JPH0883744A - 走査型露光装置 - Google Patents
走査型露光装置Info
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- JPH0883744A JPH0883744A JP6215654A JP21565494A JPH0883744A JP H0883744 A JPH0883744 A JP H0883744A JP 6215654 A JP6215654 A JP 6215654A JP 21565494 A JP21565494 A JP 21565494A JP H0883744 A JPH0883744 A JP H0883744A
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- mask
- plate
- optical system
- scanning
- projection optical
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な機構で且つ高い応答速度で走査方向に
対する倍率及びディストーションの調整を行うことがで
きる走査型露光装置を提供する。 【構成】 照明光学系1によりマスク3を照明し、マス
ク3の像を等倍で且つ正立像を投影する投影光学系5、
及び平行平面板8を介してプレート10上に投影する。
プレート10上の回路パターンのX方向に対する伸縮率
をアライメント光学系19Aにより測定し、この測定結
果に応じて、キャリッジ13を介してマスク3及びプレ
ート10を投影光学系5に対してX方向に走査する際
に、平行平面板8の回転角を制御して露光視野11を移
動させる。
対する倍率及びディストーションの調整を行うことがで
きる走査型露光装置を提供する。 【構成】 照明光学系1によりマスク3を照明し、マス
ク3の像を等倍で且つ正立像を投影する投影光学系5、
及び平行平面板8を介してプレート10上に投影する。
プレート10上の回路パターンのX方向に対する伸縮率
をアライメント光学系19Aにより測定し、この測定結
果に応じて、キャリッジ13を介してマスク3及びプレ
ート10を投影光学系5に対してX方向に走査する際
に、平行平面板8の回転角を制御して露光視野11を移
動させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクパターンを感光
性の基板上に逐次露光するスリットスキャン方式、又は
ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に
関し、特に走査方向への倍率又はディストーションの補
正機構を備えた走査型露光装置に関する。
性の基板上に逐次露光するスリットスキャン方式、又は
ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に
関し、特に走査方向への倍率又はディストーションの補
正機構を備えた走査型露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体素子又は液晶表示素子等を
製造する際に、マスク(レチクル、フォトマスク等)の
パターンを投影光学系を介してフォトレジストが塗布さ
れたプレート(ガラスプレート又は半導体ウエハ等)上
に投影する投影露光装置が使用されている。従来はステ
ップ・アンド・リピート方式でプレート上の各ショット
領域にそれぞれレチクルのパターンを一括露光する投影
露光装置(ステッパー)が多用されていた。これに対し
て最近は、投影光学系に負担をかけることなく大面積の
パターンを露光するために、マスクとプレートとを投影
光学系に対して同期して走査することによりプレート上
にマスクのパターンを逐次露光する走査型露光装置も注
目されつつある。
製造する際に、マスク(レチクル、フォトマスク等)の
パターンを投影光学系を介してフォトレジストが塗布さ
れたプレート(ガラスプレート又は半導体ウエハ等)上
に投影する投影露光装置が使用されている。従来はステ
ップ・アンド・リピート方式でプレート上の各ショット
領域にそれぞれレチクルのパターンを一括露光する投影
露光装置(ステッパー)が多用されていた。これに対し
て最近は、投影光学系に負担をかけることなく大面積の
パターンを露光するために、マスクとプレートとを投影
光学系に対して同期して走査することによりプレート上
にマスクのパターンを逐次露光する走査型露光装置も注
目されつつある。
【0003】斯かる走査型露光装置でも、例えばプレー
ト上にそれまでの工程で形成された回路パターン上に重
ねて新たなマスクのパターンを露光する場合には、両パ
ターンを高精度に重ね合わせる必要がある。このために
は、プレート上の1層目にパターンを露光する際には、
マスクパターンからプレートへの投影倍率をプレートの
全面で設計値に対して所定の許容範囲内に収めることが
望ましい。走査型露光装置では、マスク及びプレートの
走査方向への倍率は、マスクとプレートとの相対的な走
査速度の比の値により決定され、その走査方向に垂直な
非走査方向への倍率は投影光学系の投影倍率そのものに
より決定される。その走査方向への倍率を補正する方法
としては、例えば特公平5−29129号公報におい
て、走査用ステージの軸受けとしてリニア・エア・ベア
リングを使用し、このリニア・エア・ベアリングの空気
圧力を部分的に制御することにより、走査用のステージ
の走り面の撓みに起因する倍率を補正する方法が開示さ
れている。
ト上にそれまでの工程で形成された回路パターン上に重
ねて新たなマスクのパターンを露光する場合には、両パ
ターンを高精度に重ね合わせる必要がある。このために
は、プレート上の1層目にパターンを露光する際には、
マスクパターンからプレートへの投影倍率をプレートの
全面で設計値に対して所定の許容範囲内に収めることが
望ましい。走査型露光装置では、マスク及びプレートの
走査方向への倍率は、マスクとプレートとの相対的な走
査速度の比の値により決定され、その走査方向に垂直な
非走査方向への倍率は投影光学系の投影倍率そのものに
より決定される。その走査方向への倍率を補正する方法
としては、例えば特公平5−29129号公報におい
て、走査用ステージの軸受けとしてリニア・エア・ベア
リングを使用し、このリニア・エア・ベアリングの空気
圧力を部分的に制御することにより、走査用のステージ
の走り面の撓みに起因する倍率を補正する方法が開示さ
れている。
【0004】また、最近の半導体素子等は複雑な処理工
程を経て製造されるため、プレート上に正確な倍率で回
路パターンを露光しても、その後の処理工程でそのプレ
ート上の被膜等が部分的又は一様に伸縮し、その回路パ
ターン上に次のマスクパターンを露光する際に、その回
路パターンが設計上の大きさから外れている場合もあ
る。このような場合には、プレート上に形成されている
回路パターンの倍率、及び部分的な倍率誤差(即ちディ
ストーション)を計測し、そのプレート上に露光するマ
スクパターンの像の倍率及びディストーションをその計
測された状態に合わせる必要がある。この場合、非走査
方向での倍率及び所定のディストーションの調整は、例
えば投影光学系中の所定のレンズ間の密閉空間内の気体
の圧力を調整する方法、又は投影光学系を構成する多数
のレンズの内の所定のレンズの位置及び傾斜角を調整す
る方法等により行われる。
程を経て製造されるため、プレート上に正確な倍率で回
路パターンを露光しても、その後の処理工程でそのプレ
ート上の被膜等が部分的又は一様に伸縮し、その回路パ
ターン上に次のマスクパターンを露光する際に、その回
路パターンが設計上の大きさから外れている場合もあ
る。このような場合には、プレート上に形成されている
回路パターンの倍率、及び部分的な倍率誤差(即ちディ
ストーション)を計測し、そのプレート上に露光するマ
スクパターンの像の倍率及びディストーションをその計
測された状態に合わせる必要がある。この場合、非走査
方向での倍率及び所定のディストーションの調整は、例
えば投影光学系中の所定のレンズ間の密閉空間内の気体
の圧力を調整する方法、又は投影光学系を構成する多数
のレンズの内の所定のレンズの位置及び傾斜角を調整す
る方法等により行われる。
【0005】また、走査方向での倍率及びディストーシ
ョンの調整方法としては、例えば上述の特公平5−29
129号公報において、プレートを2次元的に微動する
微小送り機構を設け、走査露光中にその微小送り機構を
介してプレートの位置を調整することにより、間接的に
倍率及びディストーションを補正する方法が開示されて
いる。
ョンの調整方法としては、例えば上述の特公平5−29
129号公報において、プレートを2次元的に微動する
微小送り機構を設け、走査露光中にその微小送り機構を
介してプレートの位置を調整することにより、間接的に
倍率及びディストーションを補正する方法が開示されて
いる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
の内で、例えば微小送り機構を介してプレートの位置を
調整する方法では、マスクやプレートの大型化に伴っ
て、その微小送り機構も大型化する必要があるが、それ
では製造コストが高くなるという不都合がある。更に、
微小送り機構は応答性が悪いため、例えばプレート上の
回路パターンが走査方向の狭い区間で部分的に伸縮して
いるような場合、走査露光中にその部分のみのディスト
ーションを正確に補正するのは困難である。
の内で、例えば微小送り機構を介してプレートの位置を
調整する方法では、マスクやプレートの大型化に伴っ
て、その微小送り機構も大型化する必要があるが、それ
では製造コストが高くなるという不都合がある。更に、
微小送り機構は応答性が悪いため、例えばプレート上の
回路パターンが走査方向の狭い区間で部分的に伸縮して
いるような場合、走査露光中にその部分のみのディスト
ーションを正確に補正するのは困難である。
【0007】また、従来技術中で、リニア・エア・ベア
リングの空気圧力を部分的に制御して走査用のステージ
の走り面の撓みに起因するディストーションを補正する
方法では、ディストーションを大まかに補正できるだけ
であり、部分的なディストーションを高精度に補正する
ことは困難である。更に、最近走査型露光装置において
は、1つの大きな投影光学系を使用する代わりに、小さ
な複数の部分投影光学系を走査方向に沿って所定間隔で
複数列に配置し、各部分投影光学系でそれぞれマスクパ
ターンをプレート上に露光する方式が提案されている。
この方式では、製造コストの低い部分投影光学系の個数
を増すだけでより大面積のパターンを露光できる利点が
ある。このように走査方向に所定間隔で配列された複数
列の部分投影光学系を使用する場合に、走査方向に沿っ
て短い間隔で変化するディストーションの補正を行うに
は、少なくとも各列の部分投影光学系毎に露光位置を走
査方向に調整する必要がある。しかしながら、従来の微
小送り機構を使用する方法、及び走査ステージの走り面
の撓みを補正する方法では、それら複数の部分投影光学
系の全体に対して一様にプレートの位置を走査方向に調
整できるだけであるため、狭い範囲の部分的なディスト
ーションを補正するのは困難である。
リングの空気圧力を部分的に制御して走査用のステージ
の走り面の撓みに起因するディストーションを補正する
方法では、ディストーションを大まかに補正できるだけ
であり、部分的なディストーションを高精度に補正する
ことは困難である。更に、最近走査型露光装置において
は、1つの大きな投影光学系を使用する代わりに、小さ
な複数の部分投影光学系を走査方向に沿って所定間隔で
複数列に配置し、各部分投影光学系でそれぞれマスクパ
ターンをプレート上に露光する方式が提案されている。
この方式では、製造コストの低い部分投影光学系の個数
を増すだけでより大面積のパターンを露光できる利点が
ある。このように走査方向に所定間隔で配列された複数
列の部分投影光学系を使用する場合に、走査方向に沿っ
て短い間隔で変化するディストーションの補正を行うに
は、少なくとも各列の部分投影光学系毎に露光位置を走
査方向に調整する必要がある。しかしながら、従来の微
小送り機構を使用する方法、及び走査ステージの走り面
の撓みを補正する方法では、それら複数の部分投影光学
系の全体に対して一様にプレートの位置を走査方向に調
整できるだけであるため、狭い範囲の部分的なディスト
ーションを補正するのは困難である。
【0008】本発明は斯かる点に鑑み、簡単な機構で且
つ高い応答速度で走査方向に対する倍率及びディストー
ションの調整を行うことができる走査型露光装置を提供
することを目的とする。更に本発明は、複数列の部分投
影光学系を用いて走査露光方式で露光を行う場合に、プ
レートの全面で容易に且つ正確に走査方向に対する倍率
及びディストーションの調整を行うことができる走査型
露光装置を提供することを目的とする。
つ高い応答速度で走査方向に対する倍率及びディストー
ションの調整を行うことができる走査型露光装置を提供
することを目的とする。更に本発明は、複数列の部分投
影光学系を用いて走査露光方式で露光を行う場合に、プ
レートの全面で容易に且つ正確に走査方向に対する倍率
及びディストーションの調整を行うことができる走査型
露光装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による走査型露光
装置は、例えば図1に示すように、露光用の照明光で転
写用のパターンが形成されたマスク(3)を照明し、そ
のマスクのパターンの像を投影光学系(5)を介して感
光性の基板(10)上に投影した状態で、マスク(3)
を第1の方向(X方向)に走査するのと同期して基板
(10)をその第1の方向に対応する第2の方向(X方
向)に走査することにより、そのマスクのパターンを逐
次その基板上に露光する走査型露光装置において、投影
光学系(5)による基板(10)上でのマスク(3)の
パターンの露光視野(11)をその第2の方向(X方
向)に所定範囲内で連続的に移動させる光学部材(8)
を備えたものである。
装置は、例えば図1に示すように、露光用の照明光で転
写用のパターンが形成されたマスク(3)を照明し、そ
のマスクのパターンの像を投影光学系(5)を介して感
光性の基板(10)上に投影した状態で、マスク(3)
を第1の方向(X方向)に走査するのと同期して基板
(10)をその第1の方向に対応する第2の方向(X方
向)に走査することにより、そのマスクのパターンを逐
次その基板上に露光する走査型露光装置において、投影
光学系(5)による基板(10)上でのマスク(3)の
パターンの露光視野(11)をその第2の方向(X方
向)に所定範囲内で連続的に移動させる光学部材(8)
を備えたものである。
【0010】この場合、マスク(3)のその第1の方向
での位置と基板(10)のその第2の方向での位置との
位置ずれ量を測定する測定手段(19A)と、この測定
手段の測定結果に基づいて、基板(10)のその第2の
方向での位置に応じてその光学部材(8)による露光視
野(11)の移動量を制御する光学部材制御手段(1
2)と、を設けることが望ましい。
での位置と基板(10)のその第2の方向での位置との
位置ずれ量を測定する測定手段(19A)と、この測定
手段の測定結果に基づいて、基板(10)のその第2の
方向での位置に応じてその光学部材(8)による露光視
野(11)の移動量を制御する光学部材制御手段(1
2)と、を設けることが望ましい。
【0011】また、その光学部材の一例は、その第2の
方向(X方向)に直交する方向に平行な回転軸(9a)
の回りに回転自在に設けられた平行平面板(8)と、こ
の平行平面板を回転させる駆動手段(9)とよりなるも
のである。また、その投影光学系が、例えば図7に示す
ように、その第2の方向(X方向)と直交する方向(Y
方向)に沿って複数列に配列された複数個の部分投影光
学系(33A〜33D,33E〜33G)よりなる場合
には、それら複数個の部分投影光学系のそれぞれ、又は
各列毎に対応させてその光学部材(51,52)を複数
個設けることが望ましい。
方向(X方向)に直交する方向に平行な回転軸(9a)
の回りに回転自在に設けられた平行平面板(8)と、こ
の平行平面板を回転させる駆動手段(9)とよりなるも
のである。また、その投影光学系が、例えば図7に示す
ように、その第2の方向(X方向)と直交する方向(Y
方向)に沿って複数列に配列された複数個の部分投影光
学系(33A〜33D,33E〜33G)よりなる場合
には、それら複数個の部分投影光学系のそれぞれ、又は
各列毎に対応させてその光学部材(51,52)を複数
個設けることが望ましい。
【0012】
【作用】斯かる本発明によれば、例えば図2に示すよう
に、基板(10)上の被膜の伸縮等により、基板(1
0)上に形成されているパターン(CP)が対応するマ
スクパターンの像(11a)に対して走査方向にずれて
いる場合、即ち基板(10)上のパターンに部分的な倍
率誤差(ディストーション)が発生している場合には、
光学部材(8)を介してそのマスクパターンの像(11
a)の結像位置をそのパターン(CP)上にずらして、
走査方向に対してディストーションを発生させる。これ
により、重ね合わせ精度が高精度に維持される。一方、
基板(10)上に形成されているパターン(CP)のマ
スクパターンの像(11a)に対する走査方向への倍率
が変化している場合には、走査位置に応じて光学部材
(8)を介して露光視野(11)を連続的に一方向へ変
化させればよい。
に、基板(10)上の被膜の伸縮等により、基板(1
0)上に形成されているパターン(CP)が対応するマ
スクパターンの像(11a)に対して走査方向にずれて
いる場合、即ち基板(10)上のパターンに部分的な倍
率誤差(ディストーション)が発生している場合には、
光学部材(8)を介してそのマスクパターンの像(11
a)の結像位置をそのパターン(CP)上にずらして、
走査方向に対してディストーションを発生させる。これ
により、重ね合わせ精度が高精度に維持される。一方、
基板(10)上に形成されているパターン(CP)のマ
スクパターンの像(11a)に対する走査方向への倍率
が変化している場合には、走査位置に応じて光学部材
(8)を介して露光視野(11)を連続的に一方向へ変
化させればよい。
【0013】また、その光学部材(8)による露光視野
(11)の移動量を決定するには、例えば図3に示すよ
うに、マスク(3)上にアライメントマーク(26A〜
26J)を形成し、基板(10)上にも回路パターン
(10a)を露光する際に並行してアライメントマーク
(27A〜27J)を露光しておく。そして、露光前に
マスク(3)及び基板(10)を1回走査することによ
り、例えばアライメント光学系19Aよりなる測定手段
を用いて、アライメントマーク(26A〜26J)に対
するアライメントマーク(27A〜27J)の走査方向
への位置ずれ量を計測し、計測結果を光学部材制御手段
(12)に記憶させる。その後走査露光を行う際には、
記憶された位置ずれ量分だけ順次光学部材(8)を介し
て露光視野(11)を移動させればよい。
(11)の移動量を決定するには、例えば図3に示すよ
うに、マスク(3)上にアライメントマーク(26A〜
26J)を形成し、基板(10)上にも回路パターン
(10a)を露光する際に並行してアライメントマーク
(27A〜27J)を露光しておく。そして、露光前に
マスク(3)及び基板(10)を1回走査することによ
り、例えばアライメント光学系19Aよりなる測定手段
を用いて、アライメントマーク(26A〜26J)に対
するアライメントマーク(27A〜27J)の走査方向
への位置ずれ量を計測し、計測結果を光学部材制御手段
(12)に記憶させる。その後走査露光を行う際には、
記憶された位置ずれ量分だけ順次光学部材(8)を介し
て露光視野(11)を移動させればよい。
【0014】また、光学部材が平行平面板(8)、及び
駆動手段(9)よりなる場合には、駆動手段(9)によ
り平行平面板(8)を時計回り又は反時計回りに回転
(回動)させるだけで、その回転角に応じて露光視野
(11)の位置が走査方向に対して前後に移動する。次
に、図7に示すように、投影光学系が複数列の部分投影
光学系(33A〜33D,33E〜33G)からなる場
合に、例えば1列目の露光視野(36A〜36D)と2
列目の露光視野(36E〜36G)とではディストーシ
ョンの値が異なっていることがある。このような場合に
は、各列毎に光学部材(51,52)を配置し、各列毎
に露光視野の走査方向(X方向)へのずらし量を調整す
ればよい。更に、各部分投影光学系毎に露光視野でのデ
ィストーションの値が異なっている場合には、各部分投
影光学系毎に露光視野を移動させるための光学部材を設
ければよい。
駆動手段(9)よりなる場合には、駆動手段(9)によ
り平行平面板(8)を時計回り又は反時計回りに回転
(回動)させるだけで、その回転角に応じて露光視野
(11)の位置が走査方向に対して前後に移動する。次
に、図7に示すように、投影光学系が複数列の部分投影
光学系(33A〜33D,33E〜33G)からなる場
合に、例えば1列目の露光視野(36A〜36D)と2
列目の露光視野(36E〜36G)とではディストーシ
ョンの値が異なっていることがある。このような場合に
は、各列毎に光学部材(51,52)を配置し、各列毎
に露光視野の走査方向(X方向)へのずらし量を調整す
ればよい。更に、各部分投影光学系毎に露光視野でのデ
ィストーションの値が異なっている場合には、各部分投
影光学系毎に露光視野を移動させるための光学部材を設
ければよい。
【0015】
【実施例】以下、本発明による走査型露光装置の第1実
施例につき説明する。本実施例は、等倍の1つの投影光
学系を使用する走査型露光装置に本発明を適用したもの
である。図1は、本実施例の走査型露光装置を示し、こ
の図1において、照明光学系1からの露光用の照明光I
Lがダイクロイックミラー2を透過してマスク3の下面
(パターン形成面)の円弧状の照明領域4を均一な照度
分布で照明する。その照明領域4内のパターンの像が、
所謂ダイソン型の投影光学系5、及び光学部材としての
平行平面板8を介してプレート10上の円弧状の露光視
野11内に投影される。
施例につき説明する。本実施例は、等倍の1つの投影光
学系を使用する走査型露光装置に本発明を適用したもの
である。図1は、本実施例の走査型露光装置を示し、こ
の図1において、照明光学系1からの露光用の照明光I
Lがダイクロイックミラー2を透過してマスク3の下面
(パターン形成面)の円弧状の照明領域4を均一な照度
分布で照明する。その照明領域4内のパターンの像が、
所謂ダイソン型の投影光学系5、及び光学部材としての
平行平面板8を介してプレート10上の円弧状の露光視
野11内に投影される。
【0016】投影光学系5は、レンズ6及び凹面反射鏡
7よりなる所謂ダイソン型であり、等倍で且つ正立像を
投影する対物光学系である。即ち、照明領域4からの照
明光ILは、レンズ6の斜面6aで反射された後、レン
ズ6の凸面6bから射出されて凹面反射鏡7に向かう。
そして、凹面反射鏡7で反射された照明光は、レンズ6
の凸面6bを経て斜面6cで反射された後、平行平面板
8に向かう。以下では、投影光学系5のプレート10上
での光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内
で図1の紙面に平行にX軸、図1の紙面に垂直にY軸を
取る。本実施例ではX軸に平行な方向がマスク3及びプ
レート10の走査方向である。
7よりなる所謂ダイソン型であり、等倍で且つ正立像を
投影する対物光学系である。即ち、照明領域4からの照
明光ILは、レンズ6の斜面6aで反射された後、レン
ズ6の凸面6bから射出されて凹面反射鏡7に向かう。
そして、凹面反射鏡7で反射された照明光は、レンズ6
の凸面6bを経て斜面6cで反射された後、平行平面板
8に向かう。以下では、投影光学系5のプレート10上
での光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内
で図1の紙面に平行にX軸、図1の紙面に垂直にY軸を
取る。本実施例ではX軸に平行な方向がマスク3及びプ
レート10の走査方向である。
【0017】平行平面板8は、ガラス基板よりなり、光
軸AXに垂直で且つ走査方向にも垂直なY軸に平行な軸
9aを回転中心とするθ方向に、モータ9により回転さ
れるように支持されている。モータ9は、例えばステッ
ピングモータよりなり、主制御系12からの制御信号に
応じて、平行平面板8を時計方向又は反時計方向の何れ
にも、且つ所定の分解能を単位として任意の角度だけ回
転させた後、その状態で平行平面板8を固定させておく
ことができる。更に、モータ9は主制御系12からの制
御信号に応じて、プレート10のX方向の位置に応じて
連続的に時計方向又は反時計方向の何れにも、平行平面
板8の回転角を変化させることもできる。このように平
行平面板8が回転すると、その回転角に応じて、プレー
ト10上の露光視野11の位置が走査方向であるX方向
に移動する。本実施例では、走査露光中に露光視野11
を移動させることにより、走査方向での部分的な倍率誤
差、即ちディストーションの補正を行う。
軸AXに垂直で且つ走査方向にも垂直なY軸に平行な軸
9aを回転中心とするθ方向に、モータ9により回転さ
れるように支持されている。モータ9は、例えばステッ
ピングモータよりなり、主制御系12からの制御信号に
応じて、平行平面板8を時計方向又は反時計方向の何れ
にも、且つ所定の分解能を単位として任意の角度だけ回
転させた後、その状態で平行平面板8を固定させておく
ことができる。更に、モータ9は主制御系12からの制
御信号に応じて、プレート10のX方向の位置に応じて
連続的に時計方向又は反時計方向の何れにも、平行平面
板8の回転角を変化させることもできる。このように平
行平面板8が回転すると、その回転角に応じて、プレー
ト10上の露光視野11の位置が走査方向であるX方向
に移動する。本実施例では、走査露光中に露光視野11
を移動させることにより、走査方向での部分的な倍率誤
差、即ちディストーションの補正を行う。
【0018】上述のように本実施例の投影光学系5は、
等倍で正立像を投影するため、マスク3及びプレート1
0は投影光学系5に対して同じ走査速度で+X方向又は
−X方向に走査すればよい。そこで、装置ベース14上
にキャリッジ13をX方向に移動自在に配置し、キャリ
ッジ13の中央部がくり抜かれた上板13b上にマスク
3を載置し、底板13a上にプレート10を載置し、装
置ベース14上の駆動モータ17により送りねじ18を
介してキャリッジ13を装置ベース14に対してX方向
(+X方向又は−X方向)に駆動する。この際に、投影
光学系5、平行平面板8、及びモータ9は装置ベース1
4に対して固定された不図示のフレームに固定されてい
る。従って、キャリッジ13をX方向に駆動することに
より、マスク3及びプレート10が投影光学系5及び平
行平面板8に対してX方向に移動される。
等倍で正立像を投影するため、マスク3及びプレート1
0は投影光学系5に対して同じ走査速度で+X方向又は
−X方向に走査すればよい。そこで、装置ベース14上
にキャリッジ13をX方向に移動自在に配置し、キャリ
ッジ13の中央部がくり抜かれた上板13b上にマスク
3を載置し、底板13a上にプレート10を載置し、装
置ベース14上の駆動モータ17により送りねじ18を
介してキャリッジ13を装置ベース14に対してX方向
(+X方向又は−X方向)に駆動する。この際に、投影
光学系5、平行平面板8、及びモータ9は装置ベース1
4に対して固定された不図示のフレームに固定されてい
る。従って、キャリッジ13をX方向に駆動することに
より、マスク3及びプレート10が投影光学系5及び平
行平面板8に対してX方向に移動される。
【0019】また、キャリッジ13の底板13aのX方
向の一端に移動鏡15が固定され、この移動鏡15に外
部のレーザ干渉計16から計測用のレーザビームが照射
され、レーザ干渉計16によりキャリッジ13のX座標
が常時計測され、計測されたX座標が主制御系12に供
給されている。主制御系12は、供給されたX座標に基
づいて、駆動モータ17を制御することにより、キャリ
ッジ13のX方向の位置、及びX方向への移動速度を制
御する。
向の一端に移動鏡15が固定され、この移動鏡15に外
部のレーザ干渉計16から計測用のレーザビームが照射
され、レーザ干渉計16によりキャリッジ13のX座標
が常時計測され、計測されたX座標が主制御系12に供
給されている。主制御系12は、供給されたX座標に基
づいて、駆動モータ17を制御することにより、キャリ
ッジ13のX方向の位置、及びX方向への移動速度を制
御する。
【0020】本実施例では、マスク3の上方のダイクロ
イックミラー2の側面方向に、図1の紙面に対して所定
間隔で1対のアライメント光学系(図1では手前のアラ
イメント光学系19Aのみが示されている)が配置され
ている。アライメント光学系19Aにおいて、アライメ
ント用の光源20から射出されるアライメント光AL
は、集光レンズ21により集光されてビームスプリッタ
22、及び第1対物レンズ23を経た後、ダイクロイッ
クミラー2により反射されてマスク3上のアライメント
マークを照明する。アライメント光としては、プレート
10上に塗布されたフォトレジストに対する感光性の弱
い光が使用され、光源20としてはハロゲンランプ等が
使用される。
イックミラー2の側面方向に、図1の紙面に対して所定
間隔で1対のアライメント光学系(図1では手前のアラ
イメント光学系19Aのみが示されている)が配置され
ている。アライメント光学系19Aにおいて、アライメ
ント用の光源20から射出されるアライメント光AL
は、集光レンズ21により集光されてビームスプリッタ
22、及び第1対物レンズ23を経た後、ダイクロイッ
クミラー2により反射されてマスク3上のアライメント
マークを照明する。アライメント光としては、プレート
10上に塗布されたフォトレジストに対する感光性の弱
い光が使用され、光源20としてはハロゲンランプ等が
使用される。
【0021】マスク3上に照射されたアライメント光A
Lの一部はアライメントマークにより反射され、残りの
部分はマスク3を透過した後、投影光学系5及び平行平
面板8を経てプレート10上のアライメントマークに照
射される。そして、プレート10上のアライメントマー
クにより反射されたアライメント光は、再び平行平面板
8及び投影光学系5を経てマスク3側に戻り、マスク3
で反射されたアライメント光、及びプレート10で反射
されたアライメント光は、ダイクロイックミラー2、及
び第1対物レンズ23を経てビームスプリッタ22に戻
る。そして、ビームスプリッタ22で反射されたアライ
メント光は、第2対物レンズ24を経て2次元CCD等
よりなる撮像素子25の撮像面にそれぞれのアライメン
トマークの像を形成する。
Lの一部はアライメントマークにより反射され、残りの
部分はマスク3を透過した後、投影光学系5及び平行平
面板8を経てプレート10上のアライメントマークに照
射される。そして、プレート10上のアライメントマー
クにより反射されたアライメント光は、再び平行平面板
8及び投影光学系5を経てマスク3側に戻り、マスク3
で反射されたアライメント光、及びプレート10で反射
されたアライメント光は、ダイクロイックミラー2、及
び第1対物レンズ23を経てビームスプリッタ22に戻
る。そして、ビームスプリッタ22で反射されたアライ
メント光は、第2対物レンズ24を経て2次元CCD等
よりなる撮像素子25の撮像面にそれぞれのアライメン
トマークの像を形成する。
【0022】この場合、露光用の照明光ILのみなら
ず、アライメント光ALについても、投影光学系5に関
してマスク3の配置面とプレート10の配置面とはほぼ
共役になっている。一般に凹面反射鏡は色収差がないた
め、本例の投影光学系5についてもアライメント光AL
に関してほぼ色消しすることは比較的容易である。撮像
素子25からの撮像信号は、アライメント処理系26に
供給される。同様に、アライメント光学系19Aと対に
なっているアライメント光学系からの撮像信号もアライ
メント処理系26に供給される。
ず、アライメント光ALについても、投影光学系5に関
してマスク3の配置面とプレート10の配置面とはほぼ
共役になっている。一般に凹面反射鏡は色収差がないた
め、本例の投影光学系5についてもアライメント光AL
に関してほぼ色消しすることは比較的容易である。撮像
素子25からの撮像信号は、アライメント処理系26に
供給される。同様に、アライメント光学系19Aと対に
なっているアライメント光学系からの撮像信号もアライ
メント処理系26に供給される。
【0023】図3(a)はマスク3上のアライメントマ
ークの配置を示し、この図3(a)に示すように、マス
ク3のパターン領域3aの+Y方向側及び−Y方向側の
辺に沿った光透過部中に、X方向に所定ピッチで遮光膜
よりなる十字型のアライメントマーク26A〜26E及
び26F〜26Jが形成されている。この場合、円弧状
の照明領域4の−Y方向の端部に設定された観察領域F
Aが、図1のアライメント光学系19Aによる観察領域
であり、照明領域4の+Y方向の端部に設定された観察
領域FBが別のアライメント光学系による観察領域であ
る。
ークの配置を示し、この図3(a)に示すように、マス
ク3のパターン領域3aの+Y方向側及び−Y方向側の
辺に沿った光透過部中に、X方向に所定ピッチで遮光膜
よりなる十字型のアライメントマーク26A〜26E及
び26F〜26Jが形成されている。この場合、円弧状
の照明領域4の−Y方向の端部に設定された観察領域F
Aが、図1のアライメント光学系19Aによる観察領域
であり、照明領域4の+Y方向の端部に設定された観察
領域FBが別のアライメント光学系による観察領域であ
る。
【0024】また、図3(b)はプレート10上のアラ
イメントマークの配置を示し、この図3(b)に示すよ
うに、プレート10のショット領域10aの+Y方向側
及び−Y方向側の辺に沿って、X方向に所定ピッチで反
射膜よりなる十字型のアライメントマーク27A〜27
E及び27F〜27Jが形成されている。これらのアラ
イメントマーク27A〜27Jは、それまでの工程でシ
ョット領域10aに回路パターンを形成する際に同時に
形成されたものである。また、アライメントマーク27
A〜27Jの設計上の配列は、アライメントマーク26
A〜26Jの配列と同一である。しかしながら、実際に
はプレート10上の被膜の伸縮等により、ショット領域
10a上の回路パターンの形状、及びアライメントマー
ク27A〜27Jの配列は設計値からずれている。本実
施例では、アライメントマーク27A〜27Jの配列の
ずれからショット領域10a上の回路パターンの全体
的、及び部分的な伸縮量を推定する。
イメントマークの配置を示し、この図3(b)に示すよ
うに、プレート10のショット領域10aの+Y方向側
及び−Y方向側の辺に沿って、X方向に所定ピッチで反
射膜よりなる十字型のアライメントマーク27A〜27
E及び27F〜27Jが形成されている。これらのアラ
イメントマーク27A〜27Jは、それまでの工程でシ
ョット領域10aに回路パターンを形成する際に同時に
形成されたものである。また、アライメントマーク27
A〜27Jの設計上の配列は、アライメントマーク26
A〜26Jの配列と同一である。しかしながら、実際に
はプレート10上の被膜の伸縮等により、ショット領域
10a上の回路パターンの形状、及びアライメントマー
ク27A〜27Jの配列は設計値からずれている。本実
施例では、アライメントマーク27A〜27Jの配列の
ずれからショット領域10a上の回路パターンの全体
的、及び部分的な伸縮量を推定する。
【0025】具体的に例えばマスク3上のアライメント
マーク26C,26Hに対するプレート10上のアライ
メントマーク27C,27Hの位置ずれ量を計測する際
には、図4(a)に示すように、観察領域FB内にアラ
イメントマーク26C、及びアライメントマーク27C
の像27CMを収めた状態で、対応するアライメント光
学系により観察領域FB内の像を撮像し、得られた撮像
信号を図1のアライメント処理系26で処理することに
より、アライメントマークの像27CMのX方向への位
置ずれ量ΔX2、及びY方向への位置ずれ量ΔY2が求
められる。同様に、図4(b)に示すように、観察領域
FA内のアライメントマーク26H、及びアライメント
マーク27Hの像27HMをアライメント光学系19A
により撮像し、得られた撮像信号をアライメント処理系
26で処理することにより、アライメントマークの像2
7HMのX方向への位置ずれ量ΔX1及びY方向への位
置ずれ量ΔY1が求められる。
マーク26C,26Hに対するプレート10上のアライ
メントマーク27C,27Hの位置ずれ量を計測する際
には、図4(a)に示すように、観察領域FB内にアラ
イメントマーク26C、及びアライメントマーク27C
の像27CMを収めた状態で、対応するアライメント光
学系により観察領域FB内の像を撮像し、得られた撮像
信号を図1のアライメント処理系26で処理することに
より、アライメントマークの像27CMのX方向への位
置ずれ量ΔX2、及びY方向への位置ずれ量ΔY2が求
められる。同様に、図4(b)に示すように、観察領域
FA内のアライメントマーク26H、及びアライメント
マーク27Hの像27HMをアライメント光学系19A
により撮像し、得られた撮像信号をアライメント処理系
26で処理することにより、アライメントマークの像2
7HMのX方向への位置ずれ量ΔX1及びY方向への位
置ずれ量ΔY1が求められる。
【0026】次に、本実施例の走査露光動作の一例につ
き説明する。先ず、以下のようにしてプレート10上の
ショット領域10aに形成されている回路パターンの伸
縮量を求める。即ち、図1において照明光ILを遮光し
て、アライメント光ALを照射させた状態で、キャリッ
ジ13を−X方向に移動させることにより、図3(a)
において、2つのアライメント光学系の観察領域FA及
びFB内にそれぞれマスク3上のアライメントマーク2
6F及び26Aを位置させる。この際に、観察領域FA
及びFB内にそれぞれプレート10上のアライメントマ
ーク27F及び27Aの像も収まる。この状態で図1の
アライメント光学系19A、及びアライメント処理系2
6によりアライメントマーク26Fを基準としてアライ
メントマーク27Fの投影光学系5を介した像のX方向
及びY方向への位置ずれ量を計測する。これと並行し
て、別のアライメント光学系により他方のアライメント
マーク26Aを基準としてアライメントマーク27Aの
X方向及びY方向への位置ずれ量を計測し、2組の位置
ずれ量を主制御系12に供給する。
き説明する。先ず、以下のようにしてプレート10上の
ショット領域10aに形成されている回路パターンの伸
縮量を求める。即ち、図1において照明光ILを遮光し
て、アライメント光ALを照射させた状態で、キャリッ
ジ13を−X方向に移動させることにより、図3(a)
において、2つのアライメント光学系の観察領域FA及
びFB内にそれぞれマスク3上のアライメントマーク2
6F及び26Aを位置させる。この際に、観察領域FA
及びFB内にそれぞれプレート10上のアライメントマ
ーク27F及び27Aの像も収まる。この状態で図1の
アライメント光学系19A、及びアライメント処理系2
6によりアライメントマーク26Fを基準としてアライ
メントマーク27Fの投影光学系5を介した像のX方向
及びY方向への位置ずれ量を計測する。これと並行し
て、別のアライメント光学系により他方のアライメント
マーク26Aを基準としてアライメントマーク27Aの
X方向及びY方向への位置ずれ量を計測し、2組の位置
ずれ量を主制御系12に供給する。
【0027】次に、図1のキャリッジ13を+X方向に
移動させて、アライメントマーク26G及び26Bをそ
れぞれ観察領域FA及びFB内に設定した後、アライメ
ントマーク26G及び26Bを基準としたアライメント
マーク27G及び27Bの像の位置ずれ量を計測して主
制御系12に供給する。同様に、アライメントマーク2
6C,26H〜26E,26Jを基準としたアライメン
トマーク27C,27H〜27E,27Jの像の位置ず
れ量を計測して主制御系12に供給する。
移動させて、アライメントマーク26G及び26Bをそ
れぞれ観察領域FA及びFB内に設定した後、アライメ
ントマーク26G及び26Bを基準としたアライメント
マーク27G及び27Bの像の位置ずれ量を計測して主
制御系12に供給する。同様に、アライメントマーク2
6C,26H〜26E,26Jを基準としたアライメン
トマーク27C,27H〜27E,27Jの像の位置ず
れ量を計測して主制御系12に供給する。
【0028】主制御系12は、プレート10上のアライ
メントマーク27A〜27Jの像の位置ずれ量から、シ
ョット領域10a内の回路パターンの各部の伸縮量を算
出する。その後、図1のキャリッジ13を更に+X方向
に移動させて、図3(a)の照明領域4をパターン領域
3aの外側に移動させる。そして、照明光ILの照射を
開始させた状態で、キャリッジ13を−X方向に加速し
て、照明領域4がパターン領域3aにかかるときにはキ
ャリッジ13の走査速度が一定速度に達するようにし
て、走査露光方式で露光を行う。この走査露光中に以下
のようにしてマスク3の投影像の倍率及びディストーシ
ョンの補正を行う。
メントマーク27A〜27Jの像の位置ずれ量から、シ
ョット領域10a内の回路パターンの各部の伸縮量を算
出する。その後、図1のキャリッジ13を更に+X方向
に移動させて、図3(a)の照明領域4をパターン領域
3aの外側に移動させる。そして、照明光ILの照射を
開始させた状態で、キャリッジ13を−X方向に加速し
て、照明領域4がパターン領域3aにかかるときにはキ
ャリッジ13の走査速度が一定速度に達するようにし
て、走査露光方式で露光を行う。この走査露光中に以下
のようにしてマスク3の投影像の倍率及びディストーシ
ョンの補正を行う。
【0029】先ず、ショット領域10aが走査方向に垂
直な非走査方向(Y方向)に例えば倍率β(β>1)で
伸張している場合には、例えば投影光学系5を構成する
各光学部材の位置を調整する等によりマスク3のパター
ンの投影像の倍率(設計値は1倍)をβに合わせた状態
で、走査露光を行う。これは投影光学系5による投影像
の倍率を補正することを意味する。
直な非走査方向(Y方向)に例えば倍率β(β>1)で
伸張している場合には、例えば投影光学系5を構成する
各光学部材の位置を調整する等によりマスク3のパター
ンの投影像の倍率(設計値は1倍)をβに合わせた状態
で、走査露光を行う。これは投影光学系5による投影像
の倍率を補正することを意味する。
【0030】また、ショット領域10aの伸縮率が等方
的であり、ショット領域10a内の回路パターンが走査
方向(X方向)に対して一様にその倍率βで伸張してい
る場合には、走査露光時のマスク3の−X方向への走査
速度に対するプレート10の−X方向への走査速度の比
の値をβにする必要がある。但し、本実施例では、マス
ク3及びプレート10は一体のキャリッジ13により走
査されるため、両者の走査速度の比の値をβにするため
に、走査露光中にキャリッジ13が−X方向に移動する
のに応じて、図1の主制御系12はモータ9を介して反
時計方向に次第に平行平面板8を回転させる。これによ
り、露光視野11が次第に+X方向にずれるため、実質
的にマスク3に対してプレート10を−X方向にβ(>
1)の速度比で走査しているのと等価になる。これによ
り、ショット領域10a上の回路パターンに対して高い
重ね合わせ精度でマスク3のパターンを露光できる。
的であり、ショット領域10a内の回路パターンが走査
方向(X方向)に対して一様にその倍率βで伸張してい
る場合には、走査露光時のマスク3の−X方向への走査
速度に対するプレート10の−X方向への走査速度の比
の値をβにする必要がある。但し、本実施例では、マス
ク3及びプレート10は一体のキャリッジ13により走
査されるため、両者の走査速度の比の値をβにするため
に、走査露光中にキャリッジ13が−X方向に移動する
のに応じて、図1の主制御系12はモータ9を介して反
時計方向に次第に平行平面板8を回転させる。これによ
り、露光視野11が次第に+X方向にずれるため、実質
的にマスク3に対してプレート10を−X方向にβ(>
1)の速度比で走査しているのと等価になる。これによ
り、ショット領域10a上の回路パターンに対して高い
重ね合わせ精度でマスク3のパターンを露光できる。
【0031】図2を参照して、その場合の平行平面板8
の角速度を求める。図2において、平行平面板8の厚さ
をd、屈折率をnとして、平行平面板8をプレート10
に平行な状態から時計方向に角度φだけ回転させると、
プレート10上に垂直に入射する照明光ILの−X方向
への位置シフトΔは、次のように表すことができる。 Δ≒(1−1/n)d・φ (1) 例えば、平行平面板8の厚さdを1mm、屈折率nを
1.5とする。そして、プレート10上で走査方向に対
する長さが100mmの回路パターンが10μm伸びて
いるとすれば、マスク3上で100mm走査したとき
に、その位置シフトΔを10μm(0.01mm)とす
ればよい。即ち、次式より、そのときの角度φは約0.
03radとなる。
の角速度を求める。図2において、平行平面板8の厚さ
をd、屈折率をnとして、平行平面板8をプレート10
に平行な状態から時計方向に角度φだけ回転させると、
プレート10上に垂直に入射する照明光ILの−X方向
への位置シフトΔは、次のように表すことができる。 Δ≒(1−1/n)d・φ (1) 例えば、平行平面板8の厚さdを1mm、屈折率nを
1.5とする。そして、プレート10上で走査方向に対
する長さが100mmの回路パターンが10μm伸びて
いるとすれば、マスク3上で100mm走査したとき
に、その位置シフトΔを10μm(0.01mm)とす
ればよい。即ち、次式より、そのときの角度φは約0.
03radとなる。
【0032】 0.01≒(1−1/1.5)・1・φ (2) φ≒0.03[rad] (3) この場合のキャリッジ13の走査速度を一定の100m
m/sとすれば、平行平面板8の角速度wは、0.03
rad/sとなる。なお、キャリッジ13を−X方向に
走査する場合には、図2において角度φは負の値であ
り、平行平面板8は反時計方向に角速度wで回転され
る。
m/sとすれば、平行平面板8の角速度wは、0.03
rad/sとなる。なお、キャリッジ13を−X方向に
走査する場合には、図2において角度φは負の値であ
り、平行平面板8は反時計方向に角速度wで回転され
る。
【0033】次に、ショット領域10aの伸縮率が非等
方的であり、且つ走査方向(X方向)の各部での走査方
向への伸縮率が変化している場合には、走査露光中にキ
ャリッジ13が+X方向に移動するのに応じて、図1の
主制御系12はモータ9を介して平行平面板8のθ方向
への回転角を変化させる。具体的に走査露光の途中で、
図2に示すようにプレート10上で既に形成されている
回路パターンCPの位置が、本来その回路パターンCP
上に投影されるマスクパターン11aの投影位置から−
X方向にずれている場合には、そのマスクパターン11
aの位置が回路パターンCP上に重なるように平行平面
板8の回転角を制御すればよい。この場合、その回路パ
ターンCPの走査方向への位置ずれ量は、アライメント
マーク27A〜27Jの位置ずれ量を補間することによ
り算出される。これにより、マスクパターンの投影像の
走査方向へのディストーションが、プレート10上の回
路パターンに応じて補正される。
方的であり、且つ走査方向(X方向)の各部での走査方
向への伸縮率が変化している場合には、走査露光中にキ
ャリッジ13が+X方向に移動するのに応じて、図1の
主制御系12はモータ9を介して平行平面板8のθ方向
への回転角を変化させる。具体的に走査露光の途中で、
図2に示すようにプレート10上で既に形成されている
回路パターンCPの位置が、本来その回路パターンCP
上に投影されるマスクパターン11aの投影位置から−
X方向にずれている場合には、そのマスクパターン11
aの位置が回路パターンCP上に重なるように平行平面
板8の回転角を制御すればよい。この場合、その回路パ
ターンCPの走査方向への位置ずれ量は、アライメント
マーク27A〜27Jの位置ずれ量を補間することによ
り算出される。これにより、マスクパターンの投影像の
走査方向へのディストーションが、プレート10上の回
路パターンに応じて補正される。
【0034】なお、図1においては、平行平面板8がプ
レート10上に配置されているが、平行平面板8を例え
ばマスク3の直下に配置してもよい。次に、本発明の第
2実施例につき図5及び図6を参照して説明する。本実
施例は第1実施例の平行平面板8の代わりに1対の湾曲
板を使用するものであり、図5及び図6において、図1
に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省
略する。
レート10上に配置されているが、平行平面板8を例え
ばマスク3の直下に配置してもよい。次に、本発明の第
2実施例につき図5及び図6を参照して説明する。本実
施例は第1実施例の平行平面板8の代わりに1対の湾曲
板を使用するものであり、図5及び図6において、図1
に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省
略する。
【0035】図5は本実施例の走査型露光装置を示し、
この図5において、投影光学系5とプレート10との間
に、投影光学系5の光軸AXに沿って1対の円筒状に湾
曲したガラス製の湾曲板28及び29が互いに凸面で対
向するように配置されている。湾曲板28及び29は、
それぞれ同一の厚さで且つ外面の曲率半径が等しい円筒
の一部よりなり、湾曲板28及び29の円筒状の外面の
対称軸は、走査方向(X方向)に直交するY方向(図5
の紙面に垂直な方向)に平行である。即ち、湾曲板28
及び29の円筒状の外面の母線はY方向に平行である。
また、投影光学系5側の湾曲板28は、X方向に平行に
配置されたガイド30に沿って+X方向又は−X方向に
所望の量だけ駆動できるように支持されている。その他
の構成は図1の第1実施例と同様である。
この図5において、投影光学系5とプレート10との間
に、投影光学系5の光軸AXに沿って1対の円筒状に湾
曲したガラス製の湾曲板28及び29が互いに凸面で対
向するように配置されている。湾曲板28及び29は、
それぞれ同一の厚さで且つ外面の曲率半径が等しい円筒
の一部よりなり、湾曲板28及び29の円筒状の外面の
対称軸は、走査方向(X方向)に直交するY方向(図5
の紙面に垂直な方向)に平行である。即ち、湾曲板28
及び29の円筒状の外面の母線はY方向に平行である。
また、投影光学系5側の湾曲板28は、X方向に平行に
配置されたガイド30に沿って+X方向又は−X方向に
所望の量だけ駆動できるように支持されている。その他
の構成は図1の第1実施例と同様である。
【0036】本実施例において、湾曲板28及び29は
同一の円筒面が逆向きに配置されているため、マスク3
からプレート10への投影像の倍率は、湾曲板28及び
29が無い場合と同じ1倍である。この状態で、図6に
示すように、湾曲板28を+X方向に移動させると、プ
レート10に対して垂直に入射する照明光ILは点線で
示すように−X方向に移動する。即ち、湾曲板28をX
方向に移動させることにより、露光視野11を逆方向に
移動させることができる。
同一の円筒面が逆向きに配置されているため、マスク3
からプレート10への投影像の倍率は、湾曲板28及び
29が無い場合と同じ1倍である。この状態で、図6に
示すように、湾曲板28を+X方向に移動させると、プ
レート10に対して垂直に入射する照明光ILは点線で
示すように−X方向に移動する。即ち、湾曲板28をX
方向に移動させることにより、露光視野11を逆方向に
移動させることができる。
【0037】本実施例での走査露光時には、投影光学系
5及び1対の湾曲板28,29に対して相対的にマスク
3及びプレート10が+X方向又は−X方向に所定の走
査速度で走査される。そして、プレート10上のショッ
ト領域の回路パターンの伸縮量、及び伸縮量の分布に合
わせて、プレート10のX方向の位置に応じて、湾曲板
28のX方向への移動量が連続的に制御される。これに
より、露光視野11の位置が走査方向に調整されて、マ
スクパターンの投影像の走査方向への倍率、及びディス
トーションが補正され、プレート10上の回路パターン
とマスクパターンの投影像との重ね合わせ精度が高精度
に維持される。
5及び1対の湾曲板28,29に対して相対的にマスク
3及びプレート10が+X方向又は−X方向に所定の走
査速度で走査される。そして、プレート10上のショッ
ト領域の回路パターンの伸縮量、及び伸縮量の分布に合
わせて、プレート10のX方向の位置に応じて、湾曲板
28のX方向への移動量が連続的に制御される。これに
より、露光視野11の位置が走査方向に調整されて、マ
スクパターンの投影像の走査方向への倍率、及びディス
トーションが補正され、プレート10上の回路パターン
とマスクパターンの投影像との重ね合わせ精度が高精度
に維持される。
【0038】ここで、図6を参照して湾曲板28のX方
向への移動量に対する、露光視野11のX方向へのシフ
ト量の関係を求める。そのため、湾曲部材28の内面の
曲率半径をRa、厚さをd、屈折率をnとして、照明光
ILが湾曲部材28に入射する位置の曲率中心から−X
方向への間隔をδaとする。この場合、曲率半径Raが
間隔δaに比べて十分大きいとすれば、照明光ILの入
射位置での湾曲部材28の勾配、即ちその照明光ILの
入射角はほぼδa/Raである。従って、湾曲部材28
を透過した後の照明光ILの−X方向への位置ずれ量Δ
aは、次のようになる。
向への移動量に対する、露光視野11のX方向へのシフ
ト量の関係を求める。そのため、湾曲部材28の内面の
曲率半径をRa、厚さをd、屈折率をnとして、照明光
ILが湾曲部材28に入射する位置の曲率中心から−X
方向への間隔をδaとする。この場合、曲率半径Raが
間隔δaに比べて十分大きいとすれば、照明光ILの入
射位置での湾曲部材28の勾配、即ちその照明光ILの
入射角はほぼδa/Raである。従って、湾曲部材28
を透過した後の照明光ILの−X方向への位置ずれ量Δ
aは、次のようになる。
【0039】 Δa≒d(1−1/n)・δa/Ra (4) また、湾曲部材29の曲率半径をRb(=−Ra)、厚
さをd、屈折率をnとして、湾曲部材29に入射する照
明光ILの位置の曲率中心から−X方向への位置ずれ量
をδb(初期状態でδb=δaとする)とすると、照明
光ILの湾曲部材29による−X方向への位置ずれ量Δ
bは、次のようになる。
さをd、屈折率をnとして、湾曲部材29に入射する照
明光ILの位置の曲率中心から−X方向への位置ずれ量
をδb(初期状態でδb=δaとする)とすると、照明
光ILの湾曲部材29による−X方向への位置ずれ量Δ
bは、次のようになる。
【0040】 Δb≒d(1−1/n)・δb/Rb (5) この場合、初期状態では、Rb=−Ra、且つδb=δ
aが成立するため、湾曲部材28及び29による照明光
ILのX方向への横ずれ量は0である。次に、湾曲部材
28だけを+X方向にαだけ移動させると、照明光IL
の湾曲部材28による−X方向へのシフト量Δa’は、
次のようになる。
aが成立するため、湾曲部材28及び29による照明光
ILのX方向への横ずれ量は0である。次に、湾曲部材
28だけを+X方向にαだけ移動させると、照明光IL
の湾曲部材28による−X方向へのシフト量Δa’は、
次のようになる。
【0041】 Δa’≒d(1−1/n)・(δa+α)/Ra (6) 一方、照明光ILの湾曲部材29による−X方向へのシ
フト量Δb’は、(5)式と同じである。従って、
(5)式及び(6)式より、湾曲部材28及び29によ
る照明光ILの−X方向へのシフト量Δは、次のように
なる。但し、Rb=−Ra、且つδb=δaとしてい
る。
フト量Δb’は、(5)式と同じである。従って、
(5)式及び(6)式より、湾曲部材28及び29によ
る照明光ILの−X方向へのシフト量Δは、次のように
なる。但し、Rb=−Ra、且つδb=δaとしてい
る。
【0042】 Δ=Δa’+Δb’≒d(1−1/n)(δa+α−δb)/Ra =d(1−1/n)・α/Ra (7) つまり、湾曲部材28を走査方向にαだけ移動させる
と、その移動方向と逆方向に移動量αに比例して照明光
がシフトすることになる。今、屈折率nを1.5、厚さ
dを6mm、曲率半径Raを200mmとして、第1実
施例と同様にプレート10上の回路パターンが走査方向
に対して100mmにつき10μm(0.01mm)だ
け伸張したとする。この場合、プレート10の+X方向
への走査速度を100mm/sとすると、1秒について
湾曲部材28を+X方向にαだけ移動させたときに、
(7)式の−X方向へのシフト量Δが0.01mmにな
ればよい。即ち、αは近似的に次のようになる。
と、その移動方向と逆方向に移動量αに比例して照明光
がシフトすることになる。今、屈折率nを1.5、厚さ
dを6mm、曲率半径Raを200mmとして、第1実
施例と同様にプレート10上の回路パターンが走査方向
に対して100mmにつき10μm(0.01mm)だ
け伸張したとする。この場合、プレート10の+X方向
への走査速度を100mm/sとすると、1秒について
湾曲部材28を+X方向にαだけ移動させたときに、
(7)式の−X方向へのシフト量Δが0.01mmにな
ればよい。即ち、αは近似的に次のようになる。
【0043】 α=Δ・Ra/{d(1−1/n)} =0.01・200/{(1/3)・6}=1[mm] (8) 従って、走査速度が100mm/sであれば、湾曲部材
28を+X方向に1mm/sで移動させればよいことに
なる。なお、湾曲部材28を移動させる代わりに、湾曲
部材29を移動させてもよく、更には湾曲部材28及び
29の両方を逆方向に移動させるようにしてもよい。
28を+X方向に1mm/sで移動させればよいことに
なる。なお、湾曲部材28を移動させる代わりに、湾曲
部材29を移動させてもよく、更には湾曲部材28及び
29の両方を逆方向に移動させるようにしてもよい。
【0044】次に、本発明の第3実施例につき図7及び
図8を参照して説明する。本実施例は、それぞれ等倍の
正立正像を投影する複数の部分投影光学系よりなる投影
光学系を有する走査型露光装置に本発明を適用したもの
である。図7は、本実施例の走査型露光装置を示し、こ
の図7において、照明光学系31からの照明光(例えば
g線(波長435nm)、あるいはi線(波長365n
m)等)は、マスク3上に走査方向(X方向)に2列に
配置された後述の7個の台形状の視野領域32A〜32
Gをそれぞれ囲む矩形状の領域を均一に照明する。台形
状の視野領域32A〜32Gは、後述の部分投影光学系
の最大視野領域の形状に可能な限り相似な形状として選
ばれたものである。また、各視野領域32A〜32G
は、それぞれ部分投影光学系中の視野絞りにより規定さ
れる領域である。そのため、照明光学系31は、例えば
視野領域32A〜32Gの全てを含む1つの大きな矩形
状の照明領域を露光光で照明するものでもよい。
図8を参照して説明する。本実施例は、それぞれ等倍の
正立正像を投影する複数の部分投影光学系よりなる投影
光学系を有する走査型露光装置に本発明を適用したもの
である。図7は、本実施例の走査型露光装置を示し、こ
の図7において、照明光学系31からの照明光(例えば
g線(波長435nm)、あるいはi線(波長365n
m)等)は、マスク3上に走査方向(X方向)に2列に
配置された後述の7個の台形状の視野領域32A〜32
Gをそれぞれ囲む矩形状の領域を均一に照明する。台形
状の視野領域32A〜32Gは、後述の部分投影光学系
の最大視野領域の形状に可能な限り相似な形状として選
ばれたものである。また、各視野領域32A〜32G
は、それぞれ部分投影光学系中の視野絞りにより規定さ
れる領域である。そのため、照明光学系31は、例えば
視野領域32A〜32Gの全てを含む1つの大きな矩形
状の照明領域を露光光で照明するものでもよい。
【0045】さて、図7において、マスク3の下方に
は、7個の部分投影光学系33A〜33Gが2列に配置
され、マスク3上の視野領域32A〜32Gのパターン
がそれぞれ部分投影光学系33A〜33Gを介してプレ
ート10上の台形状の露光視野36A〜36G上に投影
される。以下、図8を参照して部分投影光学系33A〜
33Gについて説明する。なお、部分投影光学系33A
〜33Gは、互いに同じ構成を有するため、部分投影光
学系33Aのみについて述べる。
は、7個の部分投影光学系33A〜33Gが2列に配置
され、マスク3上の視野領域32A〜32Gのパターン
がそれぞれ部分投影光学系33A〜33Gを介してプレ
ート10上の台形状の露光視野36A〜36G上に投影
される。以下、図8を参照して部分投影光学系33A〜
33Gについて説明する。なお、部分投影光学系33A
〜33Gは、互いに同じ構成を有するため、部分投影光
学系33Aのみについて述べる。
【0046】図8は、部分投影光学系33Aのレンズ構
成図であり、この部分投影光学系33Aは、それぞれダ
イソン型光学系を変形した2組の光学系を組み合わせた
ものである。図8において、部分投影光学系33Aは、
第1部分光学系34Aa,45,46,34Abと、視
野絞り49と、共通な平行平面板51と、第2部分光学
系35Aa,47,48,35Abとから構成されてお
り、これら第1及び第2部分光学系は、それぞれダイソ
ン型光学系を変形したものである。
成図であり、この部分投影光学系33Aは、それぞれダ
イソン型光学系を変形した2組の光学系を組み合わせた
ものである。図8において、部分投影光学系33Aは、
第1部分光学系34Aa,45,46,34Abと、視
野絞り49と、共通な平行平面板51と、第2部分光学
系35Aa,47,48,35Abとから構成されてお
り、これら第1及び第2部分光学系は、それぞれダイソ
ン型光学系を変形したものである。
【0047】そして、第1部分光学系は、マスク3の下
面(パターン形成面)に対して45°の傾斜角で配置さ
れた反射面を持つ直角プリズム34Aaと、マスク3の
下面に平行な光軸を有し、平面部が直角プリズム34A
aに接合された平凸レンズ成分45と、全体としてメニ
スカス形状であって一面が平凸レンズ成分45の凸面
(接合面45a)に接合され他面(平凸レンズ成分45
に対して凹面)が反射面46aとなったレンズ成分46
と、直角プリズム34Aaの反射面と直交し且つマスク
3の下面に対して45°の傾斜角で配置された反射面を
持つ直角プリズム34Abとを有する。直角プリズム3
4Abも平凸レンズ成分45の平面部に接合され、平凸
レンズ成分45の硝材とレンズ成分46の硝材とは異な
っている。
面(パターン形成面)に対して45°の傾斜角で配置さ
れた反射面を持つ直角プリズム34Aaと、マスク3の
下面に平行な光軸を有し、平面部が直角プリズム34A
aに接合された平凸レンズ成分45と、全体としてメニ
スカス形状であって一面が平凸レンズ成分45の凸面
(接合面45a)に接合され他面(平凸レンズ成分45
に対して凹面)が反射面46aとなったレンズ成分46
と、直角プリズム34Aaの反射面と直交し且つマスク
3の下面に対して45°の傾斜角で配置された反射面を
持つ直角プリズム34Abとを有する。直角プリズム3
4Abも平凸レンズ成分45の平面部に接合され、平凸
レンズ成分45の硝材とレンズ成分46の硝材とは異な
っている。
【0048】そして、マスク3上の視野領域32Aを含
む照明領域からの光は、直角プリズム34Aaによって
光路が90°偏向され、平凸レンズ成分45に入射す
る。直角プリズム34Aaからの光は、平凸レンズ成分
45とレンズ成分46との間の接合面45aにて屈折し
てレンズ成分46に入射して、反射膜が蒸着された反射
面46aに達する。反射面46aで反射された光は、接
合面45aで再び屈折され、平凸レンズ成分45を経て
直角プリズム34Abに達する。平凸レンズ成分45か
らの光は、直角プリズム34Abの反射面により光路が
90°偏向されて、直角プリズム34Abの射出面側
に、マスク3の1次像を形成する。ここで、第1部分光
学系34Aa〜34Abが形成するマスク3の1次像
は、X方向(各部分光学系の光軸方向)の横倍率が正で
あり、且つY方向の横倍率が負となる等倍像である。
む照明領域からの光は、直角プリズム34Aaによって
光路が90°偏向され、平凸レンズ成分45に入射す
る。直角プリズム34Aaからの光は、平凸レンズ成分
45とレンズ成分46との間の接合面45aにて屈折し
てレンズ成分46に入射して、反射膜が蒸着された反射
面46aに達する。反射面46aで反射された光は、接
合面45aで再び屈折され、平凸レンズ成分45を経て
直角プリズム34Abに達する。平凸レンズ成分45か
らの光は、直角プリズム34Abの反射面により光路が
90°偏向されて、直角プリズム34Abの射出面側
に、マスク3の1次像を形成する。ここで、第1部分光
学系34Aa〜34Abが形成するマスク3の1次像
は、X方向(各部分光学系の光軸方向)の横倍率が正で
あり、且つY方向の横倍率が負となる等倍像である。
【0049】1次像からの光は、平行平面板51、及び
第2部分光学系35Aa,47,48,35Abを介し
て、マスク3の2次像をプレート10上の露光視野36
Aに形成する。第2部分光学系35Aa〜35Abの構
成は、第1部分光学系34Aa〜34Abと同一である
ため説明を省略する。即ち、第2部分光学系35Aa〜
35Abは、第1部分光学系34Aa〜34Abと同じ
く、X方向に正で且つY方向に負となる横倍率の等倍像
を形成する。従って、プレート10上に形成される2次
像は、マスク3の等倍の正立正像(上下左右方向の横倍
率が正となる像)となる。また、それら第1及び第2部
分光学系よりなる部分投影光学系33Aは、両側テレセ
ントリック光学系である。
第2部分光学系35Aa,47,48,35Abを介し
て、マスク3の2次像をプレート10上の露光視野36
Aに形成する。第2部分光学系35Aa〜35Abの構
成は、第1部分光学系34Aa〜34Abと同一である
ため説明を省略する。即ち、第2部分光学系35Aa〜
35Abは、第1部分光学系34Aa〜34Abと同じ
く、X方向に正で且つY方向に負となる横倍率の等倍像
を形成する。従って、プレート10上に形成される2次
像は、マスク3の等倍の正立正像(上下左右方向の横倍
率が正となる像)となる。また、それら第1及び第2部
分光学系よりなる部分投影光学系33Aは、両側テレセ
ントリック光学系である。
【0050】上述の第1及び第2部分光学系は、それぞ
れの反射面46a及び48aが共に同じ向きとなるよう
に構成されている。これにより、投影光学系全体の小型
化を図ることができる。また、第1及び第2部分光学系
は、平凸レンズ成分45と反射面46aとの間の光路、
及び平凸レンズ成分47と反射面48aとの間の光路中
をそれぞれ硝材で埋める構成となっている。これによ
り、平凸レンズ成分45,47と反射面46a,48a
との偏心が生じない利点がある。
れの反射面46a及び48aが共に同じ向きとなるよう
に構成されている。これにより、投影光学系全体の小型
化を図ることができる。また、第1及び第2部分光学系
は、平凸レンズ成分45と反射面46aとの間の光路、
及び平凸レンズ成分47と反射面48aとの間の光路中
をそれぞれ硝材で埋める構成となっている。これによ
り、平凸レンズ成分45,47と反射面46a,48a
との偏心が生じない利点がある。
【0051】なお、第1及び第2部分光学系としては、
平凸レンズ成分45,47と対応する反射面46a,4
8aとの間を空気とする、所謂ダイソン型光学系そのも
のを使用してもよい。このダイソン型光学系に関して
は、J.Opt.Soc.Am.vol.49,713-716(1959) に詳述されて
いる。図8において、本実施例においては、第1部分光
学系により形成される1次像の位置に、視野絞り49が
配置されている。視野絞り49は台形状の開口部を有
し、視野絞り49の開口部と共役なマスク3上の領域が
視野領域32Aである。また、視野絞り49の開口部と
共役なプレート10上の領域が台形状の露光視野36A
であり、露光視野36Aに視野領域32A内のパターン
が露光される。
平凸レンズ成分45,47と対応する反射面46a,4
8aとの間を空気とする、所謂ダイソン型光学系そのも
のを使用してもよい。このダイソン型光学系に関して
は、J.Opt.Soc.Am.vol.49,713-716(1959) に詳述されて
いる。図8において、本実施例においては、第1部分光
学系により形成される1次像の位置に、視野絞り49が
配置されている。視野絞り49は台形状の開口部を有
し、視野絞り49の開口部と共役なマスク3上の領域が
視野領域32Aである。また、視野絞り49の開口部と
共役なプレート10上の領域が台形状の露光視野36A
であり、露光視野36Aに視野領域32A内のパターン
が露光される。
【0052】また、平行平面板51を走査方向に直交す
るY方向に平行な軸を中心に回転させることにより、露
光視野36Aを+X方向又は−X方向にずらすことがで
きる。本実施例の平行平面板51は、図7に示すように
1列目の部分投影光学系33A〜33Dに共通であるた
め、その1列目の部分投影光学系によるY方向に所定ピ
ッチで配列された露光視野36A〜36Dが、並行に同
じ量だけ+X方向又は−X方向にずれることになる。
るY方向に平行な軸を中心に回転させることにより、露
光視野36Aを+X方向又は−X方向にずらすことがで
きる。本実施例の平行平面板51は、図7に示すように
1列目の部分投影光学系33A〜33Dに共通であるた
め、その1列目の部分投影光学系によるY方向に所定ピ
ッチで配列された露光視野36A〜36Dが、並行に同
じ量だけ+X方向又は−X方向にずれることになる。
【0053】図7に戻り、2列目の投影光学系33E〜
33Gによる露光視野36E〜36Gは、X方向で露光
視野36A〜36Dとは異なる位置に、且つY方向で露
光視野36A〜36Dの間を埋めるように配列されてい
る。そして、投影光学系33E〜33Gによるそれぞれ
の1次像の結像面の近傍に共通の平行平面板52が配置
され、平行平面板52をY方向に平行な軸を回転させる
ことにより、露光視野36A〜36Dを並行して同じ量
だけ+X方向又は−X方向にずらすことができるように
なっている。
33Gによる露光視野36E〜36Gは、X方向で露光
視野36A〜36Dとは異なる位置に、且つY方向で露
光視野36A〜36Dの間を埋めるように配列されてい
る。そして、投影光学系33E〜33Gによるそれぞれ
の1次像の結像面の近傍に共通の平行平面板52が配置
され、平行平面板52をY方向に平行な軸を回転させる
ことにより、露光視野36A〜36Dを並行して同じ量
だけ+X方向又は−X方向にずらすことができるように
なっている。
【0054】ここで、マスク3は図示なきマスクステー
ジ上に載置され、プレート10は、プレートステージ3
7上に載置されている。ここで、マスクステージとプレ
ートステージ37とは、図7のX方向に同期して移動す
る。これにより、プレート10上には、照明光学系31
により照明されたマスク3の像が逐次転写され、いわゆ
る走査露光方式の露光が行われる。マスク3の移動によ
り、視野領域32A〜32Gによるマスク3の全面の走
査が完了すると、プレート10上の全面に亘ってマスク
3の像が転写される。即ち、露光視野36A〜36Dに
よる像と隣接する露光視野36E〜36Gによる像とを
Y方向につなぎ合わせることにより、プレート10上の
全面にマスクパターンが露光されている。
ジ上に載置され、プレート10は、プレートステージ3
7上に載置されている。ここで、マスクステージとプレ
ートステージ37とは、図7のX方向に同期して移動す
る。これにより、プレート10上には、照明光学系31
により照明されたマスク3の像が逐次転写され、いわゆ
る走査露光方式の露光が行われる。マスク3の移動によ
り、視野領域32A〜32Gによるマスク3の全面の走
査が完了すると、プレート10上の全面に亘ってマスク
3の像が転写される。即ち、露光視野36A〜36Dに
よる像と隣接する露光視野36E〜36Gによる像とを
Y方向につなぎ合わせることにより、プレート10上の
全面にマスクパターンが露光されている。
【0055】プレートステージ37上には、Y軸に沿っ
た反射面を有する反射部材38と、X軸に沿った反射面
を有する反射部材39とが設けられている。また、露光
装置本体側には、干渉計として、例えばHe−Ne(6
33nm)等のレーザ光を供給するレーザ光源40、レ
ーザ光源40からのレーザ光をX方向測定用のレーザ光
とY方向測定用のレーザ光とに分割するビームスプリッ
タ41、ビームスプリッタ41からのレーザ光を反射部
材38へ投射するためのプリズム42、及びビームスプ
リッタ41からのレーザ光を反射部材39上の2点へ投
射するためのプリズム43,44が設けられている。こ
れにより、プレートステージ37のX方向の位置、Y方
向の位置及びXY平面内での回転角を検出できる。な
お、図7においては、反射部材38,39にて反射され
たレーザ光と参照用レーザ光とを干渉させた後に検出す
る検出系については図示省略してある。
た反射面を有する反射部材38と、X軸に沿った反射面
を有する反射部材39とが設けられている。また、露光
装置本体側には、干渉計として、例えばHe−Ne(6
33nm)等のレーザ光を供給するレーザ光源40、レ
ーザ光源40からのレーザ光をX方向測定用のレーザ光
とY方向測定用のレーザ光とに分割するビームスプリッ
タ41、ビームスプリッタ41からのレーザ光を反射部
材38へ投射するためのプリズム42、及びビームスプ
リッタ41からのレーザ光を反射部材39上の2点へ投
射するためのプリズム43,44が設けられている。こ
れにより、プレートステージ37のX方向の位置、Y方
向の位置及びXY平面内での回転角を検出できる。な
お、図7においては、反射部材38,39にて反射され
たレーザ光と参照用レーザ光とを干渉させた後に検出す
る検出系については図示省略してある。
【0056】本実施例においても、不図示のアライメン
ト光学系により予めマスク3に対するプレート10上の
回路パターンの伸縮量を計測しておき、走査露光時には
プレートステージ37のX方向の位置に応じて、平行平
面板51及び52の回転角を独立に調整することによ
り、マスクパターンの投影像の倍率及びディストーショ
ンをプレート10上の回路パターンに合わせるようにす
る。この際に、各列の露光視野ではそれぞれ回路パター
ンの走査方向への伸縮量はほぼ同一であるとみなすこと
ができるため、各列でそれぞれ共通の平行平面板51及
び52を使用している。従って、制御機構が簡単である
という利点がある。
ト光学系により予めマスク3に対するプレート10上の
回路パターンの伸縮量を計測しておき、走査露光時には
プレートステージ37のX方向の位置に応じて、平行平
面板51及び52の回転角を独立に調整することによ
り、マスクパターンの投影像の倍率及びディストーショ
ンをプレート10上の回路パターンに合わせるようにす
る。この際に、各列の露光視野ではそれぞれ回路パター
ンの走査方向への伸縮量はほぼ同一であるとみなすこと
ができるため、各列でそれぞれ共通の平行平面板51及
び52を使用している。従って、制御機構が簡単である
という利点がある。
【0057】なお、平行平面板51,52を例えばプレ
ート10の直上、又はマスク3の直下に配置してもよ
い。また、プレート10上でY方向に細分化した領域で
個別に回路パターンの伸縮量を計測できる場合には、各
部分投影光学系33A〜33Gのそれぞれに露光視野を
独立に補正するための平行平面板を設け、露光視野36
A〜36Gの走査方向への位置を互いに独立に制御する
ようにしてもよい。
ート10の直上、又はマスク3の直下に配置してもよ
い。また、プレート10上でY方向に細分化した領域で
個別に回路パターンの伸縮量を計測できる場合には、各
部分投影光学系33A〜33Gのそれぞれに露光視野を
独立に補正するための平行平面板を設け、露光視野36
A〜36Gの走査方向への位置を互いに独立に制御する
ようにしてもよい。
【0058】また、平行平面板の代わりに、図5の第2
実施例で使用される湾曲部材28,29を用いて露光視
野をずらすようにしてもよい。なお、上述の第3実施例
では、図7に示すように等倍の正立正像を得る部分投影
光学系として、平凸レンズ成分と凹面鏡とを持つダイソ
ン型光学系の変形光学系が使用されているが、等倍で正
立正像を得る部分投影光学系としては、例えば凹面鏡、
凸面鏡及び凹面鏡が順に配列されたオフナー型光学系を
使用することもできる。更に、屈折系よりなるレンズの
みを用いた投影光学系を使用してもよい。
実施例で使用される湾曲部材28,29を用いて露光視
野をずらすようにしてもよい。なお、上述の第3実施例
では、図7に示すように等倍の正立正像を得る部分投影
光学系として、平凸レンズ成分と凹面鏡とを持つダイソ
ン型光学系の変形光学系が使用されているが、等倍で正
立正像を得る部分投影光学系としては、例えば凹面鏡、
凸面鏡及び凹面鏡が順に配列されたオフナー型光学系を
使用することもできる。更に、屈折系よりなるレンズの
みを用いた投影光学系を使用してもよい。
【0059】また、上述実施例では等倍で正立像を投影
する投影光学系が使用されているが、例えば縮小倍率で
且つ倒立像を投影する投影光学系を使用する場合にも本
発明を適用できることは言うまでもない。例えば倒立像
を投影する投影光学系が使用される場合には、マスクと
プレートとは逆方向に走査される。このように、本発明
は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々の構成を取り得る。
する投影光学系が使用されているが、例えば縮小倍率で
且つ倒立像を投影する投影光学系を使用する場合にも本
発明を適用できることは言うまでもない。例えば倒立像
を投影する投影光学系が使用される場合には、マスクと
プレートとは逆方向に走査される。このように、本発明
は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々の構成を取り得る。
【0060】
【発明の効果】本発明によれば、光学部材により基板上
で第2の方向(走査方向)にマスクパターンの露光視野
を移動させることにより、マスクパターンの投影像の倍
率及びディストーションを簡単な機構で、且つ高い応答
速度で調整できる利点がある。また、測定手段によりマ
スクと基板との走査方向での位置ずれ量を測定し、この
測定結果に基づいて光学部材制御手段を介して光学部材
による露光視野の移動量を制御する場合には、その測定
された位置ずれ量に合わせて露光視野を移動させること
により、基板上のパターンに対してマスクパターンを高
精度に重ね合わせることができる。
で第2の方向(走査方向)にマスクパターンの露光視野
を移動させることにより、マスクパターンの投影像の倍
率及びディストーションを簡単な機構で、且つ高い応答
速度で調整できる利点がある。また、測定手段によりマ
スクと基板との走査方向での位置ずれ量を測定し、この
測定結果に基づいて光学部材制御手段を介して光学部材
による露光視野の移動量を制御する場合には、その測定
された位置ずれ量に合わせて露光視野を移動させること
により、基板上のパターンに対してマスクパターンを高
精度に重ね合わせることができる。
【0061】また、光学部材が平行平面板と駆動手段と
からなる場合には、その平行平面板の回転角を制御する
だけで露光視野の移動量を制御できる。次に、投影光学
系が複数列に(例えば千鳥格子状に)配列された複数個
の部分投影光学系よりなる場合に、各列毎に光学部材を
設けた場合には、各列毎に共通に光学部材で露光視野を
走査方向に移動させるだけで、各列毎の投影像を正確に
つぎ合わせることができると共に、容易且つ正確に基板
(プレート)の全面で非走査方向に対して共通にマスク
パターンの走査方向への倍率及びディストーションを補
正できる利点がある。
からなる場合には、その平行平面板の回転角を制御する
だけで露光視野の移動量を制御できる。次に、投影光学
系が複数列に(例えば千鳥格子状に)配列された複数個
の部分投影光学系よりなる場合に、各列毎に光学部材を
設けた場合には、各列毎に共通に光学部材で露光視野を
走査方向に移動させるだけで、各列毎の投影像を正確に
つぎ合わせることができると共に、容易且つ正確に基板
(プレート)の全面で非走査方向に対して共通にマスク
パターンの走査方向への倍率及びディストーションを補
正できる利点がある。
【0062】更に、複数個の部分投影光学系のそれぞれ
に露光視野を独立に走査方向に移動させる光学部材を設
けた場合には、基板上で非走査方向に対して伸縮率が変
化する場合にも、基板の全面で基板の伸縮率に合わせて
マスクパターンの走査方向への倍率及びディストーショ
ンを補正できる利点がある。
に露光視野を独立に走査方向に移動させる光学部材を設
けた場合には、基板上で非走査方向に対して伸縮率が変
化する場合にも、基板の全面で基板の伸縮率に合わせて
マスクパターンの走査方向への倍率及びディストーショ
ンを補正できる利点がある。
【図1】本発明による走査型露光装置の第1実施例を示
す一部断面図を含む構成図である。
す一部断面図を含む構成図である。
【図2】図1の平行平面板8の回転角と投影像の位置ず
れ量との関係を示す図である。
れ量との関係を示す図である。
【図3】(a)は図1のマスク3のアライメントマーク
の配置を示す平面図、(b)は図1のプレート10上の
アライメントマークの配置を示す平面図である。
の配置を示す平面図、(b)は図1のプレート10上の
アライメントマークの配置を示す平面図である。
【図4】図1のアライメント光学系による観察像を示す
拡大図である。
拡大図である。
【図5】本発明の第2実施例を示す概略構成図である。
【図6】図5において湾曲部材28の位置ずれ量と投影
像の横ずれ量との関係を示す拡大図である。
像の横ずれ量との関係を示す拡大図である。
【図7】本発明の第3実施例を示す概略構成図である。
【図8】図7中の部分投影光学系33Aの構成を示す拡
大側面図である。
大側面図である。
1 照明光学系 3 マスク 5 投影光学系 8 平行平面板 9 モータ 10 プレート 12 主制御系 19A アライメント光学系 20 アライメント用の光源 23 第1対物レンズ 24 第2対物レンズ 25 撮像素子 26A〜26J マスク上のアライメントマーク 27A〜27J プレート上のアライメントマーク 28,29 湾曲部材 51,52 平行平面板
Claims (4)
- 【請求項1】 露光用の照明光で転写用のパターンが形
成されたマスクを照明し、前記マスクのパターンの像を
投影光学系を介して感光性の基板上に投影した状態で、
前記マスクを第1の方向に走査するのと同期して前記基
板を前記第1の方向に対応する第2の方向に走査するこ
とにより、前記マスクのパターンを逐次前記基板上に露
光する走査型露光装置において、 前記投影光学系による前記基板上での前記マスクのパタ
ーンの露光視野を前記第2の方向に所定範囲内で連続的
に移動させる光学部材を備えたことを特徴とする走査型
露光装置。 - 【請求項2】 前記マスクの前記第1の方向での位置と
前記基板の前記第2の方向での位置との位置ずれ量を測
定する測定手段と、 該測定手段の測定結果に基づいて、前記基板の前記第2
の方向での位置に応じて前記光学部材による前記露光視
野の移動量を制御する光学部材制御手段と、を設けたこ
とを特徴とする請求項1記載の走査型露光装置。 - 【請求項3】 前記光学部材は、前記第2の方向に直交
する方向に平行な回転軸の回りに回転自在に設けられた
平行平面板と、該平行平面板を回転させる駆動手段とよ
りなることを特徴とする請求項1又は2記載の走査型露
光装置。 - 【請求項4】 前記投影光学系は、前記第2の方向と直
交する方向に沿って複数列に配列された複数個の部分投
影光学系よりなり、 前記複数個の部分投影光学系のそれぞれ、又は各列毎に
対応させて前記光学部材を複数個設けたことを特徴とす
る請求項1、2又は3記載の走査型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215654A JPH0883744A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 走査型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215654A JPH0883744A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 走査型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883744A true JPH0883744A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16675979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6215654A Withdrawn JPH0883744A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 走査型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883744A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000047390A (ja) * | 1998-05-22 | 2000-02-18 | Nikon Corp | 露光装置およびその製造方法 |
| JP2003207903A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Pentax Corp | 投影露光装置 |
| JP2003255547A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-09-10 | Pentax Corp | 投影露光装置 |
| JP2005292450A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Orc Mfg Co Ltd | 投影光学系および投影露光装置 |
| JP2009124139A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法およびリソグラフィ装置、ならびに、コンピュータプログラム製品 |
| JP2017072678A (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法 |
-
1994
- 1994-09-09 JP JP6215654A patent/JPH0883744A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000047390A (ja) * | 1998-05-22 | 2000-02-18 | Nikon Corp | 露光装置およびその製造方法 |
| JP2003255547A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-09-10 | Pentax Corp | 投影露光装置 |
| JP2003207903A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Pentax Corp | 投影露光装置 |
| JP2005292450A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Orc Mfg Co Ltd | 投影光学系および投影露光装置 |
| JP2009124139A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法およびリソグラフィ装置、ならびに、コンピュータプログラム製品 |
| JP2017072678A (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |