JPH088394B2 - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH088394B2 JPH088394B2 JP1170469A JP17046989A JPH088394B2 JP H088394 B2 JPH088394 B2 JP H088394B2 JP 1170469 A JP1170469 A JP 1170469A JP 17046989 A JP17046989 A JP 17046989A JP H088394 B2 JPH088394 B2 JP H088394B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体レーザおよびその製造方法に関
し、特に共振器方向に屈折率の周期性を持たない利得結
合型の分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法に関
するものである。
し、特に共振器方向に屈折率の周期性を持たない利得結
合型の分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法に関
するものである。
第３図は、例えば、昭和63年秋季・第49回応用物理学
会学術講演会講演予稿集第３分冊p.834に示された従来
の半導体レーザを示す断面側面図であり、図において、
11は第１導電型の半導体基板、12は第１導電型クラッド
層、13はアンドープの活性層、14は活性層３よりも大き
な禁制帯幅を持つ第２導電型の半導体層（活性層３に注
入されたキャリアに対し、ポテンシャルバリアとなるの
で以下バリア層と呼ぶ。）、15は前記活性層３と同じ禁
制帯幅を持つ第２導電型の半導体層（光を吸収する機能
を持つので以下吸収層と呼ぶ。）、16は前記吸収層５上
に形成された回析格子、17は第２導電型のクラッド層で
ある。
会学術講演会講演予稿集第３分冊p.834に示された従来
の半導体レーザを示す断面側面図であり、図において、
11は第１導電型の半導体基板、12は第１導電型クラッド
層、13はアンドープの活性層、14は活性層３よりも大き
な禁制帯幅を持つ第２導電型の半導体層（活性層３に注
入されたキャリアに対し、ポテンシャルバリアとなるの
で以下バリア層と呼ぶ。）、15は前記活性層３と同じ禁
制帯幅を持つ第２導電型の半導体層（光を吸収する機能
を持つので以下吸収層と呼ぶ。）、16は前記吸収層５上
に形成された回析格子、17は第２導電型のクラッド層で
ある。
次に動作原理について説明する。ジャーナル オブ
アプライド フィジックス 43巻,2327〜2335頁（1972
年）（Journal of Applied Physics,vol.43,pp.2327
−2335,（1972））によると、屈折率ｎ及び利得αがレ
ーザ共振器方向（ｚ方向とする。）に沿って、それぞれ ｎ（ｚ）＝n0＋n1・cos（２πz/A） α（ｚ）＝α0＋α1・cos（２πz/A） （但し、Ａは回析格子のピッチ） のように周期性を持つとき、結合定数ｋを ｋ＝πn1／λ＋ｉ・α1/2 （但し、λはレーザの発信波長、ｉは虚数単位） と定義する。
アプライド フィジックス 43巻,2327〜2335頁（1972
年）（Journal of Applied Physics,vol.43,pp.2327
−2335,（1972））によると、屈折率ｎ及び利得αがレ
ーザ共振器方向（ｚ方向とする。）に沿って、それぞれ ｎ（ｚ）＝n0＋n1・cos（２πz/A） α（ｚ）＝α0＋α1・cos（２πz/A） （但し、Ａは回析格子のピッチ） のように周期性を持つとき、結合定数ｋを ｋ＝πn1／λ＋ｉ・α1/2 （但し、λはレーザの発信波長、ｉは虚数単位） と定義する。
ここでπn1／λ＞＞α1/2の時、即ち結合定数ｋを構
成する要素の内、屈折率の占める割合が十分に大きい場
合は、屈折率結合型の分布帰還型半導体レーザと呼ば
れ、この場合レーザは通常二つの波長で発振する。この
ようなレーザは、二つの波長のモード競合による雑音の
発生、光ファイバ内での波長分散による信号波形の劣化
等の問題を生ずる。これを避けるために、レーザ共振器
端面の反射率を一方の端面を高反射率，他方を低反射率
にする方法、回析格子の位相を共振器の中央部分でπだ
けずらす方法等を用い、単一の波長で発振するレーザを
作製している。しかしながら、これらの方法では、単一
波長での発振の安定性、作製の難しさなどの問題があっ
た。
成する要素の内、屈折率の占める割合が十分に大きい場
合は、屈折率結合型の分布帰還型半導体レーザと呼ば
れ、この場合レーザは通常二つの波長で発振する。この
ようなレーザは、二つの波長のモード競合による雑音の
発生、光ファイバ内での波長分散による信号波形の劣化
等の問題を生ずる。これを避けるために、レーザ共振器
端面の反射率を一方の端面を高反射率，他方を低反射率
にする方法、回析格子の位相を共振器の中央部分でπだ
けずらす方法等を用い、単一の波長で発振するレーザを
作製している。しかしながら、これらの方法では、単一
波長での発振の安定性、作製の難しさなどの問題があっ
た。
これに対して、πn1／λ＜＜α1/2の時、即ち結合定
数ｋを構成する要素の内、利得の占める割合が十分に大
きい場合は、利得結合型の分布帰還型半導体レーザと呼
ばれ、共振器の両端面を低反射面にコーティングするだ
けで単一波長で発振し、屈折率結合型に比べ、作製の容
易さ、単一波長での発振の安定性に優れるという長所を
持つ。第３図に示したレーザは、このような考えに基づ
いて考えられた利得結合型のレーザで、活性層13はレー
ザ発振に必要な利得を有する層で、吸収層15は活性層13
と同じ禁制帯幅を有するため、導波する光に対して大き
な吸収係数を持ち、かつ、回析格子16が刻まれているの
で、大きな吸収の周期性を与える。吸収は利得と反対の
符号を持つだけであるから、結果として利得の大きな周
期性となり、利得結合型の半導体レーザが得られる。
数ｋを構成する要素の内、利得の占める割合が十分に大
きい場合は、利得結合型の分布帰還型半導体レーザと呼
ばれ、共振器の両端面を低反射面にコーティングするだ
けで単一波長で発振し、屈折率結合型に比べ、作製の容
易さ、単一波長での発振の安定性に優れるという長所を
持つ。第３図に示したレーザは、このような考えに基づ
いて考えられた利得結合型のレーザで、活性層13はレー
ザ発振に必要な利得を有する層で、吸収層15は活性層13
と同じ禁制帯幅を有するため、導波する光に対して大き
な吸収係数を持ち、かつ、回析格子16が刻まれているの
で、大きな吸収の周期性を与える。吸収は利得と反対の
符号を持つだけであるから、結果として利得の大きな周
期性となり、利得結合型の半導体レーザが得られる。
しかしながら、従来の半導体レーザは吸収層15と第２
導電型のクラッド層17の屈折率が違うため屈折率の周期
性も生じてしまう。そのため、πn1／λ＜＜α1/2の条
件を十分に満足せず、安定に単一モードで発振させるこ
とが困難であった。
導電型のクラッド層17の屈折率が違うため屈折率の周期
性も生じてしまう。そのため、πn1／λ＜＜α1/2の条
件を十分に満足せず、安定に単一モードで発振させるこ
とが困難であった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、πn1／λ＜＜α1/2の条件を満たし安定
に単一モードで発振する利得結合型半導体レーザを得る
ことを目的とする。
されたもので、πn1／λ＜＜α1/2の条件を満たし安定
に単一モードで発振する利得結合型半導体レーザを得る
ことを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、活性層近傍に該活性
層と同じあるいは活性層より小さい禁制帯幅を持つ、共
振器長方向で周期的に厚さの変わる半導体吸収層を設け
るとともに、活性層よりも大きな禁制帯幅を持ちクラッ
ド層よりも屈折率が高く、屈折率の周期性をなくするよ
うに配置された屈折率整合層を設けたものである。
層と同じあるいは活性層より小さい禁制帯幅を持つ、共
振器長方向で周期的に厚さの変わる半導体吸収層を設け
るとともに、活性層よりも大きな禁制帯幅を持ちクラッ
ド層よりも屈折率が高く、屈折率の周期性をなくするよ
うに配置された屈折率整合層を設けたものである。
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法は、上
述の構成を有する半導体レーザを製造するに際し、上記
吸収層を形成するのに用いたマスク材をマスクとして用
い、上記屈折率整合層を選択成長により形成するように
したものである。
述の構成を有する半導体レーザを製造するに際し、上記
吸収層を形成するのに用いたマスク材をマスクとして用
い、上記屈折率整合層を選択成長により形成するように
したものである。
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法は、上
述の構成を有する半導体レーザを製造するに際し、上記
吸収層の形成を吸収層を貫き、吸収層の下層にまで刻ま
れるような溝を形成することにより行ない、この溝を埋
めるように上記屈折率整合層を成長するようにしたもの
である。
述の構成を有する半導体レーザを製造するに際し、上記
吸収層の形成を吸収層を貫き、吸収層の下層にまで刻ま
れるような溝を形成することにより行ない、この溝を埋
めるように上記屈折率整合層を成長するようにしたもの
である。
この発明においては、活性層よりも大きな禁制帯幅を
持ちクラッド層よりも屈折率が高く、屈折率の周期性を
なくするように配置された屈折率整合層を備え、該屈折
率整合層により利得の周期性には変化を与えず、屈折率
の周期性のみ抑える構成としたから、πn1／λ＜＜α1/
2を満たし、安定に単一モードで発振する半導体レーザ
を得ることができる。
持ちクラッド層よりも屈折率が高く、屈折率の周期性を
なくするように配置された屈折率整合層を備え、該屈折
率整合層により利得の周期性には変化を与えず、屈折率
の周期性のみ抑える構成としたから、πn1／λ＜＜α1/
2を満たし、安定に単一モードで発振する半導体レーザ
を得ることができる。
また、この発明においては、上記吸収層を形成するの
に用いたマスク材をマスクとして用い、上記屈折率整合
層を選択成長により形成するようにしたから、容易に上
述の構造をもつ半導体レーザを得ることができる。
に用いたマスク材をマスクとして用い、上記屈折率整合
層を選択成長により形成するようにしたから、容易に上
述の構造をもつ半導体レーザを得ることができる。
また、この発明においては、吸収層を貫き、吸収層の
下層にまで刻まれるような溝を形成して、共振器長方向
で周期的に厚さの変わる半導体吸収層を形成し、この溝
を埋めるように上記屈折率整合層を成長するようにした
から、容易に上述の構造をもつ半導体レーザを得ること
ができる。
下層にまで刻まれるような溝を形成して、共振器長方向
で周期的に厚さの変わる半導体吸収層を形成し、この溝
を埋めるように上記屈折率整合層を成長するようにした
から、容易に上述の構造をもつ半導体レーザを得ること
ができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザの構造
を示す断面図であり、図において、１はｐ型のInP基
板、２はｎ型のInPクラッド層、３はIn0.58Ga0.42As0.9
P0.1活性層、４はｎ型InPバリア層、５は前記活性層３
と同じ禁制帯幅を持つｎ型のIn0.58Ga0.42As0.9P0.1吸
収層、７はｎ型InPクラッド層、８は活性層３よりも大
きな禁制帯幅を持ち、クラッド層2,7よりも屈折率の高
いｎ型のIn0.72Ga0.28As0.6P0.4層（以下、屈折率の整
合を取る機能をもつので屈折率整合層と呼ぶ。）であ
る。
を示す断面図であり、図において、１はｐ型のInP基
板、２はｎ型のInPクラッド層、３はIn0.58Ga0.42As0.9
P0.1活性層、４はｎ型InPバリア層、５は前記活性層３
と同じ禁制帯幅を持つｎ型のIn0.58Ga0.42As0.9P0.1吸
収層、７はｎ型InPクラッド層、８は活性層３よりも大
きな禁制帯幅を持ち、クラッド層2,7よりも屈折率の高
いｎ型のIn0.72Ga0.28As0.6P0.4層（以下、屈折率の整
合を取る機能をもつので屈折率整合層と呼ぶ。）であ
る。
次に動作について説明する。
活性層３は、電流を注入することにより光を発生し、
共振器長方向（図中ｚ方向）に沿って一様な利得を生ず
る。活性層３で発生した光は、ｚ方向に進むが、光の電
界が活性層３と同じ禁制帯幅を持つ吸収層５にまで広が
るため、そこで帯間吸収により吸収を受ける。吸収層５
は共振器長方向に周期的な厚さを持つように形成されて
おり、また、屈折率整合層８は活性層３よりも禁制帯幅
が広いのでほとんど光を吸収せず、結果として利得に周
期性が現れる。
共振器長方向（図中ｚ方向）に沿って一様な利得を生ず
る。活性層３で発生した光は、ｚ方向に進むが、光の電
界が活性層３と同じ禁制帯幅を持つ吸収層５にまで広が
るため、そこで帯間吸収により吸収を受ける。吸収層５
は共振器長方向に周期的な厚さを持つように形成されて
おり、また、屈折率整合層８は活性層３よりも禁制帯幅
が広いのでほとんど光を吸収せず、結果として利得に周
期性が現れる。
次に屈折率の周期性について説明する。活性層３や吸
収層５は、クラッド層2,7よりも屈折率が高いので、屈
折率整合層８を設けずに吸収層５の厚さのみを変化させ
た場合、吸収層５が厚い所と薄い所とではその等価的な
屈折率が変わる。従って、屈折率整合層がない場合は、
屈折率の周期性が生ずる。これを補うために、本実施例
ではクラッド層2,7よりも屈折率の高い屈折率整合層８
を設けている。ここで、一般に禁制帯幅が広い半導体
は、禁制帯幅の狭い半導体より屈折率が小さいので、本
実施例では層厚を大きくすることで、完全な屈折率の整
合を取っている。
収層５は、クラッド層2,7よりも屈折率が高いので、屈
折率整合層８を設けずに吸収層５の厚さのみを変化させ
た場合、吸収層５が厚い所と薄い所とではその等価的な
屈折率が変わる。従って、屈折率整合層がない場合は、
屈折率の周期性が生ずる。これを補うために、本実施例
ではクラッド層2,7よりも屈折率の高い屈折率整合層８
を設けている。ここで、一般に禁制帯幅が広い半導体
は、禁制帯幅の狭い半導体より屈折率が小さいので、本
実施例では層厚を大きくすることで、完全な屈折率の整
合を取っている。
ここで屈折率整合層の屈折率と厚さの設定について説
明する。多層構造を構成する層の該多層構造内を導波す
る光に対する屈折率は、それぞれの層の厚さと屈折率が
指定されれば基本的には見掛け上の等価屈折率として求
めることができる。従って、屈折率整合層８を設ける領
域、即ち第１図中のＡ−Ａ′の位置での等価屈折率が、
吸収層が存在する領域、Ｂ−Ｂ′の位置での等価屈折率
と等しくなるように屈折率整合層８の屈折率および層厚
を設定すれば屈折率の周期性をなくすことができる。
明する。多層構造を構成する層の該多層構造内を導波す
る光に対する屈折率は、それぞれの層の厚さと屈折率が
指定されれば基本的には見掛け上の等価屈折率として求
めることができる。従って、屈折率整合層８を設ける領
域、即ち第１図中のＡ−Ａ′の位置での等価屈折率が、
吸収層が存在する領域、Ｂ−Ｂ′の位置での等価屈折率
と等しくなるように屈折率整合層８の屈折率および層厚
を設定すれば屈折率の周期性をなくすことができる。
このように本実施例では、活性層上に設けられた、活
性層よりも大きな禁制帯幅をもつバリア層上に活性層と
同じ禁制帯幅を持つ、共振器長方向で周期的に厚さの変
わる吸収層を設けると共に、活性層よりも大きな禁制帯
幅を持ちクラッド層よりも屈折率の高い屈折率整合層
を、屈折率の周期性をなくするように配置したから、屈
折率の周期性がなく利得の周期性のみを有する半導体レ
ーザを実現できる。
性層よりも大きな禁制帯幅をもつバリア層上に活性層と
同じ禁制帯幅を持つ、共振器長方向で周期的に厚さの変
わる吸収層を設けると共に、活性層よりも大きな禁制帯
幅を持ちクラッド層よりも屈折率の高い屈折率整合層
を、屈折率の周期性をなくするように配置したから、屈
折率の周期性がなく利得の周期性のみを有する半導体レ
ーザを実現できる。
次に本実施例の製造工程について説明する。
第４図は第１図の半導体レーザの製造工程を示す図で
あり、図において、第１図と同一符号は同一又は相当部
分であり、９はエッチングマスクである。
あり、図において、第１図と同一符号は同一又は相当部
分であり、９はエッチングマスクである。
まず、第４図（ａ）のようにｐ型のInP基板１上に、
厚さ２μｍのｐ型のInPクラッド層2,厚さ0.13μｍのIn
0.58Ga0.42As0.9P0.1活性層３、厚さ0.1μｍのｎ型のIn
Pバリア層4,厚さ0.02μｍのｎ型のIn0.58Ga0.42As0.9P
0.1吸収層５を結晶成長し、さらにSiO2のエッチングマ
スク９を形成する。エッチングマスク９のストライプの
間隔は2400Åである。次に第４図（ｂ）のようにエッチ
ングマスク９をマスクとして吸収層５をエッチングす
る。次に第４図（ｃ）のようにｎ型In0.72Ga0.28As0.6P
0.4屈折率整合層８をMOCVD法により選択成長する。屈折
率整合層８の厚さは上記のその他の層の層厚，組成の条
件においては0.036μｍとすることで屈折率の整合がと
れる。最後にエッチングマスク９を除去し、第４図
（ｃ）のように層厚１μｍのｎ型のInPクラッド層７を
成長して半導体レーザができあがる。
厚さ２μｍのｐ型のInPクラッド層2,厚さ0.13μｍのIn
0.58Ga0.42As0.9P0.1活性層３、厚さ0.1μｍのｎ型のIn
Pバリア層4,厚さ0.02μｍのｎ型のIn0.58Ga0.42As0.9P
0.1吸収層５を結晶成長し、さらにSiO2のエッチングマ
スク９を形成する。エッチングマスク９のストライプの
間隔は2400Åである。次に第４図（ｂ）のようにエッチ
ングマスク９をマスクとして吸収層５をエッチングす
る。次に第４図（ｃ）のようにｎ型In0.72Ga0.28As0.6P
0.4屈折率整合層８をMOCVD法により選択成長する。屈折
率整合層８の厚さは上記のその他の層の層厚，組成の条
件においては0.036μｍとすることで屈折率の整合がと
れる。最後にエッチングマスク９を除去し、第４図
（ｃ）のように層厚１μｍのｎ型のInPクラッド層７を
成長して半導体レーザができあがる。
第２図は本発明の他の実施例による半導体レーザを示
す図であり、図において、第１図と同一符号は同一又は
相当部分である。
す図であり、図において、第１図と同一符号は同一又は
相当部分である。
本実施例の動作原理は上記第１図の実施例と全く同様
であり、本実施例では第２図中のＣ−Ｃ′の領域とＤ−
Ｄ′の領域の等価屈折率が等しくなるようにそれぞれの
層の屈折率及び厚みが設定されている。
であり、本実施例では第２図中のＣ−Ｃ′の領域とＤ−
Ｄ′の領域の等価屈折率が等しくなるようにそれぞれの
層の屈折率及び厚みが設定されている。
次に、第２図の半導体レーザの製造方法を第５図を用
いて説明する。第５図において、第４図と同一符号は同
一又は相当部分である。
いて説明する。第５図において、第４図と同一符号は同
一又は相当部分である。
まず、第５図（ａ）のように基板１上に、クラッド層
2,活性層3,バリア層4,吸収層５を順次成長した後、エッ
チングマスク９を形成する。次に第５図（ｂ）のように
エッチングマスク９をマスクとして吸収層５を突き抜
け、バリア層まで溝が刻まれるようにエッチングする。
次に第５図（ｃ）のようにエッチングされた溝を埋める
ように屈折率整合層８を成長し、さらにクラッド層７を
成長して半導体レーザができあがる。
2,活性層3,バリア層4,吸収層５を順次成長した後、エッ
チングマスク９を形成する。次に第５図（ｂ）のように
エッチングマスク９をマスクとして吸収層５を突き抜
け、バリア層まで溝が刻まれるようにエッチングする。
次に第５図（ｃ）のようにエッチングされた溝を埋める
ように屈折率整合層８を成長し、さらにクラッド層７を
成長して半導体レーザができあがる。
なお、上記実施例では吸収層５の形状を矩形とした
が、屈折率整合層８で屈折率の整合が取れれば従来例の
ように三角形でも、又、他の形状でもかまわない。
が、屈折率整合層８で屈折率の整合が取れれば従来例の
ように三角形でも、又、他の形状でもかまわない。
また、上記実施例では、吸収層５と屈折率整合層を共
に第２導電型としたがどちらか一方が第１導電型でも構
わない。
に第２導電型としたがどちらか一方が第１導電型でも構
わない。
また、上記実施例では、吸収層５と屈折率整合層８
が、活性層３よりも上部にある場合について説明した
が、一方あるいは両方とも活性層３よりも下部にあって
もかまわない。
が、活性層３よりも上部にある場合について説明した
が、一方あるいは両方とも活性層３よりも下部にあって
もかまわない。
以上のように、この発明によれば、屈折率の周期性を
抑えるために屈折率整合層を設けたので、安定に単一の
波長で発振する利得結合型の半導体レーザが得られると
いう効果がある。
抑えるために屈折率整合層を設けたので、安定に単一の
波長で発振する利得結合型の半導体レーザが得られると
いう効果がある。
また、この発明によれば、上記屈折率整合層を吸収層
を形成するのに用いたマスク材を用いて選択成長により
形成するようにしたから、容易に上述の構造をもつ半導
体レーザを得ることができる効果がある。
を形成するのに用いたマスク材を用いて選択成長により
形成するようにしたから、容易に上述の構造をもつ半導
体レーザを得ることができる効果がある。
また、この発明によれば、上記屈折率整合層を、吸収
層の厚みに周期性を設ける際に形成されるこの吸収層を
貫通して吸収層の下層にまで刻まれる溝を埋めるように
成長して形成するようにしたから、容易に上述の構造を
もつ半導体レーザを得ることができる効果がある。
層の厚みに周期性を設ける際に形成されるこの吸収層を
貫通して吸収層の下層にまで刻まれる溝を埋めるように
成長して形成するようにしたから、容易に上述の構造を
もつ半導体レーザを得ることができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザを示す
断面側面図、第２図はこの発明の他の実施例による半導
体レーザを示す断面側面図、第３図は従来の半導体レー
ザを示す断面側面図、第４図はこの発明による半導体レ
ーザの製造方法を示す半導体レーザの断面側面図、第５
図はこの発明による半導体レーザの他の製造方法を示す
半導体レーザの断面側面図である。 １はｐ型InP基板、２はｐ型InPクラッド層、３はIn0.58
Ga0.42As0.9P0.1活性層、４はｎ型InPバリア層、５はｎ
型In0.58Ga0.42As0.9P0.1吸収層、７はｎ型InPクラッド
層、８はｎ型In0.72Ga0.28As0.6P0.4屈折率整合層、９
はエッチングマスク。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
断面側面図、第２図はこの発明の他の実施例による半導
体レーザを示す断面側面図、第３図は従来の半導体レー
ザを示す断面側面図、第４図はこの発明による半導体レ
ーザの製造方法を示す半導体レーザの断面側面図、第５
図はこの発明による半導体レーザの他の製造方法を示す
半導体レーザの断面側面図である。 １はｐ型InP基板、２はｐ型InPクラッド層、３はIn0.58
Ga0.42As0.9P0.1活性層、４はｎ型InPバリア層、５はｎ
型In0.58Ga0.42As0.9P0.1吸収層、７はｎ型InPクラッド
層、８はｎ型In0.72Ga0.28As0.6P0.4屈折率整合層、９
はエッチングマスク。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
フロントページの続き (72)発明者 柿本 昇一 兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機 株式会社光・マイクロ波デバイス研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−145685（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】活性層の上下を該活性層より大きい禁制帯
幅を持つ半導体層で挟んだ構造を有する半導体レーザに
おいて、 上記活性層で発生し、上下方向へ滲み出した光が届く程
度に上記活性層に近接して設けられた、該活性層と同
じ，あるいは活性層より小さい禁制帯幅を持つ、共振器
長方向で周期的に厚さの変わる半導体吸収層と、 レーザ共振器内の上記吸収層が厚い領域と薄い領域での
層厚方向の等価屈折率が等しくなるように設けられた、
上記活性層よりも大きな禁制帯幅，及び上記活性層を挟
む半導体層よりも高い屈折率を持つ半導体屈折率整合層
とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザを製造する半
導体レーザの製造方法であって、 上記吸収層を形成する際に用いたマスク材をマスクとし
て用い、上記屈折率整合層を選択成長により形成するこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】第１導電型の半導体基板上に、第１導電型
のクラッド層，活性層，該活性層よりも大きな禁制帯幅
を持つ第２導電型のバリア層，及び上記活性層と同じあ
るいは上記活性層より小さい禁制帯幅を持つ第２導電型
の吸収層を順次成長する第１の工程と、 上記吸収層上に共振器長方向に周期的にストライプが存
在するパターンを有するエッチングマスクを形成する第
２の工程と、 該エッチングマスクをマスクとして上記吸収層を突き抜
け、バリア層まで溝が刻まれるようにエッチングする第
３の工程と、 上記エッチングされた溝を埋めるように上記活性層より
も大きな禁制帯幅，及び上記クラッド層よりも高い屈折
率を持つ屈折率整合層を成長し、さらに第２導電型のク
ラッド層を成長する第４の工程とを含むことを特徴とす
る半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (3)
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| JP1170469A JPH088394B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
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