JPH088161A - 転写シミュレータ装置 - Google Patents
転写シミュレータ装置Info
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- JPH088161A JPH088161A JP6136909A JP13690994A JPH088161A JP H088161 A JPH088161 A JP H088161A JP 6136909 A JP6136909 A JP 6136909A JP 13690994 A JP13690994 A JP 13690994A JP H088161 A JPH088161 A JP H088161A
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクパターンの補正，マスクパターン欠陥
の検査などが容易に行なえる転写シミュレータ装置を提
供する。 【構成】 転写シミュレータ装置は、波長λ２の照明光
源と、コンデンサレンズ２と、投影レンズ６と、投影レ
ンズ絞り７と、受光素子１３と、データ処理装置１４
と、液晶マスク１２と、液晶制御装置１５とを備える。
照明光源１の波長λ２は、実際の露光装置における照明
光源から発せられる光の波長λ１よりも大きいものであ
る。受光素子１３はデータ処理装置１４に接続され、液
晶マスク１２は液晶制御装置１５に接続される。データ
処理装置１４と液晶制御装置１５とは接続される。
の検査などが容易に行なえる転写シミュレータ装置を提
供する。 【構成】 転写シミュレータ装置は、波長λ２の照明光
源と、コンデンサレンズ２と、投影レンズ６と、投影レ
ンズ絞り７と、受光素子１３と、データ処理装置１４
と、液晶マスク１２と、液晶制御装置１５とを備える。
照明光源１の波長λ２は、実際の露光装置における照明
光源から発せられる光の波長λ１よりも大きいものであ
る。受光素子１３はデータ処理装置１４に接続され、液
晶マスク１２は液晶制御装置１５に接続される。データ
処理装置１４と液晶制御装置１５とは接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路の製
造工程において行なわれるパターン露光の検証を行なう
ための転写シミュレータ装置に関するものである。
造工程において行なわれるパターン露光の検証を行なう
ための転写シミュレータ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、デバイスの高集積化の要求はます
ます高まってきている。それに伴い、半導体集積回路に
おけるパターンの微細化が要求されてきている。半導体
集積回路の製造工程には、半導体集積回路におけるパタ
ーンを形成する際の１つの工程として露光工程がある。
図５は、このような露光工程において用いられる従来の
縮小投影露光装置の概略構成を示す模式図である。
ます高まってきている。それに伴い、半導体集積回路に
おけるパターンの微細化が要求されてきている。半導体
集積回路の製造工程には、半導体集積回路におけるパタ
ーンを形成する際の１つの工程として露光工程がある。
図５は、このような露光工程において用いられる従来の
縮小投影露光装置の概略構成を示す模式図である。
【０００３】図５を参照して、縮小投影露光装置は、波
長λ１の光を発する照明光源１１と、この照明光源１１
下に配置されたコンデンサレンズ２と、コンデンサレン
ズ２下に配置されたマスクホルダ５と、マスクホルダ５
下に配置された投影レンズ６および投影レンズ絞り７
と、ウェハステージ１０とを有する。マスクホルダ５上
には所定のマスクパターン４が形成されたフォトマスク
３が載置される。ウェハステージ１０上には、所定のレ
ジストパターン９が形成される露光基板８が載置され
る。
長λ１の光を発する照明光源１１と、この照明光源１１
下に配置されたコンデンサレンズ２と、コンデンサレン
ズ２下に配置されたマスクホルダ５と、マスクホルダ５
下に配置された投影レンズ６および投影レンズ絞り７
と、ウェハステージ１０とを有する。マスクホルダ５上
には所定のマスクパターン４が形成されたフォトマスク
３が載置される。ウェハステージ１０上には、所定のレ
ジストパターン９が形成される露光基板８が載置され
る。
【０００４】上記の構成を有する露光装置において、照
明光源１１から発せられた光は、コンデンサレンズ２，
フォトマスク３，投影レンズ６および投影レンズ絞り７
を透過して露光基板８上に照射される。このとき、露光
基板８表面には、レジストなどの感光性材料が塗布され
ている。この感光性材料に、上記の光が照射される。そ
して、現像工程を経て、露光基板８の表面にレジストパ
ターン９が形成されることになる。このレジストパター
ン９を用いて、半導体集積回路における種々のパターン
形成が行なわれる。
明光源１１から発せられた光は、コンデンサレンズ２，
フォトマスク３，投影レンズ６および投影レンズ絞り７
を透過して露光基板８上に照射される。このとき、露光
基板８表面には、レジストなどの感光性材料が塗布され
ている。この感光性材料に、上記の光が照射される。そ
して、現像工程を経て、露光基板８の表面にレジストパ
ターン９が形成されることになる。このレジストパター
ン９を用いて、半導体集積回路における種々のパターン
形成が行なわれる。
【０００５】上述のように、パターンの微細化に伴い、
上記のレジストパターン９にも微細なパターン形状が要
求される。このような微細なレジストパターン９を形成
するための一手法として、ｉ線などの短波長の光を使用
する手法を挙げることができる。このｉ線の波長λは、
３６５ｎｍ程度である。このように短波長のｉ線などの
光を使用することによって、微細なパターンの形成が可
能となる。今後さらに微細なパターンを形成するには、
このｉ線よりもさらに短波長の光を使用することが考え
られる。
上記のレジストパターン９にも微細なパターン形状が要
求される。このような微細なレジストパターン９を形成
するための一手法として、ｉ線などの短波長の光を使用
する手法を挙げることができる。このｉ線の波長λは、
３６５ｎｍ程度である。このように短波長のｉ線などの
光を使用することによって、微細なパターンの形成が可
能となる。今後さらに微細なパターンを形成するには、
このｉ線よりもさらに短波長の光を使用することが考え
られる。
【０００６】上記のように短波長の光を用いて露光を行
なう場合には、実際に露光されるパターンの光強度を受
光素子などによって電気信号化することは困難であっ
た。そのため、マスク上の欠陥を調べる方法としては、
ブロードバンド光による画像処理を使用した方法やレー
ザ光をマスクに当て散乱光を検知する方法などが用いら
れてきた。
なう場合には、実際に露光されるパターンの光強度を受
光素子などによって電気信号化することは困難であっ
た。そのため、マスク上の欠陥を調べる方法としては、
ブロードバンド光による画像処理を使用した方法やレー
ザ光をマスクに当て散乱光を検知する方法などが用いら
れてきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では、半透明な欠陥や高さのごく微小な欠陥は検出
することが困難であった。そのため、実際にレジストに
パターンを転写することによって、マスクの欠陥を発見
しようとしていた。
方法では、半透明な欠陥や高さのごく微小な欠陥は検出
することが困難であった。そのため、実際にレジストに
パターンを転写することによって、マスクの欠陥を発見
しようとしていた。
【０００８】しかし、実際にマスクパターンをレジスト
に転写してマスクの欠陥を発見する方法も煩雑であり、
パターンの微細化，複雑化，露光領域の広域化によって
欠陥の発見を難しくしていた。また、露光パターンの微
細化，複雑化，露光領域の広域化により、露光前に予め
露光が困難な場所の検討をつけなければ、正常に露光で
きていないところを発見するのは困難なものとなってき
ている。
に転写してマスクの欠陥を発見する方法も煩雑であり、
パターンの微細化，複雑化，露光領域の広域化によって
欠陥の発見を難しくしていた。また、露光パターンの微
細化，複雑化，露光領域の広域化により、露光前に予め
露光が困難な場所の検討をつけなければ、正常に露光で
きていないところを発見するのは困難なものとなってき
ている。
【０００９】さらに、パターンの微細化に伴いマスクパ
ターンをレジストに転写する際に、同一マスク上の異な
るパターンを同一の露光量で目標寸法にすることが困難
となってきている。そのため、予めマスク上のパターン
寸法を調整する必要も出てきている。さらに、上述のよ
うな短波長の光を用いる露光装置において用いられるレ
ンズも高価なものを使用する必要があった。
ターンをレジストに転写する際に、同一マスク上の異な
るパターンを同一の露光量で目標寸法にすることが困難
となってきている。そのため、予めマスク上のパターン
寸法を調整する必要も出てきている。さらに、上述のよ
うな短波長の光を用いる露光装置において用いられるレ
ンズも高価なものを使用する必要があった。
【００１０】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたものである。この発明の目的は、マスク欠
陥が容易に発見でき、かつ露光パターンの検証が容易と
なる安価な転写シミュレータ装置を提供することにあ
る。
めになされたものである。この発明の目的は、マスク欠
陥が容易に発見でき、かつ露光パターンの検証が容易と
なる安価な転写シミュレータ装置を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に従う転写シミ
ュレータ装置は、一つの局面では、第１の波長λ１の光
を用い第１の開口数ＮＡ１の光学系を有する露光装置に
よって行なわれるパターン露光の検証を行なうための転
写シミュレータ装置であることを前提とする。この転写
シミュレータ装置は、１つの局面では、光源と、マスク
と、第１と第２の光学系と、受光素子と、データ処理装
置とを備える。光源は、第１の波長λ１より長波長であ
る第２の波長λ２の光を発する。マスクは、光源下に配
置される。第１と第２の光学系は、光源下においてマス
クを上下から挟むように配置され、（λ２／λ１）×Ｎ
Ａ１で表わされる第２の開口数ＮＡ２を有する。第２の
光学系は、マスク下に位置する。受光素子は、この第２
の光学系下に配置される。データ処理装置は、受光素子
に接続され、受光素子によって検知されたデータを処理
する。なお、本明細書において、「受光素子」とは、Ｃ
ＣＤ（Charge Coupled Device ），撮像管など照射され
た光を検知して電気信号に変換しうる素子のことを称す
るものとする。
ュレータ装置は、一つの局面では、第１の波長λ１の光
を用い第１の開口数ＮＡ１の光学系を有する露光装置に
よって行なわれるパターン露光の検証を行なうための転
写シミュレータ装置であることを前提とする。この転写
シミュレータ装置は、１つの局面では、光源と、マスク
と、第１と第２の光学系と、受光素子と、データ処理装
置とを備える。光源は、第１の波長λ１より長波長であ
る第２の波長λ２の光を発する。マスクは、光源下に配
置される。第１と第２の光学系は、光源下においてマス
クを上下から挟むように配置され、（λ２／λ１）×Ｎ
Ａ１で表わされる第２の開口数ＮＡ２を有する。第２の
光学系は、マスク下に位置する。受光素子は、この第２
の光学系下に配置される。データ処理装置は、受光素子
に接続され、受光素子によって検知されたデータを処理
する。なお、本明細書において、「受光素子」とは、Ｃ
ＣＤ（Charge Coupled Device ），撮像管など照射され
た光を検知して電気信号に変換しうる素子のことを称す
るものとする。
【００１２】この発明に従う転写シミュレータ装置は、
他の局面では、第１と第２の光源と、マスクと、第１と
第２の光学系と、第３と第４の光学系と、第１と第２の
受光素子と、データ処理装置とを備える。第１と第２の
光源は、第１の波長λ１よりも長波長である第２の波長
λ２の光を発する。マスクは、第１および第２の光源下
に配置され、このマスクには同一形状の第１と第２のパ
ターンが形成される。第１と第２の光学系は、第１の光
源下において第１のパターンを上下から挟むように配置
され、（λ２／λ１）×ＮＡ１で表わされる第２の開口
数ＮＡ２を有する。第２の光学系はマスク下に配置され
る。第３と第４の光学系は、第２の光源下において第２
のパターンを上下から挟むように配置され、（λ２／λ
１）×ＮＡ１で表わされる第２の開口数ＮＡ２を有す
る。第４の光学系はマスク下に配置される。第１の受光
素子は第２の光学系下に配置される。第２の受光素子は
第４の光学系下に配置される。データ処理装置は、第１
と第２の受光素子に接続され、この第１と第２の受光素
子によって検知されたデータを比較する。
他の局面では、第１と第２の光源と、マスクと、第１と
第２の光学系と、第３と第４の光学系と、第１と第２の
受光素子と、データ処理装置とを備える。第１と第２の
光源は、第１の波長λ１よりも長波長である第２の波長
λ２の光を発する。マスクは、第１および第２の光源下
に配置され、このマスクには同一形状の第１と第２のパ
ターンが形成される。第１と第２の光学系は、第１の光
源下において第１のパターンを上下から挟むように配置
され、（λ２／λ１）×ＮＡ１で表わされる第２の開口
数ＮＡ２を有する。第２の光学系はマスク下に配置され
る。第３と第４の光学系は、第２の光源下において第２
のパターンを上下から挟むように配置され、（λ２／λ
１）×ＮＡ１で表わされる第２の開口数ＮＡ２を有す
る。第４の光学系はマスク下に配置される。第１の受光
素子は第２の光学系下に配置される。第２の受光素子は
第４の光学系下に配置される。データ処理装置は、第１
と第２の受光素子に接続され、この第１と第２の受光素
子によって検知されたデータを比較する。
【００１３】
【作用】この発明に従う転写シミュレータ装置によれ
ば、一つの局面では、実際に露光に使用される光の波長
よりも長波長の光を使用している。これは、転写シミュ
レータ装置内の光学系の開口数を調整することによって
このような長波長の光の使用が可能となる。このよう
に、長波長の光を使用することによって、ＣＣＤ，撮像
管などの受光素子によって露光された光の強度を検知す
ることが可能となる。このように検知されたデータは、
データ処理装置に送られる。そして、このデータ処理装
置内で、実際に露光されるべきパターンデータと、上記
の受光素子によって検知されたデータとを比較する。そ
れにより、容易にマスク欠陥あるいは露光パターンの欠
陥の発見あるいは修正をすることが可能となる。
ば、一つの局面では、実際に露光に使用される光の波長
よりも長波長の光を使用している。これは、転写シミュ
レータ装置内の光学系の開口数を調整することによって
このような長波長の光の使用が可能となる。このよう
に、長波長の光を使用することによって、ＣＣＤ，撮像
管などの受光素子によって露光された光の強度を検知す
ることが可能となる。このように検知されたデータは、
データ処理装置に送られる。そして、このデータ処理装
置内で、実際に露光されるべきパターンデータと、上記
の受光素子によって検知されたデータとを比較する。そ
れにより、容易にマスク欠陥あるいは露光パターンの欠
陥の発見あるいは修正をすることが可能となる。
【００１４】この発明に従う転写シミュレータ装置によ
れば、他の局面では、マスク上に同一形状の第１と第２
のパターンが形成されている。この第１と第２のパター
ンに従った露光パターンが、第１と第２の受光素子によ
ってそれぞれ検知される。この第１と第２の受光素子
は、ともに同一のデータ処理装置に接続されている。そ
れにより、上記の第１と第２の受光素子によって検知さ
れたデータ同士を比較することが可能となる。それによ
り、マスク欠陥を検知することが可能となるとともに、
欠陥サイズの許容度をも判定することが可能となる。
れば、他の局面では、マスク上に同一形状の第１と第２
のパターンが形成されている。この第１と第２のパター
ンに従った露光パターンが、第１と第２の受光素子によ
ってそれぞれ検知される。この第１と第２の受光素子
は、ともに同一のデータ処理装置に接続されている。そ
れにより、上記の第１と第２の受光素子によって検知さ
れたデータ同士を比較することが可能となる。それによ
り、マスク欠陥を検知することが可能となるとともに、
欠陥サイズの許容度をも判定することが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明に従う実施例について、図１
〜図４を用いて説明する。
〜図４を用いて説明する。
【００１６】（第１実施例）まず、図１を用いて、この
発明に従う第１の実施例について説明する。図１は、こ
の発明に従う第１の実施例における転写シミュレータ装
置の概略構成を示す模式図である。
発明に従う第１の実施例について説明する。図１は、こ
の発明に従う第１の実施例における転写シミュレータ装
置の概略構成を示す模式図である。
【００１７】図１を参照して、転写シミュレータ装置
は、波長λ２の光を発する照明光源１と、コンデンサレ
ンズ２と、投影レンズ６と、投影レンズ絞り７と、受光
素子１３と、データ処理装置１４と、液晶マスク１２
と、液晶制御装置１５とを備える。
は、波長λ２の光を発する照明光源１と、コンデンサレ
ンズ２と、投影レンズ６と、投影レンズ絞り７と、受光
素子１３と、データ処理装置１４と、液晶マスク１２
と、液晶制御装置１５とを備える。
【００１８】照明光源１から発せられる光の波長λ２
は、実際に露光に用いられる光の波長λ１よりも長いも
のである。具体的には、波長λ２は、４００ｎｍ〜５０
０ｎｍ程度以上のものである。照明光源１としては、水
銀ランプなどを用いることができる。このような比較的
長波長の光を使用することによって、露光された光をＣ
ＣＤなどの受光素子１３によって検知することが可能と
なる。
は、実際に露光に用いられる光の波長λ１よりも長いも
のである。具体的には、波長λ２は、４００ｎｍ〜５０
０ｎｍ程度以上のものである。照明光源１としては、水
銀ランプなどを用いることができる。このような比較的
長波長の光を使用することによって、露光された光をＣ
ＣＤなどの受光素子１３によって検知することが可能と
なる。
【００１９】コンデンサレンズ２と投影レンズ６の開口
数ＮＡ２は、次の式で表わされる。 ＮＡ２＝（λ２／λ１）×ＮＡ１ このように、コンデンサレンズ２および投影レンズ６の
開口数ＮＡ２を規定することによって、これらは、実際
に露光が行なわれる露光装置のコンデンサレンズ２と投
影レンズ６に対して数学的に等価なものとなる。それに
より、実際の露光に用いられる光の波長よりも長波長の
光を使用して、実際の露光現象に極めて近い現象を再現
可能な転写シミュレータ装置が得られる。
数ＮＡ２は、次の式で表わされる。 ＮＡ２＝（λ２／λ１）×ＮＡ１ このように、コンデンサレンズ２および投影レンズ６の
開口数ＮＡ２を規定することによって、これらは、実際
に露光が行なわれる露光装置のコンデンサレンズ２と投
影レンズ６に対して数学的に等価なものとなる。それに
より、実際の露光に用いられる光の波長よりも長波長の
光を使用して、実際の露光現象に極めて近い現象を再現
可能な転写シミュレータ装置が得られる。
【００２０】液晶マスク１２は、液晶により構成される
マスクである。液晶マスク１２には、この液晶マスク１
２に形成されるパターン形状を制御するための液晶制御
装置１５が接続される。この液晶制御装置１５を有する
ことによって、液晶マスク１２に形成されるパターン形
状を種々のものに容易に変更することが可能となる。こ
の液晶制御装置１５は、データ処理装置１４に接続され
ている。データ処理装置１４は、受光素子１３に接続さ
れる。
マスクである。液晶マスク１２には、この液晶マスク１
２に形成されるパターン形状を制御するための液晶制御
装置１５が接続される。この液晶制御装置１５を有する
ことによって、液晶マスク１２に形成されるパターン形
状を種々のものに容易に変更することが可能となる。こ
の液晶制御装置１５は、データ処理装置１４に接続され
ている。データ処理装置１４は、受光素子１３に接続さ
れる。
【００２１】以上のような構成を有する転写シミュレー
タ装置を用いて実際にシミュレータを行なう際には、ま
ず、所定形状のパターンが形成された液晶マスク１２を
所定位置に設置する。そして、照明光源１によって、実
際の露光波長λ１よりも長波長の波長λ２の光を照射す
る。この光は、コンデンサレンズ２を透過して液晶マス
ク１２に照射される。そして、さらに、投影レンズ６お
よび投影レンズ絞り７を透過して、液晶マスク１２のパ
ターンに従った光が受光素子１３に照射される。そし
て、受光素子１３によって結像した光強度を検知する。
このようにして受光素子１３によって検知されたデータ
をデータ処理装置１４に送り込む。このとき、データ処
理装置１４には予め実際に露光を行ないたいパターンデ
ータが記憶されている。このパターンデータと、受光素
子１３によって検知されたデータとを比較する。そし
て、パターンデータと検知データとがずれていた場合に
は、その補正値を計算して液晶制御装置１５にそのデー
タをフィードバックする。そして、このデータに応じ
て、液晶制御装置１５によって、液晶マスク１２のマス
クパターン４の形状を適宜修正する。このとき、液晶１
２には、次の式で表わされるサイズのマスクパターンが
形成されることになる。
タ装置を用いて実際にシミュレータを行なう際には、ま
ず、所定形状のパターンが形成された液晶マスク１２を
所定位置に設置する。そして、照明光源１によって、実
際の露光波長λ１よりも長波長の波長λ２の光を照射す
る。この光は、コンデンサレンズ２を透過して液晶マス
ク１２に照射される。そして、さらに、投影レンズ６お
よび投影レンズ絞り７を透過して、液晶マスク１２のパ
ターンに従った光が受光素子１３に照射される。そし
て、受光素子１３によって結像した光強度を検知する。
このようにして受光素子１３によって検知されたデータ
をデータ処理装置１４に送り込む。このとき、データ処
理装置１４には予め実際に露光を行ないたいパターンデ
ータが記憶されている。このパターンデータと、受光素
子１３によって検知されたデータとを比較する。そし
て、パターンデータと検知データとがずれていた場合に
は、その補正値を計算して液晶制御装置１５にそのデー
タをフィードバックする。そして、このデータに応じ
て、液晶制御装置１５によって、液晶マスク１２のマス
クパターン４の形状を適宜修正する。このとき、液晶１
２には、次の式で表わされるサイズのマスクパターンが
形成されることになる。
【００２２】（実際に露光したいパターンデータのサイ
ズ）×（λ２／λ１）×（本光学系の投影倍率） 以上のようにして、受光素子１３を用いて露光された光
のパターンを検知し、それをフィードバックするといっ
た動作が繰り返される。それにより、実際に露光したい
パターンデータが得られるように、マスクパターン形状
を補正することが可能となる。その結果、実際に露光さ
れたときの光学的要因によるレジスト寸法のずれを引起
こさないようなマスクパターンを有するフォトマスクを
容易に形成することができる。
ズ）×（λ２／λ１）×（本光学系の投影倍率） 以上のようにして、受光素子１３を用いて露光された光
のパターンを検知し、それをフィードバックするといっ
た動作が繰り返される。それにより、実際に露光したい
パターンデータが得られるように、マスクパターン形状
を補正することが可能となる。その結果、実際に露光さ
れたときの光学的要因によるレジスト寸法のずれを引起
こさないようなマスクパターンを有するフォトマスクを
容易に形成することができる。
【００２３】（第２実施例）次に、図２を用いて、この
発明に従う第２の実施例について説明する。図２は、こ
の発明に従う第２の実施例における転写シミュレータ装
置を示す模式図である。
発明に従う第２の実施例について説明する。図２は、こ
の発明に従う第２の実施例における転写シミュレータ装
置を示す模式図である。
【００２４】図２を参照して、本実施例における転写シ
ミュレータ装置では、マスクホルダ５が設けられてい
る。そして、このマスクホルダ５上には、上記の第１の
実施例における転写シミュレータ装置を用いてマスクパ
ターンが補正されたフォトマスク３が載置される。ま
た、本実施例においては、液晶マスク１２および液晶制
御装置１５は設けられていない。それ以外の構造に関し
ては図１に示される第１の実施例における転写シミュレ
ータ装置と同様である。
ミュレータ装置では、マスクホルダ５が設けられてい
る。そして、このマスクホルダ５上には、上記の第１の
実施例における転写シミュレータ装置を用いてマスクパ
ターンが補正されたフォトマスク３が載置される。ま
た、本実施例においては、液晶マスク１２および液晶制
御装置１５は設けられていない。それ以外の構造に関し
ては図１に示される第１の実施例における転写シミュレ
ータ装置と同様である。
【００２５】上記のようにマスクホルダ５上にフォトマ
スク３を載置して露光シミュレーションを行なうことに
よって、フォトマスク３のマスクパターン４が、目標ど
おり製造されたかどうかを検証することが可能となる。
つまり、マスクパターンの補正後の検証を行なうことが
可能となる。
スク３を載置して露光シミュレーションを行なうことに
よって、フォトマスク３のマスクパターン４が、目標ど
おり製造されたかどうかを検証することが可能となる。
つまり、マスクパターンの補正後の検証を行なうことが
可能となる。
【００２６】（第３実施例）次に、この発明に従う第３
の実施例における転写シミュレータ装置について説明す
る。図３は、この発明に従う第３の実施例における転写
シミュレータ装置の概略構成を示す模式図である。
の実施例における転写シミュレータ装置について説明す
る。図３は、この発明に従う第３の実施例における転写
シミュレータ装置の概略構成を示す模式図である。
【００２７】図３を参照して、本実施例における転写シ
ミュレータ装置は、波長λ２の光を発する光源１ａ，１
ｂと、コンデンサレンズ２ａ，２ｂと、フォトマスク３
と、投影レンズ６ａ，６ｂと、投影レンズ絞り７ａ，７
ｂと、受光素子１３ａ，１３ｂとを有する。そして、マ
スクホルダ５上には、同一形状のマスクパターン４ａ，
４ｂを有するフォトマスク３が載置される。
ミュレータ装置は、波長λ２の光を発する光源１ａ，１
ｂと、コンデンサレンズ２ａ，２ｂと、フォトマスク３
と、投影レンズ６ａ，６ｂと、投影レンズ絞り７ａ，７
ｂと、受光素子１３ａ，１３ｂとを有する。そして、マ
スクホルダ５上には、同一形状のマスクパターン４ａ，
４ｂを有するフォトマスク３が載置される。
【００２８】上記の転写シミュレータ装置によれば、同
一のマスクパターンによる２種類のデータが、受光素子
１３ａ，１３ｂによってそれぞれ検知される。そして、
データ処理装置１４によってこの２種類のデータを比較
することによって、マスクパターンの欠陥を比較検査す
ることが可能となる。また、このとき、転写シミュレー
タ装置に用いられている光学系が実際に露光を行なう露
光装置の光学系と等価なものであるため、欠陥サイズの
許容度をも含めて判定することも可能となる。
一のマスクパターンによる２種類のデータが、受光素子
１３ａ，１３ｂによってそれぞれ検知される。そして、
データ処理装置１４によってこの２種類のデータを比較
することによって、マスクパターンの欠陥を比較検査す
ることが可能となる。また、このとき、転写シミュレー
タ装置に用いられている光学系が実際に露光を行なう露
光装置の光学系と等価なものであるため、欠陥サイズの
許容度をも含めて判定することも可能となる。
【００２９】（第４実施例）次に、図４を用いて、この
発明に従う第４の実施例における転写シミュレータ装置
について説明する。図４は、この発明に従う第４の実施
例における転写シミュレータ装置の概略構成を示す模式
図である。
発明に従う第４の実施例における転写シミュレータ装置
について説明する。図４は、この発明に従う第４の実施
例における転写シミュレータ装置の概略構成を示す模式
図である。
【００３０】図４を参照して、本実施例における転写シ
ミュレータ装置においては、受光素子１３を上下方向に
移動させる昇降装置１６が設けられている。この昇降装
置１６はデータ処理装置１４に接続されている。それ以
外の構造に関しては図２に示される第２の実施例におけ
る転写シミュレータ装置と同様である。
ミュレータ装置においては、受光素子１３を上下方向に
移動させる昇降装置１６が設けられている。この昇降装
置１６はデータ処理装置１４に接続されている。それ以
外の構造に関しては図２に示される第２の実施例におけ
る転写シミュレータ装置と同様である。
【００３１】上記のように、昇降装置１６を設けること
によって、受光素子１３を上下方向に移動させることが
可能となる。それにより、パターンの焦点深度を見積る
ことが可能となる。具体的には、（実際の基板上で動か
した高さ）×（λ１／λ２）で示される量だけ、受光素
子１３を高さ方向に移動させることによって、実際の基
板上での高さ方向の許容値を事前に見積ることが可能と
なる。
によって、受光素子１３を上下方向に移動させることが
可能となる。それにより、パターンの焦点深度を見積る
ことが可能となる。具体的には、（実際の基板上で動か
した高さ）×（λ１／λ２）で示される量だけ、受光素
子１３を高さ方向に移動させることによって、実際の基
板上での高さ方向の許容値を事前に見積ることが可能と
なる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、実際に露光に用いられる波長よりも長波長の光を用
いて露光を行なうので、受光素子によってその露光パタ
ーンを検知することが可能となる。このとき、転写シミ
ュレータ装置に用いられる光学系は、実際の露光装置に
用いられる光学系と等価なものであるため、実際の露光
装置と近似した結果が得られる。以上のことより、従来
例のように、実際にレジストに転写することなく、マス
クパターンの補正，マスクパターン欠陥の検査，パター
ンの焦点深度の見積りなどの作業を行なうことが可能と
なる。その結果、前述の作業を従来例よりも容易に行な
うことが可能となる。また、比較的長波長の光を用いる
ので、転写シミュレータ装置に用いる光学系を従来例よ
りも安価なものとすることも可能となる。
ば、実際に露光に用いられる波長よりも長波長の光を用
いて露光を行なうので、受光素子によってその露光パタ
ーンを検知することが可能となる。このとき、転写シミ
ュレータ装置に用いられる光学系は、実際の露光装置に
用いられる光学系と等価なものであるため、実際の露光
装置と近似した結果が得られる。以上のことより、従来
例のように、実際にレジストに転写することなく、マス
クパターンの補正，マスクパターン欠陥の検査，パター
ンの焦点深度の見積りなどの作業を行なうことが可能と
なる。その結果、前述の作業を従来例よりも容易に行な
うことが可能となる。また、比較的長波長の光を用いる
ので、転写シミュレータ装置に用いる光学系を従来例よ
りも安価なものとすることも可能となる。
【図１】 この発明に従う第１の実施例における転写シ
ミュレータ装置を示す模式図である。
ミュレータ装置を示す模式図である。
【図２】 この発明に従う第２の実施例における転写シ
ミュレータ装置を示す模式図である。
ミュレータ装置を示す模式図である。
【図３】 この発明に従う第３の実施例における転写シ
ミュレータ装置を示す模式図である。
ミュレータ装置を示す模式図である。
【図４】 この発明に従う第４の実施例における転写シ
ミュレータ装置を示す模式図である。
ミュレータ装置を示す模式図である。
【図５】 従来の縮小投影露光装置の概略構成を示す模
式図である。
式図である。
１，１１ 照明光源、２ コンデンサレンズ、３ フォ
トマスク、４ マスクパターン、５ マスクホルダ、６
投影レンズ、７ 投影レンズ絞り、８ 露光基板、９
レジストパターン、１０ ウェハステージ、１２ 液
晶マスク、１３受光素子、１４ データ処理装置、１５
液晶制御装置、１６ 昇降装置。
トマスク、４ マスクパターン、５ マスクホルダ、６
投影レンズ、７ 投影レンズ絞り、８ 露光基板、９
レジストパターン、１０ ウェハステージ、１２ 液
晶マスク、１３受光素子、１４ データ処理装置、１５
液晶制御装置、１６ 昇降装置。
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の波長λ１の光を用い第１の開口数
ＮＡ１の光学系を有する露光装置によって行なわれるパ
ターン露光の検証を行なうための転写シミュレータ装置
であって、 前記第１の波長λ１より長波長である第２の波長λ２の
光を発する光源と、 前記光源下に配置されたマスクと、 前記光源下において前記マスクを上下から挟むように配
置され、（λ２／λ１）×ＮＡ１で表わされる第２の開
口数ＮＡ２を有する第１と第２の光学系と、 前記第２の光学系下に配置された受光素子と、 前記受光素子に接続され、前記受光素子によって検知さ
れたデータを処理するためのデータ処理装置と、を備え
た転写シミュレータ装置。 - 【請求項２】 前記マスクは、液晶により構成される液
晶マスクであり、 前記液晶マスクには、前記データ処理装置で処理された
データに基づいて前記液晶マスクのパターン形状を制御
する液晶制御装置が接続される、請求項１に記載の転写
シミュレータ装置。 - 【請求項３】 前記転写シミュレータ装置は、さらに、
前記受光素子を上下に移動させるための移動手段を備え
る、請求項１に記載の転写シミュレータ装置。 - 【請求項４】 第１の波長λ１の光を用い第１の開口数
ＮＡ１の光学系を有する露光装置によって行なわれるパ
ターン露光の検証を行なうための転写シミュレータ装置
であって、 前記第１の波長λ１よりも長波長である第２の波長λ２
の光を発する第１と第２の光源と、 前記第１および第２の光源下に配置され、同一形状の第
１と第２のパターンが形成されたマスクと、 前記第１の光源下において前記第１のパターンを上下か
ら挟むように配置され、（λ２／λ１）×ＮＡ１で表わ
される第２の開口数ＮＡ２を有する第１と第２の光学系
と、 前記第２の光源下において前記第２のパターンを上下か
ら挟むように配置され、（λ２／λ１）×ＮＡ１で表わ
される第２の開口数ＮＡ２を有する第３と第４の光学系
と、 前記第２と第４の光学系下にそれぞれ配置された第１と
第２の受光素子と、 前記第１と第２の受光素子に接続され、前記第１と第２
の受光素子によって検知されたデータを比較するための
データ処理装置と、を備えた転写シミュレータ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6136909A JPH088161A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 転写シミュレータ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6136909A JPH088161A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 転写シミュレータ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088161A true JPH088161A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15186414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6136909A Withdrawn JPH088161A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 転写シミュレータ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088161A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002039189A1 (fr) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Dispositif de transfert de motif comportant un projecteur pour circuits imprimes |
| JP2005510860A (ja) * | 2001-11-27 | 2005-04-21 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | 画像化装置 |
| JP2007065668A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びレチクル誘導ｃｄｕを補償するデバイス製造方法 |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP6136909A patent/JPH088161A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002039189A1 (fr) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Dispositif de transfert de motif comportant un projecteur pour circuits imprimes |
| US6967708B1 (en) | 2000-11-10 | 2005-11-22 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Pattern transfer device using PC projector |
| JP2005510860A (ja) * | 2001-11-27 | 2005-04-21 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | 画像化装置 |
| JP2007065668A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びレチクル誘導ｃｄｕを補償するデバイス製造方法 |
| US8937705B2 (en) | 2005-08-31 | 2015-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method with radiation beam inspection using moveable reflecting device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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