口30
は図示しない排気管に接続する。 以下、作用を説明する。 前記反応ガス導入口28より反応ガス29を導入すると、
処理室26内に拡散してゆき、プラズマ化され被処理物の
表面処理がなされる。次に、排気は、下電極21の周囲の
前記分散孔25より、前記ダクト室27へ流入し、更に排気
口30に集合されて、真空容器14の外へ排出される。 前記した様に、分散孔25が下電極21の周囲に分散して
設けられているので、反応ガスの流れに偏流が生じるこ
となく、被処理物の表面処理は均一に行われる。 又、構造的には、反応ガス導入口28、排気口30の設け
られる位置がいずれも真空容器14の壁部であるので、真
空容器14の上方、下方にはプラズマ処理装置として具備
しなければならない機器を自在に設置することができ、
更に反応ガス導入口28、排気口30の円周方向の位置につ
いても任意の位置でよいので、設計上の制約は大幅に緩
和される。更に排出口の形状も水平方向に偏平とするこ
とで充分な開口面積が得られる。 尚、上記実施例では反応ガス導入口を真空容器の側壁
部に設けたが、第２図の従来例で示される様に上電極に
設けてもよいことは言う迄もない。 ［考案の効果］ 以上述べた如く本考案によれば、反応ガスの排気を真
空容器側方より排出する様にしたので、真空容器下方を
機器設置の為に供することができ、装置の小型化、簡略
化が図れると共に設計上の制約を大幅に緩和することが
でき、更に排出口の開口面積も充分大きくすることがで
き、大排気量を得ることができるという優れた効果を発
揮する。
マエッチング等処理するプラズマ処理装置に関するもの
である。 ［従来の技術］ ウェーハは半導体素子製造の過程でプラズマエッチン
グ等の処理を受ける。 プラズマエッチング処理は、気密な処理室に相対向し
て設けられた電極の一方にウェーハが載置され、ウェー
ハが載置された状態で、低圧反応ガス雰囲気の下で、両
電極間に高周波電圧が印加されてプラズマが発生され、
このプラズマのエネルギによってエッチング処理がなさ
れる。 従来のプラズマ処理装置としては、第２図に示される
ものがある。 １は真空容器、２は蓋である。上電極３、下電極４が
それぞれ絶縁材5,6で絶縁された状態で蓋２、真空容器
１の底部に設けられている。両電極板3,4の背面側には
冷却板7,8が設けられ、冷却板7,8の流路に冷却水が流通
されて、両電極板3,4を冷却する様になっている。 上電極３は中空構造となっており、下面には多数のガ
ス吹出孔９が穿設され、該ガス吹出孔９より反応ガスが
分散吹出される様になっている。 又、下電極４は特に図示しないが、ウェーハを静電吸
着できる構造となっている。 前記真空容器１の下電極４の周囲所要箇所には、排気
ポンプ（図示せず）に連通されたガス排気口10が設けら
れ、前記ガス吹出孔９より吹出し分散された反応ガスが
該ガス排出口10より排気管12を経て下方へ排出される様
になっている。図中11はウェーハである。 プラズマ処理に於いて、ウェーハを均質に処理する為
には、処理室内部の反応ガスの流れ分布、濃度分布等が
均一でなければならない。その為、上電極噴出させたガ
スは、対向する底面の複数のガス排出口10より分散排気
する構造となっている。 ［考案が解決しようとする課題］ 然し乍ら、排気口10が下電極４の周囲に設けられ、排
気管12によって下方に排出されている為、真空容器１の
下方は前記排気管12及び該排気管12の処理の為大きなス
ペースが必要となっており、真空容器１設置の為に確保
しなければならないスペースも大きく、更にプラズマ発
生装置として具備する機器の設置位置にも大きな制約を
受けることになっている。 更に、排出口10は、下電極を避けて設けなければなら
ないので、大きな開口面積とすることができず、排気抵
抗を小さくするにも限界があって大排気量が得にくいと
いう問題もあった。 本考案は斯かる実情に鑑みなしたものであって、排気
を真空容器の側方に排出する様にし、スペース的な制約
を解消すると共に排気口の開口面積を充分に大きくで
き、而も製作が容易なプラズマ処理装置を提供しようと
するものである。 ［課題を解決する為の手段］ 本考案は、真空容器内部を下電極の周囲に設けた排気
分散板により、下電極を含む処理室と下電極下方のドー
ナッツ状のダクト室とに仕切り、前記下電極の上面を除
いて絶縁材で囲繞した下電極ユニットを形成し、該下電
極ユニットの周囲を筒状の電極カバーで囲繞して下電極
ユニットの周りにダクト室を画成し、前記排気分散板に
所要数の分散孔を穿設し、前記真空容器壁部にダクト室
と連通する排気口を設け、前記処理室に反応ガスを導入
すると共に該排気口より排出する様構成したことを特徴
とするものである。 ［作用］ 処理室に導入された反応ガスはプラズマ化され、反応
後排気分散板の分散孔により分散してダクト室に流入
し、排気口より真空室の外部へ排出される。 ［実施例］ 以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。 真空容器14を上蓋15によって気密室が画成され、上蓋
15下面には上電極16が取付けられ、該上電極16は特に図
示していないが、所要の手段で冷却される様になってい
る。 真空容器14の底面には前記上電極16と対峙して下電極
ユニット17が設けてある。 該下電極ユニット17は、支持部18を介して絶縁材19が
真空容器15に取付けられ、該絶縁材19に冷却板20を介し
て下電極21が取付けられ、更に該下電極21の周囲に石英
材から成るカバーリング22が設けられて構成されてい
る。 前記下電極ユニット17の周囲を囲繞する筒状の電極カ
バー23を真空容器14の底面に立設する。該電極カバー14
の上端にはドーナッツ状の排気分散板24を固着する。該
排気分散板24には円周に沿って所要数の分散孔25を穿設
してある。而して、該排気分散板24より上方に処理室26
が画成されると共に排気分散板24の下方、前記電極カバ
ー23の周囲にダクト室27が画成される。 該排気分散板24より上方の真空容器14の側壁に反応ガ
ス導入口28が穿設され、排気分散板24より下方、前記ダ
クト室27に連通する排気口30が穿設される。該排気口30
は図示しない排気管に接続する。 以下、作用を説明する。 前記反応ガス導入口28より反応ガス29を導入すると、
処理室26内に拡散してゆき、プラズマ化され被処理物の
表面処理がなされる。次に、排気は、下電極21の周囲の
前記分散孔25より、前記ダクト室27へ流入し、更に排気
口30に集合されて、真空容器14の外へ排出される。 前記した様に、分散孔25が下電極21の周囲に分散して
設けられているので、反応ガスの流れに偏流が生じるこ
となく、被処理物の表面処理は均一に行われる。 又、構造的には、反応ガス導入口28、排気口30の設け
られる位置がいずれも真空容器14の壁部であるので、真
空容器14の上方、下方にはプラズマ処理装置として具備
しなければならない機器を自在に設置することができ、
更に反応ガス導入口28、排気口30の円周方向の位置につ
いても任意の位置でよいので、設計上の制約は大幅に緩
和される。更に排出口の形状も水平方向に偏平とするこ
とで充分な開口面積が得られる。 尚、上記実施例では反応ガス導入口を真空容器の側壁
部に設けたが、第２図の従来例で示される様に上電極に
設けてもよいことは言う迄もない。 ［考案の効果］ 以上述べた如く本考案によれば、反応ガスの排気を真
空容器側方より排出する様にしたので、真空容器下方を
機器設置の為に供することができ、装置の小型化、簡略
化が図れると共に設計上の制約を大幅に緩和することが
でき、更に排出口の開口面積も充分大きくすることがで
き、大排気量を得ることができるという優れた効果を発
揮する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２図は従来
例の断面図である。 14は真空容器、16は上電極、17は下電極ユニット、21は
下電極、24は排気分散板、25は分散孔、27はダクト室、
28は反応ガス導入口、30は排気口を示す。
例の断面図である。 14は真空容器、16は上電極、17は下電極ユニット、21は
下電極、24は排気分散板、25は分散孔、27はダクト室、
28は反応ガス導入口、30は排気口を示す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)考案者 巻口 一誠
東京都西多摩郡羽村町神明台２―１―１
国際電気株式会社羽村工場内
(56)参考文献 特開 昭63−227021（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−141318（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−29126（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−258428（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−50127（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器内部を下電極の周囲に設けた排気
分散板により、下電極を含む処理室と下電極下方のドー
ナッツ状のダクト室とに仕切り、前記下電極の上面を除
いて絶縁材で囲繞した下電極ユニットを形成し、該下電
極ユニットの周囲を筒状の電極カバーで囲繞して下電極
ユニットの周りにダクト室を画成し、前記排気分散板に
所要数の分散孔を穿設し、前記真空容器壁部にダクト室
と連通する排気口を設け、前記処理室に反応ガスを導入
すると共に該排気口より排出する様構成したことを特徴
とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990052052U JPH087627Y2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990052052U JPH087627Y2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410335U JPH0410335U (ja) | 1992-01-29 |
| JPH087627Y2 true JPH087627Y2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=31572030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990052052U Expired - Lifetime JPH087627Y2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087627Y2 (ja) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59144132A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-18 | Hitachi Ltd | 反応装置 |
| JPS6129126A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPS6350127U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | ||
| JPS6393114A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-23 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63141318A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 試料処理用ガス排気装置 |
| JPS63194335A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPS63227021A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPH01189126A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
| JPH01258428A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPH01283391A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP1990052052U patent/JPH087627Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0410335U (ja) | 1992-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |