JPH0883773A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0883773A JPH0883773A JP21921094A JP21921094A JPH0883773A JP H0883773 A JPH0883773 A JP H0883773A JP 21921094 A JP21921094 A JP 21921094A JP 21921094 A JP21921094 A JP 21921094A JP H0883773 A JPH0883773 A JP H0883773A
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- Japan
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- reaction furnace
- gas
- thin film
- film forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】反応炉から排出される排ガス中に含まれる固化
し易い成分に起因するガス排出系の閉塞や排気ポンプの
動作不良を確実に防止できる薄膜形成装置を提供する。 【構成】内部に基板６を保持する手段を備えた反応炉１
と、この反応炉１内に原料ガスを導入して基板６上に薄
膜を気相成長させる手段と、反応炉１内に導入された原
料ガスのうちの未反応ガスを反応炉１の外部に排出する
排気管３とを備えた薄膜形成装置において、排気管３の
途中で、反応炉１に近い部分に概ね−60℃以下に保たれ
たコールドトラップ装置２１を介在させている。
し易い成分に起因するガス排出系の閉塞や排気ポンプの
動作不良を確実に防止できる薄膜形成装置を提供する。 【構成】内部に基板６を保持する手段を備えた反応炉１
と、この反応炉１内に原料ガスを導入して基板６上に薄
膜を気相成長させる手段と、反応炉１内に導入された原
料ガスのうちの未反応ガスを反応炉１の外部に排出する
排気管３とを備えた薄膜形成装置において、排気管３の
途中で、反応炉１に近い部分に概ね−60℃以下に保たれ
たコールドトラップ装置２１を介在させている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえばヘテロ接合の
化合物半導体等の製造に用いられる薄膜形成装置に関す
る。
化合物半導体等の製造に用いられる薄膜形成装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、ヘテロ接合の化合物半導
体では急峻なヘテロ界面が望まれる。このようなことか
ら、ヘテロ接合の化合物半導体の製造に当たっては、成
膜速度の制御が容易であること、急峻なヘテロ界面が形
成できることなどの理由から、気相成長法、特に原料の
一部または全部に有機金属化合物を用いる気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法) が採用される傾向にある。
体では急峻なヘテロ界面が望まれる。このようなことか
ら、ヘテロ接合の化合物半導体の製造に当たっては、成
膜速度の制御が容易であること、急峻なヘテロ界面が形
成できることなどの理由から、気相成長法、特に原料の
一部または全部に有機金属化合物を用いる気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法) が採用される傾向にある。
【０００３】ところで、ＭＯＣＶＤ法を実施する薄膜形
成装置は、通常、図３に示すように構成されている。す
なわち、図中１は反応炉を示している。この反応炉１の
底壁には排気口２が形成されており、この排気口２は排
気管３、排気用のロータリポンプ４、吸着塔５を介して
大気に通じている。
成装置は、通常、図３に示すように構成されている。す
なわち、図中１は反応炉を示している。この反応炉１の
底壁には排気口２が形成されており、この排気口２は排
気管３、排気用のロータリポンプ４、吸着塔５を介して
大気に通じている。
【０００４】反応炉１内の下部には、試料である結晶基
板６を保持するためのサセプタ７が配置されている。こ
のサセプタ７の下面側にはサセプタ７を介して結晶基板
６を加熱するための電気ヒータ８が配置されている。
板６を保持するためのサセプタ７が配置されている。こ
のサセプタ７の下面側にはサセプタ７を介して結晶基板
６を加熱するための電気ヒータ８が配置されている。
【０００５】なお、この図では結晶基板６を所定温度に
制御する系や、反応炉１内に原料ガスを供給する系や、
各部に設けられるバルブ等が省略されている。このよう
に構成された薄膜形成装置を使って結晶基板６上に化合
物半導体膜である、たとえばＧａＡｓＰを気相成長させ
る場合には次のようにする。
制御する系や、反応炉１内に原料ガスを供給する系や、
各部に設けられるバルブ等が省略されている。このよう
に構成された薄膜形成装置を使って結晶基板６上に化合
物半導体膜である、たとえばＧａＡｓＰを気相成長させ
る場合には次のようにする。
【０００６】まず、サセプタ７上に結晶基板６を載置し
た後、入口９から反応炉１内に不活性ガス、たとえば窒
素ガスを導入するとともにロータリポンプ４を動作させ
て反応炉１内の不純物ガスを排除する。次に、窒素ガス
の供給を停止し、反応炉１内を所定の圧力（たとえば0.
1Torr 以下）まで排気する。
た後、入口９から反応炉１内に不活性ガス、たとえば窒
素ガスを導入するとともにロータリポンプ４を動作させ
て反応炉１内の不純物ガスを排除する。次に、窒素ガス
の供給を停止し、反応炉１内を所定の圧力（たとえば0.
1Torr 以下）まで排気する。
【０００７】次に、アルシン（ＡｓＨ3 ）をキャリアガ
ス（たとえば水素）とともに入口９から反応炉１内に導
入し、一定圧力（たとえば10Torr程度）にした後に電気
ヒータ８を付勢し、サセプタ７を介して結晶基板６を所
定の一定温度まで昇温させる。しかる後に、成長ガスで
あるホスフィン（ＰＨ3 ）、トリメチルガリウム（Ｇａ
（ＣＨ）3 ）などを入口９から反応炉１内に導入して結
晶基板６上に薄膜を成長させる。
ス（たとえば水素）とともに入口９から反応炉１内に導
入し、一定圧力（たとえば10Torr程度）にした後に電気
ヒータ８を付勢し、サセプタ７を介して結晶基板６を所
定の一定温度まで昇温させる。しかる後に、成長ガスで
あるホスフィン（ＰＨ3 ）、トリメチルガリウム（Ｇａ
（ＣＨ）3 ）などを入口９から反応炉１内に導入して結
晶基板６上に薄膜を成長させる。
【０００８】このとき、薄膜の成長に寄与しなかったガ
スは、反応炉１の底壁に形成された排気口２、排気管
３、ロータリポンプ４を通って吸着塔５に達し、吸着材
に吸着される。吸着されないキャリアガスの水素は大気
中に放出される。
スは、反応炉１の底壁に形成された排気口２、排気管
３、ロータリポンプ４を通って吸着塔５に達し、吸着材
に吸着される。吸着されないキャリアガスの水素は大気
中に放出される。
【０００９】しかしながら、上記のように構成された従
来の薄膜形成装置にあっては、次のような問題があっ
た。すなわち、導入ガスとしてホスフィンを用いた場
合、ホスフィンの大部分はリンと水素とに分解され、残
りは分解されない。分解によって生成されたリンの一部
は成膜に寄与し、残りは成膜には寄与しない。分解され
なかったホスフィン、分解によって生成された水素およ
び成膜に寄与しなかったリンは、排気口２から排気管３
を経由してロータリポンプ４へ流れようとするが、リン
は数10℃で固化するので、このリンが図中１１で示すよ
うに、排気管３の内面に固化堆積したり、ロータリポン
プ４に流入して固化したりする。リンが排気管３の内面
に固化堆積すると、流路断面積が狭くなり、流路閉塞を
招いたり、反応炉１内の圧力上昇を招いたりする。その
ため、所定の成膜が困難になることがあった。また、流
路閉塞を起こすと、反応炉１内の圧力が異常に上昇し、
たとえば反応炉１がガラス製の場合には破裂する等の危
険性もあった。また、リンの固化が原因してロータリポ
ンプ４が停止した場合も同様の問題が生じる。
来の薄膜形成装置にあっては、次のような問題があっ
た。すなわち、導入ガスとしてホスフィンを用いた場
合、ホスフィンの大部分はリンと水素とに分解され、残
りは分解されない。分解によって生成されたリンの一部
は成膜に寄与し、残りは成膜には寄与しない。分解され
なかったホスフィン、分解によって生成された水素およ
び成膜に寄与しなかったリンは、排気口２から排気管３
を経由してロータリポンプ４へ流れようとするが、リン
は数10℃で固化するので、このリンが図中１１で示すよ
うに、排気管３の内面に固化堆積したり、ロータリポン
プ４に流入して固化したりする。リンが排気管３の内面
に固化堆積すると、流路断面積が狭くなり、流路閉塞を
招いたり、反応炉１内の圧力上昇を招いたりする。その
ため、所定の成膜が困難になることがあった。また、流
路閉塞を起こすと、反応炉１内の圧力が異常に上昇し、
たとえば反応炉１がガラス製の場合には破裂する等の危
険性もあった。また、リンの固化が原因してロータリポ
ンプ４が停止した場合も同様の問題が生じる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の薄
膜形成装置にあっては、分解成分の中で成膜に寄与しな
い成分がガス排出系内に固化堆積するなどの現象が起こ
り、これによって正常な運転が阻害される問題があっ
た。
膜形成装置にあっては、分解成分の中で成膜に寄与しな
い成分がガス排出系内に固化堆積するなどの現象が起こ
り、これによって正常な運転が阻害される問題があっ
た。
【００１１】そこで本発明は、分解成分の中の固化し易
い成分に起因するガス排出系の閉塞や排気ポンプの動作
不良を確実に防止でき、常に正常な運転を実行できる薄
膜形成装置を提供することを目的としている。
い成分に起因するガス排出系の閉塞や排気ポンプの動作
不良を確実に防止でき、常に正常な運転を実行できる薄
膜形成装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、内部に基板を保持する手段を備えた反応
炉と、この反応炉内に原料ガスを導入して前記基板上に
薄膜を気相成長させる手段と、前記反応炉内に導入され
た前記原料ガスのうちの未反応ガスを上記反応炉の外部
に排出するガス排出手段とを備えた薄膜形成装置におい
て、前記反応炉と前記ガス排出手段との間に概ね−60℃
以下に保たれたコールドトラップ手段を設けてなること
を特徴としている。
に、本発明は、内部に基板を保持する手段を備えた反応
炉と、この反応炉内に原料ガスを導入して前記基板上に
薄膜を気相成長させる手段と、前記反応炉内に導入され
た前記原料ガスのうちの未反応ガスを上記反応炉の外部
に排出するガス排出手段とを備えた薄膜形成装置におい
て、前記反応炉と前記ガス排出手段との間に概ね−60℃
以下に保たれたコールドトラップ手段を設けてなること
を特徴としている。
【００１３】また、反応炉とコールドトラップ手段との
間に位置しているガス通路の外周にガス通路の温度をほ
ぼ100 ℃以上に保つ恒温機構をさらに設けたことを特徴
としている。
間に位置しているガス通路の外周にガス通路の温度をほ
ぼ100 ℃以上に保つ恒温機構をさらに設けたことを特徴
としている。
【００１４】
【作用】先に説明したように、気相成長法による薄膜形
成工程においては、原料ガスの全てが薄膜形成の反応に
供せられることはない。原料ガスの一部は成膜に寄与す
ることなく、反応炉から排気系へと流れる。原料ガスの
種類によっては、反応炉内において熱分解し、固化し得
る成分を生成する。ホスフィンを例にとると、固化し得
る成分としてのリンを生成する。したがって、リンの一
部が反応炉から排気系へと流れることになる。しかし、
本発明のように、反応炉とガス排出手段との間に概ね−
60℃に保たれたコールドトラップ手段を設けておくと、
固化し得るガスの全部をコールドトラップ手段で捕集す
ることができる。たとえば、リンの場合を例にとると、
コールドトラップ手段の温度を概ね−60℃に保つことに
よって、このコールドトラップ手段でほぼ100%捕集する
ことができる。したがって、分解成分の中の固化し易い
成分に起因するガス排出系の閉塞や排気ポンプの動作不
良を確実に防止でき、常に正常な運転を実行できること
になる。なお、100 ℃以上に保たれているガス通路には
リンが堆積することはない。
成工程においては、原料ガスの全てが薄膜形成の反応に
供せられることはない。原料ガスの一部は成膜に寄与す
ることなく、反応炉から排気系へと流れる。原料ガスの
種類によっては、反応炉内において熱分解し、固化し得
る成分を生成する。ホスフィンを例にとると、固化し得
る成分としてのリンを生成する。したがって、リンの一
部が反応炉から排気系へと流れることになる。しかし、
本発明のように、反応炉とガス排出手段との間に概ね−
60℃に保たれたコールドトラップ手段を設けておくと、
固化し得るガスの全部をコールドトラップ手段で捕集す
ることができる。たとえば、リンの場合を例にとると、
コールドトラップ手段の温度を概ね−60℃に保つことに
よって、このコールドトラップ手段でほぼ100%捕集する
ことができる。したがって、分解成分の中の固化し易い
成分に起因するガス排出系の閉塞や排気ポンプの動作不
良を確実に防止でき、常に正常な運転を実行できること
になる。なお、100 ℃以上に保たれているガス通路には
リンが堆積することはない。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。図１には本発明の一実施例に係る薄膜形成装置が示
されている。なお、この図では図３と同一機能部分が同
一符号で示されている。したがって、重複する部分の詳
しい説明は省略する。
る。図１には本発明の一実施例に係る薄膜形成装置が示
されている。なお、この図では図３と同一機能部分が同
一符号で示されている。したがって、重複する部分の詳
しい説明は省略する。
【００１６】この実施例に係る薄膜形成装置が、従来の
装置と異なる点は、排気管３の途中、特に反応炉１に十
分近い位置に概ね−60℃以下に保たれるコールドトラッ
プ装置２１を設けたこと、排気管３のコールドトラップ
装置２１と反応炉１との間に位置する部分３ａの回りに
該部分３ａの温度をほぼ100 ℃以上に保つ恒温機構２２
を設けたことにある。
装置と異なる点は、排気管３の途中、特に反応炉１に十
分近い位置に概ね−60℃以下に保たれるコールドトラッ
プ装置２１を設けたこと、排気管３のコールドトラップ
装置２１と反応炉１との間に位置する部分３ａの回りに
該部分３ａの温度をほぼ100 ℃以上に保つ恒温機構２２
を設けたことにある。
【００１７】コールドトラップ装置２１は、金属製の容
器３１と、この容器３１の内面に上から下へと段違い棚
状に複数取付けられた金属製のトラップ板３２と、容器
３１の上壁周辺部に設けられて容器３１内を排気管３の
部分３ａに通じさせるガス導入口３３と、一端側が各ト
ラップ板３２を上から下へと共通に貫通するように容器
３１内に挿設され、他端側が容器３１の上壁を貫通して
排気管３の部分３ｂに接続されたガス案内管３４と、容
器３１の周囲に配置されて容器３１との間に冷媒通路３
５を構成する冷媒通路構成材３６と、冷媒通路３５に冷
媒としての液体窒素を通流させる図示しない冷媒供給源
とで構成されている。なお、トラップ板３２どうしの間
隔は、上方ほど広くなるように設定されている。
器３１と、この容器３１の内面に上から下へと段違い棚
状に複数取付けられた金属製のトラップ板３２と、容器
３１の上壁周辺部に設けられて容器３１内を排気管３の
部分３ａに通じさせるガス導入口３３と、一端側が各ト
ラップ板３２を上から下へと共通に貫通するように容器
３１内に挿設され、他端側が容器３１の上壁を貫通して
排気管３の部分３ｂに接続されたガス案内管３４と、容
器３１の周囲に配置されて容器３１との間に冷媒通路３
５を構成する冷媒通路構成材３６と、冷媒通路３５に冷
媒としての液体窒素を通流させる図示しない冷媒供給源
とで構成されている。なお、トラップ板３２どうしの間
隔は、上方ほど広くなるように設定されている。
【００１８】一方、恒温機構２２は、排気管３における
部分３ａの回りに設けられたヒータ機構によって構成さ
れている。このように構成された薄膜形成装置を使って
結晶基板６上に化合物半導体膜である、たとえばＧａＡ
ｓＰを気相成長させる場合には次のようにする。
部分３ａの回りに設けられたヒータ機構によって構成さ
れている。このように構成された薄膜形成装置を使って
結晶基板６上に化合物半導体膜である、たとえばＧａＡ
ｓＰを気相成長させる場合には次のようにする。
【００１９】まず、サセプタ７上に結晶基板６を載置し
た後、入口９から反応炉１内に不活性ガス、たとえば窒
素ガスを導入するとともにロータリポンプ４を動作させ
て反応炉１内の不純物ガスを排除する。次に、窒素ガス
の供給を停止し、反応炉１内を所定の圧力（たとえば0.
1Torr 以下）まで排気する。
た後、入口９から反応炉１内に不活性ガス、たとえば窒
素ガスを導入するとともにロータリポンプ４を動作させ
て反応炉１内の不純物ガスを排除する。次に、窒素ガス
の供給を停止し、反応炉１内を所定の圧力（たとえば0.
1Torr 以下）まで排気する。
【００２０】次に、恒温機構２２を動作させて排気管３
の部分３ａを100 ℃以上、たとえば120 ℃に保つととも
に冷媒通路３５に液体窒素を通流させる。この液体窒素
の通流によってコールドトラップ装置２１の各トラップ
板３２は概ね−60℃に冷却される。
の部分３ａを100 ℃以上、たとえば120 ℃に保つととも
に冷媒通路３５に液体窒素を通流させる。この液体窒素
の通流によってコールドトラップ装置２１の各トラップ
板３２は概ね−60℃に冷却される。
【００２１】次に、アルシン（ＡｓＨ3 ）をキャリアガ
ス（たとえば水素）とともに入口９から反応炉１内に導
入し、一定圧力（たとえば10Torr程度）にした後に電気
ヒータ８を付勢し、サセプタ７を介して結晶基板６を所
定の一定温度まで昇温させる。しかる後に、成長ガスで
あるホスフィン（ＰＨ3 ）、トリメチルガリウム（Ｇａ
（ＣＨ）3 ）などを入口９から反応炉１内に導入して結
晶基板６上に薄膜を成長させる。
ス（たとえば水素）とともに入口９から反応炉１内に導
入し、一定圧力（たとえば10Torr程度）にした後に電気
ヒータ８を付勢し、サセプタ７を介して結晶基板６を所
定の一定温度まで昇温させる。しかる後に、成長ガスで
あるホスフィン（ＰＨ3 ）、トリメチルガリウム（Ｇａ
（ＣＨ）3 ）などを入口９から反応炉１内に導入して結
晶基板６上に薄膜を成長させる。
【００２２】このとき、薄膜の成長に寄与しなかったガ
スは、反応炉１の底壁に形成された排気口２、排気管３
の部分３ａ、コールドトラップ装置２１の容器３１内、
ガス案内管３４、排気管３の部分３ｂ、ロータリポンプ
４を通って吸着塔５へと流れる。
スは、反応炉１の底壁に形成された排気口２、排気管３
の部分３ａ、コールドトラップ装置２１の容器３１内、
ガス案内管３４、排気管３の部分３ｂ、ロータリポンプ
４を通って吸着塔５へと流れる。
【００２３】この場合、成長ガスであるホスフィンの分
解によって生成されたリンのうち、成長に寄与しなかっ
たリンも排気口２から排気管３の部分３ａを通ってコー
ルドトラップ装置２１の容器３１内に流れるが、排気管
３の部分３ａは100 ℃以上に温められているので、この
部分３ａの内面に固化堆積することはなく、コールドト
ラップ装置２１の容器３１内に流れ込んだ後に−60℃に
冷却されているトラップ板３２の表面に図中１１で示す
ように固着してほぼ100%捕集される。なお、分解しなか
ったアルシンやホスフィンは、リンとの凝縮度の違いか
らトラップ板３２では固化されずに、吸着塔５で捕集さ
れる。
解によって生成されたリンのうち、成長に寄与しなかっ
たリンも排気口２から排気管３の部分３ａを通ってコー
ルドトラップ装置２１の容器３１内に流れるが、排気管
３の部分３ａは100 ℃以上に温められているので、この
部分３ａの内面に固化堆積することはなく、コールドト
ラップ装置２１の容器３１内に流れ込んだ後に−60℃に
冷却されているトラップ板３２の表面に図中１１で示す
ように固着してほぼ100%捕集される。なお、分解しなか
ったアルシンやホスフィンは、リンとの凝縮度の違いか
らトラップ板３２では固化されずに、吸着塔５で捕集さ
れる。
【００２４】このように、成長に寄与しなかったリンが
排気管３の内面に固化堆積したり、ロータリポンプ４内
に侵入して固化したりするのを防止できるので、常に正
常な運転を実行できることになる。
排気管３の内面に固化堆積したり、ロータリポンプ４内
に侵入して固化したりするのを防止できるので、常に正
常な運転を実行できることになる。
【００２５】なお、実験によると、トラップ板３２の温
度とリンの捕集率との間には図２の関係があることが判
った。この図から判るように、100 ℃では捕集率が0%で
あり、−60℃ではおおよそ98% 以上である。そして、−
60℃以下にしても捕集率はほとんど変わらない。したが
って、冷却のためのコストやメンテナンスの点を考慮す
ると、トラップ板３２を概ね−60℃以下に冷却すること
が最も効果的であるといえる。
度とリンの捕集率との間には図２の関係があることが判
った。この図から判るように、100 ℃では捕集率が0%で
あり、−60℃ではおおよそ98% 以上である。そして、−
60℃以下にしても捕集率はほとんど変わらない。したが
って、冷却のためのコストやメンテナンスの点を考慮す
ると、トラップ板３２を概ね−60℃以下に冷却すること
が最も効果的であるといえる。
【００２６】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。すなわち、上述した実施例ではトラッ
プ板３２を段違い棚状に複数配置したコールドトラップ
装置を用いているが、固化物を下方に落下堆積させるサ
イクロン形式のコールドトラップ装置を用いてもよい。
また、恒温機構としては、単に断熱材を巻回装着した構
成のものでもよい。
るものではない。すなわち、上述した実施例ではトラッ
プ板３２を段違い棚状に複数配置したコールドトラップ
装置を用いているが、固化物を下方に落下堆積させるサ
イクロン形式のコールドトラップ装置を用いてもよい。
また、恒温機構としては、単に断熱材を巻回装着した構
成のものでもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反応炉から排出される排ガス中に含まれる固化し易い成
分に起因するガス排出系の閉塞や排気ポンプの動作不良
を確実に防止でき、常に正常な運転を実行させることが
できる。
反応炉から排出される排ガス中に含まれる固化し易い成
分に起因するガス排出系の閉塞や排気ポンプの動作不良
を確実に防止でき、常に正常な運転を実行させることが
できる。
【図１】本発明の一実施例に係る薄膜形成装置の概略構
成図
成図
【図２】コールドトラップ装置における温度とリン捕集
率との関係を示す図
率との関係を示す図
【図３】従来の薄膜形成装置の概略構成図
１…反応炉 ２…排気口 ３…排気管 ３ａ，３ｂ…部
分 ４…ロータリポンプ ５…吸着塔 ６…結晶基板 ７…サセプタ ８…電気ヒータ ９…入口 １１…固化堆積物 ２１…コールド
トラップ装置 ２２…恒温機構 ３１…容器 ３２…トラップ板 ３３…ガス導入
口 ３４…ガス案内管 ３５…冷媒通路 ３６…冷媒通路構造材
分 ４…ロータリポンプ ５…吸着塔 ６…結晶基板 ７…サセプタ ８…電気ヒータ ９…入口 １１…固化堆積物 ２１…コールド
トラップ装置 ２２…恒温機構 ３１…容器 ３２…トラップ板 ３３…ガス導入
口 ３４…ガス案内管 ３５…冷媒通路 ３６…冷媒通路構造材
Claims (2)
- 【請求項１】内部に基板を保持する手段を備えた反応炉
と、この反応炉内に原料ガスを導入して前記基板上に薄
膜を気相成長させる手段と、前記反応炉内に導入された
前記原料ガスのうちの未反応ガスを上記反応炉の外部に
排出するガス排出手段とを備えた薄膜形成装置におい
て、前記反応炉と前記ガス排出手段との間に概ね−60℃
以下に保たれたコールドトラップ手段を設けてなること
を特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】前記反応炉と前記コールドトラップ手段と
の間に位置しているガス通路の外周に、このガス通路の
温度をほぼ100 ℃以上に保つ恒温機構がさらに設けられ
ていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21921094A JPH0883773A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21921094A JPH0883773A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883773A true JPH0883773A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16731938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21921094A Pending JPH0883773A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883773A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002363753A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-18 | Asahi Denka Kogyo Kk | Ｃｖｄ排ガスからのソース物質の回収機構及び回収方法 |
| JP2007250696A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR100773358B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2007-11-05 | 삼성전자주식회사 | 유체 노즐을 갖는 진공펌프 및 배기 시스템 |
| KR100776315B1 (ko) * | 2000-11-13 | 2007-11-13 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 트랩장치 |
| JP2009206167A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Stanley Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2011067721A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | トラップ装置および処理装置 |
| WO2013146982A1 (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ機構、排気系及び成膜装置 |
| WO2020026671A1 (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
-
1994
- 1994-09-13 JP JP21921094A patent/JPH0883773A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100776315B1 (ko) * | 2000-11-13 | 2007-11-13 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 트랩장치 |
| JP2002363753A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-18 | Asahi Denka Kogyo Kk | Ｃｖｄ排ガスからのソース物質の回収機構及び回収方法 |
| JP2007250696A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR100773358B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2007-11-05 | 삼성전자주식회사 | 유체 노즐을 갖는 진공펌프 및 배기 시스템 |
| US7748970B2 (en) | 2006-11-17 | 2010-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vacuum pump having fluid port and exhaust system |
| JP2009206167A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Stanley Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2011067721A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | トラップ装置および処理装置 |
| WO2013146982A1 (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ機構、排気系及び成膜装置 |
| JP2013227648A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-11-07 | Tokyo Electron Ltd | トラップ機構、排気系及び成膜装置 |
| KR20140138186A (ko) | 2012-03-29 | 2014-12-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 트랩 기구, 배기계 및 성막 장치 |
| CN104246007A (zh) * | 2012-03-29 | 2014-12-24 | 东京毅力科创株式会社 | 捕集机构、排气系统和成膜装置 |
| US10036090B2 (en) | 2012-03-29 | 2018-07-31 | Tokyo Electron Limited | Trap mechanism, exhaust system, and film formation device |
| WO2020026671A1 (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| JP2020021831A (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
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