JPH087680A - 酸化物超伝導線材の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導線材の製造方法Info
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- JPH087680A JPH087680A JP6134175A JP13417594A JPH087680A JP H087680 A JPH087680 A JP H087680A JP 6134175 A JP6134175 A JP 6134175A JP 13417594 A JP13417594 A JP 13417594A JP H087680 A JPH087680 A JP H087680A
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Wire Processing (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】優れた超伝導特性 (Jcが 15000Ａ/cm2以上) の
TmBa2Cu3O7-xの線材を簡単に製造する方法の提供。 【構成】下記からまでの工程を特徴とするTmBa2Cu3
O7-x超伝導線材の製造方法。 Tm、BaおよびCuの酸化物、炭酸塩、硝酸塩または塩
化物の各粉末をTm：Ba：Cu＝１：２：３になるように調
合し、混合粉末とする。 上記の配合粉末を銀テープに塗布するかまたは銀シ
ースに充填し、加工して線材となし、プレスまたは圧延
によってテープ状線材とする。 上記テープ状線材を、酸素分圧が 0.003〜0.03気圧
の雰囲気中で一旦 930〜945 ℃の温度まで加熱した後、
少なくとも 900℃までは毎時 0.1〜10℃の冷却速度で冷
却する。
TmBa2Cu3O7-xの線材を簡単に製造する方法の提供。 【構成】下記からまでの工程を特徴とするTmBa2Cu3
O7-x超伝導線材の製造方法。 Tm、BaおよびCuの酸化物、炭酸塩、硝酸塩または塩
化物の各粉末をTm：Ba：Cu＝１：２：３になるように調
合し、混合粉末とする。 上記の配合粉末を銀テープに塗布するかまたは銀シ
ースに充填し、加工して線材となし、プレスまたは圧延
によってテープ状線材とする。 上記テープ状線材を、酸素分圧が 0.003〜0.03気圧
の雰囲気中で一旦 930〜945 ℃の温度まで加熱した後、
少なくとも 900℃までは毎時 0.1〜10℃の冷却速度で冷
却する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、TmBa2Cu3O7-xの組成
式で表され、臨界電流密度が高く、電磁石、電力ケーブ
ル等に使用することのできる超伝導線材の製造方法に関
する。
式で表され、臨界電流密度が高く、電磁石、電力ケーブ
ル等に使用することのできる超伝導線材の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＭBa2Cu3O7 (Ｍは、Ｙ、Nd、Pm、Sm、E
u、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmまたはYb)の組成式で表され
るＹ系超伝導体は、超伝導転移温度 (臨界温度、Ｔc)が
約90Ｋのいわゆる高温超伝導物質であることは既によく
知られている〔例えば、Japanese Journal of Applied
Physics Vol.26,(1987) pp.L633 〕。
u、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmまたはYb)の組成式で表され
るＹ系超伝導体は、超伝導転移温度 (臨界温度、Ｔc)が
約90Ｋのいわゆる高温超伝導物質であることは既によく
知られている〔例えば、Japanese Journal of Applied
Physics Vol.26,(1987) pp.L633 〕。
【０００３】この、いわゆるＹ系超伝導体は、セラミッ
ク特有の硬くて脆い性質のために、コイルや電力ケーブ
ルとして使用するためには金属シース管に充填して加工
したシース線材、または金属テープに塗布したテープ状
線材にするのが通常である。
ク特有の硬くて脆い性質のために、コイルや電力ケーブ
ルとして使用するためには金属シース管に充填して加工
したシース線材、または金属テープに塗布したテープ状
線材にするのが通常である。
【０００４】上記のようなシース線材またはテープ状線
材を製造する際には、これらの超伝導体の異方性のため
に、高い臨界電流密度を得るには結晶軸のＣ軸を電流を
流す方向と垂直になるように結晶方位を揃える必要があ
る。
材を製造する際には、これらの超伝導体の異方性のため
に、高い臨界電流密度を得るには結晶軸のＣ軸を電流を
流す方向と垂直になるように結晶方位を揃える必要があ
る。
【０００５】Ｙ系超伝導体では、金属 (ハステロイ）テ
ープを基板としてレーザー蒸着法、あるいはＣＤＶ法を
用いて作製したＹBa2Cu3O7線材で、Ｃ軸が配向した線材
が得られたとの報告がある (応用物理学会、1992年春季
予稿集、第１分冊、29ａ−Ｗ−７、および Japanese Jo
urnal of Applied Physics Vol.31,(1992) pp.L547-L54
9 を参照) 。しかし、これらの方法で線材の製造は、時
間がかかり、また製造装置のコストが高く、工業的生産
には不適切であるという欠点がある。
ープを基板としてレーザー蒸着法、あるいはＣＤＶ法を
用いて作製したＹBa2Cu3O7線材で、Ｃ軸が配向した線材
が得られたとの報告がある (応用物理学会、1992年春季
予稿集、第１分冊、29ａ−Ｗ−７、および Japanese Jo
urnal of Applied Physics Vol.31,(1992) pp.L547-L54
9 を参照) 。しかし、これらの方法で線材の製造は、時
間がかかり、また製造装置のコストが高く、工業的生産
には不適切であるという欠点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた超伝
導特性、具体的にはコイルにした場合に1000ガウス以上
の磁場発生が可能な 15000Ａ/cm2以上の臨界電流密度
(Jc) を持つＹ系超伝導体の中で、特に、銀の融点以下
の温度での熱処理による結晶作製が可能なTmBa2Cu3O7-x
の線材を、できるだけ簡単に製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
導特性、具体的にはコイルにした場合に1000ガウス以上
の磁場発生が可能な 15000Ａ/cm2以上の臨界電流密度
(Jc) を持つＹ系超伝導体の中で、特に、銀の融点以下
の温度での熱処理による結晶作製が可能なTmBa2Cu3O7-x
の線材を、できるだけ簡単に製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、下記
からまでの工程を特徴とするTmBa2Cu3O7-x超伝導線材
の製造方法にある。
からまでの工程を特徴とするTmBa2Cu3O7-x超伝導線材
の製造方法にある。
【０００８】 Tm、BaおよびCuの酸化物、炭酸塩、硝
酸塩または塩化物の各粉末をTm：Ba：Cu＝１：２：３に
なるように調合し、混合粉末とする。このとき、原料粉
末として酸化物以外の粉末、即ち、炭酸塩、硝酸塩また
は塩化物の粉末を用いた場合は、配合の前または後に仮
焼によって酸素以外の非金属元素を除去する。
酸塩または塩化物の各粉末をTm：Ba：Cu＝１：２：３に
なるように調合し、混合粉末とする。このとき、原料粉
末として酸化物以外の粉末、即ち、炭酸塩、硝酸塩また
は塩化物の粉末を用いた場合は、配合の前または後に仮
焼によって酸素以外の非金属元素を除去する。
【０００９】 上記の混合粉末を銀テープに塗布する
かまたは銀シースに充填し、加工して線材となし、プレ
スまたは圧延によってテープ状線材とする。
かまたは銀シースに充填し、加工して線材となし、プレ
スまたは圧延によってテープ状線材とする。
【００１０】 上記テープ状線材を、酸素分圧が 0.0
03〜0.03気圧の雰囲気中で一旦 930〜945 ℃の温度まで
加熱した後、少なくとも 900℃までは毎時 0.1〜10℃の
冷却速度で冷却する。
03〜0.03気圧の雰囲気中で一旦 930〜945 ℃の温度まで
加熱した後、少なくとも 900℃までは毎時 0.1〜10℃の
冷却速度で冷却する。
【００１１】
【作用】一般に、物質を溶融状態から結晶成長させた場
合、表面エネルギーが最小となるように結晶が配向する
場合があることが知られている。酸化物では、表面エネ
ルギーは酸素分圧に依存するため、酸素分圧を調整する
ことによって配向を制御することが可能である。
合、表面エネルギーが最小となるように結晶が配向する
場合があることが知られている。酸化物では、表面エネ
ルギーは酸素分圧に依存するため、酸素分圧を調整する
ことによって配向を制御することが可能である。
【００１２】本発明者は、各種のＹ系超伝導体の凝固時
の配向性を酸素分圧を変えて調査した結果、特にTmBa2C
u3O7-xについて、前記の特定の条件下で加熱および冷却
を行うことにより配向性を高めることができることを見
いだした。この知見を基礎としてなされたのが本発明で
ある。
の配向性を酸素分圧を変えて調査した結果、特にTmBa2C
u3O7-xについて、前記の特定の条件下で加熱および冷却
を行うことにより配向性を高めることができることを見
いだした。この知見を基礎としてなされたのが本発明で
ある。
【００１３】以下、前記〜の各工程について説明す
る。
る。
【００１４】の工程：これは、一般的なＹ系酸化物超
伝導材の製造方法に準ずる工程である。ただし、製造目
的物がTmBa2Cu3O7-xであるから、Tmの酸化物、炭酸塩、
硝酸塩および塩化物の中の１種以上の粉末を原料粉末の
一つとする。BaおよびCuの原料としても、それらの酸化
物、炭酸塩、硝酸塩および塩化物の中の１種以上を用い
ることができる。
伝導材の製造方法に準ずる工程である。ただし、製造目
的物がTmBa2Cu3O7-xであるから、Tmの酸化物、炭酸塩、
硝酸塩および塩化物の中の１種以上の粉末を原料粉末の
一つとする。BaおよびCuの原料としても、それらの酸化
物、炭酸塩、硝酸塩および塩化物の中の１種以上を用い
ることができる。
【００１５】上記の原料粉末を、Tm：Ba：Cu＝１：２：
３になるように調合して混合粉末とする。なお、調合の
前の各粉末を仮焼してもよく、また、調合した後の混合
粉末を仮焼してもよい。原料粉末として酸化物以外の化
合物粉末を用いる場合は、酸素以外の非金属元素を除去
するために、仮焼は必須である。
３になるように調合して混合粉末とする。なお、調合の
前の各粉末を仮焼してもよく、また、調合した後の混合
粉末を仮焼してもよい。原料粉末として酸化物以外の化
合物粉末を用いる場合は、酸素以外の非金属元素を除去
するために、仮焼は必須である。
【００１６】の工程：上記の混合粉末を銀テープに塗
布するかまたは銀シース（鞘管）に充填し、通常の鍛
造、圧延、線引等の方法で加工して線材とし、さらに、
プレスまたは圧延によってテープ状線材とする。
布するかまたは銀シース（鞘管）に充填し、通常の鍛
造、圧延、線引等の方法で加工して線材とし、さらに、
プレスまたは圧延によってテープ状線材とする。
【００１７】の工程：熱処理の工程であるが、ここで
は雰囲気の酸素分圧と加熱温度、および冷却速度の調整
が重要である。
は雰囲気の酸素分圧と加熱温度、および冷却速度の調整
が重要である。
【００１８】雰囲気の酸素分圧が 0.003気圧より低い雰
囲気では、TmBa2Cu3O7構造が化学的に不安定であるため
に生成せず、また、酸素分圧が0.03気圧を超えると、Ｃ
軸のテープ面に垂直方向への配向度が低くなり、そのた
めに臨界電流密度 (Jc) が低下する。従って、酸素分圧
は 0.003〜0.03気圧の範囲に調整する必要がある。
囲気では、TmBa2Cu3O7構造が化学的に不安定であるため
に生成せず、また、酸素分圧が0.03気圧を超えると、Ｃ
軸のテープ面に垂直方向への配向度が低くなり、そのた
めに臨界電流密度 (Jc) が低下する。従って、酸素分圧
は 0.003〜0.03気圧の範囲に調整する必要がある。
【００１９】上記の雰囲気中で、線材を 930℃以上に加
熱する。加熱時間は、線材のサイズにもよるが、およそ
10分程度でよい。930 ℃より低い温度では、TmBa2Cu3O7
が溶融しないため、結晶配向が起こらず、そのため、臨
界電流密度 (Jc) の低い線材しか得られない。一方、加
熱温度が 945℃を超えると、TmBa2Cu3O7が溶融したとき
に固相として生成する Tm2BaCuO5が急激に粒成長し、そ
のために冷却時に液相との反応がスムーズに進行せず、
その結果、TmBa2Cu3O7の形成が阻害されて臨界電流密度
(Jc) の高い線材が得られない。これらの理由から、加
熱温度は 930〜945 ℃の範囲に調整する必要がある。
熱する。加熱時間は、線材のサイズにもよるが、およそ
10分程度でよい。930 ℃より低い温度では、TmBa2Cu3O7
が溶融しないため、結晶配向が起こらず、そのため、臨
界電流密度 (Jc) の低い線材しか得られない。一方、加
熱温度が 945℃を超えると、TmBa2Cu3O7が溶融したとき
に固相として生成する Tm2BaCuO5が急激に粒成長し、そ
のために冷却時に液相との反応がスムーズに進行せず、
その結果、TmBa2Cu3O7の形成が阻害されて臨界電流密度
(Jc) の高い線材が得られない。これらの理由から、加
熱温度は 930〜945 ℃の範囲に調整する必要がある。
【００２０】上記のように加熱して部分溶融させた線材
を、少なくとも 900℃までは、毎時0.1〜10℃の冷却速
度で冷却する。この条件は、冷却過程で液相と Tm2BaCu
O5相との反応を行わせてTmBa2Cu3O7の生成とその結晶粒
成長を促し、しかも、前述のTm2BaCuO5 の粒成長を抑え
る条件である。
を、少なくとも 900℃までは、毎時0.1〜10℃の冷却速
度で冷却する。この条件は、冷却過程で液相と Tm2BaCu
O5相との反応を行わせてTmBa2Cu3O7の生成とその結晶粒
成長を促し、しかも、前述のTm2BaCuO5 の粒成長を抑え
る条件である。
【００２１】冷却速度が毎時 0.1℃未満では、冷却速度
が小さ過ぎて、Tm2BaCuO5 が粒成長し、そのためにTmBa
2Cu3O7の成長が阻害される。一方、毎時10℃を超える早
い冷却を行うと、液相と Tm2BaCuO5相の反応が遅いため
に、TmBa2Cu3O7の生成が少なくなり、臨界電流密度 (J
c) の高い線材が得られない。
が小さ過ぎて、Tm2BaCuO5 が粒成長し、そのためにTmBa
2Cu3O7の成長が阻害される。一方、毎時10℃を超える早
い冷却を行うと、液相と Tm2BaCuO5相の反応が遅いため
に、TmBa2Cu3O7の生成が少なくなり、臨界電流密度 (J
c) の高い線材が得られない。
【００２２】上記の諸現象は実質的に 900℃までの冷却
過程で生じるので、少なくとも 900℃までは毎時 0.1〜
10℃の冷却速度としなければならない。以下、このよう
に冷却速度を制御する冷却を「調整冷却」という。
過程で生じるので、少なくとも 900℃までは毎時 0.1〜
10℃の冷却速度としなければならない。以下、このよう
に冷却速度を制御する冷却を「調整冷却」という。
【００２３】900 ℃より低い温度域での冷却速度は、特
別に制御する必要はなく、急冷でも徐冷でもよい。しか
し、600 ℃より低温で酸素を吸収することによって高温
相 (非超伝導体の正方晶) から、低温相 (超伝導性の斜
方晶) への構造相転移が起きるので、この相転移を促進
するため 400〜500 ℃の温度に10時間程度保持するのが
良い。
別に制御する必要はなく、急冷でも徐冷でもよい。しか
し、600 ℃より低温で酸素を吸収することによって高温
相 (非超伝導体の正方晶) から、低温相 (超伝導性の斜
方晶) への構造相転移が起きるので、この相転移を促進
するため 400〜500 ℃の温度に10時間程度保持するのが
良い。
【００２４】
【実施例】純度が 99.99％の Tm2O3、BaCO3 および CuO
を金属元素の原子数比 (Tm：Ba：Cu) が１：２：３にな
るように調合し、大気中で 800℃×24時間の仮焼を行
い、粉砕し、再び同じ条件で仮焼した。
を金属元素の原子数比 (Tm：Ba：Cu) が１：２：３にな
るように調合し、大気中で 800℃×24時間の仮焼を行
い、粉砕し、再び同じ条件で仮焼した。
【００２５】得られた仮焼体を粉砕し、有機溶媒に混
ぜ、銀テープに塗布した。有機溶媒としては、エタノー
ルにＰＶＢ（ポリビニルブチラール）を混ぜたものを使
用し、銀テープは、厚さ50μm で幅５mm、長さ10cmのも
のを用いた。
ぜ、銀テープに塗布した。有機溶媒としては、エタノー
ルにＰＶＢ（ポリビニルブチラール）を混ぜたものを使
用し、銀テープは、厚さ50μm で幅５mm、長さ10cmのも
のを用いた。
【００２６】図１に、熱処理の雰囲気の酸素分圧および
保持温度を変えたときの超伝導テープの臨界電流密度(J
c)の変化を示す。試料はいずれも保持温度 (図１に示す
920℃、930 ℃、940 ℃、945 ℃および 950℃) まで50
℃/hで加熱し、10分間保持したのち、４℃/hで 850℃ま
で調整冷却し、その後室温まで炉冷した。雰囲気はアル
ゴンと酸素の混合ガスとし、その混合比を変えて酸素分
圧を変化させた。
保持温度を変えたときの超伝導テープの臨界電流密度(J
c)の変化を示す。試料はいずれも保持温度 (図１に示す
920℃、930 ℃、940 ℃、945 ℃および 950℃) まで50
℃/hで加熱し、10分間保持したのち、４℃/hで 850℃ま
で調整冷却し、その後室温まで炉冷した。雰囲気はアル
ゴンと酸素の混合ガスとし、その混合比を変えて酸素分
圧を変化させた。
【００２７】なお、Ｙ系超伝導体材料は、TmBa2Cu3O7に
限らず、いずれも高温で結晶成長させた場合には半導体
となり、室温まで冷却する過程で酸素を吸収して超伝導
体になることが知られている。この半導体相から超伝導
体相への相転移を完全に行わせるために、すべての試料
を室温まで炉冷した後、酸素中、400 ℃で２日間保持し
た。臨界電流密度の測定は、77Ｋで４端子法を用いて行
った。
限らず、いずれも高温で結晶成長させた場合には半導体
となり、室温まで冷却する過程で酸素を吸収して超伝導
体になることが知られている。この半導体相から超伝導
体相への相転移を完全に行わせるために、すべての試料
を室温まで炉冷した後、酸素中、400 ℃で２日間保持し
た。臨界電流密度の測定は、77Ｋで４端子法を用いて行
った。
【００２８】図１は、上記の測定結果をグラフにしたも
のである。図示のとおり、保持温度が 940℃で、酸素分
圧が0.01気圧のときに、最も高い臨界電流密度が得られ
た。
のである。図示のとおり、保持温度が 940℃で、酸素分
圧が0.01気圧のときに、最も高い臨界電流密度が得られ
た。
【００２９】945℃では、電流密度の最高値は、 940℃
の場合の値より小さくなり、また、そのときの酸素分圧
は0.03気圧であり、 940℃の場合より高くなっている。
の場合の値より小さくなり、また、そのときの酸素分圧
は0.03気圧であり、 940℃の場合より高くなっている。
【００３０】保持温度が 950℃の場合は、電流密度のピ
ークは0.03気圧にあるが、その値は15000 Ａ/cm2よりも
小さい。また、保持温度が 940℃より低くなると、ピー
クとなる酸素分圧は 940℃の場合よりも低くなり、電流
密度の値は 940℃の場合より小さくなる。保持温度が 9
20℃では、臨界電流密度が 15000Ａ/cm2以下の線材しか
得られない。
ークは0.03気圧にあるが、その値は15000 Ａ/cm2よりも
小さい。また、保持温度が 940℃より低くなると、ピー
クとなる酸素分圧は 940℃の場合よりも低くなり、電流
密度の値は 940℃の場合より小さくなる。保持温度が 9
20℃では、臨界電流密度が 15000Ａ/cm2以下の線材しか
得られない。
【００３１】以上、図１から、酸素分圧が 0.003気圧以
上で0.03気圧以下、保持温度が 930℃以上で 945℃以下
の場合に、臨界電流密度が 15000Ａ/cm2以上の線材が得
られることがわかる。
上で0.03気圧以下、保持温度が 930℃以上で 945℃以下
の場合に、臨界電流密度が 15000Ａ/cm2以上の線材が得
られることがわかる。
【００３２】図２は、調整冷却を終了する温度の影響を
みた試験結果である。即ち、酸素分圧が0.01気圧の雰囲
気中で 940℃に10分間保持した後、４℃/hの冷却速度で
850℃から920 ℃までの種々の温度まで冷却し、その
後、炉冷した場合の臨界電流密度の変化を示している。
みた試験結果である。即ち、酸素分圧が0.01気圧の雰囲
気中で 940℃に10分間保持した後、４℃/hの冷却速度で
850℃から920 ℃までの種々の温度まで冷却し、その
後、炉冷した場合の臨界電流密度の変化を示している。
【００３３】調整冷却を終了する温度が 900℃以下であ
れば、15000 Ａ/cm2以上の高い電流密度が得られてい
る。880 ℃以下であれば電流密度は顕著に増加し、しか
もその値はあまり変化しないことがわかる。
れば、15000 Ａ/cm2以上の高い電流密度が得られてい
る。880 ℃以下であれば電流密度は顕著に増加し、しか
もその値はあまり変化しないことがわかる。
【００３４】図３は、調整冷却における冷却速度の影響
を調べた結果を示すものである。即ち、酸素分圧が0.01
気圧の雰囲気中で 940℃に10分間保持した後、 850℃ま
で冷却したときの冷却速度と臨界電流密度の関係を示
す。図示のとおり、その冷却速度が 0.1℃/h〜10℃/hの
範囲にあるとき 15000Ａ/cm2以上の臨界電流密度が得ら
れている。
を調べた結果を示すものである。即ち、酸素分圧が0.01
気圧の雰囲気中で 940℃に10分間保持した後、 850℃ま
で冷却したときの冷却速度と臨界電流密度の関係を示
す。図示のとおり、その冷却速度が 0.1℃/h〜10℃/hの
範囲にあるとき 15000Ａ/cm2以上の臨界電流密度が得ら
れている。
【００３５】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、臨界電流密
度が 15000Ａ/cm2以上で、例えば、ＥＣＲプラズマ発生
用のコイル等に実用化が可能なTmBa2Cu3O7-xの組成の超
伝導線材が比較的容易に製造できる。
度が 15000Ａ/cm2以上で、例えば、ＥＣＲプラズマ発生
用のコイル等に実用化が可能なTmBa2Cu3O7-xの組成の超
伝導線材が比較的容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】TmBa2Cu3O7-x超伝導線材の部分溶融加熱温度お
よびその雰囲気 (酸素分圧) と臨界電流密度(Jc)との関
係を示す図である。
よびその雰囲気 (酸素分圧) と臨界電流密度(Jc)との関
係を示す図である。
【図２】同じく、調整冷却終了温度と臨界電流密度(Jc)
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図３】同じく、調整冷却時の冷却速度と臨界電流密度
(Jc)との関係を示す図である。
(Jc)との関係を示す図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 12/04 ＺＡＡ
Claims (1)
- 【請求項１】Tm、BaおよびCuの酸化物、炭酸塩、硝酸塩
または塩化物の各粉末をTm：Ba：Cu＝１：２：３になる
ように調合した混合粉末を銀テープに塗布するかまたは
銀シースに充填し、加工して線材となし、プレスまたは
圧延によってテープ状線材とした後、酸素分圧が 0.003
〜0.03気圧の雰囲気中で一旦 930〜945 ℃の温度まで加
熱した後、少なくとも 900℃までは毎時 0.1〜10℃の冷
却速度で冷却することを特徴とするTmBa2Cu3O7-x超伝導
線材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6134175A JPH087680A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 酸化物超伝導線材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6134175A JPH087680A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 酸化物超伝導線材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087680A true JPH087680A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15122202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6134175A Pending JPH087680A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 酸化物超伝導線材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087680A (ja) |
-
1994
- 1994-06-16 JP JP6134175A patent/JPH087680A/ja active Pending
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