JPH0877911A - ヒューズ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 過電流が流れた場合に、絶縁基板が短時間の
うちに完全に砕裂して、過電流の通電を確実に遮断でき
るヒューズ抵抗器を実現する。 【構成】 多数の微細な凹凸が存在する絶縁基板12の表
面の略中央部に、表面が平滑状の平滑体28を固着し、こ
れらの上に発熱抵抗体14を被着させることにより、発熱
抵抗体14の被着面の一部分を凹凸状と成して抵抗値が比
較的に高い高抵抗部分α1，α2を形成すると共に、被着
面の他の部分を平滑状と成して抵抗値が比較的に低い低
抵抗部分β1を形成した。 【効果】 過電流通電時には、絶縁基板12の表面の中、
高抵抗部分α1，α2と接する部分は極めて高温に加熱さ
れるのに対し、低抵抗部分β1と接する部分は低温で加
熱されるため、絶縁基板の熱歪みが促進される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、絶縁基板上に被着し
た発熱抵抗体の、過電流の通電による発熱作用によって
上記絶縁基板を砕裂させ、以て通電路である発熱抵抗体
を切断することにより、過電流の通電を遮断するよう構
成したヒューズ抵抗器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、過電流から電子回路素子等を保護
するための過電流遮断手段として、図１７に示すヒュー
ズ抵抗器60が用いられている。このヒューズ抵抗器60
は、アルミナやフォルステライト等の絶縁基板12の一面
に、酸化ルテニウム等の発熱抵抗体14を被着形成し、該
発熱抵抗体14の両側辺に取り出し用の電極パターン16，
16を被着接続し、該電極パターン16，16の下端に外部端
子18，18をハンダ20，20や導電性接着剤を介して接続し
て成る。また、絶縁基板の上辺12ａの中央部にはベース
型の上部切欠部24が、絶縁基板の下辺12ｂの中央部には
逆ベース型の下部切欠部26がそれぞれ形成されている。
さらに、上記発熱抵抗体14及び電極パターン16の表面に
は、沿面放電防止用のクロスオーバガラス22が被覆され
ている。

【０００３】このヒューズ抵抗器60は、上記外部端子1
8，18を介して、電子回路や回路素子に接続される。例
えば、図示は省略するが、電子機器に通じる通信ライン
や電源ライン等の線路に直列接続され、あるいは該線路
間に挿入接続されたガスアレスタ等に直列接続される。

【０００４】しかして、電子機器をその定格を上回る電
源へ誤接続した場合や、過電圧試験の実施等により、上
記線路に定格以上の過電圧が連続して印加された場合に
は、該過電圧の印加による過電流によって上記発熱抵抗
体14が発熱する。そして、この発熱作用によって絶縁基
板12は熱歪みを起こし、上部切欠部24の頂点24ａ及び下
部切欠部26の頂点26ａを結ぶ直線（イ）に沿って左右に
砕裂する。その結果、過電流の通路たる発熱抵抗体14自
身も切断されるため、連続過電流から上記電子機器或い
はガスアレスタ等が保護されるものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】したがって、過電流か
ら上記電子機器等を確実に保護するためには、上記発熱
抵抗体14に過電流が流れた際に、上記絶縁基板12が短時
間のうちに完全に砕裂する必要がある。ここで、絶縁基
板12の砕裂特性を向上させるには、先ず上記発熱抵抗体
14の抵抗値を高く設定し、その発熱量を増加させること
が考えられるが、発熱抵抗体14の抵抗値をあまり高く設
定すると、ヒューズ抵抗器60を上記線路に直列接続した
場合には電送損失が大きくなり、また、上記線路間に挿
入接続されたガスアレスタ等に直列接続した場合にはそ
の分高い電圧が電子機器側に加わることとなる。このた
め、発熱抵抗体14の抵抗値を高く設定して発熱量を増加
させることには、一定の限界がある。

【０００６】つぎに、絶縁基板12の材質や厚さを調節し
たり、あるいは図１８及びそのＤ−Ｄ’拡大部分断面図
である図１９に示すように、絶縁基板12の表面（発熱抵
抗体14形成面）に直線（イ）に沿って延びる断面略Ｖ字
型の溝62を形成することにより、絶縁基板12自体を割れ
易くすることも考えられるが、その分製造時及び使用時
において破損し易くなるため、これにも一定の限界があ
る。

【０００７】本発明は、上記した従来例の問題点に鑑み
てなされたものであり、発熱抵抗体の抵抗値を極端に高
く設定したり、絶縁基板を極端に割れ易くすることな
く、過電流が流れた場合には絶縁基板が短時間のうちに
完全に砕裂して、過電流の通電を確実に遮断することが
できるヒューズ抵抗器を実現することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るヒューズ抵抗器は、絶縁基板と、該絶
縁基板の少なくとも一面に被着された発熱抵抗体とを備
え、該発熱抵抗体に過電流が流れた場合に、その発熱作
用によって上記絶縁基板が加熱されて砕裂し、以て上記
発熱抵抗体が切断されて過電流の通電を遮断するよう構
成したヒューズ抵抗器において、上記発熱抵抗体が、比
較的に高い抵抗値を備えた高抵抗部分と、該高抵抗部分
よりも低い抵抗値を備えた低抵抗部分との結合体より成
るよう構成した。

【０００９】上記発熱抵抗体は、例えば、上記絶縁基板
の砕裂方向に沿って被着された一の高抵抗部分と、該高
抵抗部分の両側に結合された一対の低抵抗部分より成
る。あるいは、上記絶縁基板の砕裂方向に沿って被着さ
れた一の低抵抗部分と、該低抵抗部分の両側に結合され
た一対の高抵抗部分より成る。さらには、上記絶縁基板
の前面及び背面にそれぞれ発熱抵抗体を被着すると共
に、前面側の発熱抵抗体が、上記絶縁基板の砕裂方向に
沿って被着された一の高抵抗部分と、該高抵抗部分の両
側に結合された一対の低抵抗部分より成り、背面側の発
熱抵抗体が、上記絶縁基板の砕裂方向に沿って被着され
た一の低抵抗部分と、該低抵抗部分の両側に結合された
一対の高抵抗部分より成るよう構成してもよい。上記発
熱抵抗体の高抵抗部分は、例えば、その被着面の一部分
を凹凸状と成すことで形成され、また低抵抗部分は、上
記被着面の他の部分を平滑状と成すことで形成される。

【００１０】

【作用】全体的に均一の抵抗値を備えた発熱抵抗体を用
いる代わりに、上記のように高抵抗部分と低抵抗部分を
備えた発熱抵抗体を用いることにより、全体としての抵
抗値を増加させることなく、過電流通電時における絶縁
基板の砕裂を容易化することができる。すなわち、定格
以上の過電流が発熱抵抗体に流れると、その高抵抗部分
において比較的に高い発熱が生じ、当該高抵抗部分と接
触する絶縁基板の表面は高温に加熱される。これに対
し、発熱抵抗体の低抵抗部分においては、高抵抗部分に
比較して過電流通電時の発熱量が少なく、当該低抵抗部
分と接触する絶縁基板の表面はその分低温で加熱され
る。このように、絶縁基板の表面においては、比較的高
温に加熱される部分と比較的低温に加熱される部分とが
分布することとなり、この温度分布の不均一性によっ
て、絶縁基板の熱歪みが助長されるのである。このた
め、発熱抵抗体全体の抵抗値を比較的低い値に抑えた場
合であっても、あるいは絶縁基板の機械的強度を比較的
高く設定した場合であっても、極めて短時間の中に絶縁
基板を完全に砕裂することが可能となる。

【００１１】

【実施例】以下に本発明を、図示の実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る第１のヒューズ抵抗器10を
示すものであり、アルミナ、フォルステライト、ステア
タイト等のセラミックによって形成された絶縁基板12の
一面に、酸化ルテニウム等より成る矩形状の発熱抵抗体
14を被着形成すると共に、該発熱抵抗体14の両側辺にＡ
ｇ・Ｐｄ系ペースト等より成る取り出し用の電極パター
ン16，16を被着接続し、該電極パターン16，16の下端部
に、第１の外部端子18，18をハンダ20，20を介して接続
して成る。この発熱抵抗体14の全体の抵抗値は、一般に
数Ω〜数十Ωの範囲内に設定されるものであり、ここで
は特に５Ωに設定されている。上記発熱抵抗体14及び電
極パターン16，16の表面には、沿面放電防止のためのク
ロスオーバガラス22が被覆されている。

【００１２】図２は、上記絶縁基板12を示すものであ
る。該絶縁基板12は、縦１６mm、横９．８６mmの長方形
状を成しており、その板厚は０．６３５mmに設定されて
いる。該絶縁基板12の上辺12ａの中央部にはベース型の
上部切欠部24が、また下辺12ｂの中央部には逆ベース型
の下部切欠部26がそれぞれ形成されている。この上部切
欠部24と下部切欠部26は、略同一の形状及び寸法を備え
ている。

【００１３】絶縁基板12における上記発熱抵抗体14を被
着する面の略中央には、矩形状の平滑体28が固着されて
いる。該平滑体28は、熱転写式プリンタのサーマル・ヘ
ッド等に使用されるグレーズガラス（高耐熱性アルカリ
鉛フリーガラス）より成る。この平滑体28の横幅Ｗ1
は、上部切欠部24及び下部切欠部26の底辺の横幅Ｗ2よ
りも若干広く設定されており、絶縁基板12の上部切欠部
24の頂点24ａと下部切欠部26の頂点26ａを結ぶ直線（以
下「砕裂線（イ）」と称する）に沿って配置されてい
る。該平滑体28は、絶縁基板12の表面に、材料となるガ
ラスペーストを被着させ、所定温度で焼成して形成され
る。

【００１４】このような絶縁基板12の表面に、ルテニウ
ム系ペーストを印刷等によって被着させ、所定の温度で
加熱することで、上記発熱抵抗体14が焼成される。この
結果、図１のＡ−Ａ’断面図である図３に示すように、
発熱抵抗体14においては、絶縁基板12の表面と接触する
部分α1，α2と、平滑体28の表面と接する部分β1とが
現れることとなる。なお、図３においては、図示の便宜
上、上記クロスオーバガラス22の記載を省略した。後述
の図７及び図１０においても同様である。

【００１５】上記第１のヒューズ抵抗器10は、図示は省
略するが、上記第１の外部端子18，18を介して、被保護
素子や被保護回路に接続される。そして、第１の外部端
子18，18間に過電流が流れると、上記発熱抵抗体14が発
熱して絶縁基板12の表面が加熱され、該絶縁基板12は熱
歪みを起こし、上記砕裂線（イ）に沿って左右に砕裂さ
れる。この結果、通電路である発熱抵抗体14も切断され
るため、第１の外部端子18，18間は電気的に遮断される
こととなる。

【００１６】上記絶縁基板12はセラミック材より成るた
め、拡大部分断面図である図４に示すように、その表面
は微細な凹凸が多数存在する粗面を形成している。この
ため、この絶縁基板12の表面と接触する発熱抵抗体14の
部分α1，α2の被着面も必然的に凹凸面を形成すること
となり、部分α1，α2の抵抗値は比較的に高い値とな
る。これに対し、平滑体28の表面はほとんど凹凸のない
平滑面と成されているため、これと接触する発熱抵抗体
の部分β1の被着面も略平滑面を成し、部分β1の抵抗値
は比較的に低い値となる。

【００１７】したがって、上記発熱抵抗体14に第１の外
部端子18，18を経由して定格以上の過電流が流れると、
発熱抵抗体14の中、絶縁基板12の表面と接触する高抵抗
部分α1，α2の発熱量が比較的に多くなるのに対し、平
滑板28の表面と接触する低抵抗部分β1の発熱量は比較
的に少なくなる。しかも、発熱抵抗体14の高抵抗部分α
1，α2で発生した比較的に高い温度の熱は、直接絶縁基
板12に伝導されるため、当該絶縁基板12の表面は極めて
高温に加熱されることとなる。これに対し、発熱抵抗体
14の低抵抗部分β1で発生した比較的に低い温度の熱
は、一旦平滑体28を経由して絶縁基板12に伝導する。こ
のグレーズガラスより成る平滑体28は、絶縁基板12を構
成するセラミック材よりも格段に大きな比熱を備えてお
り、いわゆる蓄熱効果を発揮するため、発熱抵抗体14の
低抵抗部分β1で発生した元々低い温度の熱は、この平
滑体28を経由することで、さらに大幅に減殺された後に
絶縁基板12の表面に達することとなり、当該絶縁基板12
の表面温度はほとんど変化しない。

【００１８】このように、発熱抵抗体14に過電流が流れ
た場合に、絶縁基板12の砕裂線（イ）に沿った部分（平
滑体28が被着された部分）が比較的低温を維持すると共
に、その左右両側に配された部分（発熱抵抗体14と接触
する部分）が極めて高温に達し、絶縁基板12の熱歪みが
砕裂線（イ）に集中するため、絶縁基板12は極めて短時
間の中に完全に砕裂可能となる。すなわち、この第１の
ヒューズ抵抗器10は、絶縁基板12の同一面において温度
分布の不均一性を実現し、絶縁基板12の熱歪みを促進さ
せることで、その最小遮断電力の低減を図っている。

【００１９】図５〜図７は、第２のヒューズ抵抗器30を
示すものである。この第２のヒューズ抵抗器30は、絶縁
基板12の表面に固着した平滑体28の配置パターンに特徴
を有しており、それ以外の構成は上記第１のヒューズ抵
抗器10と実質的に等しいものである。すなわち、図６に
示すように、絶縁基板12の表面には、一対の平滑体28，
28が、絶縁基板12の上部切欠部24あるいは下部切欠部26
の底辺の幅Ｗ2に相当する間隔32を隔てて、砕裂線
（イ）の左右に配置されている。この結果、第２のヒュ
ーズ抵抗器30においては、図５のＢ−Ｂ’断面図である
図７に示すように、絶縁基板12の表面の略中央部は発熱
抵抗体14の部分α3によって被覆されると共に、その左
右両側部分は平滑体28，28によって被覆されている。ま
た、この平滑体28，28の表面は、発熱抵抗体の部分β
2，β3によって被覆されている。

【００２０】この第２のヒューズ抵抗器30の第１の外部
端子18，18間に過電流が流れると、上記発熱抵抗体14が
発熱して絶縁基板12の表面が加熱され、該絶縁基板12は
熱歪みを起こし、上記砕裂線（イ）に沿って左右に砕裂
される。この際、絶縁基板12の表面の中、発熱抵抗体14
の部分α3で被覆された部分は、絶縁基板12の表面に
は微細な凹凸が多数存在しており、これを覆う発熱抵抗
体14の部分α3の被着面も必然的に凹凸面を成すため、
当該部分α3の抵抗値は比較的に高くなること、この
発熱抵抗体14の高抵抗部分α3からの比較的高い温度の
熱が直接伝導されることにより、極めて高温に加熱され
る。また、絶縁基板12の表面における平滑体28，28によ
って被覆された部分は、平滑体28，28の表面が平滑面
を成しており、これを覆う発熱抵抗体14の部分β2，β3
の被着面も必然的に平滑状となり、その抵抗値が比較的
に低いこと、この発熱抵抗体14の低抵抗部分β2，β3
で発生した比較的に低い温度の熱が、蓄熱効果を有する
平滑体28，28を経由して間接的に伝導されることによ
り、比較的低温に維持されることとなる。

【００２１】すなわち、この第２のヒューズ抵抗器30
は、発熱抵抗体14における高抵抗部分と低抵抗部分の配
置こそ上記第１のヒューズ抵抗器10とは逆になっている
が、絶縁基板12の同一面において温度分布の不均一性を
実現する点で共通しており、第１のヒューズ抵抗器10と
同様、絶縁基板12の熱歪みが促進されてヒューズ抵抗器
の最小遮断電力が低減されるという効果を奏することが
できる。

【００２２】図８〜図１０は、上記第１のヒューズ抵抗
器10及び第２のヒューズ抵抗器30の応用例たる第３のヒ
ューズ抵抗器40を示すものである。この第３のヒューズ
抵抗器40は、図８に示すように、絶縁基板12の前面12ｃ
に前面側の発熱抵抗体14Ｆを被着形成し、該発熱抵抗体
14Ｆの両側辺に電極パターン16，16を被着接続し、該電
極パターン16，16の下端部に第２の外部端子42，42の第
１の分岐部42ａ，42ａをハンダ20，20を介して接続する
と共に、図９に示すように、絶縁基板12の背面12ｄにも
背面側の発熱抵抗体14Ｂを被着形成し、該発熱抵抗体14
Ｂの両側辺に電極パターン16，16を被着接続し、該電極
パターン16，16の下端部に第２の外部端子42，42の第２
の分岐部42ｂ，42ｂをハンダ20，20を介して接続し、両
面の発熱抵抗体14Ｆ，14Ｂ及び電極パターン16の表面を
クロスオーバガラス22で被覆して成る。前面側の発熱抵
抗体14Ｆと、背面側の発熱抵抗体14Ｂとは、第２の外部
端子42，42を介して並列接続されている。

【００２３】絶縁基板の前面12ｃには、図６と同様、一
対の平滑体28，28が所定の間隔32を隔てて砕裂線（イ）
の左右に配置されると共に、該絶縁基板の背面12ｄの中
央にも、図２と同様、一つの平滑体28が砕裂線（イ）に
沿って配置されている。この結果、この第３のヒューズ
抵抗器40にあっては、図８のＣ−Ｃ’断面図である図１
０に示すように、絶縁基板の前面12ｃの略中央部は前面
側発熱抵抗体14Ｆの高抵抗部分α4によって被覆される
と共に、その左右両側部分は平滑体28，28によって被覆
され、平滑体28，28の表面は前面側発熱抵抗体14Ｆの低
抵抗部分β4，β5によって被覆されている。また、絶縁
基板の背面12ｄにおいては、その略中央部が平滑体28に
よって被覆され、該平滑体28の表面を背面側発熱抵抗体
14Ｂの低抵抗部分β6が覆うと共に、その両側が背面側
発熱抵抗体14Ｂの高抵抗部分α5，α6によって被覆され
ている。すなわち、この第３のヒューズ抵抗器40にあっ
ては、前面側発熱抵抗体14Ｆと背面側発熱抵抗体14Ｂに
おいて、それぞれ「高抵抗部分」と「低抵抗部分」が交
互に発生するのみならず、一方の発熱抵抗体の「高抵抗
部分」と他方の発熱抵抗体の「低抵抗部分」とが、絶縁
基板12を間に挟んで略対応するよう位置決めされてい
る。

【００２４】このような構成を備えた第３のヒューズ抵
抗器40に、第２の外部端子42，42を介して定格以上の過
電流が流れると、前面側発熱抵抗体14Ｆ及び背面側発熱
抵抗体14Ｂが発熱し、絶縁基板12の両面が同時に加熱さ
れるため、該絶縁基板12は熱歪みを起こし、上記砕裂線
（イ）に沿って左右に砕裂される。この際、この第３の
ヒューズ抵抗器40にあっては、上記のように、前面側発
熱抵抗体14Ｆの高抵抗部分α4及び低抵抗部分β4，β5
が、絶縁基板12を間に挟んで背面側発熱抵抗体14Ｂの低
抵抗部分β6及び高抵抗部分α5，α6にそれぞれ対応し
ているため、絶縁基板12の同一面における温度分布の不
均一性のみならず、異なった面同士での温度分布の不均
一性が実現できる。この結果、絶縁基板12の熱歪みはさ
らに促進され、その最小遮断電力をより低減することが
可能となる。

【００２５】上記第３のヒューズ抵抗器40にあっては、
前面側発熱抵抗体14Ｆと背面側発熱抵抗体14Ｂとを、先
端が二股に分岐した第２の外部端子42，42を介して並列
接続しているが、両発熱抵抗体を直列接続しても同様の
効果が得られることはいうまでもない。図１１及び図１
２は、その一例としての第４のヒューズ抵抗器50を示す
ものである。この第４のヒューズ抵抗器50は、絶縁基板
の前面12ｃに前面側発熱抵抗体14Ｆを被着形成すると共
に、該絶縁基板の背面12ｄにも、前面側発熱抵抗体14Ｆ
よりも若干丈の短い背面側発熱抵抗体14Ｂを被着形成し
て成る。前面側発熱抵抗体14Ｆの左側辺には取り出し用
の電極パターン16が接続され、該電極パターン16の下端
部にハンダ20を介して第１の外部端子18が接続されると
共に、該前面側発熱抵抗体14Ｆの右側辺には連結パター
ン52の第１の帯部52ａが接続されている（図１１）。ま
た、背面側発熱抵抗体14Ｂの左側辺にも取り出し用の電
極パターン16が接続され、該電極パターン16の下端部に
ハンダ20を介して第１の外部端子18が接続されると共
に、該背面側発熱抵抗体14Ｂの右側辺には、上記連結パ
ターン52の第２の帯部52ｂが接続されている（図１
１）。この連結パターン52の第１の帯部52ａと第２の帯
部52ｂとは、絶縁基板12の側辺12ｅから背面12ｄ上部を
横切るように引き回された連結帯52ｃを介して接続され
ているため、結果として前面側発熱抵抗体14Ｆと背面側
発熱抵抗体14Ｂは、この連結パターン52を介して直列接
続されることとなる。なお、各発熱抵抗体14等の表面に
は、沿面放電防用のクロスオーバガラス22が被覆されて
いる。

【００２６】上記においては、微細な凹凸が多数存在す
る絶縁基板12の表面の一部に平滑体28を固着させ、その
上に発熱抵抗体14を被着させることにより、発熱抵抗体
14の被着面の一部分を凹凸状に形成して発熱抵抗体14の
高抵抗部分を実現すると共に、被着面の他の部分を平滑
面に形成して低抵抗部分を実現しているが、本発明はこ
れに限られるものではない。例えば、図１３に示すよう
に、平滑体28を固着させる代わりに、絶縁基板12の表面
の一部分を研磨等の手段によって平滑面12ｆに仕上げる
と共に、他の部分には凹凸面12ｇを残しておき、その上
に発熱抵抗体14を被着させることにより、発熱抵抗体14
の高抵抗部分α7と低抵抗部分β7を実現してもよい。あ
るいは、切削やプレス等の手段により、図１４に示すよ
うに、絶縁基板12の表面の一部分12ｈの凹凸度を他の部
分12ｉの凹凸度よりも大きなものと成し、この上に発熱
抵抗体14を被着させることにより、発熱抵抗体14の高抵
抗部分α8と低抵抗部分β8を実現してもよい。

【００２７】また、以上のように、絶縁基板12側の状態
を調整することによって、この上に被着される発熱抵抗
体14の抵抗値の分布を制御する代わりに、図１５に示す
ように、絶縁基板12の表面の一部分（図においては中央
部分）に比較的高い抵抗値を備えた第１の抵抗物質14Ｘ
を被着させると共に、他の部分（図においては左側と右
側）に比較的低い抵抗値を備えた第２の抵抗物質14Ｙ，
14Ｙを被着させ、各抵抗物質を接続・一体化して発熱抵
抗体14を形成し、第１の抵抗物質14Ｘを高抵抗部分α9
と成し、第２の抵抗物質14Ｙ，14Ｙをそれぞれ低抵抗部
分β9，β10と成してもよい。あるいは、このように抵
抗値の異なる２種類の抵抗物質を用いる代わりに、一種
類の抵抗物質を用いて発熱抵抗体を形成すると共に、そ
の厚さを部分的に異ならせることにより、高抵抗部分及
び低抵抗部分を実現してもよい。図１６はその一例を示
すものであり、絶縁基板12の表面に被着された発熱抵抗
体14の中央部分を比較的厚く形成して低抵抗部分β11と
成すと共に、その左右両側部分を比較的薄く形成して高
抵抗部分α10，α11と成している。

【００２８】

【発明の効果】本発明に係るヒューズ抵抗器にあって
は、高抵抗部分と低抵抗部分を備えた発熱抵抗体を用い
て成るため、過電流の通電によって発熱抵抗体が発熱し
た場合、絶縁基板の表面において、高抵抗部分と接する
ため比較的高温に加熱される部分と、低抵抗部分と接す
るため比較的低温に加熱される部分とが分布することと
なり、この温度分布の不均一性によって、絶縁基板の熱
歪みが助長される。このため、発熱抵抗体全体の抵抗値
を極端に高く設定したり、絶縁基板を極端に割れ易くす
ることなく、極めて短時間のうちに絶縁基板を完全に砕
裂することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１のヒューズ抵抗器を示す斜視
図である。

【図２】第１のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視図
である。

【図３】図１のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】第１のヒューズ抵抗器の絶縁基板と発熱抵抗体
との接合部分を示す拡大部分断面図である。

【図５】本発明に係る第２のヒューズ抵抗器を示す斜視
図である。

【図６】第２のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視図
である。

【図７】図５のＢ−Ｂ’断面図である。

【図８】本発明に係る第３のヒューズ抵抗器の前面側を
示す斜視図である。

【図９】第３のヒューズ抵抗器の背面側を示す斜視図で
ある。

【図１０】図８のＣ−Ｃ’断面図である。

【図１１】本発明に係る第４のヒューズ抵抗器の前面側
を示す斜視図である。

【図１２】第４のヒューズ抵抗器の背面側を示す斜視図
である。

【図１３】絶縁基板と発熱抵抗体との接合部分の他の例
を示す拡大部分断面図である。

【図１４】絶縁基板と発熱抵抗体との接合部分の他の例
を示す拡大部分断面図である。

【図１５】発熱抵抗体の変更例を示す断面図である。

【図１６】発熱抵抗体の変形例を示す断面図である。

【図１７】従来のヒューズ抵抗器を示す斜視図である。

【図１８】従来のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視
図である。

【図１９】図１８のＤ−Ｄ’拡大部分断面図である。

【符号の説明】

10 第１のヒューズ抵抗器 12 絶縁基板 14 発熱抵抗体 14Ｆ 前面側発熱抵抗体 14Ｂ 背面側発熱抵抗体 14Ｘ 第１の抵抗物質 14Ｙ 第２の抵抗物質 28 平滑体 30 第２のヒューズ抵抗器 40 第３のヒューズ抵抗器 50 第４のヒューズ抵抗器 （イ） 砕裂線 α1〜α11 発熱抵抗体の高抵抗部分 β1〜β11 発熱抵抗体の低抵抗部分

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも一
   面に被着された発熱抵抗体とを備え、該発熱抵抗体に過
   電流が流れた場合に、その発熱作用によって上記絶縁基
   板が加熱されて砕裂し、以て上記発熱抵抗体が切断され
   て過電流の通電を遮断するよう構成したヒューズ抵抗器
   において、上記発熱抵抗体が、比較的に高い抵抗値を備
   えた高抵抗部分と、該高抵抗部分よりも低い抵抗値を備
   えた低抵抗部分との結合体より成ることを特徴とするヒ
   ューズ抵抗器。
2. 【請求項２】 上記発熱抵抗体が、上記絶縁基板の砕裂
   方向に沿って被着された一の高抵抗部分と、該高抵抗部
   分の両側に結合された一対の低抵抗部分より成ることを
   特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
3. 【請求項３】 上記発熱抵抗体が、上記絶縁基板の砕裂
   方向に沿って被着された一の低抵抗部分と、該低抵抗部
   分の両側に結合された一対の高抵抗部分より成ることを
   特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
4. 【請求項４】 上記絶縁基板の前面及び背面にそれぞれ
   発熱抵抗体を被着すると共に、前面側の発熱抵抗体が、
   上記絶縁基板の砕裂方向に沿って被着された一の高抵抗
   部分と、該高抵抗部分の両側に結合された一対の低抵抗
   部分より成り、背面側の発熱抵抗体が、上記絶縁基板の
   砕裂方向に沿って被着された一の低抵抗部分と、該低抵
   抗部分の両側に結合された一対の高抵抗部分より成るこ
   とを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
5. 【請求項５】 上記発熱抵抗体の被着面の一部分を凹凸
   状と成すことで上記発熱抵抗体の高抵抗部分を形成する
   と共に、上記被着面の他の部分を平滑状と成すことで上
   記発熱抵抗体の低抵抗部分を形成したことを特徴とする
   請求項１乃至４の何れかに記載のヒューズ抵抗器。