JPH0878756A - 磁気抵抗効果素子およびそのバイアス印加方法 - Google Patents
磁気抵抗効果素子およびそのバイアス印加方法Info
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- JPH0878756A JPH0878756A JP6212478A JP21247894A JPH0878756A JP H0878756 A JPH0878756 A JP H0878756A JP 6212478 A JP6212478 A JP 6212478A JP 21247894 A JP21247894 A JP 21247894A JP H0878756 A JPH0878756 A JP H0878756A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果膜に的確にバイアス磁界を印加
することにより、高出力でかつ対称な信号再生波形が得
られる磁気抵抗効果素子を提供する。 【構成】 人工格子磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）におい
て、隣り合う磁性薄膜２ａ，３ａの各々の保持力をＨ
c2，Ｈc3（０＜Ｈc2＜Ｈc3）としたとき、バイアス磁界
印加機構を有し、保持力がＨc3の磁性薄膜３ａにおける
磁化方向と、磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界
の方向とが同一方向とする。これにより、バイアス磁界
を印加すると、バイアス磁界の増加に従って静磁結合の
影響が相殺され再生波形の対称性が改善される。また、
非磁性薄膜を介して隣り合う一方の磁性薄膜に反強磁性
薄膜が隣接して設けた人工格子磁気抵抗効果膜を用いて
も同様の効果が得られる。
することにより、高出力でかつ対称な信号再生波形が得
られる磁気抵抗効果素子を提供する。 【構成】 人工格子磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）におい
て、隣り合う磁性薄膜２ａ，３ａの各々の保持力をＨ
c2，Ｈc3（０＜Ｈc2＜Ｈc3）としたとき、バイアス磁界
印加機構を有し、保持力がＨc3の磁性薄膜３ａにおける
磁化方向と、磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界
の方向とが同一方向とする。これにより、バイアス磁界
を印加すると、バイアス磁界の増加に従って静磁結合の
影響が相殺され再生波形の対称性が改善される。また、
非磁性薄膜を介して隣り合う一方の磁性薄膜に反強磁性
薄膜が隣接して設けた人工格子磁気抵抗効果膜を用いて
も同様の効果が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気媒体等において磁
界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子に
係わり、特に、再生波形の対称性を改善するためのバイ
アス印加方法に関するものである。
界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子に
係わり、特に、再生波形の対称性を改善するためのバイ
アス印加方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気センサの高感度化および磁気
記録における高密度化が進められており、これに伴い磁
気抵抗効果型磁気センサ（以下、ＭＲセンサという）お
よび磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う）の開発が盛んに進められている。ＭＲセンサもＭＲ
ヘッドも、磁性材料からなる読み取りセンサ部の抵抗変
化により、外部磁界信号を読み出す訳であるが、ＭＲセ
ンサおよびＭＲヘッドは、記録媒体との相対速度が再生
出力に依存しないことから、ＭＲセンサでは高感度が、
ＭＲヘッドでは高密度磁気記録においても高い出力が得
られるという特長がある。
記録における高密度化が進められており、これに伴い磁
気抵抗効果型磁気センサ（以下、ＭＲセンサという）お
よび磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う）の開発が盛んに進められている。ＭＲセンサもＭＲ
ヘッドも、磁性材料からなる読み取りセンサ部の抵抗変
化により、外部磁界信号を読み出す訳であるが、ＭＲセ
ンサおよびＭＲヘッドは、記録媒体との相対速度が再生
出力に依存しないことから、ＭＲセンサでは高感度が、
ＭＲヘッドでは高密度磁気記録においても高い出力が得
られるという特長がある。
【０００３】最近、非磁性薄膜層を介して隣り合う保磁
力の異なった２種類以上の磁性薄膜が積層された構造を
有し、小さな外部磁場で大きな磁気抵抗変化を示す人工
格子磁気抵抗効果膜が発見された（特開平４−２１８９
８２号公報）。この磁気抵抗効果素子は、数Ｏｅ〜数十
Ｏｅ程度の小さい外部磁場で数％〜数十％の大きい抵抗
変化率を示す。
力の異なった２種類以上の磁性薄膜が積層された構造を
有し、小さな外部磁場で大きな磁気抵抗変化を示す人工
格子磁気抵抗効果膜が発見された（特開平４−２１８９
８２号公報）。この磁気抵抗効果素子は、数Ｏｅ〜数十
Ｏｅ程度の小さい外部磁場で数％〜数十％の大きい抵抗
変化率を示す。
【０００４】また、非磁性薄膜層を介して積層された少
なくとも２層の磁性薄膜を有してなり、一方の軟磁性薄
膜に反強磁性薄膜を隣接して設けることによって抗磁力
を与え、非磁性薄膜を介して隣接した他方の軟磁性薄膜
と異なる外部磁界で磁化回転させることにより、抵抗変
化を生じる磁気抵抗効果膜がある（フィジカルレビュー
Ｂ（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ) 第４３巻、１２９７頁、１
９９１年）。
なくとも２層の磁性薄膜を有してなり、一方の軟磁性薄
膜に反強磁性薄膜を隣接して設けることによって抗磁力
を与え、非磁性薄膜を介して隣接した他方の軟磁性薄膜
と異なる外部磁界で磁化回転させることにより、抵抗変
化を生じる磁気抵抗効果膜がある（フィジカルレビュー
Ｂ（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ) 第４３巻、１２９７頁、１
９９１年）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記先
願の磁気抵抗効果膜においても、小さい外部磁場で動作
するとは言え、実用的なセンサ，磁気ヘッドとして使用
する場合には、対称な信号再生波形を得るため磁気抵抗
効果膜に外部バイアス磁界を印加する必要があった。
願の磁気抵抗効果膜においても、小さい外部磁場で動作
するとは言え、実用的なセンサ，磁気ヘッドとして使用
する場合には、対称な信号再生波形を得るため磁気抵抗
効果膜に外部バイアス磁界を印加する必要があった。
【０００６】本発明の目的は、上記先願の磁気抵抗効果
膜に的確にバイアス磁界を印加することにより、高出力
でかつ対称な信号再生波形を得ることができる磁気抵抗
効果素子を提供することにある。
膜に的確にバイアス磁界を印加することにより、高出力
でかつ対称な信号再生波形を得ることができる磁気抵抗
効果素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、保磁力の異な
る２種類以上の磁性薄膜が非磁性層を介して積層した人
工格子磁気抵抗効果膜と、隣り合う前記磁性薄膜の各々
の保磁力をＨc2，Ｈc3（０＜Ｈc2＜Ｈc3）とするとき、
保磁力がＨc3の磁性薄膜における残留磁化方向と、前記
人工格子磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界の方
向とが同一方向となるように配置したバイアス磁界印加
機構とを備えることを特徴とする。
る２種類以上の磁性薄膜が非磁性層を介して積層した人
工格子磁気抵抗効果膜と、隣り合う前記磁性薄膜の各々
の保磁力をＨc2，Ｈc3（０＜Ｈc2＜Ｈc3）とするとき、
保磁力がＨc3の磁性薄膜における残留磁化方向と、前記
人工格子磁気抵抗効果膜に印加されるバイアス磁界の方
向とが同一方向となるように配置したバイアス磁界印加
機構とを備えることを特徴とする。
【０００８】また、非磁性薄膜を介して積層された複数
の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣り合う一方
の磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けた人工格子磁
気抵抗効果膜と、前記反強磁性薄膜によって交換バイア
スされた磁性薄膜の磁化方向と、前記人工格子磁気抵抗
効果膜に印加されるバイアス磁界の方向とが同一方向と
なるように配置したバイアス磁界印加機構とを備えるこ
とを特徴とする。
の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣り合う一方
の磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けた人工格子磁
気抵抗効果膜と、前記反強磁性薄膜によって交換バイア
スされた磁性薄膜の磁化方向と、前記人工格子磁気抵抗
効果膜に印加されるバイアス磁界の方向とが同一方向と
なるように配置したバイアス磁界印加機構とを備えるこ
とを特徴とする。
【０００９】そして、前記バイアス磁界印加機構が、シ
ャント膜の分流で発生する磁界を用いるシャントバイア
ス方式であり、かつ前記シャント膜が膜厚２ｎｍから２
０ｎｍの非磁性導体であってもよく、また、前記バイア
ス磁界印加機構が、永久磁石による発生磁界を用いるバ
イアス方式であり、かつ前記永久磁石の残留磁束密度が
１０００Ｇから５０００Ｇであってもよい。
ャント膜の分流で発生する磁界を用いるシャントバイア
ス方式であり、かつ前記シャント膜が膜厚２ｎｍから２
０ｎｍの非磁性導体であってもよく、また、前記バイア
ス磁界印加機構が、永久磁石による発生磁界を用いるバ
イアス方式であり、かつ前記永久磁石の残留磁束密度が
１０００Ｇから５０００Ｇであってもよい。
【００１０】次に、本発明の磁気抵抗効果素子のバイア
ス印加方法は、隣り合う前記磁性薄膜の各々の保磁力を
Ｈc2，Ｈc3（０＜Ｈc2＜Ｈc3）とするとき、保磁力がＨ
c3の磁性薄膜における残留磁化方向と同一方向に、前記
人工格子磁気抵抗効果膜に対してバイアス磁界を印加す
ることを特徴とする。
ス印加方法は、隣り合う前記磁性薄膜の各々の保磁力を
Ｈc2，Ｈc3（０＜Ｈc2＜Ｈc3）とするとき、保磁力がＨ
c3の磁性薄膜における残留磁化方向と同一方向に、前記
人工格子磁気抵抗効果膜に対してバイアス磁界を印加す
ることを特徴とする。
【００１１】また、前記反強磁性薄膜によって交換バイ
アスされた磁性薄膜の磁化方向と同一方向に、前記人工
格子磁気抵抗効果膜に対してバイアス磁界を印加するこ
とを特徴とする。
アスされた磁性薄膜の磁化方向と同一方向に、前記人工
格子磁気抵抗効果膜に対してバイアス磁界を印加するこ
とを特徴とする。
【００１２】そして、前記バイアス磁界を、シャント膜
の分流で発生する磁界を用いるシャントバイアス方式、
電流による誘導磁界方式、永久磁石による発生磁界を用
いる永久磁石バイアス方式、軟磁性膜の漏洩磁界を用い
るソフトフィルムバイアス方式、２つの前記人工格子磁
気抵抗効果膜に流れるセンス電流で発生する磁界を用い
る相互バイアス方式のうちのいずれか１つの方式、もし
くは少なくとも２つを併用した方式を用いて印加しても
よい。
の分流で発生する磁界を用いるシャントバイアス方式、
電流による誘導磁界方式、永久磁石による発生磁界を用
いる永久磁石バイアス方式、軟磁性膜の漏洩磁界を用い
るソフトフィルムバイアス方式、２つの前記人工格子磁
気抵抗効果膜に流れるセンス電流で発生する磁界を用い
る相互バイアス方式のうちのいずれか１つの方式、もし
くは少なくとも２つを併用した方式を用いて印加しても
よい。
【００１３】
【作用】上述した、先願の磁気抵抗効果膜は、非磁性層
を介して隣り合った磁性薄膜の保磁力の違いにより、外
部磁場によって隣り合った磁性層の磁化の向きが互いに
平行から反平行となることによって抵抗変化が生じる。
すなわち、前記隣り合う磁性薄膜の各々の保磁力をＨ
c2，Ｈc3（０＜Ｈc2＜Ｈc3）として、外部磁場Ｈが磁性
薄膜の保磁力Ｈc2とＨc3の間（Ｈc2＜Ｈ＜Ｈc3）である
とき、隣り合った磁性薄膜の磁化の方向が互いに逆向き
になり、抵抗が増大する。このため磁気抵抗効果素子と
して作用させるために、保磁力Ｈc3の磁性薄膜における
磁化は初めに磁化飽和される。
を介して隣り合った磁性薄膜の保磁力の違いにより、外
部磁場によって隣り合った磁性層の磁化の向きが互いに
平行から反平行となることによって抵抗変化が生じる。
すなわち、前記隣り合う磁性薄膜の各々の保磁力をＨ
c2，Ｈc3（０＜Ｈc2＜Ｈc3）として、外部磁場Ｈが磁性
薄膜の保磁力Ｈc2とＨc3の間（Ｈc2＜Ｈ＜Ｈc3）である
とき、隣り合った磁性薄膜の磁化の方向が互いに逆向き
になり、抵抗が増大する。このため磁気抵抗効果素子と
して作用させるために、保磁力Ｈc3の磁性薄膜における
磁化は初めに磁化飽和される。
【００１４】さらに、先願の磁気抵抗効果膜では、非磁
性層を介して積層された磁性薄膜の一方の磁性薄膜に、
隣接して反強磁性薄膜が成膜されることにより交換バイ
アス力が働き、外部磁場によって隣り合った磁性層の磁
化の向きが互いに平行から反平行となることによって抵
抗変化が生じる。すなわち、反強磁性薄膜によって交換
バイアスされた磁性薄膜の抗磁力をＨex、他方の磁性薄
膜の保磁力をＨc2（０＜Ｈc2＜Ｈex）として、外部磁場
ＨがＨc2とＨexの間（Ｈc2＜Ｈ＜Ｈex）であるとき、隣
り合った磁性薄膜の磁化の方向が互いに逆向きになり、
抵抗が増大する。
性層を介して積層された磁性薄膜の一方の磁性薄膜に、
隣接して反強磁性薄膜が成膜されることにより交換バイ
アス力が働き、外部磁場によって隣り合った磁性層の磁
化の向きが互いに平行から反平行となることによって抵
抗変化が生じる。すなわち、反強磁性薄膜によって交換
バイアスされた磁性薄膜の抗磁力をＨex、他方の磁性薄
膜の保磁力をＨc2（０＜Ｈc2＜Ｈex）として、外部磁場
ＨがＨc2とＨexの間（Ｈc2＜Ｈ＜Ｈex）であるとき、隣
り合った磁性薄膜の磁化の方向が互いに逆向きになり、
抵抗が増大する。
【００１５】このとき、微細加工された人工格子よりな
る磁気抵抗効果膜では膜端部において、非磁性薄膜を介
して隣り合った磁性薄膜の間で静磁結合が生じているた
め、外部磁場ゼロの状態でも膜端部では隣り合った磁性
層間で磁化が反平行状態となっている。すなわち、保磁
力Ｈc2の磁性薄膜の磁化は、微細加工されたパターン幅
方向において、膜中央部から膜端部にかけて徐々に片側
に飽和した磁化分布となっており、外部磁界に対するダ
イナミックレンジが膜端部では小さい。これが、センサ
や磁気ヘッドとした場合における再生波形の非対称の原
因である。
る磁気抵抗効果膜では膜端部において、非磁性薄膜を介
して隣り合った磁性薄膜の間で静磁結合が生じているた
め、外部磁場ゼロの状態でも膜端部では隣り合った磁性
層間で磁化が反平行状態となっている。すなわち、保磁
力Ｈc2の磁性薄膜の磁化は、微細加工されたパターン幅
方向において、膜中央部から膜端部にかけて徐々に片側
に飽和した磁化分布となっており、外部磁界に対するダ
イナミックレンジが膜端部では小さい。これが、センサ
や磁気ヘッドとした場合における再生波形の非対称の原
因である。
【００１６】磁気抵抗効果膜における保磁力Ｈc2の磁性
薄膜は、反強磁性薄膜によって交換バイアスされた磁性
薄膜によって、膜端部に過剰なバイアス磁界が生じた状
態といえる。これより、この非対称性を改善させるため
には、バイアス磁界を印加して、保磁力Ｈc2の磁性薄膜
における静磁結合の影響を抑えることが有効であるが、
この場合、上記の理由によりバイアス磁界の印加方向
は、反強磁性薄膜によって交換バイアスされた磁性薄膜
の磁化方向と同一方向であることが必要不可欠である。
この磁気抵抗効果素子に与えるバイアス磁界印加機構と
しては、シャントバイアス方式，電流による誘導磁界方
式，永久磁石バイアス方式，ソフトフィルムバイアス方
式，相互バイアス方式等が使用できる。
薄膜は、反強磁性薄膜によって交換バイアスされた磁性
薄膜によって、膜端部に過剰なバイアス磁界が生じた状
態といえる。これより、この非対称性を改善させるため
には、バイアス磁界を印加して、保磁力Ｈc2の磁性薄膜
における静磁結合の影響を抑えることが有効であるが、
この場合、上記の理由によりバイアス磁界の印加方向
は、反強磁性薄膜によって交換バイアスされた磁性薄膜
の磁化方向と同一方向であることが必要不可欠である。
この磁気抵抗効果素子に与えるバイアス磁界印加機構と
しては、シャントバイアス方式，電流による誘導磁界方
式，永久磁石バイアス方式，ソフトフィルムバイアス方
式，相互バイアス方式等が使用できる。
【００１７】次に、これらの方式の特徴について説明す
る。
る。
【００１８】シャントバイアス方式は、磁気抵抗効果膜
上に直接非磁性導体層を形成し、非磁性導体層に分流す
るセンス電流によって発生する磁界によりバイアス磁界
を印加する方法である。この方法は、構造が単純で作成
が容易である反面、非磁性導体層に流れる電流に対して
は磁界による電気抵抗の変化は生じず、素子全体の磁気
抵抗変化率が減少するという欠点がある。
上に直接非磁性導体層を形成し、非磁性導体層に分流す
るセンス電流によって発生する磁界によりバイアス磁界
を印加する方法である。この方法は、構造が単純で作成
が容易である反面、非磁性導体層に流れる電流に対して
は磁界による電気抵抗の変化は生じず、素子全体の磁気
抵抗変化率が減少するという欠点がある。
【００１９】電流による誘導磁界方式は、磁気抵抗効果
膜上に非磁性絶縁層を介して非磁性導体層を形成し、非
磁性導体層に電流を流すことによってバイアス磁界を印
加する方式である。この方式は、シャントバイアス方式
における欠点を改善することができるが、非磁性導体層
には独立にバイアス用電流を通電する必要があるため、
構造が複雑になる。
膜上に非磁性絶縁層を介して非磁性導体層を形成し、非
磁性導体層に電流を流すことによってバイアス磁界を印
加する方式である。この方式は、シャントバイアス方式
における欠点を改善することができるが、非磁性導体層
には独立にバイアス用電流を通電する必要があるため、
構造が複雑になる。
【００２０】永久磁石バイアス方式は、磁気抵抗効果膜
に近接して永久磁石を配置し、永久磁石からの漏洩磁界
によりバイアスを印加する方式である。この方式による
バイアス磁界は、永久磁石と磁気抵抗効果膜との間の静
磁結合を利用しているため、磁気抵抗効果膜の素子端部
でバイアス磁界が大きくなる。磁気抵抗効果膜では、上
述したように、保磁力Ｈc2の磁性薄膜は、反強磁性薄膜
によって交換バイアスされた磁性薄膜により膜端部に過
剰なバイアス磁界が生じた状態であるため、この膜端部
における磁界を相殺するには、より好ましい方式である
といえる。
に近接して永久磁石を配置し、永久磁石からの漏洩磁界
によりバイアスを印加する方式である。この方式による
バイアス磁界は、永久磁石と磁気抵抗効果膜との間の静
磁結合を利用しているため、磁気抵抗効果膜の素子端部
でバイアス磁界が大きくなる。磁気抵抗効果膜では、上
述したように、保磁力Ｈc2の磁性薄膜は、反強磁性薄膜
によって交換バイアスされた磁性薄膜により膜端部に過
剰なバイアス磁界が生じた状態であるため、この膜端部
における磁界を相殺するには、より好ましい方式である
といえる。
【００２１】ソフトフィルムバイアス方式は、磁気抵抗
効果膜に隣接して配置された軟磁性膜との磁気的な結合
を利用するバイアス印加手法であり、磁気抵抗効果膜に
流れるセンス電流によって発生する磁界で軟磁性膜を磁
化し、その漏洩磁界によりバイス磁界を印加するもので
ある。この方式も磁気抵抗効果膜の素子端部でバイアス
磁界が大きくなるため、永久磁石方式と同様に好まし
い。
効果膜に隣接して配置された軟磁性膜との磁気的な結合
を利用するバイアス印加手法であり、磁気抵抗効果膜に
流れるセンス電流によって発生する磁界で軟磁性膜を磁
化し、その漏洩磁界によりバイス磁界を印加するもので
ある。この方式も磁気抵抗効果膜の素子端部でバイアス
磁界が大きくなるため、永久磁石方式と同様に好まし
い。
【００２２】相互バイアス方式は、２つの磁気抵抗効果
膜を使用し、それぞれに流れるセンス電流によって発生
する磁界により、相互にバイアス磁界を印加する方式で
ある。この場合、２つとも磁気抵抗効果素子として使用
することにより、２倍の出力を得ることができ、また、
差動型素子とすることも可能である。
膜を使用し、それぞれに流れるセンス電流によって発生
する磁界により、相互にバイアス磁界を印加する方式で
ある。この場合、２つとも磁気抵抗効果素子として使用
することにより、２倍の出力を得ることができ、また、
差動型素子とすることも可能である。
【００２３】また、以上述べた、シャントバイアス方
式，電流による誘導磁界方式，永久磁石バイアス方式，
ソフトフィルムバイアス方式，相互バイアス方式のうち
の少なくとも２つの方式を併用することも可能である。
式，電流による誘導磁界方式，永久磁石バイアス方式，
ソフトフィルムバイアス方式，相互バイアス方式のうち
の少なくとも２つの方式を併用することも可能である。
【００２４】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００２５】図１は、本発明のシャントバイアス方式使
用による磁気抵抗効果素子の一実施例を示す断面図であ
る。本発明の磁気抵抗効果素子１ａは、図１に示すよう
に、磁性薄膜２ａにＮｉＦｅを、磁性薄膜３ａにＣｏ
を、また、非磁性薄膜６ａにＣｕを選び、例えば、１．
５ｎｍ厚のＮｉＦｅ薄膜、３．５ｎｍ厚のＣｕ薄膜、
１．５ｎｍ厚のＣｏ薄膜および３．５ｎｍ厚のＣｕ薄膜
を順次形成する工程を３回繰り返して作製された人工格
子磁気抵抗効果膜（以下、磁気抵抗効果膜という）より
なり、磁気抵抗効果素子１ａの微細加工パターン幅は、
図１に示すＭＲ高さに相当する。
用による磁気抵抗効果素子の一実施例を示す断面図であ
る。本発明の磁気抵抗効果素子１ａは、図１に示すよう
に、磁性薄膜２ａにＮｉＦｅを、磁性薄膜３ａにＣｏ
を、また、非磁性薄膜６ａにＣｕを選び、例えば、１．
５ｎｍ厚のＮｉＦｅ薄膜、３．５ｎｍ厚のＣｕ薄膜、
１．５ｎｍ厚のＣｏ薄膜および３．５ｎｍ厚のＣｕ薄膜
を順次形成する工程を３回繰り返して作製された人工格
子磁気抵抗効果膜（以下、磁気抵抗効果膜という）より
なり、磁気抵抗効果素子１ａの微細加工パターン幅は、
図１に示すＭＲ高さに相当する。
【００２６】なお、最後のＣｕ薄膜は形成されていな
い。この磁気抵抗効果素子１ａには非磁性導体層７ａ
（例えば、Ｃｕ薄膜）が隣接して設けられており、図１
に示すように、磁性薄膜３ａの残留磁化方向（磁化方向
８ａ参照）をＹ軸正とし、磁気抵抗効果膜の膜面に垂直
に非磁性導体層７ａから磁気抵抗効果膜（磁性薄膜）へ
向かう方向をＺ軸正としたときに定められるＸ軸の負の
方向（センス電流方向９ａ参照）にセンス電流を流すこ
とによって、磁気抵抗効果膜に対してバイアス磁界をＹ
軸正の方向に印加することが可能となる。
い。この磁気抵抗効果素子１ａには非磁性導体層７ａ
（例えば、Ｃｕ薄膜）が隣接して設けられており、図１
に示すように、磁性薄膜３ａの残留磁化方向（磁化方向
８ａ参照）をＹ軸正とし、磁気抵抗効果膜の膜面に垂直
に非磁性導体層７ａから磁気抵抗効果膜（磁性薄膜）へ
向かう方向をＺ軸正としたときに定められるＸ軸の負の
方向（センス電流方向９ａ参照）にセンス電流を流すこ
とによって、磁気抵抗効果膜に対してバイアス磁界をＹ
軸正の方向に印加することが可能となる。
【００２７】続いて、図２は、本発明のシャントバイア
ス方式使用による磁気抵抗効果素子の他の実施例を示す
断面図である。
ス方式使用による磁気抵抗効果素子の他の実施例を示す
断面図である。
【００２８】本発明の磁気抵抗効果素子１ｂは、図２に
示すように、金属薄膜５にＣｕを、磁性薄膜２ｂおよび
磁性薄膜３ｂにＮｉＦｅを、非磁性薄膜６ｂにＣｕを、
また、反強磁性薄膜４にＦｅＭｎをそれぞれ選び、例え
ば、３ｎｍ厚のＣｕ薄膜、５ｎｍ厚のＮｉＦｅ薄膜、
２．５ｎｍ厚のＣｕ薄膜、５ｎｍ厚のＮｉＦｅ薄膜およ
び１０ｎｍ厚のＦｅＭｎ薄膜を順次形成する工程を３回
繰り返して作製された人工格子磁気抵抗効果膜（以下、
磁気抵抗効果膜という）よりなり、磁気抵抗効果素子１
ｂの微細加工パターン幅は、図２に示すＭＲ高さに相当
する。
示すように、金属薄膜５にＣｕを、磁性薄膜２ｂおよび
磁性薄膜３ｂにＮｉＦｅを、非磁性薄膜６ｂにＣｕを、
また、反強磁性薄膜４にＦｅＭｎをそれぞれ選び、例え
ば、３ｎｍ厚のＣｕ薄膜、５ｎｍ厚のＮｉＦｅ薄膜、
２．５ｎｍ厚のＣｕ薄膜、５ｎｍ厚のＮｉＦｅ薄膜およ
び１０ｎｍ厚のＦｅＭｎ薄膜を順次形成する工程を３回
繰り返して作製された人工格子磁気抵抗効果膜（以下、
磁気抵抗効果膜という）よりなり、磁気抵抗効果素子１
ｂの微細加工パターン幅は、図２に示すＭＲ高さに相当
する。
【００２９】また、この磁気抵抗効果素子１ｂには、非
磁性導体層７ｂ（例えば、Ｃｕ薄膜）が隣接して設けら
れており、図２に示すように、反強磁性薄膜４によって
交換バイアスされた磁性薄膜３ｂの磁化方向（磁化方向
８ｂ参照）をＹ軸正とし、磁気抵抗効果膜の膜面に垂直
に非磁性導体層７ｂから磁気抵抗効果膜（磁性薄膜）へ
向かう方向をＺ軸正としたときに定められるＸ軸の負の
方向（センス電流方向９ｂ参照）にセンス電流を流すこ
とによって、磁気抵抗効果膜に対してバイアス磁界をＹ
軸正の方向に印加することが可能となる。
磁性導体層７ｂ（例えば、Ｃｕ薄膜）が隣接して設けら
れており、図２に示すように、反強磁性薄膜４によって
交換バイアスされた磁性薄膜３ｂの磁化方向（磁化方向
８ｂ参照）をＹ軸正とし、磁気抵抗効果膜の膜面に垂直
に非磁性導体層７ｂから磁気抵抗効果膜（磁性薄膜）へ
向かう方向をＺ軸正としたときに定められるＸ軸の負の
方向（センス電流方向９ｂ参照）にセンス電流を流すこ
とによって、磁気抵抗効果膜に対してバイアス磁界をＹ
軸正の方向に印加することが可能となる。
【００３０】実際には、これらの磁気抵抗効果素子１ａ
（１ｂ）を、図３に示すようなヨーク型ヘッドに組み込
んで測定を行った。ここで、図３（ａ）および図３
（ｂ）は、それぞれ本実施例におけるヨーク型磁気抵抗
効果ヘッド（以下、ヨーク型ＭＲヘッドという）の構成
を示す正面図および断面図である。
（１ｂ）を、図３に示すようなヨーク型ヘッドに組み込
んで測定を行った。ここで、図３（ａ）および図３
（ｂ）は、それぞれ本実施例におけるヨーク型磁気抵抗
効果ヘッド（以下、ヨーク型ＭＲヘッドという）の構成
を示す正面図および断面図である。
【００３１】図３を参照すると、このヨーク型ＭＲヘッ
ドは、バックヨークを構成する強磁性体基板１１（例え
ば、ＮｉＺｎフェライト）に溝（例えば、幅：３０μ
ｍ，深さ：３０μｍ）が形成され、この溝には非磁性絶
縁体１２（例えば、ガラス）が充填される。そして、こ
の非磁性絶縁体１２上に磁気抵抗効果素子１ａ（１ｂ）
（例えば、ＭＲ高さ：１０μｍ）を形成し、電極１３
（例えば、Ａｕ：０．２４μｍ）および非磁性絶縁層１
４（例えば、ＳｉＯ2 ：０．２μｍ）を介してヨーク１
５，ヨーク１６（例えば、ＮｉＦｅ：１μｍ）が、磁気
抵抗効果素子１ａ（１ｂ）とオーバーラップ（例えば、
オーバーラップ長：２μｍ）するように形成されてい
る。
ドは、バックヨークを構成する強磁性体基板１１（例え
ば、ＮｉＺｎフェライト）に溝（例えば、幅：３０μ
ｍ，深さ：３０μｍ）が形成され、この溝には非磁性絶
縁体１２（例えば、ガラス）が充填される。そして、こ
の非磁性絶縁体１２上に磁気抵抗効果素子１ａ（１ｂ）
（例えば、ＭＲ高さ：１０μｍ）を形成し、電極１３
（例えば、Ａｕ：０．２４μｍ）および非磁性絶縁層１
４（例えば、ＳｉＯ2 ：０．２μｍ）を介してヨーク１
５，ヨーク１６（例えば、ＮｉＦｅ：１μｍ）が、磁気
抵抗効果素子１ａ（１ｂ）とオーバーラップ（例えば、
オーバーラップ長：２μｍ）するように形成されてい
る。
【００３２】ただし、図２（ａ）の正面図では非磁性絶
縁層１４は省略した。また、記録媒体は垂直２層膜媒体
とし、この垂直磁気記録層１７の膜厚を０．１μｍ、記
録ビット長を１μｍとし、媒体下地層１８の膜厚を０．
０５μｍとした。なお、ヨーク型ＭＲヘッドと記録媒体
とのスペーシング（間隙）は０．０２μｍである。
縁層１４は省略した。また、記録媒体は垂直２層膜媒体
とし、この垂直磁気記録層１７の膜厚を０．１μｍ、記
録ビット長を１μｍとし、媒体下地層１８の膜厚を０．
０５μｍとした。なお、ヨーク型ＭＲヘッドと記録媒体
とのスペーシング（間隙）は０．０２μｍである。
【００３３】図４は、バイアス磁界に対する再生出力お
よび再生波形の対称性を示したものである。なお、再生
出力の値は正規化した値を示す。ここで、バイアス磁界
の大きさは、非磁性導体層５の膜厚を制御することによ
って行った。図４によれば、バイアス磁界の印加によっ
て再生波形の対称性が徐々に改善されることがわかる。
よび再生波形の対称性を示したものである。なお、再生
出力の値は正規化した値を示す。ここで、バイアス磁界
の大きさは、非磁性導体層５の膜厚を制御することによ
って行った。図４によれば、バイアス磁界の印加によっ
て再生波形の対称性が徐々に改善されることがわかる。
【００３４】次に、この結果を基に磁気抵抗効果素子の
内部磁化の分布から説明する。ここでは、本発明におけ
る磁気抵抗効果素子を用いたヨーク型ＭＲヘッドの、垂
直２層膜媒体による信号磁界の変化に対する磁化解析を
積分要素法によって行った結果について示す。
内部磁化の分布から説明する。ここでは、本発明におけ
る磁気抵抗効果素子を用いたヨーク型ＭＲヘッドの、垂
直２層膜媒体による信号磁界の変化に対する磁化解析を
積分要素法によって行った結果について示す。
【００３５】なお、この磁化計算では、非磁性薄膜６ａ
（６ｂ）の両側の磁性薄膜２ａ（２ｂ）と磁性薄膜３ａ
（３ｂ）との磁化のなす角度θの変化により、磁気抵抗
効果が起こるとした。そして、このときの非磁性薄膜６
ａ（６ｂ）の比抵抗ρは、磁場がゼロのときの比抵抗を
ρ0 、比抵抗の変化分をΔρとして、次式により計算し
た。
（６ｂ）の両側の磁性薄膜２ａ（２ｂ）と磁性薄膜３ａ
（３ｂ）との磁化のなす角度θの変化により、磁気抵抗
効果が起こるとした。そして、このときの非磁性薄膜６
ａ（６ｂ）の比抵抗ρは、磁場がゼロのときの比抵抗を
ρ0 、比抵抗の変化分をΔρとして、次式により計算し
た。
【００３６】ρ＝ρ0 −０．５・Δρ・ｃｏｓθ 図５は、磁性薄膜２ａ（２ｂ）の２層目の薄膜１０ａ
（１０ｂ）の内部磁化を非磁性導体層７ａ（７ｂ）の膜
厚をパラメータとして示したものである。記録媒体から
の磁界はゼロである。また、ＭＲ高さは３μｍ、磁気抵
抗効果素子１ａ（１ｂ）とヨーク１５およびヨーク１６
とのオーバーラップ長は１μｍである。そして、バイア
ス磁界がゼロの場合、磁性薄膜２ａ（２ｂ）の２層目の
薄膜１０ａ（１０ｂ）の磁化は、磁性薄膜３ａ（３ｂ）
との静磁結合によって膜端部において強く、磁性薄膜３
ａ（３ｂ）の磁化とは逆方向に磁化が向いた分布をも
つ。また、膜中央部においても磁性薄膜２ａ（２ｂ）の
２層目の薄膜１０ａ（１０ｂ）の磁化は負の方向を向い
ており、これは磁気抵抗効果素子のＭＲ高さが小さいた
めに、静磁結合の影響が膜中央部にまで及んでいるため
である。
（１０ｂ）の内部磁化を非磁性導体層７ａ（７ｂ）の膜
厚をパラメータとして示したものである。記録媒体から
の磁界はゼロである。また、ＭＲ高さは３μｍ、磁気抵
抗効果素子１ａ（１ｂ）とヨーク１５およびヨーク１６
とのオーバーラップ長は１μｍである。そして、バイア
ス磁界がゼロの場合、磁性薄膜２ａ（２ｂ）の２層目の
薄膜１０ａ（１０ｂ）の磁化は、磁性薄膜３ａ（３ｂ）
との静磁結合によって膜端部において強く、磁性薄膜３
ａ（３ｂ）の磁化とは逆方向に磁化が向いた分布をも
つ。また、膜中央部においても磁性薄膜２ａ（２ｂ）の
２層目の薄膜１０ａ（１０ｂ）の磁化は負の方向を向い
ており、これは磁気抵抗効果素子のＭＲ高さが小さいた
めに、静磁結合の影響が膜中央部にまで及んでいるため
である。
【００３７】ここで、バイアス磁界を印加した場合、バ
イアス磁界の増加に従って静磁結合の影響が相殺されて
いく様子がわかる。バイアス磁界の大きさは非磁性導体
層５の膜厚の制御によって行われているが、磁気抵抗効
果素子におけるＭＲ高さによって、必要なバイアス磁界
を得るための非磁性導体層７ａ（７ｂ）の膜厚は変わ
り、その膜厚は２ｎｍから２０ｎｍとすることで十分で
あることがわかった。
イアス磁界の増加に従って静磁結合の影響が相殺されて
いく様子がわかる。バイアス磁界の大きさは非磁性導体
層５の膜厚の制御によって行われているが、磁気抵抗効
果素子におけるＭＲ高さによって、必要なバイアス磁界
を得るための非磁性導体層７ａ（７ｂ）の膜厚は変わ
り、その膜厚は２ｎｍから２０ｎｍとすることで十分で
あることがわかった。
【００３８】一方、図６は、永久磁石バイアス方式によ
ってバイアス磁界を印加した場合の、再生出力および再
生波形の対称性を示したものである。なお、再生出力の
値は正規化した値を示す。ここで、バイアス磁界の大き
さは、永久磁石の残留磁束密度を変えることによって行
った。その結果、バイアス磁界の印加により再生波形の
対称性が徐々に改善されていることがわかる。
ってバイアス磁界を印加した場合の、再生出力および再
生波形の対称性を示したものである。なお、再生出力の
値は正規化した値を示す。ここで、バイアス磁界の大き
さは、永久磁石の残留磁束密度を変えることによって行
った。その結果、バイアス磁界の印加により再生波形の
対称性が徐々に改善されていることがわかる。
【００３９】図７は、上述した磁化解析によって磁性薄
膜の内部磁化を計算した結果である。バイアス磁界の印
加によって、静磁結合の影響が相殺され、特に膜端部に
おいてその効果が大きく表れている。この場合も、磁気
抵抗効果素子におけるＭＲ高さによって、必要なバイア
ス磁界を得るための永久磁石の残留磁束密度が変わり、
その値は１０００Ｇから５０００Ｇで十分であることが
わかった。
膜の内部磁化を計算した結果である。バイアス磁界の印
加によって、静磁結合の影響が相殺され、特に膜端部に
おいてその効果が大きく表れている。この場合も、磁気
抵抗効果素子におけるＭＲ高さによって、必要なバイア
ス磁界を得るための永久磁石の残留磁束密度が変わり、
その値は１０００Ｇから５０００Ｇで十分であることが
わかった。
【００４０】以上の結果は、電流による誘導磁界方式，
ソフトフィルムバイアス方式，相互バイアス方式におい
ても認められ、さらに、シャントバイアス方式，電流に
よる誘導磁界方式，永久磁石バイアス方式，ソフトフィ
ルムバイアス方式，相互バイアス方式のうちのいずれか
１つの方式、もしくは少なくとも２つを併用した方式を
使用することも可能である。
ソフトフィルムバイアス方式，相互バイアス方式におい
ても認められ、さらに、シャントバイアス方式，電流に
よる誘導磁界方式，永久磁石バイアス方式，ソフトフィ
ルムバイアス方式，相互バイアス方式のうちのいずれか
１つの方式、もしくは少なくとも２つを併用した方式を
使用することも可能である。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、保
磁力の異なった２種類以上の磁性薄膜が非磁性層を介し
て積層された人工格子磁気抵抗効果膜において、前記隣
り合う磁性薄膜の各々の保磁力をＨc2，Ｈc3（０＜Ｈc2
＜Ｈc3）としたとき、保磁力がＨc3の磁性薄膜における
残留磁化方向と同一方向に、磁気抵抗効果膜にバイアス
磁界を印加することにより、高出力で、かつ対称な信号
再生波形を得ることができる。
磁力の異なった２種類以上の磁性薄膜が非磁性層を介し
て積層された人工格子磁気抵抗効果膜において、前記隣
り合う磁性薄膜の各々の保磁力をＨc2，Ｈc3（０＜Ｈc2
＜Ｈc3）としたとき、保磁力がＨc3の磁性薄膜における
残留磁化方向と同一方向に、磁気抵抗効果膜にバイアス
磁界を印加することにより、高出力で、かつ対称な信号
再生波形を得ることができる。
【００４２】また、非磁性薄膜を介して積層された複数
の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣り合う一方
の磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けられた人工格
子磁気抵抗効果膜において、反強磁性薄膜によって交換
バイアスされた磁性薄膜の磁化方向と同一方向に、磁気
抵抗効果膜にバイアス磁界を印加することによっても、
高出力で、かつ対称な信号再生波形を得ることができ
る。
の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣り合う一方
の磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けられた人工格
子磁気抵抗効果膜において、反強磁性薄膜によって交換
バイアスされた磁性薄膜の磁化方向と同一方向に、磁気
抵抗効果膜にバイアス磁界を印加することによっても、
高出力で、かつ対称な信号再生波形を得ることができ
る。
【００４３】さらに、磁気抵抗効果素子に与えるバイア
ス磁界印加機構としては、シャントバイアス方式，電流
による誘導磁界方式，永久磁石バイアス方式，ソフトフ
ィルムバイアス方式，相互バイアス方式のうちのいずれ
か１つ方式、もしくは少なくとも２つを併用した方式が
使用できる。
ス磁界印加機構としては、シャントバイアス方式，電流
による誘導磁界方式，永久磁石バイアス方式，ソフトフ
ィルムバイアス方式，相互バイアス方式のうちのいずれ
か１つ方式、もしくは少なくとも２つを併用した方式が
使用できる。
【図１】本発明のシャントバイアス方式使用による磁気
抵抗効果素子の一実施例を示す断面図である。
抵抗効果素子の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明のシャントバイアス方式使用による磁気
抵抗効果素子の他の実施例を示す断面図である。
抵抗効果素子の他の実施例を示す断面図である。
【図３】本実施例におけるヨーク型磁気抵抗効果ヘッド
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図４】本実施例における再生出力および再生波形の対
称性のバイアス磁界依存性を示す図である（シャントバ
イアス方式）。
称性のバイアス磁界依存性を示す図である（シャントバ
イアス方式）。
【図５】本実施例における磁性薄膜の２層目の内部磁化
のバイアス磁界依存性を示す図である（シャントバイア
ス式）。
のバイアス磁界依存性を示す図である（シャントバイア
ス式）。
【図６】本実施例における再生出力および再生波形の対
称性のバイアス磁界依存性を示す図である（永久磁石方
式）。
称性のバイアス磁界依存性を示す図である（永久磁石方
式）。
【図７】本実施例におけるＮｉＦｅ薄膜の内部磁化のバ
イアス磁界依存性（永久磁石方式）を示す図である。
イアス磁界依存性（永久磁石方式）を示す図である。
１ａ，１ｂ 磁気抵抗効果素子 ２ａ，２ｂ 磁性薄膜（ＮｉＦｅ薄膜） ３ａ 磁性薄膜（Ｃｏ薄膜） ３ｂ 磁性薄膜（ＮｉＦｅ薄膜） ４ 反強磁性薄膜（ＦｅＭｎ薄膜） ５ 金属薄膜（Ｃｕ薄膜） ６ａ，６ｂ 非磁性薄膜（Ｃｕ薄膜） ７ａ，７ｂ 非磁性導体層（Ｃｕ薄膜） ８ａ，８ｂ 磁化方向 ９ａ，９ｂ センス電流方向 １０ａ，１０ｂ 磁性薄膜２ａ（２ｂ）の２層目の薄
膜 １１ 強磁性体 １２ 非磁性絶縁体 １３ 電極 １４ 非磁性絶縁層 １５，１６ ヨーク １７ 垂直磁気記録層 １８ 媒体下地層
膜 １１ 強磁性体 １２ 非磁性絶縁体 １３ 電極 １４ 非磁性絶縁層 １５，１６ ヨーク １７ 垂直磁気記録層 １８ 媒体下地層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１０月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
フロントページの続き (72)発明者 藤方 潤一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 保磁力の異なる２種類以上の磁性薄膜が
非磁性層を介して積層した人工格子磁気抵抗効果膜と、 隣り合う前記磁性薄膜の各々の保磁力をＨc2，Ｈc3（０
＜Ｈc2＜Ｈc3）とするとき、保磁力がＨc3の磁性薄膜に
おける残留磁化方向と、前記人工格子磁気抵抗効果膜に
印加されるバイアス磁界の方向とが同一方向となるよう
に配置したバイアス磁界印加機構と、を備えることを特
徴とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項２】 非磁性薄膜を介して積層された複数の磁
性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣り合う一方の磁
性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けた人工格子磁気抵
抗効果膜と、 前記反強磁性薄膜によって交換バイアスされた磁性薄膜
の磁化方向と、前記人工格子磁気抵抗効果膜に印加され
るバイアス磁界の方向とが同一方向となるように配置し
たバイアス磁界印加機構と、を備えることを特徴とする
磁気抵抗効果素子。 - 【請求項３】 前記バイアス磁界印加機構が、シャント
膜の分流で発生する磁界を用いるシャントバイアス方式
であり、かつ前記シャント膜が膜厚２ｎｍから２０ｎｍ
の非磁性導体よりなることを特徴とする請求項１または
２記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項４】 前記バイアス磁界印加機構が、永久磁石
による発生磁界を用いるバイアス方式であり、かつ前記
永久磁石の残留磁束密度が１０００Ｇから５０００Ｇで
あることを特徴とする請求項１または２記載の磁気抵抗
効果素子。 - 【請求項５】 保磁力の異なる２種類以上の磁性薄膜が
非磁性層を介して積層した人工格子磁気抵抗効果膜より
なる磁気抵抗効果素子のバイアス印加方法であって、 隣り合う前記磁性薄膜の各々の保磁力をＨc2，Ｈc3（０
＜Ｈc2＜Ｈc3）とするとき、保磁力がＨc3の磁性薄膜に
おける残留磁化方向と同一方向に、前記人工格子磁気抵
抗効果膜に対してバイアス磁界を印加することを特徴と
する磁気抵抗効果素子のバイアス印加方法。 - 【請求項６】 非磁性薄膜を介して積層された複数の磁
性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣り合う一方の磁
性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けられた人工格子磁
気抵抗効果膜よりなる磁気抵抗効果素子のバイアス印加
方法であって、 前記反強磁性薄膜によって交換バイアスされた磁性薄膜
の磁化方向と同一方向に、前記人工格子磁気抵抗効果膜
に対してバイアス磁界を印加することを特徴とする磁気
抵抗効果素子のバイアス印加方法。 - 【請求項７】 前記バイアス磁界を、シャント膜の分流
で発生する磁界を用いるシャントバイアス方式により印
加することを特徴とする請求項５または６記載の磁気抵
抗効果素子のバイアス印加方法。 - 【請求項８】 前記バイアス磁界を、電流による誘導磁
界を用いて印加することを特徴とする請求項５または６
記載の磁気抵抗効果素子のバイアス印加方法。 - 【請求項９】 前記バイアス磁界を、永久磁石による発
生磁界を用いる永久磁石バイアス方式により印加するこ
とを特徴とする請求項５または６記載の磁気抵抗効果素
子のバイアス印加方法。 - 【請求項１０】 前記バイアス磁界を、軟磁性膜の漏洩
磁界を用いるソフトフィルムバイアス方式により印加す
ることを特徴とする請求項５または６記載の磁気抵抗効
果素子のバイアス印加方法。 - 【請求項１１】 前記バイアス磁界を、２つの前記人工
格子磁気抵抗効果膜に流れるセンス電流で発生する磁界
を用いる相互バイアス方式により印加することを特徴と
する請求項５または６記載の磁気抵抗効果素子のバイア
ス印加方法。 - 【請求項１２】 前記バイアス磁界を、前記シャントバ
イアス方式，電流による誘導磁界方式，永久磁石バイア
ス方式，ソフトフィルムバイアス方式，相互バイアス方
式のうちの少なくとも２つを併用した方式を用いて印加
することを特徴とする請求項５または６記載の磁気抵抗
効果素子のバイアス印加方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6212478A JP2701748B2 (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 磁気抵抗効果素子およびそのバイアス印加方法 |
| EP95104335A EP0675554A1 (en) | 1994-03-24 | 1995-03-23 | Magnetoresistive effect element |
| KR1019950006277A KR100196581B1 (ko) | 1994-03-24 | 1995-03-24 | 자기저항 효과소자 |
| US08/882,229 US5880911A (en) | 1994-03-24 | 1997-06-25 | Magnetoresistive effect element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6212478A JP2701748B2 (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 磁気抵抗効果素子およびそのバイアス印加方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878756A true JPH0878756A (ja) | 1996-03-22 |
| JP2701748B2 JP2701748B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=16623315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6212478A Expired - Fee Related JP2701748B2 (ja) | 1994-03-24 | 1994-09-06 | 磁気抵抗効果素子およびそのバイアス印加方法 |
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| JP (1) | JP2701748B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025371A1 (en) * | 1998-10-26 | 2000-05-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetoresistant device and a magnetic sensor comprising the same |
| US6124711A (en) * | 1996-01-19 | 2000-09-26 | Fujitsu Limited | Magnetic sensor using tunnel resistance to detect an external magnetic field |
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1994
- 1994-09-06 JP JP6212478A patent/JP2701748B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6124711A (en) * | 1996-01-19 | 2000-09-26 | Fujitsu Limited | Magnetic sensor using tunnel resistance to detect an external magnetic field |
| WO2000025371A1 (en) * | 1998-10-26 | 2000-05-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetoresistant device and a magnetic sensor comprising the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2701748B2 (ja) | 1998-01-21 |
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