JPH0878304A - アライメント方法 - Google Patents
アライメント方法Info
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- JPH0878304A JPH0878304A JP6208544A JP20854494A JPH0878304A JP H0878304 A JPH0878304 A JP H0878304A JP 6208544 A JP6208544 A JP 6208544A JP 20854494 A JP20854494 A JP 20854494A JP H0878304 A JPH0878304 A JP H0878304A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F9/7092—Signal processing
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヘテロダイン干渉方式のアライメント系を用
いてレチクルとウエハとのアライメントを行う際に、２
つのビート信号間の目標位相差がいかなる値であって
も、プリアライメントで要求される位置決め精度が、そ
の目標位相差が０である場合と変わらないようにする。 【構成】 レチクルのアライメントマークと基準マーク
との位置ずれ量Δｘ、及びレチクルマークと基準回折格
子マークとに対応するビート信号の位相差Δφ0から算
出した位相差ΔφT に基づいてプリアライメントを行
う。レチクルマークとウエハマークとに対応するビート
信号の位相差Δφ1 とその位相差ΔφT との差分が±１
８０°の範囲内になるように補正位相差ΔφA を求め、
この補正位相差ΔφA を用いてアライメントを行う。
いてレチクルとウエハとのアライメントを行う際に、２
つのビート信号間の目標位相差がいかなる値であって
も、プリアライメントで要求される位置決め精度が、そ
の目標位相差が０である場合と変わらないようにする。 【構成】 レチクルのアライメントマークと基準マーク
との位置ずれ量Δｘ、及びレチクルマークと基準回折格
子マークとに対応するビート信号の位相差Δφ0から算
出した位相差ΔφT に基づいてプリアライメントを行
う。レチクルマークとウエハマークとに対応するビート
信号の位相差Δφ1 とその位相差ΔφT との差分が±１
８０°の範囲内になるように補正位相差ΔφA を求め、
この補正位相差ΔφA を用いてアライメントを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばレチクル上に形
成されたパターンをウエハ上に転写する投影光学系を備
えた投影露光装置において、レチクルとウエハとの位置
合わせ（アライメント）を行う際に使用されるアライメ
ント方法に関し、特にヘテロダイン干渉方式でアライメ
ントマークの位置を検出するアライメント系を使用する
場合に適用して好適なものである。
成されたパターンをウエハ上に転写する投影光学系を備
えた投影露光装置において、レチクルとウエハとの位置
合わせ（アライメント）を行う際に使用されるアライメ
ント方法に関し、特にヘテロダイン干渉方式でアライメ
ントマークの位置を検出するアライメント系を使用する
場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等の製造に
使用される投影露光装置においては、ウエハ（又はガラ
スプレート等）上に形成される多数層の回路パターン相
互の重ね合わせ精度を高く維持する必要があるため、特
にウエハ上の２層目以降に露光する際に、レチクル（又
はフォトマスク等）とウエハとを高精度に位置合わせ
（アライメント）することが重要である。そのために
は、レチクルとウエハとの位置関係を高精度に検出する
ためのアライメント系が必要である。現状で原理的に最
も高い精度が実現できるアライメント系は、投影光学系
を介してレチクルとウエハとの相対位置関係を検出し、
その結果に基づいてレチクル又はウエハの位置を調整す
るＴＴＲ（スルー・ザ・レチクル）方式である。
使用される投影露光装置においては、ウエハ（又はガラ
スプレート等）上に形成される多数層の回路パターン相
互の重ね合わせ精度を高く維持する必要があるため、特
にウエハ上の２層目以降に露光する際に、レチクル（又
はフォトマスク等）とウエハとを高精度に位置合わせ
（アライメント）することが重要である。そのために
は、レチクルとウエハとの位置関係を高精度に検出する
ためのアライメント系が必要である。現状で原理的に最
も高い精度が実現できるアライメント系は、投影光学系
を介してレチクルとウエハとの相対位置関係を検出し、
その結果に基づいてレチクル又はウエハの位置を調整す
るＴＴＲ（スルー・ザ・レチクル）方式である。
【０００３】斯かるＴＴＲ方式のアライメント系とし
て、レチクル上の回折格子状のレチクルマーク、及びウ
エハ上のショット領域に付設された回折格子状のウエハ
マークにそれぞれ僅かに周波数が異なるコヒーレントな
２光束を交差するように照射するヘテロダイン干渉方式
のアライメント系が本出願人により提案されている（例
えば特開平２−２７２３０５号公報参照）。この方式で
は、レチクルマーク及びウエハマークからそれぞれ回折
により戻されるヘテロダインビームを光電変換してレチ
クル側のビート信号、及びウエハ側のビート信号を得、
それら２つのビート信号の位相差が検出される。そし
て、それら２つのビート信号の位相差が０°、又は或る
所定の目標位相差ｘになるようにレチクル又はウエハを
動かすことによりアライメントが行われる。
て、レチクル上の回折格子状のレチクルマーク、及びウ
エハ上のショット領域に付設された回折格子状のウエハ
マークにそれぞれ僅かに周波数が異なるコヒーレントな
２光束を交差するように照射するヘテロダイン干渉方式
のアライメント系が本出願人により提案されている（例
えば特開平２−２７２３０５号公報参照）。この方式で
は、レチクルマーク及びウエハマークからそれぞれ回折
により戻されるヘテロダインビームを光電変換してレチ
クル側のビート信号、及びウエハ側のビート信号を得、
それら２つのビート信号の位相差が検出される。そし
て、それら２つのビート信号の位相差が０°、又は或る
所定の目標位相差ｘになるようにレチクル又はウエハを
動かすことによりアライメントが行われる。
【０００４】この場合、例えばレチクルマーク及びウエ
ハマークからの±１次回折光を使用するものとして、回
折格子状のウエハマークの計測方向へのピッチをＰW と
すると、それら２つのビート信号の位相差が０になる位
置に対してウエハマークが計測方向に±ＰW ／４だけ移
動すると、その位相差は±１８０°変化する。また、位
相差は原理的に±１８０°の間、又は幅が３６０°の間
でしか検出できないため、２つのビート信号の目標位相
差を０°とすると、ヘテロダイン干渉方式のアライメン
ト系を用いて正確に位置合わせを行うには、別のウエハ
アライメントセンサを用いて、ウエハの当該ショット領
域のウエハマークを対応するレチクルマークに対して±
１／４ピッチの範囲内に位置決めする必要がある。そこ
で、従来は例えば、画像処理方式、又は細長いスリット
状に集光されたレーザビームでウエハマークを走査して
位置検出を行うレーザ・ステップ・アライメント方式
（ＬＳＡ方式）等の周知のプリアライメントセンサによ
り、ウエハマークの位置を検出し、この結果に基づいて
ウエハのプリアライメントを行っていた。
ハマークからの±１次回折光を使用するものとして、回
折格子状のウエハマークの計測方向へのピッチをＰW と
すると、それら２つのビート信号の位相差が０になる位
置に対してウエハマークが計測方向に±ＰW ／４だけ移
動すると、その位相差は±１８０°変化する。また、位
相差は原理的に±１８０°の間、又は幅が３６０°の間
でしか検出できないため、２つのビート信号の目標位相
差を０°とすると、ヘテロダイン干渉方式のアライメン
ト系を用いて正確に位置合わせを行うには、別のウエハ
アライメントセンサを用いて、ウエハの当該ショット領
域のウエハマークを対応するレチクルマークに対して±
１／４ピッチの範囲内に位置決めする必要がある。そこ
で、従来は例えば、画像処理方式、又は細長いスリット
状に集光されたレーザビームでウエハマークを走査して
位置検出を行うレーザ・ステップ・アライメント方式
（ＬＳＡ方式）等の周知のプリアライメントセンサによ
り、ウエハマークの位置を検出し、この結果に基づいて
ウエハのプリアライメントを行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来のヘ
テロダイン干渉方式のアライメント系では、２つのビー
ト信号の間の目標位相差が０°である場合には、プリア
ライメントに要求される精度は±１／４ピッチ以内とな
り、これは容易に実現できる精度であった。しかしなが
ら、実際には以下の又はの場合のように、その目標
位相差が０°以外の所定の値になることがある。
テロダイン干渉方式のアライメント系では、２つのビー
ト信号の間の目標位相差が０°である場合には、プリア
ライメントに要求される精度は±１／４ピッチ以内とな
り、これは容易に実現できる精度であった。しかしなが
ら、実際には以下の又はの場合のように、その目標
位相差が０°以外の所定の値になることがある。
【０００６】ヘテロダイン干渉方式のアライメント系
では、可干渉性のあるアライメント光の波長域が露光光
の波長域と異なるため、投影光学系ではアライメント光
に対して色収差が生ずる。従って、ＴＴＲ方式で正確に
アライメントを行うために、例えば投影光学系の瞳面付
近にウエハマーク用のアライメント光の光路を偏向させ
る色収差補正素子を配置する場合がある。この場合で
も、その色収差補正素子による補正量は、決してｎｍオ
ーダでは保証されておらず、その補正量の誤差がレチク
ルマーク上の検出位置とウエハマーク上の検出位置との
オフセット、即ち目標位相差の変動要因となる。
では、可干渉性のあるアライメント光の波長域が露光光
の波長域と異なるため、投影光学系ではアライメント光
に対して色収差が生ずる。従って、ＴＴＲ方式で正確に
アライメントを行うために、例えば投影光学系の瞳面付
近にウエハマーク用のアライメント光の光路を偏向させ
る色収差補正素子を配置する場合がある。この場合で
も、その色収差補正素子による補正量は、決してｎｍオ
ーダでは保証されておらず、その補正量の誤差がレチク
ルマーク上の検出位置とウエハマーク上の検出位置との
オフセット、即ち目標位相差の変動要因となる。
【０００７】ウエハが種々の工程を経る間に、ウエハ
上の被膜に伸縮が生じ、これによりウエハマークの当該
ショット領域におけるチップパターンに対する位置がず
れる、即ちウエハマークの位置にオフセットが重畳され
る場合がある。このようなオフセットは、例えば経験的
に求められるものであり、そのオフセットの影響を打ち
消すには、２つのビート信号の間の目標位相差をそのオ
フセットに対応する値だけずらす必要がある。
上の被膜に伸縮が生じ、これによりウエハマークの当該
ショット領域におけるチップパターンに対する位置がず
れる、即ちウエハマークの位置にオフセットが重畳され
る場合がある。このようなオフセットは、例えば経験的
に求められるものであり、そのオフセットの影響を打ち
消すには、２つのビート信号の間の目標位相差をそのオ
フセットに対応する値だけずらす必要がある。
【０００８】その目標位相差が例えば＋１５０°であっ
たならば、アライメント系で検出すべき位相差の範囲は
−３０°〜＋３３０°であるため、プリアライメントに
より、ウエハマークの位置ずれ量に換算して−１／２４
ピッチ〜＋１１／２４ピッチの精度で位置決めすること
が必要である。しかしながら、一般にプリアライメント
センサが高精度に計測できる範囲は、例えば所定の基準
マーク（又はレチクルマーク）に対して計測方向に対称
な領域であるため、プリアライメントセンサでは、実質
的に±１／２４ピッチ以内の検出精度が必要になる。こ
の±１／２４ピッチ以内の検出精度を得るのが容易でな
いのは言うまでもない。
たならば、アライメント系で検出すべき位相差の範囲は
−３０°〜＋３３０°であるため、プリアライメントに
より、ウエハマークの位置ずれ量に換算して−１／２４
ピッチ〜＋１１／２４ピッチの精度で位置決めすること
が必要である。しかしながら、一般にプリアライメント
センサが高精度に計測できる範囲は、例えば所定の基準
マーク（又はレチクルマーク）に対して計測方向に対称
な領域であるため、プリアライメントセンサでは、実質
的に±１／２４ピッチ以内の検出精度が必要になる。こ
の±１／２４ピッチ以内の検出精度を得るのが容易でな
いのは言うまでもない。
【０００９】更に、先に示した例では目標位相差は＋１
５０°であったが、実際には目標位相差は−１８０°〜
＋１８０°の間の任意の値を取り得るため、例えば目標
位相差が＋１８０°に近い場合を想定すると、実質上プ
リアライメントセンサに許される誤差はほぼ０となる
が、このようなプリアライメントセンサは現実にはあり
得ない。従って、従来のように目標位相差の値に応じて
プリアライメントセンサに要求される検出精度が異なる
方式は、特にその目標位相差が０°から大きく外れた場
合に実用的でなくなるという不都合があった。
５０°であったが、実際には目標位相差は−１８０°〜
＋１８０°の間の任意の値を取り得るため、例えば目標
位相差が＋１８０°に近い場合を想定すると、実質上プ
リアライメントセンサに許される誤差はほぼ０となる
が、このようなプリアライメントセンサは現実にはあり
得ない。従って、従来のように目標位相差の値に応じて
プリアライメントセンサに要求される検出精度が異なる
方式は、特にその目標位相差が０°から大きく外れた場
合に実用的でなくなるという不都合があった。
【００１０】本発明は斯かる点に鑑み、ヘテロダイン干
渉方式のアライメント系を用いてレチクルとウエハとの
アライメントを行う際に、２つのビート信号の間の目標
位相差がいかなる値であっても、プリアライメントで要
求される位置決め精度が、その目標位相差が０である場
合と変わらないようなアライメント方法を提供すること
を目的とする。
渉方式のアライメント系を用いてレチクルとウエハとの
アライメントを行う際に、２つのビート信号の間の目標
位相差がいかなる値であっても、プリアライメントで要
求される位置決め精度が、その目標位相差が０である場
合と変わらないようなアライメント方法を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によるアライメン
ト方法は、露光用の照明光のもとでマスク（４）上のパ
ターンを感光基板（６）上に投影する投影光学系（５）
と、その感光基板をその投影光学系の光軸に垂直な平面
内で移動させる基板ステージ（８Ｘ，８Ｙ）と、マスク
（４）上に形成された格子状の第１のアライメントマー
ク（３５Ａ）、及び感光基板（６）上に形成された格子
状の第２のアライメントマーク（４８Ａ）にそれぞれ互
いに周波数の異なる可干渉な２光束を照射し、それら２
つのアライメントマークから戻される２つのヘテロダイ
ンビームをそれぞれ光電変換して得られる２つのビート
信号（ＳR,ＳW)の位相差を検出するヘテロダイン干渉方
式のアライメント系（１，２，７０）と、を有する投影
露光装置で、そのヘテロダイン干渉方式のアライメント
系により検出される位相差に基づいてマスク（４）と感
光基板（６）との相対的な位置合わせを行う方法に関す
る。
ト方法は、露光用の照明光のもとでマスク（４）上のパ
ターンを感光基板（６）上に投影する投影光学系（５）
と、その感光基板をその投影光学系の光軸に垂直な平面
内で移動させる基板ステージ（８Ｘ，８Ｙ）と、マスク
（４）上に形成された格子状の第１のアライメントマー
ク（３５Ａ）、及び感光基板（６）上に形成された格子
状の第２のアライメントマーク（４８Ａ）にそれぞれ互
いに周波数の異なる可干渉な２光束を照射し、それら２
つのアライメントマークから戻される２つのヘテロダイ
ンビームをそれぞれ光電変換して得られる２つのビート
信号（ＳR,ＳW)の位相差を検出するヘテロダイン干渉方
式のアライメント系（１，２，７０）と、を有する投影
露光装置で、そのヘテロダイン干渉方式のアライメント
系により検出される位相差に基づいてマスク（４）と感
光基板（６）との相対的な位置合わせを行う方法に関す
る。
【００１２】そして、本発明では、基板ステージ（８
Ｘ，８Ｙ）上に設けられ基準パターン（４４Ａ）及び基
準回折格子状マーク（４５Ａ）が形成された基準部材
（４１）と、その露光用の照明光と同じ波長域の検出光
のもとで、そのマスク上に形成された第３のアライメン
トマーク（３４Ａ）と投影光学系（５）を介した基準パ
ターン（４４Ａ）の像との相対的な位置ずれ量を検出す
る光学観察手段（３９）と、を用い、光学観察手段（３
９）によりそのマスク上の第３のアライメントマーク
（３４Ａ）と基準パターン（４４Ａ）の像との相対的な
位置ずれ量Δを計測するのと並行して、そのヘテロダイ
ン干渉方式のアライメント系によりそのマスク上の第１
のアライメントマーク（３５Ａ）と基準回折格子状マー
ク（４５Ａ）とに対応する２つのビート信号の位相差Δ
φ0 を検出する第１工程（ステップ１０１〜１０３）を
有する。
Ｘ，８Ｙ）上に設けられ基準パターン（４４Ａ）及び基
準回折格子状マーク（４５Ａ）が形成された基準部材
（４１）と、その露光用の照明光と同じ波長域の検出光
のもとで、そのマスク上に形成された第３のアライメン
トマーク（３４Ａ）と投影光学系（５）を介した基準パ
ターン（４４Ａ）の像との相対的な位置ずれ量を検出す
る光学観察手段（３９）と、を用い、光学観察手段（３
９）によりそのマスク上の第３のアライメントマーク
（３４Ａ）と基準パターン（４４Ａ）の像との相対的な
位置ずれ量Δを計測するのと並行して、そのヘテロダイ
ン干渉方式のアライメント系によりそのマスク上の第１
のアライメントマーク（３５Ａ）と基準回折格子状マー
ク（４５Ａ）とに対応する２つのビート信号の位相差Δ
φ0 を検出する第１工程（ステップ１０１〜１０３）を
有する。
【００１３】更に本発明は、その相対的な位置ずれ量
Δ、及びその位相差Δφ0 より目標位相差ΔφT を算出
する第２工程（ステップ１０４）と、それらマスク及び
感光基板をおおまかに位置合わせした後、そのヘテロダ
イン干渉方式のアライメント系によりそのマスク上の第
１のアライメントマーク（３５Ａ）とその感光基板上の
第２のアライメントマーク（４８Ａ）とに対応する２つ
のビート信号の初期位相差Δφ1 を検出する第３工程
（ステップ１０５，１０６）と、予め定められた検出幅
θに対して、その目標位相差ΔφT に対するその初期位
相差Δφ1 のずれ量ΔφD が−θからθの範囲を超える
とき、その初期位相差Δφ1 に角度２ｎθ（ｎは整数）
を加えて得られた補正位相差ΔφA が−θからθの範囲
内に入るように整数ｎの値を定める第４工程（ステップ
１０７，１０８，１１１，１１２）と、その補正位相差
ΔφA がその目標位相差ΔφT に近づくようにそれらマ
スクと感光基板との相対位置を調整する第５工程（ステ
ップ１０９）と、を有するものである。
Δ、及びその位相差Δφ0 より目標位相差ΔφT を算出
する第２工程（ステップ１０４）と、それらマスク及び
感光基板をおおまかに位置合わせした後、そのヘテロダ
イン干渉方式のアライメント系によりそのマスク上の第
１のアライメントマーク（３５Ａ）とその感光基板上の
第２のアライメントマーク（４８Ａ）とに対応する２つ
のビート信号の初期位相差Δφ1 を検出する第３工程
（ステップ１０５，１０６）と、予め定められた検出幅
θに対して、その目標位相差ΔφT に対するその初期位
相差Δφ1 のずれ量ΔφD が−θからθの範囲を超える
とき、その初期位相差Δφ1 に角度２ｎθ（ｎは整数）
を加えて得られた補正位相差ΔφA が−θからθの範囲
内に入るように整数ｎの値を定める第４工程（ステップ
１０７，１０８，１１１，１１２）と、その補正位相差
ΔφA がその目標位相差ΔφT に近づくようにそれらマ
スクと感光基板との相対位置を調整する第５工程（ステ
ップ１０９）と、を有するものである。
【００１４】この場合、その検出幅θが１８０°である
ときには、その整数ｎの値は０、又は±１である。
ときには、その整数ｎの値は０、又は±１である。
【００１５】
【作用】斯かる本発明によれば、先ず検出幅θが１８０
°の場合につき説明する。この場合、実際に検出される
ヘテロダイン干渉方式のアライメント系による２つのビ
ート信号の位相差Δφの検出範囲は幅で３６０°の範囲
である。一例としてその検出範囲を±１８０°（±π
［ｒａｄ］）の範囲内、即ち−１８０°＜Δφ≦＋１８
０°（又は−１８０°≦Δφ＜＋１８０°）とする。
°の場合につき説明する。この場合、実際に検出される
ヘテロダイン干渉方式のアライメント系による２つのビ
ート信号の位相差Δφの検出範囲は幅で３６０°の範囲
である。一例としてその検出範囲を±１８０°（±π
［ｒａｄ］）の範囲内、即ち−１８０°＜Δφ≦＋１８
０°（又は−１８０°≦Δφ＜＋１８０°）とする。
【００１６】先ず、第１工程及び第２工程において、第
３のアライメントマーク（３４Ａ）と基準パターン（４
４Ａ）との相対的な位置ずれ量Δ、及びこのときの第１
のアライメントマーク（３５Ａ）と基準回折格子マーク
（４５Ａ）とに対応するビート信号の位相差Δφ0 よ
り、その位置ずれ量Δが所定の値になるときの位相差Δ
φ0 を目標位相差ΔφT とする。目標位相差ΔφT が±
１８０°の範囲内の値であると、本発明での整数ｎの値
は０，＋１，又は−１となる。
３のアライメントマーク（３４Ａ）と基準パターン（４
４Ａ）との相対的な位置ずれ量Δ、及びこのときの第１
のアライメントマーク（３５Ａ）と基準回折格子マーク
（４５Ａ）とに対応するビート信号の位相差Δφ0 よ
り、その位置ずれ量Δが所定の値になるときの位相差Δ
φ0 を目標位相差ΔφT とする。目標位相差ΔφT が±
１８０°の範囲内の値であると、本発明での整数ｎの値
は０，＋１，又は−１となる。
【００１７】次に、マスク（４）及び感光基板（６）の
プリアライメントを行うが、このプリアライメントはマ
スク（４）の第１のアライメントマーク（３４Ａ）と感
光基板（６）上の第２のアライメントマーク（４８Ａ）
との位置ずれ量がその目標位相差ΔφT になるように行
う。但し、プリアライメントでは位置決め精度は、位相
差にして±１８０°の範囲内でよいため、プリアライメ
ントの結果、第１のアライメントマーク（３４Ａ）と感
光基板（６）上の第２のアライメントマーク（４８Ａ）
との位置ずれ量は、ΔφT −１８０°〜ΔφT ＋１８０
°の範囲内である。例えば、目標位相差ΔφT を１７０
°とすると、プリアライメント後の位置ずれ量は−１０
°〜３５０°の範囲内であるため、その位置ずれ量を位
相差にして３００°であるとする。
プリアライメントを行うが、このプリアライメントはマ
スク（４）の第１のアライメントマーク（３４Ａ）と感
光基板（６）上の第２のアライメントマーク（４８Ａ）
との位置ずれ量がその目標位相差ΔφT になるように行
う。但し、プリアライメントでは位置決め精度は、位相
差にして±１８０°の範囲内でよいため、プリアライメ
ントの結果、第１のアライメントマーク（３４Ａ）と感
光基板（６）上の第２のアライメントマーク（４８Ａ）
との位置ずれ量は、ΔφT −１８０°〜ΔφT ＋１８０
°の範囲内である。例えば、目標位相差ΔφT を１７０
°とすると、プリアライメント後の位置ずれ量は−１０
°〜３５０°の範囲内であるため、その位置ずれ量を位
相差にして３００°であるとする。
【００１８】次に、ヘテロダイン干渉方式のアライメン
ト系により、第１のアライメントマーク（３４Ａ）と第
２のアライメントマーク（４８Ａ）とに対応するビート
信号の初期位相差Δφ1 を検出すると、検出範囲は±１
８０°の範囲内であるため、その３００°の位相差は−
６０°（＝３００°−３６０°）となる。ここで、初期
位相差Δφ1 の目標位相差ΔφT に対するずれ量は−２
３０°なり、−１８０°を超えるため、その初期位相差
Δφ1 に３６０°を加算すると、値が３００°となる補
正位相差ΔφA が求められる。この補正位相差Δφ
A は、プリアライメント後の位相差として仮定した位相
差に等しい。従って、この補正位相差ΔφAが目標位相
差ΔφT に近づくようにマスク（４）若しくは感光基板
（６）（又は両方）の位置を調整することにより、アラ
イメントが高精度に行われる。
ト系により、第１のアライメントマーク（３４Ａ）と第
２のアライメントマーク（４８Ａ）とに対応するビート
信号の初期位相差Δφ1 を検出すると、検出範囲は±１
８０°の範囲内であるため、その３００°の位相差は−
６０°（＝３００°−３６０°）となる。ここで、初期
位相差Δφ1 の目標位相差ΔφT に対するずれ量は−２
３０°なり、−１８０°を超えるため、その初期位相差
Δφ1 に３６０°を加算すると、値が３００°となる補
正位相差ΔφA が求められる。この補正位相差Δφ
A は、プリアライメント後の位相差として仮定した位相
差に等しい。従って、この補正位相差ΔφAが目標位相
差ΔφT に近づくようにマスク（４）若しくは感光基板
（６）（又は両方）の位置を調整することにより、アラ
イメントが高精度に行われる。
【００１９】また、検出幅θが１８０°以外の場合に
も、目標位相差ΔφT が０以外の値であっても、プリア
ライメントで要求される精度が目標値に対して±θの範
囲内であれば、高精度にアライメントが行われる。
も、目標位相差ΔφT が０以外の値であっても、プリア
ライメントで要求される精度が目標値に対して±θの範
囲内であれば、高精度にアライメントが行われる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。本実施例は、ＴＴＲ方式で且つヘテロダイ
ン干渉方式のアライメント装置を備えた投影露光装置で
アライメントを行う場合に本発明を適用したものであ
る。図２は、本例の投影露光装置の全体の概略構成を示
し、この図２においてレチクル４はレチクルステージ９
上に保持され、ウエハ６はウエハステージ６１上に保持
され、露光時には露光照明系６７からの露光用の波長λ
0 の照明光がダイクロイックミラー３を介してレチクル
４に照射され、その照明光のもとでレチクル３のパター
ン像が投影光学系５を介してフォトレジストが塗布され
たウエハ６の各ショット領域に露光される。レチクルス
テージ９、及びウエハステージ６１は、それぞれ投影光
学系５の光軸に垂直な平面上でレチクル４及びウエハ６
の位置決めを行う。レチクルステージ９、及びウエハス
テージ６１の２次元座標はそれぞれレチクル側の干渉計
６２、ウエハ側の干渉計６３により検出され、検出結果
が中央制御系６４に供給され、中央制御系６４は、レチ
クルステージ制御系６５、及びウエハステージ制御系６
６を介してそれぞれレチクルステージ６５、及びウエハ
ステージ６１の動作を制御する。
て説明する。本実施例は、ＴＴＲ方式で且つヘテロダイ
ン干渉方式のアライメント装置を備えた投影露光装置で
アライメントを行う場合に本発明を適用したものであ
る。図２は、本例の投影露光装置の全体の概略構成を示
し、この図２においてレチクル４はレチクルステージ９
上に保持され、ウエハ６はウエハステージ６１上に保持
され、露光時には露光照明系６７からの露光用の波長λ
0 の照明光がダイクロイックミラー３を介してレチクル
４に照射され、その照明光のもとでレチクル３のパター
ン像が投影光学系５を介してフォトレジストが塗布され
たウエハ６の各ショット領域に露光される。レチクルス
テージ９、及びウエハステージ６１は、それぞれ投影光
学系５の光軸に垂直な平面上でレチクル４及びウエハ６
の位置決めを行う。レチクルステージ９、及びウエハス
テージ６１の２次元座標はそれぞれレチクル側の干渉計
６２、ウエハ側の干渉計６３により検出され、検出結果
が中央制御系６４に供給され、中央制御系６４は、レチ
クルステージ制御系６５、及びウエハステージ制御系６
６を介してそれぞれレチクルステージ６５、及びウエハ
ステージ６１の動作を制御する。
【００２１】次に、プリアライメント用としてＴＴＬ
（スルー・ザ・レチクル）方式のプリアライメントセン
サ４２が、投影光学系５の側面近傍に配置されている。
プリアライメントセンサ４２は、レチクル４と投影光学
系５との間に配置されたミラー４３、及び投影光学系５
を介してウエハ６上のウエハマークの近傍にスリット状
に集光されるレーザビームを照射する。この状態でウエ
ハステージ６１を駆動してウエハ６を計測方向に走査す
ると、ウエハマークがそのレーザビームにかかると所定
の方向に回折光が発生し、この回折光が投影光学系５、
及びミラー４３を介してプリアライメントセンサ４２の
受光部に入射する。この受光部４２からの光電変換信号
が中央制御系６４に供給され、中央制御系６４は、その
光電変換信号のレベルが最大になるときのウエハ側の干
渉計６３の計測値より、そのウエハマークの２次元座標
を求め、この検出結果に基づいてウエハ６の当該ショッ
ト領域のプリアライメントを行う。即ち、本例のプリア
ライメントセンサ４２はレーザ・ステップ・アライメン
ト方式であるが、撮像方式等も使用できることは言うま
でもない。
（スルー・ザ・レチクル）方式のプリアライメントセン
サ４２が、投影光学系５の側面近傍に配置されている。
プリアライメントセンサ４２は、レチクル４と投影光学
系５との間に配置されたミラー４３、及び投影光学系５
を介してウエハ６上のウエハマークの近傍にスリット状
に集光されるレーザビームを照射する。この状態でウエ
ハステージ６１を駆動してウエハ６を計測方向に走査す
ると、ウエハマークがそのレーザビームにかかると所定
の方向に回折光が発生し、この回折光が投影光学系５、
及びミラー４３を介してプリアライメントセンサ４２の
受光部に入射する。この受光部４２からの光電変換信号
が中央制御系６４に供給され、中央制御系６４は、その
光電変換信号のレベルが最大になるときのウエハ側の干
渉計６３の計測値より、そのウエハマークの２次元座標
を求め、この検出結果に基づいてウエハ６の当該ショッ
ト領域のプリアライメントを行う。即ち、本例のプリア
ライメントセンサ４２はレーザ・ステップ・アライメン
ト方式であるが、撮像方式等も使用できることは言うま
でもない。
【００２２】また、ウエハステージ６１上には基準マー
ク等が形成された基準マーク部材４１が固定され、レチ
クルアライメント時には、基準マーク部材４１が投影光
学系５の露光フィールド内に移動され、基準マークが底
面側から露光用の照明光と同じ波長λ0 の照明光で照明
される。その基準マークを通過した照明光は、投影光学
系５を経てレチクル４の下面のアライメントマーク上に
基準マーク像を形成し、レチクル４の上方のレチクルア
ライメント顕微鏡３９，４０によりそれらアライメント
マーク、及び基準マークの像が撮像され、撮像信号が中
央制御系６４に供給される。中央制御系６４では、供給
された撮像信号を処理して基準マークに対するアライメ
ントマークの位置ずれ量を求める。
ク等が形成された基準マーク部材４１が固定され、レチ
クルアライメント時には、基準マーク部材４１が投影光
学系５の露光フィールド内に移動され、基準マークが底
面側から露光用の照明光と同じ波長λ0 の照明光で照明
される。その基準マークを通過した照明光は、投影光学
系５を経てレチクル４の下面のアライメントマーク上に
基準マーク像を形成し、レチクル４の上方のレチクルア
ライメント顕微鏡３９，４０によりそれらアライメント
マーク、及び基準マークの像が撮像され、撮像信号が中
央制御系６４に供給される。中央制御系６４では、供給
された撮像信号を処理して基準マークに対するアライメ
ントマークの位置ずれ量を求める。
【００２３】更に、最終的なアライメントを行うため
に、ＴＴＲ方式でヘテロダイン干渉方式のアライメント
系が設けられている。このアライメント系は、レーザ制
御系６９、アライメント送光系１ａ、ビームスプリッタ
ー２６、対物レンズ２、アライメント受光系１ｂ、及び
アライメント信号処理系７０等より構成されている。ア
ライメントを行う際には、中央制御系６４は、レーザ制
御系６９を介してアライメント送光系１ａ中のレーザ光
源に発光を行わせる。アライメント送光系１ａ中のレー
ザ光源から射出されたレーザビームが、所定の周波数変
調を経てアライメント光としてビームスプリッター２６
に向かい、ビームスプリッター２６で反射されたレーザ
ビームが、対物レンズ２、ダイクロイックミラー３を透
過してレチクル４に照射され、レチクル４を透過したレ
ーザ光源が基準マーク部材４１（又はウエハマーク）に
照射される。
に、ＴＴＲ方式でヘテロダイン干渉方式のアライメント
系が設けられている。このアライメント系は、レーザ制
御系６９、アライメント送光系１ａ、ビームスプリッタ
ー２６、対物レンズ２、アライメント受光系１ｂ、及び
アライメント信号処理系７０等より構成されている。ア
ライメントを行う際には、中央制御系６４は、レーザ制
御系６９を介してアライメント送光系１ａ中のレーザ光
源に発光を行わせる。アライメント送光系１ａ中のレー
ザ光源から射出されたレーザビームが、所定の周波数変
調を経てアライメント光としてビームスプリッター２６
に向かい、ビームスプリッター２６で反射されたレーザ
ビームが、対物レンズ２、ダイクロイックミラー３を透
過してレチクル４に照射され、レチクル４を透過したレ
ーザ光源が基準マーク部材４１（又はウエハマーク）に
照射される。
【００２４】そして、基準マーク部材４１（又はウエハ
マーク）での回折により生じたヘテロダインビーム、及
びレチクルマークでの回折により生じたヘテロダインビ
ームが、ダイクロイックミラー３、対物レンズ２、ビー
ムスプリッター２６を経てアライメント受光系１ｂに入
射し、アライメント受光系では２つのビート信号が生成
される。これらのビート信号がアライメント信号処理系
７０に供給され、ここで２つのビート信号の位相差が検
出され、検出された位相差が中央制御系６４に供給され
る。検出された位相差に基づいて、中央制御系６４はア
ライメント時の目標位相差を求めるか、又は最終的なア
ライメントを行う。
マーク）での回折により生じたヘテロダインビーム、及
びレチクルマークでの回折により生じたヘテロダインビ
ームが、ダイクロイックミラー３、対物レンズ２、ビー
ムスプリッター２６を経てアライメント受光系１ｂに入
射し、アライメント受光系では２つのビート信号が生成
される。これらのビート信号がアライメント信号処理系
７０に供給され、ここで２つのビート信号の位相差が検
出され、検出された位相差が中央制御系６４に供給され
る。検出された位相差に基づいて、中央制御系６４はア
ライメント時の目標位相差を求めるか、又は最終的なア
ライメントを行う。
【００２５】次に、レチクルアライメント顕微鏡、及び
ヘテロダイン方式のアライメント系につき詳細に説明す
る。図３は本実施例の投影露光装置のステージ系及びア
ライメント光学系を示し、投影光学系５の光軸ＡＸに平
行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面の直交座標系をＸ
軸、及びＹ軸とする。この場合、図３（ａ）はその投影
露光装置をＹ方向に見た正面図であり、図３（ｂ）は図
３（ａ）の側面図であり、アライメント光学系１は、図
２のアライメント送光系１ａ、ビームスプリッター２
６、及びアライメント受光系１ｂに対応し、ウエハ６を
Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ位置決めするＸステージ８
Ｘ、及びＹステージ８Ｙが図２のウエハステージ６１に
対応する。また、図３ではウエハステージとウエハ６と
の間に、ウエハ６を保持するウエハホルダが設けられて
いる。実際には、Ｘステージ８Ｘ上に、ウエハ６をＺ方
向に位置決めするＺステージが載置され、このＺステー
ジ上に基準マーク部材４１が設けられている。
ヘテロダイン方式のアライメント系につき詳細に説明す
る。図３は本実施例の投影露光装置のステージ系及びア
ライメント光学系を示し、投影光学系５の光軸ＡＸに平
行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面の直交座標系をＸ
軸、及びＹ軸とする。この場合、図３（ａ）はその投影
露光装置をＹ方向に見た正面図であり、図３（ｂ）は図
３（ａ）の側面図であり、アライメント光学系１は、図
２のアライメント送光系１ａ、ビームスプリッター２
６、及びアライメント受光系１ｂに対応し、ウエハ６を
Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ位置決めするＸステージ８
Ｘ、及びＹステージ８Ｙが図２のウエハステージ６１に
対応する。また、図３ではウエハステージとウエハ６と
の間に、ウエハ６を保持するウエハホルダが設けられて
いる。実際には、Ｘステージ８Ｘ上に、ウエハ６をＺ方
向に位置決めするＺステージが載置され、このＺステー
ジ上に基準マーク部材４１が設けられている。
【００２６】アライメント光学系１の詳細は図８に示さ
れており、後で説明する。アライメント光学系１から
は、露光波長λ0 と異なる平均波長λ1 で周波数差Δｆ
（本例では５０ｋＨｚ）のレチクルアライメント照明光
ＲＢ1 ，ＲＢ2 、及びウエハアライメント照明光Ｗ
Ｂ1 ，ＷＢ2 と、波長λ1 に近い平均波長λ2 で周波数
差Δｆ（＝５０ｋＨｚ）のレチクルアライメント照明光
ＲＢ3 ，ＲＢ4 、及びウエハアライメント照明光Ｗ
Ｂ3 ，ＷＢ4 とが射出される。
れており、後で説明する。アライメント光学系１から
は、露光波長λ0 と異なる平均波長λ1 で周波数差Δｆ
（本例では５０ｋＨｚ）のレチクルアライメント照明光
ＲＢ1 ，ＲＢ2 、及びウエハアライメント照明光Ｗ
Ｂ1 ，ＷＢ2 と、波長λ1 に近い平均波長λ2 で周波数
差Δｆ（＝５０ｋＨｚ）のレチクルアライメント照明光
ＲＢ3 ，ＲＢ4 、及びウエハアライメント照明光Ｗ
Ｂ3 ，ＷＢ4 とが射出される。
【００２７】図３（ａ）に示すように、レチクルアライ
メント照明光ＲＢ1 ，ＲＢ2 は対物レンズ２によってレ
チクル４上に集光され、レチクル４の下面の回折格子状
のレチクルマーク３５Ａにそれぞれ入射角−θR1，θR1
で照射される。図４は、本例のレチクル４のパターン配
置を示し、この図４において、レチクル４の中央部のパ
ターン領域３２の周囲に遮光帯３３が形成され、遮光帯
３３中のＸ方向に伸びた辺中にＹ方向にピッチＰR で形
成された回折格子よりなるＹ軸用のレチクルマーク３６
Ａ及び３６Ｂが形成され、Ｙ方向に伸びた辺中にＸ方向
にピッチＰR で形成された回折格子よりなるＸ軸用のレ
チクルマーク３５Ａ及び３５Ｂが形成されている。レチ
クルマーク３５Ａ及び３５Ｂの内側にそれぞれウエハ側
に向かうアライメント光を通過させるための透過性の窓
部（以下、「レチクル窓」と呼ぶ）３７Ａ及び３７Ｂが
形成され、レチクルマーク３６Ａ及び３６Ｂの内側にそ
れぞれウエハ側に向かうアライメント光を通過させるた
めのレチクル窓３８Ａ及び３８Ｂが形成されている。更
に、遮光帯３３をＸ方向に挟むように十字型のアライメ
ントマーク３４Ａ及び３４Ｂが形成されている。
メント照明光ＲＢ1 ，ＲＢ2 は対物レンズ２によってレ
チクル４上に集光され、レチクル４の下面の回折格子状
のレチクルマーク３５Ａにそれぞれ入射角−θR1，θR1
で照射される。図４は、本例のレチクル４のパターン配
置を示し、この図４において、レチクル４の中央部のパ
ターン領域３２の周囲に遮光帯３３が形成され、遮光帯
３３中のＸ方向に伸びた辺中にＹ方向にピッチＰR で形
成された回折格子よりなるＹ軸用のレチクルマーク３６
Ａ及び３６Ｂが形成され、Ｙ方向に伸びた辺中にＸ方向
にピッチＰR で形成された回折格子よりなるＸ軸用のレ
チクルマーク３５Ａ及び３５Ｂが形成されている。レチ
クルマーク３５Ａ及び３５Ｂの内側にそれぞれウエハ側
に向かうアライメント光を通過させるための透過性の窓
部（以下、「レチクル窓」と呼ぶ）３７Ａ及び３７Ｂが
形成され、レチクルマーク３６Ａ及び３６Ｂの内側にそ
れぞれウエハ側に向かうアライメント光を通過させるた
めのレチクル窓３８Ａ及び３８Ｂが形成されている。更
に、遮光帯３３をＸ方向に挟むように十字型のアライメ
ントマーク３４Ａ及び３４Ｂが形成されている。
【００２８】図１１は、図４中のレチクルマーク３５Ａ
及びレチクル窓３７Ａの拡大図であり、レチクルマーク
３５Ａに照明光ＲＢ1 ，ＲＢ2 ，ＲＢ3 ，ＲＢ4 よりな
る光束５０が照射され、レチクル窓３７Ａを照明光ＷＢ
1 ，ＷＢ2 ，ＷＢ3 ，ＷＢ4よりなる光束５１が通過し
ている。図３に戻り、入射角−θR1，θR1とレチクルマ
ーク３５Ａの格子ピッチＰR とは次式の関係にあり、照
明光ＲＢ1 の＋１次回折光ＲＢ1 +1 と照明光ＲＢ2 の−
１次回折光ＲＢ2 -1 とはそれぞれ真上に発生し、アライ
メント検出光（ヘテロダインビーム）として対物レンズ
２を介してアライメント光学系１に戻る。
及びレチクル窓３７Ａの拡大図であり、レチクルマーク
３５Ａに照明光ＲＢ1 ，ＲＢ2 ，ＲＢ3 ，ＲＢ4 よりな
る光束５０が照射され、レチクル窓３７Ａを照明光ＷＢ
1 ，ＷＢ2 ，ＷＢ3 ，ＷＢ4よりなる光束５１が通過し
ている。図３に戻り、入射角−θR1，θR1とレチクルマ
ーク３５Ａの格子ピッチＰR とは次式の関係にあり、照
明光ＲＢ1 の＋１次回折光ＲＢ1 +1 と照明光ＲＢ2 の−
１次回折光ＲＢ2 -1 とはそれぞれ真上に発生し、アライ
メント検出光（ヘテロダインビーム）として対物レンズ
２を介してアライメント光学系１に戻る。
【００２９】sin （θR1）＝λ1 ／ＰR （１） 同様に、レチクルアライメント照明光ＲＢ3 ，ＲＢ4 も
対物レンズ２によってレチクル４上に集光され、レチク
ル４上のレチクルマーク３５Ａに入射角−θR2，θR2で
照射される。このとき、照明光ＲＢ3 の＋１次回折光Ｒ
Ｂ3 +1 と照明光ＲＢ4 の−１次回折光ＲＢ4 -1 とがそれ
ぞれ真上に発生し、対物レンズ２を介してアライメント
光学系１に戻る。
対物レンズ２によってレチクル４上に集光され、レチク
ル４上のレチクルマーク３５Ａに入射角−θR2，θR2で
照射される。このとき、照明光ＲＢ3 の＋１次回折光Ｒ
Ｂ3 +1 と照明光ＲＢ4 の−１次回折光ＲＢ4 -1 とがそれ
ぞれ真上に発生し、対物レンズ２を介してアライメント
光学系１に戻る。
【００３０】一方、ウエハアライメント照明光ＷＢ1 ，
ＷＢ2 はレチクル４上のレチクル窓３７Ａを通過し、投
影光学系５中の色収差制御板１０に達する。色収差制御
板１０の照明光ＷＢ1 ，ＷＢ2 が通過する部分には、そ
れぞれ回折格子状の軸上色収差制御素子Ｇ１A ，Ｇ１B
（図１０参照）が形成されており、照明光ＷＢ1 ，ＷＢ
2 はそれぞれ角度−θG1，θG1だけ曲げられて、回折格
子状のウエハマーク４８Ａに対しそれぞれ入射角−
θW1，θW1で照射される。
ＷＢ2 はレチクル４上のレチクル窓３７Ａを通過し、投
影光学系５中の色収差制御板１０に達する。色収差制御
板１０の照明光ＷＢ1 ，ＷＢ2 が通過する部分には、そ
れぞれ回折格子状の軸上色収差制御素子Ｇ１A ，Ｇ１B
（図１０参照）が形成されており、照明光ＷＢ1 ，ＷＢ
2 はそれぞれ角度−θG1，θG1だけ曲げられて、回折格
子状のウエハマーク４８Ａに対しそれぞれ入射角−
θW1，θW1で照射される。
【００３１】図５は、ウエハ６のショット配列の一部を
示し、この図５において、露光対象とするショット領域
４８ＡをＸ方向に挟むようにＹ方向にピッチＰW で形成
された回折格子よりなるＹ軸用のウエハマーク４９Ａ及
び４９Ｂが形成され、ショット領域４８ＡをＹ方向に挟
むようにＸ方向にピッチＰW で形成された回折格子より
なるＸ軸用のウエハマーク４８Ａ及び４８Ｂが形成され
ている。他のショット領域にもそれぞれウエハマークが
付設されている。
示し、この図５において、露光対象とするショット領域
４８ＡをＸ方向に挟むようにＹ方向にピッチＰW で形成
された回折格子よりなるＹ軸用のウエハマーク４９Ａ及
び４９Ｂが形成され、ショット領域４８ＡをＹ方向に挟
むようにＸ方向にピッチＰW で形成された回折格子より
なるＸ軸用のウエハマーク４８Ａ及び４８Ｂが形成され
ている。他のショット領域にもそれぞれウエハマークが
付設されている。
【００３２】図３（ａ）に戻り、入射角−θW1，θW1と
ウエハマーク４８Ａの格子ピッチＰ W とは次式の関係に
あり、照明光ＷＢ1 の＋１次回折光ＷＢ1 +1 と照明光Ｗ
Ｂ2の−１次回折光ＷＢ2 -1 とはそれぞれ真上に発生
し、これら２つの回折光がアライメント検出光（ヘテロ
ダインビーム）となる。 sin （θW1）＝λ1 ／ＰW （２） 同様に、ウエハアライメント照明光ＷＢ3 ，ＷＢ4 は照
明光ＷＢ1 ，ＷＢ2 に波長が近いため、色収差制御板１
０上で通過する位置は、それぞれほぼ軸上色収差制御素
子Ｇ１A ，Ｇ１B 上と見なせる。そのため、照明光ＷＢ
3 ，ＷＢ4 はそれぞれ角度−θG2，θG2だけ曲げられ
て、ウエハマーク４８Ａに対しそれぞれ入射角−θW2，
θW2で照射される。そして、照明光ＷＢ3 の＋１次回折
光ＷＢ3 +1と照明光ＷＢ4 の−１次回折光ＷＢ4 -1 とが
それぞれ真上に発生し、アライメント検出光となる。
ウエハマーク４８Ａの格子ピッチＰ W とは次式の関係に
あり、照明光ＷＢ1 の＋１次回折光ＷＢ1 +1 と照明光Ｗ
Ｂ2の−１次回折光ＷＢ2 -1 とはそれぞれ真上に発生
し、これら２つの回折光がアライメント検出光（ヘテロ
ダインビーム）となる。 sin （θW1）＝λ1 ／ＰW （２） 同様に、ウエハアライメント照明光ＷＢ3 ，ＷＢ4 は照
明光ＷＢ1 ，ＷＢ2 に波長が近いため、色収差制御板１
０上で通過する位置は、それぞれほぼ軸上色収差制御素
子Ｇ１A ，Ｇ１B 上と見なせる。そのため、照明光ＷＢ
3 ，ＷＢ4 はそれぞれ角度−θG2，θG2だけ曲げられ
て、ウエハマーク４８Ａに対しそれぞれ入射角−θW2，
θW2で照射される。そして、照明光ＷＢ3 の＋１次回折
光ＷＢ3 +1と照明光ＷＢ4 の−１次回折光ＷＢ4 -1 とが
それぞれ真上に発生し、アライメント検出光となる。
【００３３】この場合、図３（ｂ）に示すように、色収
差制御板１０の偏向作用によりウエハアライメント照明
光は、非計測方向（Ｙ方向）においてウエハ６に対して
角度θm だけ傾いて入射するため、上記各アライメント
検出光が色収差制御板１０上で通過する位置は入射時に
通過した位置と異なる。ウエハマーク４８Ａからのアラ
イメント検出光は、色収差制御板１０上の軸上色収差制
御素子Ｇ１C （図１０参照）を通ることによって横方向
の色収差が補正されて、レチクル窓３７Ａに向かう。そ
の後、各検出光はレチクル窓３７Ａ、及び対物レンズ２
を介して再びアライメント光学系１へと戻る。
差制御板１０の偏向作用によりウエハアライメント照明
光は、非計測方向（Ｙ方向）においてウエハ６に対して
角度θm だけ傾いて入射するため、上記各アライメント
検出光が色収差制御板１０上で通過する位置は入射時に
通過した位置と異なる。ウエハマーク４８Ａからのアラ
イメント検出光は、色収差制御板１０上の軸上色収差制
御素子Ｇ１C （図１０参照）を通ることによって横方向
の色収差が補正されて、レチクル窓３７Ａに向かう。そ
の後、各検出光はレチクル窓３７Ａ、及び対物レンズ２
を介して再びアライメント光学系１へと戻る。
【００３４】図１０は、色収差制御板１０を示し、図１
０において、ガラス基板よりなる透過性の図１０上に
は、１２個の軸上色収差制御素子が配置されている。そ
して、３個の軸上色収差制御素子Ｇ１A ，Ｇ１B ，Ｇ１
C が図３のアライメント光学系１のウエハアライメント
照明光、及びアライメント検出光の偏向用に使用されて
いる。実際には、他に３軸のアライメント光学系がある
ため、色収差制御板１０上には全体で１２（＝３×４）
個の軸上色収差制御素子Ｇ１A ，Ｇ１B ，Ｇ１C〜Ｇ４
A ，Ｇ４B ，Ｇ４C が形成されている。
０において、ガラス基板よりなる透過性の図１０上に
は、１２個の軸上色収差制御素子が配置されている。そ
して、３個の軸上色収差制御素子Ｇ１A ，Ｇ１B ，Ｇ１
C が図３のアライメント光学系１のウエハアライメント
照明光、及びアライメント検出光の偏向用に使用されて
いる。実際には、他に３軸のアライメント光学系がある
ため、色収差制御板１０上には全体で１２（＝３×４）
個の軸上色収差制御素子Ｇ１A ，Ｇ１B ，Ｇ１C〜Ｇ４
A ，Ｇ４B ，Ｇ４C が形成されている。
【００３５】ここで、図８、及び図９を参照して、アラ
イメント光学系１について詳しく説明する。図８（ｂ）
はアライメント光学系１を図３（ｂ）と同じ方向から見
た図、図８（ａ）はアライメント光学系１を図３（ａ）
と同じ方向から見た図、図８（ｃ）は図８（ａ）の底面
図であり、図９はアライメント光学系の前段部を示す斜
視図である。
イメント光学系１について詳しく説明する。図８（ｂ）
はアライメント光学系１を図３（ｂ）と同じ方向から見
た図、図８（ａ）はアライメント光学系１を図３（ａ）
と同じ方向から見た図、図８（ｃ）は図８（ａ）の底面
図であり、図９はアライメント光学系の前段部を示す斜
視図である。
【００３６】図８において、例えばＨｅ−Ｎｅレーザ光
源よりなる第１のレーザ光源１１から出た波長λ1 のレ
ーザビームと、例えばレーザダイオードよりなる第２の
レーザ光源１２から出た波長λ2 のレーザビームとは、
ビーム合成プリズム１３によって照明光Ｂに合成され、
それぞれ周波数Ｆ1 で駆動されている音響光学変調素子
（以下、「ＡＯＭ」と呼ぶ）１４に入射する。ＡＯＭの
多くは＋１次回折光の強度を高めるために光をブラッグ
角で入射させるタイプ（所謂ブラッグ型ＡＯＭ）である
が、ＡＯＭ１４は光を垂直に入射させてラマン・ナス回
折による±１次回折光を均等に得るもの、即ちラマン・
ナス型ＡＯＭである。照明光Ｂ内の２つのレーザビーム
は波長が若干異なるため、ＡＯＭ１４によってそれぞれ
若干異なる角度に回折光が発生する。波長毎に異なる方
向に進む回折光を図９の実線及び破線で示す。これら＋
１次、及び−１次回折光は、もとの周波数に対してそれ
ぞれ＋Ｆ1 ，及び−Ｆ1 の周波数差を持っている。
源よりなる第１のレーザ光源１１から出た波長λ1 のレ
ーザビームと、例えばレーザダイオードよりなる第２の
レーザ光源１２から出た波長λ2 のレーザビームとは、
ビーム合成プリズム１３によって照明光Ｂに合成され、
それぞれ周波数Ｆ1 で駆動されている音響光学変調素子
（以下、「ＡＯＭ」と呼ぶ）１４に入射する。ＡＯＭの
多くは＋１次回折光の強度を高めるために光をブラッグ
角で入射させるタイプ（所謂ブラッグ型ＡＯＭ）である
が、ＡＯＭ１４は光を垂直に入射させてラマン・ナス回
折による±１次回折光を均等に得るもの、即ちラマン・
ナス型ＡＯＭである。照明光Ｂ内の２つのレーザビーム
は波長が若干異なるため、ＡＯＭ１４によってそれぞれ
若干異なる角度に回折光が発生する。波長毎に異なる方
向に進む回折光を図９の実線及び破線で示す。これら＋
１次、及び−１次回折光は、もとの周波数に対してそれ
ぞれ＋Ｆ1 ，及び−Ｆ1 の周波数差を持っている。
【００３７】図９において、ＡＯＭ１４から射出された
レーザビームはレンズ１５を通過して空間フィルタ１６
に入射し、空間フィルタ１６によって±１次回折光のみ
が選択され、選択された回折光はレンズ１７を経て、Ａ
ＯＭ１４に対して４５°回転して配置され、且つ周波数
Ｆ2 で駆動されているＡＯＭ１８に交差するように入射
する。ＡＯＭ１８はブラッグ型ＡＯＭであり、入射角は
ブラッグ角の１／sin４５°になるよう設定してある。
従って、光軸の回りに４５°回転した面で見れば、回折
光の入射角はブラッグ角である。この場合、ＡＯＭ１４
で＋Ｆ1 の周波数変調を受けたレーザビームはＡＯＭ１
８で−１次回折光が強く発生し、その−１次回折光はＡ
ＯＭ１８で−Ｆ2 の周波数変調を受け、レーザ光源１
１，１２から射出されるときに対して＋（Ｆ1 −Ｆ2 ）
の周波数変調を受けたアライメントビームＢ1 ，Ｂ3 に
なる。同様に、ＡＯＭ１４で−Ｆ1 の周波数変調を受け
たレーザビームはＡＯＭ１８で＋１次回折光が強く発生
し、その＋１次回折光はＡＯＭ１８で−Ｆ2 の周波数変
調を受け、レーザ光源１１，１２から射出されるときに
対して−（Ｆ1 −Ｆ2 ）の周波数変調を受けたアライメ
ントビームＢ2 ，Ｂ4になる。その結果、アライメント
ビームＢ1 ，Ｂ3 とアライメントビームＢ2 ，Ｂ4 との
周波数差Δｆは２（Ｆ1 −Ｆ2 ）で表され、この例では
Δｆは５０ｋＨｚに設定されるものとする。ＡＯＭ１８
を通過したレーザビームは、レンズ１９を経て空間フィ
ルタ２０に入射し、空間フィルタ２０で選択されたアラ
イメントビームＢ1 〜Ｂ4 は後段へと導かれる。
レーザビームはレンズ１５を通過して空間フィルタ１６
に入射し、空間フィルタ１６によって±１次回折光のみ
が選択され、選択された回折光はレンズ１７を経て、Ａ
ＯＭ１４に対して４５°回転して配置され、且つ周波数
Ｆ2 で駆動されているＡＯＭ１８に交差するように入射
する。ＡＯＭ１８はブラッグ型ＡＯＭであり、入射角は
ブラッグ角の１／sin４５°になるよう設定してある。
従って、光軸の回りに４５°回転した面で見れば、回折
光の入射角はブラッグ角である。この場合、ＡＯＭ１４
で＋Ｆ1 の周波数変調を受けたレーザビームはＡＯＭ１
８で−１次回折光が強く発生し、その−１次回折光はＡ
ＯＭ１８で−Ｆ2 の周波数変調を受け、レーザ光源１
１，１２から射出されるときに対して＋（Ｆ1 −Ｆ2 ）
の周波数変調を受けたアライメントビームＢ1 ，Ｂ3 に
なる。同様に、ＡＯＭ１４で−Ｆ1 の周波数変調を受け
たレーザビームはＡＯＭ１８で＋１次回折光が強く発生
し、その＋１次回折光はＡＯＭ１８で−Ｆ2 の周波数変
調を受け、レーザ光源１１，１２から射出されるときに
対して−（Ｆ1 −Ｆ2 ）の周波数変調を受けたアライメ
ントビームＢ2 ，Ｂ4になる。その結果、アライメント
ビームＢ1 ，Ｂ3 とアライメントビームＢ2 ，Ｂ4 との
周波数差Δｆは２（Ｆ1 −Ｆ2 ）で表され、この例では
Δｆは５０ｋＨｚに設定されるものとする。ＡＯＭ１８
を通過したレーザビームは、レンズ１９を経て空間フィ
ルタ２０に入射し、空間フィルタ２０で選択されたアラ
イメントビームＢ1 〜Ｂ4 は後段へと導かれる。
【００３８】図８に戻り、アライメントビームＢ1 〜Ｂ
4 はレンズ２１によって視野絞り２２上に集光され、レ
チクル又はウエハ上でのビーム形状が決められた後、レ
チクル・ウエハビーム分離プリズム２３によってレチク
ルアライメント照明光ＲＢ1〜ＲＢ4 、及びウエハアラ
イメント照明光ＷＢ1 〜ＷＢ4 に分けられる。その後、
アライメント照明光はレンズ２４を経て直視プリズム２
５に到達する。直視プリズム２５は光軸を中心に回転可
能であり、不図示のモータによって外部からの指示によ
り駆動される。直視プリズム２５が回転すると波長
λ1 ，λ2 の２色の照明光は相対角度が変化し、波長λ
1 の照明光ＲＢ1,ＷＢ1,ＲＢ2,ＷＢ2 に対してそれぞれ
波長λ2 の照明光ＲＢ3,ＷＢ3,ＲＢ4,ＷＢ4 が分離され
る。このように対角度が変化した照明光は、ビームスプ
リッタ２６を経て図３の対物レンズ２に向かう。相対角
度の変化により、波長λ1 ，λ2 の２色の照明光のレチ
クル及びウエハ上での照射位置の相対関係も変化する。
4 はレンズ２１によって視野絞り２２上に集光され、レ
チクル又はウエハ上でのビーム形状が決められた後、レ
チクル・ウエハビーム分離プリズム２３によってレチク
ルアライメント照明光ＲＢ1〜ＲＢ4 、及びウエハアラ
イメント照明光ＷＢ1 〜ＷＢ4 に分けられる。その後、
アライメント照明光はレンズ２４を経て直視プリズム２
５に到達する。直視プリズム２５は光軸を中心に回転可
能であり、不図示のモータによって外部からの指示によ
り駆動される。直視プリズム２５が回転すると波長
λ1 ，λ2 の２色の照明光は相対角度が変化し、波長λ
1 の照明光ＲＢ1,ＷＢ1,ＲＢ2,ＷＢ2 に対してそれぞれ
波長λ2 の照明光ＲＢ3,ＷＢ3,ＲＢ4,ＷＢ4 が分離され
る。このように対角度が変化した照明光は、ビームスプ
リッタ２６を経て図３の対物レンズ２に向かう。相対角
度の変化により、波長λ1 ，λ2 の２色の照明光のレチ
クル及びウエハ上での照射位置の相対関係も変化する。
【００３９】一方、図３のレチクルマーク３７Ａ及びウ
エハマーク４８Ａからのアライメント検出光は、図８の
アライメント光学系１に戻った後、ビームスプリッタ２
６により反射され、レンズ２７を経てレチクル、及びウ
エハと共役な位置にある検出光分離プリズム２８によっ
て、レチクル検出光とウエハ検出光とに分離される。レ
チクル検出光ＲＢ1 +1 ，ＲＢ2 -1 及びＲＢ3 +1 ，ＲＢ4
-1 は検出光分離プリズム２８を透過し、波長λ1 の光
束のみを透過させる色フィルタ２９により検出光ＲＢ1
+1 ，ＲＢ2 -1 のみが選別され、光電検出素子３０によ
って受光される。ウエハ検出光ＷＢ1 +1 ，ＷＢ2 -1 及び
ＷＢ3 +1 ，ＷＢ4 -1 は検出光分離プリズム２８で反射さ
れて、光電検出素子３１によって受光される。光電検出
素子３０からレチクルマークの位置に対応するレチクル
ビート信号ＳR が出力され、光電検出素子３１からウエ
ハマークの位置に対応するウエハビート信号ＳW が出力
される。
エハマーク４８Ａからのアライメント検出光は、図８の
アライメント光学系１に戻った後、ビームスプリッタ２
６により反射され、レンズ２７を経てレチクル、及びウ
エハと共役な位置にある検出光分離プリズム２８によっ
て、レチクル検出光とウエハ検出光とに分離される。レ
チクル検出光ＲＢ1 +1 ，ＲＢ2 -1 及びＲＢ3 +1 ，ＲＢ4
-1 は検出光分離プリズム２８を透過し、波長λ1 の光
束のみを透過させる色フィルタ２９により検出光ＲＢ1
+1 ，ＲＢ2 -1 のみが選別され、光電検出素子３０によ
って受光される。ウエハ検出光ＷＢ1 +1 ，ＷＢ2 -1 及び
ＷＢ3 +1 ，ＷＢ4 -1 は検出光分離プリズム２８で反射さ
れて、光電検出素子３１によって受光される。光電検出
素子３０からレチクルマークの位置に対応するレチクル
ビート信号ＳR が出力され、光電検出素子３１からウエ
ハマークの位置に対応するウエハビート信号ＳW が出力
される。
【００４０】レチクルビート信号ＳR は検出光Ｒ
Ｂ1 +1 ，ＲＢ2 -1 による周波数差Δｆの正弦波状のビー
ト信号であり、ウエハビート信号ＳW は検出光Ｗ
Ｂ1 +1 ，ＷＢ2 -1及びＷＢ3 +1 ，ＷＢ4 -1 による周波数
差Δｆの正弦波状のビート信号である。両者の位相差Δ
φ［ｒａｄ］はレチクル４、及びウエハ６のＸ方向への
相対移動量により変化し、その移動量Δｘは以下の式に
示す通りである。即ち、レチクルマーク、又はウエハマ
ークの１／２ピッチ分の相対移動量が、ビート信号の位
相差で２π［ｒａｄ］、即ち３６０°に相当する。
Ｂ1 +1 ，ＲＢ2 -1 による周波数差Δｆの正弦波状のビー
ト信号であり、ウエハビート信号ＳW は検出光Ｗ
Ｂ1 +1 ，ＷＢ2 -1及びＷＢ3 +1 ，ＷＢ4 -1 による周波数
差Δｆの正弦波状のビート信号である。両者の位相差Δ
φ［ｒａｄ］はレチクル４、及びウエハ６のＸ方向への
相対移動量により変化し、その移動量Δｘは以下の式に
示す通りである。即ち、レチクルマーク、又はウエハマ
ークの１／２ピッチ分の相対移動量が、ビート信号の位
相差で２π［ｒａｄ］、即ち３６０°に相当する。
【００４１】 Δｘ（レチクル上）＝ＰR ・Δφ／（４π） （３） Δｘ（ウエハ上） ＝ＰW ・Δφ／（４π） （４） なお、Ｙ方向用のアライメント系により、Ｙ軸用のレチ
クルマーク及びウエハークに対応するビート信号が得ら
れ、これらビート信号の位相差が求められる。図３に戻
り、本実施例のレチクル４の上方にはレチクルアライメ
ント顕微鏡３９，４０が配置されている。また、Ｘステ
ージ８Ｘ上には基準マーク部材４１が配置されている。
図７に示すように、ガラス基板等からなる透過性の基準
マーク部材４１の下面には、Ｘ方向に所定間隔で枠型の
基準マーク４４Ａ及び４４Ｂが形成され、それら基準マ
ークの間にＹ方向に所定ピッチで回折格子状の基準回折
格子マーク４６Ａ，４６Ｂが形成され、Ｘ方向に所定ピ
ッチで回折格子状の基準回折格子マーク４５Ａ，４５Ｂ
が形成されている。基準回折格子マーク４５Ａ〜４６Ｂ
のピッチは、図５のウエハマーク４８Ａ〜４９Ｂのピッ
チと等しい。
クルマーク及びウエハークに対応するビート信号が得ら
れ、これらビート信号の位相差が求められる。図３に戻
り、本実施例のレチクル４の上方にはレチクルアライメ
ント顕微鏡３９，４０が配置されている。また、Ｘステ
ージ８Ｘ上には基準マーク部材４１が配置されている。
図７に示すように、ガラス基板等からなる透過性の基準
マーク部材４１の下面には、Ｘ方向に所定間隔で枠型の
基準マーク４４Ａ及び４４Ｂが形成され、それら基準マ
ークの間にＹ方向に所定ピッチで回折格子状の基準回折
格子マーク４６Ａ，４６Ｂが形成され、Ｘ方向に所定ピ
ッチで回折格子状の基準回折格子マーク４５Ａ，４５Ｂ
が形成されている。基準回折格子マーク４５Ａ〜４６Ｂ
のピッチは、図５のウエハマーク４８Ａ〜４９Ｂのピッ
チと等しい。
【００４２】次に、本実施例でレチクルアライメントを
行ってウエハ上にレチクルのパターンを露光する際の動
作の一例につき図１のフローチャートを参照して説明す
る。以下では簡単のため、主にＸ方向への位置決めにつ
いて説明する。先ず、図１のステップ１０１において、
図３のウエハステージを駆動して基準マーク部材４１を
投影光学系５の露光フィールド内に設定する。そして、
ステップ１０２において、図７の基準マーク部材４１の
基準マーク４４Ａ及び４４Ｂに対して底面側から露光用
の照明光と同じ波長λ0 の照明光が照射され、基準マー
ク４４Ａ及び４４Ｂを通過した照明光が、図３の投影光
学系５を通ってレチクルアライメント顕微鏡３９，４０
内のＣＣＤカメラに、レチクル側のアライメントマーク
３４Ａ，３４Ｂ、及び基準マーク４４Ａ，４４Ｂの像を
形成する。
行ってウエハ上にレチクルのパターンを露光する際の動
作の一例につき図１のフローチャートを参照して説明す
る。以下では簡単のため、主にＸ方向への位置決めにつ
いて説明する。先ず、図１のステップ１０１において、
図３のウエハステージを駆動して基準マーク部材４１を
投影光学系５の露光フィールド内に設定する。そして、
ステップ１０２において、図７の基準マーク部材４１の
基準マーク４４Ａ及び４４Ｂに対して底面側から露光用
の照明光と同じ波長λ0 の照明光が照射され、基準マー
ク４４Ａ及び４４Ｂを通過した照明光が、図３の投影光
学系５を通ってレチクルアライメント顕微鏡３９，４０
内のＣＣＤカメラに、レチクル側のアライメントマーク
３４Ａ，３４Ｂ、及び基準マーク４４Ａ，４４Ｂの像を
形成する。
【００４３】図６は、そのＣＣＤカメラによって観察さ
れる基準マーク４４Ａ，４４Ｂの像４４ＡＲ，４４Ｂ
Ｒ、及びレチクル上のアライメントマーク３４Ａ，３４
Ｂを電気的に１つの画面に合成したものである。画像処
理によって基準マークの像４４ＡＲ，４４ＢＲに対する
アライメントマーク３４Ａ，３４Ｂの相対的な位置ずれ
量が検出される。２つのレチクルアライメント顕微鏡３
９、及び４０によりそれぞれＸ方向及びＹ方向の１組の
相対的な位置ずれ量（Δｘ1 ，Δｙ1 ）、及び（Δ
ｘ2 ，Δｙ2 ）が計測される。位置ずれ量Δｘ1 の平均
値をΔｘとする。
れる基準マーク４４Ａ，４４Ｂの像４４ＡＲ，４４Ｂ
Ｒ、及びレチクル上のアライメントマーク３４Ａ，３４
Ｂを電気的に１つの画面に合成したものである。画像処
理によって基準マークの像４４ＡＲ，４４ＢＲに対する
アライメントマーク３４Ａ，３４Ｂの相対的な位置ずれ
量が検出される。２つのレチクルアライメント顕微鏡３
９、及び４０によりそれぞれＸ方向及びＹ方向の１組の
相対的な位置ずれ量（Δｘ1 ，Δｙ1 ）、及び（Δ
ｘ2 ，Δｙ2 ）が計測される。位置ずれ量Δｘ1 の平均
値をΔｘとする。
【００４４】このとき同時に、ステップ１０３におい
て、ヘテロダイン干渉方式のアライメント系によって、
レチクルマーク３５Ａに対応するレチクルビート信号Ｓ
R と、基準回折格子マーク４５Ａに対応するウエハビー
ト信号ＳW との位相差（初期位相差）Δφ0 が計測され
る。既に説明したように、ヘテロダイン干渉方式のアラ
イメント系はＸ方向及びＹ方向につき各２軸ずつある
が、簡単のためここではＸ方向の１つの軸のみについて
説明している。
て、ヘテロダイン干渉方式のアライメント系によって、
レチクルマーク３５Ａに対応するレチクルビート信号Ｓ
R と、基準回折格子マーク４５Ａに対応するウエハビー
ト信号ＳW との位相差（初期位相差）Δφ0 が計測され
る。既に説明したように、ヘテロダイン干渉方式のアラ
イメント系はＸ方向及びＹ方向につき各２軸ずつある
が、簡単のためここではＸ方向の１つの軸のみについて
説明している。
【００４５】レチクルアライメント顕微鏡３９，４０に
より検出された計４個の位置ずれ量（Δｘ1 ，Δ
ｙ1 ），（Δｘ2 ，Δｙ2 ）より、レチクルアライメン
ト顕微鏡３９，４０の位置においてレチクル４と基準マ
ーク４４Ａ，４４Ｂとがどれくらいずれているかが計算
できる。例えば、Δｙ1 とΔｙ2 との差分より回転量が
分かるし、それらの平均値からＹ方向への平行ずれ量が
分かる。同様に、Δｘ1 とΔｘ2 との差分より倍率ずれ
が分かり、それらの平均値からＸ方向への平行ずれ量が
分かる。このうち、倍率分は不図示の投影光学系５の結
像特性の制御装置によって補正されるものとし、残りの
Ｘ軸平行成分、Ｙ軸平行成分、及び回転成分を使ってレ
チクル４と基準マーク４４Ａ，４４Ｂとの相対的な位置
ずれを求める。この結果求められるレチクル４と基準マ
ーク４４Ａ，４４ＢとのＸ方向へのレチクル４上での相
対的な位置ずれ量をΔｘとする。
より検出された計４個の位置ずれ量（Δｘ1 ，Δ
ｙ1 ），（Δｘ2 ，Δｙ2 ）より、レチクルアライメン
ト顕微鏡３９，４０の位置においてレチクル４と基準マ
ーク４４Ａ，４４Ｂとがどれくらいずれているかが計算
できる。例えば、Δｙ1 とΔｙ2 との差分より回転量が
分かるし、それらの平均値からＹ方向への平行ずれ量が
分かる。同様に、Δｘ1 とΔｘ2 との差分より倍率ずれ
が分かり、それらの平均値からＸ方向への平行ずれ量が
分かる。このうち、倍率分は不図示の投影光学系５の結
像特性の制御装置によって補正されるものとし、残りの
Ｘ軸平行成分、Ｙ軸平行成分、及び回転成分を使ってレ
チクル４と基準マーク４４Ａ，４４Ｂとの相対的な位置
ずれを求める。この結果求められるレチクル４と基準マ
ーク４４Ａ，４４ＢとのＸ方向へのレチクル４上での相
対的な位置ずれ量をΔｘとする。
【００４６】次に、ステップ１０４において、（３）式
より位置ずれ量Δｘを位相差Δφに換算する。このよう
に換算された位相差Δφを初期位相値Δφ0 より差し引
くことで、目標追い込み位相値ΔφT が決定される。こ
れは、レチクル４（正確にはアライメントマーク３４
Ａ，３４Ｂ）が基準マーク４４Ａ，４４Ｂに対してＸ方
向に合致しているときの、２つのビート信号ＳR,ＳW の
位相差を目標追い込み位相差ΔφT とすることを意味し
ている。
より位置ずれ量Δｘを位相差Δφに換算する。このよう
に換算された位相差Δφを初期位相値Δφ0 より差し引
くことで、目標追い込み位相値ΔφT が決定される。こ
れは、レチクル４（正確にはアライメントマーク３４
Ａ，３４Ｂ）が基準マーク４４Ａ，４４Ｂに対してＸ方
向に合致しているときの、２つのビート信号ＳR,ＳW の
位相差を目標追い込み位相差ΔφT とすることを意味し
ている。
【００４７】図１３は、２つのビート信号ＳR,ＳW の位
相差が目標追い込み位相差ΔφT に合致している状態を
示す。最終的なアライメントの終了時にも、レチクルマ
ーク及びウエハマークに対応する２つのビート信号の関
係が図１３の状態になることが目標である。但し、基準
マーク４４Ａ，４４Ｂの形成時に位置ずれが生ずること
もあり、更に各種の工程を経ることにより、ウエハ６上
のウエハマークが設計上の位置からずれてオフセットが
重畳されること等もある。このような位置ずれ、又はオ
フセットに応じてその目標追込み位相差ΔφT は補正さ
れる。また、予め基準マーク４４Ａ，４４Ｂに対するウ
エハ６上の各ショット領域に付設されたウエハマークの
位置関係は計測されている。
相差が目標追い込み位相差ΔφT に合致している状態を
示す。最終的なアライメントの終了時にも、レチクルマ
ーク及びウエハマークに対応する２つのビート信号の関
係が図１３の状態になることが目標である。但し、基準
マーク４４Ａ，４４Ｂの形成時に位置ずれが生ずること
もあり、更に各種の工程を経ることにより、ウエハ６上
のウエハマークが設計上の位置からずれてオフセットが
重畳されること等もある。このような位置ずれ、又はオ
フセットに応じてその目標追込み位相差ΔφT は補正さ
れる。また、予め基準マーク４４Ａ，４４Ｂに対するウ
エハ６上の各ショット領域に付設されたウエハマークの
位置関係は計測されている。
【００４８】その後、ステップ１０５において、図５に
示すウエハ６上の露光対象とするショット領域４７を、
露光フィールド内にプリアライメントする。このために
図３のプリアライメントセンサ４２が使用される。この
プリアライメントセンサ４２により、図５のウエハマー
ク４８Ａ又は４８Ｂの位置を計測し、ウエハマーク４８
Ａ，４８ＢのＸ方向の座標の平均値に対する、図４のレ
チクルマーク３５Ａ，３５ＢのＸ方向の座標の平均値の
ずれ量が、ビート信号の位相差に換算して目標追込み位
相差ΔφT になるように、Ｘステージ８Ｘ及びＹステー
ジ８Ｙを駆動してウエハ６のプリアライメントを行う。
また、プリアライメントセンサ４２の計測精度は、ウエ
ハマーク４８Ａ，４８ＢのピッチＰW に対して、±１／
４ピッチの範囲内である。
示すウエハ６上の露光対象とするショット領域４７を、
露光フィールド内にプリアライメントする。このために
図３のプリアライメントセンサ４２が使用される。この
プリアライメントセンサ４２により、図５のウエハマー
ク４８Ａ又は４８Ｂの位置を計測し、ウエハマーク４８
Ａ，４８ＢのＸ方向の座標の平均値に対する、図４のレ
チクルマーク３５Ａ，３５ＢのＸ方向の座標の平均値の
ずれ量が、ビート信号の位相差に換算して目標追込み位
相差ΔφT になるように、Ｘステージ８Ｘ及びＹステー
ジ８Ｙを駆動してウエハ６のプリアライメントを行う。
また、プリアライメントセンサ４２の計測精度は、ウエ
ハマーク４８Ａ，４８ＢのピッチＰW に対して、±１／
４ピッチの範囲内である。
【００４９】次に、ステップ１０６に移行して、ヘテロ
ダイン干渉方式のアライメント系により、レチクル４上
のレチクルマーク３７Ａ、及びショット領域４７に付設
されているウエハマーク４８Ａに対応するレチクルビー
ト信号ＳR 、及びウエハビート信号ＳW を生成し、図２
のアライメント信号処理系７０においてそれら２つのビ
ート信号の位相差Δφ1 を計測する。また、別のＸ軸用
のアライメント系により、他方のレチクルマーク３７
Ｂ、及びウエハマーク４８Ｂに対応する２つのビート信
号の位相差も計測され、この位相差と先の位相差Δφ1
との平均値を改めて位相差Δφ1 とおく。
ダイン干渉方式のアライメント系により、レチクル４上
のレチクルマーク３７Ａ、及びショット領域４７に付設
されているウエハマーク４８Ａに対応するレチクルビー
ト信号ＳR 、及びウエハビート信号ＳW を生成し、図２
のアライメント信号処理系７０においてそれら２つのビ
ート信号の位相差Δφ1 を計測する。また、別のＸ軸用
のアライメント系により、他方のレチクルマーク３７
Ｂ、及びウエハマーク４８Ｂに対応する２つのビート信
号の位相差も計測され、この位相差と先の位相差Δφ1
との平均値を改めて位相差Δφ1 とおく。
【００５０】そして、ステップ１０７において、差分
（Δφ1 −ΔφT ）を計算し、図１４に示すようにその
差分が＋１８０°（π［ｒａｄ］）より大きければ、位
相差Δφ1 から３６０°を差し引いた結果を補正位相差
ΔφA とする（ステップ１０８）。一方、ステップ１０
７において、差分が１８０°以下であれば、ステップ１
１１へ移行して差分（Δφ1 −ΔφT ）を−１８０°と
比較し、その差分が−１８０°以下であれば、位相差Δ
φ1 に３６０°を加算した結果を補正位相差Δφ A とす
る（ステップ１１２）。また、ステップ１１１で差分が
−１８０°より大きいとき、即ち、−１８０°＜（Δφ
1 −ΔφT ）≦＋１８０° であれば、ステップ１１３
に移行して位相差Δφ1 をそのまま補正位相差ΔφA と
する。その後、ステップ１０８、ステップ１１２、又は
ステップ１１３からステップ１０９に移行して、補正位
相差ΔφA に基づいてアライメントを行う。即ち、補正
位相差ΔφA が目標追込み位相差ΔφT に近づく方向
に、レチクルステージ９又はウエハ側のＸステージ８Ｘ
を駆動し、その補正位相差ΔφA が所定の許容誤差範囲
内で目標追い込み位相差ΔφT に合致するまでステージ
の駆動を続ける。
（Δφ1 −ΔφT ）を計算し、図１４に示すようにその
差分が＋１８０°（π［ｒａｄ］）より大きければ、位
相差Δφ1 から３６０°を差し引いた結果を補正位相差
ΔφA とする（ステップ１０８）。一方、ステップ１０
７において、差分が１８０°以下であれば、ステップ１
１１へ移行して差分（Δφ1 −ΔφT ）を−１８０°と
比較し、その差分が−１８０°以下であれば、位相差Δ
φ1 に３６０°を加算した結果を補正位相差Δφ A とす
る（ステップ１１２）。また、ステップ１１１で差分が
−１８０°より大きいとき、即ち、−１８０°＜（Δφ
1 −ΔφT ）≦＋１８０° であれば、ステップ１１３
に移行して位相差Δφ1 をそのまま補正位相差ΔφA と
する。その後、ステップ１０８、ステップ１１２、又は
ステップ１１３からステップ１０９に移行して、補正位
相差ΔφA に基づいてアライメントを行う。即ち、補正
位相差ΔφA が目標追込み位相差ΔφT に近づく方向
に、レチクルステージ９又はウエハ側のＸステージ８Ｘ
を駆動し、その補正位相差ΔφA が所定の許容誤差範囲
内で目標追い込み位相差ΔφT に合致するまでステージ
の駆動を続ける。
【００５１】その後、ステップ１１０において、ショッ
ト領域４７にレチクル４のパターンが露光される。実際
には、露光中にも、振動等によりアライメント誤差が発
生しないように、その補正位相差ΔφA が目標追い込み
位相差ΔφT に合致するようにステージの制御が行われ
ている。上述のように本例によれば、図１のステップ１
０７〜１１３で示すように、２つのビート信号の位相差
Δφ1 から目標追い込み位相差ΔφT を差し引いて得ら
れる差分が±１８０°の範囲内に入るように補正を行っ
ているため、目標追い込み位相差ΔφT が０°以外の
値、例えば＋１８０°に近いような値であっても正確に
アライメントを行うことができる。
ト領域４７にレチクル４のパターンが露光される。実際
には、露光中にも、振動等によりアライメント誤差が発
生しないように、その補正位相差ΔφA が目標追い込み
位相差ΔφT に合致するようにステージの制御が行われ
ている。上述のように本例によれば、図１のステップ１
０７〜１１３で示すように、２つのビート信号の位相差
Δφ1 から目標追い込み位相差ΔφT を差し引いて得ら
れる差分が±１８０°の範囲内に入るように補正を行っ
ているため、目標追い込み位相差ΔφT が０°以外の
値、例えば＋１８０°に近いような値であっても正確に
アライメントを行うことができる。
【００５２】なお、上述実施例では、差分（Δφ1 −Δ
φT ）を±１８０°と比較しているが、差分（Δφ1 −
ΔφT ）を±θと比較して（θ＜１８０°）、補正位相
差ΔφA と目標追い込み位相差ΔφT との差分が±θの
範囲内に収まるように、位相差Δφ1 に２ｎθ（ｎは整
数）を加算してその補正位相差ΔφA を定めてやればよ
い場合もある。但し、この場合には、プリアライメント
センサ４２の検出精度が位相換算で±θ以内である必要
がある。
φT ）を±１８０°と比較しているが、差分（Δφ1 −
ΔφT ）を±θと比較して（θ＜１８０°）、補正位相
差ΔφA と目標追い込み位相差ΔφT との差分が±θの
範囲内に収まるように、位相差Δφ1 に２ｎθ（ｎは整
数）を加算してその補正位相差ΔφA を定めてやればよ
い場合もある。但し、この場合には、プリアライメント
センサ４２の検出精度が位相換算で±θ以内である必要
がある。
【００５３】また、上述実施例はダイ・バイ・ダイ方式
で各ショット領域への露光を行う毎にアライメントを行
う場合に本発明を適用したものである。しかしながら、
本発明は、例えば予めウエハ６上の多数のショット領域
から選択されたショット領域（サンプルショット）につ
いてウエハマークの位置計測を行って、その計測結果を
統計処理して得られる座標に基づいて各ショット領域の
位置決めを行う所謂エンハンスト・グローバル・アライ
メント方式において、サンプルショットのウエハマーク
の計測座標の補正を行う際等にも適用できる。
で各ショット領域への露光を行う毎にアライメントを行
う場合に本発明を適用したものである。しかしながら、
本発明は、例えば予めウエハ６上の多数のショット領域
から選択されたショット領域（サンプルショット）につ
いてウエハマークの位置計測を行って、その計測結果を
統計処理して得られる座標に基づいて各ショット領域の
位置決めを行う所謂エンハンスト・グローバル・アライ
メント方式において、サンプルショットのウエハマーク
の計測座標の補正を行う際等にも適用できる。
【００５４】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、検出幅θに対して、ヘ
テロダイン干渉方式のアライメント系によって得られる
２つのビート信号の初期位相差Δφ1 と目標位相差Δφ
T とのずれ量が±θの範囲を超えるときには、その初期
位相差Δφ1 を補正した補正位相差ΔφA を算出し、こ
の補正位相差ΔφA に基づいてアライメントを行うた
め、目標位相差ΔφT が０°以外のいかなる値であって
も、プリアライメント時に要求される精度は±θ以内、
即ち目標位相差ΔφT が０°の場合と全く同じである。
従って、プリアライメント時の位置決め精度に常に余裕
があり、実用的である利点がある。言い換えると、感光
基板上のマークの位置にオフセットが生じているような
場合に、プリアライメントセンサの精度を変えることな
く目標位相差ΔφT を０°以外の所望の値に設定できる
利点がある。
テロダイン干渉方式のアライメント系によって得られる
２つのビート信号の初期位相差Δφ1 と目標位相差Δφ
T とのずれ量が±θの範囲を超えるときには、その初期
位相差Δφ1 を補正した補正位相差ΔφA を算出し、こ
の補正位相差ΔφA に基づいてアライメントを行うた
め、目標位相差ΔφT が０°以外のいかなる値であって
も、プリアライメント時に要求される精度は±θ以内、
即ち目標位相差ΔφT が０°の場合と全く同じである。
従って、プリアライメント時の位置決め精度に常に余裕
があり、実用的である利点がある。言い換えると、感光
基板上のマークの位置にオフセットが生じているような
場合に、プリアライメントセンサの精度を変えることな
く目標位相差ΔφT を０°以外の所望の値に設定できる
利点がある。
【００５６】また、検出幅θが１８０°である場合に
は、プリアライメント時の位置決め精度が緩くて済む利
点がある。
は、プリアライメント時の位置決め精度が緩くて済む利
点がある。
【図１】本発明によるアライメント方法の一実施例を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図２】本発明の実施例で使用される投影露光装置の全
体を示す概略構成図である。
体を示す概略構成図である。
【図３】（ａ）は実施例で使用される投影露光装置の主
にステージ系及びアライメント光学系を示す正面図、
（ｂ）は図３（ａ）の側面図である。
にステージ系及びアライメント光学系を示す正面図、
（ｂ）は図３（ａ）の側面図である。
【図４】図３中のレチクル４のパターン配置を示す平面
図である。
図である。
【図５】図３中のウエハ６のショット領域及びウエハマ
ークを示す拡大平面図である。
ークを示す拡大平面図である。
【図６】図３中のレチクルアライメント顕微鏡３９，４
０で観察される像を示す図である。
０で観察される像を示す図である。
【図７】図３中の基準マーク部材４１上のマーク配置を
示す拡大平面図である。
示す拡大平面図である。
【図８】（ａ）は図３中のアライメント光学系１の構成
を示す正面図、（ｂ）は図８（ａ）の側面図、（ｃ）は
図８（ａ）の底面図である。
を示す正面図、（ｂ）は図８（ａ）の側面図、（ｃ）は
図８（ａ）の底面図である。
【図９】図８のＡＯＭ１４から空間フィルタ２０までの
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図１０】図３中の色収差制御板１０上の軸上色収差制
御素子の配置を示す平面図である。従来例及び本発明に
よる第１実施例のウエハマークを示す図である。
御素子の配置を示す平面図である。従来例及び本発明に
よる第１実施例のウエハマークを示す図である。
【図１１】レチクルマーク３５Ａ及びレチクル窓３７Ａ
を示す拡大平面図である。
を示す拡大平面図である。
【図１２】ウエハマーク４８Ａを示す拡大平面図であ
る。
る。
【図１３】実施例のヘテロダイン干渉方式のアライメン
ト系で得られる２つのビート信号の最終追い込み後の位
相関係を示す波形図である。
ト系で得られる２つのビート信号の最終追い込み後の位
相関係を示す波形図である。
【図１４】実施例のヘテロダイン干渉方式のアライメン
ト系で得られる２つのビート信号のウエハアライメント
開始時の位相関係を示す波形図である。
ト系で得られる２つのビート信号のウエハアライメント
開始時の位相関係を示す波形図である。
１ アライメント光学系 ２ 対物レンズ ３ ダイクロイックミラー ４ レチクル ５ 投影光学系 ６ ウエハ ７ ウエハホルダ ８Ｘ Ｘステージ ８Ｙ Ｙステージ ９ レチクルステージ １０ 色収差制御板 １１，１２ レーザ光源 １４，１８ 音響光学変調素子（ＡＯＭ） ２２ 視野絞り ２３ レチクル・ウエハビーム分離プリズム ２５ 直視プリズム ２６ ビームスプリッタ ２９ 色フィルタ ３０，３１ 光電検出素子 ３４Ａ，３４Ｂ レチクル側のアライメントマーク ３５Ａ，３５Ｂ，３６Ａ，３６Ｂ レチクルマーク ３９，４０ レチクルアライメント顕微鏡 ４８Ａ，４８Ｂ，４９Ａ，４９Ｂ ウエハマーク ４１ 基準マーク部材 ４２ プリアライメントセンサ ４４Ａ，４４Ｂ 基準マーク ４５Ａ，４５Ｂ，４６Ａ，４６Ｂ 基準回折格子マーク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】次に、レチクルアライメント顕微鏡、及び
ヘテロダイン方式のアライメント系につき詳細に説明す
る。図３は本実施例の投影露光装置のステージ系及びア
ライメント光学系を示し、投影光学系５の光軸ＡＸに平
行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面の直交座標系をＸ
軸、及びＹ軸とする。この場合、図３（ａ）はその投影
露光装置をＹ方向に見た正面図であり、図３（ｂ）は図
３（ａ）の側面図であり、アライメント光学系１は、図
２のアライメント送光系１ａ、ビームスプリッター２
６、及びアライメント受光系１ｂに対応し、ウエハ６を
Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ位置決めするＸステージ８
Ｘ、及びＹステージ８Ｙが図２のウエハステージ６１に
対応する。また、図３ではウエハステージとウエハ６と
の間に、ウエハ６を保持するウエハホルダ７が設けられ
ている。実際には、Ｘステージ８Ｘ上に、ウエハ６をＺ
方向に位置決めするＺステージが載置され、このＺステ
ージ上に基準マーク部材４１が設けられている。
ヘテロダイン方式のアライメント系につき詳細に説明す
る。図３は本実施例の投影露光装置のステージ系及びア
ライメント光学系を示し、投影光学系５の光軸ＡＸに平
行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面の直交座標系をＸ
軸、及びＹ軸とする。この場合、図３（ａ）はその投影
露光装置をＹ方向に見た正面図であり、図３（ｂ）は図
３（ａ）の側面図であり、アライメント光学系１は、図
２のアライメント送光系１ａ、ビームスプリッター２
６、及びアライメント受光系１ｂに対応し、ウエハ６を
Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ位置決めするＸステージ８
Ｘ、及びＹステージ８Ｙが図２のウエハステージ６１に
対応する。また、図３ではウエハステージとウエハ６と
の間に、ウエハ６を保持するウエハホルダ７が設けられ
ている。実際には、Ｘステージ８Ｘ上に、ウエハ６をＺ
方向に位置決めするＺステージが載置され、このＺステ
ージ上に基準マーク部材４１が設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】図５は、ウエハ６のショット配列の一部を
示し、この図５において、露光対象とするショット領域
４７をＸ方向に挟むようにＹ方向にピッチＰW で形成さ
れた回折格子よりなるＹ軸用のウエハマーク４９Ａ及び
４９Ｂが形成され、ショット領域４７をＹ方向に挟むよ
うにＸ方向にピッチＰW で形成された回折格子よりなる
Ｘ軸用のウエハマーク４８Ａ及び４８Ｂが形成されてい
る。他のショット領域にもそれぞれウエハマークが付設
されている。なお、ウエハマーク４８Ａの拡大図、及び
このウエハマーク４８Ａ上で交差する光束５１が、図１
２に示されている。
示し、この図５において、露光対象とするショット領域
４７をＸ方向に挟むようにＹ方向にピッチＰW で形成さ
れた回折格子よりなるＹ軸用のウエハマーク４９Ａ及び
４９Ｂが形成され、ショット領域４７をＹ方向に挟むよ
うにＸ方向にピッチＰW で形成された回折格子よりなる
Ｘ軸用のウエハマーク４８Ａ及び４８Ｂが形成されてい
る。他のショット領域にもそれぞれウエハマークが付設
されている。なお、ウエハマーク４８Ａの拡大図、及び
このウエハマーク４８Ａ上で交差する光束５１が、図１
２に示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１０】図３中の色収差制御板１０上の軸上色収差制
御素子の配置を示す平面図である。
御素子の配置を示す平面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 露光用の照明光のもとでマスク上のパタ
ーンを感光基板上に投影する投影光学系と；前記感光基
板を前記投影光学系の光軸に垂直な平面内で移動させる
基板ステージと；前記マスク上に形成された格子状の第
１のアライメントマーク、及び前記感光基板上に形成さ
れた格子状の第２のアライメントマークにそれぞれ互い
に周波数の異なる可干渉な２光束を照射し、前記２つの
アライメントマークから戻される２つのヘテロダインビ
ームをそれぞれ光電変換して得られる２つのビート信号
の位相差を検出するヘテロダイン干渉方式のアライメン
ト系と；を有する投影露光装置で、前記ヘテロダイン干
渉方式のアライメント系により検出される位相差に基づ
いて前記マスクと前記感光基板との相対的な位置合わせ
を行う方法において、 前記基板ステージ上に設けられ基準パターン及び基準回
折格子状マークが形成された基準部材と、 前記露光用の照明光と同じ波長域の検出光のもとで、前
記マスク上に形成された第３のアライメントマークと前
記投影光学系を介した前記基準パターンの像との相対的
な位置ずれ量を検出する光学観察手段と、を用い、 前記光学観察手段により前記マスク上の前記第３のアラ
イメントマークと前記基準パターンの像との相対的な位
置ずれ量Δを計測するのと並行して、前記ヘテロダイン
干渉方式のアライメント系により前記マスク上の前記第
１のアライメントマークと前記基準回折格子状マークと
に対応する２つのビート信号の位相差Δφ0 を検出する
第１工程と；前記相対的な位置ずれ量Δ、及び前記位相
差Δφ0 より目標位相差ΔφT を算出する第２工程と；
前記マスク及び前記感光基板をおおまかに位置合わせし
た後、前記ヘテロダイン干渉方式のアライメント系によ
り前記マスク上の前記第１のアライメントマークと前記
感光基板上の前記第２のアライメントマークとに対応す
る２つのビート信号の初期位相差Δφ1 を検出する第３
工程と；予め定められた検出幅θに対して、前記目標位
相差ΔφT に対する前記初期位相差Δφ1 のずれ量Δφ
D が−θからθの範囲を超えるとき、前記初期位相差Δ
φ1 に角度２ｎθ（ｎは整数）を加えて得られた補正位
相差ΔφA が−θからθの範囲内に入るように整数ｎの
値を定める第４工程と；前記補正位相差ΔφA が前記目
標位相差ΔφT に近づくように前記マスクと前記感光基
板との相対位置を調整する第５工程と；を有することを
特徴とするアライメント方法。 - 【請求項２】 前記検出幅θは１８０°であり、前記整
数ｎの値は０、又は±１であることを特徴とする請求項
１記載のアライメント方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6208544A JPH0878304A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | アライメント方法 |
| KR1019950014158A KR960011562A (ko) | 1994-09-01 | 1995-05-31 | 정렬 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6208544A JPH0878304A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | アライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878304A true JPH0878304A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16557946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6208544A Withdrawn JPH0878304A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | アライメント方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878304A (ja) |
| KR (1) | KR960011562A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116819917A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-09-29 | 光科芯图(北京)科技有限公司 | 一种掩模板、曝光设备及掩模板对准方法 |
-
1994
- 1994-09-01 JP JP6208544A patent/JPH0878304A/ja not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-05-31 KR KR1019950014158A patent/KR960011562A/ko not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116819917A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-09-29 | 光科芯图(北京)科技有限公司 | 一种掩模板、曝光设备及掩模板对准方法 |
| CN116819917B (zh) * | 2023-08-31 | 2023-11-17 | 光科芯图(北京)科技有限公司 | 一种掩模板、曝光设备及掩模板对准方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960011562A (ko) | 1996-04-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |