JPH088026A - 高温超電導接合体の製造法 - Google Patents
高温超電導接合体の製造法Info
- Publication number
- JPH088026A JPH088026A JP13705694A JP13705694A JPH088026A JP H088026 A JPH088026 A JP H088026A JP 13705694 A JP13705694 A JP 13705694A JP 13705694 A JP13705694 A JP 13705694A JP H088026 A JPH088026 A JP H088026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- powder
- superconductor
- high temperature
- joined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 12
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000007578 melt-quenching technique Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 接合する高温超電導体の超電導特性を低下す
ることなく良好な超電導接合を得て、大型又は複雑な形
状のものを一体化する高温超電導接合体の製造法を提供
する。 【構成】 溶融急冷後微粉砕した高温超電導体用粉体を
接合する高温超電導体間に介在させた後、接合する高温
超電導体が相変化をおこさず、介在した高温超電導体用
粉体が結晶化し、かつ接合部の臨界電流密度が２００Ａ
/cm2になる温度で加熱して高温超電導体同士を接合する
高温超電導接合体の製造法。
ることなく良好な超電導接合を得て、大型又は複雑な形
状のものを一体化する高温超電導接合体の製造法を提供
する。 【構成】 溶融急冷後微粉砕した高温超電導体用粉体を
接合する高温超電導体間に介在させた後、接合する高温
超電導体が相変化をおこさず、介在した高温超電導体用
粉体が結晶化し、かつ接合部の臨界電流密度が２００Ａ
/cm2になる温度で加熱して高温超電導体同士を接合する
高温超電導接合体の製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は製造が比較的容易な小型
の高温超電導体から大型の高温超電導体を製造するのに
有効な高温超電導接合体の製造法に関する。
の高温超電導体から大型の高温超電導体を製造するのに
有効な高温超電導接合体の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高温超電導体は、焼成が可能な温度幅が
狭く、また機械的強度が低いため機械加工が困難である
などの理由で大型又は複雑な形状のものを一体で製造で
きないという問題点がある。この問題点に対してあらか
じめ適当な大きさ又は形状のものを作製し、これを接合
して一体化する方法が考えられている。高温超電導体同
士を接合して一体化する方法としては、粉砕した超電導
体粉体に有機バインダーなどを加えて作製した超電導体
ペーストを接合部に塗布乾燥して接着する方法又は接合
部に超電導体ペーストを塗布するか若しくは超電導体用
粉体を溶射法などにより付着させた後、その部分近辺を
加熱して超電導化する方法がある。
狭く、また機械的強度が低いため機械加工が困難である
などの理由で大型又は複雑な形状のものを一体で製造で
きないという問題点がある。この問題点に対してあらか
じめ適当な大きさ又は形状のものを作製し、これを接合
して一体化する方法が考えられている。高温超電導体同
士を接合して一体化する方法としては、粉砕した超電導
体粉体に有機バインダーなどを加えて作製した超電導体
ペーストを接合部に塗布乾燥して接着する方法又は接合
部に超電導体ペーストを塗布するか若しくは超電導体用
粉体を溶射法などにより付着させた後、その部分近辺を
加熱して超電導化する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前者の方
法では、超電導特性が途中で遮断されずに接続させるよ
うにした接合（以下超電導接合とする）が困難であり、
たとえ超電導接合ができたとしても許容電流（臨界電
流）が低いという問題点があった。また後者の方法で
は、高温超電導体は原料を極めて狭い温度条件で焼成し
て得られるものであり、接合する部分を加熱してその部
分を超電導化させようとすると、周囲の高温超電導体が
加熱により相変化して超電導体でなくなったり、特性を
低下させてしまうという問題点があった。
法では、超電導特性が途中で遮断されずに接続させるよ
うにした接合（以下超電導接合とする）が困難であり、
たとえ超電導接合ができたとしても許容電流（臨界電
流）が低いという問題点があった。また後者の方法で
は、高温超電導体は原料を極めて狭い温度条件で焼成し
て得られるものであり、接合する部分を加熱してその部
分を超電導化させようとすると、周囲の高温超電導体が
加熱により相変化して超電導体でなくなったり、特性を
低下させてしまうという問題点があった。
【０００４】特に良好な超電導特性が得られる方法とし
て知られている部分溶融法を加熱接続の条件に用いよう
とすると、その部分溶融温度は周囲の高温超電導体を分
解する温度でもあり、接合部は超電導体化して良好な超
電導接合が得られるが、その周囲の高温超電導体の多く
は分解して上記と同様な問題点が生じる。また融解を伴
うため、生じた融液が接合部にある微細な隙間に入り込
み、所定の厚さにならないばかりでなく、隙間部分で予
想外の反応を生じて接続の障害となる問題点があった。
て知られている部分溶融法を加熱接続の条件に用いよう
とすると、その部分溶融温度は周囲の高温超電導体を分
解する温度でもあり、接合部は超電導体化して良好な超
電導接合が得られるが、その周囲の高温超電導体の多く
は分解して上記と同様な問題点が生じる。また融解を伴
うため、生じた融液が接合部にある微細な隙間に入り込
み、所定の厚さにならないばかりでなく、隙間部分で予
想外の反応を生じて接続の障害となる問題点があった。
【０００５】本発明は上記の問題点の生じない高温超電
導接合体の製造法を提供するものである。
導接合体の製造法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の問題
点を解決するために種々検討を行った結果、溶融急冷後
微粉砕した高温超電導体用粉体を接合する高温超電導体
間に介在させ、接合する高温超電導体が相変化をおこさ
ず、高温超電導体用粉体が結晶化し、かつ接合部の臨界
電流密度が２００Ａ/cm2以上になる温度で加熱したとこ
ろ良好な超電導接合ができることを見出し、本発明を完
成するに至った。
点を解決するために種々検討を行った結果、溶融急冷後
微粉砕した高温超電導体用粉体を接合する高温超電導体
間に介在させ、接合する高温超電導体が相変化をおこさ
ず、高温超電導体用粉体が結晶化し、かつ接合部の臨界
電流密度が２００Ａ/cm2以上になる温度で加熱したとこ
ろ良好な超電導接合ができることを見出し、本発明を完
成するに至った。
【０００７】本発明は溶融急冷後微粉砕した高温超電導
体用粉体を、接合する高温超電導体間に介在させた後、
接合する高温超電導体が相変化をおこさず、介在した高
温超電導体用粉体が結晶化し、かつ接合部の臨界電流密
度が２００Ａ/cm2以上になる温度で加熱して高温超電導
体同士を接合する高温超電導接合体の製造法に関する。
体用粉体を、接合する高温超電導体間に介在させた後、
接合する高温超電導体が相変化をおこさず、介在した高
温超電導体用粉体が結晶化し、かつ接合部の臨界電流密
度が２００Ａ/cm2以上になる温度で加熱して高温超電導
体同士を接合する高温超電導接合体の製造法に関する。
【０００８】本発明において溶融急冷する方法として
は、例えば高温超電導体となる成分の酸化物を均一に混
合した後、溶融し、それを金属板上に流し出して急速冷
却する方法が一般的に知られており好ましい。
は、例えば高温超電導体となる成分の酸化物を均一に混
合した後、溶融し、それを金属板上に流し出して急速冷
却する方法が一般的に知られており好ましい。
【０００９】溶融急冷後微粉砕した高温超電導体用粉体
の平均粒径は、１〜１５μｍであることが好ましく、３
〜１０μｍであればさらに好ましい。なお高温超電導体
用粉体は、全て非晶質状態であることが望ましいが、溶
融急冷が不足して超電導体の結晶相又は超電導体以外の
結晶を合量で５０重量％未満含有していても差し支えは
ない。
の平均粒径は、１〜１５μｍであることが好ましく、３
〜１０μｍであればさらに好ましい。なお高温超電導体
用粉体は、全て非晶質状態であることが望ましいが、溶
融急冷が不足して超電導体の結晶相又は超電導体以外の
結晶を合量で５０重量％未満含有していても差し支えは
ない。
【００１０】本発明における高温超電導体用粉体は、銀
を０．３〜２０．０重量％含有させれば、超電導体結晶
の析出、結晶成長が良好であり、加熱温度を３〜１０℃
程低下させることができ、接合する高温超電導体の特性
の低下を抑えることができるので好ましい。銀は高温超
電導体用組成物の溶融時までに銀又は酸化銀の形態にな
り、該高温超電導体用組成物と均一に溶融するような化
合物、粒子径であればよい。なお高温超電導体用組成物
とは溶融急冷する前の超電導体になる成分の酸化物を均
一に混合し、必要に応じその後仮焼、粉砕したものを指
す。
を０．３〜２０．０重量％含有させれば、超電導体結晶
の析出、結晶成長が良好であり、加熱温度を３〜１０℃
程低下させることができ、接合する高温超電導体の特性
の低下を抑えることができるので好ましい。銀は高温超
電導体用組成物の溶融時までに銀又は酸化銀の形態にな
り、該高温超電導体用組成物と均一に溶融するような化
合物、粒子径であればよい。なお高温超電導体用組成物
とは溶融急冷する前の超電導体になる成分の酸化物を均
一に混合し、必要に応じその後仮焼、粉砕したものを指
す。
【００１１】また高温超電導体用粉体は、上記の他に接
合する高温超電導体と同じ結晶構造を有する結晶粉を１
〜５０重量％含有させれば結晶が生長し易く、成長の方
向も制御でき、また安価に製造できるので好ましい。
合する高温超電導体と同じ結晶構造を有する結晶粉を１
〜５０重量％含有させれば結晶が生長し易く、成長の方
向も制御でき、また安価に製造できるので好ましい。
【００１２】高温超電導体用粉体及び接合する高温超電
導体としては、Ｂｉ系高温超電導体、Ｙ系高温超電導
体、Ｔｌ系高温超電導体等が適用できるが、本発明にお
いてはＢｉ系高温超電導体を用いれば良好な超電導接合
が得られ易いので好ましい。なおＢｉ系高温超電導体は
２２１２相又は２２２３相の高温超電導体が用いられ
る。
導体としては、Ｂｉ系高温超電導体、Ｙ系高温超電導
体、Ｔｌ系高温超電導体等が適用できるが、本発明にお
いてはＢｉ系高温超電導体を用いれば良好な超電導接合
が得られ易いので好ましい。なおＢｉ系高温超電導体は
２２１２相又は２２２３相の高温超電導体が用いられ
る。
【００１３】溶融急冷後微粉砕して得た高温超電導体用
粉体を接合する高温超電導体間に介在させる方法につい
ては特に制限はなく、例えば高温超電導体用粉体を溶射
法で付着させたり、ペースト化して塗布したり、シート
状にしてそれをはさみ込んだりする等の方法で介在させ
ることができる。
粉体を接合する高温超電導体間に介在させる方法につい
ては特に制限はなく、例えば高温超電導体用粉体を溶射
法で付着させたり、ペースト化して塗布したり、シート
状にしてそれをはさみ込んだりする等の方法で介在させ
ることができる。
【００１４】高温超電導体同士を接合するための加熱条
件は、高温超電導体用粉体の部分溶融温度近く迄短時間
で昇温して該高温超電導体用粉体を結晶化させてもよい
が、接合する高温超電導体が相変化をおこさず、介在し
た高温超電導体用粉体が結晶化し、かつ接合部の臨界電
流密度が２００Ａ/cm2以上になるようにするために上記
の部分溶融温度より３〜１０℃低い温度で結晶化して超
電導接合することが好ましい。なお加熱に最適の温度
は、高温超電導体用粉体の結晶粒径や周囲の酸素分圧、
昇温速度等の焼成条件により変化するため適宜選定す
る。雰囲気は、大気中、酸素を含む雰囲気中等で行うこ
とが好ましい。
件は、高温超電導体用粉体の部分溶融温度近く迄短時間
で昇温して該高温超電導体用粉体を結晶化させてもよい
が、接合する高温超電導体が相変化をおこさず、介在し
た高温超電導体用粉体が結晶化し、かつ接合部の臨界電
流密度が２００Ａ/cm2以上になるようにするために上記
の部分溶融温度より３〜１０℃低い温度で結晶化して超
電導接合することが好ましい。なお加熱に最適の温度
は、高温超電導体用粉体の結晶粒径や周囲の酸素分圧、
昇温速度等の焼成条件により変化するため適宜選定す
る。雰囲気は、大気中、酸素を含む雰囲気中等で行うこ
とが好ましい。
【００１５】本発明において高温超電導体用粉体が結晶
化されなかったり、接合部の臨界電流密度が２００Ａ/c
m2未満であると超電導接合が困難であったり許容電流が
低いという問題点が生じる。
化されなかったり、接合部の臨界電流密度が２００Ａ/c
m2未満であると超電導接合が困難であったり許容電流が
低いという問題点が生じる。
【００１６】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。なお本発明
は以下の実施例の範囲に制限されない。 実施例１〜２、比較例１〜２ ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比率が
原子比で２：２：１：２となるように純度９９．９重量
％以上の酸化ビスマス（高純度化学研究所製）２３３．
０ｇ、炭酸ストロンチウム（高純度化学研究所製）１４
７．６ｇ、炭酸カルシウム（高純度化学研究所製）５
０．１ｇ及び酸化第二銅（高純度化学研究所製）７９．
５ｇを秤量し、出発原料粉とした。
は以下の実施例の範囲に制限されない。 実施例１〜２、比較例１〜２ ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比率が
原子比で２：２：１：２となるように純度９９．９重量
％以上の酸化ビスマス（高純度化学研究所製）２３３．
０ｇ、炭酸ストロンチウム（高純度化学研究所製）１４
７．６ｇ、炭酸カルシウム（高純度化学研究所製）５
０．１ｇ及び酸化第二銅（高純度化学研究所製）７９．
５ｇを秤量し、出発原料粉とした。
【００１７】次に上記の出発原料粉を合成樹脂ボールミ
ル内に合成樹脂製ボール及び蒸留水３００ｇと共に充て
んし、７２時間混合した後、１００℃で１２時間乾燥し
て原料混合粉末を得た。この原料混合粉末をアルミナ容
器に入れ、８２０℃で２４時間仮焼し、次いで乳鉢で平
均粒径が８μｍに乾式粉砕して高温超電導体用組成物を
得た。その後高温超電導体用組成物をジルコニア容器に
入れ、大気中で９５０℃で加熱溶融後、銀板上に流し出
し急冷した。これを乳鉢で平均粒径が１２μｍに乾式粉
砕して高温超電導体用粉体を得た。
ル内に合成樹脂製ボール及び蒸留水３００ｇと共に充て
んし、７２時間混合した後、１００℃で１２時間乾燥し
て原料混合粉末を得た。この原料混合粉末をアルミナ容
器に入れ、８２０℃で２４時間仮焼し、次いで乳鉢で平
均粒径が８μｍに乾式粉砕して高温超電導体用組成物を
得た。その後高温超電導体用組成物をジルコニア容器に
入れ、大気中で９５０℃で加熱溶融後、銀板上に流し出
し急冷した。これを乳鉢で平均粒径が１２μｍに乾式粉
砕して高温超電導体用粉体を得た。
【００１８】一方上記の高温超電導体用組成物を用いて
薄い板状に成形し、これを大気中で８７５℃で４５時間
焼成して１５×１５×厚さ２．５mmの高温超電導体薄板
を得た。次いでこの高温超電導体薄板の片側の表面に、
上記で得た高温超電導体用粉体１００重量部に対してポ
リビニルアルコール（クラレ製）１重量％水溶液を１５
重量部添加してペースト化した高温超電導体用ペースト
を０．２mmの厚さに塗布し、さらにその上面に上記と同
様の高温超電導体薄板を載せ、大気中で表１に示す温度
で１５時間加熱し、その後冷却し、６５０℃になってか
ら窒素雰囲気に変え徐冷して高温超電導接合体を得た。
薄い板状に成形し、これを大気中で８７５℃で４５時間
焼成して１５×１５×厚さ２．５mmの高温超電導体薄板
を得た。次いでこの高温超電導体薄板の片側の表面に、
上記で得た高温超電導体用粉体１００重量部に対してポ
リビニルアルコール（クラレ製）１重量％水溶液を１５
重量部添加してペースト化した高温超電導体用ペースト
を０．２mmの厚さに塗布し、さらにその上面に上記と同
様の高温超電導体薄板を載せ、大気中で表１に示す温度
で１５時間加熱し、その後冷却し、６５０℃になってか
ら窒素雰囲気に変え徐冷して高温超電導接合体を得た。
【００１９】次に上記で得た高温超電導接合体の厚み方
向に対して斜めに０．３mmの幅に切断して接合状態を顕
微鏡観察すると共に液体窒素温度７７．３Ｋにおける臨
界電流密度（以下Ｊｃとする）を測定した。その結果を
表１に示す。なお表１の接合部の結晶化状態において微
細板状結晶とは最小結晶幅が５μｍ未満、中型板状結晶
とは最小結晶幅が５〜３０μｍ未満及び大型板状結晶と
は最小結晶幅が３０μｍ以上のものを意味する。以下の
実施例及び比較例においても同じである。
向に対して斜めに０．３mmの幅に切断して接合状態を顕
微鏡観察すると共に液体窒素温度７７．３Ｋにおける臨
界電流密度（以下Ｊｃとする）を測定した。その結果を
表１に示す。なお表１の接合部の結晶化状態において微
細板状結晶とは最小結晶幅が５μｍ未満、中型板状結晶
とは最小結晶幅が５〜３０μｍ未満及び大型板状結晶と
は最小結晶幅が３０μｍ以上のものを意味する。以下の
実施例及び比較例においても同じである。
【００２０】
【表１】
【００２１】実施例３〜１０、比較例３〜５ 実施例１で得た高温超電導体用組成物に平均粒径が３０
μｍの銀粉（田中マッセイ製）を表２に示す量で添加
し、均一に混合した後、この混合粉末をジルコニア容器
に入れ、大気中で９５０℃で加熱溶融後、銀板上に流し
出し急冷した。これを乳鉢で平均粒径が８μｍに乾式粉
砕して高温超電導体用粉体を得た。以下表２に示す温度
で加熱した以外は実施例１と同様の工程を経て高温超電
導接合体を得た。
μｍの銀粉（田中マッセイ製）を表２に示す量で添加
し、均一に混合した後、この混合粉末をジルコニア容器
に入れ、大気中で９５０℃で加熱溶融後、銀板上に流し
出し急冷した。これを乳鉢で平均粒径が８μｍに乾式粉
砕して高温超電導体用粉体を得た。以下表２に示す温度
で加熱した以外は実施例１と同様の工程を経て高温超電
導接合体を得た。
【００２２】次に実施例１と同様の方法で接合状態を顕
微鏡観察すると共に液体窒素温度７７．３ＫにおけるＪ
ｃを測定した。その結果を表２に示す。
微鏡観察すると共に液体窒素温度７７．３ＫにおけるＪ
ｃを測定した。その結果を表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】実施例１１〜１８、比較例６〜８ 厚さ０．２mmの銀板上に実施例１で得た高温超電導体用
組成物を０．１mmの厚さに載せ、大気中で８９０℃で１
時間保持してから、８５０℃迄１．５℃／時間の速度で
徐冷し、その後６０℃／時間の速度で冷却する部分溶融
法で高温超電導体を得た。得られた高温超電導体は、板
状によく発達した２２１２相結晶から構成されているこ
とが光学顕微鏡及びＸ線回折結果で確認できた。ついで
高温超電導体を銀板から剥離して、乳鉢で粉砕して３２
５メッシュの篩を通し、さらに粉砕を続けて平均粒径が
１５μｍの超電導体用結晶粉とした。
組成物を０．１mmの厚さに載せ、大気中で８９０℃で１
時間保持してから、８５０℃迄１．５℃／時間の速度で
徐冷し、その後６０℃／時間の速度で冷却する部分溶融
法で高温超電導体を得た。得られた高温超電導体は、板
状によく発達した２２１２相結晶から構成されているこ
とが光学顕微鏡及びＸ線回折結果で確認できた。ついで
高温超電導体を銀板から剥離して、乳鉢で粉砕して３２
５メッシュの篩を通し、さらに粉砕を続けて平均粒径が
１５μｍの超電導体用結晶粉とした。
【００２５】一方実施例５、６等で得た銀を３重量％添
加した平均粒径が８μｍの高温超電導体用粉体に上記の
超電導体用結晶粉を表３に示す量で添加し、均一に混合
した後、この混合粉体１００重量部に対してポリビニル
アルコール（クラレ製）１重量％水溶液を１５重量部添
加してペースト化した高温超電導体用ペーストを得た。
以下この高温超電導体用ペーストを用い、表３に示す温
度で加熱した以外は実施例１と同様の工程を経て高温超
電導接合体を得た。
加した平均粒径が８μｍの高温超電導体用粉体に上記の
超電導体用結晶粉を表３に示す量で添加し、均一に混合
した後、この混合粉体１００重量部に対してポリビニル
アルコール（クラレ製）１重量％水溶液を１５重量部添
加してペースト化した高温超電導体用ペーストを得た。
以下この高温超電導体用ペーストを用い、表３に示す温
度で加熱した以外は実施例１と同様の工程を経て高温超
電導接合体を得た。
【００２６】次に実施例１と同様の方法で接合状態を顕
微鏡観察すると共に液体窒素温度７７．３ＫにおけるＪ
ｃを測定した。その結果を表３に示す。
微鏡観察すると共に液体窒素温度７７．３ＫにおけるＪ
ｃを測定した。その結果を表３に示す。
【００２７】
【表３】
【００２８】表１、表２及び表３により、本発明の製造
法で得られた高温超電導接合体は、接合部の結晶化状態
において中型板状結晶以上の比較的大きな板状結晶を有
するものが接合部のＪｃが高いことが示される。
法で得られた高温超電導接合体は、接合部の結晶化状態
において中型板状結晶以上の比較的大きな板状結晶を有
するものが接合部のＪｃが高いことが示される。
【００２９】
【発明の効果】本発明の製造法によって得られる高温超
電導接合体は、接合する高温超電導体の超電導特性を低
下させることなく良好な超電導接合が得られ、また接合
による変形量を少なくできるため所定通りに大型又は複
雑な形状のものを一体で製造することができる。
電導接合体は、接合する高温超電導体の超電導特性を低
下させることなく良好な超電導接合が得られ、また接合
による変形量を少なくできるため所定通りに大型又は複
雑な形状のものを一体で製造することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 溶融急冷後微粉砕した高温超電導体用粉
体を、接合する高温超電導体間に介在させた後、接合す
る高温超電導体が相変化をおこさず介在した高温超電導
体用粉体が結晶化し、かつ接合部の臨界電流密度が２０
０Ａ/cm2以上になる温度で加熱して高温超電導体同士を
接合することを特徴とする高温超電導接合体の製造法。 - 【請求項２】 高温超電導体用粉体が銀を０．３〜２
０．０重量％含有してなる請求項１記載の高温超電導接
合体の製造法。 - 【請求項３】 高温超電導体用粉体が接合する高温超電
導体と同じ結晶構造を有する超電導体結晶粉を１〜５０
重量％含有してなる請求項１又は２記載の高温超電導接
合体の製造法。 - 【請求項４】 高温超電導体用粉体及び接合する高温超
電導体がＢｉ系高温超電導体である請求項１、２又は３
記載の高温超電導接合体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13705694A JPH088026A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 高温超電導接合体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13705694A JPH088026A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 高温超電導接合体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088026A true JPH088026A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15189859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13705694A Pending JPH088026A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 高温超電導接合体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088026A (ja) |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP13705694A patent/JPH088026A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2707499B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| EP0390499B2 (en) | Process for producing bismuth-based superconducting material | |
| WO2003002483A1 (en) | Method of joining oxide superconductor and oxide superconductor joiner | |
| JPH088026A (ja) | 高温超電導接合体の製造法 | |
| JP3709999B2 (ja) | 高温超電導接合体の製造法 | |
| JPH0687611A (ja) | 酸化物系超電導体、その製造方法及び線材 | |
| JP2540639B2 (ja) | ビスマス系超電導体の製造方法 | |
| JPH0416511A (ja) | 酸化物超電導体およびその製造方法 | |
| JPH0255298A (ja) | 酸化物超電導体単結晶の育成方法 | |
| JP3287028B2 (ja) | Ｔｌ，Ｐｂ系酸化物超電導材及びその製造方法 | |
| JP3010363B2 (ja) | 酸化物系超電導焼結成型体の製造法 | |
| JP4190914B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体 | |
| JP5118941B2 (ja) | 酸化物超電導バルク体の製造方法および酸化物超電導バルク体 | |
| JP3568657B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造法 | |
| EP1566850B1 (en) | Oxide superconductor thick film and method for manufacturing same | |
| JPH02141423A (ja) | タリウム系超電導体の製造方法 | |
| JP2555734B2 (ja) | 超電導物質の製法 | |
| JP3157183B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造法 | |
| JPH0238359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP2685951B2 (ja) | ビスマス系超電導体の製造方法 | |
| JP2978538B2 (ja) | 高密度結晶構造の超電導材料 | |
| JPH02120234A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH02243519A (ja) | 酸化物超伝導体及びその製造方法 | |
| JPH04119922A (ja) | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH01278449A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 |