JPH088252A

JPH088252A - 半導体素子の製造方法

Info

Publication number: JPH088252A
Application number: JP6136983A
Authority: JP
Inventors: Tetsuhisa Yoshida; 哲久吉田; Masatoshi Kitagawa; 雅俊北川; Takashi Hirao; 孝平尾
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-06-20
Filing date: 1994-06-20
Publication date: 1996-01-12

Abstract

(57)【要約】【目的】金属／半導体界面の抵抗が小さく、特性の良
好な半導体素子を、生産性よく作製する事のできる半導
体素子の製造方法を提供する。【構成】真空容器内で、多結晶シリコンからなる半導
体基板１上に、予めＰ或いはＢ等のドーパントとなる不
純物を１０モル％以下の濃度で含有するＴｉ，Ｍｏ，Ｗ
等の金属薄膜２を真空蒸着法やスパッタリング法等によ
って形成する。Ａｒ雰囲気中で試料温度を８００℃と
し、ドーパント元素を半導体基板１中に拡散させドーピ
ング層３が形成されると共に金属の珪素化物層４が形成
される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業における半
導体素子の製造方法に関するものであり、特に太陽電池
等の半導体素子などへの適用に有用な半導体素子の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体素子の製造においては、ド
ーパントとなる元素を半導体からなる基体あるいは薄膜
中に、気相から熱的に拡散させた後に電極などを形成す
るための金属膜を堆積する方法や、ドーパントとなる元
素をイオン注入によって半導体に打ち込んだ後に熱処理
し金属膜を堆積する方法があった。

【０００３】この従来法のうちの一例を図４を用いて説
明する。図４は従来技術に係る半導体素子の製造方法の
工程概略図である。図４において、１５は多結晶シリコ
ン基板などからなる半導体基板，１６は例えば燐（Ｐ）
などからなるドーパント元素を高濃度に含む層，１７は
ドーピング層，１８は電極などのための金属薄膜を示し
ている。通常かかる金属薄膜は所望の電極形状や回路に
応じてパターン状に加工されるのが一般的である。

【０００４】図４に示した従来法は、半導体基板１５
［図４の（ａ）参照］に、ドーパントとなる元素を気相
から熱的に拡散させることによってドーピング層１７が
形成されると同時にそのドーピング層１７の上側にはド
ーパント元素を高濃度に含む層１６が形成される［図４
の（ｂ）参照］。次いで弗硝酸その他の適宜のエッチン
グ液でドーパント元素の高濃度層１６を除去した後［図
４の（ｃ）参照］、その上に金属薄膜１８を堆積する
［図４の（ｄ）参照］方法である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術で、図４に
示した様なドーパントとなる元素を気相から熱的に拡散
させた後に金属膜を堆積する方法は、表面付近にドーパ
ント元素の高濃度層１６が形成されるため、表面付近の
高濃度層１６を除去しなければならないという課題があ
った。

【０００６】また、半導体に対して直接イオン注入する
方法では、注入による損傷が半導体に残留するため、注
入後の熱処理を行う必要がある。この熱処理は通常イオ
ン注入装置から大気に試料を出して、別の装置内で熱処
理を行うため、注入損傷層の酸化により酸化された層が
生じ、この酸化された層を除去する必要があるためドー
ピング層の実効的な厚さが減少するという課題があっ
た。さらにこれら従来技術に共通して、例えばシリコン
を用いた場合には、ドーピング層形成後に金属膜を堆積
するため、ドーピング層形成雰囲気によってはドーピン
グ層形成の際にドーピング層が酸化される恐れがあり、
また、いずれにせよ、ドーピング層形成後に大気中に試
料を出して、別の装置内で金属膜を堆積するので大気中
に試料を出した際に酸化層が生じ、この酸化された層を
除去する必要があるため同様にドーピング層の実効的な
厚さが減少するという課題があった。

【０００７】本発明は、前記従来法の欠点を解消し、高
濃度の不純物層や酸化層が生じる恐れがなく、半導体か
らなる基体またはその薄膜とその上に堆積される金属膜
とのコンタクト特性が改善され、金属／半導体界面の抵
抗が小さく、特性の良好な半導体素子を、生産性よく作
製することができる半導体素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００８】更に後述する本発明の好ましい態様に於い
てはそれぞれ更に次の目的を有する。すなわち本発明の
別の目的は、大気に曝されることなく、ドーピング層の
形成と同時に、金属／ドーピング層界面に低抵抗の金属
の珪素化物を形成させることが可能な半導体素子の製造
方法を提供することにある。

【０００９】また、本発明の更に別の目的は、加熱によ
る膜性能の変化する恐れが少なく比較的コストの安い半
導体素子の製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに本発明の半導体素子の製造方法に於いては次の様な
いずれかの手段が用いられる。

【００１１】（１）半導体からなる基体あるいは薄膜上
に、前記半導体のドーパントとなる元素を含む金属膜を
堆積し、前記金属膜の融点以下の温度で熱処理すること
を特徴とする半導体素子の製造方法。

【００１２】（２）半導体からなる基体あるいは薄膜上
に金属膜を堆積し、前記半導体のドーパントとなる元素
イオンを前記金属膜に対して注入した後に、前記金属膜
の融点以下の温度で熱処理することを特徴とする半導体
素子の製造方法。

【００１３】（３）半導体からなる基体あるいは薄膜上
に、前記半導体のドーパントとなる元素を含んだ膜及び
金属膜を堆積し、前記金属膜の融点以下の温度で熱処理
することを特徴とする半導体素子の製造方法。

【００１４】（４）前記（３）項に記載された本発明の
半導体素子の製造方法においては、半導体のドーパント
となる元素を含んだ膜が半導体のドーパントとなる元素
を含んだ金属膜であることが好ましい。

【００１５】（５）前記（１）項〜（４）項のいずれか
に記載された本発明の半導体素子の製造方法において
は、半導体からなる基体あるいは薄膜がその主たる構成
元素がシリコンからなる基体あるいは薄膜であり、金属
膜を構成する金属成分が珪素化物を形成し得る金属であ
り、前記金属の珪素化物を形成する温度以上で熱処理す
ることが好ましい。

【００１６】（６）前記（１）項〜（４）項のいずれか
に記載された本発明の半導体素子の製造方法において
は、半導体からなる基体あるいは薄膜が多結晶シリコン
半導体からなる基体あるいは薄膜であることが好まし
い。

【００１７】（７）前記（５）項に記載された本発明の
半導体素子の製造方法においては、主たる構成元素がシ
リコンからなる基体あるいは薄膜が多結晶シリコン半導
体からなる基体あるいは薄膜であることが好ましい。

【００１８】

【作用】本発明においては、半導体からなる基体あるい
は薄膜上に、半導体のドーパントとなる元素を含む金属
膜を堆積した後、あるいは金属膜を堆積して前記半導体
のドーパントとなる元素イオンを前記金属膜に対して注
入した後、あるいは前記半導体のドーパントとなる元素
を含んだ膜及び金属膜を堆積した後に、前記金属膜の融
点以下の温度で熱処理することにより、金属とドーピン
グ層界面付近に高濃度の不純物元素が含まれないため、
従来技術を用いた場合の様な高濃度の不純物層の除去工
程が不要となる。また、金属薄膜を堆積した状態で、熱
処理によりドーパントとなる元素の拡散・活性化を行う
ため、金属／ドーピング層界面が大気に曝されず、酸化
された層が生じることがなく、良好なコンタクト特性を
維持することができる。また、金属膜の融点以下の温度
で熱処理されるので前記金属膜が所望の電極形状や回路
になどに応じたパターン加工がされていてもかかるパタ
ーンを崩す恐れがない。

【００１９】また、上記のほかに前記（１）項に記載し
た半導体素子の製造方法の場合には、半導体からなる基
体あるいは薄膜上に、前記半導体のドーパントとなる元
素を含む金属膜を堆積し、前記金属膜の融点以下の温度
で熱処理する方法であるので、工程が簡単で製造が極め
て容易な半導体素子の製造方法を提供できる。

【００２０】また、上記のほかに前記（２）項に記載し
た半導体素子の製造方法の場合には、イオン注入により
半導体のドーパントとなる元素イオンを前記金属膜に対
して注入する方法を採用しているので、金属膜に含ませ
るドーパントとなる元素の量を高精度でコントロールす
ることができ、不必要な過剰の不純物（ドーパント）を
少なくすることができる。従って金属膜と半導体のドー
ピング層の間の電気的抵抗の増大をより少なくすること
が可能となり、良好なコンタクト特性を有する半導体素
子の製造方法を提供できる。

【００２１】また、上記のほかに前記（３）項または
（４）項に記載した半導体素子の製造方法の場合には、
ドーパントとなる元素を含んだ膜の上に別途金属膜が堆
積された構成を採用するので、ドーパントとなる元素を
含んだ膜と電極となる実質上ドーパントを含んでいない
金属膜との復数層に分離されているので、不純物である
ドーパントとなる元素を含んだ膜をドーパント供給の目
的以外の目的で必要な厚さに以上にすることを考慮する
必要がなく、ドーパント供給に必要な最低限の厚さにす
るなど、不純物であるドーパントとなる元素を含んだ膜
の厚さを薄くすることができ、しかもその上に堆積され
た金属膜は実質上不純物となるドーパント元素を含まな
いので、抵抗が大きくならず半導体膜と電極金属とのコ
ンタクト特性をより良好にすることができる。

【００２２】また、半導体からなる基体あるいは薄膜が
その主たる構成元素がシリコンからなる基体あるいは薄
膜であり、金属膜を構成する金属成分が珪素化物を形成
し得る金属であり、前記金属の珪素化物を形成する温度
以上で熱処理する本発明の好ましい態様とすることによ
り、大気に曝されることなく、ドーピング層の形成と同
時に、金属／ドーピング層界面に低抵抗の金属の珪素化
物を形成させることができ好ましい。

【００２３】また、半導体からなる基体あるいは薄膜が
多結晶シリコン半導体からなる基体あるいは薄膜である
本発明の好ましい態様とすることにより、多結晶シリコ
ン半導体からなる基体あるいは薄膜はシリコン以外の半
導体に比べて耐熱性に優れているので、熱により組成が
変化する恐れが少なく、単結晶シリコンからなる半導体
に比べて製造が容易でコストを安くすることができ、ア
モルファスシリコン半導体に比べて加熱による膜性能の
変化する恐れも少なく好ましい。

【００２４】

【実施例】以下図面を用い本発明の第１実施例について
さらに詳しく説明する。図１は本発明に係る半導体素子
の製造方法に係る一実施例の工程概略図を示すものであ
る。真空容器内で、多結晶シリコンからなる半導体基板
１［図１（ａ）］上に、真空蒸着法やスパッタリング法
等によって予めＰ或いはＢ等のドーパントとなる不純物
を１０モル％以下（通常１０〜１モル％程度）の濃度で
含有するＴｉ，Ｍｏ，Ｗ等の金属薄膜２を形成する［図
１（ｂ）］。本実施例では基板として多結晶シリコンか
らなる半導体基板（厚さ２００μｍ）を用いているが、
素子の構成や構造により別材料からなる基板上に堆積し
た多結晶シリコン薄膜（例えば厚さ１μｍ以上）を使用
してもよい。このときに金属薄膜の原料（ターゲット）
として上述したように予めＰ或いはＢ等の不純物を１０
％以下の濃度で含有した金属からなるターゲットを用い
る事が好ましいが、単一のターゲットを用いない場合に
は、金属のターゲットとドーパントとなる不純物のター
ゲットを別々にして、２つのターゲットを同時に用いる
ことによる薄膜形成を行ってもよい。従って形成された
金属薄膜２には、ドーパント元素が含まれている。一例
として、スパッタリング法により金属としてＴｉ，ドー
パント元素としてＢを５モル％含有させた単一のターゲ
ットを用いて金属薄膜２（厚さ１００ｎｍ）の形成を行
った。この後に密閉容器内で試料（基板１）の温度を調
節し、ＨｅやＡｒ等の不活性ガスや窒素雰囲気中で熱処
理を行い、ドーパント元素を基体１中に拡散させてｐ型
のドーピング層３を形成する［図１（ｃ）］。本実施例
では、Ａｒ雰囲気中で試料温度を８００℃とし、拡散を
行った。このときの熱処理温度は上記の温度に限定され
るものではなく、ドーパント元素が活性化する温度以上
であり、かつ堆積した金属膜の融点もしくは多結晶シリ
コン半導体基板の融点よりも低い温度であることから、
６００℃〜１２００℃の温度範囲が好ましい。また本実
施例のように、半導体材料がシリコンであり、金属が珪
素化物を形成する材料である場合には、金属の珪素化物
を形成する温度以上であることが好ましい。従って本実
施例では、ＴｉＳｉ₂が形成される温度が６００℃以上
であることから、ドーピング層の形成時に金属（Ｔｉ）
とドーピング層（Ｓｉ）の界面に約１５μΩ・ｃｍと低
抵抗の珪素化物（ＴｉＳｉ₂）層４が形成される。な
お、金属としてＭｏを用いた場合には５２５℃以上、Ｗ
を用いた場合には６５０℃以上などとして珪素化物層を
形成する。

【００２５】以上の様な方法により、図１（ｃ）に示す
ような、金属薄膜２の形成とドーピング層３の形成、さ
らに金属の珪素化物層４の形成を同時、或は連続して行
うことができ、しかもドーピング層３や金属の珪素化物
層４は金属薄膜２と多結晶シリコンからなる半導体基板
１の間に挟まれた界面で形成されるため、直接大気など
にさらされることがなく、酸化される恐れがない。従っ
て、生産性よく、特性の優れた半導体素子を提供でき
る。

【００２６】次に本発明の第２実施例についてさらに詳
しく説明する。図２は本発明に係る半導体素子の製造方
法に係る別の一実施例の工程概略図を示すものである。
真空容器内で、多結晶シリコンからなる半導体基板５
（厚さ２００μｍ）［図２（ａ）］上に、真空蒸着法や
スパッタリング法等によってＴｉ，Ｍｏ，Ｗ等の金属薄
膜６を形成し［図２（ｂ）］、その後にＢあるいはＰ等
のドーパント元素イオン７を注入する［図２（ｃ）］。
一例として、スパッタリング法によりＴｉの金属薄膜６
（膜厚：２００ｎｍ）の形成を行った後に、エネルギ
ー：１００ｋｅＶのＰ⁺イオンを１０¹⁶cm^-2、注入し
た。密閉容器内で試料（基板５）の温度を調節し、Ｈｅ
やＡｒ等の不活性ガスや窒素雰囲気中で熱処理を行い、
ドーパント元素を基板５中に拡散させてｎ型のドーピン
グ層８を形成する［図２（ｄ）］。本実施例では、Ａｒ
雰囲気中で試料温度を８００℃として拡散を行った。こ
のときの熱処理温度は前記温度に限定されるものではな
く、ドーパント元素が活性化する温度以上であり、かつ
堆積した金属膜の融点もしくは多結晶シリコン基板の融
点よりも低い温度であることから、６００℃〜１２００
℃の温度範囲が好ましい。また本実施例のように、半導
体材料がシリコンであり、金属が珪素化物を形成する材
料である場合には、金属の珪素化物を形成する温度以上
であることが好ましい。従って本実施例では、ＴｉＳｉ
₂が形成される温度が６００℃以上であることから、ド
ーピング層の形成時に金属（Ｔｉ）とドーピング層（Ｓ
ｉ）の界面に低抵抗の珪素化物（ＴｉＳｉ₂）層９が形
成される。以上の様な方法により、図２（ｄ）に示すよ
うな、金属薄膜６の形成とドーピング層８の形成、さら
に金属の珪素化物層９の形成を同時、或は連続して行う
ことができる。しかもドーピング層８や金属の珪素化物
層９は金属薄膜６と多結晶シリコンからなる半導体基板
５の間に挟まれた境界面で形成されるため、直接大気な
どにさらされることがなく、酸化される恐れがない。従
って、生産性よく、特性の優れた半導体素子を提供でき
る。また、ドーパント元素イオン７をイオン注入で注入
しているので、金属膜に含ませるドーパントとなる元素
の量を高精度でコントロールすることができ、不必要な
過剰の不純物（ドーパント）を少なくすることができ
る。従って、金属膜とドーピング層との間の電気的抵抗
の増大を少なくする事が可能となり、金属膜とドーピン
グ層との良好なコンタクト特性を有する半導体素子を製
造することができる。

【００２７】次に本発明の第３実施例についてさらに詳
しく説明する。図３は本発明に係る半導体素子の製造方
法に係る更に別の一実施例の工程概略図を示すものであ
る。

【００２８】真空容器内で、多結晶シリコンからなる半
導体基板１０（厚さ２００μｍ）［図３（ａ）］上に、
真空蒸着法やスパッタリング法等によってドーパントと
なる不純物元素を含んだ膜１１（本実施例では半導体の
ドーパントとなる元素を含んだ金属膜を採用した。）及
び金属薄膜１２を形成する［図３（ｂ）］。このドーパ
ントとなる不純物元素を含んだ金属膜１１を形成するに
は、スパッタリング法を用いる場合、金属のターゲット
と不純物のターゲットを別々にして、２つのターゲット
を交互に用いて薄膜形成を行う。またその上に堆積する
金属薄膜の場合には金属のターゲットのみを用いてスパ
ッタリングすればよい。一例として、金属としてＴｉ，
ドーパント元素としてＰを用いて、ドーパントとなる不
純物元素を含んだ膜１１（厚さ１０ｎｍ）及び金属薄膜
１２（厚さ１００ｎｍ）の形成を行った。この後に密閉
容器内で試料（基板１０）の温度を調節し、ＨｅやＡｒ
等の不活性ガスや窒素雰囲気中で熱処理を行い、不純物
元素を含んだ膜１１からドーパント元素を基板１０中に
拡散させてｎ型のドーピング層１３を形成する［図３
（ｃ）］。本実施例では、Ａｒ雰囲気中で試料温度を８
００℃とし、拡散を行った。このときの熱処理温度は前
述の温度に限定されるものではなく、ドーパント元素が
活性化する温度以上であり、また堆積した金属膜の融点
もしくは多結晶シリコン基板の融点よりも低い温度であ
ることから、６００℃〜１２００℃の温度範囲が好まし
い。また本実施例のように、半導体材料がシリコンであ
り、金属が珪素化物を形成する材料である場合には、金
属の珪素化物を形成する温度以上であることが好まし
い。従って本実施例では、ＴｉＳｉ₂が形成される温度
が６００℃以上であることから、ドーピング層の形成時
に金属（Ｔｉ）とドーピング層（Ｓｉ）の界面に低抵抗
の珪素化物（ＴｉＳｉ₂）層１４が形成される。以上の
様な方法により、図３に示すように、金属薄膜１２の形
成とドーピング層１３の形成、さらに低抵抗の珪素化物
層１４の形成を同時、或は連続して行うことができる。
しかもドーピング層１３や金属の珪素化物層１４は金属
薄膜１２と多結晶シリコンからなる半導体基板１０の間
に挟まれた界面で形成されるため、直接大気などにさら
されることがなく、酸化される恐れがない。従って生産
性よく、特性の優れた半導体素子を提供できる。しかも
電極となる金属膜が実質上ドーパントを含んでいない状
態で堆積され、またドーパントとなる元素を含んだ膜と
は別個に分離して堆積されるので、不純物であるドーパ
ントとなる元素を含んだ膜をドーパント供給の目的以外
の目的で必要な厚さに以上にすることを考慮する必要が
なく、ドーパント供給に必要な最低限の厚さにするな
ど、不純物であるドーパントとなる元素を含んだ膜の厚
さを薄くすることができると共に、電極となる金属膜が
実質上ドーパントを含んでいないので、抵抗が大きくな
らず半導体膜と電極金属とのコンタクト特性をより良好
にすることができる。

【００２９】なお、本発明に於いて堆積手段としては原
料を気体もしくは液体状で供給し、加熱などの適宜の手
段で所定の物体上に目的物質の固体被膜を形成し得る方
法であれば、本発明の目的が達成し得る限り、前述した
実施例で例示した方法のみに限定されるものではない。

【００３０】また、金属膜を構成する金属としてはＴ
ｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕなどが挙げられ
るが、特に半導体材料としてシリコンを用いた場合に低
抵抗の珪素化物が形成できると言う観点からはＴｉ、Ｍ
ｏ、Ｗなどが好ましい。

【００３１】

【発明の効果】本発明の半導体素子の製造方法において
は、半導体からなる基体または薄膜上に、半導体のドー
パントとなる元素を含む金属膜を堆積した後、あるいは
金属膜を堆積して前記半導体のドーパントとなる元素イ
オンを前記金属膜に対して注入した後、あるいは前記半
導体のドーパントとなる元素を含んだ膜及び金属膜を堆
積した後に、前記金属膜の融点以下の温度で熱処理する
ことにより、金属とドーピング層界面付近に高濃度の不
純物元素が含まれないため、従来技術を用いた場合の様
な高濃度の不純物層の除去工程が不要となる。また、金
属薄膜を堆積した状態で、拡散・活性化を行うため、金
属／ドーピング層界面が大気に曝されず、酸化層が生じ
る恐れがなく、酸化層の除去工程が不要となり、良好な
コンタクト特性を維持することができる。従って本発明
により、生産性よく、特性の優れた薄膜素子を作製する
ことができる半導体素子の製造方法を提供することがで
きる。

【００３２】また、第１の本発明の半導体素子の製造方
法の発明の場合には、上記の効果に加えて更に、構成が
簡単で製造がより容易な半導体素子の製造方法を提供で
きる。

【００３３】また、第２の本発明の半導体素子の製造方
法の発明の場合には、上記の効果に加えて更に、金属膜
あるいは金属基板に含ませるドーパントとなる元素の量
を高精度でコントロールすることができ、不必要な過剰
の不純物（ドーパント）を少なくすることが可能な半導
体素子の製造方法を提供できる。

【００３４】また、第３ならびに第４番目の本発明の半
導体素子の製造方法の発明の場合には、上記の効果に加
えて更に、電極となる金属膜が実質上ドーパントを含ん
でいない状態で堆積されること、ドーパントとなる元素
を含んだ膜は前記金属膜とは別個に分離して堆積される
ので、不純物であるドーパントとなる元素を含んだ膜を
ドーパント供給の目的以外の目的で必要な厚さに以上に
することを考慮する必要がなく、ドーパント供給に必要
な最低限の厚さにするなど、不純物であるドーパントと
なる元素を含んだ膜の厚さを薄くすることができると共
に、電極となる金属膜が実質上ドーパントを含んでいな
いので、抵抗が大きくならず半導体膜と電極金属とのコ
ンタクト特性をより良好にすることができる。

【００３５】また、半導体からなる基体あるいは薄膜が
その主たる構成元素がシリコンからなる基体あるいは薄
膜であり、金属膜を構成する金属成分が珪素化物を形成
し得る金属であり、前記金属の珪素化物を形成する温度
以上で熱処理する本発明の好ましい態様とすることによ
り、大気に曝されることなく、ドーピング層の形成と同
時に、または連続して、金属／ドーピング層界面に低抵
抗の金属の珪素化物層の形成を行うことができ、さらに
良好なコンタクト特性を得ることが可能な半導体素子の
製造方法を提供できる。従って、生産性よく、特性の優
れた薄膜素子を作製することが可能な半導体素子の製造
方法を提供できる。

【００３６】また、半導体からなる基体あるいは薄膜が
多結晶シリコン半導体からなる基体あるいは薄膜である
本発明の好ましい態様とすることにより、多結晶シリコ
ン半導体からなる基体あるいは薄膜はシリコン以外の半
導体に比べて耐熱性に優れているので、熱により組成が
変化する恐れが少なく、単結晶シリコンからなる半導体
に比べて製造が容易でコストを安くすることができ、ア
モルファスシリコン半導体に比べて加熱による膜性能の
変化する恐れも少ない特性の優れた素子を作製すること
が可能な半導体素子の製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体素子の製造方法に係る一実
施例の工程概略図。

【図２】本発明に係る半導体素子の製造方法に係る別の
一実施例の工程概略図。

【図３】本発明に係る半導体素子の製造方法に係る更に
別の一実施例の工程概略図。

【図４】従来技術に係る半導体素子の製造方法の工程概
略図。

【符号の説明】

１半導体基板２金属薄膜３ドーピング層４珪素化物層５半導体基板６金属薄膜７ドーパント元素イオン８ドーピング層９珪素化物層１０半導体基板１１不純物元素を含んだ膜１２金属薄膜１３ドーピング層１４珪素化物層１５半導体基板１６ドーパント元素を高濃度に含む層１７ドーピング層１８金属薄膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体からなる基体あるいは薄膜上に、
前記半導体のドーパントとなる元素を含む金属膜を堆積
し、前記金属膜の融点以下の温度で熱処理することを特
徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】半導体からなる基体あるいは薄膜上に金
属膜を堆積し、前記半導体のドーパントとなる元素イオ
ンを前記金属膜に対して注入した後に、前記金属膜の融
点以下の温度で熱処理することを特徴とする半導体素子
の製造方法。
【請求項３】半導体からなる基体あるいは薄膜上に、
前記半導体のドーパントとなる元素を含んだ膜及び金属
膜を堆積し、前記金属膜の融点以下の温度で熱処理する
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項４】半導体のドーパントとなる元素を含んだ
膜が半導体のドーパントとなる元素を含んだ金属膜であ
る請求項３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】半導体からなる基体あるいは薄膜がその
主たる構成元素がシリコンからなる基体あるいは薄膜で
あり、金属膜を構成する金属成分が珪素化物を形成し得
る金属であり、前記金属の珪素化物を形成する温度以上
で熱処理する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体素
子の製造方法。
【請求項６】半導体からなる基体あるいは薄膜が多結
晶シリコン半導体からなる基体あるいは薄膜である請求
項１〜４項のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】主たる構成元素がシリコンからなる基体
あるいは薄膜が多結晶シリコン半導体からなる基体ある
いは薄膜である請求項５項に記載の半導体素子の製造方
法。