JPH0878977A - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
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- JPH0878977A JPH0878977A JP6214416A JP21441694A JPH0878977A JP H0878977 A JPH0878977 A JP H0878977A JP 6214416 A JP6214416 A JP 6214416A JP 21441694 A JP21441694 A JP 21441694A JP H0878977 A JPH0878977 A JP H0878977A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振を防止し安定化した高周波増幅回路を提
供すること。 【構成】 信号が入力される入力端子、およびインダク
タを介して接地される接地端子、増幅された信号が出力
される出力端子をそれぞれが有する複数の半導体増幅素
子Ｔ１〜Ｔｎと、この複数の半導体増幅素子の各入力端
子に接続される入力側整合回路１１と、複数の半導体増
幅素子の各出力端子が接続される出力側整合回路１３と
を具備した高周波増幅回路において、複数の半導体増幅
素子の接地端子間に抵抗Ｒ１〜Ｒｎを接続している。
供すること。 【構成】 信号が入力される入力端子、およびインダク
タを介して接地される接地端子、増幅された信号が出力
される出力端子をそれぞれが有する複数の半導体増幅素
子Ｔ１〜Ｔｎと、この複数の半導体増幅素子の各入力端
子に接続される入力側整合回路１１と、複数の半導体増
幅素子の各出力端子が接続される出力側整合回路１３と
を具備した高周波増幅回路において、複数の半導体増幅
素子の接地端子間に抵抗Ｒ１〜Ｒｎを接続している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばマイクロ波の増
幅に使用される高周波増幅回路に関する。
幅に使用される高周波増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波増幅回路を構成する例えばソース
接地の電界効果トランジスタや高電子移動度トランジス
タ（ＨＥＭＴ）は、そのゲート・ソース間のインピーダ
ンスは低い周波数帯で高くなっている。したがって、低
い周波数帯で低雑音の高周波増幅器を構成する場合、小
型で損失の少ない広帯域の整合回路を実現することが困
難になっている。
接地の電界効果トランジスタや高電子移動度トランジス
タ（ＨＥＭＴ）は、そのゲート・ソース間のインピーダ
ンスは低い周波数帯で高くなっている。したがって、低
い周波数帯で低雑音の高周波増幅器を構成する場合、小
型で損失の少ない広帯域の整合回路を実現することが困
難になっている。
【０００３】このため、従来の高周波増幅回路では、複
数個の電界効果トランジスタを並列に配置し、そして各
電界効果トランジスタのゲート同士を接続し、またソー
ス・接地間にインダクタを接続し、入力インピーダンス
を小さくしている。
数個の電界効果トランジスタを並列に配置し、そして各
電界効果トランジスタのゲート同士を接続し、またソー
ス・接地間にインダクタを接続し、入力インピーダンス
を小さくしている。
【０００４】ここで、従来の高周波増幅回路について、
図３を参照して説明する。
図３を参照して説明する。
【０００５】ＩＮは入力端子で、入力端子ＩＮからマイ
クロ波など高い周波数の信号が入力される。この信号は
入力側整合回路３１を通り、そして複数に分割され、並
列に接続された複数個の電界効果トランジスタＴ１〜Ｔ
ｎに加えられる。なお、３２は電源で、電界効果トラン
ジスタＴ１〜Ｔｎの各ゲートＧ１〜Ｇｎにバイアス電圧
を供給している。また電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎ
の各ソースＳ１〜ＳｎにはインダクタＬ１〜Ｌｎが接続
され、そして接地されている。
クロ波など高い周波数の信号が入力される。この信号は
入力側整合回路３１を通り、そして複数に分割され、並
列に接続された複数個の電界効果トランジスタＴ１〜Ｔ
ｎに加えられる。なお、３２は電源で、電界効果トラン
ジスタＴ１〜Ｔｎの各ゲートＧ１〜Ｇｎにバイアス電圧
を供給している。また電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎ
の各ソースＳ１〜ＳｎにはインダクタＬ１〜Ｌｎが接続
され、そして接地されている。
【０００６】そして電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎの
各ドレインＤ１〜Ｄｎから増幅された信号が出力され
る。増幅された信号は合成され出力側整合回路３３に送
られ、出力端子ＯＵＴから出力される。なお、３４は電
源で、電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎの各ドレインＤ
１〜Ｄｎにバイアス電圧を供給している。
各ドレインＤ１〜Ｄｎから増幅された信号が出力され
る。増幅された信号は合成され出力側整合回路３３に送
られ、出力端子ＯＵＴから出力される。なお、３４は電
源で、電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎの各ドレインＤ
１〜Ｄｎにバイアス電圧を供給している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した構成の場合、
例えば電界効果トランジスタＴ１のゲートＧ１に入力さ
れた信号は増幅され、ドレインＤ１から出力される。こ
のとき、ドレインＤ１に出力された信号は他の電界効果
トランジスタ（例えばＴ２）のドレインＤ２を通してゲ
ートＧ２側に漏れ、再び電界効果トランジスタＴ１のゲ
ートＧ１に入力する帰還回路が形成される。したがっ
て、電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎや入出力整合回路
３１、３３、そしてインダクタＬ１〜Ｌｎの条件によっ
ては、帰還回路が正帰還回路として機能し、発振を起こ
す場合がある。
例えば電界効果トランジスタＴ１のゲートＧ１に入力さ
れた信号は増幅され、ドレインＤ１から出力される。こ
のとき、ドレインＤ１に出力された信号は他の電界効果
トランジスタ（例えばＴ２）のドレインＤ２を通してゲ
ートＧ２側に漏れ、再び電界効果トランジスタＴ１のゲ
ートＧ１に入力する帰還回路が形成される。したがっ
て、電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎや入出力整合回路
３１、３３、そしてインダクタＬ１〜Ｌｎの条件によっ
ては、帰還回路が正帰還回路として機能し、発振を起こ
す場合がある。
【０００８】この発明は、上記した欠点を解決するもの
で、発振を防止し安定化した高周波増幅回路を提供する
ことを目的とする。
で、発振を防止し安定化した高周波増幅回路を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、信号が入力
される入力端子、およびインダクタを介して接地される
接地端子、増幅された信号が出力される出力端子をそれ
ぞれが有する複数の半導体増幅素子と、この複数の半導
体増幅素子の各入力端子に接続される入力側整合回路
と、前記複数の半導体増幅素子の各出力端子に接続され
る出力側整合回路とを具備した高周波増幅回路におい
て、前記複数の半導体増幅素子それぞれの前記接地端子
を抵抗を介して共通点に接続している。
される入力端子、およびインダクタを介して接地される
接地端子、増幅された信号が出力される出力端子をそれ
ぞれが有する複数の半導体増幅素子と、この複数の半導
体増幅素子の各入力端子に接続される入力側整合回路
と、前記複数の半導体増幅素子の各出力端子に接続され
る出力側整合回路とを具備した高周波増幅回路におい
て、前記複数の半導体増幅素子それぞれの前記接地端子
を抵抗を介して共通点に接続している。
【００１０】また、信号が入力される入力端子、および
インダクタを介して接地される接地端子、増幅された信
号が出力される出力端子をそれぞれが有する複数の半導
体増幅素子と、この複数の半導体増幅素子の各入力端子
に接続される入力側整合回路と、前記複数の半導体増幅
素子の各出力端子に接続される出力側整合回路とを具備
した高周波増幅回路において、前記複数の半導体増幅素
子の前記接地端子間に抵抗を接続している。
インダクタを介して接地される接地端子、増幅された信
号が出力される出力端子をそれぞれが有する複数の半導
体増幅素子と、この複数の半導体増幅素子の各入力端子
に接続される入力側整合回路と、前記複数の半導体増幅
素子の各出力端子に接続される出力側整合回路とを具備
した高周波増幅回路において、前記複数の半導体増幅素
子の前記接地端子間に抵抗を接続している。
【００１１】また、前記抵抗に、抵抗以外のインピーダ
ンス素子を接続している。
ンス素子を接続している。
【００１２】
【作用】上記した構成によれば、複数個の電界効果トラ
ンジスタが並列に接続され、また電界効果トランジスタ
のソースと接地間にインダクタが接続されている。した
がって、電界効果トランジスタの入力インピーダンスは
低くなり、整合回路の構成が容易となる。
ンジスタが並列に接続され、また電界効果トランジスタ
のソースと接地間にインダクタが接続されている。した
がって、電界効果トランジスタの入力インピーダンスは
低くなり、整合回路の構成が容易となる。
【００１３】また、複数の半導体増幅素子それぞれの接
地端子を抵抗を介して共通点に接続し、あるいは複数の
半導体増幅素子の接地端子間に抵抗を接続している。こ
の構成によれば、もしドレイン・ゲート間を経由する帰
還による発振が生じると、各電界効果トランジスタのソ
ースにおける高周波電圧に差異が生じ、ソースに接続さ
れた抵抗に電流が流れ、その結果、発振が抑えられる。
なお、高周波増幅回路として動作する場合、各電界効果
トランジスタのソースにおける高周波電圧は等しいため
に、ソースに接続された抵抗に電流が流れない。したが
って損失も生じない。このため、発振を防止し安定化し
た高周波増幅回路が実現される。
地端子を抵抗を介して共通点に接続し、あるいは複数の
半導体増幅素子の接地端子間に抵抗を接続している。こ
の構成によれば、もしドレイン・ゲート間を経由する帰
還による発振が生じると、各電界効果トランジスタのソ
ースにおける高周波電圧に差異が生じ、ソースに接続さ
れた抵抗に電流が流れ、その結果、発振が抑えられる。
なお、高周波増幅回路として動作する場合、各電界効果
トランジスタのソースにおける高周波電圧は等しいため
に、ソースに接続された抵抗に電流が流れない。したが
って損失も生じない。このため、発振を防止し安定化し
た高周波増幅回路が実現される。
【００１４】なお、各電界効果トランジスタのソースに
接続される素子は抵抗だけでなく、抵抗と抵抗以外のイ
ンピーダンス素子を組み合わせた回路でも同様な効果を
得ることができる。
接続される素子は抵抗だけでなく、抵抗と抵抗以外のイ
ンピーダンス素子を組み合わせた回路でも同様な効果を
得ることができる。
【００１５】
【実施例】この発明の実施例について図１を参照し説明
する。
する。
【００１６】ＩＮは入力端子で、入力端子ＩＮからマイ
クロ波など高い周波数の信号が入力される。この信号は
入力側整合回路１１に加えられる。そして複数に分割さ
れ、並列に接続された複数個の電界効果トランジスタＴ
１〜Ｔｎにそれぞれ加えられる。なお、１２は電源で、
電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎの各ゲートＧ１〜Ｇｎ
にバイアス電圧を供給している。また電界効果トランジ
スタＴ１〜Ｔｎの各ソースＳ１〜ＳｎにはインダクタＬ
１〜Ｌｎが接続され、そして接地されている。また、互
いに隣接する電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎのソース
Ｓ１〜Ｓｎ間、例えばソースＳ１〜ＳｎとインダクタＬ
１〜Ｌｎの接続点間に抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１が接続されて
いる。
クロ波など高い周波数の信号が入力される。この信号は
入力側整合回路１１に加えられる。そして複数に分割さ
れ、並列に接続された複数個の電界効果トランジスタＴ
１〜Ｔｎにそれぞれ加えられる。なお、１２は電源で、
電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎの各ゲートＧ１〜Ｇｎ
にバイアス電圧を供給している。また電界効果トランジ
スタＴ１〜Ｔｎの各ソースＳ１〜ＳｎにはインダクタＬ
１〜Ｌｎが接続され、そして接地されている。また、互
いに隣接する電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎのソース
Ｓ１〜Ｓｎ間、例えばソースＳ１〜ＳｎとインダクタＬ
１〜Ｌｎの接続点間に抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１が接続されて
いる。
【００１７】なお、電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎに
入力された信号は増幅され、各ドレインＤ１〜Ｄｎから
出力される。増幅された信号は合成され、出力側整合回
路１３から出力端子ＯＵＴに送られ出力される。なお、
１４は電源で、電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎの各ド
レインＤ１〜Ｄｎにバイアス電圧を供給している。
入力された信号は増幅され、各ドレインＤ１〜Ｄｎから
出力される。増幅された信号は合成され、出力側整合回
路１３から出力端子ＯＵＴに送られ出力される。なお、
１４は電源で、電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎの各ド
レインＤ１〜Ｄｎにバイアス電圧を供給している。
【００１８】上記した構成によれば、複数個の電界効果
トランジスタＴ１〜Ｔｎが並列に配置され、また、電界
効果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎと接地
間にインダクタＬ１〜Ｌｎが接続されている。そして、
各電界効果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎ
端子間、例えば隣り合う電界効果トランジスタＴ１〜Ｔ
ｎのソースＳ１〜Ｓｎ間に抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１が接続さ
れている。
トランジスタＴ１〜Ｔｎが並列に配置され、また、電界
効果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎと接地
間にインダクタＬ１〜Ｌｎが接続されている。そして、
各電界効果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎ
端子間、例えば隣り合う電界効果トランジスタＴ１〜Ｔ
ｎのソースＳ１〜Ｓｎ間に抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１が接続さ
れている。
【００１９】したがって、入力インピーダンスは低くな
り、入力側整合回路の構成が容易となる。また、複数の
電界効果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎ端
子間に抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１が接続されている。もし各電
界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎの動作が、ドレイン・ゲ
ート間を経由する帰還による発振を生じる方向に動いた
とすると、複数の電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎのソ
ースにおける高周波電圧に差異が生じ、ソースＳ１〜Ｓ
ｎ間に接続された抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１に電流が流れ、こ
の結果、発振電力は減衰し、発振は抑圧される。増幅器
として動作させたときの各電界効果トランジスタＴ１〜
Ｔｎの動作はバランスしており、ソースＳ１〜Ｓｎにお
ける高周波電圧は等しくなり、抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１には
電流が流れず損失は生じない。
り、入力側整合回路の構成が容易となる。また、複数の
電界効果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎ端
子間に抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１が接続されている。もし各電
界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎの動作が、ドレイン・ゲ
ート間を経由する帰還による発振を生じる方向に動いた
とすると、複数の電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎのソ
ースにおける高周波電圧に差異が生じ、ソースＳ１〜Ｓ
ｎ間に接続された抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１に電流が流れ、こ
の結果、発振電力は減衰し、発振は抑圧される。増幅器
として動作させたときの各電界効果トランジスタＴ１〜
Ｔｎの動作はバランスしており、ソースＳ１〜Ｓｎにお
ける高周波電圧は等しくなり、抵抗Ｒ１〜Ｒｎ−１には
電流が流れず損失は生じない。
【００２０】次に、この発明の他の実施例について図２
を参照し説明する。なお、図２では図１に対応する部分
には同一の符号を付し、図１と相違する構成を中心に説
明する。
を参照し説明する。なお、図２では図１に対応する部分
には同一の符号を付し、図１と相違する構成を中心に説
明する。
【００２１】図１の場合は、互いに隣接する電界効果ト
ランジスタのソースとインダクタの接続点間に抵抗が接
続されている。しかし、図２の実施例では、各電界効果
トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎとインダク
タＬ１〜Ｌｎの接続点にそれぞれ抵抗Ｒ１〜Ｒｎが接続
され、この抵抗Ｒ１〜Ｒｎが共通点Ｔに接続されてい
る。
ランジスタのソースとインダクタの接続点間に抵抗が接
続されている。しかし、図２の実施例では、各電界効果
トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎとインダク
タＬ１〜Ｌｎの接続点にそれぞれ抵抗Ｒ１〜Ｒｎが接続
され、この抵抗Ｒ１〜Ｒｎが共通点Ｔに接続されてい
る。
【００２２】上記した構成によれば、入力インピーダン
スは低くなり、整合回路の構成が容易となる。また、複
数の電界効果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓ
ｎに抵抗Ｒ１〜Ｒｎが接続され、各抵抗Ｒ１〜Ｒｎが共
通点Ｔに接続されている。この場合にも、各抵抗Ｒ１〜
Ｒｎが、各電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎのアンバラ
ンスな動作を抑制し、ドレイン・ゲート間を経由する帰
還による発振が抑えられる。この場合も、複数の電界効
果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎにおける
高周波電圧は等しいため、ソースＳ１〜Ｓｎに接続され
た抵抗Ｒ１〜Ｒｎには電流が流れず、損失もない。 な
お、上記した実施例では、電界効果トランジスタのソー
スとインダクタの接続点間に抵抗を接続し、あるいはソ
ースとインダクタの接続点それぞれを抵抗を介して共通
点に接続している。しかし、ソースとインダクタの接続
点でなく、インダクタの途中に抵抗を接続する構成にす
ることもできる。また、抵抗だけの回路でなく、抵抗に
抵抗以外のインダクタやキャパシタ、伝送線路などのリ
アクタンス素子を組み合わせた回路を用いても同様な効
果が得られる。
スは低くなり、整合回路の構成が容易となる。また、複
数の電界効果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓ
ｎに抵抗Ｒ１〜Ｒｎが接続され、各抵抗Ｒ１〜Ｒｎが共
通点Ｔに接続されている。この場合にも、各抵抗Ｒ１〜
Ｒｎが、各電界効果トランジスタＴ１〜Ｔｎのアンバラ
ンスな動作を抑制し、ドレイン・ゲート間を経由する帰
還による発振が抑えられる。この場合も、複数の電界効
果トランジスタＴ１〜ＴｎのソースＳ１〜Ｓｎにおける
高周波電圧は等しいため、ソースＳ１〜Ｓｎに接続され
た抵抗Ｒ１〜Ｒｎには電流が流れず、損失もない。 な
お、上記した実施例では、電界効果トランジスタのソー
スとインダクタの接続点間に抵抗を接続し、あるいはソ
ースとインダクタの接続点それぞれを抵抗を介して共通
点に接続している。しかし、ソースとインダクタの接続
点でなく、インダクタの途中に抵抗を接続する構成にす
ることもできる。また、抵抗だけの回路でなく、抵抗に
抵抗以外のインダクタやキャパシタ、伝送線路などのリ
アクタンス素子を組み合わせた回路を用いても同様な効
果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、発振が防止でき、か
つ安定な高周波増幅回路を実現できる。
つ安定な高周波増幅回路を実現できる。
【図１】この発明の実施例を示す回路図である。
【図２】この発明の他の実施例を示す回路図である。
【図３】従来例を示す回路図である。
１１…入力側整合回路 １２、１４…電源 １３…出力側整合回路 Ｔ１〜Ｔｎ…電界効果トランジスタ Ｇ１〜Ｇｎ…ゲート Ｓ１〜Ｓｎ…ソース Ｄ１〜Ｄｎ…ドレイン Ｒ１〜Ｒｎ…抵抗 Ｌ１〜Ｌｎ…インダクタ
Claims (3)
- 【請求項１】 信号が入力される入力端子、およびイン
ダクタを介して接地される接地端子、増幅された信号が
出力される出力端子をそれぞれが有する複数の半導体増
幅素子と、この複数の半導体増幅素子の各入力端子に接
続される入力側整合回路と、前記複数の半導体増幅素子
の各出力端子に接続される出力側整合回路とを具備した
高周波増幅回路において、前記複数の半導体増幅素子そ
れぞれの前記接地端子を抵抗を介して共通点に接続した
ことを特徴とする高周波増幅回路。 - 【請求項２】 信号が入力される入力端子、およびイン
ダクタを介して接地される接地端子、増幅された信号が
出力される出力端子をそれぞれが有する複数の半導体増
幅素子と、この複数の半導体増幅素子の各入力端子に接
続される入力側整合回路と、前記複数の半導体増幅素子
の各出力端子に接続される出力側整合回路とを具備した
高周波増幅回路において、前記複数の半導体増幅素子の
前記接地端子間に抵抗を接続したことを特徴とする高周
波増幅回路。 - 【請求項３】 前記抵抗に、抵抗以外のインピーダンス
素子を接続したことを特徴とする請求項１または請求項
２記載の高周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6214416A JPH0878977A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6214416A JPH0878977A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 高周波増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878977A true JPH0878977A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16655433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6214416A Pending JPH0878977A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878977A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100423854B1 (ko) * | 1995-04-27 | 2004-10-28 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고주파증폭기,송신장치및수신장치 |
| JP2007053734A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 線形化のための微分重畳回路 |
| KR100729746B1 (ko) * | 2004-06-23 | 2007-06-20 | 한국과학기술원 | 저전력 초광대역 수신기를 위한 저잡음 증폭기 |
| JP2020129722A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 株式会社東芝 | 高周波増幅回路 |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP6214416A patent/JPH0878977A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100423854B1 (ko) * | 1995-04-27 | 2004-10-28 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고주파증폭기,송신장치및수신장치 |
| KR100729746B1 (ko) * | 2004-06-23 | 2007-06-20 | 한국과학기술원 | 저전력 초광대역 수신기를 위한 저잡음 증폭기 |
| JP2007053734A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 線形化のための微分重畳回路 |
| JP2020129722A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 株式会社東芝 | 高周波増幅回路 |
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