JPH0882808A - 液晶表示基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 極めて簡単にかつ信頼性よく断線の修復を行
なう。 【構成】 液晶を介して互いに対向配置される透明基板
のうち少なくとも一方の透明基板の液晶側の面に形成さ
れた配線層の断線を検査する工程を含む液晶表示基板の
製造方法において、該配線層の断線個所に導電材料を付
着させて該断線の修復を行なう工程を備えるものであっ
て、予め前記配線層の導電材料の重畳領域となる部分を
切り欠いて切欠部を形成する工程を具備し、前記導電材
料の配線層に対する接続は該配線層の前記切欠部の周辺
で行なうようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示基板の製造方
法に係り、たとえば、薄膜トランジスタ等を使用したア
クティブ・マトリックス方式の液晶表示基板の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえばアクティブ・マトリックス方式
の液晶表示基板は、その列（横）方向に延在する走査信
号線が行（縦）方向に並設されているとともに、行
（縦）方向に延在する映像信号線が列（横）方向に並設
されている。

【０００３】そして、これら走査信号線および映像信号
線に囲まれた各領域のそれぞれにたとえば薄膜トランジ
スタ等からなるスイッチング素子を備える画素が形成さ
れている。

【０００４】同列方向に並設されているそれぞれのスイ
ッチング素子は近接する走査信号線を介して印加される
電圧によってオンされ、この際に、映像信号線からの信
号電圧は該スイッチング素子を介して対応する画素に印
加されるようになっている。

【０００５】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリックス方式の液晶表示装置は、たとえば特
開昭６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用し
た１２．５型アクティブ・マトリックス方式カラー液晶
ディスプレィ」、日経エレクトロニクス、頁１９３〜２
１０、１９８６年１２月１５日、日経マグロウヒル社発
行、で知られている。

【０００６】このような構成からなる液晶表示基板は、
近年、大画面されるとともに微細化される傾向にあり、
これにともない、その製造において走査信号線あるいは
映像信号線の断線が発生してしまう確率が大きくなる。

【０００７】このため、液晶表示基板の製造において、
該走査信号線および映像信号線に断線が生じているか否
かの検査が行なわれている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに走査信号線および映像信号線に断線が生じているか
否かの検査がなされ、その結果、断線が生じていること
が明らかになった場合、その断線の修復を行なえずして
基板ごと不良品として扱っていた。

【０００９】その理由としては、まず、簡単な方法で断
線を修復することが見出せなかったことにあった。ま
た、何らかの方法で断線を修復してもその修復部の信頼
性が乏しかったことにあった。さらに、修復部が液晶に
悪影響を及ぼし、たとえばこの部分に輝度むらが発生す
るというような問題があった。

【００１０】それ故、本発明はこのような事情に基づい
てなされたものであり、その目的とするところのもの
は、極めて簡単にかつ信頼性よく断線あるいは短絡の修
復ができる液晶表示基板の製造方法を提供することにあ
る。

【００１１】なお、断線修正の技術に関する文献として
は、Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ １１／
９１ ｐ．９〜ｐ．１１「Ｔｈｅ ｃｏｌｏｒ ＴＦＴ
−ＬＣＤ：ｉｆ ｉｔ’ｓ ｎｏｔ ｐｅｒｆｅｃｔ，
ｆｉｘ ｉｔ」がある。

【００１２】この方法では、保護膜まで積層し、完成し
た基板の断線配線に接続用の穴を開け、その部分を覆う
ように接続線を積層する。

【００１３】このような従来の技術では、積層する膜や
その大地の膜材料の違いにより、修正率が左右され、そ
れを避けるために保護膜積層後に修正しなければならず
工程数が増えるという問題点を有する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は次のような手段を備えるものであ
る。

【００１５】手段１．液晶を介して互いに対向配置され
る透明基板のうち少なくとも一方の透明基板の液晶側の
面に形成された配線層の断線を検査する工程を含む液晶
表示基板の製造方法において、該配線層の断線個所に導
電材料を付着させて該断線の修復を行なう工程を備える
ものであって、予め前記配線層の導電材料の重畳領域と
なる部分を切り欠いて切欠部を形成する工程を具備し、
前記導電材料の配線層に対する接続は該配線層の前記切
欠部の周辺で行なうようにしたことを特徴とするもので
ある。

【００１６】手段２．手段１記載の構成において、配線
層の導電材料の重畳領域となる部分の切欠部は前記重畳
領域の一部とし、これにより、断線個所を間にして形成
される導電材料の外方部の一部が配線層と重畳されてい
ることを特徴とするものである。

【００１７】手段３．手段１あるいは手段２記載の構成
において、導電材料の付着は光ＣＶＤ方法によって行な
うことを特徴とする液晶表示基板の製造方法。

【００１８】手段４．配線層の接続辺と導電材料の長辺
方向とで定義される接続角を６０°以下、もしくは３０
°以下とすることを特徴とするものである。

【００１９】

【作用】手段１の構成によれば、配線層の断線個所に導
電材料を付着させる場合、配線層に対する導電材料の重
畳部分を形成させることなく、配線層に形成された切欠
部の周辺にて導電材料の接続がなされることにより断線
の修復を行なっているようにしている。

【００２０】このようにした場合、配線層に対する導電
材料の重畳部を形成させる場合に比べて、極めて信頼性
よく断線の修復ができるようになることが判明した。

【００２１】配線層に対する導電材料の重畳部が形成さ
れるようにして断線の修復を行なった場合、その後の経
時後において該重畳部における導電材料の断線が往々に
して発見されることがあった。この理由は正確には判明
していないが、導電材料の形成時に要する熱が導電材料
に蓄積できず、即、配線層に伝導されてしまうからでは
ないかとされている。

【００２２】手段２の構成によれば、配線層に形成され
た切欠部の周辺における導電材料との接続が確実になさ
れる効果を奏するようになる。

【００２３】導電材料の一部が配線層と重畳されて形成
されることから、該切欠部の周辺において充分に導電材
料が付着するからである。

【００２４】この場合、該重畳部は断線個所を間にして
形成される導電材料の外方部に位置し、各配線層を接続
する導電材料の実質的かつ有効な接続経路部においては
該重畳部が存在していないことから、前に説明した重畳
部における導電材料の断線が特に問題となることはな
い。

【００２５】手段３の構成によれば、導電材料を光ＣＶ
Ｄ方法によって形成した場合に効果が大となるものであ
る。

【００２６】すなわち、配線層に対して導電材料を重畳
させて形成した場合に、他の方法に比べて該導電材料の
断線が比較的多く生じ易く、手段１あるいは２を講じた
場合において該弊害は皆無に近い状態になることが判明
した。

【００２７】手段４の構成によれば、接続角が９０°に
比べ断線修正率が向上する効果ある。特に接続角が３０
°以下の場合は断線修正率が８０％以上となり実用上充
分なレベルとなる。

【００２８】

【実施例】本発明、本発明の更に他の目的及び本発明の
更に他の特徴は図面を参照した以下の説明から明らかと
なるであろう。

【００２９】《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
以下、アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装
置にこの発明を適用した実施例を説明する。なお、以下
説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。

【００３０】《マトリクス部の概要》図２はこの発明が
適用されるアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示
装置の一画素とその周辺を示す平面図、図３は図２の３
−３切断線における断面を示す図、図４は図２の４−４
切断線における断面図である。

【００３１】図２に示すように、各画素は隣接する２本
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬ
と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または
垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲ま
れた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジ
スタＴＦＴ、透明画素電極ＩＴＯ１および保持容量素子
Ｃaddを含む。走査信号線ＧＬは図では左右方向に延在
し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬ
は上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されてい
る。

【００３２】図３に示すように、液晶層ＬＣを基準にし
て下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタ
ＴＦＴおよび透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮
光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されてい
る。透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜ＳＩＯが
設けられている。

【００３３】上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯ
Ｍ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。

【００３４】《マトリクス周辺の概要》図５は上下のガ
ラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬの
マトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を、図６はその周辺
部を更に誇張した平面を、図７は図５及び図６のパネル
左上角部に対応するシール部ＳＬ付近の拡大平面を示す
図である。また、図８は図３の断面を中央にして、左側
に図７の８ａ−８ａ切断線における断面を、右側に映像
信号駆動回路が接続されるべき外部接続端子ＤＴＭ付近
の断面を示す図である。同様に図９は、左側に走査回路
が接続されるべき外部接続端子ＧＴＭ付近の断面を、右
側に外部接続端子が無いところのシール部付近の断面を
示す図である。

【００３５】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。図５〜図７は後者の例を示すも
ので、図５、図６の両図とも上下基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ
２の切断後を、図７は切断前を表しており、ＬＮは両基
板の切断前の縁を、ＣＴ１とＣＴ２はそれぞれ基板ＳＵ
Ｂ１，ＳＵＢ２の切断すべき位置を示す。いずれの場合
も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ，Ｔｄ（添字略）
が存在する（図で上下辺と左辺の）部分はそれらを露出
するように上側基板ＳＵＢ２の大きさが下側基板ＳＵＢ
１よりも内側に制限されている。端子群Ｔｇ，Ｔｄはそ
れぞれ後述する走査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回
路接続用端子ＤＴＭとそれらの引出配線部を集積回路チ
ップＣＨＩが搭載されたテープキャリアパッケージＴＣ
Ｐ（図１８、図１９）の単位に複数本まとめて名付けた
ものである。各群のマトリクス部から外部接続端子部に
至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜してい
る。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パッ
ケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルＰＮ
Ｌの端子ＤＴＭ，ＧＴＭを合わせるためである。

【００３６】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂から成る。上部透明ガラス
基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、少なく
とも一箇所において、本実施例ではパネルの４角で銀ペ
ースト材ＡＧＰによって下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側
に形成されたその引出配線ＩＮＴに接続されている。こ
の引出配線ＩＮＴは後述するゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭと同一製造工程で形成される。

【００３７】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、透明画素電極
ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ２、それぞれの層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。偏光板Ｐ
ＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に形成さ
れている。液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配
向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパタ
ーンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配向
膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜Ｐ
ＳＶ１の上部に形成される。

【００３８】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。

【００３９】《薄膜トランジスタＴＦＴ》次に、図２、
図３に戻り、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側の構成を詳しく説明
する。

【００４０】薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極Ｇ
Ｔに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間の
チャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チ
ャネル抵抗は大きくなるように動作する。

【００４１】各画素には複数（２つ）の薄膜トランジス
タＴＦＴ１、ＴＦＴ２が冗長して設けられる。薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれは、実質的に同
一サイズ（チャネル長、チャネル幅が同じ）で構成さ
れ、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、
intrinsic、導電型決定不純物がドープされていない）
非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一
対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。な
お、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によ
って決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極
性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入
れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便
宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現す
る。

【００４２】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬから垂直方向に突出する形状で構成されてい
る（Ｔ字形状に分岐されている）。ゲート電極ＧＴは薄
膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれの能動領
域を越えるよう突出している。薄膜トランジスタＴＦＴ
１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート電極ＧＴは、一体に
（共通のゲート電極として）構成されており、走査信号
線ＧＬに連続して形成されている。本例では、ゲート電
極ＧＴは、単層の第２導電膜ｇ２で形成されている。第
２導電膜ｇ２としては例えばスパッタで形成されたアル
ミニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極
酸化膜ＡＯＦが設けられている。

【００４３】このゲート電極ＧＴはｉ型半導体層ＡＳを
完全に覆うよう（下方からみて）それより大き目に形成
され、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光が当た
らないよう工夫されている。

【００４４】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは第２
導電膜ｇ２で構成されている。この走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２はゲート電極ＧＴの第２導電膜ｇ２と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。

【００４５】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２において、ゲート電極ＧＴと
共に半導体層ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜と
して使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走
査信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとし
ては例えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜
が選ばれ、１２００〜２７００Åの厚さに（本実施例で
は、２０００Å程度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩは
図７に示すように、マトリクス部ＡＲの全体を囲むよう
に形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露
出するよう除去されている。絶縁膜ＧＩは走査信号線Ｇ
Ｌと映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。

【００４６】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、本例では薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそ
れぞれに独立した島となるよう形成され、非晶質シリコ
ンで、２００〜２２００Åの厚さに（本実施例では、２
０００Å程度の膜厚）で形成される。層ｄ０はオーミッ
クコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ(＋)型非晶
質シリコン半導体層であり、下側にｉ型半導体層ＡＳが
存在し、上側に導電層ｄ２（ｄ３）が存在するところの
みに残されている。

【００４７】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬと映像
信号線ＤＬとの交差部（クロスオーバ部）の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの短絡を
低減する。

【００４８】《透明画素電極ＩＴＯ１》透明画素電極Ｉ
ＴＯ１は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。

【００４９】透明画素電極ＩＴＯ１は薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１のソース電極ＳＤ１および薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のソース電極ＳＤ１の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のうちの
１つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すれば良い。透明画素電極ＩＴＯ１は第１導
電膜ｄ１によって構成されており、この第１導電膜ｄ１
はスパッタリングで形成された透明導電膜（Indium-Tin
-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜２００
０Åの厚さに（本実施例では、１４００Å程度の膜厚）
形成される。

【００５０】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０に接触する第２導電膜ｄ２と
その上に形成された第３導電膜ｄ３とから構成されてい
る。

【００５１】第２導電膜ｄ２はスパッタで形成したクロ
ム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの厚さに（本
実施例では、６００Å程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜
厚を厚く形成するとストレスが大きくなるので、２００
０Å程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
(＋)型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、第３導電膜
ｄ３のＡｌがＮ(＋)型半導体層ｄ０に拡散することを防
止する（いわゆるバリア層の）目的で使用される。第２
導電膜ｄ２として、Ｃｒ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳ
ｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂）膜を用いてもよ
い。

【００５２】第３導電膜ｄ３はＡｌのスパッタリングで
３０００〜５０００Åの厚さに（本実施例では、４００
０Å程度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレ
スが小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース
電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬ
の抵抗値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層
ＡＳに起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカ
バーレッジを良くする）働きがある。

【００５３】第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３をマスク
として、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０が除去される。つまり、
ｉ型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ(＋)型半導体層ｄ０
は第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３以外の部分がセルフ
アラインで除去される。このとき、Ｎ(＋)型半導体層ｄ
０はその厚さ分は全て除去されるようエッチングされる
ので、ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチン
グされるが、その程度はエッチング時間で制御すればよ
い。

【００５４】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。

【００５５】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１上には保護膜ＰＳＶ１が
設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジス
タＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜ＰＳＶ１はたとえばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μ
ｍ程度の膜厚で形成する。

【００５６】保護膜ＰＳＶ１は図７に示すように、マト
リクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周辺部は外
部接続端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露出するよう除去され、ま
た上基板側ＳＵＢ２の共通電極ＣＯＭを下側基板ＳＵＢ
１の外部接続端子接続用引出配線ＩＮＴに銀ペーストＡ
ＧＰで接続する部分も除去されている。保護膜ＰＳＶ１
とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は保護
効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダ
クタンスｇｍを薄くされる。従って図７に示すように、
保護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺部もできるだけ広
い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜ＧＩよりも大
きく形成されている。

【００５７】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、外部光又はバックライト光がｉ型半導体層Ａ
Ｓに入射しないよう遮光膜ＢＭが設けられている。図２
に示す遮光膜ＢＭの閉じた多角形の輪郭線は、その内側
が遮光膜ＢＭが形成されない開口を示している。遮光膜
ＢＭは光に対する遮蔽性が高いたとえばアルミニウム膜
やクロム膜等で形成されており、本実施例ではクロム膜
がスパッタリングで１３００Å程度の厚さに形成され
る。

【００５８】従って、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦ
Ｔ２のｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭおよび
大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにされ、
外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。遮光
膜ＢＭは各画素の周囲に格子状に形成され（いわゆるブ
ラックマトリクス）、この格子で１画素の有効表示領域
が仕切られている。従って、各画素の輪郭が遮光膜ＢＭ
によってはっきりとし、コントラストが向上する。つま
り、遮光膜ＢＭはｉ型半導体層ＡＳに対する遮光とブラ
ックマトリクスとの２つの機能をもつ。

【００５９】透明画素電極ＩＴＯ１のラビング方向の根
本側のエッジ部分（図２右下部分）も遮光膜ＢＭによっ
て遮光されているので、上記部分にドメインが発生した
としても、ドメインが見えないので、表示特性が劣化す
ることはない。

【００６０】遮光膜ＢＭは図６に示すように周辺部にも
額縁状に形成され、そのパターンはドット状に複数の開
口を設けた図２に示すマトリクス部のパターンと連続し
て形成されている。周辺部の遮光膜ＢＭは図６〜図９に
示すように、シール部ＳＬの外側に延長され、パソコン
等の実装機に起因する反射光等の漏れ光がマトリクス部
に入り込むのを防いでいる。他方、この遮光膜ＢＭは基
板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程内側に留
められ、基板ＳＵＢ２の切断領域を避けて形成されてい
る。

【００６１】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは透
明画素電極ＩＴＯ１の全てを覆うように大き目に形成さ
れ、遮光膜ＢＭはカラーフィルタＦＩＬおよび透明画素
電極ＩＴＯ１のエッジ部分と重なるよう透明画素電極Ｉ
ＴＯ１の周縁部より内側に形成されている。

【００６２】カラーフィルタＦＩＬは次のように形成す
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリ
ソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材
を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固着
処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同様
な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フィ
ルタＢを順次形成する。

【００６３】《保護膜ＰＳＶ２》保護膜ＰＳＶ２はカラ
ーフィルタＦＩＬの染料が液晶ＬＣに漏れることを防止
するために設けられている。保護膜ＰＳＶ２はたとえば
アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成さ
れている。

【００６４】《共通透明画素電極ＩＴＯ２》共通透明画
素電極ＩＴＯ２は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ＩＴＯ１に対向し、液
晶ＬＣの光学的な状態は各画素電極ＩＴＯ１と共通透明
画素電極ＩＴＯ２との間の電位差（電界）に応答して変
化する。この共通透明画素電極ＩＴＯ２にはコモン電圧
Ｖcomが印加されるように構成されている。本実施例で
は、コモン電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加される最
小レベルの駆動電圧Ｖｄminと最大レベルの駆動電圧Ｖ
ｄmaxとの中間直流電位に設定されるが、映像信号駆動
回路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減し
たい場合は、交流電圧を印加すれば良い。なお、共通透
明画素電極ＩＴＯ２の平面形状は図６、図７を参照され
たい。

【００６５】《保持容量素子Ｃaddの構造》透明画素電
極ＩＴＯ１は、薄膜トランジスタＴＦＴと接続される端
部と反対側の端部において、隣りの走査信号線ＧＬと重
なるように形成されている。この重ね合わせは、図４か
らも明らかなように、透明画素電極ＩＴＯ１を一方の電
極ＰＬ２とし、隣りの走査信号線ＧＬを他方の電極ＰＬ
１とする保持容量素子（静電容量素子）Ｃaddを構成す
る。この保持容量素子Ｃaddの誘電体膜は、薄膜トラン
ジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される絶縁膜Ｇ
Ｉおよび陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。

【００６６】保持容量素子Ｃaddは走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２の幅を広げた部分に形成されている。な
お、映像信号線ＤＬと交差する部分の第２導電膜ｇ２は
映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細くさ
れている。

【００６７】保持容量素子Ｃaddの電極ＰＬ１の段差部
において透明画素電極ＩＴＯ１が断線しても、その段差
をまたがるように形成された第２導電膜ｄ２および第３
導電膜ｄ３で構成された島領域によってその不良は補償
される。

【００６８】《ゲート端子部》図１０は表示マトリクス
の走査信号線ＧＬからその外部接続端子ＧＴＭまでの接
続構造を示す図であり、（Ａ）は平面であり（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示している。な
お、同図は図７下方付近に対応し、斜め配線の部分は便
宜状一直線状で表した。

【００６９】ＡＯは写真処理用のマスクパターン、言い
換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンであ
る。従って、このホトレジストは陽極酸化後除去され、
図に示すパターンＡＯは完成品としては残らないが、ゲ
ート配線ＧＬには断面図に示すように酸化膜ＡＯＦが選
択的に形成されるのでその軌跡が残る。平面図におい
て、ホトレジストの境界線ＡＯを基準にして左側はレジ
ストで覆い陽極酸化をしない領域、右側はレジストから
露出され陽極酸化される領域である。陽極酸化されたＡ
Ｌ層ｇ２は表面にその酸化物Ａｌ₂Ｏ₃膜ＡＯＦが形成さ
れ下方の導電部は体積が減少する。勿論、陽極酸化はそ
の導電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して
行われる。マスクパターンＡＯは走査線ＧＬに単一の直
線では交差せず、クランク状に折れ曲がって交差させて
いる。

【００７０】図中ＡＬ層ｇ２は、判り易くするためハッ
チを施してあるが、陽極化成されない領域は櫛状にパタ
ーニングされている。これは、Ａｌ層の幅が広いと表面
にホイスカが発生するので、１本１本の幅は狭くし、そ
れらを複数本並列に束ねた構成とすることにより、ホイ
スカの発生を防ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最
低限に押さえる狙いである。従って、本例では櫛の根本
に相当する部分もマスクＡＯに沿ってずらしている。

【００７１】ゲート端子ＧＴＭは酸化珪素ＳＩＯ層と接
着性が良くＡｌ等よりも耐電触性の高いＣｒ層ｇ１と、
更にその表面を保護し画素電極ＩＴＯ１と同レベル（同
層、同時形成）の透明導電層ｄ１とで構成されている。
なお、ゲート絶縁膜ＧＩ上及びその側面部に形成された
導電層ｄ２及びｄ３は、導電層ｄ３やｄ２のエッチング
時ピンホール等が原因で導電層ｇ２やｇ１が一緒にエッ
チングされないようその領域をホトレジストで覆ってい
た結果として残っているものである。又、ゲート絶縁膜
ＧＩを乗り越えて右方向に延長されたＩＴＯ層ｄ１は同
様な対策を更に万全とさせたものである。

【００７２】平面図において、ゲート絶縁膜ＧＩはその
境界線よりも右側に、保護膜ＰＳＶ１もその境界線より
も右側に形成されており、左端に位置する端子部ＧＴＭ
はそれらから露出し外部回路との電気的接触ができるよ
うになっている。図では、ゲート線ＧＬとゲート端子の
一つの対のみが示されているが、実際はこのような対が
図７に示すように上下に複数本並べられ端子群Ｔｇ（図
６、図７）が構成され、ゲート端子の左端は、製造過程
では、基板の切断領域ＣＴ１を越えて延長され配線ＳＨ
ｇによって短絡される。製造過程におけるこのような短
絡線ＳＨｇは陽極化成時の給電と、配向膜ＯＲＩ１のラ
ビング時等の静電破壊防止に役立つ。

【００７３】《ドレイン端子ＤＴＭ》図１１は映像信号
線ＤＬからその外部接続端子ＤＴＭまでの接続を示す図
であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ
−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図７右上
付近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方
向が基板ＳＵＢ１の上端部（又は下端部）に該当する。

【００７４】ＴＳＴｄは検査端子でありここには外部回
路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配
線部より幅が広げられている。同様に、ドレイン端子Ｄ
ＴＭも外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広
げられている。検査端子ＴＳＴｄと外部接続ドレイン端
子ＤＴＭは上下方向に千鳥状に複数交互に配列され、検
査端子ＴＳＴｄは図に示すとおり基板ＳＵＢ１の端部に
到達することなく終端しているが、ドレイン端子ＤＴＭ
は、図７に示すように端子群Ｔｄ（添字省略）を構成し
基板ＳＵＢ１の切断線ＣＴ１を越えて更に延長され、製
造過程中は静電破壊防止のためその全てが互いに配線Ｓ
Ｈｄによって短絡される。検査端子ＴＳＴｄが存在する
映像信号線ＤＬのマトリクスを挟んで反対側にはドレイ
ン接続端子が接続され、逆にドレイン接続端子ＤＴＭが
存在する映像信号線ＤＬのマトリクスを挟んで反対側に
は検査端子が接続される。

【００７５】ドレイン接続端子ＤＴＭは前述したゲート
端子ＧＴＭと同様な理由でＣｒ層ｇ１及びＩＴＯ層ｄ１
の２層で形成されており、ゲート絶縁膜ＧＩを除去した
部分で映像信号線ＤＬと接続されている。ゲート絶縁膜
ＧＩの端部上に形成された半導体層ＡＳはゲート絶縁膜
ＧＩの縁をテーパ状にエッチングするためのものであ
る。端子ＤＴＭ上では外部回路との接続を行うため保護
膜ＰＳＶ１は勿論のこと取り除かれている。ＡＯは前述
した陽極酸化マスクでありその境界線はマトリクス全体
をを大きく囲むように形成され、図ではその境界線から
左側がマスクで覆われるが、この図で覆われない部分に
は層ｇ２が存在しないのでこのパターンは直接は関係し
ない。

【００７６】マトリクス部からドレイン端子部ＤＴＭま
での引出配線は図８の（Ｃ）部にも示されるように、ド
レイン端子部ＤＴＭと同じレベルの層ｄ１，ｇ１のすぐ
上に映像信号線ＤＬと同じレベルの層ｄ２，ｄ３がシー
ルパターンＳＬの途中まで積層された構造になっている
が、これは断線の確率を最小限に押さえ、電触し易いＡ
ｌ層ｄ３を保護膜ＰＳＶ１やシールパターンＳＬででき
るだけ保護する狙いである。

【００７７】《表示装置全体等価回路》表示マトリクス
部の等価回路とその周辺回路の結線図を図１２に示す。
同図は回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応し
て描かれている。ＡＲは複数の画素を二次元状に配列し
たマトリクス・アレイである。

【００７８】図中、Ｘは映像信号線ＤＬを意味し、添字
Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応し
て付加されている。Ｙは走査信号線ＧＬを意味し、添字
１，２，３，…，endは走査タイミングの順序に従って
付加されている。

【００７９】映像信号線Ｘ（添字省略）は交互に上側
（または奇数）映像信号駆動回路Ｈｅ、下側（または偶
数）映像信号駆動回路Ｈｏに接続されている。

【００８０】走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路
Ｖに接続されている。

【００８１】ＳＵＰは１つの電圧源から複数の分圧した
安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上
位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を
ＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路
である。

【００８２】《保持容量素子Ｃaddの働き》保持容量素
子Ｃaddは、薄膜トランジスタＴＦＴがスイッチングす
るとき、中点電位（画素電極電位）Ｖlcに対するゲート
電位変化ΔＶgの影響を低減するように働く。この様子
を式で表すと、次のようになる。

【００８３】 ΔＶlc＝{Ｃgs/(Ｃgs+Ｃadd+Ｃpix)}×ΔＶg ここで、Ｃgsは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極Ｇ
Ｔとソース電極ＳＤ１との間に形成される寄生容量、Ｃ
pixは透明画素電極ＩＴＯ１（ＰＩＸ）と共通透明画素
電極ＩＴＯ２（ＣＯＭ）との間に形成される容量、ΔＶ
lcはΔＶgによる画素電極電位の変化分を表わす。この
変化分ΔＶlcは液晶ＬＣに加わる直流成分の原因となる
が、保持容量Ｃaddを大きくすればする程、その値を小
さくすることができる。また、保持容量素子Ｃaddは放
電時間を長くする作用もあり、薄膜トランジスタＴＦＴ
がオフした後の映像情報を長く蓄積する。液晶ＬＣに印
加される直流成分の低減は、液晶ＬＣの寿命を向上し、
液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残るいわゆる焼
き付きを低減することができる。

【００８４】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバラップ面
積が増え、従って寄生容量Ｃgsが大きくなり、中点電位
Ｖlcはゲート（走査）信号Ｖgの影響を受け易くなると
いう逆効果が生じる。しかし、保持容量素子Ｃaddを設
けることによりこのデメリットも解消することができ
る。

【００８５】保持容量素子Ｃaddの保持容量は、画素の
書込特性から、液晶容量Ｃpixに対して４〜８倍（４・Ｃ
pix＜Ｃadd＜８・Ｃpix）、寄生容量Ｃgsに対して８〜３
２倍（８・Ｃgs＜Ｃadd＜３２・Ｃgs）程度の値に設定す
る。

【００８６】保持容量電極線としてのみ使用される初段
の走査信号線ＧＬ（Ｙ₀）は共通透明画素電極ＩＴＯ２
（Ｖcom）と同じ電位にする。図７の例では、初段の走
査信号線は端子ＧＴ０、引出線ＩＮＴ、端子ＤＴ０及び
外部配線を通じて共通電極ＣＯＭに短絡される。或い
は、初段の保持容量電極線Ｙ₀は最終段の走査信号線Ｙe
ndに接続、Ｖcom以外の直流電位点（交流接地点）に接
続するかまたは垂直走査回路Ｖから１つ余分に走査パル
スＹ₀を受けるように接続してもよい。

【００８７】《製造方法》つぎに、上述した液晶表示装
置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について図１３〜図１５
を参照して説明する。なお同図において、中央の文字は
工程名の略称であり、左側は図３に示す画素部分、右側
は図１０に示すゲート端子付近の断面形状でみた加工の
流れを示す。工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理
に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図
も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した
段階を示している。なお、写真処理とは本説明ではフォ
トレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経て
それを現像するまでの一連の作業を示すものとし、繰返
しの説明は避ける。以下区分けした工程に従って、説明
する。

【００８８】工程Ａ、図１３ ７０５９ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１の両面に酸化シリコン膜ＳＩＯをディップ処理
により設けたのち、５００℃、６０分間のベークを行な
う。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１上に膜厚が１１００Å
のクロムからなる第１導電膜ｇ１をスパッタリングによ
り設け、写真処理後、エッチング液として硝酸第２セリ
ウムアンモニウム溶液で第１導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭ、ゲート端子ＧＴＭを接続する陽極酸化バ
スラインＳＨｇ、ドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラ
インＳＨｄ、陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽
極酸化パッド（図示せず）を形成する。

【００８９】工程Ｂ、図１３ 膜厚が２８００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等からなる第２導電膜ｇ２
をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸と
硝酸と氷酢酸との混酸液で第２導電膜ｇ２を選択的にエ
ッチングする。

【００９０】工程Ｃ、図１３ 写真処理後（前述した陽極酸化マスクＡＯ形成後）、３
％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６.２５±０.０５に調
整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した
液からなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成
電流密度が０.５ｍＡ／ｃｍ²になるように調整する（定
電流化成）。次に所定のＡｌ₂Ｏ₃膜厚が得られるのに必
要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。そ
の後この状態で数１０分保持することが望ましい（定電
圧化成）。これは均一なＡｌ₂Ｏ₃膜を得る上で大事なこ
とである。それによって、導電膜ｇ２を陽極酸化され、
走査信号線ＧＬ、ゲート電極ＧＴおよび電極ＰＬ１上に
膜厚が１８００Åの陽極酸化膜ＡＯＦが形成される。

【００９１】工程Ｃ’、図１３ このように形成された第２導電膜ｇ２からなる走査信号
線ＧＬが正常に接続され断線が発生していないかどうか
の検査を行なう。

【００９２】この場合の検査は、それぞれの走査信号線
ＧＬの両端に電気的に接続されたゲート端子部にプロー
ブを当接させ、該走査信号線ＧＬの電気抵抗を測定する
ことによって行なわれる。

【００９３】この場合において、走査信号線ＧＬの一部
に断線が生じていることを発見した場合の修復につい
て、図２１（ａ）ないし（ｃ）を用いて説明する。

【００９４】図２１（ａ）ないして（ｃ）は、たとえば
図２の２−２線における個所の断面を示している。この
断面個所はたとえば目視によって示されるとともにその
位置情報をなんらかの手段によって得るようになってい
る。たとえば、顕微鏡に対向して配置されたＸ−Ｙステ
ージに下ガラス基板ＳＵＢを載置し、該顕微鏡を介して
断線部が発見された際の該Ｘ−Ｙステージの位置を前記
位置情報に対応させることによって行なうことができ
る。この位置情報は後に行なう修復の際に用いる情報と
なるものである。

【００９５】図２１（ａ）に示す走査信号線ＧＬの断線
個所に、図２１（ｂ）に示すように、特定の雰囲気中で
レーザ光を照射することにより白金（Ｐｔ）層を形成
し、このＰｔ層による連結層ｊｎによって断線の修復を
行なう。

【００９６】図２２は、この断線の修復を行なう場合の
装置の一実施例を示した概略構成図である。

【００９７】同図において、Ｘ−Ｙステージ１を内蔵さ
せたベルジャ２があり、このベルジャ２には該Ｘ−Ｙス
テージ１に対向させて配置された顕微鏡兼レーザ用鏡筒
３が取り付けられている。Ｘ−Ｙステージ１には断線検
査の対象となる下ガラス基板ＳＵＢ１が配置されてい
る。

【００９８】Ｘ−Ｙステージ１を駆動させることによ
り、下ガラス基板ＳＵＢ１の加工表面はその全域にわた
って顕微鏡兼レーザ用鏡筒３と対向できることになって
いる。Ｘ−Ｙステージ１はＸＹステージコントローラ４
によってその駆動を制御され、前述した位置情報の入力
で断線個所が顕微鏡兼レーザ用鏡筒３と対向できるよう
になっている。なお、この場合確実に対向がなされてい
るか否かは顕微鏡兼レーザ用鏡筒３における顕微鏡を用
いて行なうことができる。

【００９９】顕微鏡兼レーザ用鏡筒３は、レーザ源５か
らのレーザ光が導かれ、走査信号線ＧＬの断線個所に照
射されるようになっている。このレーザ光は、たとえば
Ａｒレーザ、またはＹＬＦレーザあるいはＹＡＧレーザ
であってもよい。Ａｒレーザの場合その波長が０．５５
μｍ、ＹＬＦレーザの場合その波長は１．０５μｍ、Ｙ
ＡＧレーザの場合その波長が１．０６μｍ（第２高調
波：０．５３μｍ）、そして、そのいずれにおいてもパ
ワーが約２００ｍＷで、ビーム径を５〜１０μｍとする
のが好適となる。

【０１００】ベルジャ２内には、材料ガス７として（Ｐ
ｔＣｌ₂）₂（ＣＯ）₃ガスとＡｒガスからなる混合ガス
を供給するようになっている。

【０１０１】これにより、レーザ光６が照射されている
部分において化学反応が生じ、その生成材料である白金
（Ｐｔ）層が形成され、このＰｔ層を連結層ｊｎとして
断線されている走査信号線ＧＬは導通されることにな
る。

【０１０２】なお、Ｐｔ層を形成する前段階として、レ
ーザ光６によっていわゆるアニールを行なうことにより
Ｐｔ層の形成領域をクリーンにすることが好ましく、ま
た、Ｐｔ層の形成の際には、断線領域を間にして存在す
る走査信号線の一方側から他方側に及んでレーザ光６を
図２６（ａ）に示すごとく走査することにより、該Ｐｔ
層ｊｎが形成されやすいことが確認されている。

【０１０３】上述した説明では、Ｐｔ層で修復を行なう
ことを示したものであるが、これに限定されることはな
く、たとえば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等であってもよい。この
場合の材料ガス７としては、それぞれ、Ｃｒ（ＣＯ）₆
＋Ｈ₂等、ＭｏＣｌ₅＋Ｈ₂あるいはＭｏ（ＣＯ）₆＋Ａｒ
等、ＷＣｌ₆＋Ｈ₂あるいはＷＦ₆＋Ｈ₂等が用いられる。

【０１０４】そして、このような走査信号線ＧＬの断線
の修復のさらに効果的な実施例を図１に示している。

【０１０５】まず、同図（ａ）において、走査信号線Ｇ
Ｌが断線されていることが確認されている。同図
（ａ’）は同図（ａ）のａ’−ａ’線における断面図で
ある。

【０１０６】そして、同図（ｂ）に示すように、走査信
号線ＧＬの連結層ｊｎを用いて接続させようとする個所
をたとえばレーザ光６０を用いて除去し、これにより該
走査信号線ＧＬに切欠部５０を形成する。同図（ｂ’）
は同図（ｂ）のｂ’−ｂ’線における断面図である。

【０１０７】その後、同図（ｃ）に示すように、断線個
所を間にした一方の走査信号線ＧＬの切欠部５０の個所
から他方の走査信号線ＧＬの切欠部５０の個所に及んで
連結層ｊｎを形成する。

【０１０８】この場合の連結層ｊｎは図２１に示したと
同様の工程を経て形成される。このようにして形成され
た連結層ｊｎは、図１（ｃ）のｃ’−ｃ’線の断面図で
ある同図（ｃ’）に示すように、走査信号線ＧＬとの重
畳部を形成することなく、その側端面で該走査信号線Ｇ
Ｌと接続されるようにして形成される。

【０１０９】このような構成は、図２１に示したように
走査信号線ＧＬに対する連結層ｊｎの重畳部を形成させ
る場合に比べて、極めて信頼性よく断線の修復ができる
ようになることが確認されたことに基づくものである。

【０１１０】走査信号線ＧＬに対する連結層ｊｎの重畳
部が形成されるようにして断線の修復を行なった場合、
その後の経時後において該重畳部における連結層ｊｎの
断線が往々にして発見されることがあった。この理由は
正確には判明していないが、連結層ｊｎの形成時に要す
る熱が走査信号線ＧＬに蓄積できず、即、走査線信号線
ＧＬに伝導されてしまうからではないかとされている。

【０１１１】また、レーザ光７を用いることなく、たと
えば集束イオンビーム方法を用いてＩｎ等を直接描画す
るようにしても同様の効果が得られる。

【０１１２】工程Ｄ、図１４ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２０００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜を設
ける。

【０１１３】ここで、走査信号線ＧＬの断線個所におい
ては図２１（ｃ）に示すように形成される。

【０１１４】工程Ｅ、図１４ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆、ＣＣ
ｌ₄を使用してＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ
膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層
ＡＳの島を形成する。

【０１１５】工程Ｆ、図１４ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。

【０１１６】工程Ｇ、図１５ 膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる第１導電膜ｄ１を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で第１導電膜ｄ１を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭ、ド
レイン端子ＤＴＭの最上層および透明画素電極ＩＴＯ１
を形成する。

【０１１７】工程Ｈ、図１５ 膜厚が６００ÅのＣｒからなる第２導電膜ｄ２をスパッ
タリングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−
Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ等からなる第３導電膜ｄ３をスパッタリングにより設
ける。写真処理後、第３導電膜ｄ３を工程Ｂと同様な液
でエッチングし、第２導電膜ｄ２を工程Ａと同様な液で
エッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ド
レイン電極ＳＤ２を形成する。つぎに、ドライエッチン
グ装置にＣＣｌ₄、ＳＦ₆を導入して、Ｎ(＋)型非晶質Ｓ
ｉ膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間
のＮ(＋)型半導体層ｄ０を選択的に除去する。

【０１１８】工程Ｈ’、図１５ このように形成された第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３
の積層体からなる映像信号線ＤＬが正常に接続され断線
が発生していないかどうかの検査を行なう。

【０１１９】この場合の検査は、それぞれの映像信号線
ＤＬの両端に電気的に接続されたドレイン端子部にプロ
ープを当接させて、工程Ｃ’で説明したと同様の方法で
行なう。

【０１２０】そして、映像信号線ＤＬの一部に断線が生
じていることを発見した場合の修復について、図２３
（ａ）ないし（ｃ）に示す。

【０１２１】図２３（ａ）ないし（ｃ）は、たとえば図
２の２２−２２線における断面を示している。この図２
３（ｂ）における断線の修復は、工程Ｃ’に示したと同
様に行なう。

【０１２２】工程Ｉ、図１５ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設け
る。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を
使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチン
グすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。

【０１２３】ここで、映像信号線ＤＬの断線個所におい
ては図２３（ｃ）に示すように形成される。

【０１２４】工程Ｉ’、図１５ 既に形成した走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬがその交
差部でショートしているか否かを検査する。

【０１２５】ここで、図２４は、走査信号線ＧＬと映像
信号線ＤＬがショートしている場合において、映像信号
線ＤＬの一部を断線させることによって修復できる構成
を示している。同図は、走査信号線ＧＬと映像信号線Ｄ
Ｌの交差部の平面図であり、図２のその部分を拡大しさ
らに詳細に示したものである。

【０１２６】映像信号線ＤＬは、走査信号線ＧＬとの交
差部において、その長方向に延在する貫通孔ＨＪが中央
部に設けられて構成されている。

【０１２７】仮に、図中×印の個所において層間絶縁膜
のピンホール等によるショートが発生している場合に、
この個所を含む映像信号線ＤＬの一部を、前記貫通孔Ｈ
Ｊとともに図中符号ＣＵＴに示す切断部分によって、他
の部分の映像信号線ＤＬと分離させる。これによって他
の部分の映像信号線ＤＬをそのまま利用して修復を達成
することができることになる。

【０１２８】図２５（ａ）ないし（ｃ）はこのような工
程を示した図である。まず、図２５（ａ）は図２４の２
４−２４線における断面図である。図２４の切断しよう
とする部分ＣＵＴにたとえばレーザ光を照射させて、図
２５（ｂ）に示すように保護膜ＰＳＶ１、第３導電膜ｄ
３、第２導電膜ｄ２、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０を除去す
ることによって切断を行なう。

【０１２９】その後、切断個所に、工程Ｃ’に示したと
同様にレーザ光６を用いて保護膜ＰＳＶｊを形成する。
この場合、図２２に示す材料ガス７としてはたとえばＳ
ｉＨ₄＋ＮＨ₅＋Ｎ₂が選択される。

【０１３０】以上説明した製造工程において、走査信号
線ＧＬあるいは映像信号線ＤＬの断線修復は、その形成
後に、すなわち上面に保護膜ＰＳＶ等が被着される前に
行なったものであるが、必ずしもこれに限定されること
はなく、保護膜ＰＳＶが被着された後に行なってもよい
ことはいうまでもない。

【０１３１】この場合、保護膜ＰＳＶをレーザ光によっ
て除去することによって断線部を露呈させ、その後、工
程Ｃ’あるいは工程Ｈ’に示したように連続層ｊｎを形
成し、さらに工程Ｉ’に示すように保護膜ＰＳＶｊを形
成するようにできる。連続層ｊｎ、保護膜ＰＳＶｊの順
次形成は、図２２に示した装置をそのまま利用でき、ベ
ルジャ２に供給する材料ガス７を交換するだけで足りる
ことになる。

【０１３２】また、本発明は以上説明した実施例に限定
されるものでなく、種々改良することによりさらに簡単
にかつ信頼性よく断線の修復をすることが可能になる。

【０１３３】たとえば、図２６に示すレーザ光６の走査
の方法は、断線部と異物が存在する場合は図２６（ａ）
に示すごとく、断線箇所を最短距離で走査すると、異物
の上に連結層ｊｎを形成することになり、信頼性上問題
がある。

【０１３４】従って、断線部に異物が存在する場合は図
２６（ｂ）に示すごとく、異物を避けて走査することに
より、信頼性よく断線の修復をすることが出来る。

【０１３５】なお、図２６（ｂ）に示す断線修復法を画
素部で行った場合、連結層ｊｎが隣接する画素電極ＩＴ
Ｏ１を覆ったり接触したりする為、点欠陥を生じる問題
がある。しかし、断線による線欠陥に比べれば点欠陥は
目立たないので、図２５（ｂ）の実施例は、簡単でかつ
信頼性よく断線を修復する方法として大変有効である。

【０１３６】この場合においても、走査信号線ＧＬと連
結層ｊｎとの接続部を図２７に示すようにすれば、図１
で示したと同様な効果を奏することはもちろんである。

【０１３７】すなわち、図２７（ａ）において、連結層
ｊｎの各両端部はそれぞれ走査信号線ＧＬに形成した切
欠部５０内に位置付けられ、同図（ａ）のｂ−ｂ線にお
ける断面図である図２７（ｂ）に示すように、該連結層
ｊｎは走査信号線ＧＬと重畳することなく、その側端面
で走査信号線ＧＬと接続されている。

【０１３８】また、連結層ｊｎはレーザ光６を複数回走
査することにより形成しても良い。図２８はレーザ光６
を複数回走査することにより連結層を形成した一例であ
る。図２８の実施例では、１回目の走査により第１の連
結層ｊｎ１を形成し、２回目の走査によりｊｎ１が配線
（この例では映像信号線ＤＬ）を乗り越える部分に第２
の連結層ｊｎ２を形成している。従って、図２８の実施
例によれば図２８（ｂ）に示すごとくＤＬにより形成さ
れる段差部の連結層ｊｎの厚さを厚くすることにより、
連結層ｊｎの断線を防止し信頼性を高めている。

【０１３９】また、レーザ光６により材料ガス７を反応
させる空間を形成するベルジャ２の形も、図２２に示す
ごとく基板ＳＵＢ１全体を覆うものの他に、図２９に示
すごとく基板ＳＵＢ１の１部を覆う形のものでも良い。
図２９の実施例によれば、基板ＳＵＢ１の部分のみベル
ジャ（２ａ，２ｂ，２ｃ）で覆うだけで良いので、簡単
に断線修復することが出来る、装置が小型化出来る、基
板の出し入れが全体を覆うものに比べ容易なので量産性
が良いという特徴がある。

【０１４０】なお、基板の１部を覆うタイプは基板全体
を覆うタイプに比べ、ベルジャ２内の気密性が問題とな
る。従って、図２９の実施例ではベルジャ２内の気密性
を保つために、ベルジャ２を複数のベルジャ２ａ，２
ｂ，２ｃで構成し、各ベルジャ間に多数の空間を設け、
真空排気をしたり不活性ガス、例えばＮ₂などを流し、
大気との気密性を保持している。

【０１４１】また、図２９の実施例ではレーザ光６の取
り入れ口には、交換可能な窓が設けられている。窓の材
質としては透明度が良いものが良く、図２９の実施例で
は石英ガラスを用いている。

【０１４２】一般に、レーザ光を用いて製膜をする方法
では、レーザ光取り入れ口にも製膜が行われ、長い間使
用する間に取り入れ口の透過率が低下する問題がある。
図２９の実施例では石英ガラスを交換可能とすることに
より石英ガラスの透明度が低下する問題を解決すること
が出来る。

【０１４３】なお、図１あるいは図２７に示したよう
に、連結層ｊｎの形成の際には、その連結層ｊｎが配線
層との重畳領域を形成しないようにしたものであるが、
このようにした場合、該連結層ｊｎと配線層との接続が
良好にできない場合が往々にして生じることが考えられ
る。図３０はこのことを考慮してさらに改良を加えたも
のである。

【０１４４】すなわち、図３０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
は、そのいずれにおいても、走査信号線ＧＬに形成した
切欠部５０に連結層ｊｎが位置付けられているが、その
連結層ｊｎの実質的かつ有効な接続経路部の外方部が一
部走査信号線ＧＬに重畳されたものとなっている。

【０１４５】このようにした場合、配線層に形成された
切欠部の周辺における連結層ｊｎとの接続が確実になさ
れる効果を奏するようになる。

【０１４６】連結層ｊｎの一部が配線層と重畳されて形
成されることから、該切欠部の周辺において充分に連結
層ｊｎが付着するからである。

【０１４７】この場合、該重畳部は断線個所を間にして
形成される連結層ｊｎの外方部に位置し、各配線層を接
続する連結層ｊｎの実質的かつ有効な接続経路部におい
ては該重畳部が存在していないことから、重畳部におけ
る導電材料の断線が特に問題となることはない。

【０１４８】また、連結層ｊｎを形成した場合、図３０
（ａ）に示すように、連結部ｊｎと配線層ＧＬの接続す
る角度θを６０°以下とすることにより断線修正率が向
上する。

【０１４９】図３１は、実験により得られた断線修正率
の接続角依存性を示すデータであり、横軸に接続角θ、
縦軸に断線修正率をとったものである。

【０１５０】図３１から明らかなように、接続角θが６
０°以下において、断線修正率が向上することが判る。
さらに、接続角を３０°以下とすることにより断線修正
率が８０％以上となり生産上問題ないレベルとなる。

【０１５１】《液晶表示モジュールの全体構成》図１６
は、液晶表示モジュールＭＤＬの各構成部品を示す分解
斜視図である。

【０１５２】ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールドケ
ース（メタルフレーム）、ＬＣＷその表示窓、ＰＮＬは
液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＭＦＲは中間フレ
ーム、ＢＬはバックライト、ＢＬＳはバックライト支持
体、ＬＣＡは下側ケースであり、図に示すような上下の
配置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＤＬが
組み立てられる。

【０１５３】モジュールＭＤＬは、シールドケースＳＨ
Ｄに設けられた爪ＣＬとフックＦＫによって全体が固定
されるようになっている。

【０１５４】中間フレームＭＦＲは表示窓ＬＣＷに対応
する開口が設けられるように枠状に形成され、その枠部
分には拡散板ＳＰＢ、バックライト支持体ＢＬＳ並びに
各種回路部品の形状や厚みに応じた凹凸や、放熱用の開
口が設けられている。

【０１５５】下側ケースＬＣＡはバックライト光の反射
体も兼ねており、効率のよい反射ができるよう、蛍光管
ＢＬに対応して反射山ＲＭが形成されている。

【０１５６】《表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ
１》図１７は、図５等に示した表示パネルＰＮＬに映像
信号駆動回路Ｈｅ、Ｈｏと垂直走査回路Ｖを接続した状
態を示す上面図である。

【０１５７】ＣＨＩは表示パネルＰＮＬを駆動させる駆
動ＩＣチップ（下側の３個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左右の６個ずつは映像信号駆動回路側の駆動Ｉ
Ｃチップ）である。ＴＣＰは図１８、図１９で後述する
ように駆動用ＩＣチップＣＨＩがテープ・オートメイテ
ィド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテー
プキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰやコンデ
ンサＣＤＳ等が実装された駆動回路基板で、３つに分割
されている。ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、
シールドケースＳＨＤに切り込んで設けられたバネ状の
破片ＦＧが半田付けされる。ＦＣは下側の駆動回路基板
ＰＣＢ１と左側の駆動回路基板ＰＣＢ１、および下側の
駆動回路基板ＰＣＢ１と右側の駆動回路基板ＰＣＢ１と
を電気的に接続するフラットケーブルである。フラット
ケーブルＦＣとしては図に示すように、複数のリード線
（りん青銅の素材にＳｎ鍍金を施したもの）をストライ
プ状のポリエチレン層とポリビニルアルコール層とでサ
ンドイッチして支持したものを使用する。

【０１５８】《ＴＣＰの接続構造》図１８は走査信号駆
動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈｅ，Ｈｏを構成する、集
積回路チップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載され
たテープキャリアパッケージＴＣＰの断面構造を示す図
であり、図１９はそれを液晶表示パネルの、本例では映
像信号回路用端子ＤＴＭに接続した状態を示す要部断面
図である。

【０１５９】同図において、ＴＴＢは集積回路ＣＨＩの
入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出
力端子・配線部であり、例えばＣｕから成り、それぞれ
の内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路Ｃ
ＨＩのボンディングパッドＰＡＤがいわゆるフェースダ
ウンボンディング法により接続される。端子ＴＴＢ，Ｔ
ＴＭの外側の先端部（通称アウターリード）はそれぞれ
半導体集積回路チップＣＨＩの入力及び出力に対応し、
半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路Ｓ
ＵＰに、異方性導電膜ＡＣＦによって液晶表示パネルＰ
ＮＬに接続される。パッケージＴＣＰは、その先端部が
パネルＰＮＬ側の接続端子ＤＴＭを露出した保護膜ＰＳ
Ｖ１を覆うようにパネルに接続されており、従って、外
部接続端子ＤＴＭ（ＧＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッケ
ージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対し
て強くなる。

【０１６０】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところ
へつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜で
ある。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の隙
間は洗浄後エポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、パッ
ケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更にシリコー
ン樹脂ＳＩＬが充填され保護が多重化されている。

【０１６１】《駆動回路基板ＰＣＢ２》中間フレームＭ
ＦＲに保持・収納される液晶表示部ＬＣＤの駆動回路基
板ＰＣＢ２は、図２０に示すように、Ｌ字形をしてお
り、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載されて
いる。この駆動回路基板ＰＣＢ２には、１つの電圧源か
ら複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源
回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰
極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報に変換
する回路を含む回路ＳＵＰが搭載されている。ＣＪは外
部と接続される図示しないコネクタが接続されるコネク
タ接続部である。駆動回路基板ＰＣＢ２とインバータ回
路基板ＰＣＢ３とはバックライトケーブルにより中間フ
レームＭＦＲに設けたコネクタ穴を介して電気的に接続
される。

【０１６２】駆動回路基板ＰＣＢ１と駆動回路基板ＰＣ
Ｂ２とは折り曲げ可能なフラットケーブルＦＣにより電
気的に接続されている。組立て時、駆動回路基板ＰＣＢ
２は、フラットケーブルＦＣを180°折り曲げることに
より駆動回路基板ＰＣＢ１の裏側に重ねられ、中間フレ
ームＭＦＲの所定の凹部に嵌合される。

【０１６３】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板の製造方法によれば、極めて
簡単にかつ信頼性よく断線あるいは短絡の修復ができる
ようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示した工程図である。

【図２】この発明が適用されるアクティブ・マトリック
ス方式のカラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とそ
の周辺を示す要部平面図である。

【図３】図２の３−３切断線における１画素とその周辺
を示す断面図である。

【図４】図２の４−４切断線における付加容量Ｃaddの
断面図である。

【図５】表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明す
るための平面図である。

【図６】図５の周辺部をやや誇張し更に具体的に説明す
るためのパネル平面図である。

【図７】上下基板の電気的接続部を含む表示パネルの角
部の拡大平面図である。

【図８】マトリクスの画素部を中央に、両側にパネル角
付近と映像信号端子部付近を示す断面図である。

【図９】左側に走査信号端子、右側に外部接続端子の無
いパネル縁部分を示す断面図である。

【図１０】ゲート端子ＧＴＭとゲート配線ＧＬの接続部
近辺を示す平面と断面の図である。

【図１１】ドレイン端子ＤＴＭと映像信号線ＤＬとの接
続部付近を示す平面と断面の図である。

【図１２】アクティブ・マトリックス方式のカラー液晶
表示装置のマトリクス部とその周辺を含む回路図であ
る。

【図１３】基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１４】基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１５】基板ＳＵＢ１側の工程Ｇ〜Ｉの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１６】液晶表示モジュールの分解斜視図である。

【図１７】液晶表示パネルに周辺の駆動回路を実装した
状態を示す上面図である。

【図１８】駆動回路を構成する集積回路チップＣＨＩが
フレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッ
ケージＴＣＰの断面構造を示す図である。

【図１９】テープキャリアパッケージＴＣＰを液晶表示
パネルＰＮＬの映像信号回路用端子ＤＴＭに接続した状
態を示す要部断面図である。

【図２０】周辺駆動回路基板ＰＣＢ１（上面が見える）
と電源回路回路基板ＰＣＢ２（下面が見える）との接続
状態を示す上面図である。

【図２１】走査信号線の断線を修復する工程図である。

【図２２】本発明に使用される光ＣＶＤ装置の一実施例
を示す構成図である。

【図２３】映像信号線の断線を修復する工程図である。

【図２４】走査信号線と映像信号線との短絡を修復する
ための構成を示した説明図である。

【図２５】映像信号線の断線を修復する他の実施例を示
す工程図である。

【図２６】本発明のレーザ光６の走査方法を説明する図
である。

【図２７】本発明の他の実施例を示す説明図である。

【図２８】レーザ光６の走査方法の他の実施例を示す図
である。

【図２９】本発明に使用される光ＣＶＤ装置の他の実施
例を示す図である。

【図３０】本発明の他の実施例を示す説明図である。

【図３１】接続角と断線修正率の関係を示す図である。

【符号の説明】

ＳＵＢ…透明ガラス基板、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映
像信号線 ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ…ｉ型半導体層 ＳＤ…ソース電極またはドレイン電極、ＰＳＶ…保護
膜、ＢＭ…遮光膜 ＬＣ…液晶、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＩＴＯ…透明
画素電極 ｇ、ｄ…導電膜、Ｃadd…保持容量素子、ＡＯＦ…陽極
酸化膜 ＡＯ…陽極酸化マスク、ＧＴＭ…ゲート端子、ＤＴＭ…
ドレイン端子 ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ…液晶表示パネル、Ｓ
ＰＢ…光拡散板、ＭＦＲ…中間フレーム、ＢＬ…バック
ライト、ＢＬＳ…バックライト支持体、ＬＣＡ…下側ケ
ース、ＲＭ…バックライト光反射山、（以上添字省
略）。５…レーザ源、６…レーザ光、７…材料ガス、８
…Ｎ₂ガス、９…石英ガラス、１０…異物。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうち少なくとも一方の透明基板の液晶側の面に形
   成された配線層の断線を検査する工程を含む液晶表示基
   板の製造方法において、 該配線層の断線個所に導電材料を付着させて該断線の修
   復を行なう工程を備えるものであって、 予め前記配線層の導電材料の重畳領域となる部分を切り
   欠いて切欠部を形成する工程を具備し、 前記導電材料の配線層に対する接続は該配線層の前記切
   欠部の周辺で行なうようにしたことを特徴とする液晶表
   示基板の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の発明において、配線層の
   導電材料の重畳領域となる部分の切欠部は前記重畳領域
   の一部とし、これにより、断線個所を間にして形成され
   る導電材料の外方部の一部が配線層と重畳されているこ
   とを特徴とする液晶表示基板の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２記載の発明に
   おいて、導電材料の付着は光ＣＶＤ方法によって行なう
   ことを特徴とする液晶表示基板の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１記載の発明において、前記配線
   層の前記導電材料と接続する辺と前記導電材料の長辺方
   向とで定義される接続角が６０°以下であることを特徴
   とする液晶表示基板の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１記載の発明において、前記配線
   層の前記導電材料と接続する辺と前記導電材料の長辺方
   向とで定義される接続角が３０°以下であることを特徴
   とする液晶表示基板の製造方法。