JPH0878355A - 化合物半導体のオーミック電極及びその製造方法 - Google Patents
化合物半導体のオーミック電極及びその製造方法Info
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- JPH0878355A JPH0878355A JP6211481A JP21148194A JPH0878355A JP H0878355 A JPH0878355 A JP H0878355A JP 6211481 A JP6211481 A JP 6211481A JP 21148194 A JP21148194 A JP 21148194A JP H0878355 A JPH0878355 A JP H0878355A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 接触抵抗が低く、且つ素子特性の安定した化
合物半導体のオーミック電極及びその製造方法を提供す
る。 【構成】 Ｔｅを含むＰ型化合物半導体と、前記Ｐ型化
合物半導体上に形成されたＣｕｘＳ、ＣｕｘＴｅまたは
ＣｕｘＳｅから成る中間層と、前記中間層にオーミック
接合する金属層とを備えた。その製造方法としては、
Ｓ、Ｔｅ、またはＳｅを含む金属化合物から組成された
Ｐ型化合物半導体の表面に対して前記金属化合物の構成
元素をＣｕで置換する処理を行って中間層を形成し、そ
の中間層の面上にオーミック接合する金属層を形成す
る。
合物半導体のオーミック電極及びその製造方法を提供す
る。 【構成】 Ｔｅを含むＰ型化合物半導体と、前記Ｐ型化
合物半導体上に形成されたＣｕｘＳ、ＣｕｘＴｅまたは
ＣｕｘＳｅから成る中間層と、前記中間層にオーミック
接合する金属層とを備えた。その製造方法としては、
Ｓ、Ｔｅ、またはＳｅを含む金属化合物から組成された
Ｐ型化合物半導体の表面に対して前記金属化合物の構成
元素をＣｕで置換する処理を行って中間層を形成し、そ
の中間層の面上にオーミック接合する金属層を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｐ型のＣｄＴｅ、Ｚｎ
ＴｅなどのＴｅ（テルル）を含む化合物半導体のオーミ
ック電極及びその製造方法に関し、特に太陽電池に用い
るものである。
ＴｅなどのＴｅ（テルル）を含む化合物半導体のオーミ
ック電極及びその製造方法に関し、特に太陽電池に用い
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｐ型化合物半導体であるＣｄＴｅ
あるいはＺｎＴｅ膜に対するオーミック電極としては、
Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）などの
金属による電極、Ｃｕ（銅）またはＣｕ合金による電
極が知られている。
あるいはＺｎＴｅ膜に対するオーミック電極としては、
Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）などの
金属による電極、Ｃｕ（銅）またはＣｕ合金による電
極が知られている。
【０００３】前記の電極では、Ｐ型ドーパントとなり
仕事関数が大きいため、Ｐ型と馴染みが良くない。ま
た、前記の電極では、Ｃｕの拡散により高濃度Ｐ型層
が形成され、トンネリングにより正孔の輸送が行われ、
オーム性を示す。
仕事関数が大きいため、Ｐ型と馴染みが良くない。ま
た、前記の電極では、Ｃｕの拡散により高濃度Ｐ型層
が形成され、トンネリングにより正孔の輸送が行われ、
オーム性を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
の電極では、ＣｄＴｅやＺｎＴｅの仕事関数が大きいた
め、例えばＰ型ＣｄＴｅへの電極として形成した場合、
電流−電圧特性が完全なオーム性を示さなくなり、接触
抵抗が高くなる。このオーミック電極を太陽電池に用い
た場合では、内部抵抗が増大して変換効率が低下してし
まうという問題があった。
の電極では、ＣｄＴｅやＺｎＴｅの仕事関数が大きいた
め、例えばＰ型ＣｄＴｅへの電極として形成した場合、
電流−電圧特性が完全なオーム性を示さなくなり、接触
抵抗が高くなる。このオーミック電極を太陽電池に用い
た場合では、内部抵抗が増大して変換効率が低下してし
まうという問題があった。
【０００５】また、上記の電極では、金属電極からＣ
ｕが拡散しやすいため、素子特性が経時変化する。この
オーミック電極を太陽電池に用いた場合では、太陽電池
ではＰ型層を薄くしてあるため、拡散によってＣｕがＰ
Ｎ接合まで達してＰＮ接合の劣化を引き起こし、太陽電
池の特性を劣化させるという問題があった。
ｕが拡散しやすいため、素子特性が経時変化する。この
オーミック電極を太陽電池に用いた場合では、太陽電池
ではＰ型層を薄くしてあるため、拡散によってＣｕがＰ
Ｎ接合まで達してＰＮ接合の劣化を引き起こし、太陽電
池の特性を劣化させるという問題があった。
【０００６】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、接触抵抗が低
く、且つ安定した素子特性が得られる化合物半導体のオ
ーミック電極及びその製造方法を提供することである。
するためになされたもので、その目的は、接触抵抗が低
く、且つ安定した素子特性が得られる化合物半導体のオ
ーミック電極及びその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明の特徴は、Ｔｅを含むＰ型化合物半導体
と、前記Ｐ型化合物半導体上に形成されたＣｕｘＳ、Ｃ
ｕｘＴｅまたはＣｕｘＳｅ（ｘは１．５〜２．５が望ま
しい）から成る中間層と、前記中間層にオーミック接合
する金属層とを含むことにある。なお、この金属層とし
て、例えばＮｉ、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃ等のＰ型ドーパ
ントで且つ仕事関数が比較的大きいものを使用するのが
望ましい。
に、第１の発明の特徴は、Ｔｅを含むＰ型化合物半導体
と、前記Ｐ型化合物半導体上に形成されたＣｕｘＳ、Ｃ
ｕｘＴｅまたはＣｕｘＳｅ（ｘは１．５〜２．５が望ま
しい）から成る中間層と、前記中間層にオーミック接合
する金属層とを含むことにある。なお、この金属層とし
て、例えばＮｉ、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃ等のＰ型ドーパ
ントで且つ仕事関数が比較的大きいものを使用するのが
望ましい。
【０００８】第２の発明の特徴は、Ｓ、Ｔｅ、またはＳ
ｅを含む金属化合物から組成されたＰ型化合物半導体の
表面に対して前記金属化合物の構成元素をＣｕで置換す
る処理を行って中間層を形成し、その中間層の面上にオ
ーミック接合する金属層を形成することにある。
ｅを含む金属化合物から組成されたＰ型化合物半導体の
表面に対して前記金属化合物の構成元素をＣｕで置換す
る処理を行って中間層を形成し、その中間層の面上にオ
ーミック接合する金属層を形成することにある。
【０００９】
【作用】上述の如き構成の第１の発明によれば、中間層
を構成するＣｕｘＳ、ＣｕｘＴｅまたはＣｕｘＳｅは、
バンドキャップが小さく、低抵抗を得やすい、且つＣｕ
の化合物であるため、遊離したＣｕの拡散を抑制する。
これによってＣｕが拡散しにくくなり、Ｃｕ拡散による
ｐｎ接合の劣化を防止することができる。そして、この
中間層に金属層をオーミック接合することでオーミック
となる。
を構成するＣｕｘＳ、ＣｕｘＴｅまたはＣｕｘＳｅは、
バンドキャップが小さく、低抵抗を得やすい、且つＣｕ
の化合物であるため、遊離したＣｕの拡散を抑制する。
これによってＣｕが拡散しにくくなり、Ｃｕ拡散による
ｐｎ接合の劣化を防止することができる。そして、この
中間層に金属層をオーミック接合することでオーミック
となる。
【００１０】第２の発明によれば、Ｓ、Ｔｅ、またはＳ
ｅを含む金属化合物から組成されたＰ型化合物半導体
（例えばＣｄＳ、ＣｄＴｅ、またはＣｄＳｅ）の表面に
対して前記金属化合物を構成する元素（例えばＣｄ，Ｚ
ｎなど）をＣｕで置換する処理を行って中間層（Ｃｕｘ
Ｓ、ＣｕｘＴｅまたはＣｕｘＳｅ）を形成し、その中間
層の面上にオーミック接合する金属層を形成するように
したので、簡単かつ均一に中間層が形成される。
ｅを含む金属化合物から組成されたＰ型化合物半導体
（例えばＣｄＳ、ＣｄＴｅ、またはＣｄＳｅ）の表面に
対して前記金属化合物を構成する元素（例えばＣｄ，Ｚ
ｎなど）をＣｕで置換する処理を行って中間層（Ｃｕｘ
Ｓ、ＣｕｘＴｅまたはＣｕｘＳｅ）を形成し、その中間
層の面上にオーミック接合する金属層を形成するように
したので、簡単かつ均一に中間層が形成される。
【００１１】また、中間層であるＣｕｘＳ、ＣｕｘＴｅ
またはＣｕｘＳｅは、例えばＣｄＳ、ＣｄＴｅ、または
ＣｄＳｅを、Ｃｕイオンを含む溶液中でＣｄをＣｕに置
換する工程で作製することにより、１価のＣｕイオンが
Ｃｄと置換し、２価のＣｄイオンが溶液に溶け込む。こ
れにより、組成比ｘは、ほぼ２（２±０．５）になり、
中間層として良好なｐ型半導体が得られる。この中間層
を有するオーミック電極を特にＣｄＴｅ等の太陽電池に
用いることにより、該太陽電池の変換効率が向上すると
共に、安定した素子特性が得られる。
またはＣｕｘＳｅは、例えばＣｄＳ、ＣｄＴｅ、または
ＣｄＳｅを、Ｃｕイオンを含む溶液中でＣｄをＣｕに置
換する工程で作製することにより、１価のＣｕイオンが
Ｃｄと置換し、２価のＣｄイオンが溶液に溶け込む。こ
れにより、組成比ｘは、ほぼ２（２±０．５）になり、
中間層として良好なｐ型半導体が得られる。この中間層
を有するオーミック電極を特にＣｄＴｅ等の太陽電池に
用いることにより、該太陽電池の変換効率が向上すると
共に、安定した素子特性が得られる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明に係る化合物半導体のオーミック
電極の第１実施例を示す太陽電池の断面図である。
する。図１は、本発明に係る化合物半導体のオーミック
電極の第１実施例を示す太陽電池の断面図である。
【００１３】この太陽電池は、光を入射するガラス基板
１上に、透明電極（ＩＴＯ）膜２と、ＣｄＳ膜（ｎ型）
３と、ＣｄＴｅ膜（ｐ型）４と、Ｃｕ2 Ｓ電極（中間
層：ｐ型）５と、ｐ型電極６とが順次形成されている。
１上に、透明電極（ＩＴＯ）膜２と、ＣｄＳ膜（ｎ型）
３と、ＣｄＴｅ膜（ｐ型）４と、Ｃｕ2 Ｓ電極（中間
層：ｐ型）５と、ｐ型電極６とが順次形成されている。
【００１４】この太陽電池によれば、ガラス基板１から
入射した光による光電効果によって生じた電子、正孔
を、ｐｎ接合部（ＣｄＳ膜３とＣｄＴｅ膜４の接合部）
に生じた拡散電位を利用して電子はｎ側へ、正孔はｐ側
へと分離することで、起電力が生ずる。
入射した光による光電効果によって生じた電子、正孔
を、ｐｎ接合部（ＣｄＳ膜３とＣｄＴｅ膜４の接合部）
に生じた拡散電位を利用して電子はｎ側へ、正孔はｐ側
へと分離することで、起電力が生ずる。
【００１５】次に、図１に示す太陽電池の製造方法を説
明する。
明する。
【００１６】まず、ガラス基板１（例えばコーニング社
製７０５９）上にスパッタリング法によってＩＴＯ膜２
を３０００Å（１０Ω／□）の厚さで形成する。次い
で、真空蒸着法により、そのＩＴＯ膜２の表面上にＣｄ
Ｓ膜３を０．５μｍの厚さで形成し、続いてそのＣｄＳ
膜３の表面上にＣｄＴｅ膜４を３μｍの厚さで形成す
る。ここで、本実施例のＣｄＴｅ膜４の抵抗率は１０5
Ωｃｍとする。
製７０５９）上にスパッタリング法によってＩＴＯ膜２
を３０００Å（１０Ω／□）の厚さで形成する。次い
で、真空蒸着法により、そのＩＴＯ膜２の表面上にＣｄ
Ｓ膜３を０．５μｍの厚さで形成し、続いてそのＣｄＳ
膜３の表面上にＣｄＴｅ膜４を３μｍの厚さで形成す
る。ここで、本実施例のＣｄＴｅ膜４の抵抗率は１０5
Ωｃｍとする。
【００１７】さらに、大粒径化のため、ＣｄＴｅ膜４に
対してＣｄＣｌ2 （１％）−ＭｅＯＨ（メタノール）溶
液をディップした後、大気中で４００℃、３０分間のア
ニールを施す。そして、そのＣｄＴｅ膜４の表面を例え
ばＫ2 Ｃｒ2 Ｏ7 ＋Ｈ2 Ｏ＋Ｈ2 ＳＯ4 液によりエッチ
ングする。
対してＣｄＣｌ2 （１％）−ＭｅＯＨ（メタノール）溶
液をディップした後、大気中で４００℃、３０分間のア
ニールを施す。そして、そのＣｄＴｅ膜４の表面を例え
ばＫ2 Ｃｒ2 Ｏ7 ＋Ｈ2 Ｏ＋Ｈ2 ＳＯ4 液によりエッチ
ングする。
【００１８】その後、この素子を、ＣｄＣｌ2 、チオ尿
素及びアンモニアから成る水溶液中に浸漬し、化学的析
出によりＣｄＴｅ膜４の表面上にＣｄＳ膜を５００Åの
厚さで形成する。さらに、９０℃のＣｕＣｌ2 （２ｗｔ
％）水溶液中に５秒間浸漬してＣｄをＣｕに置換するこ
とにより、Ｃｕ2 Ｓ電極５を形成する。
素及びアンモニアから成る水溶液中に浸漬し、化学的析
出によりＣｄＴｅ膜４の表面上にＣｄＳ膜を５００Åの
厚さで形成する。さらに、９０℃のＣｕＣｌ2 （２ｗｔ
％）水溶液中に５秒間浸漬してＣｄをＣｕに置換するこ
とにより、Ｃｕ2 Ｓ電極５を形成する。
【００１９】そして、そのＣｕ2 Ｓ電極５の表面上にＡ
ｇペースト６（Ａｇ粒子を含む導電性接着剤）を塗布
し、２００℃、２時間で硬化させてＰ型電極６を形成す
れば、図１に示す太陽電池が得られる。
ｇペースト６（Ａｇ粒子を含む導電性接着剤）を塗布
し、２００℃、２時間で硬化させてＰ型電極６を形成す
れば、図１に示す太陽電池が得られる。
【００２０】このように本実施例によれば、Ｃｕ2 Ｓ
が、ＣｄＴｅのバンドギャップ（禁制帯幅、Ｅｇ＝１．
４５〜１．５ｅＶ）よりも小さなバンドキャップ（Ｅｇ
＝１．２ｅＶ）を有すると共に、Ｃｕ2 Ｓ電極５からＣ
ｄＴｅ膜４中に適度にＣｕが拡散して高濃度のＰ型層を
形成することで、良好なオーム性接触が行われ、接触抵
抗を低くすることができる。さらに、拡散源であるＣｕ
が単体で存在している量が少ないため、太陽電池のＰＮ
接合まで拡散して特性を劣化させることがない。
が、ＣｄＴｅのバンドギャップ（禁制帯幅、Ｅｇ＝１．
４５〜１．５ｅＶ）よりも小さなバンドキャップ（Ｅｇ
＝１．２ｅＶ）を有すると共に、Ｃｕ2 Ｓ電極５からＣ
ｄＴｅ膜４中に適度にＣｕが拡散して高濃度のＰ型層を
形成することで、良好なオーム性接触が行われ、接触抵
抗を低くすることができる。さらに、拡散源であるＣｕ
が単体で存在している量が少ないため、太陽電池のＰＮ
接合まで拡散して特性を劣化させることがない。
【００２１】また、ＣｄＴｅ膜４の表面をアニールして
エッチングすることにより、そのＣｄＴｅ膜４の表面状
態が粗くなるが、その面上にＣｄＳ膜を形成することに
よって、これを補うことができる。
エッチングすることにより、そのＣｄＴｅ膜４の表面状
態が粗くなるが、その面上にＣｄＳ膜を形成することに
よって、これを補うことができる。
【００２２】なお、ＣｄＴｅ膜４の形成後のアニール工
程前に、ＣｄＴｅ膜４の表面上にｐ−ＺｎＴｅ膜を形成
する工程を設けてもよい。また、本実施例では、ｐ型中
間電極として銅の硫化物（ＣｕｘＳ）のＣｕ2 Ｓを使用
したが、これに代えて銅のセレン化物（ＣｕｘＳｅ）の
Ｃｕ2 Ｓｅ、もしくは銅のテルル化物（ＣｕｘＴｅ）の
Ｃｕ2 Ｔｅを使用してもよい。この場合、Ｃｕ2 Ｓｅの
バンドギャップ（Ｅｇ＝１．４ｅＶ）、及びＣｕ2 Ｔｅ
のバンドギャップ（Ｅｇ＝１．０ｅＶ）も共にＣｄＴｅ
よりも小さいので、本実施例のＣｕ2 Ｓと同様に低抵抗
となる。
程前に、ＣｄＴｅ膜４の表面上にｐ−ＺｎＴｅ膜を形成
する工程を設けてもよい。また、本実施例では、ｐ型中
間電極として銅の硫化物（ＣｕｘＳ）のＣｕ2 Ｓを使用
したが、これに代えて銅のセレン化物（ＣｕｘＳｅ）の
Ｃｕ2 Ｓｅ、もしくは銅のテルル化物（ＣｕｘＴｅ）の
Ｃｕ2 Ｔｅを使用してもよい。この場合、Ｃｕ2 Ｓｅの
バンドギャップ（Ｅｇ＝１．４ｅＶ）、及びＣｕ2 Ｔｅ
のバンドギャップ（Ｅｇ＝１．０ｅＶ）も共にＣｄＴｅ
よりも小さいので、本実施例のＣｕ2 Ｓと同様に低抵抗
となる。
【００２３】次に、上記第１実施例の比較例を図２及び
図３を用いて説明する。
図３を用いて説明する。
【００２４】図２は、上記第１実施例の比較例（以下、
比較例という）を示す太陽電池の断面図である。
比較例という）を示す太陽電池の断面図である。
【００２５】この比較例は、第１実施例におけるＣｄ
Ｔｅ膜４のエッチング工程後のＣｄＳ膜及びＣｕ2 Ｓ電
極５の形成工程に代えて、ＣｄＴｅ膜４のエッチング工
程後に、ＨＡｕＣｌ4 水溶液を使用して、Ａｕを置換メ
ッキしてＡｕメッキ層５ａを約２００Åの厚さで形成
し、その後に、ＡｇペーストによってＰ型電極６を形成
したものである。
Ｔｅ膜４のエッチング工程後のＣｄＳ膜及びＣｕ2 Ｓ電
極５の形成工程に代えて、ＣｄＴｅ膜４のエッチング工
程後に、ＨＡｕＣｌ4 水溶液を使用して、Ａｕを置換メ
ッキしてＡｕメッキ層５ａを約２００Åの厚さで形成
し、その後に、ＡｇペーストによってＰ型電極６を形成
したものである。
【００２６】図３は、上記第１実施例の他の比較例（以
下、比較例という）を示す太陽電池の断面図である。
下、比較例という）を示す太陽電池の断面図である。
【００２７】この比較例は、第１実施例におけるＣｄ
Ｔｅ膜４のエッチング工程後のＣｄＳ膜及びＣｕ2 Ｓ電
極５の形成工程に代えて、ＣｄＴｅ膜４のエッチング工
程後に、真空蒸着法により、Ｃｕ層５ｂを２００Åの厚
さで、さらにＡｕ層５ｃを１０００Åの厚さで連続形成
し、その後に、Ａｇペースト６によってＰ型電極６を形
成したものである。
Ｔｅ膜４のエッチング工程後のＣｄＳ膜及びＣｕ2 Ｓ電
極５の形成工程に代えて、ＣｄＴｅ膜４のエッチング工
程後に、真空蒸着法により、Ｃｕ層５ｂを２００Åの厚
さで、さらにＡｕ層５ｃを１０００Åの厚さで連続形成
し、その後に、Ａｇペースト６によってＰ型電極６を形
成したものである。
【００２８】上記第１実施例、比較例及び比較例の
各太陽電池の特性を評価して比較すると、次の表１に示
すようになる。
各太陽電池の特性を評価して比較すると、次の表１に示
すようになる。
【００２９】
【表１】 この表１から明らかなように、上記第１実施例の太陽電
池は、比較例より若干曲線因子ＦＦが大きく、接触抵
抗成分が少ない。また、比較例では、Ｐ型電極６の形
成時の２００℃、２時間の熱処理で開放電圧Ｖｏｃが大
きく低下する。
池は、比較例より若干曲線因子ＦＦが大きく、接触抵
抗成分が少ない。また、比較例では、Ｐ型電極６の形
成時の２００℃、２時間の熱処理で開放電圧Ｖｏｃが大
きく低下する。
【００３０】ここで、太陽電池の変換効率Ｅｆは、 Ｅｆ＝最大出力Ｐｍａｘ／（入射光エネルギー×太陽電
池面積）×１００（％） 但し、Ｐｍａｘ＝ＦＦ×Ｖｏ
ｃ×Ｉｓｃ で表すことができる。
池面積）×１００（％） 但し、Ｐｍａｘ＝ＦＦ×Ｖｏ
ｃ×Ｉｓｃ で表すことができる。
【００３１】これにより、変換効率Ｅｆは、曲線因子Ｆ
Ｆ、開放電圧Ｖｏｃ、及び短絡電流Ｉｓｃの３つのファ
クタが高いほど高くなることが分かる。すなわち、第１
実施例では、接触抵抗が低いため曲線因子ＦＦが高くな
り、且つｐｎ接合に悪影響を与えないため開放電圧Ｖｏ
ｃが大きくなり、高い変換効率Ｅｆを得ることができ
る。
Ｆ、開放電圧Ｖｏｃ、及び短絡電流Ｉｓｃの３つのファ
クタが高いほど高くなることが分かる。すなわち、第１
実施例では、接触抵抗が低いため曲線因子ＦＦが高くな
り、且つｐｎ接合に悪影響を与えないため開放電圧Ｖｏ
ｃが大きくなり、高い変換効率Ｅｆを得ることができ
る。
【００３２】図４は、本発明に係る化合物半導体のオー
ミック電極の第２実施例を示す断面図である。
ミック電極の第２実施例を示す断面図である。
【００３３】上記第１実施例ではＣｄＴｅ膜４の抵抗率
が１０5 Ωｃｍと高いが、このＣｄＴｅ膜４の抵抗率が
低い場合を評価するため、本実施例で１０2 ΩｃｍのＰ
型ＣｄＴｅ単結晶を使用した例を示す。
が１０5 Ωｃｍと高いが、このＣｄＴｅ膜４の抵抗率が
低い場合を評価するため、本実施例で１０2 ΩｃｍのＰ
型ＣｄＴｅ単結晶を使用した例を示す。
【００３４】図４において、このオーミック電極は、ま
ず、１０2 ΩｃｍのＰ型ＣｄＴｅ単結晶１１を、ＣｄＣ
ｌ2 、チオ尿素及びアンモニアから成る水溶液中に浸漬
し、化学的析出によりＣｄＴｅ単結晶１１の表裏両面に
ＣｄＳ膜を５００Åの厚さでそれぞれ形成する。さら
に、第１実施例と同様に方法によりＣｄをＣｕに置換
し、その両面にＣｕ2 Ｓ電極１２を形成した後、Ｐ型電
極１３を形成する。
ず、１０2 ΩｃｍのＰ型ＣｄＴｅ単結晶１１を、ＣｄＣ
ｌ2 、チオ尿素及びアンモニアから成る水溶液中に浸漬
し、化学的析出によりＣｄＴｅ単結晶１１の表裏両面に
ＣｄＳ膜を５００Åの厚さでそれぞれ形成する。さら
に、第１実施例と同様に方法によりＣｄをＣｕに置換
し、その両面にＣｕ2 Ｓ電極１２を形成した後、Ｐ型電
極１３を形成する。
【００３５】図５は、上記第２実施例の比較例（以下、
比較例という）を示すオーミック電極の断面図であ
る。
比較例という）を示すオーミック電極の断面図であ
る。
【００３６】この比較例は、第２実施例におけるＣｄ
Ｔｅ単結晶１１の表裏両面にＣｄＳ膜を形成する工程に
代えて、ＣｄＴｅ単結晶１１の表裏両面にＨＡｕＣｌ4
水溶液を使用して、Ａｕを置換メッキしてＡｕメッキ層
１２ａを約２００Åの厚さで形成し、その後に、Ａｇペ
ーストによってＰ型電極１３を形成したものである。
Ｔｅ単結晶１１の表裏両面にＣｄＳ膜を形成する工程に
代えて、ＣｄＴｅ単結晶１１の表裏両面にＨＡｕＣｌ4
水溶液を使用して、Ａｕを置換メッキしてＡｕメッキ層
１２ａを約２００Åの厚さで形成し、その後に、Ａｇペ
ーストによってＰ型電極１３を形成したものである。
【００３７】この第２実施例と比較例の電圧−電流特
性を評価すると、図６から明らかなように、第２実施例
の方（図中Ｚ１）が比較例（図中Ｚ２）よりも良好な
オーム特性が得られる。
性を評価すると、図６から明らかなように、第２実施例
の方（図中Ｚ１）が比較例（図中Ｚ２）よりも良好な
オーム特性が得られる。
【００３８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように第１の発明に
よれば、Ｔｅを含むＰ型化合物半導体と、前記Ｐ型化合
物半導体上に形成されたＣｕｘＳ、ＣｕｘＴｅまたはＣ
ｕｘＳｅから成る中間層と、前記中間層にオーミック接
合する金属層とを備えたので、Ｐ型化合物半導体に対し
て良好なオーム性接触を行うことができ、接触抵抗が低
く、且つ安定した素子特性を得ることができる。
よれば、Ｔｅを含むＰ型化合物半導体と、前記Ｐ型化合
物半導体上に形成されたＣｕｘＳ、ＣｕｘＴｅまたはＣ
ｕｘＳｅから成る中間層と、前記中間層にオーミック接
合する金属層とを備えたので、Ｐ型化合物半導体に対し
て良好なオーム性接触を行うことができ、接触抵抗が低
く、且つ安定した素子特性を得ることができる。
【００３９】第２の発明のよれば、Ｓ、Ｔｅ、またはＳ
ｅを含む金属化合物から組成されたＰ型化合物半導体の
表面に対して前記金属化合物の構成元素をＣｕで置換す
る処理を行って中間層を形成し、その中間層の面上にオ
ーミック接合する金属層を形成するようにしたので、簡
単かつ均一に中間層を形成することができる。
ｅを含む金属化合物から組成されたＰ型化合物半導体の
表面に対して前記金属化合物の構成元素をＣｕで置換す
る処理を行って中間層を形成し、その中間層の面上にオ
ーミック接合する金属層を形成するようにしたので、簡
単かつ均一に中間層を形成することができる。
【図１】本発明に係る化合物半導体のオーミック電極の
第１実施例を示す太陽電池の断面図である。
第１実施例を示す太陽電池の断面図である。
【図２】比較例の太陽電池の断面図である。
【図３】比較例の太陽電池の断面図である。
【図４】本発明に係る化合物半導体のオーミック電極の
第２実施例を示す断面図である。
第２実施例を示す断面図である。
【図５】比較例のオーミック電極の断面図である。
【図６】第２実施例と比較例の電圧−電流特性を示す
グラフである。
グラフである。
１ ガラス基板 ２ ＩＴＯ膜 ３ ＣｄＳ膜（ｎ型） ４ ＣｄＴｅ膜（ｐ型） ５ Ｃｕ2 Ｓ電極（中間層：ｐ型） ５ａ Ａｕメッキ層 ５ｂ Ｃｕ層 ５ｃ Ａｕ層 ６ ｐ型電極 １１ Ｐ型ＣｄＴｅ単結晶 １２ Ｃｕ2 Ｓ電極 １２ａ Ａｕメッキ層 １３ Ｐ型電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/04
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｔｅを含むＰ型化合物半導体と、 前記Ｐ型化合物半導体上に形成されたＣｕｘＳ、Ｃｕｘ
ＴｅまたはＣｕｘＳｅから成る中間層と、 前記中間層にオーミック接合する金属層とを含むことを
特徴とする化合物半導体のオーミック電極。 - 【請求項２】 Ｓ、Ｔｅ、またはＳｅを含む金属化合物
から組成されたＰ型化合物半導体の表面に対して前記金
属化合物の構成元素をＣｕで置換する処理を行って中間
層を形成し、 その中間層の面上にオーミック接合する金属層を形成す
ることを特徴とする化合物半導体のオーミック電極の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211481A JPH0878355A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 化合物半導体のオーミック電極及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211481A JPH0878355A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 化合物半導体のオーミック電極及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878355A true JPH0878355A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16606673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6211481A Pending JPH0878355A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 化合物半導体のオーミック電極及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878355A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008036769A3 (en) * | 2006-09-19 | 2008-10-09 | Itn Energy Systems Inc | Semi-transparent dual layer back contact for bifacial and tandem junction thin-film photovolataic devices |
| JP2010141343A (ja) * | 2000-05-30 | 2010-06-24 | Kurt L Barth | 光起電力モジュールの大量製造装置および方法 |
| US20130174895A1 (en) * | 2009-10-19 | 2013-07-11 | University Of Toledo | Back Contact Buffer Layer for Thin-Film Solar Cells |
| CN109801980A (zh) * | 2019-01-09 | 2019-05-24 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN114122124A (zh) * | 2021-10-21 | 2022-03-01 | 汕头大学 | 一种欧姆电极及其制备方法和应用 |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP6211481A patent/JPH0878355A/ja active Pending
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| CN114122124A (zh) * | 2021-10-21 | 2022-03-01 | 汕头大学 | 一种欧姆电极及其制备方法和应用 |
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