JPH0878599A - 集積回路パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
集積回路パッケージ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0878599A JPH0878599A JP6236004A JP23600494A JPH0878599A JP H0878599 A JPH0878599 A JP H0878599A JP 6236004 A JP6236004 A JP 6236004A JP 23600494 A JP23600494 A JP 23600494A JP H0878599 A JPH0878599 A JP H0878599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- printed wiring
- wiring board
- plated
- semiconductor die
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 短いボンディングワイヤでリードと半導体ダ
イとを接続し、ボンディングワイヤの横揺れや垂れ下が
りによる相互接触を防止する。 【構成】 プリント配線基板２の表面に金メッキ２ｅが
施された積層銅箔のリードパターン２ｃを、また裏面に
金メッキされた積層銅箔２ｄを設ける。プリント配線基
板２のリードパターン２ｃ上に錫メッキ４ａが施された
導電性リード４を重ねて加熱圧着すると共に、錫メッキ
１ｂが施された放熱基板１上にプリント配線基板２の裏
面の金メッキを重ねて加熱圧着する。各接合部には金・
錫合金が生成される。放熱基板１の非メッキ面上には、
半導体ダイ５を接着し、半導体ダイ５の電極とプリント
配線基板２のリードパターン２ｃとをボンディングワイ
ヤ６で接続する。半導体ダイ５の電極とリード３との間
にリードパターン２ｂが介在して、その分だけボンディ
ングワイヤ６の長さが短縮される。
イとを接続し、ボンディングワイヤの横揺れや垂れ下が
りによる相互接触を防止する。 【構成】 プリント配線基板２の表面に金メッキ２ｅが
施された積層銅箔のリードパターン２ｃを、また裏面に
金メッキされた積層銅箔２ｄを設ける。プリント配線基
板２のリードパターン２ｃ上に錫メッキ４ａが施された
導電性リード４を重ねて加熱圧着すると共に、錫メッキ
１ｂが施された放熱基板１上にプリント配線基板２の裏
面の金メッキを重ねて加熱圧着する。各接合部には金・
錫合金が生成される。放熱基板１の非メッキ面上には、
半導体ダイ５を接着し、半導体ダイ５の電極とプリント
配線基板２のリードパターン２ｃとをボンディングワイ
ヤ６で接続する。半導体ダイ５の電極とリード３との間
にリードパターン２ｂが介在して、その分だけボンディ
ングワイヤ６の長さが短縮される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路パッケージと
その製造方法、特にリードと半導体ダイとの接続部に特
徴を有する集積回路パッケージとその製造方法に関する
ものである。
その製造方法、特にリードと半導体ダイとの接続部に特
徴を有する集積回路パッケージとその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、集積回路パッケージは、集積回
路を作り込んだ半導体ダイをダイパッド上に搭載し、こ
の半導体ダイの多数の端子と端子の近傍に先端が配置さ
れた多数の導電性のリードとを金属細線から成るボンデ
ィングワイヤで接続し、これらを絶縁性封止部材で封止
して作られる。
路を作り込んだ半導体ダイをダイパッド上に搭載し、こ
の半導体ダイの多数の端子と端子の近傍に先端が配置さ
れた多数の導電性のリードとを金属細線から成るボンデ
ィングワイヤで接続し、これらを絶縁性封止部材で封止
して作られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の集積回路パ
ッケージにおいては、リードと半導体ダイとを直接ボン
ディングワイヤで接続するものであるため、リードと半
導体ダイの端子との間隔が大きいと、ボンディングワイ
ヤが長くなり、横揺れや垂れ下がりによって隣接するも
の同士の接触が生じるおそれがあるという問題がある。
これに対して、リードと半導体ダイとの接続手段とし
て、ワイヤレスボンディングの一種であるＴＡＢがある
が、集積回路チップ又はテープキャリアに金のバンプを
形成する必要があるため、工程数が増えるし、テープキ
ャリアにポリイミドテープを用いるため、材料コストが
かかって高価になってしまうという問題がある。
ッケージにおいては、リードと半導体ダイとを直接ボン
ディングワイヤで接続するものであるため、リードと半
導体ダイの端子との間隔が大きいと、ボンディングワイ
ヤが長くなり、横揺れや垂れ下がりによって隣接するも
の同士の接触が生じるおそれがあるという問題がある。
これに対して、リードと半導体ダイとの接続手段とし
て、ワイヤレスボンディングの一種であるＴＡＢがある
が、集積回路チップ又はテープキャリアに金のバンプを
形成する必要があるため、工程数が増えるし、テープキ
ャリアにポリイミドテープを用いるため、材料コストが
かかって高価になってしまうという問題がある。
【０００４】従って、本発明は、短いボンディングワイ
ヤでリードと半導体ダイとを接続でき、ボンディングワ
イヤの横揺れや垂れ下がりによる相互接触が生じるおそ
れのない比較的安価な集積回路パッケージとその製造方
法を提供することを課題としている。
ヤでリードと半導体ダイとを接続でき、ボンディングワ
イヤの横揺れや垂れ下がりによる相互接触が生じるおそ
れのない比較的安価な集積回路パッケージとその製造方
法を提供することを課題としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
課題を解決するため、プリント配線基板２の第１の面に
金メッキ２ｅが施された積層銅箔のリードパターン２ｃ
を、また反対側の第２の面に金メッキ２ｆが施された積
層銅箔２ｄを設けると共に、半導体ダイ５受け入れ用の
透孔２ｂを設け、また銅板のような放熱基板１の第１の
面に、プリント配線基板２の透孔２ｂに対応する非メッ
キ部を残して部分錫メッキ１ｂを施し、プリント配線基
板２のリードパターン２ｃに錫メッキ４ａが施された導
電性のリード４を重ねて加熱溶着すると共に、放熱基板
１の非メッキ部をプリント配線基板２の透孔２ｂに重
ね、錫メッキされた第１の面を、プリント配線基板２の
第２の面の金メッキ２ｅ面に重ねて加熱溶着し、放熱基
板１の非メッキ面上に、接着剤５ａを介して半導体ダイ
５を接着し、この半導体ダイ５の電極とプリント配線基
板２のリードパターン２ｃとをボンディングワイヤ６で
接続し、プリント配線基板２、導電性のリード４、放熱
基板１、半導体ダイ５及びボンディングワイヤ６を絶縁
性封止部材７で封止し、導電性のリード４の一部を絶縁
性封止部材７から露出させて集積回路パッケージを構成
した。
課題を解決するため、プリント配線基板２の第１の面に
金メッキ２ｅが施された積層銅箔のリードパターン２ｃ
を、また反対側の第２の面に金メッキ２ｆが施された積
層銅箔２ｄを設けると共に、半導体ダイ５受け入れ用の
透孔２ｂを設け、また銅板のような放熱基板１の第１の
面に、プリント配線基板２の透孔２ｂに対応する非メッ
キ部を残して部分錫メッキ１ｂを施し、プリント配線基
板２のリードパターン２ｃに錫メッキ４ａが施された導
電性のリード４を重ねて加熱溶着すると共に、放熱基板
１の非メッキ部をプリント配線基板２の透孔２ｂに重
ね、錫メッキされた第１の面を、プリント配線基板２の
第２の面の金メッキ２ｅ面に重ねて加熱溶着し、放熱基
板１の非メッキ面上に、接着剤５ａを介して半導体ダイ
５を接着し、この半導体ダイ５の電極とプリント配線基
板２のリードパターン２ｃとをボンディングワイヤ６で
接続し、プリント配線基板２、導電性のリード４、放熱
基板１、半導体ダイ５及びボンディングワイヤ６を絶縁
性封止部材７で封止し、導電性のリード４の一部を絶縁
性封止部材７から露出させて集積回路パッケージを構成
した。
【０００６】
【作用】本発明においては、プリント配線基板２上のリ
ードパターン２ｃとボンディングワイヤ６を介して半導
体ダイ５の電極とリード４とが接続される。従って、リ
ードパターン２ｃの分だけボンディングワイヤ６の長さ
が短縮され、その結果、ボンディングワイヤ６の横揺れ
や垂れ下がりによる相互接触が回避される。また逆にボ
ンディングワイヤ６を長くすることなく半導体ダイ５を
小型化することができる。さらに、プリント配線基板２
と導電性のリード４との各接合部は、有機接着剤を用い
ないので、リードパターン２ｃが汚染されることがな
い。パッケージ１０内で生じた熱は放熱基板１を介して
放散する。
ードパターン２ｃとボンディングワイヤ６を介して半導
体ダイ５の電極とリード４とが接続される。従って、リ
ードパターン２ｃの分だけボンディングワイヤ６の長さ
が短縮され、その結果、ボンディングワイヤ６の横揺れ
や垂れ下がりによる相互接触が回避される。また逆にボ
ンディングワイヤ６を長くすることなく半導体ダイ５を
小型化することができる。さらに、プリント配線基板２
と導電性のリード４との各接合部は、有機接着剤を用い
ないので、リードパターン２ｃが汚染されることがな
い。パッケージ１０内で生じた熱は放熱基板１を介して
放散する。
【０００７】
【実施例】図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は集積回路パッケージ１０の部分断面図を示した。
放熱基板１の第１の面上には、プリント配線基板２及び
半導体ダイ５が接着されている。放熱基板１として、例
えば図２，図３に示すように、矩形の銅板１ａが用いら
れる。銅板１ａの第１の面上には、半導体ダイ５の搭載
部である非メッキ部１ｃを残して錫メッキ層１ｂが形成
されている。放熱基板１としては、銅のような金属板の
他に、高熱伝導性セラミック板を用いることができ、こ
の場合には、錫メッキ層の下地がメタライズされる。
図１は集積回路パッケージ１０の部分断面図を示した。
放熱基板１の第１の面上には、プリント配線基板２及び
半導体ダイ５が接着されている。放熱基板１として、例
えば図２，図３に示すように、矩形の銅板１ａが用いら
れる。銅板１ａの第１の面上には、半導体ダイ５の搭載
部である非メッキ部１ｃを残して錫メッキ層１ｂが形成
されている。放熱基板１としては、銅のような金属板の
他に、高熱伝導性セラミック板を用いることができ、こ
の場合には、錫メッキ層の下地がメタライズされる。
【０００８】プリント配線基板２はガラス繊維強化エポ
キシ樹脂製のフレキシブルプリント配線基板である。プ
リント配線基板２は、図４に示すように、矩形のガラス
繊維強化エポキシ樹脂板２ａの中央部に半導体ダイ４を
受け入れるための透孔２ｂを有する。図２に示すよう
に、樹脂板２ａの第１の面には、積層銅箔のリードパタ
ーン２ｃを有し、また反対側の第２の面にはほぼ全体に
わたる積層銅箔２ｄを有する。リードパターン２ｃ及び
積層銅箔２ｄには金メッキ層２ｅ，２ｆが形成されてい
る。積層銅箔２ｄの金メッキ２ｅ，２ｆは、図２に示す
ように、放熱基板１の錫メッキ層１ｂに圧接されつつ加
熱されて金・錫合金３となって接合されている。
キシ樹脂製のフレキシブルプリント配線基板である。プ
リント配線基板２は、図４に示すように、矩形のガラス
繊維強化エポキシ樹脂板２ａの中央部に半導体ダイ４を
受け入れるための透孔２ｂを有する。図２に示すよう
に、樹脂板２ａの第１の面には、積層銅箔のリードパタ
ーン２ｃを有し、また反対側の第２の面にはほぼ全体に
わたる積層銅箔２ｄを有する。リードパターン２ｃ及び
積層銅箔２ｄには金メッキ層２ｅ，２ｆが形成されてい
る。積層銅箔２ｄの金メッキ２ｅ，２ｆは、図２に示す
ように、放熱基板１の錫メッキ層１ｂに圧接されつつ加
熱されて金・錫合金３となって接合されている。
【０００９】プリント配線基板２のリードパターン２ｃ
には、導電性のリード４が溶着されている。リード４の
端部には錫メッキ層４ａが形成されており、これが金メ
ッキ２ｅに圧接されつつ加熱されて金・錫合金３となっ
て接合される。
には、導電性のリード４が溶着されている。リード４の
端部には錫メッキ層４ａが形成されており、これが金メ
ッキ２ｅに圧接されつつ加熱されて金・錫合金３となっ
て接合される。
【００１０】プリント配線基板２は、透孔２ｂを非メッ
キ面１ｃに合致させて放熱基板１の第１の面上に重合さ
れている。透孔２ｂ内に位置する放熱基板１の非メッキ
面１ｃ上には、半導体ダイ５が接着剤５ａで接着されて
いる。接着剤５ａとしては、例えば銀・エポキシ合成樹
脂を用いる。半導体ダイ５の電極とプリント配線基板２
のリードパターン２ｃとはボンディングワイヤ６で接続
される。
キ面１ｃに合致させて放熱基板１の第１の面上に重合さ
れている。透孔２ｂ内に位置する放熱基板１の非メッキ
面１ｃ上には、半導体ダイ５が接着剤５ａで接着されて
いる。接着剤５ａとしては、例えば銀・エポキシ合成樹
脂を用いる。半導体ダイ５の電極とプリント配線基板２
のリードパターン２ｃとはボンディングワイヤ６で接続
される。
【００１１】プリント配線基板２、リード４、放熱基板
１、半導体ダイ５及びボンディングワイヤ６は、絶縁性
封止部材７で封止される。図示の実施例では、リード４
の一端部と放熱基板１の下面は、絶縁性封止部材７から
露出しているが、十分な放熱効果を得られれば放熱基板
１は露出しなくてもよい。
１、半導体ダイ５及びボンディングワイヤ６は、絶縁性
封止部材７で封止される。図示の実施例では、リード４
の一端部と放熱基板１の下面は、絶縁性封止部材７から
露出しているが、十分な放熱効果を得られれば放熱基板
１は露出しなくてもよい。
【００１２】本実施例の集積回路パッケージ１１の組込
みに当たっては、先ずプリント配線基板２のリードパタ
ーン２ｃの金メッキ２ｅ面に、リード３の錫メッキ４ａ
面を重ねる。また、放熱基板１の非メッキ部１ｃをプリ
ント配線基板１の透孔２ｂに合わせ、放熱基板１上にプ
リント配線基板２を重ねる。そして、プリント配線基板
２、リード４、放熱基板１の三者を相互に圧接させつつ
加熱し、錫メッキ１ｂ、金メッキ２ｅ，２ｆ及び錫メッ
キ４ａの各接合部に夫々金・錫合金３を生成し、相互に
溶着する。次いで、プリント配線基板１の透孔２ｂ内に
半導体ダイ５を配置して、放熱基板１の非メッキ面１ｃ
上に、接着剤５ａで接着する。プリント配線基板２とリ
ード４及び放熱基板１とは、有機接着剤を用いずに接合
されるので、リードパターン２ｃが汚染されることがな
い。次に、半導体ダイ５の電極とプリント配線基板２の
リードパターン２ｃとの間をボンディングワイヤ６で接
続する。半導体ダイ５の電極とリード４とは、プリント
配線基板２上のリードパターン２ｃとボンディングワイ
ヤ６とを介して接続される。従って、リードパターン２
ｂの分だけボンディングワイヤ６の長さが短縮される。
この結果、ボンディングワイヤ６の横揺れや垂れ下がり
による相互接触が回避される。また、逆にボンディング
ワイヤ６を長くすることなく半導体ダイ５を小型化する
ことができる。この後、プリント配線基板２、リード
４、放熱基板１、半導体ダイ５及びボンディングワイヤ
６を絶縁性封止部材７で封止する。パッケージ内で生じ
た熱は放熱基板１を介して放散する。
みに当たっては、先ずプリント配線基板２のリードパタ
ーン２ｃの金メッキ２ｅ面に、リード３の錫メッキ４ａ
面を重ねる。また、放熱基板１の非メッキ部１ｃをプリ
ント配線基板１の透孔２ｂに合わせ、放熱基板１上にプ
リント配線基板２を重ねる。そして、プリント配線基板
２、リード４、放熱基板１の三者を相互に圧接させつつ
加熱し、錫メッキ１ｂ、金メッキ２ｅ，２ｆ及び錫メッ
キ４ａの各接合部に夫々金・錫合金３を生成し、相互に
溶着する。次いで、プリント配線基板１の透孔２ｂ内に
半導体ダイ５を配置して、放熱基板１の非メッキ面１ｃ
上に、接着剤５ａで接着する。プリント配線基板２とリ
ード４及び放熱基板１とは、有機接着剤を用いずに接合
されるので、リードパターン２ｃが汚染されることがな
い。次に、半導体ダイ５の電極とプリント配線基板２の
リードパターン２ｃとの間をボンディングワイヤ６で接
続する。半導体ダイ５の電極とリード４とは、プリント
配線基板２上のリードパターン２ｃとボンディングワイ
ヤ６とを介して接続される。従って、リードパターン２
ｂの分だけボンディングワイヤ６の長さが短縮される。
この結果、ボンディングワイヤ６の横揺れや垂れ下がり
による相互接触が回避される。また、逆にボンディング
ワイヤ６を長くすることなく半導体ダイ５を小型化する
ことができる。この後、プリント配線基板２、リード
４、放熱基板１、半導体ダイ５及びボンディングワイヤ
６を絶縁性封止部材７で封止する。パッケージ内で生じ
た熱は放熱基板１を介して放散する。
【００１３】第２実施例の集積回路パッケージを図５に
示す。図５は集積回路パッケージ１１の部分断面図を示
した。プリント配線基板８は、ガラス繊維強化エポキシ
樹脂板８ａの第１の面に、半導体ダイ５を受け入れるた
めのキャビティ８ｂが設けられており、また積層銅箔の
リードパターン８ｃが形成されている。このリードパタ
ーン８ｃの上面には金メッキ層８ｄが形成されている。
示す。図５は集積回路パッケージ１１の部分断面図を示
した。プリント配線基板８は、ガラス繊維強化エポキシ
樹脂板８ａの第１の面に、半導体ダイ５を受け入れるた
めのキャビティ８ｂが設けられており、また積層銅箔の
リードパターン８ｃが形成されている。このリードパタ
ーン８ｃの上面には金メッキ層８ｄが形成されている。
【００１４】プリント配線基板８のリードパターン８ｃ
には、先の実施例のものと同様の錫メッキ層４ａが形成
された導電性のリード４が溶着されており、これが金メ
ッキ８ｄに圧接されつつ加熱されて金・錫合金３となっ
て接合されている。
には、先の実施例のものと同様の錫メッキ層４ａが形成
された導電性のリード４が溶着されており、これが金メ
ッキ８ｄに圧接されつつ加熱されて金・錫合金３となっ
て接合されている。
【００１５】プリント配線基板８のキャビティ８ｂ内に
は、先の実施例のものと同様の半導体ダイ５が銀・エポ
キシ樹脂製の接着剤５ａで接着されている。この半導体
ダイ５の電極とプリント配線基板８のリードパターン８
ｃとはボンディングワイヤ６で接続される。
は、先の実施例のものと同様の半導体ダイ５が銀・エポ
キシ樹脂製の接着剤５ａで接着されている。この半導体
ダイ５の電極とプリント配線基板８のリードパターン８
ｃとはボンディングワイヤ６で接続される。
【００１６】プリント配線基板８、リード４、半導体ダ
イ５及びボンディングワイヤ６は、絶縁性封止部材７で
封止される。リード４の一端部は、絶縁性封止部材７か
ら露出している。
イ５及びボンディングワイヤ６は、絶縁性封止部材７で
封止される。リード４の一端部は、絶縁性封止部材７か
ら露出している。
【００１７】本実施例の集積回路パッケージの組込みに
当たっては、先ずプリント配線基板８のリードパターン
８ｃの金メッキ８ｄ面に、リード４の錫メッキ４ａ面を
重ねて、プリント配線基板８とリード４とを相互に圧接
させつつ加熱し、錫メッキ４ａ及び金メッキ８ｄの接合
部に金・錫合金３を生成し、相互に溶着する。次いで、
プリント配線基板８のキャビティ８ｂ内に半導体ダイ５
を配置して、接着剤５ａで接着する。その後、半導体ダ
イ５の電極とプリント配線基板８のリードパターン８ｃ
との間をボンディングワイヤ６で接続する。この後、プ
リント配線基板８、リード４、半導体ダイ５及びボンデ
ィングワイヤ６を絶縁性封止部材７で封止する。
当たっては、先ずプリント配線基板８のリードパターン
８ｃの金メッキ８ｄ面に、リード４の錫メッキ４ａ面を
重ねて、プリント配線基板８とリード４とを相互に圧接
させつつ加熱し、錫メッキ４ａ及び金メッキ８ｄの接合
部に金・錫合金３を生成し、相互に溶着する。次いで、
プリント配線基板８のキャビティ８ｂ内に半導体ダイ５
を配置して、接着剤５ａで接着する。その後、半導体ダ
イ５の電極とプリント配線基板８のリードパターン８ｃ
との間をボンディングワイヤ６で接続する。この後、プ
リント配線基板８、リード４、半導体ダイ５及びボンデ
ィングワイヤ６を絶縁性封止部材７で封止する。
【００１８】この集積回路パッケージにおいても先の実
施例のものと同様に、プリント配線基板８上のリードパ
ターン８ｃとボンディングワイヤ６とを介して半導体ダ
イ５の電極とリード４とが接続されて、リードパターン
２ｂの分だけボンディングワイヤ６の長さが短縮され、
その結果、ボンディングワイヤ６の横揺れや垂れ下がり
による相互接触が回避される。また、ボンディングワイ
ヤ６を長くすることなく半導体ダイ５を小型化すること
ができる。
施例のものと同様に、プリント配線基板８上のリードパ
ターン８ｃとボンディングワイヤ６とを介して半導体ダ
イ５の電極とリード４とが接続されて、リードパターン
２ｂの分だけボンディングワイヤ６の長さが短縮され、
その結果、ボンディングワイヤ６の横揺れや垂れ下がり
による相互接触が回避される。また、ボンディングワイ
ヤ６を長くすることなく半導体ダイ５を小型化すること
ができる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明は、プリント配線
基板２の第１の面に金メッキ２ｅが施された積層銅箔の
リードパターン２ｃを、また反対側の第２の面に金メッ
キ２ｆが施された積層銅箔２ｄを設けると共に、半導体
ダイ受け入れ用の透孔２ｂを設け、また銅板のような放
熱基板１の第１の面に、プリント配線基板２の透孔２ｂ
に対応する非メッキ部を残して部分錫メッキ１ｂを施
し、プリント配線基板２のリードパターン２ｃに錫メッ
キ４ａが施された導電性のリード４を重ねて加熱溶着す
ると共に、放熱基板１の非メッキ部をプリント配線基板
２の透孔２ｂに重ね、錫メッキされた第１の面を、プリ
ント配線基板２の第２の面の金メッキ２ｅ面に重ねて加
熱溶着し、放熱基板１の非メッキ面上に、接着剤５ａを
介して半導体ダイ５を接着し、この半導体ダイ５の電極
とプリント配線基板２のリードパターン２ｃとをボンデ
ィングワイヤ６で接続し、プリント配線基板２、導電性
のリード４、放熱基板１、半導体ダイ５及びボンディン
グワイヤ６を絶縁性封止部材７で封止し、導電性のリー
ド４の一部を絶縁性封止部材７から露出させて集積回路
パッケージを構成したため、短いボンディングワイヤで
リードと半導体ダイとを接続することができ、ボンディ
ングワイヤの横揺れや垂れ下がりによる相互接触を防止
することができる。この結果、半導体を小型化すること
ができる。そして、そのような集積回路パッケージを容
易に製造し、安価に提供することができるという効果を
有する。
基板２の第１の面に金メッキ２ｅが施された積層銅箔の
リードパターン２ｃを、また反対側の第２の面に金メッ
キ２ｆが施された積層銅箔２ｄを設けると共に、半導体
ダイ受け入れ用の透孔２ｂを設け、また銅板のような放
熱基板１の第１の面に、プリント配線基板２の透孔２ｂ
に対応する非メッキ部を残して部分錫メッキ１ｂを施
し、プリント配線基板２のリードパターン２ｃに錫メッ
キ４ａが施された導電性のリード４を重ねて加熱溶着す
ると共に、放熱基板１の非メッキ部をプリント配線基板
２の透孔２ｂに重ね、錫メッキされた第１の面を、プリ
ント配線基板２の第２の面の金メッキ２ｅ面に重ねて加
熱溶着し、放熱基板１の非メッキ面上に、接着剤５ａを
介して半導体ダイ５を接着し、この半導体ダイ５の電極
とプリント配線基板２のリードパターン２ｃとをボンデ
ィングワイヤ６で接続し、プリント配線基板２、導電性
のリード４、放熱基板１、半導体ダイ５及びボンディン
グワイヤ６を絶縁性封止部材７で封止し、導電性のリー
ド４の一部を絶縁性封止部材７から露出させて集積回路
パッケージを構成したため、短いボンディングワイヤで
リードと半導体ダイとを接続することができ、ボンディ
ングワイヤの横揺れや垂れ下がりによる相互接触を防止
することができる。この結果、半導体を小型化すること
ができる。そして、そのような集積回路パッケージを容
易に製造し、安価に提供することができるという効果を
有する。
【図１】本発明の集積回路パッケージの縦断面図であ
る。
る。
【図２】集積回路パッケージの一部を拡大した縦断面図
である。
である。
【図３】放熱基板の平面図である。
【図４】（Ａ）はプリント配線基盤の平面図、（Ｂ）は
底面図である。
底面図である。
【図５】他の実施例の集積回路パッケージの縦断面図で
ある。
ある。
１ 放熱基板 １ｂ 錫メッキ ２ プリント配線基板 ２ｂ 透孔 ２ｃ リードパターン ２ｄ 積層銅箔 ２ｅ 金メッキ ２ｆ 金メッキ ３ 金・錫合金 ４ リード ４ａ 錫メッキ ５ 半導体ダイ ５ａ 接着剤 ６ ボンディングワイヤ ７ 絶縁性封止部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｚ 6921−4Ｅ
Claims (6)
- 【請求項１】 金メッキされた積層銅箔のリードパター
ンを有する第１の面と、金メッキされた積層銅箔を有す
る反対側の第２の面と、リードパターンの一端部付近に
位置する半導体ダイ受け入れ用の透孔とを有するプリン
ト配線基板と、 このプリント配線基板のリードパターンに溶着された錫
メッキされた導電性のリードと、 前記プリント配線基板の透孔に対応する非メッキ部を残
して部分錫メッキされた第１の面を有し、錫メッキ部分
が、プリント配線基板の第２の面の金メッキされた積層
銅箔に溶着された放熱基板と、 前記プリント配線基板の透孔内に位置して、前記放熱基
板の非メッキ面上に、接着剤を介して接着された半導体
ダイと、 この半導体ダイの電極と前記プリント配線基板のリード
パターンとを接続するボンディングワイヤと、 前記プリント配線基板、導電性のリード、放熱基板、半
導体ダイ及びボンディングワイヤを封止する絶縁性封止
部材とを具備し、導電性のリードの一部が絶縁性封止部
材から露出していることを特徴とする集積回路パッケー
ジ。 - 【請求項２】 金メッキされた積層銅箔のリードパター
ンを有する第１の面と、金メッキされた積層銅箔を有す
る反対側の第２の面と、リードパターンの一端部付近に
位置する半導体ダイ受け入れ用の透孔とを有するプリン
ト配線基板と、 錫メッキされた導電性のリードと、 前記プリント配線基板の透孔に対応する非メッキ部を残
して部分錫メッキされた第１の面を有する放熱基板と、 半導体ダイとを用意し、 前記プリント配線基板のリードパターンの金メッキ面
に、前記導電性リードの錫メッキ面を重ねる工程と、 前記放熱基板の非メッキ部を前記プリント配線基板の透
孔に重ね、錫メッキされた第１の面を、プリント配線基
板の第２の面の積層銅箔の金メッキ面に重ねる工程と、 積層された前記プリント配線基板、導電性リード、放熱
基板の三者を相互に圧接させつつ加熱し、金・錫合金を
生成して相互に溶着する工程と、 前記プリント配線基板の透孔内に位置して、前記放熱基
板の非メッキ面上に、接着剤を介して前記半導体ダイを
接着する工程と、 この半導体ダイの電極と前記プリント配線基板のリード
パターンとの間をボンディングワイヤで接続する工程
と、 前記プリント配線基板、導電性のリード、放熱基板、半
導体ダイ及びボンディングワイヤを絶縁性封止部材で封
止する工程とを含むことを特徴とする集積回路パッケー
ジの製造方法。 - 【請求項３】 前記プリント配線基板が、ガラス繊維強
化エポキシ樹脂製のフレキシブルプリント配線基板であ
ることを特徴とする請求項１に記載の集積回路パッケー
ジ。 - 【請求項４】 前記放熱基板の一部が前記絶縁性封止部
材から露出していることを特徴とする請求項１又は２に
記載の集積回路パッケージ。 - 【請求項５】 第１の面に、金メッキされた積層銅箔の
リードパターンと、半導体ダイ受け入れ用のキャビティ
とを有する合成樹脂製のプリント配線基板と、 このプリント配線基板のリードパターンに溶着された錫
メッキされた導電性のリードと、 前記プリント配線基板のキャビティ内に接着された半導
体ダイと、 この半導体ダイの電極と前記プリント配線基板のリード
パターンとを接続するボンディングワイヤと、 前記プリント配線基板、導電性のリード、半導体ダイ及
びボンディングワイヤを封止する絶縁性封止部材とを具
備したことを特徴とする集積回路パッケージ。 - 【請求項６】 第１の面に、金メッキされた積層銅箔の
リードパターンと、半導体ダイ受け入れ用のキャビティ
とを有する合成樹脂製のプリント配線基板と、 このプリント配線基板のリードパターンに溶着された錫
メッキされた導電性のリードと、 半導体ダイとを用意し、 前記プリント配線基板のリードパターンの金メッキ面
に、前記導電性リードの錫メッキ面を重ねる工程と、 積層された前記プリント配線基板と導電性リードとを相
互に圧接させつつ加熱し、金・錫合金を生成して相互に
溶着する工程と、 前記プリント配線基板のキャビティ内に、接着剤を介し
て前記半導体ダイを接着する工程と、 この半導体ダイの電極と前記プリント配線基板のリード
パターンとの間をボンディングワイヤで接続する工程
と、 前記プリント配線基板、導電性のリード、半導体ダイ及
びボンディングワイヤを絶縁性封止部材で封止する工程
とを含むことを特徴とする請求項５に記載の集積回路パ
ッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6236004A JPH0878599A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 集積回路パッケージ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6236004A JPH0878599A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 集積回路パッケージ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878599A true JPH0878599A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16994371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6236004A Pending JPH0878599A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 集積回路パッケージ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878599A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7066071B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-06-27 | Helen Of Troy Limited | Food slicer |
| CN1319161C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-05-30 | 株式会社电装 | 半导体器件 |
| US7247951B2 (en) * | 2004-09-10 | 2007-07-24 | Via Technologies, Inc. | Chip carrier with oxidation protection layer |
| EP2076104A2 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | LG Electronics Inc. | Flexible film and display device comprising the same |
| US8808837B2 (en) | 2007-12-21 | 2014-08-19 | Lg Electronics Inc. | Flexible film and display device comprising the same |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232948A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPH03123067A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
| JPH04192450A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合リードフレーム |
| JPH0595078A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH05211274A (ja) * | 1991-06-07 | 1993-08-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
| JPH0573964B2 (ja) * | 1986-09-05 | 1993-10-15 | Ebara Mfg |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP6236004A patent/JPH0878599A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232948A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPH0573964B2 (ja) * | 1986-09-05 | 1993-10-15 | Ebara Mfg | |
| JPH03123067A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
| JPH04192450A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合リードフレーム |
| JPH05211274A (ja) * | 1991-06-07 | 1993-08-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
| JPH0595078A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1319161C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-05-30 | 株式会社电装 | 半导体器件 |
| US7247929B2 (en) | 2003-03-26 | 2007-07-24 | Denso Corporation | Molded semiconductor device with heat conducting members |
| US7066071B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-06-27 | Helen Of Troy Limited | Food slicer |
| US7143677B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-12-05 | Helen Of Troy Limited | Food slicer |
| US7247951B2 (en) * | 2004-09-10 | 2007-07-24 | Via Technologies, Inc. | Chip carrier with oxidation protection layer |
| US8808837B2 (en) | 2007-12-21 | 2014-08-19 | Lg Electronics Inc. | Flexible film and display device comprising the same |
| EP2076104A2 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | LG Electronics Inc. | Flexible film and display device comprising the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6291271B1 (en) | Method of making semiconductor chip package | |
| JP2982450B2 (ja) | フィルムキャリア半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0448767A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US6486551B1 (en) | Wired board and method of producing the same | |
| JPH06302653A (ja) | 半導体装置 | |
| US6271057B1 (en) | Method of making semiconductor chip package | |
| JPH11191602A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS62232948A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2000183211A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04127564A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH11135567A (ja) | 異方性導電膜、半導体装置の製造方法 | |
| JPH0917910A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、検査方法、実装基板 | |
| JPH11163054A (ja) | 半導体装置の構造及びその製造方法 | |
| JP2748771B2 (ja) | フィルムキャリア半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2974819B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63185035A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2986661B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3147189B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JP2669286B2 (ja) | 複合リードフレーム | |
| JPH06334059A (ja) | 半導体搭載用基板及びその製造方法 | |
| JP2861984B2 (ja) | 半導体装置、および該半導体装置の製造方法 | |
| JP3279846B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63107126A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05129514A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPH04119653A (ja) | 集積回路素子 |