JPH088189B2 - 積層磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
積層磁器コンデンサの製造方法Info
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- JPH088189B2 JPH088189B2 JP3061279A JP6127991A JPH088189B2 JP H088189 B2 JPH088189 B2 JP H088189B2 JP 3061279 A JP3061279 A JP 3061279A JP 6127991 A JP6127991 A JP 6127991A JP H088189 B2 JPH088189 B2 JP H088189B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大容量化が可能な積層
磁器コンデンサの製造方法に関する。
磁器コンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体磁器コンデンサの１種として表面
再酸化型半導体磁器コンデンサが知られている。この表
面再酸化型半導体磁器コンデンサを製造する時には、例
えば、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）から成る主成
分に、原子価制御材料としての希土類元素（Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等）の酸化物と、Ｍｎ化合物
と、ＣａＺｒＯ3 とを添加した磁器材料組成物の成形体
を形成し、この成形体を１３００〜１３２０℃、大気中
（酸化性雰囲気）で焼成して磁器焼結体を得る。次に、
焼結体を水素と窒素とから成る還元性雰囲気中で１０２
０〜１１００℃で熱処理を施して半導体磁器に変える。
次に、半導体磁器に大気中（酸化性雰囲気）で１０００
〜１０４０℃の熱処理（再酸化処理）を施して半導体磁
器の表面に酸化層から成る誘電体磁器層（膜）を形成す
る。しかる後、誘電体磁器層の上に銀ペーストを塗布し
て焼付けることによって一対の電極を形成する。
再酸化型半導体磁器コンデンサが知られている。この表
面再酸化型半導体磁器コンデンサを製造する時には、例
えば、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）から成る主成
分に、原子価制御材料としての希土類元素（Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等）の酸化物と、Ｍｎ化合物
と、ＣａＺｒＯ3 とを添加した磁器材料組成物の成形体
を形成し、この成形体を１３００〜１３２０℃、大気中
（酸化性雰囲気）で焼成して磁器焼結体を得る。次に、
焼結体を水素と窒素とから成る還元性雰囲気中で１０２
０〜１１００℃で熱処理を施して半導体磁器に変える。
次に、半導体磁器に大気中（酸化性雰囲気）で１０００
〜１０４０℃の熱処理（再酸化処理）を施して半導体磁
器の表面に酸化層から成る誘電体磁器層（膜）を形成す
る。しかる後、誘電体磁器層の上に銀ペーストを塗布し
て焼付けることによって一対の電極を形成する。
【０００３】この表面再酸化型半導体磁器コンデンサに
おいては、半導体磁器層がコンデンサの電極として働
き、半導体磁器層と電極との間の１０〜２０μｍ程度の
極めて薄い誘電体磁器層がコンデンサの誘電体層として
働く。従って、等価的な（見かけ上の）比誘電率が大き
くなり、大容量化が可能になる。
おいては、半導体磁器層がコンデンサの電極として働
き、半導体磁器層と電極との間の１０〜２０μｍ程度の
極めて薄い誘電体磁器層がコンデンサの誘電体層として
働く。従って、等価的な（見かけ上の）比誘電率が大き
くなり、大容量化が可能になる。
【０００４】上記の説明では一対の電極を銀にしたの
で、一対の電極の間に２つの誘電体磁器層が介在し、等
価的に２つのコンデンサが直列接続される。この結果、
大容量が阻害される。この問題を解決するために、誘電
体磁器の一部を除去して半導体磁器層を露出させ、ここ
に一方の電極をオーミックコンタクトさせることがあ
る。また、一方の電極材料をＺｎ等の卑金属とし、電極
を焼付ける時に卑金属で誘電体磁器層を還元し、半導体
磁器層にオーミックコンタクトして電極を形成すること
がある。
で、一対の電極の間に２つの誘電体磁器層が介在し、等
価的に２つのコンデンサが直列接続される。この結果、
大容量が阻害される。この問題を解決するために、誘電
体磁器の一部を除去して半導体磁器層を露出させ、ここ
に一方の電極をオーミックコンタクトさせることがあ
る。また、一方の電極材料をＺｎ等の卑金属とし、電極
を焼付ける時に卑金属で誘電体磁器層を還元し、半導体
磁器層にオーミックコンタクトして電極を形成すること
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように種々の大
容量化が試みられているにも拘らず、表面再酸化型半導
体磁器コンデンサは、積層化が不可能であるために、更
に小型化及び大容量化することが不可能であった。
容量化が試みられているにも拘らず、表面再酸化型半導
体磁器コンデンサは、積層化が不可能であるために、更
に小型化及び大容量化することが不可能であった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、小型化及び大容
量化が可能な表面再酸化型の積層磁器コンデンサを容易
に製造することが可能な方法を提供することにある。
量化が可能な表面再酸化型の積層磁器コンデンサを容易
に製造することが可能な方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係わる積層磁器コンデンサの製造方法は、半
導体磁器材料から成る未焼結シートにパラジウム（Ｐ
ｄ）と卑金属とを含む導電性ペーストを所定パターンに
塗布して導電層を形成する工程と、前記導電層が塗布さ
れた前記シートを複数枚積層して積層体を得る工程と、
パラジウムが酸化パラジウムになり、しかる後酸化パラ
ジウムが再びパラジウムに戻るような昇温過程を有して
前記積層体を酸化雰囲気中で焼成する工程とを有する。
の本発明に係わる積層磁器コンデンサの製造方法は、半
導体磁器材料から成る未焼結シートにパラジウム（Ｐ
ｄ）と卑金属とを含む導電性ペーストを所定パターンに
塗布して導電層を形成する工程と、前記導電層が塗布さ
れた前記シートを複数枚積層して積層体を得る工程と、
パラジウムが酸化パラジウムになり、しかる後酸化パラ
ジウムが再びパラジウムに戻るような昇温過程を有して
前記積層体を酸化雰囲気中で焼成する工程とを有する。
【０００８】なお、本発明に基づいて作成された積層磁
器コンデンサは半導体磁器層と酸化によって形成された
誘電体磁器層即ち酸化層とを有するので、表面再酸化型
積層磁器コンデンサと呼ぶことができる。
器コンデンサは半導体磁器層と酸化によって形成された
誘電体磁器層即ち酸化層とを有するので、表面再酸化型
積層磁器コンデンサと呼ぶことができる。
【０００９】
【作用】本願発明において、パラジウム（Ｐｄ）は５６
０℃程度に加熱されることによって酸化パラジウム（Ｐ
ｄＯ）になり、更に昇温して約８２０℃にすると、酸化
ジウム（Ｐｄ）は５６０℃近傍で還元剤として機能し、
８２０℃近傍で酸化剤として機能する。一方、卑金属は
２００〜７００℃程度の低温領域において、酸化物に変
化し、還元剤として機能する。その後、卑金属の酸化物
は磁器層の中に拡散して焼結助材として機能する。パラ
ジウム及び卑金属が磁器材料から酸素を奪うことによっ
て磁器材料が還元されたことになり、磁器材料が半導体
化される。その後、酸化パラジウム（ＰｄＯ）が酸素を
半導体磁器層に与えることにより、半導体磁器層のパラ
ジウム電極に接触している領域が酸化され、ここが誘電
体磁器層（膜）になる。
０℃程度に加熱されることによって酸化パラジウム（Ｐ
ｄＯ）になり、更に昇温して約８２０℃にすると、酸化
ジウム（Ｐｄ）は５６０℃近傍で還元剤として機能し、
８２０℃近傍で酸化剤として機能する。一方、卑金属は
２００〜７００℃程度の低温領域において、酸化物に変
化し、還元剤として機能する。その後、卑金属の酸化物
は磁器層の中に拡散して焼結助材として機能する。パラ
ジウム及び卑金属が磁器材料から酸素を奪うことによっ
て磁器材料が還元されたことになり、磁器材料が半導体
化される。その後、酸化パラジウム（ＰｄＯ）が酸素を
半導体磁器層に与えることにより、半導体磁器層のパラ
ジウム電極に接触している領域が酸化され、ここが誘電
体磁器層（膜）になる。
【００１０】本発明の方法で作成された積層磁器コンデ
ンサの２つの内部電極層の間には、誘電体磁器層と半導
体磁器層が配置されるので、２つの内部電極層の間の全
部がコンデンサの誘電体層として機能せず、誘電体磁器
層がコンデンサの誘電体として機能し、半導体磁器層は
電極として機能する。誘電体磁器層は１０〜２０μｍ程
度であって極めて薄いので、２つの内部電極層間の静電
容量は極めて大きくなる。
ンサの２つの内部電極層の間には、誘電体磁器層と半導
体磁器層が配置されるので、２つの内部電極層の間の全
部がコンデンサの誘電体層として機能せず、誘電体磁器
層がコンデンサの誘電体として機能し、半導体磁器層は
電極として機能する。誘電体磁器層は１０〜２０μｍ程
度であって極めて薄いので、２つの内部電極層間の静電
容量は極めて大きくなる。
【００１１】
【実施例１】次に、図１及び図２を参照して本発明の実
施例に係わる積層磁器コンデンサ及びその製造方法を説
明する。
施例に係わる積層磁器コンデンサ及びその製造方法を説
明する。
【００１２】図１は新規な積層磁器コンデンサを原理的
に示す。この磁器コンデンサは内部電極としての第１及
び第２の電極層１、２を含む長方体の磁器基体３と、一
対の外部電極４、５とから成る。磁器基体３の一方の側
面に設けられた一方の外部電極４は第１の電極層１に接
続され、他方の側面に設けられた他方の外部電極５は第
２の電極層２に接続されている。
に示す。この磁器コンデンサは内部電極としての第１及
び第２の電極層１、２を含む長方体の磁器基体３と、一
対の外部電極４、５とから成る。磁器基体３の一方の側
面に設けられた一方の外部電極４は第１の電極層１に接
続され、他方の側面に設けられた他方の外部電極５は第
２の電極層２に接続されている。
【００１３】磁器基体３は、電極層１、２に接触してい
る第１及び第２の誘電体磁器層６、７と、誘電体磁器層
６、７の相互間に配置された第１の半導体磁器層と、第
１の電極層１と、第１の電極層１の上側に生じた第２の
半導体磁器層９と、第２の電極層２の下側に生じた第４
の半導体磁器層１０と、この磁器基体３の表面領域の誘
電体磁器層１１とから成る。
る第１及び第２の誘電体磁器層６、７と、誘電体磁器層
６、７の相互間に配置された第１の半導体磁器層と、第
１の電極層１と、第１の電極層１の上側に生じた第２の
半導体磁器層９と、第２の電極層２の下側に生じた第４
の半導体磁器層１０と、この磁器基体３の表面領域の誘
電体磁器層１１とから成る。
【００１４】図１の構造の積層磁器コンデンサは以下の
ように製造した。まず、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム）９４．５モル％、Ｌａ2 Ｏ3 （酸化ランタ）をＬａ
に換算して２．０モル％、ＣｅＯ2 （酸化セリウム）を
Ｃｅに換算して１．０モル％、Ｎｄ2 Ｏ3 （酸化ネオジ
ム）をＮｄに換算して１．０モル％、ＣａＺｒＯ3 （ジ
ルコン酸カルシウム）を１．０モル％、ＭｎＯ2 （酸化
マンガン）をＭｎに換算して０．５モル％とから成る磁
器原料粉末を用意した。
ように製造した。まず、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム）９４．５モル％、Ｌａ2 Ｏ3 （酸化ランタ）をＬａ
に換算して２．０モル％、ＣｅＯ2 （酸化セリウム）を
Ｃｅに換算して１．０モル％、Ｎｄ2 Ｏ3 （酸化ネオジ
ム）をＮｄに換算して１．０モル％、ＣａＺｒＯ3 （ジ
ルコン酸カルシウム）を１．０モル％、ＭｎＯ2 （酸化
マンガン）をＭｎに換算して０．５モル％とから成る磁
器原料粉末を用意した。
【００１５】次に、原料組成物に有機バインダ及び可塑
剤を添加してスラリー状になし、ドクターブレード法に
よって２５μｍのグリーンシート（未焼結シート）を得
た。
剤を添加してスラリー状になし、ドクターブレード法に
よって２５μｍのグリーンシート（未焼結シート）を得
た。
【００１６】次に、平均粒径約０．２μｍのＰｄ（パラ
ジウム）粉末１００重量部と、卑金属としての平均粒径
約１．０μｍの球形Ｚｎ粉末１０重量部と、適当量の有
機バインダとから成る導電性ペーストを用意した。次
に、グリーンシート上にこの導電性ペーストを所定パタ
ーンに印刷し、乾燥して導電層を得た。なお、導電ペー
ストの印刷厚さは約２．５μｍである。また、導電ペー
ストに基づく導電層を有するグリーンシートを複数枚用
意し、更に導電層を有さない補強用グリーンシートも複
数枚用意した。
ジウム）粉末１００重量部と、卑金属としての平均粒径
約１．０μｍの球形Ｚｎ粉末１０重量部と、適当量の有
機バインダとから成る導電性ペーストを用意した。次
に、グリーンシート上にこの導電性ペーストを所定パタ
ーンに印刷し、乾燥して導電層を得た。なお、導電ペー
ストの印刷厚さは約２．５μｍである。また、導電ペー
ストに基づく導電層を有するグリーンシートを複数枚用
意し、更に導電層を有さない補強用グリーンシートも複
数枚用意した。
【００１７】次に、図２に原理的に示すように第１の導
電層１ａを有する第１のグリーンシート８ａと、第２の
導電層２ａを有する第２のグリーンシート１０ａと、上
下の補強用シート１１ａ、１１ｂとを重ね合せて加圧
し、成形体１２を得た。
電層１ａを有する第１のグリーンシート８ａと、第２の
導電層２ａを有する第２のグリーンシート１０ａと、上
下の補強用シート１１ａ、１１ｂとを重ね合せて加圧
し、成形体１２を得た。
【００１８】次に、図２の成形体１２をＮ2 雰囲気（中
性雰囲気）中で３５０℃、２時間加熱し、グリーンシー
ト８ａ、１０ａ、１１ａ、１１ｂ及び導電層１ａ、２ａ
中の有機バインダを排出した。次に、大気雰囲気（酸化
性雰囲気）中で、成形体１２の加熱温度を１時間当り１
５０℃の割合で１３００℃まで上昇させ、１３００℃を
２時間保持して成形体２０を焼成し、焼結体を得た。
性雰囲気）中で３５０℃、２時間加熱し、グリーンシー
ト８ａ、１０ａ、１１ａ、１１ｂ及び導電層１ａ、２ａ
中の有機バインダを排出した。次に、大気雰囲気（酸化
性雰囲気）中で、成形体１２の加熱温度を１時間当り１
５０℃の割合で１３００℃まで上昇させ、１３００℃を
２時間保持して成形体２０を焼成し、焼結体を得た。
【００１９】この焼成において、成形体１２が５６０℃
位いに加熱されると、第１及び第２の導電層１ａ、２ａ
の中に含まれているＰｄが磁器材料中の酸化物から酸素
を奪い、磁器材料を還元し、ＰｄはＰｄＯになる。これ
と同時にＺｎも磁器材料中の酸化物から酸素を奪い、磁
器材料を還元し、ＺｎＯになる。更に焼成温度が８２０
℃位いまで上昇すると、ＰｄＯは酸化剤として機能し、
ＰｄＯの酸素が磁器材料に奪われ、Ｐｄに戻り、図１に
示す第１及び第２の電極層１、２となる。ＰｄＯから分
離した酸素は、電極層１、２に隣接する領域を酸化して
図１に示す厚さ約３μｍの誘電体磁器層７、８を形成す
る。Ｚｎは２００〜７００℃でＺｎＯになり、その後、
成形体中に拡散して焼結助材として機能する。
位いに加熱されると、第１及び第２の導電層１ａ、２ａ
の中に含まれているＰｄが磁器材料中の酸化物から酸素
を奪い、磁器材料を還元し、ＰｄはＰｄＯになる。これ
と同時にＺｎも磁器材料中の酸化物から酸素を奪い、磁
器材料を還元し、ＺｎＯになる。更に焼成温度が８２０
℃位いまで上昇すると、ＰｄＯは酸化剤として機能し、
ＰｄＯの酸素が磁器材料に奪われ、Ｐｄに戻り、図１に
示す第１及び第２の電極層１、２となる。ＰｄＯから分
離した酸素は、電極層１、２に隣接する領域を酸化して
図１に示す厚さ約３μｍの誘電体磁器層７、８を形成す
る。Ｚｎは２００〜７００℃でＺｎＯになり、その後、
成形体中に拡散して焼結助材として機能する。
【００２０】この積層磁器コンデンサの静電容量Ｃ（p
F）と誘電体損失tan δ（％）と絶縁破壊電圧Ｖbd（ボ
ルト）を測定したところ、Ｃは９５００pF、tan δは
２．５％、Ｖbdは３００ボルトであった。なお、Ｃ及び
tan δは、測定電圧０．１Ｖ、測定周波数１kHz の条件
で測定した。またＶbdは直流昇圧破壊方法で測定した。
F）と誘電体損失tan δ（％）と絶縁破壊電圧Ｖbd（ボ
ルト）を測定したところ、Ｃは９５００pF、tan δは
２．５％、Ｖbdは３００ボルトであった。なお、Ｃ及び
tan δは、測定電圧０．１Ｖ、測定周波数１kHz の条件
で測定した。またＶbdは直流昇圧破壊方法で測定した。
【００２１】
【比較例】導電性ペーストに添加したＺｎのような卑金
属の効果を調べるために、導電ペーストに卑金属を含ま
ない導電ペーストに基づいて第１及び第２の電極層１、
２を形成した他は実施例１と同一の方法で積層磁器コン
デンサを作り、実施例１と同一の方法で、Ｃ、tan δ、
Ｖbdを測定したところ、３３００pF、１．５％、１１０
０Ｖであった。
属の効果を調べるために、導電ペーストに卑金属を含ま
ない導電ペーストに基づいて第１及び第２の電極層１、
２を形成した他は実施例１と同一の方法で積層磁器コン
デンサを作り、実施例１と同一の方法で、Ｃ、tan δ、
Ｖbdを測定したところ、３３００pF、１．５％、１１０
０Ｖであった。
【００２２】実施例１の静電容量Ｃは９５００pFである
のに対して比較例のＣは３３００pFであり、実施例１の
静電容量Ｃが大幅に高くなっている。このようにＣが高
くなる理由は、第１の電極層１と第２の電極層２との間
が誘電体層のみではなく、第１の誘電体磁器層６と半導
体磁器層８と第２の誘電体磁器層７とから成るためであ
る。即ち、半導体磁器層８がコンデンサの電極として働
き、極めて薄い第１及び第２の誘電体磁器層６、７のみ
がコンデンサの誘電体層として働くためである。
のに対して比較例のＣは３３００pFであり、実施例１の
静電容量Ｃが大幅に高くなっている。このようにＣが高
くなる理由は、第１の電極層１と第２の電極層２との間
が誘電体層のみではなく、第１の誘電体磁器層６と半導
体磁器層８と第２の誘電体磁器層７とから成るためであ
る。即ち、半導体磁器層８がコンデンサの電極として働
き、極めて薄い第１及び第２の誘電体磁器層６、７のみ
がコンデンサの誘電体層として働くためである。
【００２３】
【実施例２】第１及び第２の電極層１、２を作るための
導電ペーストにおける卑金属としてのＺｎの割合の変化
によるコンデンサの特性の変化を調べるために、１００
重量部のＰｄに対してＺｎを５重量部、２０重量部、４
０重量部、５０重量部、６０重量部と５段階に変えた他
は実施例１と同一の方法でコンデンサを作り、その特性
を測定したところ、次の結果が得られた。
導電ペーストにおける卑金属としてのＺｎの割合の変化
によるコンデンサの特性の変化を調べるために、１００
重量部のＰｄに対してＺｎを５重量部、２０重量部、４
０重量部、５０重量部、６０重量部と５段階に変えた他
は実施例１と同一の方法でコンデンサを作り、その特性
を測定したところ、次の結果が得られた。
【００２４】 Ｚｎ ５重量部の場合 Ｃ ６２００pF tan δ ２．０％ Ｖbd ６００Ｖ Ｚｎ ２０重量部の場合 Ｃ ９５００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ３００Ｖ Ｚｎ ４０重量部の場合 Ｃ ６９００pF tan δ ４．５％ Ｖbd ２００Ｖ Ｚｎ ５０重量部の場合 Ｃ ４３００pF tan δ ７．５％ Ｖbd １００Ｖ Ｚｎ ６０重量部の場合 Ｃ ３０００pF tan δ １０．０％ Ｖbd ７０Ｖ
【００２５】この結果から明らかなように、Ｚｎが５０
重量部以下の範囲のコンデンサの静電容量Ｃは、Ｚｎを
含まないＰｄペーストで第１及び第２の電極層１、２を
形成した比較例のコンデンサのＣよりも大きくなってい
る。一方、Ｚｎが６０重量部の場合には、ＣがＺｎの零
の比較例よりも小さくなる。従って、導電ペーストにお
ける卑金属の１００重量部のＰｄに対する割合は５０重
量部以下であることが望ましい。
重量部以下の範囲のコンデンサの静電容量Ｃは、Ｚｎを
含まないＰｄペーストで第１及び第２の電極層１、２を
形成した比較例のコンデンサのＣよりも大きくなってい
る。一方、Ｚｎが６０重量部の場合には、ＣがＺｎの零
の比較例よりも小さくなる。従って、導電ペーストにお
ける卑金属の１００重量部のＰｄに対する割合は５０重
量部以下であることが望ましい。
【００２６】卑金属（Ｚｎ）の割合が多くなり過ぎる
と、導電ペースト中のＰｄの割合が減少することにな
り、図ｌの誘電体磁器層６、７を形成するための酸化剤
としてのＰｄＯが少なくなり、誘電体磁器層６、７が薄
くなり、破壊電圧Ｖbdが低下する。また、電極層１、２
中に卑金属（Ｚｎ）の酸化物（ＺｎＯ）が残在し、電極
層１、２の緻密性が低下し、結局、静電容量の低下、ta
n δの上昇が生じる。
と、導電ペースト中のＰｄの割合が減少することにな
り、図ｌの誘電体磁器層６、７を形成するための酸化剤
としてのＰｄＯが少なくなり、誘電体磁器層６、７が薄
くなり、破壊電圧Ｖbdが低下する。また、電極層１、２
中に卑金属（Ｚｎ）の酸化物（ＺｎＯ）が残在し、電極
層１、２の緻密性が低下し、結局、静電容量の低下、ta
n δの上昇が生じる。
【００２７】
【実施例３】電極層１、２を形成するための導電ペース
トの卑金属としてＺｎの代りに銅（Ｃｕ）を使用するこ
とができることを確かめるために、１００重量部のＰｄ
に対してＣｕを５、２０、５０重量部添加した導電ペー
ストを使用した他は実施例１と同一の方法でコンデンサ
を作り、特性を測定したところ、次の結果が得られた。 Ｃｕ ５重量部の場合 Ｃ ７０００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ４５０Ｖ Ｃｕ ２０重量部の場合 Ｃ １１０００pF tan δ ４．５％ Ｖbd ２５０Ｖ Ｃｕ ５０重量部の場合 Ｃ ４０００pF tan δ １１．０％ Ｖbd ７０Ｖ
トの卑金属としてＺｎの代りに銅（Ｃｕ）を使用するこ
とができることを確かめるために、１００重量部のＰｄ
に対してＣｕを５、２０、５０重量部添加した導電ペー
ストを使用した他は実施例１と同一の方法でコンデンサ
を作り、特性を測定したところ、次の結果が得られた。 Ｃｕ ５重量部の場合 Ｃ ７０００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ４５０Ｖ Ｃｕ ２０重量部の場合 Ｃ １１０００pF tan δ ４．５％ Ｖbd ２５０Ｖ Ｃｕ ５０重量部の場合 Ｃ ４０００pF tan δ １１．０％ Ｖbd ７０Ｖ
【００２８】
【実施例４】電極層１、２を形成するための導電ペース
トの卑金属としてニッケル（Ｎｉ）を使用することがで
きることを確かめるために１００重量部のＰｄに対して
Ｎｉを５、２０、５０重量部と３段階に変えて添加した
導電ペーストを使用した他は実施例１と同一の方法でコ
ンデンサを作り、特性を測定したところ、次の結果が得
られた。 Ｎｉ ５重量部の場合 Ｃ ８０００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ４５０Ｖ Ｎｉ ２０重量部の場合 Ｃ １１０００pF tan δ ３．５％ Ｖbd ２５０Ｖ Ｎｉ ５０重量部の場合 Ｃ ４０００pF tan δ １１．０％ Ｖbd ７０Ｖ
トの卑金属としてニッケル（Ｎｉ）を使用することがで
きることを確かめるために１００重量部のＰｄに対して
Ｎｉを５、２０、５０重量部と３段階に変えて添加した
導電ペーストを使用した他は実施例１と同一の方法でコ
ンデンサを作り、特性を測定したところ、次の結果が得
られた。 Ｎｉ ５重量部の場合 Ｃ ８０００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ４５０Ｖ Ｎｉ ２０重量部の場合 Ｃ １１０００pF tan δ ３．５％ Ｖbd ２５０Ｖ Ｎｉ ５０重量部の場合 Ｃ ４０００pF tan δ １１．０％ Ｖbd ７０Ｖ
【００２９】
【実施例５】電極層１、２を形成するための導電ペース
トの卑金属としてアルミニウム（Ａｌ）を使用すること
ができることを確かめるために１００重量部のＰｄに対
してＡｌを５、２０、５０重量部と３段階に変えて添加
した導電ペーストを使用した他は実施例１と同一の方法
でコンデンサを作り、特性を測定したところ、次の結果
が得られた。 Ａｌ ５重量部の場合 Ｃ ８０００pF tan δ ３．０％ Ｖbd ４５０Ｖ Ａｌ ２０重量部の場合 Ｃ １００００pF tan δ ５．５％ Ｖbd ３５０Ｖ Ａｌ ５０重量部の場合 Ｃ ４３００pF tan δ １１．０％ Ｖbd ７０Ｖ
トの卑金属としてアルミニウム（Ａｌ）を使用すること
ができることを確かめるために１００重量部のＰｄに対
してＡｌを５、２０、５０重量部と３段階に変えて添加
した導電ペーストを使用した他は実施例１と同一の方法
でコンデンサを作り、特性を測定したところ、次の結果
が得られた。 Ａｌ ５重量部の場合 Ｃ ８０００pF tan δ ３．０％ Ｖbd ４５０Ｖ Ａｌ ２０重量部の場合 Ｃ １００００pF tan δ ５．５％ Ｖbd ３５０Ｖ Ａｌ ５０重量部の場合 Ｃ ４３００pF tan δ １１．０％ Ｖbd ７０Ｖ
【００３０】
【実施例６】電極層１、２を形成するための導電ペース
トの卑金属として複数種類の金属を使用することができ
ることを確かめるために１００重量部のＰｄに対してＺ
ｎ１０重量部を添加した導電ペーストと、Ｃｕ１０重量
部とＮｉ１０重量部を添加した導電ペーストを使用した
他は実施例１と同一の方法で２種類のコンデンサを作
り、特性を測定したところ、次の結果が得られた。 Ｚｎ １０重量部、Ａｌ １０重量部の場合 Ｃ １１０００pF tan δ ４．５％ Ｖbd ３００Ｖ Ｃｕ １０重量部、Ｎｉ １０重量部の場合 Ｃ ８０００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ５００Ｖ
トの卑金属として複数種類の金属を使用することができ
ることを確かめるために１００重量部のＰｄに対してＺ
ｎ１０重量部を添加した導電ペーストと、Ｃｕ１０重量
部とＮｉ１０重量部を添加した導電ペーストを使用した
他は実施例１と同一の方法で２種類のコンデンサを作
り、特性を測定したところ、次の結果が得られた。 Ｚｎ １０重量部、Ａｌ １０重量部の場合 Ｃ １１０００pF tan δ ４．５％ Ｖbd ３００Ｖ Ｃｕ １０重量部、Ｎｉ １０重量部の場合 Ｃ ８０００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ５００Ｖ
【００３１】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。
く、例えば次の変形が可能なものである。
【００３２】本発明のコンデンサの製造のために、周知
の表面再酸化型磁器コンデンサで使用されているあらゆ
る磁器材料を使用することができる。例えば、希土類元
素としてＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等の１種又
は複数種を使用することができる。また、更にＴｉＯ2
（酸化チタン）を１〜１０モル％程度加えることができ
る。
の表面再酸化型磁器コンデンサで使用されているあらゆ
る磁器材料を使用することができる。例えば、希土類元
素としてＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等の１種又
は複数種を使用することができる。また、更にＴｉＯ2
（酸化チタン）を１〜１０モル％程度加えることができ
る。
【００３３】ＭｎＯ2 の代りにＭｎＣＯ3 を使用するこ
とができる。また、ＢａＴｉＯ3 の代りに、ＢａＣ
Ｏ3 、ＴｉＯ2 を出発材料とすることができる。
とができる。また、ＢａＴｉＯ3 の代りに、ＢａＣ
Ｏ3 、ＴｉＯ2 を出発材料とすることができる。
【００３４】Ｐｄに混合する卑金属は、約２００〜７０
０℃で酸化する金属であれば実施例で示した金属以外の
例えばＳｎ等であってもよい。また、卑金属の２種又は
これ以外の種々の組み合せをＰｄに添加することができ
る。
０℃で酸化する金属であれば実施例で示した金属以外の
例えばＳｎ等であってもよい。また、卑金属の２種又は
これ以外の種々の組み合せをＰｄに添加することができ
る。
【００３５】Ｐｄと卑金属との作用を阻害しない別の金
属を更に添加しても差支えない。
属を更に添加しても差支えない。
【００３６】焼成時の最高温度は約１４００℃以下の種
々の温度に設定することができる。
々の温度に設定することができる。
【００３７】図１では２つの電極層１、２のみが設けら
れているが、勿論、一般の積層コンデンサのように更に
多くの内部電極を設けることができる。
れているが、勿論、一般の積層コンデンサのように更に
多くの内部電極を設けることができる。
【００３８】２つの誘電体磁器層６、７の間の全部が半
導体磁器層８とならずに、半導体磁器層８の中に誘電体
磁器層が残ったとしても、本発明の作用効果が得られ
る。また、２つの電極層１、２の一方のみをＰｄとし、
一方のみに誘電体磁器層を形成することができる。
導体磁器層８とならずに、半導体磁器層８の中に誘電体
磁器層が残ったとしても、本発明の作用効果が得られ
る。また、２つの電極層１、２の一方のみをＰｄとし、
一方のみに誘電体磁器層を形成することができる。
【００３９】
【発明の効果】上述から明らかなように本発明によれば
大きな静電容量を有する表面再酸化型積層磁器コンデン
サを容易に製造することが可能に成る。
大きな静電容量を有する表面再酸化型積層磁器コンデン
サを容易に製造することが可能に成る。
【図１】本発明の実施例に係わる積層磁器コンデンサを
原理的に示す断面図である。
原理的に示す断面図である。
【図２】図１の磁器コンデンサを作るための成形体を原
理的に示す断面図である。
理的に示す断面図である。
１ 電極層 ２ 〃 ６ 誘電体磁器層 ７ 〃 ８ 半導体磁器層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１ Ｅ 7924−5Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体磁器材料から成る未焼結シートに
パラジウム（Ｐｄ）と卑金属とを含む導電性ペーストを
所定パターンに塗布して導電層を形成する工程と、 前記導電層が塗布された前記シートを複数枚積層して積
層体を得る工程と、 パラジウムが酸化パラジウムになり、しかる後酸化パラ
ジウムが再びパラジウムに戻るような昇温過程を有して
前記積層体を酸化雰囲気中で焼成する工程とを有するこ
とを特徴とする積層磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061279A JPH088189B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 積層磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061279A JPH088189B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 積層磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217792A JPH05217792A (ja) | 1993-08-27 |
| JPH088189B2 true JPH088189B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=13166612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3061279A Expired - Fee Related JPH088189B2 (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 積層磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088189B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013545291A (ja) * | 2010-10-12 | 2013-12-19 | アプリコット マテリアルズ テクノロジーズ，エル．エル．シー． | セラミックコンデンサー及び製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785213A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Murata Manufacturing Co | Method of producing laminated semiconductor ceramic condenser |
| JPS6411313A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Murata Manufacturing Co | Reduction/reoxidation type semiconductor laminated capacitor and manufacture thereof |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3061279A patent/JPH088189B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05217792A (ja) | 1993-08-27 |
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