JPH0850848A - ヒューズ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 過電流が流れた場合に、絶縁基板が短時間の
うちに完全に砕裂して、過電流の通電を確実に遮断でき
るヒューズ抵抗器を実現する。 【構成】 絶縁基板12の表面に被着された発熱抵抗体14
に過電流が流れた場合に、発熱抵抗体14の発熱作用によ
って絶縁基板12が砕裂線（イ）に沿って砕裂し、以て発
熱抵抗体14が切断されて過電流の通電を遮断する第１の
ヒューズ抵抗器10において、絶縁基板12の表面の略中央
に矩形状の蓄熱材28を、絶縁基板12の砕裂線（イ）に沿
って配置し、絶縁基板12の表面に、蓄熱材28を介して発
熱抵抗体14と間接的に接する間接接触部αと、発熱抵抗
体14と直接接する直接接触部βとを設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、絶縁基板上に被着し
た発熱抵抗体の、過電流の通電による発熱作用によって
上記絶縁基板を砕裂させ、以て通電路である発熱抵抗体
を切断することにより、過電流の通電を遮断するよう構
成したヒューズ抵抗器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、過電流から電子回路素子等を保護
するための過電流遮断手段として、図１２に示すヒュー
ズ抵抗器60が用いられている。このヒューズ抵抗器60
は、アルミナやフォルステライト等の絶縁基板12の一面
に、酸化ルテニウム等の発熱抵抗体14を被着形成し、該
発熱抵抗体14の両側辺に取り出し用の電極パターン16，
16を形成し、該電極パターン16，16の下端に外部端子1
8，18をハンダ20，20や導電性接着剤を介して接続して
成る。また、絶縁基板の上辺12ａの中央部にはベース型
の上部切欠部24が、絶縁基板の下辺12ｂの中央部には逆
ベース型の下部切欠部26がそれぞれ形成されている。さ
らに、上記発熱抵抗体14及び電極パターン16の表面に
は、沿面放電防止用のクロスオーバガラス22が被覆され
ている。

【０００３】このヒューズ抵抗器60は、上記外部端子1
8，18を介して、電子回路や回路素子に接続される。例
えば、図示は省略するが、電子機器に通じる通信ライン
や電源ライン等の線路に直列接続され、或いは該線路間
に挿入接続されたガスアレスタ等に直列接続される。

【０００４】しかして、電子機器をその定格を上回る電
源へ誤接続した場合や、過電圧試験の実施等により、上
記線路に定格以上の過電圧が連続して印加された場合に
は、該過電圧の印加による過電流によって上記発熱抵抗
体14が発熱する。そして、この発熱作用によって絶縁基
板12は熱歪みを起こし、上部切欠部24の頂点24ａ及び下
部切欠部26の頂点26ａを結ぶ直線（イ）に沿って左右に
砕裂する。その結果、過電流の通路たる発熱抵抗体14自
身も切断されるため、連続過電流から上記電子機器或い
はガスアレスタ等が保護されるものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】したがって、過電流か
ら上記電子機器等を確実に保護するためには、上記発熱
抵抗体14に過電流が流れた際に、上記絶縁基板12が短時
間のうちに完全に砕裂する必要がある。ここで、絶縁基
板12の砕裂特性を向上させるには、先ず上記発熱抵抗体
14の抵抗値を高く設定し、その発熱量を増加させること
が考えられるが、発熱抵抗体14の抵抗値をあまり高く設
定すると、ヒューズ抵抗器60を上記線路に直列接続した
場合には電送損失が大きくなり、また、上記線路間に挿
入接続されたガスアレスタ等に直列接続した場合にはそ
の分高い電圧が電子機器側に加わることとなる。このた
め、発熱抵抗体14の抵抗値を高く設定して発熱量を増加
させることには、一定の限界がある。

【０００６】つぎに、絶縁基板12の材質や厚さを調節し
たり、あるいは図１３及びそのＤ−Ｄ’拡大部分断面図
である図１４に示すように、絶縁基板12の表面（発熱抵
抗体14形成面）に直線（イ）に沿って延びる断面略Ｖ字
型の溝62を形成することにより、絶縁基板12自体を割れ
易くすることも考えられるが、その分製造時及び使用時
において破損し易くなるため、これにも一定の限界があ
る。

【０００７】本発明は、上記した従来例の問題点に鑑み
てなされたものであり、発熱抵抗体の抵抗値を極端に高
く設定したり、絶縁基板を極端に割れ易くすることな
く、過電流が流れた場合には絶縁基板が短時間のうちに
完全に砕裂して、過電流の通電を確実に遮断することが
できるヒューズ抵抗器を実現することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るヒューズ抵抗器は、絶縁基板と、該絶
縁基板の少なくとも一面に被着された発熱抵抗体とを備
え、該発熱抵抗体に過電流が流れた場合に、その発熱作
用によって上記絶縁基板が砕裂し、以て上記発熱抵抗体
が切断されて過電流の通電を遮断するよう構成したヒュ
ーズ抵抗器において、上記絶縁基板表面の一部に蓄熱材
を配置して、該絶縁基板の表面に、該蓄熱材を介して上
記発熱抵抗体と間接的に接する間接接触部と、上記発熱
抵抗体と直接接する直接接触部とを設けたことを特徴と
する。

【０００９】例えば、上記絶縁基板の対向する二辺に切
欠部を形成すると共に、両切欠部を結ぶ線に沿って上記
蓄熱材は配置される。あるいは、上記絶縁基板の対向す
る二辺に切欠部を形成すると共に、両切欠部を結ぶ線の
両側に上記蓄熱材をそれぞれ配置してもよい。また、上
記蓄熱材を、上記絶縁基板の前面及び背面にそれぞれ配
置させてもよい。この場合、上記絶縁基板の対向する二
辺に切欠部を形成し、該絶縁基板の前面に両切欠部を結
ぶ線に沿って上記蓄熱材を配置すると共に、上記絶縁基
板の背面における両切欠部を結ぶ線の両側に上記蓄熱材
をそれぞれ配置するのが望ましい。上記蓄熱材は、例え
ば高耐熱性アルカリ鉛フリーガラス等のガラスによって
構成される。

【００１０】

【作用】絶縁基板表面の一部に蓄熱材を配置し、該絶縁
基板の表面に蓄熱材を介して上記発熱抵抗体と間接的に
接する間接接触部と、上記発熱抵抗体と直接接する直接
接触部とを設けると、過電流の通電によって発熱抵抗体
が発熱した場合、この熱は絶縁基板表面の直接接触部に
はそのままストレートに伝導されるが、絶縁基板の間接
接触部には蓄熱材を経由して伝導される。したがって、
絶縁基板の直接接触部は瞬時に極めて高温に加熱される
のに対し、間接接触部には一定の時間差をおいて温度が
ある程度低下した熱が伝導されるため、比較的低温を維
持することとなる。この結果、絶縁基板の表面において
は、高温に加熱される部分と低温に加熱される部分とが
分布することとなり、この温度分布の不均一性によっ
て、絶縁基板の熱歪みが助長される。このため、発熱抵
抗体の抵抗値を比較的低い値に抑えた場合であっても、
あるいは絶縁基板の機械的強度を比較的高く設定した場
合であっても、極めて短時間の中に絶縁基板を完全に砕
裂することが可能となる。

【００１１】

【実施例】以下に本発明を、図示の実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る第１のヒューズ抵抗器10を
示すものであり、アルミナ、フォルステライト、ステア
タイト等のセラミックによって形成された絶縁基板12の
一面に、酸化ルテニウム等より成る矩形状の発熱抵抗体
14を被着形成すると共に、該発熱抵抗体14の両側辺にＡ
ｇ・Ｐｄ系ペースト等より成る取り出し用の電極パター
ン16，16を被着形成し、該電極パターン16，16の下端部
に、第１の外部端子18，18をハンダ20，20を介して接続
して成る。上記発熱抵抗体14及び電極パターン16，16の
表面には、沿面放電防止のためのクロスオーバガラス22
が被覆されている。上記発熱抵抗体14は、絶縁基板12の
表面に、ルテニウム系ペーストを印刷等によって被着さ
せ、所定の温度で加熱することで焼成される。この発熱
抵抗体14の抵抗値は、一般に数Ω〜数十Ωの範囲内に設
定されるものであり、ここでは特に５Ωに設定されてい
る。

【００１２】図２は、上記絶縁基板12を示すものであ
る。該絶縁基板12は、縦１６mm、横９．８６mmの長方形
状を成しており、その板厚は０．６３５mmに設定されて
いる。該絶縁基板12の上辺12ａの中央にはベース型の上
部切欠部24が、また下辺12ｂの中央には逆ベース型の下
部切欠部26がそれぞれ形成されている。この上部切欠部
24と下部切欠部26は、略同一の形状及び寸法を備えてい
る。

【００１３】絶縁基板12における上記発熱抵抗体14を被
着する面の略中央には、矩形状の蓄熱材28が被着形成さ
れている。この蓄熱材28は、熱転写式プリンタのサーマ
ル・ヘッド等に使用されるグレーズガラス（高耐熱性ア
ルカリ鉛フリーガラス）よりなり、絶縁基板12を構成す
るセラミック材よりも格段に大きな比熱を備えている。
この蓄熱材28の横幅Ｗ₁は、上部切欠部24及び下部切欠
部26の底辺の横幅Ｗ₂よりも若干広く設定されており、
絶縁基板12の上部切欠部24の頂点24ａと下部切欠部26の
頂点26ａを結ぶ直線（以下「砕裂線（イ）」と称する）
に沿って配置されている。この絶縁基板12に上記発熱抵
抗体14を被着させると、図１のＡ−Ａ’断面図である図
３に示すように、絶縁基板12の表面においては、蓄熱材
28を間に挟んで発熱抵抗体14と間接的に接する部分（以
下「間接接触部α」と称する）と、該間接接触部αの両
側に位置し、発熱抵抗体14と直接接する部分（以下「直
接接触部β」と称する）とが現れることとなる。なお、
図示の便宜上、図３は第１のヒューズ抵抗器10の厚さを
誇張して表している。

【００１４】上記第１のヒューズ抵抗器10は、図示は省
略するが、上記第１の外部端子18，18を介して、被保護
素子や被保護回路に接続される。そして、第１の外部端
子18，18間に過電流が流れると、上記発熱抵抗体14が発
熱して絶縁基板12の表面が加熱され、該絶縁基板12は熱
歪みを起こし、上記砕裂線（イ）に沿って左右に砕裂さ
れる。

【００１５】上記絶縁基板12はセラミック材より成り、
その表面は微細な凹凸が多数存在する粗面と成されてい
る。このため、この絶縁基板12の表面に直接被着された
発熱抵抗体14の接触面も必然的に凹凸面を形成すること
となり、その抵抗値は比較的に高い値となるため、過電
流通電時の発熱量はその分多くなる。そして、この発熱
抵抗体14の高抵抗部分で発生した比較的高い熱は、その
まま絶縁基板12の表面に伝導されるため、絶縁基板12の
直接接触部βは、瞬時に極めて高温に加熱されることと
なる。

【００１６】これに対し、上記蓄熱材28はグレーズガラ
スよりなり、その表面は極めて滑らかに形成されてい
る。このため、この蓄熱材28の表面に被着された発熱抵
抗体14の接触面は平滑面となり、その抵抗値は比較的に
低い値となるため、過電流通電時の発熱量はその分少な
くなる。そして、この発熱抵抗体14の低抵抗部分で発生
した比較的に低い熱は、一旦蓄熱材28に蓄えられた後に
絶縁基板12の表面に伝導されるため、絶縁基板12の間接
接触部αの加熱には所定の時間差（遅延）が生じると共
に、伝導される熱自体も著しく減殺されたものとなる。

【００１７】以上の結果、発熱抵抗体14に過電流が流れ
た場合、絶縁基板12の砕裂線（イ）に沿った間接接触部
αは比較的低温を維持すると共に、その左右両側に配さ
れた直接接触部βは極めて高温に達し、絶縁基板12の熱
歪みが砕裂線（イ）に集中するため、絶縁基板12は極め
て短時間の中に完全に砕裂可能となる。すなわち、この
第１のヒューズ抵抗器10は、絶縁基板12の同一面におい
て温度分布の不均一性を実現し、絶縁基板12の熱歪みを
促進させることで、その最小遮断電力の低減を図ってい
る。

【００１８】図４〜図６は、第２のヒューズ抵抗器30を
示すものである。この第２のヒューズ抵抗器30は、絶縁
基板12の表面に被着形成した蓄熱材28の配置パターンに
特徴を有しており、それ以外の構成は上記第１のヒュー
ズ抵抗器10と実質的に等しいものである。すなわち、図
５に示すように、絶縁基板12の表面には、一対の蓄熱材
28，28が、絶縁基板12の上部切欠部24あるいは下部切欠
部26の底辺の幅Ｗ₂に相当する間隔32を隔てて、砕裂線
（イ）の左右に配置されている。この結果、第２のヒュ
ーズ抵抗器30においては、図４のＢ−Ｂ’断面図である
図６に示すように、絶縁基板12表面の略中央部に、発熱
抵抗体14と直接接触する直接接触部βが現れると共に、
その左右両側に蓄熱材28を間に挟んで間接的に発熱抵抗
体14と接する間接接触部αが現れることとなる。

【００１９】この第２のヒューズ抵抗器30の第１の外部
端子18，18間に過電流が流れると、上記発熱抵抗体14が
発熱して絶縁基板12の表面が加熱され、該絶縁基板12は
熱歪みを起こし、上記砕裂線（イ）に沿って左右に砕裂
される。この際、絶縁基板12の表面における、砕裂線
（イ）に沿った直接接触部βは、セラミック材特有の粗
面を成しているため、これと接する発熱抵抗体14の抵抗
値が比較的に高くなっていること、及びこの発熱抵抗体
14の高抵抗部分からの比較的高い熱が直接伝導されるこ
とにより、極めて高温に加熱される。また、この直接接
触部βの両側に配された間接接触部α，αは、その表面
を覆う蓄熱材28，28の表面が平滑面を成しているため、
これと接する発熱抵抗体14の抵抗値が比較的に低くなっ
ていること、及びこの発熱抵抗体14の低抵抗部分からの
比較的低い熱が蓄熱材28，28を経由して伝導することに
より、比較的低温に維持されることとなる。すなわち、
この第２のヒューズ抵抗器30は、絶縁基板12の表面に現
れる高温加熱部と低温加熱部の配置こそ上記第１のヒュ
ーズ抵抗器10とは逆になっているが、絶縁基板12の同一
面において温度分布の不均一性を実現する点で共通して
おり、第１のヒューズ抵抗器10と同様、絶縁基板12の熱
歪みが促進されてヒューズ抵抗器の最小遮断電力が低減
されるという効果を奏することができる。

【００２０】図７〜図９は、上記第１のヒューズ抵抗器
10及び第２のヒューズ抵抗器30の応用例たる第３のヒュ
ーズ抵抗器40を示すものである。この第３のヒューズ抵
抗器40は、図７に示すように、絶縁基板12の前面12ｃに
発熱抵抗体14を被着形成し、該発熱抵抗体14の両側辺に
電極パターン16，16を被着形成し、該電極パターン16，
16の下端部に第２の外部端子42，42の第１の分岐部42
ａ，42ａをハンダ20，20を介して接続すると共に、図８
に示すように、絶縁基板12の背面12ｄにも発熱抵抗体14
を被着形成し、該発熱抵抗体14の両側辺に電極パターン
16，16を被着形成し、該電極パターン16，16の下端部に
第２の外部端子42，42の第２の分岐部42ｂ，42ｂをハン
ダ20，20を介して接続し、両面の発熱抵抗体14及び電極
パターン16の表面をクロスオーバガラス22で被覆して成
る。絶縁基板の前面12ｃ側の発熱抵抗体14と、背面12ｄ
側の発熱抵抗体14とは、第２の外部端子42，42を介して
並列接続されている。

【００２１】絶縁基板の前面12ｃには、図５と同様、一
対の蓄熱材28，28が所定の間隔32を隔てて砕裂線（イ）
の左右に配置されると共に、該絶縁基板の背面12ｄ中央
にも、図２と同様、一つの蓄熱材28が砕裂線（イ）に沿
って配置されている。この結果、この第３のヒューズ抵
抗器40にあっては、図７のＣ−Ｃ’断面図である図９に
示すように、絶縁基板の前面12ｃにおける中央付近に発
熱抵抗体14と直接接する直接接触部βが現れると共に、
この両側に蓄熱材28を介して間接的に発熱抵抗体14と接
する間接接触部αが現れる。また、絶縁基板の背面12ｄ
においては、その中央付近に蓄熱材28を介して間接的に
発熱抵抗体14と接する間接接触部αが現れると共に、そ
の両側に直接発熱抵抗体14と接する直接接触部βが現れ
る。この結果、第３のヒューズ抵抗器40における絶縁基
板の前面12ｃと背面12ｄとでは、過電流が流れて発熱抵
抗体14が発熱した場合における高温加熱部と低温加熱部
との配置が互い違いとなり、絶縁基板12の同一面におけ
る温度分布の不均一性のみならず、異なった面同士でも
温度分布の不均一性が実現できるため、絶縁基板12の両
面が同時に加熱されることとも相俟って、絶縁基板12の
熱歪みはさらに促進され、その最小遮断電力をより低減
することが可能となる。なお、絶縁基板の前面12ｃに形
成した蓄熱材28，28と背面12ｄに形成した蓄熱材28と
は、図９に示したように、絶縁基板12を介して各端辺同
士が一部重複しても構わないものである。

【００２２】上記第３のヒューズ抵抗器40にあっては、
絶縁基板の前面12ｃ側の発熱抵抗体14と背面12ｄ側の発
熱抵抗体14とを、先端が二股に分岐した第２の外部端子
42を介して並列接続しているが、両発熱抵抗体14，14を
直列接続しても同様の効果が得られることはいうまでも
ない。図１０及び図１１は、その一例としての第４のヒ
ューズ抵抗器50を示すものである。この第４のヒューズ
抵抗器50は、絶縁基板の前面12ｃに発熱抵抗体14を被着
形成すると共に、該絶縁基板の背面12ｄにも、前面12ｃ
側の発熱抵抗体14よりも若干丈の短い発熱抵抗体14を被
着形成して成る。前面12ｃ側の発熱抵抗体14の左側辺に
は取り出し用の電極パターン16が接続され、該電極パタ
ーン16の下端部にハンダ20を介して第１の外部端子18が
接続されると共に、該発熱抵抗体14の右側辺には連結パ
ターン52の第１の帯部52ａが接続されている（図１
０）。また、背面12ｄ側の発熱抵抗体14の左側辺にも取
り出し用の電極パターン16が接続され、該電極パターン
16の下端部にハンダ20を介して第１の外部端子18が接続
されると共に、該発熱抵抗体14の右側辺には、上記連結
パターン52の第２の帯部52ｂが接続されている（図１
１）。この連結パターン52の第１の帯部52ａと第２の帯
部52ｂとは、絶縁基板12の側辺12ｅから背面12ｄ上部を
横切るように引き回された連結帯52ｃを介して接続され
ているため、結果として前面12ｃ側の発熱抵抗体14と背
面12ｄ側の発熱抵抗体14は、この連結パターン52を介し
て直列接続されることとなる。なお、各発熱抵抗体14、
電極パターン16及び連結パターン52の表面には、沿面放
電防止用のクロスオーバガラス22が被覆されている。

【００２３】絶縁基板12の前面12ｃには、図５と同様、
一対の蓄熱材28，28が所定の間隔32を隔てて砕裂線
（イ）の左右に配置されると共に、該絶縁基板の背面12
ｄ中央にも、図２と同様、一つの蓄熱材28が配置されて
いる。この結果、この第４のヒューズ抵抗器50にあって
は、図９と同様、絶縁基板の前面12ｃにおける中央付近
に発熱抵抗体14と直接接する直接接触部βが現れると共
に、この両側に蓄熱材28を介して間接的に発熱抵抗体14
と接する間接接触部αが現れる。また、絶縁基板の背面
12ｄにおいては、その中央付近に蓄熱材28を介して間接
的に発熱抵抗体14と接する間接接触部αが現れると共
に、その両側に直接発熱抵抗体14と接する直接接触部β
が現れる。すなわち、この第４のヒューズ抵抗器50は、
上記第３のヒューズ抵抗器40と同様、過電流が流れて発
熱抵抗体14が発熱した場合における高温加熱部と低温加
熱部との配置が、絶縁基板の前面12ｃと背面12ｄとで互
い違いとなり、絶縁基板12の同一面における温度分布の
不均一性のみならず、異なった面同士でも温度分布の不
均一性が実現できるため、絶縁基板12の両面が同時に加
熱されることとも相俟って、絶縁基板12の熱歪みはさら
に促進され、その最小遮断電力をより低減することが可
能となる。

【００２４】

【発明の効果】本発明に係るヒューズ抵抗器にあって
は、絶縁基板表面の一部に蓄熱材を配置し、該絶縁基板
の表面に蓄熱材を介して上記発熱抵抗体と間接的に接す
る間接接触部と、上記発熱抵抗体と直接接する直接接触
部とを設けているため、過電流の通電によって発熱抵抗
体が発熱した場合、絶縁基板の表面において、高温に加
熱される部分と低温に加熱される部分とが分布すること
となり、この温度分布の不均一性によって、絶縁基板の
熱歪みが助長される。このため、発熱抵抗体の抵抗値を
極端に高く設定したり、絶縁基板を極端に割れ易くする
ことなく、極めて短時間のうちに絶縁基板を完全に砕裂
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１のヒューズ抵抗器を示す斜視
図である。

【図２】第１のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視図
である。

【図３】図１のＡ−Ａ’拡大断面図である。

【図４】本発明に係る第２のヒューズ抵抗器を示す斜視
図である。

【図５】第２のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視図
である。

【図６】図２のＢ−Ｂ’拡大断面図である。

【図７】本発明に係る第３のヒューズ抵抗器の前面側を
示す斜視図である。

【図８】本発明に係る第３のヒューズ抵抗器の背面側を
示す斜視図である。

【図９】図７のＣ−Ｃ’拡大断面図である。

【図１０】本発明に係る第４のヒューズ抵抗器の前面側
を示す斜視図である。

【図１１】本発明に係る第４のヒューズ抵抗器の背面側
を示す斜視図である。

【図１２】従来のヒューズ抵抗器を示す斜視図である。

【図１３】従来のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視
図である。

【図１４】図１３のＤ−Ｄ’拡大部分断面図である。

【符号の説明】

10 第１のヒューズ抵抗器 12 絶縁基板 14 発熱抵抗体 24 上部切欠部 24ａ 上部切欠部の頂点 26 下部切欠部 26ａ 下部切欠部の頂点 28 蓄熱材 30 第２のヒューズ抵抗器 40 第３のヒューズ抵抗器 50 第４のヒューズ抵抗器 （イ） 砕裂線 α 間接接触部 β 直接接触部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも一
   面に被着された発熱抵抗体とを備え、該発熱抵抗体に過
   電流が流れた場合に、その発熱作用によって上記絶縁基
   板が砕裂し、以て上記発熱抵抗体が切断されて過電流の
   通電を遮断するよう構成したヒューズ抵抗器において、
   上記絶縁基板表面の一部に蓄熱材を配置して、該絶縁基
   板の表面に、該蓄熱材を介して上記発熱抵抗体と間接的
   に接する間接接触部と、上記発熱抵抗体と直接接する直
   接接触部とを設けたことを特徴とするヒューズ抵抗器。
2. 【請求項２】 上記絶縁基板の対向する二辺に切欠部を
   形成すると共に、両切欠部を結ぶ線に沿って上記蓄熱材
   を配置したことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ
   抵抗器。
3. 【請求項３】 上記絶縁基板の対向する二辺に切欠部を
   形成すると共に、両切欠部を結ぶ線の両側に上記蓄熱材
   をそれぞれ配置したことを特徴とする請求項１に記載の
   ヒューズ抵抗器。
4. 【請求項４】 上記蓄熱材が、上記絶縁基板の前面及び
   背面にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項
   １乃至３の何れかに記載のヒューズ抵抗器。
5. 【請求項５】 上記絶縁基板の対向する二辺に切欠部を
   形成し、該絶縁基板の前面に両切欠部を結ぶ線に沿って
   上記蓄熱材を配置すると共に、上記絶縁基板の背面にお
   ける両切欠部を結ぶ線の両側に上記蓄熱材をそれぞれ配
   置したことを特徴とする請求項４に記載のヒューズ抵抗
   器。
6. 【請求項６】 上記蓄熱材が、ガラスよる成ることを特
   徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のヒューズ抵抗
   器。