JPH0877626A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0877626A JPH0877626A JP6211104A JP21110494A JPH0877626A JP H0877626 A JPH0877626 A JP H0877626A JP 6211104 A JP6211104 A JP 6211104A JP 21110494 A JP21110494 A JP 21110494A JP H0877626 A JPH0877626 A JP H0877626A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、大きな初期化磁場及び再生磁場を
使用せずに現行の光磁気ディスク装置で記録された情報
の再生ができ、再生パワーが上がっても記録マークの転
写領域が広がることなく、高い再生分解能を保つことの
できる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 光磁気記録媒体は透明基板と、透明基板上に
積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁
性再生層と、磁性再生層上に積層された非磁性中間層
と、非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁
化容易方向を有する磁性記録層とを含んでいる。再生レ
ーザビームが照射されたとき、ビームスポット内にＨｃ
＞Ｈｓ及びＨｃ＞Ｈｒの低温領域と、Ｈｓ＞Ｈｃ及びＨ
ｓ＋Ｈｃ＞Ｈｒの中間温度領域と、Ｈｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの
高温領域とから成る温度分布が形成される。ここで、Ｈ
ｃは再生層の保磁力、Ｈｓは再生層と記録層の間の静磁
結合力、Ｈｒは再生磁場である。低温領域と高温領域に
垂直磁化マスクが形成され、中間温度領域で記録層の磁
化が静磁結合により再生層に転写される。
使用せずに現行の光磁気ディスク装置で記録された情報
の再生ができ、再生パワーが上がっても記録マークの転
写領域が広がることなく、高い再生分解能を保つことの
できる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 光磁気記録媒体は透明基板と、透明基板上に
積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁
性再生層と、磁性再生層上に積層された非磁性中間層
と、非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁
化容易方向を有する磁性記録層とを含んでいる。再生レ
ーザビームが照射されたとき、ビームスポット内にＨｃ
＞Ｈｓ及びＨｃ＞Ｈｒの低温領域と、Ｈｓ＞Ｈｃ及びＨ
ｓ＋Ｈｃ＞Ｈｒの中間温度領域と、Ｈｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの
高温領域とから成る温度分布が形成される。ここで、Ｈ
ｃは再生層の保磁力、Ｈｓは再生層と記録層の間の静磁
結合力、Ｈｒは再生磁場である。低温領域と高温領域に
垂直磁化マスクが形成され、中間温度領域で記録層の磁
化が静磁結合により再生層に転写される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度光磁気記録媒体に
関する。光磁気ディスクは高密度記録媒体として知られ
ているが、情報量の増大に伴いさらなる高密度化が要望
されている。高密度化は記録マークの間隔を詰めること
によって実現できるが、その記録、再生は媒体上の光ビ
ームの大きさ（ビームスポット）によって制限される。
関する。光磁気ディスクは高密度記録媒体として知られ
ているが、情報量の増大に伴いさらなる高密度化が要望
されている。高密度化は記録マークの間隔を詰めること
によって実現できるが、その記録、再生は媒体上の光ビ
ームの大きさ（ビームスポット）によって制限される。
【０００２】ビームスポット内に一つの記録マークしか
存在しないように設定した場合、記録マークがあるかな
いかによって“１”，“０”に対応する出力波形が再生
信号として観測できる。
存在しないように設定した場合、記録マークがあるかな
いかによって“１”，“０”に対応する出力波形が再生
信号として観測できる。
【０００３】しかし、記録マークの間隔を詰めてビーム
スポット内に複数個存在するようにすると、媒体上のビ
ームスポットが移動しても再生出力に変化が生じないた
め、出力波形は直線となって記録マークの有り無しを識
別できなくなる。
スポット内に複数個存在するようにすると、媒体上のビ
ームスポットが移動しても再生出力に変化が生じないた
め、出力波形は直線となって記録マークの有り無しを識
別できなくなる。
【０００４】このようなビームスポット以下の周期を持
つ小さな記録マークを再生するためには、ビームスポッ
トを小さく絞ればよいが、ビームスポットの大きさは光
源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとで制約され、十
分に小さく絞ることはできない。
つ小さな記録マークを再生するためには、ビームスポッ
トを小さく絞ればよいが、ビームスポットの大きさは光
源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとで制約され、十
分に小さく絞ることはできない。
【０００５】
【従来の技術】最近、現行の光学系をそのまま利用して
ビームスポット以下の記録マークを再生する磁気誘導超
解像技術を利用した再生方法が提案されている。これ
は、ビームスポット内の一つのマークを再生していると
き他のマークをマスクすることで再生分解能を上げる再
生方法である。
ビームスポット以下の記録マークを再生する磁気誘導超
解像技術を利用した再生方法が提案されている。これ
は、ビームスポット内の一つのマークを再生していると
き他のマークをマスクすることで再生分解能を上げる再
生方法である。
【０００６】このため超解像ディスク媒体には、マーク
を記録するための記録層以外に信号再生時に一つのマー
クのみが再生されるように他のマークを隠しておくため
のマスク層又は再生層が最低必要となる。
を記録するための記録層以外に信号再生時に一つのマー
クのみが再生されるように他のマークを隠しておくため
のマスク層又は再生層が最低必要となる。
【０００７】特開平３−９３０５８号は、共に垂直磁化
膜から成る再生層と記録層との間に非磁性中間層を挿入
した光磁気記録媒体で再生分解能を上げる方法を開示し
ている。しかし、この公開公報に記載された再生方法で
は、再生パワーを上げると記録マーク転写領域が広が
り、再生出力が低下する問題がある。また、特開平４−
２７１０３９号は、再生層と記録層の間に磁性中間層を
介在させた媒体を使用してビームスポット内に２つのマ
スク領域を形成し、再生パワーが上がっても高分解能を
維持し再生出力が低下しない情報の再生方法を開示して
いる。
膜から成る再生層と記録層との間に非磁性中間層を挿入
した光磁気記録媒体で再生分解能を上げる方法を開示し
ている。しかし、この公開公報に記載された再生方法で
は、再生パワーを上げると記録マーク転写領域が広が
り、再生出力が低下する問題がある。また、特開平４−
２７１０３９号は、再生層と記録層の間に磁性中間層を
介在させた媒体を使用してビームスポット内に２つのマ
スク領域を形成し、再生パワーが上がっても高分解能を
維持し再生出力が低下しない情報の再生方法を開示して
いる。
【０００８】しかし、この公開公報に記載された情報の
再生方法では、情報を媒体に記録後に数キロエルステッ
ド（ｋＯｅ）の初期化磁場を用いて再生層を初期化する
必要があると共に、ビームスポット内に２つのマスク領
域を形成するために２００エルステッド（Ｏｅ）以上の
再生磁場を必要とする。
再生方法では、情報を媒体に記録後に数キロエルステッ
ド（ｋＯｅ）の初期化磁場を用いて再生層を初期化する
必要があると共に、ビームスポット内に２つのマスク領
域を形成するために２００エルステッド（Ｏｅ）以上の
再生磁場を必要とする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、再生
層と記録層の間に非磁性中間層を介在させ、記録層に記
録された情報を静磁結合により再生層に転写する従来の
磁気超解像光磁気ディスク媒体では、再生パワーが上が
ると再生出力が低下するという問題があった。
層と記録層の間に非磁性中間層を介在させ、記録層に記
録された情報を静磁結合により再生層に転写する従来の
磁気超解像光磁気ディスク媒体では、再生パワーが上が
ると再生出力が低下するという問題があった。
【００１０】また、再生出力を低下させないようなマス
クをビームスポット内に形成するためには磁性中間層を
再生層と記録層の間に介在させる必要があり、更に２０
０Ｏｅ以上の再生磁場と、数ｋＯｅの初期化磁場を必要
とした。
クをビームスポット内に形成するためには磁性中間層を
再生層と記録層の間に介在させる必要があり、更に２０
０Ｏｅ以上の再生磁場と、数ｋＯｅの初期化磁場を必要
とした。
【００１１】しかし、現在使用されている通常の光磁気
ディスク装置では再生時には磁場は印加されないため、
通常の光磁気ディスク装置ではこの光磁気ディスク媒体
に記録された情報を再生できないという問題があった。
ディスク装置では再生時には磁場は印加されないため、
通常の光磁気ディスク装置ではこの光磁気ディスク媒体
に記録された情報を再生できないという問題があった。
【００１２】よって本発明の目的は、再生パワーが上昇
しても再生出力の低下がない光磁気記録媒体を提供する
ことである。本発明の他の目的は、小さな初期化磁場及
び小さな再生磁場を印加するだけで高分解能を実現でき
る光磁気記録媒体を提供することである。
しても再生出力の低下がない光磁気記録媒体を提供する
ことである。本発明の他の目的は、小さな初期化磁場及
び小さな再生磁場を印加するだけで高分解能を実現でき
る光磁気記録媒体を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によると、透明基
板と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁
化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積
層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層され
た膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層
とを具備し、前記磁性再生層の保磁力をＨｃ、前記磁性
記録層の保磁力と前記磁性再生層との間の静磁結合力を
Ｈｓ、再生磁場をＨｒとするとき、再生レーザビームが
照射されたときビームスポット内にＨｃ＞Ｈｓ及びＨｃ
＞Ｈｒの低温領域と、Ｈｓ＞Ｈｃ及びＨｓ＋Ｈｃ＞Ｈｒ
の中間温度領域と、Ｈｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの高温領域と、か
ら成る温度分布が形成される光磁気記録媒体が提供され
る。
板と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁
化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積
層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層され
た膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層
とを具備し、前記磁性再生層の保磁力をＨｃ、前記磁性
記録層の保磁力と前記磁性再生層との間の静磁結合力を
Ｈｓ、再生磁場をＨｒとするとき、再生レーザビームが
照射されたときビームスポット内にＨｃ＞Ｈｓ及びＨｃ
＞Ｈｒの低温領域と、Ｈｓ＞Ｈｃ及びＨｓ＋Ｈｃ＞Ｈｒ
の中間温度領域と、Ｈｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの高温領域と、か
ら成る温度分布が形成される光磁気記録媒体が提供され
る。
【００１４】好ましくは、磁性再生層はＧｄの含有量が
２３ａｔ％〜２５ａｔ％のＧｄＦｅＣｏ非晶質合金膜か
ら構成される。
２３ａｔ％〜２５ａｔ％のＧｄＦｅＣｏ非晶質合金膜か
ら構成される。
【００１５】
【作用】再生ビームスポット内の低温領域では再生層の
磁化が初期化磁場方向を保持しているマスクが形成さ
れ、高温領域では再生層の磁化を再生磁場方向に揃えた
マスクが形成され、２つのマスクの間の中間温度領域で
記録層の磁化が静磁結合により再生層に転写される。
磁化が初期化磁場方向を保持しているマスクが形成さ
れ、高温領域では再生層の磁化を再生磁場方向に揃えた
マスクが形成され、２つのマスクの間の中間温度領域で
記録層の磁化が静磁結合により再生層に転写される。
【００１６】このように再生ビームスポット内に２つの
マスクを形成したことにより、再生パワー上昇による再
生特性の劣化を防止できる。また、静磁結合を利用して
記録層の磁化を再生層に転写するため、大きな初期化磁
場及び再生磁場を必要とせずにビームスポット内に２つ
のマスク領域を形成でき、再生パワーが上昇しても高い
再生分解能を維持できる。
マスクを形成したことにより、再生パワー上昇による再
生特性の劣化を防止できる。また、静磁結合を利用して
記録層の磁化を再生層に転写するため、大きな初期化磁
場及び再生磁場を必要とせずにビームスポット内に２つ
のマスク領域を形成でき、再生パワーが上昇しても高い
再生分解能を維持できる。
【００１７】
【実施例】まず図１を参照して、本発明実施例の光磁気
記録媒体の構成を説明する。１２は光磁気記録媒体であ
り、通常はディスク形状をしている。ガラス等の透明基
板１４上に例えばスパッタリングによりＳｉＮ等からな
る下地層１６が積層されている。下地層１６はその上に
積層される磁性層の酸化及び腐食を防止する。
記録媒体の構成を説明する。１２は光磁気記録媒体であ
り、通常はディスク形状をしている。ガラス等の透明基
板１４上に例えばスパッタリングによりＳｉＮ等からな
る下地層１６が積層されている。下地層１６はその上に
積層される磁性層の酸化及び腐食を防止する。
【００１８】透明基板１４としては、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の樹脂が採用可能である。また、下地層１６と
しては、ＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3
等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可能で
ある。
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の樹脂が採用可能である。また、下地層１６と
しては、ＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3
等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可能で
ある。
【００１９】下地層１６上にはＧｄＦｅＣｏ等の希土類
−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１８
が積層されている。磁性再生層１８は、膜面に対して垂
直の磁化容易方向を有する垂直磁化膜である。
−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１８
が積層されている。磁性再生層１８は、膜面に対して垂
直の磁化容易方向を有する垂直磁化膜である。
【００２０】磁性再生層１８上にはＳｉＮ等から形成さ
れた非磁性中間層２０が積層されている。非磁性中間層
２０としてはＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可
能である。
れた非磁性中間層２０が積層されている。非磁性中間層
２０としてはＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可
能である。
【００２１】非磁性中間層２０上にはＴｂＦｅＣｏ等の
希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性記録
層２２が積層されている。磁性記録層２２は膜面に対し
て垂直の磁化容易方向を有している。
希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性記録
層２２が積層されている。磁性記録層２２は膜面に対し
て垂直の磁化容易方向を有している。
【００２２】磁性再生層１８と磁性記録層２２との間に
非磁性中間層２０が介装されているため、磁性再生層１
８と磁性記録層２２との間の交換結合作用は完全に遮断
される。
非磁性中間層２０が介装されているため、磁性再生層１
８と磁性記録層２２との間の交換結合作用は完全に遮断
される。
【００２３】非磁性中間層２０は、再生ビームパワーで
昇温される所定温度領域で、磁性記録層２２と磁性再生
層１８との間の静磁結合を許容するのに十分な薄さであ
る必要がある。具体的には、非磁性中間層２０は１ｎｍ
〜１０ｎｍの範囲内の厚さであるのが望ましい。
昇温される所定温度領域で、磁性記録層２２と磁性再生
層１８との間の静磁結合を許容するのに十分な薄さであ
る必要がある。具体的には、非磁性中間層２０は１ｎｍ
〜１０ｎｍの範囲内の厚さであるのが望ましい。
【００２４】磁性記録層２２上には保護層２４が積層さ
れて光磁気記録媒体１２が完成する。この保護層２４
は、空気中からの水や酸素或いはハロゲン元素のような
物質の侵入を防止し、磁性記録層２２を保護する目的で
設けられる。
れて光磁気記録媒体１２が完成する。この保護層２４
は、空気中からの水や酸素或いはハロゲン元素のような
物質の侵入を防止し、磁性記録層２２を保護する目的で
設けられる。
【００２５】保護層２４は、ＳｉＮ，ＡｌＮ等の金属窒
化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びＺｎＳ
等の金属硫化物から形成される。図２は、再生層１８の
保磁力Ｈｃ，再生層１８と記録層２２との間の静磁結合
力Ｈｓ，再生層１８の保磁力と静磁結合の和（Ｈｃ＋Ｈ
ｓ）及び再生磁場Ｈｒを温度に対して示したものであ
る。
化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びＺｎＳ
等の金属硫化物から形成される。図２は、再生層１８の
保磁力Ｈｃ，再生層１８と記録層２２との間の静磁結合
力Ｈｓ，再生層１８の保磁力と静磁結合の和（Ｈｃ＋Ｈ
ｓ）及び再生磁場Ｈｒを温度に対して示したものであ
る。
【００２６】低温領域Ａは、再生層１８の保磁力Ｈｃが
静磁結合力Ｈｓよりも大きいことを示している。即ち、
再生層１８の磁化を一方向に初期化しておけば記録層２
２の磁化方向によらずその状態を保持している領域であ
る。
静磁結合力Ｈｓよりも大きいことを示している。即ち、
再生層１８の磁化を一方向に初期化しておけば記録層２
２の磁化方向によらずその状態を保持している領域であ
る。
【００２７】中間温度領域Ｂは、静磁結合力Ｈｓの方が
再生層１８の保磁力Ｈｃよりも大きくなり、且つＨｓ＋
Ｈｃが再生磁場Ｈｒよりも大きくなることを示してい
る。即ち、中間温度領域Ｂは再生層１８の磁化方向を静
磁結合力によって反転させ、記録層２２の磁化を再生層
１８に転写できる領域である。
再生層１８の保磁力Ｈｃよりも大きくなり、且つＨｓ＋
Ｈｃが再生磁場Ｈｒよりも大きくなることを示してい
る。即ち、中間温度領域Ｂは再生層１８の磁化方向を静
磁結合力によって反転させ、記録層２２の磁化を再生層
１８に転写できる領域である。
【００２８】しかし、再生層１８の磁化方向が再生磁場
Ｈｒ方向に揃えられてはいけないため、Ｈｓ＋Ｈｃ＞Ｈ
ｒの条件も同時に満足しなければならない。高温領域Ｃ
では、Ｈｃ＋Ｈｓ＜Ｈｒとなり、再生層１８の磁化方向
が再生磁場Ｈｒ方向に揃えられることを示している。
Ｈｒ方向に揃えられてはいけないため、Ｈｓ＋Ｈｃ＞Ｈ
ｒの条件も同時に満足しなければならない。高温領域Ｃ
では、Ｈｃ＋Ｈｓ＜Ｈｒとなり、再生層１８の磁化方向
が再生磁場Ｈｒ方向に揃えられることを示している。
【００２９】情報の記録時には、バイアス磁場を例えば
上向きにして、記録層２２のキュリー温度付近まで昇温
する。これにより、記録層２２の磁化方向は上向きとな
る。記録層２２の磁化方向は静磁結合により再生層１８
に転写され、再生層１８の磁化方向は上向きとなる。従
って、記録パワーが照射された領域では、記録層２２及
び再生層１８の磁化は上方向を向く。
上向きにして、記録層２２のキュリー温度付近まで昇温
する。これにより、記録層２２の磁化方向は上向きとな
る。記録層２２の磁化方向は静磁結合により再生層１８
に転写され、再生層１８の磁化方向は上向きとなる。従
って、記録パワーが照射された領域では、記録層２２及
び再生層１８の磁化は上方向を向く。
【００３０】記録データがない領域（即ち再生パワーに
相当するパワーが照射された領域）では、記録層２２及
び再生層１８の磁化方向はデータ消去方向、即ち下向き
となる。記録時のバイアス磁場の強さは５００Ｏｅ以下
で十分である。
相当するパワーが照射された領域）では、記録層２２及
び再生層１８の磁化方向はデータ消去方向、即ち下向き
となる。記録時のバイアス磁場の強さは５００Ｏｅ以下
で十分である。
【００３１】次に図３を参照して、光磁気記録媒体に記
録された情報の再生方法について説明する。まず、再生
に先立ち、初期化磁場を下向きに印加して、再生層１８
の磁化方向を下向きに揃える。このとき初期化磁場の強
さは、再生層１８の保磁力が小さいため、５００Ｏｅ以
下で十分である。
録された情報の再生方法について説明する。まず、再生
に先立ち、初期化磁場を下向きに印加して、再生層１８
の磁化方向を下向きに揃える。このとき初期化磁場の強
さは、再生層１８の保磁力が小さいため、５００Ｏｅ以
下で十分である。
【００３２】図３（Ａ）において、記録媒体のトラック
２４上には複数のマーク２５が記録されている。図３
（Ｂ）において、記録媒体１２は矢印Ｒ方向に回転して
いる。媒体のトラック２４に再生用のレーザビーム２６
を照射すると、トラック２４上にビームスポット２８が
形成される。媒体１２が矢印Ｒ方向に回転しているた
め、ビームスポット２８内には低温領域Ａと、中間温度
領域Ｂと、高温領域Ｃとが形成される。
２４上には複数のマーク２５が記録されている。図３
（Ｂ）において、記録媒体１２は矢印Ｒ方向に回転して
いる。媒体のトラック２４に再生用のレーザビーム２６
を照射すると、トラック２４上にビームスポット２８が
形成される。媒体１２が矢印Ｒ方向に回転しているた
め、ビームスポット２８内には低温領域Ａと、中間温度
領域Ｂと、高温領域Ｃとが形成される。
【００３３】これらの温度領域は図２の３つの温度領域
に対応している。低温領域Ａでは、再生層１８の保磁力
Ｈｃよりも再生層１８と記録層２２との間の静磁結合力
Ｈｓの方が小さいので、再生層１８の磁化は初期化した
磁化方向を保持しており、マスクを形成する。
に対応している。低温領域Ａでは、再生層１８の保磁力
Ｈｃよりも再生層１８と記録層２２との間の静磁結合力
Ｈｓの方が小さいので、再生層１８の磁化は初期化した
磁化方向を保持しており、マスクを形成する。
【００３４】中間温度領域Ｂでは、静磁結合力Ｈｓが再
生層１８の保磁力Ｈｃを超えるため、記録層２２の磁化
が再生層１８に転写される。下向きに印加した再生用の
バイアス磁場をＨｒとすると、高温領域Ｃでは、静磁結
合力Ｈｓと再生層１８の保磁力Ｈｃの和よりも再生磁場
Ｈｒの方が大きくなるため、再生層１８の磁化は再生磁
場方向に揃えられマスクを形成する。
生層１８の保磁力Ｈｃを超えるため、記録層２２の磁化
が再生層１８に転写される。下向きに印加した再生用の
バイアス磁場をＨｒとすると、高温領域Ｃでは、静磁結
合力Ｈｓと再生層１８の保磁力Ｈｃの和よりも再生磁場
Ｈｒの方が大きくなるため、再生層１８の磁化は再生磁
場方向に揃えられマスクを形成する。
【００３５】再生パワーの上昇に伴って、低温マスク領
域Ａは縮小するが、同時に再生磁場方向に揃えられた高
温マスク領域Ｃが大きくなるため、中間温度領域、即ち
記録マーク転写領域Ｂは実質的に殆ど変化しないため、
再生パワーが上昇しても再生出力が低下することはな
い。
域Ａは縮小するが、同時に再生磁場方向に揃えられた高
温マスク領域Ｃが大きくなるため、中間温度領域、即ち
記録マーク転写領域Ｂは実質的に殆ど変化しないため、
再生パワーが上昇しても再生出力が低下することはな
い。
【００３６】ここで、再生磁場Ｈｒは再生層１８の保磁
力Ｈｃ及び再生層１８と記録層２２との間の静磁結合力
Ｈｓが共に小さいため、１００Ｏｅ以内で十分であり、
光磁気ディスク装置の光学ヘッドからの漏洩磁場を利用
することができる。これを図４を参照して説明する。
力Ｈｃ及び再生層１８と記録層２２との間の静磁結合力
Ｈｓが共に小さいため、１００Ｏｅ以内で十分であり、
光磁気ディスク装置の光学ヘッドからの漏洩磁場を利用
することができる。これを図４を参照して説明する。
【００３７】対物レンズアクチュエータ３４はヨークベ
ース３６上に設けられた２個のヨーク３８，４０と、各
ヨークに設けられた２個の永久磁石４２，４４を有して
いる。
ース３６上に設けられた２個のヨーク３８，４０と、各
ヨークに設けられた２個の永久磁石４２，４４を有して
いる。
【００３８】対物レンズアクチュエータ３４は更に、対
物レンズ４６のフォーカシングを行う図示しないフォー
カシングコイルと、トラッキングを行う図示しないトラ
ッキングコイルとを含んでいる。
物レンズ４６のフォーカシングを行う図示しないフォー
カシングコイルと、トラッキングを行う図示しないトラ
ッキングコイルとを含んでいる。
【００３９】光磁気ディスク１２と永久磁石４２，４４
とは非常に近くに配置されているため、永久磁石４２，
４４から漏洩した磁力線４８が光磁気ディスク１２にも
影響を及ぼす。よって、再生層１８の保磁力Ｈｃが非常
に小さい場合には、永久磁石４２，４４から漏洩した磁
場を再生磁場として利用することができる。
とは非常に近くに配置されているため、永久磁石４２，
４４から漏洩した磁力線４８が光磁気ディスク１２にも
影響を及ぼす。よって、再生層１８の保磁力Ｈｃが非常
に小さい場合には、永久磁石４２，４４から漏洩した磁
場を再生磁場として利用することができる。
【００４０】ビームスポット２８内に高温領域Ｃを形成
するためには、再生層１８の保磁力Ｈｃが図２に示した
ように高温で小さくならなければならない。このために
は、再生層１８として遷移金属磁化優勢（ＴＭリッチ）
の希土類−遷移金属非晶質合金膜を用いることが望まし
い。
するためには、再生層１８の保磁力Ｈｃが図２に示した
ように高温で小さくならなければならない。このために
は、再生層１８として遷移金属磁化優勢（ＴＭリッチ）
の希土類−遷移金属非晶質合金膜を用いることが望まし
い。
【００４１】また、中間温度領域Ｂでも再生層１８の保
磁力Ｈｃが大きすぎると記録層２２の磁化を転写できな
くなるので、この領域でも再生層１８の保磁力Ｈｃは小
さいほうがよい。
磁力Ｈｃが大きすぎると記録層２２の磁化を転写できな
くなるので、この領域でも再生層１８の保磁力Ｈｃは小
さいほうがよい。
【００４２】しかし、低温領域Ａでは、静磁結合力Ｈｓ
よりも再生層１８の保磁力Ｈｃが小さいとマスクを形成
できなくなるため、再生層１８の保磁力Ｈｃは大きいほ
うがよい。
よりも再生層１８の保磁力Ｈｃが小さいとマスクを形成
できなくなるため、再生層１８の保磁力Ｈｃは大きいほ
うがよい。
【００４３】更に、情報信号再生時に大きな再生出力を
得るためには、カー回転角の大きな材料を用いることが
望ましい。以上の点を考慮すると、再生層１８として室
温付近に補償温度を持つＧｄＦｅＣｏ膜を用いることが
望ましい。
得るためには、カー回転角の大きな材料を用いることが
望ましい。以上の点を考慮すると、再生層１８として室
温付近に補償温度を持つＧｄＦｅＣｏ膜を用いることが
望ましい。
【００４４】特に室温での保磁力Ｈｃが５００Ｏｅ以内
であれば従来のような強い初期化磁場を必要とせず、ま
た再生磁場が１００Ｏｅ以内で高温のマスクが形成でき
るように再生層１８の保磁力Ｈｃを設定すれば、光学ヘ
ッドの漏洩磁場をそのまま再生磁場として利用できるこ
とから、再生層１８の組成を以下のようにするのが望ま
しい。
であれば従来のような強い初期化磁場を必要とせず、ま
た再生磁場が１００Ｏｅ以内で高温のマスクが形成でき
るように再生層１８の保磁力Ｈｃを設定すれば、光学ヘ
ッドの漏洩磁場をそのまま再生磁場として利用できるこ
とから、再生層１８の組成を以下のようにするのが望ま
しい。
【００４５】Ｇｄx Ｆｅy Ｃｏ1-x-y ０．２３≦Ｘ≦０．２５ Ｇｄの含有量の適正値を図５を用いて説明する。図５は
ＧｄＦｅＣｏ単層膜のＧｄ量に対する保磁力Ｈｃの温度
依存性を示している。
ＧｄＦｅＣｏ単層膜のＧｄ量に対する保磁力Ｈｃの温度
依存性を示している。
【００４６】Ｇｄ量が２５％を超えると保磁力Ｈｃが大
きくなりすぎ５００Ｏｅ程度の磁場で初期化できなくな
る。また、高温でも１００Ｏｅ程度の再生磁場でマスク
を形成できなくなる。更に、Ｇｄの含有量が２７％を超
えると室温で面内磁化膜となるため、低温の垂直磁化マ
スクが形成できなくなる。このため、Ｇｄ量は２５％以
下が望ましい。
きくなりすぎ５００Ｏｅ程度の磁場で初期化できなくな
る。また、高温でも１００Ｏｅ程度の再生磁場でマスク
を形成できなくなる。更に、Ｇｄの含有量が２７％を超
えると室温で面内磁化膜となるため、低温の垂直磁化マ
スクが形成できなくなる。このため、Ｇｄ量は２５％以
下が望ましい。
【００４７】また、Ｇｄ量が２２％以下になると保磁力
が低下し、低温の垂直磁化マスクが形成できなくなる。
よって、Ｇｄ量は２３％以上が望ましい。 実施例１ ガラス基板１４上にＳｉＮ下地層１６、ＧｄＦｅＣｏ再
生層１８、ＳｉＮ中間層２０、ＴｂＦｅＣｏ記録層２２
及びＳｉＮ保護層２４をスパッタリングにより順次形成
した。
が低下し、低温の垂直磁化マスクが形成できなくなる。
よって、Ｇｄ量は２３％以上が望ましい。 実施例１ ガラス基板１４上にＳｉＮ下地層１６、ＧｄＦｅＣｏ再
生層１８、ＳｉＮ中間層２０、ＴｂＦｅＣｏ記録層２２
及びＳｉＮ保護層２４をスパッタリングにより順次形成
した。
【００４８】スパッタリングによる各層の形成は、到達
真空度５×１０-5Ｐａ以下の真空チャンバー内で、Ｓｉ
Ｎ層１６，２０，２４を作成する場合は、Ａｒガス圧
０．２Ｐａ、投入電力０．８ｋＷで行い、磁性層１８，
２２を作成する場合は、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投入電
力１．０ｋＷで行った。
真空度５×１０-5Ｐａ以下の真空チャンバー内で、Ｓｉ
Ｎ層１６，２０，２４を作成する場合は、Ａｒガス圧
０．２Ｐａ、投入電力０．８ｋＷで行い、磁性層１８，
２２を作成する場合は、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投入電
力１．０ｋＷで行った。
【００４９】磁性再生層１８の組成はＧｄ25Ｆｅ54Ｃｏ
21であり、磁性記録層２２の組成はＴｂ18Ｆｅ68Ｃｏ14
である。また各層１６，１８，２０，２２，２４の膜厚
は、それぞれ９０ｎｍ，４０ｎｍ，５ｎｍ，４０ｎｍ，
４５ｎｍである。
21であり、磁性記録層２２の組成はＴｂ18Ｆｅ68Ｃｏ14
である。また各層１６，１８，２０，２２，２４の膜厚
は、それぞれ９０ｎｍ，４０ｎｍ，５ｎｍ，４０ｎｍ，
４５ｎｍである。
【００５０】磁性再生層１８のキュリー温度は２５５°
Ｃ、補償温度は室温以下であり、磁性記録層２２のキュ
リー温度は２５０°Ｃ、補償温度は８０°Ｃであった。
図６は本実施例で作成したＧｄＦｅＣｏ単層膜の保磁力
Ｈｃの温度依存性を示している。
Ｃ、補償温度は室温以下であり、磁性記録層２２のキュ
リー温度は２５０°Ｃ、補償温度は８０°Ｃであった。
図６は本実施例で作成したＧｄＦｅＣｏ単層膜の保磁力
Ｈｃの温度依存性を示している。
【００５１】このように作成した五層膜を用いてマーク
長０．４μｍのビットを記録し、Ｃ／Ｎの再生パワー依
存性を測定した。記録再生条件は、線速９ｍ／ｓｅｃ、
記録パワー１３ｍＷ、発光デューティ比２５％である。
長０．４μｍのビットを記録し、Ｃ／Ｎの再生パワー依
存性を測定した。記録再生条件は、線速９ｍ／ｓｅｃ、
記録パワー１３ｍＷ、発光デューティ比２５％である。
【００５２】測定は、ビット記録後一度消去方向に３０
０Ｏｅの磁場を印加しながら再生パワー２ｍＷを照射し
て、再生層１８の初期化をしてから行った。また再生磁
場は、光学ヘッドからの漏洩磁場（約５０Ｏｅ）を利用
した。
０Ｏｅの磁場を印加しながら再生パワー２ｍＷを照射し
て、再生層１８の初期化をしてから行った。また再生磁
場は、光学ヘッドからの漏洩磁場（約５０Ｏｅ）を利用
した。
【００５３】測定の結果、４７ｄＢのＣ／Ｎが得られ、
再生パワーを３ｍＷまで増加しても、再生出力が低下し
ないことが確認された。
再生パワーを３ｍＷまで増加しても、再生出力が低下し
ないことが確認された。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、大きな初期化磁場及び
再生磁場を使用せずに現行の光磁気ディスク装置を使用
して、光磁気記録媒体に記録された情報を高い分解能で
磁気超解像再生をすることが可能である。また、再生パ
ワーが上がっても記録マークの転写領域が広がることな
く、高い再生分解能を保つことができるという効果を奏
する。
再生磁場を使用せずに現行の光磁気ディスク装置を使用
して、光磁気記録媒体に記録された情報を高い分解能で
磁気超解像再生をすることが可能である。また、再生パ
ワーが上がっても記録マークの転写領域が広がることな
く、高い再生分解能を保つことができるという効果を奏
する。
【図１】本発明実施例の光磁気記録媒体構成図である。
【図２】記録媒体の磁気特性を示す図である。
【図３】情報再生時のビームスポット内の温度分布と媒
体の磁化状態を示す図である。
体の磁化状態を示す図である。
【図４】レンズアクチュエータの漏洩磁場を説明する図
である。
である。
【図５】ＧｄＦｅＣｏ単層膜のＧｄ量に対する保磁力Ｈ
ｃの温度依存性を示す図である。
ｃの温度依存性を示す図である。
【図６】実施例１のＧｄＦｅＣｏ単層膜の保磁力Ｈｃの
温度依存性を示す図である。
温度依存性を示す図である。
１８ 磁性再生層 ２０ 非磁性中間層 ２２ 磁性記録層 ２５ 記録マーク（ビット） ２８ ビームスポット Ａ 低温領域 Ｂ 中間温度領域 Ｃ 高温領域
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板と、 該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易
方向を有する磁性再生層と、 該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、 該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化
容易方向を有する磁性記録層とを具備し、 前記磁性再生層の保磁力をＨｃ、前記磁性記録層の保磁
力と前記磁性再生層との間の静磁結合力をＨｓ、再生磁
場をＨｒとするとき、再生レーザビームが照射されたと
きビームスポット内にＨｃ＞Ｈｓ及びＨｃ＞Ｈｒの低温
領域と、 Ｈｓ＞Ｈｃ及びＨｓ＋Ｈｃ＞Ｈｒの中間温度領域と、 Ｈｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの高温領域と、 から成る温度分布が形成される光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記磁性再生層はＧｄx Ｆｅy Ｃｏ
1-x-y で表される非晶質合金膜から構成され、０．２３
≦Ｘ≦０．２５である請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記再生磁場Ｈｒは１００エルステッド
以下である請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記非磁性中間層はＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ及
びこれらの酸化物、窒化物から成る群から選択される物
質から構成される請求項１記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211104A JP2766198B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 光磁気記録媒体 |
| US08/454,504 US5627777A (en) | 1994-09-05 | 1995-05-30 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211104A JP2766198B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0877626A true JPH0877626A (ja) | 1996-03-22 |
| JP2766198B2 JP2766198B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=16600481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6211104A Expired - Fee Related JP2766198B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5627777A (ja) |
| JP (1) | JP2766198B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0821354A3 (en) * | 1996-07-23 | 2000-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method of reproducing information from the same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3429877B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体およびその再生方法並びに記録方法 |
| JP2000057646A (ja) | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Sony Corp | 光磁気記録媒体及び光磁気記録再生装置 |
| USD662491S1 (en) | 2005-09-02 | 2012-06-26 | Apple Inc. | Docking station |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2910084B2 (ja) * | 1989-09-06 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体における信号再生方法 |
| JP2574911B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1997-01-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JP2969963B2 (ja) * | 1990-12-28 | 1999-11-02 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体における信号再生方法 |
| JP2672895B2 (ja) * | 1991-01-16 | 1997-11-05 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH04355239A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 |
| JP2812817B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP6211104A patent/JP2766198B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-05-30 US US08/454,504 patent/US5627777A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0821354A3 (en) * | 1996-07-23 | 2000-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method of reproducing information from the same |
| US6463015B1 (en) | 1996-07-23 | 2002-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of reproducing information on a magneto-optical recording medium for achieving super resolution reproduction of high resolution recorded information |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5627777A (en) | 1997-05-06 |
| JP2766198B2 (ja) | 1998-06-18 |
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