JPH11135567A - 異方性導電膜、半導体装置の製造方法 - Google Patents
異方性導電膜、半導体装置の製造方法Info
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- JPH11135567A JPH11135567A JP9298326A JP29832697A JPH11135567A JP H11135567 A JPH11135567 A JP H11135567A JP 9298326 A JP9298326 A JP 9298326A JP 29832697 A JP29832697 A JP 29832697A JP H11135567 A JPH11135567 A JP H11135567A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体部品の電極と基板に形成されている電
極とを確実に接合でき、安定的な電気的接続を得る。 【解決手段】 導電粒子５３を含む第１の接着剤層５１
と、導電粒子５３を含まない第２の接着剤層５２との２
層構造を有し、単に載置した状態では、上下方向の絶縁
が保たれ、突出した部分で押圧することにより、上下方
向の電気的接続を得るように構成される。
極とを確実に接合でき、安定的な電気的接続を得る。 【解決手段】 導電粒子５３を含む第１の接着剤層５１
と、導電粒子５３を含まない第２の接着剤層５２との２
層構造を有し、単に載置した状態では、上下方向の絶縁
が保たれ、突出した部分で押圧することにより、上下方
向の電気的接続を得るように構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体部品、特
にベアＩＣチップを基板（プリント基板）に実装するこ
とにより得られる半導体装置の製造法及びこの製造方法
において用いられる異方性導電膜に関するものである。
にベアＩＣチップを基板（プリント基板）に実装するこ
とにより得られる半導体装置の製造法及びこの製造方法
において用いられる異方性導電膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置を構成する場合には、
実装面積をより小さく、かつ、薄く、という要求が多
く、これに応えるものとして、ベアＩＣチップをパッケ
ージングせずに直接に基板に実装するフリップチップ実
装法が知られている。この実装方法を図１１を用いて説
明する。
実装面積をより小さく、かつ、薄く、という要求が多
く、これに応えるものとして、ベアＩＣチップをパッケ
ージングせずに直接に基板に実装するフリップチップ実
装法が知られている。この実装方法を図１１を用いて説
明する。
【０００３】半導体部品であるベアＩＣチップ３０が実
装される基板１０の部品実装面１１には導電材料によっ
て複数の配線パターン１２が形成されており、各配線パ
ターン１２の先端の表面には金メッキが施されて電極１
３が形成されている。また、各配線パターン１２におい
ては、電極１３の部分を除いてソルダーレジスト１４で
覆われ絶縁されている。
装される基板１０の部品実装面１１には導電材料によっ
て複数の配線パターン１２が形成されており、各配線パ
ターン１２の先端の表面には金メッキが施されて電極１
３が形成されている。また、各配線パターン１２におい
ては、電極１３の部分を除いてソルダーレジスト１４で
覆われ絶縁されている。
【０００４】ベアＩＣチップ３０においては、所定の面
３１にAl（アルミニューム）等の導電材料で形成された
複数の電極３２が基板１０の電極１３に対応させて配置
され、各電極３２の表面には各々バンプ３３が形成され
ている。バンプ３３はAu（金）又はSn-Pb （スズ−鉛）
合金等の金属材料で構成されている。
３１にAl（アルミニューム）等の導電材料で形成された
複数の電極３２が基板１０の電極１３に対応させて配置
され、各電極３２の表面には各々バンプ３３が形成され
ている。バンプ３３はAu（金）又はSn-Pb （スズ−鉛）
合金等の金属材料で構成されている。
【０００５】ベアＩＣチップ３０の実装のために用いら
れる異方性導電膜２０は絶縁性樹脂２１に導電粒子２２
が混在されたもので、この異方性導電膜２０は使用前に
は一方の面が保護用テープで覆われている。
れる異方性導電膜２０は絶縁性樹脂２１に導電粒子２２
が混在されたもので、この異方性導電膜２０は使用前に
は一方の面が保護用テープで覆われている。
【０００６】ベアＩＣチップ３０の実装に際しては、異
方性導電膜２０が露出した一方の面を基板１０に向けて
基板１０の部品実装面１１に異方性導電膜２０を載置
し、異方性導電膜２０を保護用テープ側から加圧、加熱
して仮接着を行う。この場合に、異方性導電膜２０は基
板１０の配線パターン１２や電極１３を覆うようにして
ベアＩＣチップ３０の実装箇所に接着される。このと
き、基板１０に対する異方性導電膜２０の位置ずれ等を
考慮し、異方性導電膜２０の面積はベアＩＣチップ３０
の所定の面３１の面積の２倍程度とされる。
方性導電膜２０が露出した一方の面を基板１０に向けて
基板１０の部品実装面１１に異方性導電膜２０を載置
し、異方性導電膜２０を保護用テープ側から加圧、加熱
して仮接着を行う。この場合に、異方性導電膜２０は基
板１０の配線パターン１２や電極１３を覆うようにして
ベアＩＣチップ３０の実装箇所に接着される。このと
き、基板１０に対する異方性導電膜２０の位置ずれ等を
考慮し、異方性導電膜２０の面積はベアＩＣチップ３０
の所定の面３１の面積の２倍程度とされる。
【０００７】次に、基板１０に接着された異方性導電膜
２０の保護用テープを剥がし、ベアＩＣチップ３０の所
定の面３１が異方性導電膜２０の他方の面に向くように
設定して異方性導電膜２０上にベアＩＣチップ３０を載
置し、異方性導電膜２０を加圧、加熱してベアＩＣチッ
プ３０の本接着を行う。かくして、基板１０の部品実装
面１１とベアＩＣチップ３０の所定の面３１側とが異方
性導電膜２０の絶縁性樹脂２１を介して接合される。ま
た、異方性導電膜２０の導電粒子２２はバンプ３３によ
り基板１０の電極１３に押圧されるので、基板１０とベ
アＩＣチップ３０とは電気的に接続される。
２０の保護用テープを剥がし、ベアＩＣチップ３０の所
定の面３１が異方性導電膜２０の他方の面に向くように
設定して異方性導電膜２０上にベアＩＣチップ３０を載
置し、異方性導電膜２０を加圧、加熱してベアＩＣチッ
プ３０の本接着を行う。かくして、基板１０の部品実装
面１１とベアＩＣチップ３０の所定の面３１側とが異方
性導電膜２０の絶縁性樹脂２１を介して接合される。ま
た、異方性導電膜２０の導電粒子２２はバンプ３３によ
り基板１０の電極１３に押圧されるので、基板１０とベ
アＩＣチップ３０とは電気的に接続される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この従来の実装方法で
は、基板１０はガラスエポキシ系の硬質基板であり、基
板１０が反っている場合に基板１０の部品実装面１１に
異方性導電膜２０を仮接着した後、異方性導電膜２０上
にベアＩＣチップ３０を載置し、本接着すると、基板１
０に形成されている電極１３とベアＩＣチップ３０の電
極３２に対応させて形成されているバンプ３３との間に
間隙が生じ、電気的接続が得られないという問題があっ
た。
は、基板１０はガラスエポキシ系の硬質基板であり、基
板１０が反っている場合に基板１０の部品実装面１１に
異方性導電膜２０を仮接着した後、異方性導電膜２０上
にベアＩＣチップ３０を載置し、本接着すると、基板１
０に形成されている電極１３とベアＩＣチップ３０の電
極３２に対応させて形成されているバンプ３３との間に
間隙が生じ、電気的接続が得られないという問題があっ
た。
【０００９】また、異方性導電膜２０は絶縁性樹脂２１
に一様に導電粒子２２を混在させた１層構造であり、フ
リップチップ実装における基板１０の各電極１３の間隔
が約２００μｍ程度の狭いものであるため、導電粒子２
２が各電極１３の間隔に散在し、回路絶縁の維持が困難
になるという問題があった。
に一様に導電粒子２２を混在させた１層構造であり、フ
リップチップ実装における基板１０の各電極１３の間隔
が約２００μｍ程度の狭いものであるため、導電粒子２
２が各電極１３の間隔に散在し、回路絶縁の維持が困難
になるという問題があった。
【００１０】更にまた、異方性導電膜２０は絶縁性樹脂
に一様に導電粒子２２を混在させた１層構造であるた
め、ベアＩＣチップ３０の各バンプ３３とこれに対応す
る基板１０の各電極１３との間に十分な数の導電粒子２
２を介在させるには、異方性導電膜２０の厚さを厚くす
る必要がある。このような理由で異方性導電膜２０の厚
みを厚くすると、異方性導電膜２０上にベアＩＣチップ
３０を載置し、ボンディングツール４０にて本接着する
ときに、加熱により溶融した異方性導電膜２０の絶縁性
樹脂２１の余剰部分がボンディングツール４０に付着、
汚染する。そこで、ボンディングツール４０に付着した
絶縁性樹脂２１を除去する必要があり、作業を中断せね
ばならないという不都合があった。また、異方性導電膜
２０の厚さを厚くした場合、不透明な導電粒子２２が多
くなり透明性が低下する。この結果、基板１０の部品実
装面１１に異方性導電膜２０を仮接着した後にベアＩＣ
チップ３０を本接着する工程において、基板１０の電極
１３を異方性導電膜２０の上から位置合わせのために透
過認識することが困難になり、接合の位置精度が低下
し、品質低下を招くという問題があった。
に一様に導電粒子２２を混在させた１層構造であるた
め、ベアＩＣチップ３０の各バンプ３３とこれに対応す
る基板１０の各電極１３との間に十分な数の導電粒子２
２を介在させるには、異方性導電膜２０の厚さを厚くす
る必要がある。このような理由で異方性導電膜２０の厚
みを厚くすると、異方性導電膜２０上にベアＩＣチップ
３０を載置し、ボンディングツール４０にて本接着する
ときに、加熱により溶融した異方性導電膜２０の絶縁性
樹脂２１の余剰部分がボンディングツール４０に付着、
汚染する。そこで、ボンディングツール４０に付着した
絶縁性樹脂２１を除去する必要があり、作業を中断せね
ばならないという不都合があった。また、異方性導電膜
２０の厚さを厚くした場合、不透明な導電粒子２２が多
くなり透明性が低下する。この結果、基板１０の部品実
装面１１に異方性導電膜２０を仮接着した後にベアＩＣ
チップ３０を本接着する工程において、基板１０の電極
１３を異方性導電膜２０の上から位置合わせのために透
過認識することが困難になり、接合の位置精度が低下
し、品質低下を招くという問題があった。
【００１１】本発明は上記の従来技術における問題点を
解決せんとしてなされたもので、その目的は、半導体部
品の電極と基板に形成されている電極とを確実に接合で
き、安定的な電気的接続を得ることのできる半導体装置
の製造方法を提供することである。また、他の目的は、
電極間の不要な接続をなくし、更に、作業性の向上を図
ることができる半導体装置の製造方法及びそれに用いる
異方性導電膜を提供することである。
解決せんとしてなされたもので、その目的は、半導体部
品の電極と基板に形成されている電極とを確実に接合で
き、安定的な電気的接続を得ることのできる半導体装置
の製造方法を提供することである。また、他の目的は、
電極間の不要な接続をなくし、更に、作業性の向上を図
ることができる半導体装置の製造方法及びそれに用いる
異方性導電膜を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の異方性導電膜
は、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒子を含まない接
着剤層との多層構造を有する。この多層構造により、単
に載置した状態では、上下方向の絶縁が保たれ、突出し
た部分で押圧することにより、上下方向の電気的接続を
得ることができる。
は、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒子を含まない接
着剤層との多層構造を有する。この多層構造により、単
に載置した状態では、上下方向の絶縁が保たれ、突出し
た部分で押圧することにより、上下方向の電気的接続を
得ることができる。
【００１３】本発明の請求項２に記載の異方性導電膜
は、導電粒子を含む第１の接着剤層と、導電粒子を含ま
ない第２の接着剤層との２層構造を有し、本発明の請求
項３に記載の異方性導電膜は、導電粒子を含む第１の接
着剤層と、導電粒子を含まない第２の接着剤層と、導電
粒子を含まない第３の接着剤層と、の３層構造を有し、
前記第１の接着剤層が前記第２の接着剤層と前記第３の
接着剤層との間に挟まれていることを特徴とする。これ
により、全体の厚みを変えることなく、導電粒子が含ま
れる第１の接着剤層の厚みを適切に変更し、単に載置し
た状態では、上下方向の絶縁が保たれ、突出した部分で
押圧することにより、上下方向の電気的接続を得る構造
とすることができる。
は、導電粒子を含む第１の接着剤層と、導電粒子を含ま
ない第２の接着剤層との２層構造を有し、本発明の請求
項３に記載の異方性導電膜は、導電粒子を含む第１の接
着剤層と、導電粒子を含まない第２の接着剤層と、導電
粒子を含まない第３の接着剤層と、の３層構造を有し、
前記第１の接着剤層が前記第２の接着剤層と前記第３の
接着剤層との間に挟まれていることを特徴とする。これ
により、全体の厚みを変えることなく、導電粒子が含ま
れる第１の接着剤層の厚みを適切に変更し、単に載置し
た状態では、上下方向の絶縁が保たれ、突出した部分で
押圧することにより、上下方向の電気的接続を得る構造
とすることができる。
【００１４】本発明の請求項４に記載の半導体装置の製
造方法は、半導体部品の電極に対して接続する電極を有
する可撓性基板を用い、実装される前記半導体部品に対
応して異方性導電膜を前記可撓性基板の前記電極を覆う
ように載置して熱圧着し、熱圧着された前記異方性導電
膜に対して前記半導体の電極面を向けて載置し熱圧着す
ることにより、前記半導体部品の電極と前記可撓性基板
の電極との電気的な接続を得て半導体装置を製造するこ
とを特徴とする。これにより、基板に反りがあっても加
圧時に撓んで、可撓性基板の電極に対して半導体部品が
接合されることになり、確実な電気的接続を得ることが
できる。
造方法は、半導体部品の電極に対して接続する電極を有
する可撓性基板を用い、実装される前記半導体部品に対
応して異方性導電膜を前記可撓性基板の前記電極を覆う
ように載置して熱圧着し、熱圧着された前記異方性導電
膜に対して前記半導体の電極面を向けて載置し熱圧着す
ることにより、前記半導体部品の電極と前記可撓性基板
の電極との電気的な接続を得て半導体装置を製造するこ
とを特徴とする。これにより、基板に反りがあっても加
圧時に撓んで、可撓性基板の電極に対して半導体部品が
接合されることになり、確実な電気的接続を得ることが
できる。
【００１５】本発明の請求項５に記載の半導体装置の製
造方法は、半導体部品の電極に対してバンプ形成を行う
工程を有し、前記半導体部品の電極と可撓性基板の電極
との電気的な接続は、前記バンプを介して得ることを特
徴とする。これにより、バンプ形成がなされた半導体部
品を得て前記半導体部品の電極と可撓性基板の電極との
電気的な接続を行うことができる。
造方法は、半導体部品の電極に対してバンプ形成を行う
工程を有し、前記半導体部品の電極と可撓性基板の電極
との電気的な接続は、前記バンプを介して得ることを特
徴とする。これにより、バンプ形成がなされた半導体部
品を得て前記半導体部品の電極と可撓性基板の電極との
電気的な接続を行うことができる。
【００１６】本発明の請求項６に記載の半導体製造方法
は、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒子を含まない接
着剤層との多層構造を有する異方性導電膜を用いること
を特徴とする。これにより、多層構造の異方性導電膜に
対し単に載置した状態では、上下方向の絶縁が保たれ、
突出した部分で押圧することにより、上下方向の電気的
接続を得ることができ、必要な接続状態を実現する。
は、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒子を含まない接
着剤層との多層構造を有する異方性導電膜を用いること
を特徴とする。これにより、多層構造の異方性導電膜に
対し単に載置した状態では、上下方向の絶縁が保たれ、
突出した部分で押圧することにより、上下方向の電気的
接続を得ることができ、必要な接続状態を実現する。
【００１７】本発明の請求項７に記載の半導体装置の製
造方法にて用いる異方性導電膜は、は、導電粒子を含ま
ない接着剤層と、導電粒子を含む接着剤層との２層構造
または３層構造であることを特徴とする。これにより、
全体の厚みを変えることなく、２層または３層の構造と
し、導電粒子が含まれる第１の接着剤層の厚みを適切に
変更し、単に載置した状態では、上下方向の絶縁が保た
れ、突出した部分で押圧することにより、上下方向の電
気的接続を得る構造とすることができる。
造方法にて用いる異方性導電膜は、は、導電粒子を含ま
ない接着剤層と、導電粒子を含む接着剤層との２層構造
または３層構造であることを特徴とする。これにより、
全体の厚みを変えることなく、２層または３層の構造と
し、導電粒子が含まれる第１の接着剤層の厚みを適切に
変更し、単に載置した状態では、上下方向の絶縁が保た
れ、突出した部分で押圧することにより、上下方向の電
気的接続を得る構造とすることができる。
【００１８】本発明の請求項８に記載の半導体装置の製
造方法は、半導体部品の実装工程の前に、可撓性基板に
対し半導体パッケージとチップ部品との少なくとも一方
が実装される工程が実行されていることを特徴とする。
これにより、先に半導体パッケージやチップ部品が実装
されており、基板に実装された半導体部品がその後のの
実装により剥がれることがなくなる。
造方法は、半導体部品の実装工程の前に、可撓性基板に
対し半導体パッケージとチップ部品との少なくとも一方
が実装される工程が実行されていることを特徴とする。
これにより、先に半導体パッケージやチップ部品が実装
されており、基板に実装された半導体部品がその後のの
実装により剥がれることがなくなる。
【００１９】本発明の請求項９に記載の半導体装置の製
造方法は、半導体部品の実装工程の前に、可撓性基板に
印刷抵抗体が形成される工程が実行されていることを特
徴とする。これにより、マルチチップモジュールを形成
する際に、抵抗チップ部品を新たに可撓性基板に実装す
る必要がなく、基板に実装された半導体部品がその後の
実装により剥がれることがなくなる。
造方法は、半導体部品の実装工程の前に、可撓性基板に
印刷抵抗体が形成される工程が実行されていることを特
徴とする。これにより、マルチチップモジュールを形成
する際に、抵抗チップ部品を新たに可撓性基板に実装す
る必要がなく、基板に実装された半導体部品がその後の
実装により剥がれることがなくなる。
【００２０】本発明の請求項１０に記載の半導体装置の
製造方法は、可撓性基板の裏面に離脱自在に硬質基板が
固定されていることを特徴とする。これにより、異方性
導電膜を介在させた状態で半導体部品を可撓性基板に加
熱下で圧着する際に、可撓性基板を搬送し、圧着用の自
動機のヒーターステージ等に固定することが容易であ
り、且つ、固定位置を正確に決めることができることに
なる。
製造方法は、可撓性基板の裏面に離脱自在に硬質基板が
固定されていることを特徴とする。これにより、異方性
導電膜を介在させた状態で半導体部品を可撓性基板に加
熱下で圧着する際に、可撓性基板を搬送し、圧着用の自
動機のヒーターステージ等に固定することが容易であ
り、且つ、固定位置を正確に決めることができることに
なる。
【００２１】本発明の請求項１１に記載の半導体装置の
製造方法では、半導体部品がベアＩＣチップであること
を特徴とする。これにより、ベアＩＣチップを基板に適
切に実装できる。
製造方法では、半導体部品がベアＩＣチップであること
を特徴とする。これにより、ベアＩＣチップを基板に適
切に実装できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態に係る半導体装置の製造方法及びそれに用
いられる異方性導電膜を説明する。各図において同一構
成要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。本発明の異方性導電膜は図１または図２に示すよう
に、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒子を含まない接
着剤層と、の多層構造を有する。
の実施の形態に係る半導体装置の製造方法及びそれに用
いられる異方性導電膜を説明する。各図において同一構
成要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。本発明の異方性導電膜は図１または図２に示すよう
に、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒子を含まない接
着剤層と、の多層構造を有する。
【００２３】図１に、本発明の第１の実施の形態に係る
異方性導電膜５０を示す。この異方性導電膜５０は、絶
縁性樹脂５４内に導電粒子５３を含む第１の接着剤層５
１と、導電粒子５３を含まない絶縁性樹脂からなる第２
の接着剤層５２との２層構造を有する。第１の接着剤層
５１の第２の接着剤層５２と接しない側の面には剥離可
能な保護用テープ５５が貼着されている。第１の接着剤
層５１の厚みと第２の接着剤層５２の厚みとを加えた厚
みが、従来の異方性導電膜２０の厚み（例えば、４０〜
５０ミクロン）に匹敵し、第１の接着剤層５１の厚みと
第２の接着剤層５２の厚みの比は、１：１程度である。
絶縁性樹脂５４内に含まれる導電粒子５３の密度は、従
来の異方性導電膜２０の密度に等しい。
異方性導電膜５０を示す。この異方性導電膜５０は、絶
縁性樹脂５４内に導電粒子５３を含む第１の接着剤層５
１と、導電粒子５３を含まない絶縁性樹脂からなる第２
の接着剤層５２との２層構造を有する。第１の接着剤層
５１の第２の接着剤層５２と接しない側の面には剥離可
能な保護用テープ５５が貼着されている。第１の接着剤
層５１の厚みと第２の接着剤層５２の厚みとを加えた厚
みが、従来の異方性導電膜２０の厚み（例えば、４０〜
５０ミクロン）に匹敵し、第１の接着剤層５１の厚みと
第２の接着剤層５２の厚みの比は、１：１程度である。
絶縁性樹脂５４内に含まれる導電粒子５３の密度は、従
来の異方性導電膜２０の密度に等しい。
【００２４】図２に、本発明の第２の実施の形態に係る
異方性導電膜５０Ａを示す。この異方性導電膜５０Ａ
は、絶縁性樹脂５４内に導電粒子５３を含む第１の接着
剤層５６と、導電粒子５３を含まない絶縁性樹脂からな
る第２の接着剤層５７と、同じく導電粒子５３を含まな
い絶縁性樹脂からなる第３の接着剤層５８との３層構造
を有する。そして、上記第１の接着剤層５６が前記第２
の接着剤層５７と前記第３の接着剤層５８との間に挟ま
れている。第２の接着剤層５７の第１の接着剤層５６と
接しない側の面には剥離可能な保護用テープ５５が貼着
されている。第１の接着剤層５６の厚みと第２の接着剤
層５７の厚みと第３の接着剤層５８の厚みとを加えた厚
みが、従来の異方性導電膜２０の厚み（例えば、４０〜
５０ミクロン）に匹敵し、第１の接着剤層５６の厚みと
第２の接着剤層５７の厚みと第３の接着剤層５８の厚み
の比は、１：１：１程度である。絶縁性樹脂５４内に含
まれる導電粒子５３の密度は、従来の異方性導電膜２０
の絶縁性樹脂２１内に含まれる導電粒子２２の密度に等
しい。
異方性導電膜５０Ａを示す。この異方性導電膜５０Ａ
は、絶縁性樹脂５４内に導電粒子５３を含む第１の接着
剤層５６と、導電粒子５３を含まない絶縁性樹脂からな
る第２の接着剤層５７と、同じく導電粒子５３を含まな
い絶縁性樹脂からなる第３の接着剤層５８との３層構造
を有する。そして、上記第１の接着剤層５６が前記第２
の接着剤層５７と前記第３の接着剤層５８との間に挟ま
れている。第２の接着剤層５７の第１の接着剤層５６と
接しない側の面には剥離可能な保護用テープ５５が貼着
されている。第１の接着剤層５６の厚みと第２の接着剤
層５７の厚みと第３の接着剤層５８の厚みとを加えた厚
みが、従来の異方性導電膜２０の厚み（例えば、４０〜
５０ミクロン）に匹敵し、第１の接着剤層５６の厚みと
第２の接着剤層５７の厚みと第３の接着剤層５８の厚み
の比は、１：１：１程度である。絶縁性樹脂５４内に含
まれる導電粒子５３の密度は、従来の異方性導電膜２０
の絶縁性樹脂２１内に含まれる導電粒子２２の密度に等
しい。
【００２５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製
造工程フローは図３に示すようであり、製造工程が図４
〜図７に示されている。これを説明すると、図４等に示
されるような可撓性基板４０が用意される（Ｓ１）。こ
の可撓性基板４０はポリイミド等にて形成され、半導体
部品であるベアＩＣチップ６０が実装される部品実装面
４１には複数の配線パターン４２が導電材料にて形成さ
れている。また、各配線パターン４２の先端には金メッ
キが施されて電極４３が形成され、且つ、各配線パター
ン４２は、電極４３の部分を除いてカバーレイ４４で覆
われ絶縁されている。
造工程フローは図３に示すようであり、製造工程が図４
〜図７に示されている。これを説明すると、図４等に示
されるような可撓性基板４０が用意される（Ｓ１）。こ
の可撓性基板４０はポリイミド等にて形成され、半導体
部品であるベアＩＣチップ６０が実装される部品実装面
４１には複数の配線パターン４２が導電材料にて形成さ
れている。また、各配線パターン４２の先端には金メッ
キが施されて電極４３が形成され、且つ、各配線パター
ン４２は、電極４３の部分を除いてカバーレイ４４で覆
われ絶縁されている。
【００２６】ベアＩＣチップ６０の実装のために用いら
れる異方性導電膜５０は、面積の広いシート形状をして
おり、ベアＩＣチップ６０の所定の面６１の面積よりも
若干大きく切り出される（Ｓ２）。異方性導電膜５０の
導電粒子５３を含まない第２の接着剤層５２（図５に示
す３層構造の異方性導電膜５０Ａを用いた場合には、第
３の接着剤層５８）の一方の面を可撓性基板４０に接着
する（Ｓ３）。具体的には、ボンディングツール７０の
バキューム機構により、図４に示されるように異方性導
電膜５０を保護シート５５側から吸着して、可撓性基板
４０の部品実装面４１上に載置する。一方、可撓性基板
４０はヒーターステージ７１上にセットされ加熱さる。
そして、ボンディングツール７０を可撓性基板４０上の
所定位置に位置付け、このボンディングツール７０を下
降させ、異方性導電膜５０を保護用テープ５５側から加
圧、加熱する。次に、異方性導電膜５０の保護シート５
５が剥がされる。斯して、図５に示すような異方性導電
膜５０が接着された状態の可撓性基板４０が得られる。
れる異方性導電膜５０は、面積の広いシート形状をして
おり、ベアＩＣチップ６０の所定の面６１の面積よりも
若干大きく切り出される（Ｓ２）。異方性導電膜５０の
導電粒子５３を含まない第２の接着剤層５２（図５に示
す３層構造の異方性導電膜５０Ａを用いた場合には、第
３の接着剤層５８）の一方の面を可撓性基板４０に接着
する（Ｓ３）。具体的には、ボンディングツール７０の
バキューム機構により、図４に示されるように異方性導
電膜５０を保護シート５５側から吸着して、可撓性基板
４０の部品実装面４１上に載置する。一方、可撓性基板
４０はヒーターステージ７１上にセットされ加熱さる。
そして、ボンディングツール７０を可撓性基板４０上の
所定位置に位置付け、このボンディングツール７０を下
降させ、異方性導電膜５０を保護用テープ５５側から加
圧、加熱する。次に、異方性導電膜５０の保護シート５
５が剥がされる。斯して、図５に示すような異方性導電
膜５０が接着された状態の可撓性基板４０が得られる。
【００２７】一方、図６等に示されるようなベアＩＣチ
ップ６０を用意する（Ｓ４）。このベアＩＣチップ６０
は、所定の面６１にAl（アルミニューム）等の導電材料
で形成された複数の電極６２が可撓性基板４０の電極４
３に対応させて配置されている。次に、ベアＩＣチップ
６０の各電極６２の表面にめっき等によって各々バンプ
６３を形成する（Ｓ５）。バンプ６３はAu（金）又はSn
-Pb （スズ−鉛）合金等の金属材料で形成されている。
ップ６０を用意する（Ｓ４）。このベアＩＣチップ６０
は、所定の面６１にAl（アルミニューム）等の導電材料
で形成された複数の電極６２が可撓性基板４０の電極４
３に対応させて配置されている。次に、ベアＩＣチップ
６０の各電極６２の表面にめっき等によって各々バンプ
６３を形成する（Ｓ５）。バンプ６３はAu（金）又はSn
-Pb （スズ−鉛）合金等の金属材料で形成されている。
【００２８】次の工程（Ｓ６）においては、可撓性基板
４０に接着された異方性導電膜５０の導電粒子５３を含
む第１の接着剤層５１に、バンプ６３が形成されたベア
ＩＣチップ６０を接着する。この工程（Ｓ６）において
は、図６に示すように、可撓性基板４０はヒータステー
ジ７１上にセットされ加熱される。そして、ベアＩＣチ
ップ６０をボンディングツール７０に保持させ、このベ
アＩＣチップ６０を可撓性基板４０上の異方性導電膜５
０上に位置付け、このボンディングツール７０を下降さ
せ、可撓性基板４０に接着されている異方性導電膜５０
の導電粒子５３を含む第１の接着剤層５１にベアＩＣチ
ップ６０を押しつけて異方性導電膜５０を加圧、加熱す
る。
４０に接着された異方性導電膜５０の導電粒子５３を含
む第１の接着剤層５１に、バンプ６３が形成されたベア
ＩＣチップ６０を接着する。この工程（Ｓ６）において
は、図６に示すように、可撓性基板４０はヒータステー
ジ７１上にセットされ加熱される。そして、ベアＩＣチ
ップ６０をボンディングツール７０に保持させ、このベ
アＩＣチップ６０を可撓性基板４０上の異方性導電膜５
０上に位置付け、このボンディングツール７０を下降さ
せ、可撓性基板４０に接着されている異方性導電膜５０
の導電粒子５３を含む第１の接着剤層５１にベアＩＣチ
ップ６０を押しつけて異方性導電膜５０を加圧、加熱す
る。
【００２９】上記により、図７に示すように、可撓性基
板４０の部品実装面４１側とベアＩＣチップ６０の所定
の面６１側とは異方性導電膜５０の絶縁性樹脂５４を介
して接合される。また、異方性導電膜５０の導電粒子５
３はバンプ６３により可撓性基板４０の電極４３に押圧
されるので、可撓性基板４０上の電極４３とベアＩＣチ
ップ６０の電極６２とは電気的に接続される。これと共
に、可撓性基板４０が可撓性である故に加圧によって撓
むことにより、可撓性基板４０の電極４３とベアＩＣチ
ップ６０のバンプ６３との間の間隙が消滅され、可撓性
基板４０とベアＩＣチップ６０との電気的接続は適切に
確保される。
板４０の部品実装面４１側とベアＩＣチップ６０の所定
の面６１側とは異方性導電膜５０の絶縁性樹脂５４を介
して接合される。また、異方性導電膜５０の導電粒子５
３はバンプ６３により可撓性基板４０の電極４３に押圧
されるので、可撓性基板４０上の電極４３とベアＩＣチ
ップ６０の電極６２とは電気的に接続される。これと共
に、可撓性基板４０が可撓性である故に加圧によって撓
むことにより、可撓性基板４０の電極４３とベアＩＣチ
ップ６０のバンプ６３との間の間隙が消滅され、可撓性
基板４０とベアＩＣチップ６０との電気的接続は適切に
確保される。
【００３０】上記により、可撓性基板４０が反りを帯び
ている場合にも、加圧によりベアＩＣチップ６０に追従
すべく撓むことにより可撓性基板４０の電極４３とベア
ＩＣチップ６０のバンプ６３との間の間隙が消滅され
る。また、２層構造の異方性導電膜５０を用いているた
め、可撓性基板４０の部品実装面４１に形成されている
各電極４３の間は、導電粒子５３を含まない第２の接着
剤層５２によって覆われるため、回路絶縁の維持が容易
に実現できる。また、２層構造の異方性導電膜５０を用
いているが、第１の接着剤層５１の導電粒子５３が突起
物であるベアＩＣチップ６０のバンプ６３に押されて可
撓性基板４０の電極４３側に運ばれ、バンプ６３と電極
４３間に必要十分な導電粒子５３を介在させることが可
能で、特に異方性導電膜５０を厚くする必要がない。つ
まり、面４１から面６１に到る距離（厚み）を第１の接
着剤層５１と第２の接着剤層５２により実現している。
このため、異方性導電膜５０によるボンディングツール
７０の汚染を防止できる上に、導電粒子５３が含まれる
第１の接着剤層５１が薄く、導電粒子５３が含まれない
第２の接着剤層５２（第３の接着剤層５８も）はほぼ透
明であり、全体として透明度が高くなるので、可撓性基
板４０上の電極４３を目視認識することも容易であり、
位置合わせの精度を向上させ、品質の良い半導体装置を
製造することができる。
ている場合にも、加圧によりベアＩＣチップ６０に追従
すべく撓むことにより可撓性基板４０の電極４３とベア
ＩＣチップ６０のバンプ６３との間の間隙が消滅され
る。また、２層構造の異方性導電膜５０を用いているた
め、可撓性基板４０の部品実装面４１に形成されている
各電極４３の間は、導電粒子５３を含まない第２の接着
剤層５２によって覆われるため、回路絶縁の維持が容易
に実現できる。また、２層構造の異方性導電膜５０を用
いているが、第１の接着剤層５１の導電粒子５３が突起
物であるベアＩＣチップ６０のバンプ６３に押されて可
撓性基板４０の電極４３側に運ばれ、バンプ６３と電極
４３間に必要十分な導電粒子５３を介在させることが可
能で、特に異方性導電膜５０を厚くする必要がない。つ
まり、面４１から面６１に到る距離（厚み）を第１の接
着剤層５１と第２の接着剤層５２により実現している。
このため、異方性導電膜５０によるボンディングツール
７０の汚染を防止できる上に、導電粒子５３が含まれる
第１の接着剤層５１が薄く、導電粒子５３が含まれない
第２の接着剤層５２（第３の接着剤層５８も）はほぼ透
明であり、全体として透明度が高くなるので、可撓性基
板４０上の電極４３を目視認識することも容易であり、
位置合わせの精度を向上させ、品質の良い半導体装置を
製造することができる。
【００３１】なお、図２に示した３層構造の異方性導電
膜５０Ａを用いた場合にも、上記と同様に、各電極４３
相互の絶縁を図ることができ、バンプ６３と電極４３間
に必要十分な導電粒子５３を介在させることが可能で、
特に異方性導電膜５０Ａを厚くする必要がない。このた
め、異方性導電膜５０Ａによるボンディングツール７０
の汚染を防止できる上に、導電粒子５３が含まれる第１
の接着剤層５６が薄く、全体として透明度が高くなるの
で、可撓性基板４０上の電極４３を目視認識することも
容易であり、位置合わせの精度を向上させ、品質の良い
半導体装置を製造することができる。
膜５０Ａを用いた場合にも、上記と同様に、各電極４３
相互の絶縁を図ることができ、バンプ６３と電極４３間
に必要十分な導電粒子５３を介在させることが可能で、
特に異方性導電膜５０Ａを厚くする必要がない。このた
め、異方性導電膜５０Ａによるボンディングツール７０
の汚染を防止できる上に、導電粒子５３が含まれる第１
の接着剤層５６が薄く、全体として透明度が高くなるの
で、可撓性基板４０上の電極４３を目視認識することも
容易であり、位置合わせの精度を向上させ、品質の良い
半導体装置を製造することができる。
【００３２】図８には、変形例に係る可撓性基板４０Ａ
及びそれの使用例が示されている。この可撓性基板４０
Ａは、図８（ａ）に示すように、ベアＩＣチップ６０が
実装される前に、半導体パッケージ８１とチップ部品８
２と（勿論、これらの少なくとも一方でも良い）が実装
される工程が実行されていることを特徴とする。ここ
に、半導体パッケージ８１とチップ部品８２とは、例え
ば、リフロー半田付けの工程により半田付けがなされ
る。この後に、ベアＩＣチップ６０が図３乃至図７を用
いて説明した如くにして実装される。そして、更に、図
８（ｂ）に示すように、筐体８０内の基板８３と基板８
４との間に折り曲げて実装する。基板８３とは、例え
ば、可撓性基板４０Ａの電極４９Ａにより接続され、基
板８４とは可撓性基板４０Ａの電極４９Ｂにより接続が
なされる。
及びそれの使用例が示されている。この可撓性基板４０
Ａは、図８（ａ）に示すように、ベアＩＣチップ６０が
実装される前に、半導体パッケージ８１とチップ部品８
２と（勿論、これらの少なくとも一方でも良い）が実装
される工程が実行されていることを特徴とする。ここ
に、半導体パッケージ８１とチップ部品８２とは、例え
ば、リフロー半田付けの工程により半田付けがなされ
る。この後に、ベアＩＣチップ６０が図３乃至図７を用
いて説明した如くにして実装される。そして、更に、図
８（ｂ）に示すように、筐体８０内の基板８３と基板８
４との間に折り曲げて実装する。基板８３とは、例え
ば、可撓性基板４０Ａの電極４９Ａにより接続され、基
板８４とは可撓性基板４０Ａの電極４９Ｂにより接続が
なされる。
【００３３】上記により、半導体パッケージ８１とチッ
プ部品８２が、ベアＩＣチップ６０の実装を行う前に実
装されているので、ベアＩＣチップ６０を実装した後に
半田付け等による熱で剥離したりダメージを受ける心配
がない。また、図８（ｂ）のような三次元実装構造のマ
ルチチップモジュールも容易に構成できる。
プ部品８２が、ベアＩＣチップ６０の実装を行う前に実
装されているので、ベアＩＣチップ６０を実装した後に
半田付け等による熱で剥離したりダメージを受ける心配
がない。また、図８（ｂ）のような三次元実装構造のマ
ルチチップモジュールも容易に構成できる。
【００３４】図９には、変形例に係る可撓性基板４０Ｂ
が示されている。ベアＩＣチップ６０の実装工程の前
に、可撓性基板４０Ｂに印刷抵抗体４８が形成される工
程が実行されていることを特徴とする。この印刷抵抗体
４８は次のようにして形成される。印刷抵抗体４８を転
写するためのシート９０上には、印刷抵抗体膜９１が設
けられている。一方、可撓性基板４０Ｂには、印刷抵抗
体４８の電極４７Ａ、４７Ｂが形成されている。そこ
で、シート９０の印刷抵抗体膜９１が電極４７Ａ、４７
Ｂを端部とするように位置合わせして重ね、ローラー９
２により加圧・加熱して転写を行う。この後に、ベアＩ
Ｃチップ６０が図３乃至図７を用いて説明した如くにし
て実装される。これにより、マルチチップモジュールを
形成する際に、印刷抵抗体４８を新たに可撓性基板４０
Ｂに実装する必要がなく、抵抗を半田等により実装する
こともないから、可撓性基板４０Ｂに実装された半導体
部品であるベアＩＣチップ６０が抵抗の実装（半田付
け）時の熱により剥がれることがなくなる。
が示されている。ベアＩＣチップ６０の実装工程の前
に、可撓性基板４０Ｂに印刷抵抗体４８が形成される工
程が実行されていることを特徴とする。この印刷抵抗体
４８は次のようにして形成される。印刷抵抗体４８を転
写するためのシート９０上には、印刷抵抗体膜９１が設
けられている。一方、可撓性基板４０Ｂには、印刷抵抗
体４８の電極４７Ａ、４７Ｂが形成されている。そこ
で、シート９０の印刷抵抗体膜９１が電極４７Ａ、４７
Ｂを端部とするように位置合わせして重ね、ローラー９
２により加圧・加熱して転写を行う。この後に、ベアＩ
Ｃチップ６０が図３乃至図７を用いて説明した如くにし
て実装される。これにより、マルチチップモジュールを
形成する際に、印刷抵抗体４８を新たに可撓性基板４０
Ｂに実装する必要がなく、抵抗を半田等により実装する
こともないから、可撓性基板４０Ｂに実装された半導体
部品であるベアＩＣチップ６０が抵抗の実装（半田付
け）時の熱により剥がれることがなくなる。
【００３５】図１０には、変形例に係る可撓性基板４０
Ｃが示されている。この可撓性基板の４０Ｃ裏面には離
脱自在にガラスエポキシ系の材料にて構成される硬質基
板９５が固定されている。具体的には、可撓性基板の４
０Ｃと硬質基板９５とは、端縁部から所定の幅の位置に
穴９７が一周して穿設されている。そして、穴９７より
も外の周縁においては、可撓性基板の４０Ｃと硬質基板
９５とが接着剤により接着されており、穴９７が描く四
角形の内側では可撓性基板の４０Ｃと硬質基板９５とが
非接着の状態にある。
Ｃが示されている。この可撓性基板の４０Ｃ裏面には離
脱自在にガラスエポキシ系の材料にて構成される硬質基
板９５が固定されている。具体的には、可撓性基板の４
０Ｃと硬質基板９５とは、端縁部から所定の幅の位置に
穴９７が一周して穿設されている。そして、穴９７より
も外の周縁においては、可撓性基板の４０Ｃと硬質基板
９５とが接着剤により接着されており、穴９７が描く四
角形の内側では可撓性基板の４０Ｃと硬質基板９５とが
非接着の状態にある。
【００３６】この可撓性基板４０Ｃを用いて、図３乃至
図７を用いて説明した如くにして、異方性導電膜５０を
介在させた状態でベアＩＣチップ６０を可撓性基板４０
Ｃの部品実装面に加熱下で圧着する際には、可撓性基板
４０Ｃを硬質基板９５が付加された図１０の状態で搬送
し、圧着用の自動機のヒーターステージ７１上に固定す
ることが容易であり、且つ、固定位置を正確に決めるこ
とができる。そして、ベアＩＣチップ６０の実装が終了
した段階で、穴９７が描く四角形の破線部で接断して可
撓性基板の４０Ｃを硬質基板９５から切り離す。この可
撓性基板４０Ｃは、例えば、図８（ｂ）に示されるよう
に、三次元実装に用いられる。なお、本発明の可撓性基
板は、図８から図１０の組み合わせにより構成される。
つまり、必要に応じて部品が実装され、また、裏面に硬
質基板が取り外し可能に設けられる。
図７を用いて説明した如くにして、異方性導電膜５０を
介在させた状態でベアＩＣチップ６０を可撓性基板４０
Ｃの部品実装面に加熱下で圧着する際には、可撓性基板
４０Ｃを硬質基板９５が付加された図１０の状態で搬送
し、圧着用の自動機のヒーターステージ７１上に固定す
ることが容易であり、且つ、固定位置を正確に決めるこ
とができる。そして、ベアＩＣチップ６０の実装が終了
した段階で、穴９７が描く四角形の破線部で接断して可
撓性基板の４０Ｃを硬質基板９５から切り離す。この可
撓性基板４０Ｃは、例えば、図８（ｂ）に示されるよう
に、三次元実装に用いられる。なお、本発明の可撓性基
板は、図８から図１０の組み合わせにより構成される。
つまり、必要に応じて部品が実装され、また、裏面に硬
質基板が取り外し可能に設けられる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の異方性導電
膜によれば、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒子を含
まない接着剤層との多層構造となっているので、単に載
置した状態では、上下方向の絶縁が保たれ、突出した部
分で押圧することにより、上下方向の電気的接続を得る
ことができる。
膜によれば、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒子を含
まない接着剤層との多層構造となっているので、単に載
置した状態では、上下方向の絶縁が保たれ、突出した部
分で押圧することにより、上下方向の電気的接続を得る
ことができる。
【００３８】以上説明したように本発明の半導体装置の
製造方法によれば、可撓性基板を用いているので、基板
に反りがあっても加圧時に撓んで、可撓性基板の電極に
対して半導体部品が接合されることになり、確実な電気
的接続を得ることができる。
製造方法によれば、可撓性基板を用いているので、基板
に反りがあっても加圧時に撓んで、可撓性基板の電極に
対して半導体部品が接合されることになり、確実な電気
的接続を得ることができる。
【００３９】以上説明したように本発明の半導体装置の
製造方法によれば、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒
子を含まない接着剤層との多層構造の異方性導電膜を用
いるので、単に載置した状態では、上下方向の絶縁が保
たれ、突出した部分で押圧することにより、上下方向の
電気的接続を得ることができる。
製造方法によれば、導電粒子を含む接着剤層と、導電粒
子を含まない接着剤層との多層構造の異方性導電膜を用
いるので、単に載置した状態では、上下方向の絶縁が保
たれ、突出した部分で押圧することにより、上下方向の
電気的接続を得ることができる。
【００４０】以上説明したように本発明の半導体装置の
製造方法によれば、半導体部品の電極に対してバンプ形
成を行う工程を有し、前記半導体部品の電極と可撓性基
板の電極との電気的な接続は、前記バンプを介して得る
ので、バンプ形成がなされた半導体部品を得て前記半導
体部品の電極と可撓性基板の電極との電気的な接続を行
うことができる。
製造方法によれば、半導体部品の電極に対してバンプ形
成を行う工程を有し、前記半導体部品の電極と可撓性基
板の電極との電気的な接続は、前記バンプを介して得る
ので、バンプ形成がなされた半導体部品を得て前記半導
体部品の電極と可撓性基板の電極との電気的な接続を行
うことができる。
【００４１】以上説明したように本発明の半導体装置の
製造方法によれば、半導体部品の実装工程の前に、可撓
性基板に対し半導体パッケージとチップ部品との少なく
とも一方が実装される工程が実行されるので、、先に半
導体パッケージやチップ部品が実装されており、基板に
実装された半導体部品がその後の実装により剥がれるこ
とがなくなる。
製造方法によれば、半導体部品の実装工程の前に、可撓
性基板に対し半導体パッケージとチップ部品との少なく
とも一方が実装される工程が実行されるので、、先に半
導体パッケージやチップ部品が実装されており、基板に
実装された半導体部品がその後の実装により剥がれるこ
とがなくなる。
【００４２】以上説明したように本発明の半導体装置の
製造方法によれば、半導体部品の実装工程の前に、可撓
性基板に印刷抵抗体が形成される工程が実行されるの
で、マルチチップモジュールを形成する際に、抵抗部品
を新たに可撓性基板に実装する必要がなく、基板に実装
された半導体部品がその後の実装により剥がれることが
なくなる。
製造方法によれば、半導体部品の実装工程の前に、可撓
性基板に印刷抵抗体が形成される工程が実行されるの
で、マルチチップモジュールを形成する際に、抵抗部品
を新たに可撓性基板に実装する必要がなく、基板に実装
された半導体部品がその後の実装により剥がれることが
なくなる。
【００４３】以上説明したように本発明の半導体装置の
製造方法によれば、可撓性基板の裏面に離脱自在に硬質
基板が固定されているものを用いるので、異方性導電膜
を介在させた状態で半導体部品を可撓性基板に加熱下で
圧着する際に、可撓性基板を搬送し、圧着用の自動機の
ヒーターステージ等に固定することが容易であり、且
つ、固定位置を正確に決めることができることになる。
製造方法によれば、可撓性基板の裏面に離脱自在に硬質
基板が固定されているものを用いるので、異方性導電膜
を介在させた状態で半導体部品を可撓性基板に加熱下で
圧着する際に、可撓性基板を搬送し、圧着用の自動機の
ヒーターステージ等に固定することが容易であり、且
つ、固定位置を正確に決めることができることになる。
【図１】本発明の実施の形態に係る２層構造の異方性導
電膜の断面図。
電膜の断面図。
【図２】本発明の実施の形態に係る３層構造の異方性導
電膜の断面図。
電膜の断面図。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方
法の工程フローを示す図。
法の工程フローを示す図。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方
法における異方性導電膜の接着工程を示す図。
法における異方性導電膜の接着工程を示す図。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方
法における異方性導電膜が接着された状態を示す図。
法における異方性導電膜が接着された状態を示す図。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方
法におけるベアＩＣチップの接着初期の工程を示す図。
法におけるベアＩＣチップの接着初期の工程を示す図。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方
法におけるベアＩＣチップの接着最終の工程を示す図。
法におけるベアＩＣチップの接着最終の工程を示す図。
【図８】第１の変形例に係る可撓性基板及びその使用例
を示す図。
を示す図。
【図９】第２の変形例に係る可撓性基板を示す図。
【図１０】第３の変形例に係る可撓性基板を示す図。
【図１１】従来例に係る半導体装置の製造方法における
ベアＩＣチップの接着の工程を示す図。
ベアＩＣチップの接着の工程を示す図。
４０、４０Ａ〜４０Ｃ 可撓性基板 ４３ 電極 ５０、５０Ａ 異方性導電膜 ５１、５６
第１の接着剤層 ５２、５７ 第２の接着剤層 ５８ 第３
の接着剤層 ６０ ベアＩＣチップ ６２ 電極 ６３ バンプ
第１の接着剤層 ５２、５７ 第２の接着剤層 ５８ 第３
の接着剤層 ６０ ベアＩＣチップ ６２ 電極 ６３ バンプ
Claims (11)
- 【請求項１】 導電粒子を含む接着剤層と、 導電粒子を含まない接着剤層との多層構造を有する異方
性導電膜。 - 【請求項２】 導電粒子を含む第１の接着剤層と、 導電粒子を含まない第２の接着剤層との２層構造を有す
る異方性導電膜。 - 【請求項３】 導電粒子を含む第１の接着剤層と、 導電粒子を含まない第２の接着剤層と、 導電粒子を含まない第３の接着剤層との３層構造を有
し、 前記第１の接着剤層が前記第２の接着剤層と前記第３の
接着剤層との間に挟まれていることを特徴とする異方性
導電膜。 - 【請求項４】 半導体部品の電極に対して接続する電極
を有する可撓性基板を用い、 実装される前記半導体部品に対応して異方性導電膜を前
記可撓性基板の前記電極を覆うように載置して熱圧着
し、 熱圧着された前記異方性導電膜に対して前記半導体の電
極面を向けて載置し熱圧着することにより、 前記半導体部品の電極と前記可撓性基板の電極との電気
的な接続を得て半導体装置を製造することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体部品の電極に対してバンプ形成を
行う工程を有し、 前記半導体部品の電極と可撓性基板の電極との電気的な
接続は、前記バンプを介して得ることを特徴とする請求
項４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 導電粒子を含む接着剤層と、導電粒子を
含まない接着剤層との多層構造を有する異方性導電膜を
用いることを特徴とする請求項４または請求項５に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 異方性導電膜は、導電粒子を含む接着剤
層と、導電粒子を含まない接着剤層との２層構造、また
は、３層構造であることを特徴とする請求項６に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 半導体部品の実装工程の前に、可撓性基
板にに対し半導体パッケージとチップ部品との少なくと
も一方が実装される工程が実行されていることを特徴と
する請求項４乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項９】 半導体部品の実装工程の前に、可撓性基
板に印刷抵抗体が形成される工程が実行されていること
を特徴とする請求項４乃至８のいずれか１項に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 可撓性基板の裏面に離脱自在に硬質基
板が固定されていることを特徴とする請求項４乃至９の
いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 半導体部品は、ベアＩＣチップである
ことを特徴とする請求項４乃至１０のいずれか１項に記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9298326A JPH11135567A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 異方性導電膜、半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9298326A JPH11135567A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 異方性導電膜、半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135567A true JPH11135567A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17858219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9298326A Withdrawn JPH11135567A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 異方性導電膜、半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135567A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11195860A (ja) * | 1997-12-27 | 1999-07-21 | Canon Inc | 接着部材、該接着部材を備えたマルチチップモジュール、及び該接着部材による接着方法 |
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-
1997
- 1997-10-30 JP JP9298326A patent/JPH11135567A/ja not_active Withdrawn
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