JPH088405A - DC test facilitating circuit, DC test control circuit, and semiconductor integrated circuit including them - Google Patents
DC test facilitating circuit, DC test control circuit, and semiconductor integrated circuit including themInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 DCテストを行うためのテストパターン入力
回数の削減およびテストパターン数の削減によるテスト
時間の削減を実現することを目的とする。
【構成】 内部回路18の出力がDCテスト容易化回路
である、出力バッファ用DCテスト容易化回路5、トラ
イステート出力バッファ用DCテスト容易化回路6、双
方向バッファ用DCテスト容易化回路6aに接続されて
いる。また、出力バッファ用DCテスト容易化回路5、
トライステート出力バッファ用DCテスト容易化回路
6、双方向バッファ用DCテスト容易化回路6aは、D
Cテスト制御回路7にそれぞれ接続されている。
【効果】 出力手段のDCテストが内部回路を介さずに
与えられる制御信号に基づいて行われるので、内部回路
を介してDCテストを行う場合に比べて、DCテストの
ための信号の入力回数が削減され、テスト時間を削減す
ることができる。
(57) [Abstract] [Purpose] It is an object of the present invention to reduce the number of test pattern inputs for performing a DC test and to reduce the test time by reducing the number of test patterns. [Configuration] An output buffer DC test facilitation circuit 5, a tri-state output buffer DC test facilitation circuit 6, and a bidirectional buffer DC test facilitation circuit 6a in which an output of an internal circuit 18 is a DC test facilitation circuit. It is connected. Also, the output buffer DC test facilitation circuit 5,
The DC test facilitation circuit 6 for the tri-state output buffer and the DC test facilitation circuit 6a for the bidirectional buffer are
Each is connected to the C test control circuit 7. [Effect] Since the DC test of the output means is performed based on the control signal provided without passing through the internal circuit, the number of times of inputting the signal for the DC test is higher than that when the DC test is performed through the internal circuit. It can be reduced and the test time can be reduced.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に用い
られる出力バッファのDCテスト容易化設計に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DC testability design for an output buffer used in a semiconductor integrated circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】図11に、入出力バッファを用いた半導
体集積回路(LSI)100の回路構成を示す。図11
において、6個の入力バッファ1が、組み合わせ回路1
4aに接続され、組み合わせ回路14aの出力が5個の
フリップフロップ13のデータ入力端子Dに接続されて
いる。また、フリップフロップ13のタイミング信号入
力端子Tには、組み合わせ回路14aからタイミング信
号が与えられる。また、フリップフロップ13の出力端
子Qは組み合わせ回路14bに接続され、組み合わせ回
路14bの出力は5個のフリップフロップ13のデータ
入力端子Dに接続されている。また、フリップフロップ
13のタイミング信号入力端子Tには、組み合わせ回路
14bからタイミング信号が与えられる。フリップフロ
ップ13の出力端子Qは組み合わせ回路14bを介し
て、出力バッファ2、トライステート出力バッファ3、
トライステート出力バッファ41とバッファ42とから
なる双方向バッファ4に与えられる。また、入力バッフ
ァ1には個々にLSI外部入力端子9が接続され、出力
バッファ2にはLSI外部出力端子10が接続され、ト
ライステート出力バッファにはLSI外部出力端子11
が接続され、双方向バッファにはLSI外部双方向端子
が接続されている。なお、入力バッファ1やフリップフ
ロップ13の個数は、便宜的な数であって特別な意味を
含んでいるわけではなく、現実のLSIではさらに多く
が必要となる。2. Description of the Related Art FIG. 11 shows a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit (LSI) 100 using an input / output buffer. Figure 11
, The six input buffers 1 are combined circuit 1
4a, and the output of the combinational circuit 14a is connected to the data input terminals D of the five flip-flops 13. A timing signal is applied to the timing signal input terminal T of the flip-flop 13 from the combinational circuit 14a. The output terminal Q of the flip-flop 13 is connected to the combinational circuit 14b, and the output of the combinational circuit 14b is connected to the data input terminals D of the five flip-flops 13. A timing signal is applied to the timing signal input terminal T of the flip-flop 13 from the combinational circuit 14b. The output terminal Q of the flip-flop 13 is output via the combinational circuit 14b to the output buffer 2, the tri-state output buffer 3,
It is applied to the bidirectional buffer 4 including the tri-state output buffer 41 and the buffer 42. Further, the LSI external input terminal 9 is individually connected to the input buffer 1, the LSI external output terminal 10 is connected to the output buffer 2, and the LSI external output terminal 11 is connected to the tri-state output buffer.
, And an LSI external bidirectional terminal is connected to the bidirectional buffer. Note that the numbers of the input buffers 1 and the flip-flops 13 are numbers for convenience and do not include a special meaning, and a larger number is required in an actual LSI.
【0003】次に、図11を用いて従来のDCテスト
(直流試験)方法を説明する。図11において、出力バ
ッファ2、トライステート出力バッファ3および出力モ
ード時の双方向バッファ4の出力電圧を測定する場合、
入力バッファ1および入力モード時の双方向バッファ4
から入力する信号により、出力バッファ2、トライステ
ート出力バッファ3および出力モード時の双方向バッフ
ァ4の出力電圧を一定の出力レベルに固定し、テスタ内
の電圧測定回路あるいは、電流測定回路を接続し正常か
否かの判定を行っていた。Next, a conventional DC test (direct current test) method will be described with reference to FIG. In FIG. 11, when measuring the output voltages of the output buffer 2, the tri-state output buffer 3, and the bidirectional buffer 4 in the output mode,
Input buffer 1 and bidirectional buffer 4 in input mode
The output voltage of the output buffer 2, the tri-state output buffer 3 and the bidirectional buffer 4 in the output mode is fixed to a constant output level by the signal input from the device, and the voltage measuring circuit or the current measuring circuit in the tester is connected. It was judged whether it was normal or not.
【0004】従来のLSIでは、図11で用いているフ
リップフロップ13のような記憶素子を用いた回路構成
が多く、入力信号はLSI外部入力端子9から入力バッ
ファ1、組み合わせ回路14a、14b、14cおよび
フリップフロップ13等を経て出力されるので、入力信
号を与えた周期内に所望の出力電圧レベルをLSI外部
出力端子10、11およびLSI外部双方向端子12か
ら得ることは困難であった。In the conventional LSI, there are many circuit configurations using a memory element such as the flip-flop 13 used in FIG. 11, and input signals are input from the LSI external input terminal 9 to the input buffer 1 and the combinational circuits 14a, 14b, 14c. Since it is output via the flip-flop 13 and the like, it is difficult to obtain a desired output voltage level from the LSI external output terminals 10 and 11 and the LSI external bidirectional terminal 12 within the period in which the input signal is given.
【0005】図11に示すLSI100においては、フ
リップフロップ13を組み合わせ回路14aおよび14
bの動作結果を保持するために使用しているので、少な
くとも少なくとも2周期分のテストパターンを印加する
ことによって、LSI外部出力端子10、11、および
LSI外部双方向端子12の出力状態の判定が可能とな
る。このとき、測定対象である出力バッファ2、トライ
ステート出力バッファ3および出力モード時の双方向バ
ッファ4の全てが、共にHighまたはLowレベルの
電圧出力を同一周期内に出力することは、組み合わせ回
路14a、14b、14cの回路構成の関係上、通常は
困難であった。In the LSI 100 shown in FIG. 11, the flip-flop 13 is combined with the combinational circuits 14a and 14a.
Since it is used to hold the operation result of b, the output state of the LSI external output terminals 10 and 11 and the LSI external bidirectional terminal 12 can be determined by applying the test pattern for at least two cycles. It will be possible. At this time, all of the output buffer 2, the tri-state output buffer 3, and the bidirectional buffer 4 in the output mode, which are the measurement targets, output the high- or low-level voltage output within the same cycle. , 14b, 14c, it was usually difficult because of the circuit configuration.
【0006】また、量産されているテスタのほとんど
は、同一の出力電圧値を持つ出力バッファ2あるいは、
トライステート出力バッファ3あるいは、出力モード時
の双方向バッファ4を同時にテストする機能しか持たな
い。しかし、LSIの全出力バッファが一斉に同一電圧
を出力することは、ほとんど有りえず、全ての測定対象
出力バッファに対して同時にDCテストを施すことは困
難である。さらに、信号ピン数が512ピン程度のAS
ICが多く開発されるようになり、全ての測定対象出力
バッファのDCテストを同時に行うことはほとんど不可
能となり、現状ではテストパターン数を増加させること
以外にDCテストを実現することはできない。Most of the mass-produced testers have the output buffer 2 or the output buffer 2 having the same output voltage value.
It has only the function of simultaneously testing the tri-state output buffer 3 or the bidirectional buffer 4 in the output mode. However, it is almost impossible for all the output buffers of the LSI to output the same voltage all at once, and it is difficult to simultaneously perform the DC test on all the output buffers to be measured. In addition, AS with about 512 signal pins
Since many ICs have been developed, it is almost impossible to simultaneously perform the DC test of all the measurement target output buffers, and at present, the DC test cannot be realized except to increase the number of test patterns.
【0007】しかも、従来のLSIではDCテストのテ
ストパターンを、組み合わせ回路を含むLSIの内部回
路を介して出力バッファに与えるため、出力バッファに
接続されたテスタによる測定時に、テスタから印加され
る電圧、電流によりLSIの内部回路の論理状態が変化
することがある。Moreover, in the conventional LSI, since the test pattern of the DC test is applied to the output buffer through the internal circuit of the LSI including the combinational circuit, the voltage applied from the tester at the time of measurement by the tester connected to the output buffer. The current may change the logical state of the internal circuit of the LSI.
【0008】例えば、双方向バッファ4のDCテストに
は、図12に示すようなテスタ内のダイオードブリッジ
で構成されたダイナミックロード回路を接続して測定す
る。図12に示すダイナミックロード回路は、ダイオー
ドブリッジDBと、その正電極側および負電極側に設け
たダイオードD1とダイオードD2と、ダイオードD1
と電源V3との間に接続された電流源I1と、ダイオー
ドD2と電源V1との間に接続された電流源I2と、ダ
イオードブリッジDBの一方の端部に接続された電源V
2とで構成され、ダイオードブリッジDBの他方の端部
Pに測定すべき端子が接続される回路である。For example, in the DC test of the bidirectional buffer 4, a dynamic load circuit composed of a diode bridge in a tester as shown in FIG. 12 is connected and measured. The dynamic load circuit shown in FIG. 12 includes a diode bridge DB, a diode D1 and a diode D2 provided on the positive electrode side and the negative electrode side thereof, and a diode D1.
Current source I1 connected between the power source V3 and the power source V3, the current source I2 connected between the diode D2 and the power source V1, and the power source V connected to one end of the diode bridge DB.
2 and a terminal to be measured is connected to the other end P of the diode bridge DB.
【0009】この回路において、電源V3と測定端子と
の間に電位差が生じれば、その電位差に応じた電流が測
定端子に与えられ、逆に、電源V3と測定端子との間に
電位差が生じれば、その電位差に応じた電流が測定端子
から引き抜かれることになる。In this circuit, if a potential difference occurs between the power supply V3 and the measurement terminal, a current corresponding to the potential difference is applied to the measurement terminal, and conversely, a potential difference occurs between the power supply V3 and the measurement terminal. Then, the current corresponding to the potential difference is extracted from the measurement terminal.
【0010】双方向バッファ4は自ら出力する信号をL
S1100の内部回路に入力する構成となっているた
め、測定時に電流が引き抜かれ電圧が低下すると、例え
ばLS1100の内部回路にHighの信号が入力され
るべきところが、Lowの信号が入力されることにな
り、LS1100の内部回路の論理状態が変化すること
になる。The bidirectional buffer 4 outputs a signal output by itself as L
Since the configuration is such that the signal is input to the internal circuit of S1100, if a current is extracted and the voltage drops during measurement, for example, a signal of High should be input to the internal circuit of LS1100, but a signal of Low should be input. Therefore, the logic state of the internal circuit of the LS1100 changes.
【0011】このような予期せぬ内部回路の論理状態の
変化をリセットするため、全テストパターンを再入力す
る必要があり、DCテストの時間が長くなることは避け
られなかった。In order to reset such an unexpected change in the logic state of the internal circuit, it is necessary to re-input all the test patterns, and it is unavoidable that the DC test time becomes long.
【0012】また、順序回路に対するテストパターンの
作成を容易にする方法として、スキャン方式により順序
回路を設計する方法がある(以後スキャン設計と呼
称)。図11に示すような従来のLSI100の回路を
スキャン設計により設計したLSI200を図13に示
す。図13に示すLSI200は基本的には図11に示
したLSI100と同様であり、同じ構成には同じ符号
を付してあるが、LSI100におけるフリップフロッ
プ13の代わりに直列に接続されたフリップフロップ2
3が用いられており、シフトフリップフロップ23の入
力側には入力バッファ1を介してSI(スキャンイン)
端子が、出力側には出力バッファを介してSO(スキャ
ンアウト)端子が接続されている。As a method of facilitating the creation of a test pattern for a sequential circuit, there is a method of designing a sequential circuit by a scan method (hereinafter referred to as scan design). FIG. 13 shows an LSI 200 in which the circuit of the conventional LSI 100 shown in FIG. 11 is designed by scan design. The LSI 200 shown in FIG. 13 is basically the same as the LSI 100 shown in FIG. 11, and the same reference numerals are given to the same components, but the flip-flop 2 connected in series instead of the flip-flop 13 in the LSI 100.
3 is used, and the input side of the shift flip-flop 23 is SI (scan-in) via the input buffer 1.
The terminal is connected to the output side, and the SO (scan out) terminal is connected to the output side through the output buffer.
【0013】スキャン設計は順序回路内部のメモリ素子
を回路の外部から簡単に制御、観測できるような構成と
し、テストパターンの作成を容易にするための設計方法
であるので、フリップフロップ23をシリアルなシフト
レジスタとして構成し、DCテスト時にはこのスキャン
パス(シフトパス)を介してテストパターンの読み出
し、書き込みを行うことにより、テストパターンの作成
がを容易になる。The scan design is a design method for facilitating the creation of a test pattern by arranging the memory elements inside the sequential circuit so that the memory elements can be easily controlled and observed from the outside of the circuit. It is configured as a shift register, and the test pattern is easily created by reading and writing the test pattern through this scan path (shift path) during the DC test.
【0014】しかし、例えばこのLSI200において
は、必要となるテストパターンは最少で1パターンであ
り、スキャンパスにデータをSI端子からシリアルに入
力するため、10個のフリップフロップ23にDCテス
ト用のパターンを設定するには、1状態のテストにつき
10周期を要することになる。大規模な回路では、1状
態のテストにつき数万周期を要する場合もあり、テスト
時間の減少にはつながらない。従ってスキャンパス設計
を用いた場合、テストパターンの作成時間は短縮される
が、テストの段階においては時間がかかることになる。
すなわち、量産されたLSIのテストには長時間を要
し、コストがアップするという問題があった。However, for example, in this LSI 200, the minimum required test pattern is one pattern, and since data is serially input from the SI terminal to the scan path, a pattern for DC test is provided in the ten flip-flops 23. It takes 10 cycles for one state test to set. A large-scale circuit may require tens of thousands of cycles for one state test, which does not reduce the test time. Therefore, when the scan path design is used, the test pattern creation time is shortened, but it takes time in the test stage.
That is, there is a problem that a test of a mass-produced LSI requires a long time and the cost is increased.
【0015】[0015]
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
通常の入出力バッファを用いたLSIのDCテストにお
いては長時間を必要としていた。As described above,
It takes a long time in the DC test of the LSI using the normal input / output buffer.
【0016】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、DCテストを行うためのテストパ
ターン入力回数の削減およびテストパターン数の削減に
よるテスト時間の削減を実現することを目的としてい
る。The present invention has been made to solve the above problems, and it is possible to realize a reduction in the number of test pattern inputs for performing a DC test and a reduction in test time by reducing the number of test patterns. Has an aim.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項1記
載の半導体集積回路は、論理回路を有する内部回路と、
該内部回路に入力信号を与える少なくとも1つの入力手
段と、前記内部回路からの出力信号を出力する少なくと
も1つの出力手段とを備えた半導体集積回路において、
前記出力手段は、該出力手段のDCテストを行うための
信号を出力するDCテスト容易化回路に接続され、前記
DCテスト容易化回路は、前記内部回路を介さずに与え
られる制御信号を受けて、前記DCテスト容易化回路に
DCテストのためのテスト信号を与えるDCテスト制御
回路に接続されている。A semiconductor integrated circuit according to a first aspect of the present invention is an internal circuit having a logic circuit,
A semiconductor integrated circuit comprising: at least one input means for applying an input signal to the internal circuit; and at least one output means for outputting an output signal from the internal circuit,
The output means is connected to a DC test facilitation circuit that outputs a signal for performing a DC test of the output means, and the DC test facilitation circuit receives a control signal provided without passing through the internal circuit. , Is connected to a DC test control circuit for supplying a test signal for DC test to the DC test facilitation circuit.
【0018】本発明に係る請求項2記載のDCテスト容
易化回路は、請求項1記載の半導体集積回路に用いるD
Cテスト容易化回路であって、前記テスト信号として第
1および第2のテスト信号を受け、前記第2のテスト信
号が第1の電位レベルにあるときは、前記第1のテスト
信号を前記出力手段に与え、前記第2のテスト信号が第
2の電位レベルにあるときは、前記内部回路からの前記
出力信号を前記出力手段に与える。According to a second aspect of the present invention, there is provided a DC test facilitation circuit for use in a semiconductor integrated circuit according to the first aspect.
A C test facilitation circuit, which receives first and second test signals as the test signal and outputs the first test signal when the second test signal is at a first potential level. And outputting the output signal from the internal circuit to the output means when the second test signal is at the second potential level.
【0019】本発明に係る請求項3記載のDCテスト容
易化回路は、前記DCテスト容易化回路は、第1および
第2のトランスミッションゲートと、インバータとを備
え、前記第1のテスト信号は、前記第2のトランスミッ
ションゲートの入力端子に与えられ、前記第2のテスト
信号は、第1のトランスミッションゲートのPチャネル
トランジスタ側の制御電極、第2のトランスミッション
ゲートのNチャネルトランジスタ側の制御電極、および
前記インバータを介して、前記第1および第2のトラン
スミッションゲートのNチャネルトランジスタ側および
Pチャネルトランジスタ側の制御電極にそれぞれ与えら
れ、前記出力信号が前記第1のトランスミッションゲー
トの入力端子に与えられ、前記第1および第2のトラン
スミッションゲートの出力端子は、共通に前記出力手段
に接続されている。According to a third aspect of the present invention, in the DC test facilitation circuit, the DC test facilitation circuit includes first and second transmission gates and an inverter, and the first test signal is: The second test signal is applied to the input terminal of the second transmission gate, and the second test signal is supplied to the P-channel transistor side control electrode of the first transmission gate, the N-channel transistor side control electrode of the second transmission gate, and Via the inverter, applied to control electrodes on the N-channel transistor side and the P-channel transistor side of the first and second transmission gates, respectively, and the output signal is applied to an input terminal of the first transmission gate, The first and second transmission games The output terminal is connected to said output means in common.
【0020】請求項4記載のDCテスト容易化回路は、
請求項1記載の半導体集積回路に用いるDCテスト容易
化回路であって、前記半導体集積回路の前記出力手段
が、出力信号を制御するための出力制御信号を前記内部
回路から与えられるトライステートバッファで構成さ
れ、前記DCテスト容易化回路が、前記テスト信号とし
て第1および第2のテスト信号を受け、前記第2のテス
ト信号が第1の電位レベルにあるときは、前記第1のテ
スト信号を前記トライステートバッファに与え、前記第
1のテスト信号が前記第1の電位レベルに、前記第2の
テスト信号が第2の電位レベルにあるときは、前記トラ
イステートバッファをハイインピーダンス状態に保ち、
前記第1および第2のテスト信号が共に前記第2の電位
レベルにあって、前記出力制御信号が前記第2の電位レ
ベルにあるときは、前記内部回路からの前記出力信号を
前記トライステートバッファに与える。The DC test facilitation circuit according to claim 4 is:
The DC test facilitation circuit used in the semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said output means of said semiconductor integrated circuit is a tri-state buffer to which an output control signal for controlling an output signal is given from said internal circuit. When the DC test facilitation circuit receives the first and second test signals as the test signal and the second test signal is at the first potential level, the DC test facilitation circuit outputs the first test signal. When the first test signal is applied to the tri-state buffer and the first test signal is at the first potential level and the second test signal is at the second potential level, the tri-state buffer is kept in a high impedance state,
When the first and second test signals are both at the second potential level and the output control signal is at the second potential level, the tristate buffer outputs the output signal from the internal circuit. Give to.
【0021】請求項5記載のDCテスト容易化回路は、
第1ないし第4のトランスミッションゲートと、第1お
よび第2のインバータと、NORゲートとを備え、前記
出力信号は、前記第1のトランスミッションゲートの入
力端子に与えられ、前記出力制御信号は、前記第3のト
ランスミッションゲートの入力端子に与えられ、前記第
1のテスト信号は、前記第2のトランスミッションゲー
トの入力端子に、前記第2のテスト信号は、前記第1の
インバータを介して前記第4のトランスミッションゲー
トの入力端子に与えられ、かつ、前記第1および第2の
テスト信号は前記NORゲートの入力端子に与えられ、
前記NORゲートの出力信号は、前記第1および第2の
トランスミッションゲートのNチャネルトランジスタ側
およびPチャネルトランジスタ側の制御電極、前記第3
および第4のトランスミッションゲートの、Nチャネル
トランジスタ側およびPチャネルトランジスタ側の制御
電極にそれぞれ与えられ、かつ前記第2のインバータを
介して、前記第1のトランスミッションゲートのPチャ
ネルトランジスタ側の制御電極、前記第4のトランスミ
ッションゲートのNチャネルトランジスタ側の制御電
極、前記第2および第3のトランスミッションゲートの
Nチャネルトランジスタ側およびPチャネルトランジス
タ側の制御電極にそれぞれ与えられ、前記第1および第
2のトランスミッションゲートの出力端子は、共通に前
記トライステートバッファの入力端子に接続され、前記
第3および第4のトランスミッションゲートの出力端子
は、共通に前記トライステートバッファの出力制御端子
に接続されている。The DC test facilitation circuit according to claim 5 is
A first to a fourth transmission gate, first and second inverters, and a NOR gate, wherein the output signal is provided to an input terminal of the first transmission gate, and the output control signal is The first test signal is supplied to the input terminal of a third transmission gate, the first test signal is supplied to the input terminal of the second transmission gate, and the second test signal is supplied to the fourth terminal via the first inverter. And an input terminal of the transmission gate of the NOR gate, and the first and second test signals are applied to the input terminal of the NOR gate.
The output signal of the NOR gate is supplied to the control electrodes on the N-channel transistor side and the P-channel transistor side of the first and second transmission gates, and the third signal.
And a control electrode on the side of the N-channel transistor and the side of the P-channel transistor of the fourth transmission gate, respectively, and via the second inverter, a control electrode on the side of the P-channel transistor of the first transmission gate, The control electrodes on the N-channel transistor side of the fourth transmission gate, the control electrodes on the N-channel transistor side and the P-channel transistor side of the second and third transmission gates, respectively, are applied to the first and second transmission gates, respectively. The output terminals of the gates are commonly connected to the input terminal of the tri-state buffer, and the output terminals of the third and fourth transmission gates are commonly connected to the output control terminal of the tri-state buffer.
【0022】請求項6記載のDCテスト制御回路は、請
求項1記載の半導体集積回路に用いるDCテスト制御回
路であって、前記制御信号として、第1の制御信号とク
ロック信号である第2の制御信号とを受け、前記テスト
信号として第1および第2のテスト信号を出力し、前記
第1の制御信号が第2の電位レベルにあるときは、前記
第2の制御信号に無関係に、前記第1および第2のテス
ト信号を第2の電位レベルに保ち、前記第1の制御信号
が第1の電位レベルにあるときは、前記第2の制御信号
のラッチによって作られた信号を前記第1および第2の
テスト信号として出力する。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a DC test control circuit for use in the semiconductor integrated circuit according to the first aspect, wherein the control signal includes a first control signal and a clock signal. Receiving a control signal, outputting first and second test signals as the test signal. When the first control signal is at the second potential level, the first control signal is independent of the second control signal, The first and second test signals are maintained at a second potential level, and when the first control signal is at the first potential level, the signal generated by the latch of the second control signal is the first potential level. Output as the first and second test signals.
【0023】請求項7記載のDCテスト制御回路は、リ
セット端子を有する第1および第2のラッチ手段を備
え、前記第1のラッチ手段の入力端子は、自らの反転出
力端子に接続され、前記第1のラッチ手段の反転出力端
子は、XORゲートの一方の入力端子に接続され、前記
XORゲートの一方の入力端子は、前記第2のラッチ手
段の反転出力端子に接続され、前記XORゲートの出力
端子は、前記第2のラッチ手段の入力端子に接続され、
前記第1の制御信号は、前記第1および第2のラッチ手
段のそれぞれのリセット端子に与えられ、前記第2の制
御信号は、前記第1および第2のラッチ手段のタイミン
グ信号端子に与えられ、前記第1および第2のテスト信
号は、前記第1および第2のラッチ手段のそれぞれの出
力端子から与えられる。A DC test control circuit according to claim 7 comprises first and second latch means having a reset terminal, the input terminal of said first latch means being connected to its inverting output terminal, The inverting output terminal of the first latch means is connected to one input terminal of the XOR gate, and one input terminal of the XOR gate is connected to the inverting output terminal of the second latch means, and The output terminal is connected to the input terminal of the second latch means,
The first control signal is applied to respective reset terminals of the first and second latch means, and the second control signal is applied to timing signal terminals of the first and second latch means. , The first and second test signals are provided from the respective output terminals of the first and second latch means.
【0024】[0024]
【作用】本発明に係る請求項1記載の半導体集積回路に
よれば、DCテスト制御回路が制御信号を受けてDCテ
スト容易化回路にテスト信号を与え、DCテスト容易化
回路が出力手段のDCテストのための信号を出力するの
で、出力手段のDCテストが内部回路を介さずに与えら
れる制御信号に基づいて行われる。According to the semiconductor integrated circuit of the first aspect of the present invention, the DC test control circuit receives the control signal and applies the test signal to the DC test facilitation circuit, and the DC test facilitation circuit outputs the DC of the output means. Since the signal for the test is output, the DC test of the output means is performed based on the control signal provided without passing through the internal circuit.
【0025】本発明に係る請求項2記載のDCテスト容
易化回路によれば、第1および第2のテスト信号を受
け、第2のテスト信号が第1の電位レベルにあるとき
は、第1のテスト信号が出力手段に与えられ、第2のテ
スト信号が第2の電位レベルにあるときは、内部回路か
らの出力信号が出力手段に与えられるので、第2のテス
ト信号を第1の電位レベルにすることで、第1のテスト
信号により出力手段のDCテストを行うことができる。According to a second aspect of the DC test facilitation circuit of the present invention, the first and second test signals are received, and the first test signal is supplied when the second test signal is at the first potential level. When the second test signal is applied to the output means and the second test signal is at the second potential level, the output signal from the internal circuit is applied to the output means, so that the second test signal is applied to the first potential. By setting the level, the DC test of the output means can be performed by the first test signal.
【0026】本発明に係る請求項3記載のDCテスト容
易化回路によれば、第1のトランスミッションゲートが
ON状態になることで内部回路からの出力信号が出力手
段に与えられ、第2のトランスミッションゲートがON
状態になることで第1のテスト信号が出力手段に与えら
れ、第1のテスト信号により出力手段のDCテストを行
うことができる。According to the DC test facilitation circuit of the third aspect of the present invention, the output signal from the internal circuit is given to the output means by turning on the first transmission gate, and the second transmission is provided. Gate is ON
In this state, the first test signal is given to the output means, and the DC test of the output means can be performed by the first test signal.
【0027】本発明に係る請求項4記載のDCテスト容
易化回路によれば、第1および第2のテスト信号を受
け、第2のテスト信号が第1の電位レベルにあるとき
は、第1のテスト信号がトライステートバッファに与え
られ、第1のテスト信号が第1の電位レベルに、第2の
テスト信号が第2の電位レベルにあるときは、トライス
テートバッファの出力がハイインピーダンス状態にな
り、第1および第2のテスト信号が共に第2の電位レベ
ルにあって、出力制御信号が第2の電位レベルにあると
きは、内部回路からの出力信号がトライステートバッフ
ァに与えられるので、第1のテスト信号を第1の電位レ
ベルに、第2のテスト信号を第2の電位レベルとし、続
いて、第2のテスト信号を第1の電位レベルにすること
で、トライステートバッファで構成された出力手段のD
Cテストを行うことができる。According to the DC test facilitation circuit of the fourth aspect of the present invention, when the first and second test signals are received and the second test signal is at the first potential level, the first test signal is generated. When the first test signal is at the first potential level and the second test signal is at the second potential level, the output of the tri-state buffer is in the high impedance state. When both the first and second test signals are at the second potential level and the output control signal is at the second potential level, the output signal from the internal circuit is given to the tristate buffer. The first test signal is set to the first potential level, the second test signal is set to the second potential level, and then the second test signal is set to the first potential level, whereby the tristate buffer is set. D output means constituted by §
C test can be performed.
【0028】本発明に係る請求項5記載のDCテスト容
易化回路によれば、第1のトランスミッションゲートが
ON状態になることで内部回路からの出力信号がトライ
ステートバッファの入力端子に与えられ、第2のトラン
スミッションゲートがON状態になることで第1のテス
ト信号がトライステートバッファの入力端子に与えら
れ、第4のトランスミッションゲートがON状態になる
ことでトライステートバッファの出力がハイインピーダ
ンス状態になるので、トライステートバッファで構成さ
れた出力手段のDCテストを行うことができる。According to the DC test facilitation circuit of the fifth aspect of the present invention, the output signal from the internal circuit is given to the input terminal of the tri-state buffer by turning on the first transmission gate, When the second transmission gate is turned on, the first test signal is given to the input terminal of the tri-state buffer, and when the fourth transmission gate is turned on, the output of the tri-state buffer becomes high impedance. Therefore, the DC test of the output means composed of the tri-state buffer can be performed.
【0029】本発明に係る請求項6記載のDCテスト制
御回路によれば、第1の制御信号とクロック信号である
第2の制御信号とを受け、第1の制御信号が第2の電位
レベルにあるときは、第2の制御信号に無関係に第1お
よび第2のテスト信号が第2の電位レベルに保たれ、第
1の制御信号が第1の電位レベルにあるときは、第2の
制御信号のラッチによって作られた信号が、第1および
第2のテスト信号として出力されるので、第1の制御信
号を第1の電位レベルにすることで、DCテスト容易化
回路にDCテストを行うための第1および第2のテスト
信号を与えることができる。According to the sixth aspect of the DC test control circuit of the present invention, the first control signal and the second control signal which is the clock signal are received, and the first control signal is set to the second potential level. The first and second test signals are maintained at the second potential level regardless of the second control signal, and the second control signal is maintained at the second potential level when the first control signal is at the first potential level. Since the signal generated by the latch of the control signal is output as the first and second test signals, the DC test facilitation circuit can be subjected to the DC test by setting the first control signal to the first potential level. First and second test signals for performing can be provided.
【0030】本発明に係る請求項7記載のDCテスト制
御回路によれば、第1の制御信号により第1および第2
のラッチ手段のリセット状態を解除することにより、第
2の制御信号が第1および第2のラッチ手段においてラ
ッチされ、第1および第2のテスト信号として出力され
るので、DCテスト容易化回路にDCテストを行うため
の第1および第2のテスト信号を得ることができる。According to the DC test control circuit of the seventh aspect of the present invention, the first and second control signals are generated by the first control signal.
Since the second control signal is latched in the first and second latch means and is output as the first and second test signals by releasing the reset state of the latch means of the DC test facilitation circuit, First and second test signals for performing a DC test can be obtained.
【0031】[0031]
<第1の実施例>図1に本発明に係る第1の実施例とし
て、DCテストを容易化するための半導体集積回路の構
成を示す。図1において、8個の入力バッファ1が、内
部回路18に接続され、内部回路18の出力がDCテス
ト容易化回路である、出力バッファ用DCテスト容易化
回路5、トライステート出力バッファ用DCテスト容易
化回路6、双方向バッファ用DCテスト容易化回路6a
に接続されている。また、出力バッファ用DCテスト容
易化回路5、トライステート出力バッファ用DCテスト
容易化回路6、双方向バッファ用DCテスト容易化回路
6aは、DCテスト制御回路7にそれぞれ接続されてい
る。ここで、DCテスト制御回路7にはクロック入力ピ
ンCLKおよびリセット入力ピンRSTが接続されてお
り、クロック入力ピンCLKは内部回路8にも接続され
ている。<First Embodiment> FIG. 1 shows the configuration of a semiconductor integrated circuit for facilitating a DC test as a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, eight input buffers 1 are connected to an internal circuit 18, and the output of the internal circuit 18 is a DC test facilitating circuit. An output buffer DC test facilitating circuit 5 and a tristate output buffer DC test are provided. Facilitation circuit 6, bidirectional buffer DC test facilitation circuit 6a
It is connected to the. The output buffer DC test facilitation circuit 5, the tri-state output buffer DC test facilitation circuit 6, and the bidirectional buffer DC test facilitation circuit 6 a are connected to the DC test control circuit 7. Here, the DC test control circuit 7 is connected to the clock input pin CLK and the reset input pin RST, and the clock input pin CLK is also connected to the internal circuit 8.
【0032】出力バッファ用DCテスト容易化回路5、
トライステート出力バッファ用DCテスト容易化回路
6、双方向バッファ用DCテスト容易化回路6aの出力
側には、それぞれ出力バッファ2、トライステート出力
バッファ3、トライステート出力バッファ41とバッフ
ァ42とからなる双方向バッファ4が接続され、出力バ
ッファ2にはLSI外部出力端子10が接続され、トラ
イステート出力バッファにはLSI外部出力端子11が
接続され、双方向バッファにはLSI外部双方向端子が
接続されている。DC test facilitation circuit 5 for output buffer,
The output side of the DC test facilitation circuit 6 for the tri-state output buffer and the DC test facilitation circuit 6a for the bidirectional buffer comprises an output buffer 2, a tri-state output buffer 3, a tri-state output buffer 41 and a buffer 42, respectively. The bidirectional buffer 4 is connected, the output buffer 2 is connected to the LSI external output terminal 10, the tristate output buffer is connected to the LSI external output terminal 11, and the bidirectional buffer is connected to the LSI external bidirectional terminal. ing.
【0033】ここで内部回路8は、例えば図11を用い
て説明した従来のLSI100における組み合わせ回路
14a、14b、14cおよびフリップフロップ13な
どで構成された回路であって、その論理動作には留意し
ないという意味で不定形な形状で示されている。Here, the internal circuit 8 is a circuit composed of the combinational circuits 14a, 14b, 14c and the flip-flop 13 in the conventional LSI 100 described with reference to FIG. 11, for example, and its logical operation is not taken into consideration. It means that the shape is irregular.
【0034】このような構成の半導体集積回路は、クロ
ック入力ピンCLKおよびリセット入力ピンRSTから
与えられるクロック信号およびリセット信号によってD
Cテスト制御回路7がテスト信号を生成し、出力バッフ
ァ用DCテスト容易化回路5、トライステート出力バッ
ファ用DCテスト容易化回路6、双方向バッファ用DC
テスト容易化回路6aがテスト信号を受けて、それぞれ
出力バッファ2、トライステート出力バッファ3、双方
向バッファ4に対してテストパターンを与える。The semiconductor integrated circuit having the above-mentioned structure is driven by the clock signal and the reset signal supplied from the clock input pin CLK and the reset input pin RST.
The C test control circuit 7 generates a test signal, the output buffer DC test facilitation circuit 5, the tri-state output buffer DC test facilitation circuit 6, and the bidirectional buffer DC.
The test facilitation circuit 6a receives the test signal and gives a test pattern to the output buffer 2, the tri-state output buffer 3, and the bidirectional buffer 4, respectively.
【0035】従って、本発明に係る半導体集積回路によ
れば、テストパターンが内部回路8を介さずに与えられ
ることになり、テストパターンが内部回路8を介して与
えられる場合に比べて、DCテストを行うためのテスト
パターンの入力回数が削減され、テスト時間を削減する
ことができる。Therefore, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, the test pattern is applied without the intermediary of the internal circuit 8, and compared with the case where the test pattern is applied via the internal circuit 8, the DC test is performed. The number of times of inputting the test pattern for performing is reduced, and the test time can be reduced.
【0036】<第2の実施例>図2に本発明に係る第2
の実施例として、DCテスト容易化出力バッファ15の
構成を示す。図2(a)において、DCテスト容易化出
力バッファ15の入力側には、入力端子A、テスト用端
子T1およびT2が設けられ、出力側には出力端子PA
Dが設けられている。図2(b)に示すように、DCテ
スト容易化出力バッファ15は、従来からの出力バッフ
ァ2に出力バッファ用DCテスト容易化回路5を付加し
た構成であり、出力バッファ用DCテスト容易化回路5
に入力端子A、テスト用端子T1およびT2が設けら
れ、その出力がトライステート出力バッファ3に与えら
れ、トライステート出力バッファ3の出力側に出力端子
PADが設けられている構成である。<Second Embodiment> FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
The configuration of the DC test facilitation output buffer 15 will be shown as an example. In FIG. 2A, an input terminal A and test terminals T1 and T2 are provided on the input side of the DC test facilitation output buffer 15, and an output terminal PA is provided on the output side.
D is provided. As shown in FIG. 2B, the DC test facilitation output buffer 15 has a configuration in which an output buffer DC test facilitation circuit 5 is added to the conventional output buffer 2, and the output buffer DC test facilitation circuit is provided. 5
Is provided with an input terminal A and test terminals T1 and T2, the output thereof is given to the tristate output buffer 3, and the output terminal PAD is provided on the output side of the tristate output buffer 3.
【0037】次に図3を用いて出力バッファ用DCテス
ト容易化回路5の構成について説明する。図3におい
て、PチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタ
を並列に接続して構成されたトランスミッションゲート
18および18aの、それぞれのNチャネルトランジス
タ側およびPチャネルトランジスタ側のゲート電極が接
続され、トランスミッションゲート18および18aの
それぞれの入力端子には入力端子Aおよびテスト用端子
T1が接続され、トランスミッションゲート18および
18aの、それぞれのNチャネルトランジスタ側および
Pチャネルトランジスタ側のゲート電極はインバータ1
9を介してテスト用端子T2に接続されている。またテ
スト用端子T2は、トランスミッションゲート18のP
チャネルトランジスタ側のゲート電極およびトランスミ
ッションゲート18aのNチャネルトランジスタ側のゲ
ート電極にも接続されている。トランスミッションゲー
ト18および18aの出力端子は共通に出力バッファ2
の入力端子に接続されている。Next, the configuration of the output buffer DC test facilitation circuit 5 will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the gate electrodes on the N-channel transistor side and the P-channel transistor side of the transmission gates 18 and 18a configured by connecting the P-channel transistor and the N-channel transistor in parallel are connected, and the transmission gates 18 and 18a are connected. The input terminal A and the test terminal T1 are connected to the respective input terminals of, and the gate electrodes on the N-channel transistor side and the P-channel transistor side of the transmission gates 18 and 18a are the inverter 1
It is connected to the test terminal T2 via 9. The test terminal T2 is connected to P of the transmission gate 18.
The gate electrode on the channel transistor side and the gate electrode on the N channel transistor side of the transmission gate 18a are also connected. The output terminals of the transmission gates 18 and 18a are common to the output buffer 2
Is connected to the input terminal of
【0038】次に図4を用いて出力バッファ用DCテス
ト容易化回路5の動作について説明する。図4は出力バ
ッファ用DCテスト容易化回路5の動作を示すタイミン
グチャートであり、1周期ごとに縦線で区分されてい
る。図中に示す「X」はDon’t careを表し、
「Z」はハイインピーダンス状態を表す。また、電位レ
ベルの高低は、High、Lowの表示で、タイミング
チャートの右側に示す。なお、これらは他の図に示すタ
イミングチャートについても同様である。Next, the operation of the output buffer DC test facilitation circuit 5 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a timing chart showing the operation of the output buffer DC test facilitation circuit 5, which is divided by a vertical line for each cycle. "X" shown in the figure represents Don't care,
"Z" represents a high impedance state. The high and low of the potential level are displayed as High and Low, and are shown on the right side of the timing chart. The same applies to the timing charts shown in the other figures.
【0039】図4において、テスト用端子T2の信号レ
ベルがLowである期間は、出力端子PADからは、テ
スト用端子T1からの信号に無関係に、入力端子Aから
入力される信号が出力され、一方、テスト用端子T2の
信号レベルがHighである期間は、出力端子PADか
らは、入力端子Aからの信号に無関係に、テスト用端子
T1から入力される信号が出力されることが示されてい
る。すなわち、出力バッファ用DCテスト容易化回路5
は、テスト用端子T2の信号により、入力端子Aあるい
はテスト用端子T1の信号一方のみを選択的に出力バッ
ファ2から出力させることができる回路である。In FIG. 4, during the period when the signal level of the test terminal T2 is Low, the signal input from the input terminal A is output from the output terminal PAD regardless of the signal from the test terminal T1. On the other hand, during the period when the signal level of the test terminal T2 is High, it is shown that the signal input from the test terminal T1 is output from the output terminal PAD regardless of the signal from the input terminal A. There is. That is, the output buffer DC test facilitation circuit 5
Is a circuit that can selectively output only one of the signal from the input terminal A or the test terminal T1 from the output buffer 2 by the signal from the test terminal T2.
【0040】このような出力バッファ用DCテスト容易
化回路5を用いることで、出力バッファ2のDCテスト
時(以下テストモード時と呼称)には、テスト用端子T
2の信号レベルをHighに保ち、テスト用端子T1に
HighおよびLowの信号を1周期ずつ交互に与える
ことで、出力端子PADにHighおよびLowの信号
が2周期の間に交互に得られることになる。By using the output buffer DC test facilitating circuit 5 as described above, the test terminal T is used during the DC test of the output buffer 2 (hereinafter referred to as the test mode).
By keeping the signal level of 2 high and alternately applying the high and low signals to the test terminal T1 every one cycle, the high and low signals are alternately obtained at the output terminal PAD during the two cycles. Become.
【0041】また、出力バッファ2のDCテストを行わ
ない時(以下システム動作時と呼称)には、テスト用端
子T2の信号レベルをLowに保つことで、入力端子A
の信号を出力端子PADに出力することができる。When the DC test of the output buffer 2 is not carried out (hereinafter referred to as system operation), the signal level of the test terminal T2 is kept at Low so that the input terminal A
Can be output to the output terminal PAD.
【0042】<第3の実施例>図5に本発明に係る第3
の実施例として、DCテスト容易化トライステート出力
バッファ16の構成を示す。図5(a)において、DC
テスト容易化トライステート出力バッファ16の入力側
には、入力端子A、テスト用端子T1およびT2が設け
られ、出力側には出力端子PADが設けられている。ま
た、これらとは別に出力制御端子Cが設けられている。<Third Embodiment> FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention.
The configuration of the DC test facilitation tri-state output buffer 16 will be shown as an example. In FIG. 5A, DC
An input terminal A and test terminals T1 and T2 are provided on the input side of the test facilitating tristate output buffer 16, and an output terminal PAD is provided on the output side. An output control terminal C is provided separately from these.
【0043】図5(b)に示すように、DCテスト容易
化トライステート出力バッファ16は、従来からのトラ
イステート出力バッファ3にトライステート出力バッフ
ァ用DCテスト容易化回路6を付加した構成であり、出
力バッファ用DCテスト容易化回路5に入力端子A、出
力制御端子C、テスト用端子T1およびT2が設けら
れ、その出力が出力バッファ2に与えられ、出力バッフ
ァ2の出力側に出力端子PADが設けられている構成で
ある。As shown in FIG. 5B, the DC test facilitation tristate output buffer 16 has a structure in which a DC test facilitation circuit 6 for tristate output buffer is added to the conventional tristate output buffer 3. , The output buffer DC test facilitation circuit 5 is provided with an input terminal A, an output control terminal C, and test terminals T1 and T2, the output of which is given to the output buffer 2 and the output terminal PAD is provided on the output side of the output buffer 2. Is provided.
【0044】次に図6を用いてトライステート出力バッ
ファ用DCテスト容易化回路6の構成について説明す
る。図6において、PチャネルトランジスタとNチャネ
ルトランジスタを並列に接続して構成されたトランスミ
ッションゲート18および18aの、それぞれのNチャ
ネルトランジスタ側およびPチャネルトランジスタ側の
ゲート電極が共通に接続され、また、トランスミッショ
ンゲート18bと18cの、それぞれのNチャネルトラ
ンジスタ側およびPチャネルトランジスタ側のゲート電
極が共通に接続されている。さらに、トランスミッショ
ンゲート18、18a、18b、18cのそれぞれの入
力端子には入力端子A、テスト用端子T1、出力制御端
子C、インバータ19の出力端子が接続されている。な
お、インバータ19の入力端子はテスト用端子T2に接
続されているので、トランスミッションゲート18cの
入力端子にはテスト用端子T2の反転信号が与えられる
ことになる。Next, the structure of the DC test facilitation circuit 6 for the tri-state output buffer will be described with reference to FIG. In FIG. 6, gate electrodes on the N-channel transistor side and the P-channel transistor side of transmission gates 18 and 18a configured by connecting a P-channel transistor and an N-channel transistor in parallel are commonly connected, and the transmission is Gate electrodes on the N-channel transistor side and the gate electrodes on the P-channel transistor side of the gates 18b and 18c are commonly connected. Further, an input terminal A, a test terminal T1, an output control terminal C, and an output terminal of the inverter 19 are connected to the respective input terminals of the transmission gates 18, 18a, 18b, 18c. Since the input terminal of the inverter 19 is connected to the test terminal T2, the inverted signal of the test terminal T2 is given to the input terminal of the transmission gate 18c.
【0045】テスト用端子T1およびT2はNORゲー
ト20にも接続され、その出力端子はトランスミッショ
ンゲート18および18aの、それぞれのNチャネルト
ランジスタ側およびPチャネルトランジスタ側のゲート
電極、およびトランスミッションゲート18bと18c
の、それぞれのNチャネルトランジスタ側およびPチャ
ネルトランジスタ側のゲート電極に接続され、さらにイ
ンバータ19aを介して、トランスミッションゲート1
8aと18bとの接続点、およびトランスミッションゲ
ート18のPチャネルトランジスタ側ゲート電極とトラ
ンスミッションゲート18cのNチャネルトランジスタ
側ゲート電極とに接続されている。The test terminals T1 and T2 are also connected to the NOR gate 20, and the output terminals thereof are the gate electrodes of the transmission gates 18 and 18a on the N-channel transistor side and the P-channel transistor side, respectively, and the transmission gates 18b and 18c.
Of the transmission gate 1 connected to the respective gate electrodes of the N-channel transistor side and the P-channel transistor side of the transmission gate 1 via the inverter 19a.
It is connected to the connection point between 8a and 18b, and the P-channel transistor side gate electrode of the transmission gate 18 and the N-channel transistor side gate electrode of the transmission gate 18c.
【0046】また、トランスミッションゲート18およ
び18aの出力端子は共通にトライステート出力バッフ
ァ3の入力端子に接続され、トランスミッションゲート
18bおよび18cの出力端子は共通にトライステート
出力バッファ3の出力制御端子に接続されている。The output terminals of transmission gates 18 and 18a are commonly connected to the input terminal of tristate output buffer 3, and the output terminals of transmission gates 18b and 18c are commonly connected to the output control terminal of tristate output buffer 3. Has been done.
【0047】次に図7を用いてトライステート出力バッ
ファ用DCテスト容易化回路6の動作について説明す
る。図7はトライステート出力バッファ用DCテスト容
易化回路6の動作を示すタイミングチャートであり、1
周期ごとに縦線で区分されている。Next, the operation of the DC test facilitation circuit 6 for the tri-state output buffer will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a timing chart showing the operation of the DC test facilitation circuit 6 for the tri-state output buffer.
Each cycle is divided by a vertical line.
【0048】図7において、テスト用端子T1およびT
2の信号が共にLowであって、出力制御端子Cの信号
がHighである期間は、入力端子Aの信号にかかわら
ず出力端子PADはハイインピーダンス状態となる。し
かし、出力制御端子Cの信号がLowになると、入力端
子Aの信号が出力端子PADに出力されることになる。In FIG. 7, test terminals T1 and T
While the two signals are both low and the signal of the output control terminal C is high, the output terminal PAD is in the high impedance state regardless of the signal of the input terminal A. However, when the signal of the output control terminal C becomes Low, the signal of the input terminal A is output to the output terminal PAD.
【0049】また、テスト用端子T1の信号がHigh
であって、テスト用端子T2の信号がLowである場に
は、入力端子Aおよび出力制御端子Cの信号に無関係に
出力端子PADはハイインピーダンス状態となる。The signal at the test terminal T1 is High.
When the signal at the test terminal T2 is low, the output terminal PAD is in a high impedance state regardless of the signals at the input terminal A and the output control terminal C.
【0050】さらに、テスト用端子T2の信号がHig
hである場合には、入力端子Aおよび出力制御端子Cの
信号に無関係に、テスト用端子T1の信号が出力端子P
ADに出力されることになる。Further, the signal at the test terminal T2 is High.
If h, the signal at the test terminal T1 is the output terminal P regardless of the signals at the input terminal A and the output control terminal C.
It will be output to AD.
【0051】すなわち、トライステート出力バッファ用
DCテスト容易化回路6は、テスト用端子T1およびT
2の信号の組み合わせにより、入力端子Aあるいはテス
ト用端子T1の信号一方のみを選択的にトライステート
出力バッファ3から出力させることができる回路であ
る。That is, the DC test facilitation circuit 6 for the tri-state output buffer has the test terminals T1 and T1.
It is a circuit that can selectively output only one of the signals from the input terminal A or the test terminal T1 from the tri-state output buffer 3 by combining the two signals.
【0052】このようなトライステート出力バッファ用
DCテスト容易化回路6を用いることで、トライステー
ト出力バッファ3のテストモード時には、テスト用端子
T2の信号レベルをHighに保ち、テスト用端子T1
にHighおよびLowの信号を1周期ずつ交互に与え
ることで、出力端子PADにHighおよびLowの信
号が2周期の間に交互に得られ、テスト用端子T2の信
号レベルをLowに保ち、テスト用端子T1の信号を1
周期の間、Highにすることで、出力端子PADを1
周期の間、ハイインピーダンスに保つことができるの
で、トライステート出力バッファ3のDCテストを3周
期で実施することができる。By using the DC test facilitation circuit 6 for the tri-state output buffer, the signal level of the test terminal T2 is kept high and the test terminal T1 is maintained in the test mode of the tri-state output buffer 3.
By alternately applying a High signal and a Low signal to the output terminal for one cycle, a High signal and a Low signal are alternately obtained at the output terminal PAD for two cycles, and the signal level of the test terminal T2 is kept at the Low level for the test. 1 signal at terminal T1
By setting to High during the cycle, the output terminal PAD becomes 1
Since the high impedance can be maintained during the cycle, the DC test of the tri-state output buffer 3 can be performed in three cycles.
【0053】また、トライステート出力バッファ3のシ
ステム動作時には、テスト用端子T1およびT2の信号
を共にLowとし、出力制御端子Cの信号をLowに保
つことで、入力端子Aの信号を出力端子PADに出力す
ることができる。During the system operation of the tri-state output buffer 3, the signals at the test terminals T1 and T2 are both set to Low and the signal at the output control terminal C is kept at Low, so that the signal at the input terminal A is set at the output terminal PAD. Can be output to.
【0054】<第4の実施例>図8に本発明に係る第4
の実施例として、DCテスト容易化双方向バッファ17
の構成を示す。図8(a)において、DCテスト容易化
双方向バッファ17の入力側には、入力端子A、テスト
用端子T1およびT2が設けられ、出力側には出力端子
PADが設けられている。また、これらとは別に出力制
御端子Cが設けられている。<Fourth Embodiment> FIG. 8 shows a fourth embodiment of the present invention.
As an embodiment of the DC test facilitation bidirectional buffer 17
Shows the configuration of. In FIG. 8A, an input terminal A, test terminals T1 and T2 are provided on the input side of the DC test facilitation bidirectional buffer 17, and an output terminal PAD is provided on the output side. An output control terminal C is provided separately from these.
【0055】図8(b)に示すように、DCテスト容易
化双方向バッファ17は、トライステート出力バッファ
41とバッファ42とからなる従来からの双方向バッフ
ァ4に双方向バッファ用DCテスト容易化回路6aを付
加した構成であり、双方向バッファ用DCテスト容易化
回路6aに入力端子A、出力制御端子C、テスト用端子
T1およびT2が設けられ、その出力がトライステート
出力バッファ41に与えられ、トライステート出力バッ
ファ41の出力側に出力端子PADが設けられている構
成である。なお、出力端子PADには、出力端子PAD
を入力端子として入力される信号のためのバッファ42
が接続されているが、本発明とは関係が薄いので以後は
説明を省略する。As shown in FIG. 8B, the DC test facilitation bidirectional buffer 17 includes a conventional bidirectional buffer 4 including a tri-state output buffer 41 and a buffer 42 for facilitating the DC test for the bidirectional buffer. In the configuration in which the circuit 6a is added, the DC test facilitation circuit 6a for the bidirectional buffer is provided with the input terminal A, the output control terminal C, and the test terminals T1 and T2, and the output thereof is given to the tristate output buffer 41. The output terminal PAD is provided on the output side of the tri-state output buffer 41. The output terminal PAD is connected to the output terminal PAD.
A buffer 42 for a signal input using the
Are connected, but since they have little relation to the present invention, description thereof will be omitted hereinafter.
【0056】ここで、双方向バッファ用DCテスト容易
化回路6aの構成は、第3の実施例において図6を用い
て説明した、トライステート出力バッファ用DCテスト
容易化回路6と同一であるので、図および説明は省略す
る。従ってその動作を示すタイミングチャートも、図7
に示したタイミングチャートと同一であるので、図およ
び説明は省略する。The bidirectional buffer DC test facilitation circuit 6a has the same structure as the tristate output buffer DC test facilitation circuit 6 described with reference to FIG. 6 in the third embodiment. , Figures and description are omitted. Therefore, the timing chart showing the operation is also shown in FIG.
Since it is the same as the timing chart shown in FIG.
【0057】このような双方向バッファ用DCテスト容
易化回路6aを用いることで、双方向バッファ3のテス
トモード時には、テスト用端子T2の信号レベルをHi
ghに保ち、テスト用端子T1にHighおよびLow
の信号を1周期ずつ交互に与えることで、出力端子PA
DにHighおよびLowの信号が2周期の間に交互に
得られ、テスト用端子T2の信号レベルをLowに保
ち、テスト用端子T1の信号を1周期の間、Highに
することで、出力端子PADを1周期の間、ハイインピ
ーダンスに保つことができるので、双方向バッファ4の
DCテストを3周期で実施することができる。By using such a bidirectional buffer DC test facilitating circuit 6a, when the bidirectional buffer 3 is in the test mode, the signal level of the test terminal T2 is set to Hi.
GH, and high and low to the test terminal T1
By alternately applying the signal of 1 cycle for each output terminal PA
High and Low signals are alternately obtained in D during two cycles, the signal level of the test terminal T2 is kept Low, and the signal of the test terminal T1 is set to High for one cycle, so that the output terminal Since the PAD can be kept in high impedance for one cycle, the DC test of the bidirectional buffer 4 can be performed in three cycles.
【0058】また、双方向バッファ4のシステム動作時
には、テスト用端子T1およびT2の信号を共にLow
とし、出力制御端子Cの信号をLowに保つことで、入
力端子Aの信号を出力端子PADに出力することができ
る。During the system operation of the bidirectional buffer 4, the signals at the test terminals T1 and T2 are both set to Low.
Then, by keeping the signal of the output control terminal C low, the signal of the input terminal A can be output to the output terminal PAD.
【0059】<第5の実施例>図9に本発明に係る第5
の実施例として、DCテスト制御回路7の構成を示す。
図9に示すように、DCテスト制御回路7はリセット端
子付きフリップフロップ22および22aと、XORゲ
ート21とで構成された2ビットカウンタ回路である。
図9において、リセット端子付きフリップフロップ22
のデータ入力端子Dは反転出力端子Q’に接続され、反
転出力端子Q’はXORゲート21の入力端子の1つに
接続されている。XORゲート21の出力端子はリセッ
ト端子付きフリップフロップ22aのデータ入力端子D
に接続され、XORゲート21の他の入力端子はリセッ
ト端子付きフリップフロップ22aの反転出力端子Q’
に接続されている。また、リセット端子付きフリップフ
ロップ22および22aの出力端子Qはそれぞれテスト
用端子T1およびT2に接続されている。<Fifth Embodiment> FIG. 9 shows a fifth embodiment of the present invention.
The configuration of the DC test control circuit 7 will be shown as an example.
As shown in FIG. 9, the DC test control circuit 7 is a 2-bit counter circuit including flip-flops 22 and 22a with reset terminals and an XOR gate 21.
In FIG. 9, a flip-flop 22 with a reset terminal
The data input terminal D is connected to the inverting output terminal Q ′, and the inverting output terminal Q ′ is connected to one of the input terminals of the XOR gate 21. The output terminal of the XOR gate 21 is the data input terminal D of the flip-flop 22a with the reset terminal.
And the other input terminal of the XOR gate 21 is the inverting output terminal Q ′ of the flip-flop 22a with the reset terminal.
It is connected to the. The output terminals Q of the flip-flops 22 and 22a with reset terminals are connected to the test terminals T1 and T2, respectively.
【0060】ここで、クロック入力ピンCLKおよびリ
セット入力ピンRSTはリセット端子付きフリップフロ
ップ22および22aの、それぞれのタイミング信号入
力端子Tおよびリセット端子Rに接続されている。Here, the clock input pin CLK and the reset input pin RST are connected to the respective timing signal input terminals T and reset terminals R of the flip-flops 22 and 22a with reset terminals.
【0061】次に図10を用いてDCテスト制御回路7
の動作について説明する。図10はDCテスト制御回路
7の動作を示すタイミングチャートであり、1周期ごと
に縦線で区分されている。Next, the DC test control circuit 7 will be described with reference to FIG.
The operation of will be described. FIG. 10 is a timing chart showing the operation of the DC test control circuit 7, which is divided by a vertical line for each cycle.
【0062】図10おいて、リセット入力ピンRSTの
信号がLowである期間は、リセット端子付きフリップ
フロップ22および22aがリセット状態にあって、ク
ロック入力ピンCLKの信号に無関係にテスト用端子T
1およびT2の信号がLowとなる。In FIG. 10, while the signal on the reset input pin RST is Low, the flip-flops 22 and 22a with reset terminals are in the reset state, and the test terminal T is irrespective of the signal on the clock input pin CLK.
The signals of 1 and T2 become Low.
【0063】一方、リセット入力ピンRSTの信号がH
ighになると、クロック入力ピンCLKの信号の立ち
上がりのタイミングで、テスト用端子T1の信号がHi
ghになり、次のクロック入力ピンCLKの信号の立ち
上がりのタイミングでLowになる。これがリセット入
力ピンRSTの信号がHighの期間において繰り返さ
れる。また、テスト用端子T2の信号は、テスト用端子
T1の信号の立ち下がりのタイミングでHighにな
り、次のテスト用端子T1の信号の立ち上がりのタイミ
ングでLowになる。これがリセット入力ピンRSTの
信号がHighの期間において繰り返される。On the other hand, the signal at the reset input pin RST is H level.
When it goes high, the signal at the test terminal T1 changes to Hi at the rising timing of the signal at the clock input pin CLK.
It becomes gh, and becomes Low at the next rising timing of the signal of the clock input pin CLK. This is repeated while the signal at the reset input pin RST is High. The signal at the test terminal T2 becomes High at the falling timing of the signal at the test terminal T1 and becomes Low at the next rising timing of the signal at the test terminal T1. This is repeated while the signal at the reset input pin RST is High.
【0064】すなわち、DCテスト制御回路7は、リセ
ット入力ピンRSTの信号をHighに保ち、クロック
入力ピンCLKにクロック信号を与えることにより、テ
スト用端子T1およびT2に周期的な信号を出力できる
回路である。That is, the DC test control circuit 7 can output a periodic signal to the test terminals T1 and T2 by keeping the signal of the reset input pin RST High and supplying the clock signal to the clock input pin CLK. Is.
【0065】このようなDCテスト制御回路7を用いる
ことで、テストモード時は、DCテスト制御回路7のリ
セット入力ピンRSTの信号をHighに保ち、クロッ
ク入力ピンCLKにクロック信号を与えることにより、
テスト用端子T1およびT2から、出力バッファ用DC
テスト容易化回路5、トライステート出力バッファ用D
Cテスト容易化回路6、双方向バッファ用DCテスト容
易化回路6aのそれぞれのテスト用端子T1およびT2
に周期的な信号を与え、テスト用端子T1およびT2の
信号の組み合わせにより、DCテスト容易化出力バッフ
ァ15、DCテスト容易化トライステート出力バッファ
16、DCテスト容易化双方向バッファ17のそれぞれ
の出力端子PADに、所望の信号を出力させることがで
きる。By using the DC test control circuit 7 as described above, in the test mode, the signal of the reset input pin RST of the DC test control circuit 7 is kept high and the clock signal is supplied to the clock input pin CLK.
DC for output buffer from test terminals T1 and T2
Test facilitation circuit 5, D for tri-state output buffer
C test facilitation circuit 6 and respective test terminals T1 and T2 of the bidirectional buffer DC test facilitation circuit 6a
To the DC test facilitation output buffer 15, the DC test facilitation tri-state output buffer 16, and the DC test facilitation bidirectional buffer 17 by applying a cyclic signal to the test terminals T1 and T2. A desired signal can be output to the terminal PAD.
【0066】また、システム動作時には、リセット入力
ピンRSTの信号をLowにすることにより、DCテス
ト容易化出力バッファ15、DCテスト容易化トライス
テート出力バッファ16、DCテスト容易化双方向バッ
ファ17のそれぞれの入力端子Aの信号を出力端子PA
Dに出力することができる。Further, during system operation, the signal at the reset input pin RST is set to Low, so that the DC test facilitation output buffer 15, the DC test facilitation tri-state output buffer 16, and the DC test facilitation bidirectional buffer 17 are respectively performed. Input terminal A signal is output terminal PA
Can be output to D.
【0067】なお、DCテスト制御回路7を用いずに、
出力バッファ用DCテスト容易化回路5、トライステー
ト出力バッファ用DCテスト容易化回路6、双方向バッ
ファ用DCテスト容易化回路6aのそれぞれのテスト用
端子に個別にテストパターンを与えることによっても、
DCテストを行うことは可能であるが、DCテスト制御
回路7を用いて統括的にテストパターンを与えること
で、多数の出力手段を有する半導体集積回路においても
効率的なDCテストが可能となる。Incidentally, without using the DC test control circuit 7,
By individually providing a test pattern to each test terminal of the output buffer DC test facilitation circuit 5, the tri-state output buffer DC test facilitation circuit 6, and the bidirectional buffer DC test facilitation circuit 6a,
Although it is possible to perform a DC test, an overall DC test control circuit 7 can be used to provide a test pattern to enable an efficient DC test even in a semiconductor integrated circuit having a large number of output means.
【0068】[0068]
【発明の効果】本発明に係る請求項1記載の半導体集積
回路によれば、DCテスト制御回路が制御信号を受けて
DCテスト容易化回路にテスト信号を与え、DCテスト
容易化回路が出力手段のDCテストのための信号を出力
することで、出力手段のDCテストが内部回路を介さず
に与えられる制御信号に基づいて行われるので、内部回
路を介してDCテストを行う場合に比べて、DCテスト
のための信号の入力回数が削減され、テスト時間を削減
することができる。According to the semiconductor integrated circuit of the first aspect of the present invention, the DC test control circuit receives the control signal and applies the test signal to the DC test facilitation circuit, and the DC test facilitation circuit outputs the output means. By outputting the signal for the DC test of, the DC test of the output means is performed based on the control signal given without passing through the internal circuit. Therefore, compared with the case where the DC test is performed through the internal circuit, The number of signal inputs for the DC test is reduced, and the test time can be reduced.
【0069】本発明に係る請求項2記載のDCテスト容
易化回路によれば、第2のテスト信号を第1の電位レベ
ルにすることで、第1のテスト信号により出力手段のD
Cテストを行うことができるので、出力手段のDCテス
トを短時間で、容易に行うことができる効果がある。According to the DC test facilitation circuit of the second aspect of the present invention, by setting the second test signal to the first potential level, the D of the output means is driven by the first test signal.
Since the C test can be performed, the DC test of the output means can be easily performed in a short time.
【0070】本発明に係る請求項3記載のDCテスト容
易化回路によれば、出力手段のDCテストを短時間で、
容易に行うための実際的なDCテスト容易化回路が得ら
れる。According to the DC test facilitation circuit of the third aspect of the present invention, the DC test of the output means can be performed in a short time.
A practical DC test facilitation circuit for ease of implementation is obtained.
【0071】本発明に係る請求項4記載のDCテスト容
易化回路によれば、第1のテスト信号を第1の電位レベ
ルに、第2のテスト信号を第2の電位レベルとし、続い
て、第2のテスト信号を第1の電位レベルにすること
で、トライステートバッファで構成された出力手段のD
Cテストを短時間で、容易に行うことができる効果があ
る。According to the fourth aspect of the DC test facilitation circuit of the present invention, the first test signal is set to the first potential level, the second test signal is set to the second potential level, and then, By setting the second test signal to the first potential level, the D of the output means constituted by the tri-state buffer is provided.
The C test can be easily performed in a short time.
【0072】本発明に係る請求項5記載のDCテスト容
易化回路によれば、トライステートバッファで構成され
た出力手段のDCテストを短時間で、容易に行うための
実際的なDCテスト容易化回路が得られる。According to the DC test facilitation circuit of the fifth aspect of the present invention, the practical DC test facilitation for easily performing the DC test of the output means constituted by the tri-state buffer in a short time. The circuit is obtained.
【0073】本発明に係る請求項6記載のDCテスト制
御回路によれば、第1の制御信号を第1の電位レベルに
することで、DCテスト容易化回路にDCテストを行う
ための第1および第2のテスト信号を与えることができ
るので、DCテスト容易化回路の動作の制御を統括して
行うことができ、複数の出力手段を有する半導体集積回
路のDCテストを効率的に行うことができる。According to the sixth aspect of the DC test control circuit of the present invention, the first control signal is set to the first potential level to make the DC test facilitation circuit perform the DC test. Since the second test signal can be given, the control of the operation of the DC test facilitation circuit can be centralized, and the DC test of the semiconductor integrated circuit having a plurality of output means can be efficiently performed. it can.
【0074】本発明に係る請求項7記載のDCテスト制
御回路によれば、DCテスト容易化回路にDCテストを
行うための第1および第2のテスト信号を与え、DCテ
スト容易化回路の動作の制御を統括して行うことができ
る実際的なDCテスト制御回路が得られる。According to the DC test control circuit of the seventh aspect of the present invention, the DC test facilitation circuit is supplied with the first and second test signals for performing the DC test, and the DC test facilitation circuit operates. It is possible to obtain a practical DC test control circuit capable of integrally controlling the control of.
【図1】 本発明に係る第1の実施例である半導体集積
回路の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit that is a first embodiment according to the present invention.
【図2】 本発明に係る第2の実施例であるDCテスト
容易化回路の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a DC test facilitation circuit that is a second embodiment according to the present invention.
【図3】 本発明に係る第2の実施例であるDCテスト
容易化回路の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a DC test facilitation circuit that is a second embodiment according to the present invention.
【図4】 本発明に係る第2の実施例であるDCテスト
容易化回路の動作を示すタイミングチャートである。FIG. 4 is a timing chart showing the operation of the DC test facilitation circuit of the second embodiment according to the present invention.
【図5】 本発明に係る第3の実施例であるDCテスト
容易化回路の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a DC test facilitation circuit that is a third embodiment according to the present invention.
【図6】 本発明に係る第3の実施例であるDCテスト
容易化回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a DC test facilitation circuit that is a third embodiment according to the present invention.
【図7】 本発明に係る第3の実施例であるDCテスト
容易化回路の動作を示すタイミングチャートである。FIG. 7 is a timing chart showing the operation of the DC test facilitation circuit of the third embodiment according to the present invention.
【図8】 本発明に係る第4の実施例であるDCテスト
容易化回路の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a DC test facilitation circuit that is a fourth embodiment according to the present invention.
【図9】 本発明に係る第5の実施例であるDCテスト
制御回路の回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram of a DC test control circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
【図10】 本発明に係る第5の実施例であるDCテス
ト制御回路の動作を示すタイミングチャートである。FIG. 10 is a timing chart showing the operation of the DC test control circuit according to the fifth embodiment of the present invention.
【図11】 従来の半導体集積回路の構成を示す図であ
る。FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor integrated circuit.
【図12】 半導体集積回路のDCテストを行うための
テスタ内のダイナミックロード回路の構成を示す図であ
る。FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a dynamic load circuit in a tester for performing a DC test on a semiconductor integrated circuit.
【図13】 スキャン設計により設計した従来の半導体
集積回路の構成を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor integrated circuit designed by scan design.
5 出力バッファ用DCテスト容易化回路、6 トライ
ステート出力バッファ用DCテスト容易化回路、6a
双方向バッファ用DCテスト容易化回路、7DCテスト
制御回路、8 内部回路、15 DCテスト容易化出力
バッファ、16 DCテスト容易化トライステート出力
バッファ、17 DCテスト容易化双方向バッファ、1
8,18a,18b,18c トライステートバッフ
ァ、19,19a インバータ、20 NORゲート、
21 XORゲート、22 リセット端子付きフリップ
フロップ、A 入力端子、PAD 出力端子、T1,T
2テスト用端子、CLK クロック入力ピン、RST
リセット入力ピン。5 Output buffer DC test facilitation circuit, 6 Tri-state output buffer DC test facilitation circuit, 6a
DC test facilitation circuit for bidirectional buffer, 7 DC test control circuit, 8 internal circuit, 15 DC test facilitation output buffer, 16 DC test facilitation tri-state output buffer, 17 DC test facilitation bidirectional buffer, 1
8, 18a, 18b, 18c tri-state buffer, 19, 19a inverter, 20 NOR gate,
21 XOR gate, 22 Flip-flop with reset terminal, A input terminal, PAD output terminal, T1, T
2 Test terminal, CLK clock input pin, RST
Reset input pin.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66 F 7514−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/66 F 7514-4M
Claims (7)
路に入力信号を与える少なくとも1つの入力手段と、前
記内部回路からの出力信号を出力する少なくとも1つの
出力手段とを備えた半導体集積回路において、 前記出力手段は、該出力手段のDCテストを行うための
信号を出力するDCテスト容易化回路に接続され、 前記DCテスト容易化回路は、前記内部回路を介さずに
与えられる制御信号を受けて、前記DCテスト容易化回
路にDCテストのためのテスト信号を与えるDCテスト
制御回路に接続されていることを特徴とする半導体集積
回路。1. A semiconductor integrated circuit comprising an internal circuit having a logic circuit, at least one input means for applying an input signal to the internal circuit, and at least one output means for outputting an output signal from the internal circuit. In the above, the output means is connected to a DC test facilitation circuit that outputs a signal for performing a DC test of the output means, and the DC test facilitation circuit outputs a control signal provided without passing through the internal circuit. A semiconductor integrated circuit, wherein the semiconductor integrated circuit is connected to a DC test control circuit for receiving a test signal for DC test to the DC test facilitation circuit.
スト容易化回路であって、 前記テスト信号として第1および第2のテスト信号を受
け、 前記第2のテスト信号が第1の電位レベルにあるとき
は、前記第1のテスト信号を前記出力手段に与え、 前記第2のテスト信号が第2の電位レベルにあるとき
は、前記内部回路からの前記出力信号を前記出力手段に
与えることを特徴とするDCテスト容易化回路。2. The DC test facilitating circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the first and second test signals are received as the test signal, and the second test signal has a first potential level. The first test signal is applied to the output means, and the second test signal is applied to the second potential level, the output signal from the internal circuit is applied to the output means. DC test facilitation circuit characterized by:
び第2のトランスミッションゲートと、インバータとを
備え、 前記第1のテスト信号は、前記第2のトランスミッショ
ンゲートの入力端子に与えられ、 前記第2のテスト信号は、第1のトランスミッションゲ
ートのPチャネルトランジスタ側の制御電極、第2のト
ランスミッションゲートのNチャネルトランジスタ側の
制御電極、および前記インバータを介して、前記第1お
よび第2のトランスミッションゲートのNチャネルトラ
ンジスタ側およびPチャネルトランジスタ側の制御電極
にそれぞれ与えられ、 前記出力信号が前記第1のトランスミッションゲートの
入力端子に与えられ、 前記第1および第2のトランスミッションゲートの出力
端子は、共通に前記出力手段に接続されていることを特
徴とする請求項2記載のDCテスト容易化回路。3. The DC test facilitation circuit comprises first and second transmission gates and an inverter, wherein the first test signal is applied to an input terminal of the second transmission gate, The second test signal is passed through the control electrode on the P-channel transistor side of the first transmission gate, the control electrode on the N-channel transistor side of the second transmission gate, and the inverter to the first and second transmissions. Control signals on the N-channel transistor side and the P-channel transistor side of the gate, respectively, the output signal is applied to an input terminal of the first transmission gate, and output terminals of the first and second transmission gates are: Commonly connected to the output means DC test circuit according to claim 2, wherein Rukoto.
スト容易化回路であって、 前記半導体集積回路の前記出力手段が、出力信号を制御
するための出力制御信号を前記内部回路から与えられる
トライステートバッファで構成され、 前記DCテスト容易化回路が、前記テスト信号として第
1および第2のテスト信号を受け、 前記第2のテスト信号が第1の電位レベルにあるとき
は、前記第1のテスト信号を前記トライステートバッフ
ァに与え、 前記第1のテスト信号が前記第1の電位レベルに、前記
第2のテスト信号が第2の電位レベルにあるときは、前
記トライステートバッファをハイインピーダンス状態に
保ち、 前記第1および第2のテスト信号が共に前記第2の電位
レベルにあって、前記出力制御信号が前記第2の電位レ
ベルにあるときは、前記内部回路からの前記出力信号を
前記トライステートバッファに与えることを特徴とする
DCテスト容易化回路。4. The DC test facilitation circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said output means of said semiconductor integrated circuit is provided with an output control signal for controlling an output signal from said internal circuit. When the DC test facilitation circuit receives first and second test signals as the test signal and the second test signal is at a first potential level, the first test signal is formed of a tri-state buffer. Is applied to the tri-state buffer, and when the first test signal is at the first potential level and the second test signal is at the second potential level, the tri-state buffer is set to high impedance. State, the first and second test signals are both at the second potential level, and the output control signal is at the second potential level. Huang, DC test circuit, characterized in that providing said output signal from said internal circuit to the tri-state buffer.
し第4のトランスミッションゲートと、第1および第2
のインバータと、NORゲートとを備え、 前記出力信号は、前記第1のトランスミッションゲート
の入力端子に与えられ、 前記出力制御信号は、前記第3のトランスミッションゲ
ートの入力端子に与えられ、 前記第1のテスト信号は、前記第2のトランスミッショ
ンゲートの入力端子に、前記第2のテスト信号は、前記
第1のインバータを介して前記第4のトランスミッショ
ンゲートの入力端子に与えられ、かつ、前記第1および
第2のテスト信号は前記NORゲートの入力端子に与え
られ、 前記NORゲートの出力信号は、前記第1および第2の
トランスミッションゲートのNチャネルトランジスタ側
およびPチャネルトランジスタ側の制御電極、前記第3
および第4のトランスミッションゲートの、Nチャネル
トランジスタ側およびPチャネルトランジスタ側の制御
電極にそれぞれ与えられ、かつ前記第2のインバータを
介して、前記第1のトランスミッションゲートのPチャ
ネルトランジスタ側の制御電極、前記第4のトランスミ
ッションゲートのNチャネルトランジスタ側の制御電
極、前記第2および第3のトランスミッションゲートの
Nチャネルトランジスタ側およびPチャネルトランジス
タ側の制御電極にそれぞれ与えられ、 前記第1および第2のトランスミッションゲートの出力
端子は、共通に前記トライステートバッファの入力端子
に接続され、 前記第3および第4のトランスミッションゲートの出力
端子は、共通に前記トライステートバッファの出力制御
端子に接続されていることを特徴とする請求項4記載の
DCテスト容易化回路。5. The DC test facilitation circuit includes first to fourth transmission gates and first and second transmission gates.
An inverter and a NOR gate, the output signal is applied to an input terminal of the first transmission gate, the output control signal is applied to an input terminal of the third transmission gate, and Is applied to the input terminal of the second transmission gate, the second test signal is applied to the input terminal of the fourth transmission gate via the first inverter, and And a second test signal is applied to an input terminal of the NOR gate, and an output signal of the NOR gate is supplied to the control electrodes on the N-channel transistor side and the P-channel transistor side of the first and second transmission gates and the first and second transmission gates. Three
And a control electrode on the side of the N-channel transistor and the side of the P-channel transistor of the fourth transmission gate, respectively, and via the second inverter, a control electrode on the side of the P-channel transistor of the first transmission gate, The control electrode on the N-channel transistor side of the fourth transmission gate, the control electrode on the N-channel transistor side and the control electrode on the P-channel transistor side of the second and third transmission gates, respectively, and the first and second transmissions. The output terminals of the gates are commonly connected to the input terminal of the tri-state buffer, and the output terminals of the third and fourth transmission gates are commonly connected to the output control terminal of the tri-state buffer. DC test circuit according to claim 4, wherein the door.
スト制御回路であって、 前記制御信号として、第1の制御信号とクロック信号で
ある第2の制御信号とを受け、前記テスト信号として第
1および第2のテスト信号を出力し、 前記第1の制御信号が第2の電位レベルにあるときは、
前記第2の制御信号に無関係に、前記第1および第2の
テスト信号を第2の電位レベルに保ち、 前記第1の制御信号が第1の電位レベルにあるときは、
前記第2の制御信号のラッチによって作られた信号を前
記第1および第2のテスト信号として出力することを特
徴とするDCテスト制御回路。6. A DC test control circuit for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the control signal receives a first control signal and a second control signal which is a clock signal, and the test signal is used as the test signal. Outputting the first and second test signals, and when the first control signal is at the second potential level,
Irrespective of the second control signal, the first and second test signals are kept at a second potential level, and when the first control signal is at a first potential level,
A DC test control circuit, which outputs a signal generated by a latch of the second control signal as the first and second test signals.
子を有する第1および第2のラッチ手段を備え、 前記第1のラッチ手段の入力端子は、自らの反転出力端
子に接続され、 前記第1のラッチ手段の反転出力端子は、XORゲート
の一方の入力端子に接続され、 前記XORゲートの一方の入力端子は、前記第2のラッ
チ手段の反転出力端子に接続され、 前記XORゲートの出力端子は、前記第2のラッチ手段
の入力端子に接続され、 前記第1の制御信号は、前記第1および第2のラッチ手
段のそれぞれのリセット端子に与えられ、 前記第2の制御信号は、前記第1および第2のラッチ手
段のタイミング信号端子に与えられ、 前記第1および第2のテスト信号は、前記第1および第
2のラッチ手段のそれぞれの出力端子から与えられるこ
とを特徴とする請求項6記載のDCテスト制御回路。7. The DC test control circuit comprises first and second latch means having a reset terminal, wherein an input terminal of the first latch means is connected to its own inverting output terminal, The inverting output terminal of the latch means is connected to one input terminal of the XOR gate, one input terminal of the XOR gate is connected to the inverting output terminal of the second latch means, and the output terminal of the XOR gate Is connected to an input terminal of the second latch means, the first control signal is given to respective reset terminals of the first and second latch means, and the second control signal is The timing signal terminals of the first and second latch means are provided, and the first and second test signals are provided from the respective output terminals of the first and second latch means. DC test control circuit according to claim 6, wherein.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139937A JPH088405A (en) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | DC test facilitating circuit, DC test control circuit, and semiconductor integrated circuit including them |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6139937A JPH088405A (en) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | DC test facilitating circuit, DC test control circuit, and semiconductor integrated circuit including them |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088405A true JPH088405A (en) | 1996-01-12 |
Family
ID=15257150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6139937A Pending JPH088405A (en) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | DC test facilitating circuit, DC test control circuit, and semiconductor integrated circuit including them |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088405A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007267194A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | I / O device and control method thereof |
| CN115472207A (en) * | 2022-09-23 | 2022-12-13 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | Memory chip and operation method |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP6139937A patent/JPH088405A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007267194A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | I / O device and control method thereof |
| CN115472207A (en) * | 2022-09-23 | 2022-12-13 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | Memory chip and operation method |
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