JPH0883937A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents

磁気抵抗効果素子

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Abstract

(57)【要約】 【目的】磁気センサや磁気ヘッド等に使用されるスピン
バルブＭＲ膜を有する磁気抵抗効果素子に関し、信号磁
界に対してより大きな磁気抵抗の変化率を得ること。 【構成】非磁性金属膜によって仕切られる２つの強磁性
層１３，１５のうち少なくとも反強磁性層に接する側の
強磁性層１５をニッケルを５〜４０atoms ％、コバルト
を３０〜９５atoms ％の割合で含有しているコバルト・
ニッケル・鉄合金から形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子に関
し、より詳しくは、磁気センサや磁気ヘッド等に使用さ
れるスピンバルブＭＲ膜を有する磁気抵抗効果素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】磁気センサ或いは磁気ヘッドでは、磁性
材料としてNiFeを用いた磁気抵抗効果層が使用されてい
る。そして、磁気センサや磁気ヘッドのより一層の高感
度化の要求に伴い、大きな読み出し信号が得られるＧＭ
Ｒ膜（巨大磁気抵抗効果膜）が注目されている。その中
でもスピンバルブ磁気抵抗効果膜（スピンバルブＭＲ
膜）は比較的容易に作成でき、低磁場での電気抵抗の変
化率も従来よりも大きいために最近特に注目されてい
る。
【０００３】スピン・バルブ磁気抵抗効果を利用した素
子は例えば特開平４−３５８３１０号公報において提案
され、例えば図６(a),(b) に示すような構造を有してい
る。図において、シリコン基板１の上には、特定の大き
さの磁場の雰囲気中でスパッタ法により、基板側から順
に下地層２、第一の磁性層３、非磁性金属層４、第二の
磁性層５、反強磁性層６が形成され、また、下地層２か
ら反強磁性層６までの各層は平面が長方形になるように
パターニングされている。また、反強磁性層６上には、
その長手方向に間隔をおいて一対の引出電極７ａ，７ｂ
が形成されている。
【０００４】それらの層を構成する材料として、例えば
下地層２にはタンタル(Ta)、第一及び第二の磁性層３，
５には鉄ニッケル（NiFe）、非磁性金属層４には銅（C
u）、反強磁性層６には鉄マンガン（FeMn）が使用され
る。これによりスピン・バルブ磁気抵抗効果型素子が構
成される。第一の磁性層３は、長方形の長手方向の磁化
Ｍa を有している。また、第二の磁性層５は反強磁性層
６と交換結合することにより磁化され、その磁化Ｍb の
方向は長方形の短辺の一方向である。なお、磁気記録媒
体からの信号磁界Ｈsig は、各層の短辺方向に発生す
る。
【０００５】そのような磁気抵抗効果型トランスジュー
サに信号磁界Ｈsig がかかると、その信号磁界Ｈsig の
強さ、方向に応じた大きさに第一の磁性層３の磁化Ｍa
の方向が傾く。第一の磁性層３の磁化Ｍa のうち第二の
磁性層５の磁化Ｍb と反対向きの成分は、それらの層を
通る電子を散乱させる要因となり、層全体の電気抵抗を
増加させる。これに対して、第一の磁性層２の磁化Ｍa
のうち第二の磁性層５の磁化Ｍ b と同じ方向の成分は、
層全体を通る電子を散乱させないので、層全体の電気抵
抗が減少する。
【０００６】センス電流領域の電気抵抗は、第一の磁性
層３の磁化Ｍa と第二の磁性層５の磁化Ｍb との相対的
な角度θの余弦、即ちcos θに比例して変化する。な
お、信号磁界が零の状態で、第一の磁性層３の磁化Ｍa
と第二の磁性層５の磁化Ｍb を直交させる目的は、磁気
記録媒体からの信号磁界Ｈsig に対する電気抵抗を線形
に変化させるためである。信号磁界Ｈsig は第二の磁性
層５の磁化方向、即ち固定磁化方向と同じか逆の方向に
印加される。
【０００７】磁気記録媒体からの信号磁界Ｈsig を電気
信号に変換する場合には、一対の引出電極７ａ，７ｂの
間に定電流を流すことにより、信号磁界Ｈsig による電
気抵抗の変化を電圧の変化に変える。その電圧の変化が
再生用電気信号となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スピンバル
ブ磁気抵抗効果が生じる磁性層の材料としてNiFeを用い
た素子は信号磁界による電気抵抗の変化率が２．５％と
小さく、高感度の磁気センサや磁気ヘッド等に用いるに
は不十分であった。本発明はこのような問題に鑑みてな
されたものであって、信号磁界に対してより大きな磁気
抵抗の変化率が得られる磁気抵抗効果素子を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、軟磁性材よりなる第一の強磁性層１３
と、ニッケルを５〜４０atoms ％、コバルトを３０〜９
５atoms ％の割合で含有しているコバルト・ニッケル・
鉄合金よりなる第二の強磁性層１５と、前記第一の強磁
性層１３と前記第二の強磁性層１５の間に形成された非
磁性金属層１４と、前記第二の強磁性層１５に接して形
成された反強磁性層１６とを有することを特徴とする磁
気抵抗効果素子によって解決する。
【００１０】前記磁気抵抗効果素子において、前記第一
の強磁性層１３を構成する軟磁性材は、ニッケルを５〜
４０atoms ％、コバルトを３０〜９５atoms ％の割合で
含有しているコバルト・ニッケル・鉄合金であることを
特徴とする。前記磁気抵抗効果素子において、前記コバ
ルト・ニッケル・鉄合金は磁歪が零であることを特徴と
する。
【００１１】または、上記した課題は、図４に例示する
ように、第一のコバルト・ニッケル・鉄合金よりなる第
一の強磁性層２３と、第一のコバルト・ニッケル・鉄合
金と組成の異なる第二のコバルト・ニッケル・鉄合金又
は鉄コバルトよりなる第二の強磁性層２５と、前記第一
の強磁性層２３と前記第二の強磁性層２５の間に形成さ
れた非磁性金属層２６と、前記第二の強磁性層に接して
形成された反強磁性層２６とを有することを特徴とする
磁気抵抗効果素子によって解決する。
【００１２】前記磁気抵抗効果素子において、前記第一
のコバルト・ニッケル・鉄合金は、コバルトを４０〜５
０atoms ％、ニッケルを２４〜３５atoms ％の割合で含
有し、且つ前記第二のコバルト・ニッケル・鉄合金は、
コバルトを８０〜９０atoms％、ニッケルを２０atoms
％以下の割合で含有していることを特徴とする。前記磁
気抵抗効果素子において、前記第一のコバルト・ニッケ
ル・鉄合金の保磁力は１０Oeよりも小さいことを特徴と
する。
【００１３】前記磁気抵抗効果素子において、前記第二
のコバルト・ニッケル・鉄合金の保磁力は、前記反強磁
性層による異方性磁界よりも大きいことを特徴とする。
前記磁気抵抗効果素子において、前記第一及び第二の強
磁性層２３，２５の結晶構造はともに面心立方格子であ
ることを特徴とする。または、図５に例示するように、
コバルト・ニッケル・鉄合金の軟磁性材よりなる第一の
強磁性層３３と、コバルト・ニッケル・鉄合金又は鉄コ
バルト合金又はコバルトの硬磁性材から形成された第二
の強磁性層３５と、前記第一の強磁性層３３と前記第二
の強磁性層３５の間に形成された非磁性金属層３４とを
有することを特徴とする磁気抵抗効果素子によって解決
する。
【００１４】前記磁気抵抗効果素子において、前記軟磁
性材料の保磁力は１０Oeよりも小さいことを特徴とす
る。前記磁気抵抗効果素子において、前記硬磁性材を構
成するコバルト・ニッケル・鉄合金は、コバルトを６５
atoms ％以上、ニッケルを３５atoms ％以下の割合で含
有し、且つ前記軟磁性材を構成するコバルト・ニッケル
・鉄合金は、コバルトを４０〜５０atoms ％、ニッケル
を２４〜３５atoms ％の割合で含有していることを特徴
とする。
【００１５】
【作 用】本発明によれば、少なくとも反強磁性層に接
する側の強磁性層をコバルト・ニッケル・鉄合金から形
成し、且つそのコバルト・ニッケル・鉄合金でのニッケ
ル含有量を５〜４０atoms ％、コバルト含有量を３０〜
９５atoms ％としている。これによれば、スピンバルブ
磁気抵抗効果による電気抵抗の変化率が従来よりも大き
くなった。この場合、反強磁性体層に接しない側の強磁
性体層もコバルト・ニッケル・鉄合金から形成すると、
さらに電気抵抗の変化率が大きくなる。これは、コバル
ト・ニッケル・鉄合金が鉄ニッケル合金よりも電気抵抗
の変化率が大きいからである。
【００１６】磁歪が零のコバルト・ニッケル・鉄合金を
採用すると、反強磁性層との交換相互作用を損なうこと
はない。また、本発明の磁気抵抗効果素子は、非磁性金
属層を挟んで形成される第一及び第二の強磁性層を構成
する材料として、互いに組成の異なるコバルト・ニッケ
ル・鉄合金を用いている。
【００１７】これによれば、スピンバルブ磁気抵抗効果
による電気抵抗の変化率が従来よりも大きくなる。しか
も、反強磁性層に接しない第一の強磁性層を構成する材
料を信号磁界により容易に回転する組成にすることによ
り適正な読みだし動作が行われる。この場合、第一の強
磁性層を構成するコバルト・ニッケル・鉄合金は、コバ
ルトが４０〜５０atoms ％、ニッケルが２４〜３５atom
s ％の割合で含有され、且つ第二の強磁性層を構成する
コバルト・ニッケル・鉄合金は、コバルトが８０〜９０
atoms ％、ニッケルが２０atoms ％以下の割合で含有さ
れる材料を選択することが望ましい。
【００１８】また、第一の強磁性層の保磁力を１０Oe以
下としているので、その磁化方向は信号磁界により容易
に回転する。また、少なくとも第二の強磁性層の結晶構
造を面心立方格子とすることにより反強磁性層の形成が
容易になる。本発明の別の磁気抵抗効果素子は、コバル
ト・ニッケル・鉄合金の軟磁性材よりなる第一の強磁性
層と、コバルト・ニッケル・鉄合金又は鉄コバルト合金
又はコバルトの硬磁性材から形成された第二の強磁性層
と、第一及び第二の強磁性体層の間に形成された非磁性
金属層から構成されている。
【００１９】例えば、硬磁性材を構成するコバルト・ニ
ッケル・鉄合金は、コバルトを６５atoms ％以上、ニッ
ケルを３５atoms ％以下の割合で含有させ、且つ軟磁性
材を構成するコバルト・ニッケル・鉄合金は、コバルト
を４０〜５０atoms ％、ニッケルを２４〜３５atoms ％
の割合で含有させる。これによれば、スピンバルブ磁気
抵抗効果による電気抵抗の変化率が従来よりも大きくな
る。しかも、第二の強磁性層は硬磁性であるので保磁力
が大きく、信号磁界によって変化せず反強磁性層は不要
になりスループットが向上する。しかも、反強磁性層は
一般に腐食性の大きな鉄マンガンから構成されているの
で、本発明によれば耐腐食性が向上する。
【００２０】また、第一の強磁性層の保磁力を１０Oe以
下としているので、その磁化方向は信号磁界によって容
易に回転する。
【００２１】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。 （第１実施例）図１は、本発明の第１実施例の層構造を
示す側面図である。図において、シリコン基板１１の
（１１０）面上には、スパッタ法により約３０Oe(oerst
ed) の磁場の雰囲気中で、下地層１２としてタンタル
（Ta）が６０Å、第一の強磁性層１３としてニッケル鉄
（NiFe）が９０Å、非磁性金属層１４として銅（Cu）が
２０Å、第二の強磁性層１５としてニッケル鉄コバルト
（CoNiFe）が４０Å、反強磁性層１６として鉄マンガン
（FeMn）が１２０Åの厚さで順に形成されている。な
お、第一の強磁性層１３を構成するCoNiFeは、例えばニ
ッケルを１０atoms ％、鉄を２５atoms ％、コバルトを
６５atoms ％の割合で含む合金であり、この合金を以下
にCo65Ni10Fe25として表す。
【００２２】また、下地層１２から反強磁性層１６まで
の各層は平面が長方形になるようにパターニングされて
いる。また、反強磁性層１６上には、その長手方向に間
隔をおいて一対の引出電極１７ａ，１７ｂが形成されて
いる。外部磁界が零の状態において、第一の強磁性層１
３の磁化の方向は長手方向であり、第一の強磁性層１３
と第二の強磁性層１５のそれぞれの磁化の方向は互いに
直交している。
【００２３】以上の構成を有するスピンバルブ磁気抵抗
効果型素子によれば、電気抵抗の変化率が４％程度とな
り、従来に比べて大きくなった。このように、反強磁性
層１６に接する第二の強磁性層１５をCo65Ni10Fe25から
形成したことによって大きな抵抗変化率が得られたのは
次の理由による。Cuよりなる非磁性金属層と、NiFeより
なる磁性薄膜層を交互に３０層ずつ積層した試料と、Cu
よりなる非磁性金属層と、NiCoよりなる磁性薄膜層を交
互に３０層ずつ積層した試料のそれらの電気抵抗（比抵
抗）の変化率を図２に示す。この特性図は次の文献
〔１〕に基づくものである。
【００２４】〔１〕M. Sato, S. Ishio and T. Miyazak
i, J. Magn. Magn, Mater 126 (1993) 462 図２から明らかなように、強磁性層としてNiFeを用いた
場合の比抵抗の変化率は最大で１５％程度となってい
る。これに対して、コバルト系磁性材料であるNiCoを用
いた場合の比抵抗の変化率は、合金の電子数がコバルト
単体の電子数２７に近づくにつれて上昇し、最大で３５
％となっている。
【００２５】一方、急冷薄帯でのCoNiFeの組成比の違い
による磁歪の大きさは、例えば次の文献〔２〕に報告が
あり、図３に示すようになっている。 〔２〕大森隆宏，石尾俊二，宮崎照宣、第１７回日本応
用磁気学会学術講演概要集（1993）20 反強磁性層１６に接する第二の強磁性層１５の材料とし
ては、反強磁性層１６による交換結合を考慮して保磁力
（Ｈc ) が小さい方がが好ましく、保磁力を小さくする
ためには磁歪を零にすることが近道である。図３による
と、CoNiFe合金で磁歪が０となる組成は２系列あり、そ
れぞれ図中(i) ，(ii)で示している。
【００２６】この場合、図２において比抵抗の変化率の
大きな組成比を考慮すると、図３では、(i) 系列の組成
よりも(ii)系列の組成の方がコバルトの割合が多く、(i
i)系列の組成が高い抵抗変化率を示す。(i) 及び(ii)系
列の組成は、共に結晶構造が面心立方格子である。従っ
て、第二の強磁性層１５の構成材料は、コバルトを３０
〜９５atoms ％、ニッケルを５〜４０atoms ％の範囲で
含有するCoNiFe合金を用いると、磁歪が零又は零に極め
て近く且つ高比抵抗変化率を有することになる。上記し
たCo65Ni10Fe25はそのようなCoNiFe合金の一例である。
【００２７】なお、反強磁性層１６に接する第二の強磁
性層１５だけでなく、第一の強磁性層１３についてもニ
ッケルを５〜４０atoms ％、コバルトを３０〜９５atom
s ％の範囲で含有する組成のCoNiFe合金から形成しても
よい。これによれば、第二の強磁性層１５だけをCoNiFe
合金から形成した場合よりもさらに高い電気抵抗変化率
が得られる。 （第２実施例）図４(a) は、本発明の第２実施例に係る
スピンバルブ磁気抵抗効果素子の層構造を示す側面図で
ある。
【００２８】図において、シリコン基板２１の（１１
０）面上には、約３０Oeの磁場の雰囲気中でスパッタ法
によって、下地層２２としてタンタル（Ta）が６０Å、
第一の強磁性層２３としてニッケル鉄コバルト（CoNiF
e）が９０Å、非磁性金属層２４として銅（Cu）が２２
Å、第二の強磁性層２５としてCoNiFeが４０Å、反強磁
性層２６として鉄マンガン（FeMn）が１２０Åの厚さに
順に形成されている。第一の強磁性層２３を構成するCo
NiFeは、例えばニッケルを２６atoms ％、鉄を３２atom
s ％、コバルトを４２atoms ％の割合で含む合金であ
り、この合金を以下にCo42Ni26Fe32と表す。また、第二
の強磁性層２５を構成するCoNiFeは、コバルトを９０at
oms ％、ニッケルを３atoms ％、鉄を７atoms ％の割合
で含む合金であり、この合金を以下にCo90Ni3Fe7と表
す。
【００２９】また、下地層２２から反強磁性層２６まで
の各層は平面が長方形になるようにパターニングされて
いる。また、反強磁性層２６上には、その長手方向に間
隔をおいて一対の引出電極２７ａ，２７ｂが形成されて
いる。外部磁界が零の状態において、第一の強磁性層２
３の磁化の方向は長手方向であり、第一の強磁性層２３
と第二の強磁性層２５のそれぞれの磁化の方向は互いに
直交している。
【００３０】以上の構成を有するスピンバルブ磁気抵抗
効果型素子によれば、電気抵抗の変化率が８％となり従
来の３倍程度の値を得ることができた。このように、第
一の強磁性層２３と第二の強磁性層２５のそれぞれを構
成するCoNiFeの組成比を異ならせたのは次の理由によ
る。第一の強磁性層２３の磁化の方向は、磁気記録媒体
からの信号磁界によって容易に回転する必要があるの
で、第一の強磁性層２３を保磁力の小さな軟磁性体から
構成する必要がある。しかし、第二の強磁性層２５の磁
化の方向は反強磁性層２６との交換結合により固定され
るので、第一の強磁性層２３よりも保磁力の条件は緩や
かである。
【００３１】従って、第一の強磁性層２６を構成するCo
NiFeの保磁力を小さくするためには磁歪が零となるのが
好ましい。また、第一の強磁性層２６の電気抵抗の変化
率を大きくするために、図２に従ってコバルトを含む材
料により第一の強磁性層２６を形成するのが好ましい。
これにより選択されるCoNiFeの組成は、第１実施例で説
明した図３に示す(ii)系列の組成比のライン上を選択す
ることが考えられる。なぜなら、磁歪が小さいほど保磁
力も小さくなるからである。
【００３２】そこで、本発明者等は、図３に示す(ii)系
列の組成比と(ii)系列付近の組成比のCoNiFeについて保
磁力Ｈc を調べたところ、図４(b) に例示したような結
果がえられた。図４(b) において、(ii)系列の組成比を
示す破線のラインと保磁力Ｈ c の小さいラインとが僅か
であるが一致しなかったが、これは製造方法が異なるこ
とにより生じた差である。(ii)系列の組成比を示す破線
のラインは急冷薄帯により形成した膜であり、保磁力Ｈ
c の小さい一点鎖線のラインはスパッタ法により形成し
たCoNiFeである。磁気抵抗効果素子を構成する膜は一般
にスパッタ法によって形成されるために、スパッタ法に
よる保磁力を考慮する必要がある。
【００３３】第一の強磁性層２６を構成する軟磁性材料
の保磁力Ｈc1は１０より小さいことが望まれる（Ｈc1＜
１０）。実験によれば、保磁力Ｈc が１０より小さくな
るCoNiFeの組成は、コバルトを４０〜５０atoms ％、ニ
ッケルを２４〜３５atoms ％とした場合であった。上記
したCo42Ni26Fe32はその組成の一例である。
【００３４】一方、第二の強磁性層２５を構成するCoNi
Feの保磁力Ｈc2は、既に述べたように第一の強磁性層２
３よりも条件が緩やかである。しかし、反強磁性層２６
により生じる異方性磁界ＨUAが第二の強磁性層２５の保
磁力Ｈc2より小さくなると、第二の強磁性層２５の磁化
方向が外部磁界によって反転し易くなり、この反転が生
じるとスピンバルブ磁気抵抗効果が得られなくなる。な
お、異方性磁界ＨUAは、保磁力と磁束密度の関係を示す
曲線（Ｂ−Ｈ曲線）の中心を保磁力軸に沿って移動させ
る磁界である。
【００３５】これにより、第二の強磁性層２５の保磁力
Ｈc2と反強磁性層２６による異方性磁界ＨUAは式（１）
の関係が要求される。ただし、Ｈc2＞０である。 Ｈc2 ＜ ＨUA ……（１） このように第二の強磁性層２５の材料を選択する場合に
異方性磁界ＨUAを考慮するだけでなく、第二の強磁性層
２５の結晶構造が面心立方格子となる材料を選択しなけ
らばならない。第二の強磁性層２５の結晶構造が面心立
方格子でなければ、FeMnが反強磁性体とならないからで
ある。
【００３６】それらの条件を考慮すると、第二の強磁性
層２５を構成するCoNiFeは、ニッケルを０〜２０atoms
％、コバルトを８０〜９０atoms ％の範囲で含有し、残
りを鉄とした組成にする必要がある。上記したCo90Ni3F
e7はその一例である。なお、ニッケルが０atoms ％の場
合には第二の強磁性層２５はコバルト鉄から構成される
ことになる。 （第３実施例）図５(a) は、本発明の第１実施例の層構
造を示す側面図である。
【００３７】図において、シリコン基板３１の（１１
０）面上には、約３０Oeの磁場の雰囲気中でスパッタ法
によって、下地層３２としてタンタル（Ta）が６０Å、
第一の強磁性層３３としてニッケル鉄コバルト（CoNiF
e）が９０Å、非磁性金属層３４として銅（Cu）が２０
Å、第二の強磁性層３５としてCoNiFeが４０Åの厚さに
順に形成されている。第一の強磁性層３３を構成するCo
NiFeは、ニッケルを２６atoms ％、鉄を３２atoms ％、
コバルトを４２atoms ％の割合で含む合金であり、以下
にCo42Ni26Fe32と表す。また、第二の強磁性層３５を構
成するCoNiFeは、コバルトを８０atoms ％、ニッケルを
１５atoms ％、鉄を５atoms ％の割合で含む合金であ
り、以下にCo80 Ni15Fe5と表す。
【００３８】また、下地層３２から第二の強磁性層３５
までの各層は平面が長方形になるようにパターニングさ
れている。また、第二の強磁性層３５上には、その長手
方向に間隔をおいて一対の引出電極３６ａ，３６ｂが形
成されている。外部磁界が零の状態において、第一の強
磁性層３３の磁化の方向は長手方向であり、第一の強磁
性層３３と第二の強磁性層３５のそれぞれの磁化の方向
は互いに直交している。
【００３９】以上の構成を有するスピンバルブ磁気抵抗
効果型素子によれば、電気抵抗の変化率が８％となり従
来の３倍程度の値を得ることができた。ところで、本実
施例のスピンバルブ磁気抵抗効果型素子では、第２実施
例で述べた理由により第一の強磁性層３３は第２実施例
の第一の強磁性層２３と同じ組成のCoNiFeが選択する。
第一の強磁性層３３は、図５(b) に示すように保磁力Ｈ
c1が１０Oeよりも小さい範囲でコバルト、鉄、ニッケル
の比を選択する。
【００４０】これに対して、第二の強磁性層３５の組成
は第２実施例と相違させている。この実施例の第二の強
磁性層３５を構成するCoNiFeは、その磁化が外部磁界に
よって変化せず、しかも電気抵抗の変化率が大きい組成
が選ばれる。これにより反強磁性層は不要になり、第二
の強磁性層３５を構成するCoNiFeの組成を決定するに際
して、反磁性層を考慮した結晶状態や反強磁性層による
異方磁界や反強磁性層との交換相互作用から拘束されな
くなる。
【００４１】従って、第二の強磁性層３５の磁歪は零で
ある必要はなく、磁化方向固定のために硬磁性であり、
高電気抵抗変化率を得るためにコバルトがリッチであれ
ばよく、コバルトが６５〜１００atoms ％、ニッケルが
０〜３５atoms ％であるCoNiFe合金又はCo単体又はFeCo
合金のいずれかを選択すればよい。これにより第一及び
第二の強磁性層３３，３５に容易に磁化の反平行状態を
作ることができ、大きい電気抵抗変化率が得られ、より
大きな出力が得られる。
【００４２】また、FeMnよりなる反強磁性体を必要とし
ないので、スピンバルブ磁気抵抗効果素子を製造する工
程においてFeMnの腐食性が問題となることがなく、耐腐
食性が向上する。しかも、層構造が１層少なくなるので
スループットが向上する。なお、第１〜第３実施例の磁
気抵抗効果素子では、各層を第一の強磁性層から反強磁
性層までを１組、又は第一の強磁性層〜第二の強磁性層
を１組形成しているが、それらを複数組積層した構造を
採用してもよい。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、少な
くとも反強磁性層に接する側の強磁性層をコバルト・ニ
ッケル・鉄合金から形成し、且つそのコバルト・ニッケ
ル・鉄合金でのニッケル含有量を５〜４０atoms ％、コ
バルト含有量を３０〜９５atoms ％としているので、ス
ピンバルブ磁気抵抗効果による電気抵抗の変化率を従来
よりも大きくできる。この場合、反強磁性体層に接しな
い側の強磁性体層もコバルト・ニッケル・鉄合金から形
成すると、さらに電気抵抗の変化率を大きくできる。
【００４４】磁歪が零のコバルト・ニッケル・鉄合金を
採用すると、反強磁性層との交換相互作用を損なうこと
を防止できる。また、本発明の磁気抵抗効果素子は、非
磁性金属層を挟んで形成される第一及び第二の強磁性層
を構成する材料として、互いに組成の異なるコバルト・
ニッケル・鉄合金を用いているので、これによっても、
スピンバルブ磁気抵抗効果による電気抵抗の変化率が従
来よりも大きくなる。しかも、反強磁性層に接する第二
の強磁性層を構成する材料を外部磁界により容易に反転
しない組成にする一方で、反強磁性層に接しない第一の
強磁性層を構成する材料を信号磁界により容易に回転す
る組成にすることにより適正な読みだし動作を行うこと
ができる。
【００４５】この場合、第一の強磁性層を構成するコバ
ルト・ニッケル・鉄合金は、コバルトが４０〜５０atom
s ％、ニッケルが２４〜３５atoms ％の割合で含有さ
れ、且つ第二の強磁性層を構成するコバルト・ニッケル
・鉄合金は、コバルトが８０〜９０atoms ％、ニッケル
が２０atoms ％以下の割合で含有される材料を選択する
ことが望ましい。
【００４６】また、第一の強磁性層の保磁力を１０Oe以
下としているので、その磁化方向を信号磁界により容易
に回転できる。また、少なくとも第二の強磁性層の結晶
構造を面心立方格子としているので、反強磁性層を容易
に形成できる。本発明の別の磁気抵抗効果素子は、コバ
ルト・ニッケル・鉄合金の軟磁性材よりなる第一の強磁
性層と、コバルト・ニッケル・鉄合金又は鉄コバルト合
金又はコバルトの硬磁性材から形成された第二の強磁性
層と、第一及び第二の強磁性体層の間に形成された非磁
性金属層から構成されているので、これによっても、ス
ピンバルブ磁気抵抗効果による電気抵抗の変化率を従来
よりも大きくできる。
【００４７】例えば、硬磁性材を構成するコバルト・ニ
ッケル・鉄合金は、コバルトを６５atoms ％以上、ニッ
ケルを３５atoms ％以下の割合で含有させ、且つ軟磁性
材を構成するコバルト・ニッケル・鉄合金は、コバルト
を４０〜５０atoms ％、ニッケルを２４〜３５atoms ％
の割合で含有させる。しかも、第二の強磁性層は硬磁性
であるので保磁力が大きく、信号磁界によって変化せず
腐食性の大きな反強磁性層は不要になるので、スループ
ットを向上できるとともに、耐腐食性が改善される。
【００４８】また、第一の強磁性層の保磁力を１０Oe以
下としているので、その磁化方向を信号磁界によって容
易に回転できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第１実施例の磁気抵抗効果素
子を示す側面図である。
【図２】図２は、非磁性金属層として銅、磁性薄膜層と
してニッケル・鉄又はニッケル・コバルトを用い、非磁
性金属層と磁性薄膜層を３０層ずつ積層した場合の合金
の単位当たりの電子数と電気抵抗の変化率を示す特性図
である。
【図３】図３は、コバルト・ニッケル・鉄の組成と磁歪
との関係を示す図である。
【図４】図４(a) は、本発明の第１実施例の磁気抵抗効
果素子を示す側面図、図４(b)は、コバルト・ニッケル
・鉄の組成と磁歪、保磁力との関係を示す図である。
【図５】図５(a) は、本発明の第１実施例の磁気抵抗効
果素子を示す側面図、図５(b)は、コバルト・ニッケル
・鉄の組成と保磁力との関係を示す図である。
【図６】図６(a) は、従来のスピンバルブ磁気抵抗効果
素子を示す側面図、図６(b) はその一部を切り欠いた斜
視図である。
【符号の説明】
１１、２１、３１ シリコン基板 １２、２２、３２ 下地層 １３、２３、３３ 第一の強磁性層 １４、２４、３４ 非磁性金属層 １５、２５、３５ 第二の強磁性層 １６、２６ 反強磁性層 １７ａ，１７ｂ、２７ａ，２７ｂ、３６ａ，３６ｂ
引出電極
フロントページの続き (72)発明者 菊地 英幸 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 小田切 充 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】軟磁性材よりなる第一の強磁性層と、 ニッケルを５〜４０atoms ％、コバルトを３０〜９５at
    oms ％の割合で含有しているコバルト・ニッケル・鉄合
    金よりなる第二の強磁性層と、 前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層の間に形成さ
    れた非磁性金属層と、 前記第二の強磁性層に接して形成された反強磁性層とを
    有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  2. 【請求項２】前記第一の強磁性層を構成する軟磁性材
    は、ニッケルを５〜４０atoms ％、コバルトを３０〜９
    ５atoms ％の割合で含有しているコバルト・ニッケル・
    鉄合金であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
    効果素子。
  3. 【請求項３】前記コバルト・ニッケル・鉄合金は磁歪が
    零であることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気抵
    抗効果素子。
  4. 【請求項４】第一のコバルト・ニッケル・鉄合金よりな
    る第一の強磁性層と、 第一のコバルト・ニッケル・鉄合金と組成の異なる第二
    のコバルト・ニッケル・鉄合金又は鉄コバルトよりなる
    第二の強磁性層と、 前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層の間に形成さ
    れた非磁性金属層と、 前記第二の強磁性層に接して形成された反強磁性層とを
    有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
  5. 【請求項５】前記第一のコバルト・ニッケル・鉄合金
    は、コバルトを４０〜５０atoms ％、ニッケルを２４〜
    ３５atoms ％の割合で含有し、且つ前記第二のコバルト
    ・ニッケル・鉄合金は、コバルトを８０〜９０atoms
    ％、ニッケルを２０atoms ％以下の割合で含有している
    ことを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果素子。
  6. 【請求項６】前記第一のコバルト・ニッケル・鉄合金の
    保磁力は１０Oeよりも小さいことを特徴とする請求項４
    又は５記載の磁気抵抗効果素子。
  7. 【請求項７】前記第二のコバルト・ニッケル・鉄合金の
    保磁力は、前記反強磁性層による異方性磁界よりも大き
    いことを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果素子。
  8. 【請求項８】前記第一及び第二の強磁性層の結晶構造は
    ともに面心立方格子であることを特徴とする請求項４記
    載の磁気抵抗効果素子。
  9. 【請求項９】コバルト・ニッケル・鉄合金の軟磁性材よ
    りなる第一の強磁性層と、 コバルト・ニッケル・鉄合金又は鉄コバルト合金又はコ
    バルトの硬磁性材から形成された第二の強磁性層と、 前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層の間に形成さ
    れた非磁性金属層とを有することを特徴とする磁気抵抗
    効果素子。
  10. 【請求項１０】前記軟磁性材料の保磁力は１０Oeよりも
    小さいことを特徴とする請求項９記載の磁気抵抗効果素
    子。
  11. 【請求項１１】前記硬磁性材を構成するコバルト・ニッ
    ケル・鉄合金は、コバルトを６５atoms ％以上、ニッケ
    ルを３５atoms ％以下の割合で含有し、且つ前記軟磁性
    材を構成するコバルト・ニッケル・鉄合金は、コバルト
    を４０〜５０atoms ％、ニッケルを２４〜３５atoms ％
    の割合で含有していることを特徴とする請求項９記載の
    磁気抵抗効果素子。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997011499A1 (en) * 1995-09-21 1997-03-27 Tdk Corporation Magnetic transducer
US6083632A (en) * 1997-01-08 2000-07-04 Nec Corporation Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof
CN1081819C (zh) * 1996-04-26 2002-03-27 富士通株式会社 磁电阻换能器、形成磁膜的方法和磁记录／重放驱动器

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6712481B2 (en) * 1995-06-27 2004-03-30 Solid State Opto Limited Light emitting panel assemblies
US6124711A (en) * 1996-01-19 2000-09-26 Fujitsu Limited Magnetic sensor using tunnel resistance to detect an external magnetic field
US6340886B1 (en) * 1997-08-08 2002-01-22 Nonvolatile Electronics, Incorporated Magnetic field sensor with a plurality of magnetoresistive thin-film layers having an end at a common surface
JP3263016B2 (ja) * 1997-10-20 2002-03-04 アルプス電気株式会社 スピンバルブ型薄膜素子
DE19949713C2 (de) * 1999-10-15 2001-08-16 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistives Schichtsystem
US6683761B2 (en) 2000-11-09 2004-01-27 Seagate Technology Llc Magnetoresistive sensor with laminate electrical interconnect
US6778357B2 (en) 2000-11-10 2004-08-17 Seagate Technology Llc Electrodeposited high-magnetic-moment material at writer gap pole
US6665155B2 (en) 2001-03-08 2003-12-16 International Business Machines Corporation Spin valve sensor with free layer structure having a cobalt niobium (CoNb) or cobalt niobium hafnium (CoNbHf) layer
JP2003198002A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果膜および強磁性積層構造体
US6674617B2 (en) 2002-03-07 2004-01-06 International Business Machines Corporation Tunnel junction sensor with a multilayer free-layer structure
WO2004025745A1 (ja) * 2002-09-13 2004-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 磁気抵抗効果素子およびこの製造方法並びに使用方法
US6870716B2 (en) * 2002-09-24 2005-03-22 Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. Free layer and design for higher areal density
CA2619509C (en) 2005-08-12 2015-01-06 Modumetal, Llc. Compositionally modulated composite materials and methods for making the same
BRPI1010877B1 (pt) 2009-06-08 2020-09-15 Modumetal, Inc Revestimento de multicamadas resistente à corrosão e método de eletrodeposição
US8449948B2 (en) * 2009-09-10 2013-05-28 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for corrosion protection of layers in a structure of a magnetic recording transducer
EA201500948A1 (ru) 2013-03-15 2016-03-31 Модьюметл, Инк. Способ изготовления изделия и изделие, изготовленное вышеуказанным способом
WO2014146117A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Modumetal, Inc. A method and apparatus for continuously applying nanolaminate metal coatings
BR112015022020A8 (pt) 2013-03-15 2019-12-10 Modumetal Inc objeto ou revestimento e seu processo de fabricação
CA2905548C (en) 2013-03-15 2022-04-26 Modumetal, Inc. Nanolaminate coatings
BR112017005534A2 (pt) 2014-09-18 2017-12-05 Modumetal Inc métodos de preparação de artigos por processos de eletrodeposição e fabricação aditiva
EP3194642A4 (en) 2014-09-18 2018-07-04 Modumetal, Inc. A method and apparatus for continuously applying nanolaminate metal coatings
US11365488B2 (en) 2016-09-08 2022-06-21 Modumetal, Inc. Processes for providing laminated coatings on workpieces, and articles made therefrom
TW201821649A (zh) 2016-09-09 2018-06-16 美商馬杜合金股份有限公司 層合物與奈米層合物材料於工具及模製方法之應用
WO2018053158A1 (en) 2016-09-14 2018-03-22 Modumetal, Inc. System for reliable, high throughput, complex electric field generation, and method for producing coatings therefrom
EP3535118A1 (en) 2016-11-02 2019-09-11 Modumetal, Inc. Topology optimized high interface packing structures
CA3057836A1 (en) 2017-03-24 2018-09-27 Modumetal, Inc. Lift plungers with electrodeposited coatings, and systems and methods for producing the same
CA3060619A1 (en) 2017-04-21 2018-10-25 Modumetal, Inc. Tubular articles with electrodeposited coatings, and systems and methods for producing the same
EP3784823A1 (en) 2018-04-27 2021-03-03 Modumetal, Inc. Apparatuses, systems, and methods for producing a plurality of articles with nanolaminated coatings using rotation

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663685A (en) * 1985-08-15 1987-05-05 International Business Machines Magnetoresistive read transducer having patterned longitudinal bias
EP0297776B1 (en) * 1987-06-30 1993-08-04 Sony Corporation Soft magnetic thin films
US5206590A (en) * 1990-12-11 1993-04-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
JP2690623B2 (ja) * 1991-02-04 1997-12-10 松下電器産業株式会社 磁気抵抗効果素子
US5159513A (en) * 1991-02-08 1992-10-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
DE69219936T3 (de) * 1991-03-29 2008-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetowiderstandseffekt-Element
US5304975A (en) * 1991-10-23 1994-04-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element and magnetoresistance effect sensor
JP3022023B2 (ja) * 1992-04-13 2000-03-15 株式会社日立製作所 磁気記録再生装置
US5549978A (en) * 1992-10-30 1996-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
US5373238A (en) * 1992-11-06 1994-12-13 International Business Machines Corporation Four layer magnetoresistance device and method for making a four layer magnetoresistance device
JPH0766033A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Mitsubishi Electric Corp 磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ
JP2860233B2 (ja) * 1993-09-09 1999-02-24 株式会社日立製作所 巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997011499A1 (en) * 1995-09-21 1997-03-27 Tdk Corporation Magnetic transducer
US5923504A (en) * 1995-09-21 1999-07-13 Tdk Corporation Magnetoresistance device
CN1081819C (zh) * 1996-04-26 2002-03-27 富士通株式会社 磁电阻换能器、形成磁膜的方法和磁记录／重放驱动器
US6083632A (en) * 1997-01-08 2000-07-04 Nec Corporation Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof

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