JPH088408B2 - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
- Publication number
- JPH088408B2 JPH088408B2 JP4125018A JP12501892A JPH088408B2 JP H088408 B2 JPH088408 B2 JP H088408B2 JP 4125018 A JP4125018 A JP 4125018A JP 12501892 A JP12501892 A JP 12501892A JP H088408 B2 JPH088408 B2 JP H088408B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- melting point
- circuit board
- low melting
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板上の部品がキ
ャップではんだ封止された電子回路装置に係わり、特に
回路基板、キャップ各々との間に低融点はんだを介し、
これら低融点はんだ間に予め圧延・熱処理された高融点
加工はんだが介挿された状態で、低融点はんだ自体の溶
融によって回路基板上の部品がはんだ封止されるように
した電子回路装置に関するものである。
ャップではんだ封止された電子回路装置に係わり、特に
回路基板、キャップ各々との間に低融点はんだを介し、
これら低融点はんだ間に予め圧延・熱処理された高融点
加工はんだが介挿された状態で、低融点はんだ自体の溶
融によって回路基板上の部品がはんだ封止されるように
した電子回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子回路装置においては、半導体
や部品の機械的、化学的保護および量産性、信頼性の向
上を目的として、はんだによる面付実装が知られてい
る。その中でも、半導体の最も高密度な実装法として、
図４に示すごとく、半導体チップ１と回路基板２の周端
部対向面を電極４，５を介して微細なはんだ３で接続す
る方法が知られている（例えば特開昭４３−２８７３５
号公報や米国特許第３８７１０１４号明細書を参照のこ
と）。
や部品の機械的、化学的保護および量産性、信頼性の向
上を目的として、はんだによる面付実装が知られてい
る。その中でも、半導体の最も高密度な実装法として、
図４に示すごとく、半導体チップ１と回路基板２の周端
部対向面を電極４，５を介して微細なはんだ３で接続す
る方法が知られている（例えば特開昭４３−２８７３５
号公報や米国特許第３８７１０１４号明細書を参照のこ
と）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の方法
は、半導体チップ１と回路基板２とを接続する際にはん
だ３を完全に溶融し、上記電極４，５とのぬれ・拡散反
応を利用して、半導体チップ１と基板２とを接続してい
た。そのため、半導体チップ１と基板２との接続部とし
てのはんだ３が冷却過程で合金組成の偏析や欠隔および
残留応力が発生して、伸びが小さな鋳造組織状態とな
る。この鋳造状態は外力にたいして伸びが小さく、不均
一な変形を発生するため、疲労特性がわるく、使用中で
の種々のストレスにたいして比較的短時間で、はんだ３
が破壊する問題があった。
は、半導体チップ１と回路基板２とを接続する際にはん
だ３を完全に溶融し、上記電極４，５とのぬれ・拡散反
応を利用して、半導体チップ１と基板２とを接続してい
た。そのため、半導体チップ１と基板２との接続部とし
てのはんだ３が冷却過程で合金組成の偏析や欠隔および
残留応力が発生して、伸びが小さな鋳造組織状態とな
る。この鋳造状態は外力にたいして伸びが小さく、不均
一な変形を発生するため、疲労特性がわるく、使用中で
の種々のストレスにたいして比較的短時間で、はんだ３
が破壊する問題があった。
【０００４】本発明は、従来の上記問題点を解決し、軟
らかく、かつ延性や疲労特性に優れ、高信頼性のはんだ
封止を可能とする電子回路装置を提供することにある。
らかく、かつ延性や疲労特性に優れ、高信頼性のはんだ
封止を可能とする電子回路装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、メタライズを有する回路基板上の部品
をキャップではんだ封止すべく、そのはんだは、キャッ
プ側に設けられた第１の低融点はんだと、回路基板側に
設けられた第２の低融点はんだと、該第２の低融点はん
だと上記第１の低融点はんだとの間に介挿された、予め
圧延・熱処理された高融点加工はんだとからなり、上記
第１，第２の低融点はんだ自体の溶融によって回路基板
上の実装部品をはんだ封止したものである。
達成するために、メタライズを有する回路基板上の部品
をキャップではんだ封止すべく、そのはんだは、キャッ
プ側に設けられた第１の低融点はんだと、回路基板側に
設けられた第２の低融点はんだと、該第２の低融点はん
だと上記第１の低融点はんだとの間に介挿された、予め
圧延・熱処理された高融点加工はんだとからなり、上記
第１，第２の低融点はんだ自体の溶融によって回路基板
上の実装部品をはんだ封止したものである。
【０００６】
【作用】しかして、本発明は、つぎのような現象および
原理にもとづいて、低融点はんだに加え、予め圧延・熱
処理された高融点加工はんだ（以下、加工はんだと称
す）加工はんだ材を用い、回路基板上の部品をキャップ
ではんだ封止したものである。すなわち、金属の多く
は、溶融・凝固すると、ガスの吸截や欠陥が多く、さら
に純金属以外のほとんどの合金は凝固の過程で組成偏析
や重量偏析をともなう不均質な鋳造組織となる。このよ
うな欠陥や不均質な組織からなる金属・合金は一般に脆
いため、構造部材などに使用する場合などにおいては圧
延や熱処理をおこない、鋳造組織をこわして均質にし、
これにより靭性や延性を改善する方法がおこなわれてい
る。しかるに、ろう材としてのＰｂ−ＳｎやＡｕ−Ｓｎ
などの合金は、溶融接続を基本原理としているため、溶
融凝固すると、かならず鋳造組織となるので、これを加
工して組織を破壊することはほとんど不可能である。
原理にもとづいて、低融点はんだに加え、予め圧延・熱
処理された高融点加工はんだ（以下、加工はんだと称
す）加工はんだ材を用い、回路基板上の部品をキャップ
ではんだ封止したものである。すなわち、金属の多く
は、溶融・凝固すると、ガスの吸截や欠陥が多く、さら
に純金属以外のほとんどの合金は凝固の過程で組成偏析
や重量偏析をともなう不均質な鋳造組織となる。このよ
うな欠陥や不均質な組織からなる金属・合金は一般に脆
いため、構造部材などに使用する場合などにおいては圧
延や熱処理をおこない、鋳造組織をこわして均質にし、
これにより靭性や延性を改善する方法がおこなわれてい
る。しかるに、ろう材としてのＰｂ−ＳｎやＡｕ−Ｓｎ
などの合金は、溶融接続を基本原理としているため、溶
融凝固すると、かならず鋳造組織となるので、これを加
工して組織を破壊することはほとんど不可能である。
【０００７】図５は縦軸に応力（ｋｇ／ｍｍ２）をと
り、横軸に伸びε（％）をとった場合のＰｂ−Ｓｎ合金
を例として加工はんだａ′、ｂ′、ｃ′と、鋳造材ａ、
ｂ、ｃの引張特性がどの程度異なるかを示したものであ
る。
り、横軸に伸びε（％）をとった場合のＰｂ−Ｓｎ合金
を例として加工はんだａ′、ｂ′、ｃ′と、鋳造材ａ、
ｂ、ｃの引張特性がどの程度異なるかを示したものであ
る。
【０００８】同図に示すごとく、加工はんだａ′、
ｂ′、ｃ′はいずれの組成においても、軟らかく、著し
い伸びの改善が見られる。この加工はんだａ′、ｂ′、
ｃ′は圧延率９０％で冷間圧延したシートから引張試験
片を作成したのち、約１週間位室温で熱処理したもので
ある。つぎに図６は９５Ｐｂ／５Ｓｎはんだの鋳造材
（図６（ａ）、図５のｃに相当）と、加工はんだ（図６
（ｂ）、図５のｃ′に相当）の組織を比較したものであ
る。同図に示すごとく、加工はんだの組織は鋳造材に比
較して、結晶粒が細かく偏析して高濃度のＳｎが球状化
し、かつ内部歪みの少ないものになっている。この伸び
は鋳造材の３〜４倍で、加工・熱処理による特性改善の
効果が理解できる。
ｂ′、ｃ′はいずれの組成においても、軟らかく、著し
い伸びの改善が見られる。この加工はんだａ′、ｂ′、
ｃ′は圧延率９０％で冷間圧延したシートから引張試験
片を作成したのち、約１週間位室温で熱処理したもので
ある。つぎに図６は９５Ｐｂ／５Ｓｎはんだの鋳造材
（図６（ａ）、図５のｃに相当）と、加工はんだ（図６
（ｂ）、図５のｃ′に相当）の組織を比較したものであ
る。同図に示すごとく、加工はんだの組織は鋳造材に比
較して、結晶粒が細かく偏析して高濃度のＳｎが球状化
し、かつ内部歪みの少ないものになっている。この伸び
は鋳造材の３〜４倍で、加工・熱処理による特性改善の
効果が理解できる。
【０００９】本発明者らは、上記の現象から、上記の加
工はんだを接続材として使用することにより、種々のス
トレスによる疲労などに十分に耐えられる接続部が得ら
れるとおもうにいたったのである。すなわち、加工はん
だより低融点のはんだで、加工はんだの接続端部のみを
溶融接続することにより、加工はんだのすぐれた靭性お
よび延性を失うことなく接続できるので、信頼性の高い
接続ができ、かつこのような効果が期待できるような材
料としてはほとんどのろう材について可能性があるから
である。図７はＭ．Ｈａｎｓｅｎによって１９５８年に
発表されたＰｂ−Ｓｎ合金の状態図、図８は同じくＰｂ
−Ｉｎ合金の状態図、図９は同じくＰｂ−Ｓｂ合金の状
態図である。これらの図から明らかなごとく、いずれも
冷却凝固過程で偏析や不均質な組織となり、これらを加
工・熱処理すれば、伸び特性の改善が期待できる。
工はんだを接続材として使用することにより、種々のス
トレスによる疲労などに十分に耐えられる接続部が得ら
れるとおもうにいたったのである。すなわち、加工はん
だより低融点のはんだで、加工はんだの接続端部のみを
溶融接続することにより、加工はんだのすぐれた靭性お
よび延性を失うことなく接続できるので、信頼性の高い
接続ができ、かつこのような効果が期待できるような材
料としてはほとんどのろう材について可能性があるから
である。図７はＭ．Ｈａｎｓｅｎによって１９５８年に
発表されたＰｂ−Ｓｎ合金の状態図、図８は同じくＰｂ
−Ｉｎ合金の状態図、図９は同じくＰｂ−Ｓｂ合金の状
態図である。これらの図から明らかなごとく、いずれも
冷却凝固過程で偏析や不均質な組織となり、これらを加
工・熱処理すれば、伸び特性の改善が期待できる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例を示す図１ないし図３
について説明する。図１は本発明を電子回路装置におけ
る封止に実施した場合を示す図１および図２について説
明する。図２に示すごとく、回路基板２上に接続用はん
だ２４により接続する半導体チップ１およびコンデンサ
などの部品を封止するため、上記半導体チップ１および
コンデンサなどの部品の上方部を覆うように配置された
キャップ２５と、上記回路基板２の周端部間に電極４，
５を介して加工成形された加工はんだ２６を介挿し、上
記電極４，５各々と加工はんだ２６との間に該加工はん
だ２６よりも低融点のはんだ（図示せず）を付着し、こ
の低融点のはんだのみを溶融して、上記キャップ２５と
回路基板２とを局部的に溶融接続したものである。な
お、上記キャップ２５、加工はんだ２６および回路基板
２５にて封止された内部は真空かあるいは不活性ガスの
雰囲気で部品を保護している。また、上記半導体チップ
１およびコンデンサなどの部品を回路基板２に接続する
ための接続用はんだ２４は、キャップ２５と回路基板２
とを封止する際に溶融しないように、高融点のはんだを
使用している。
について説明する。図１は本発明を電子回路装置におけ
る封止に実施した場合を示す図１および図２について説
明する。図２に示すごとく、回路基板２上に接続用はん
だ２４により接続する半導体チップ１およびコンデンサ
などの部品を封止するため、上記半導体チップ１および
コンデンサなどの部品の上方部を覆うように配置された
キャップ２５と、上記回路基板２の周端部間に電極４，
５を介して加工成形された加工はんだ２６を介挿し、上
記電極４，５各々と加工はんだ２６との間に該加工はん
だ２６よりも低融点のはんだ（図示せず）を付着し、こ
の低融点のはんだのみを溶融して、上記キャップ２５と
回路基板２とを局部的に溶融接続したものである。な
お、上記キャップ２５、加工はんだ２６および回路基板
２５にて封止された内部は真空かあるいは不活性ガスの
雰囲気で部品を保護している。また、上記半導体チップ
１およびコンデンサなどの部品を回路基板２に接続する
ための接続用はんだ２４は、キャップ２５と回路基板２
とを封止する際に溶融しないように、高融点のはんだを
使用している。
【００１１】つぎに図３により、回路基板上には予め半
導体チップ等の部品が接続されているものとして、その
部品が回路基板上でキャップにより封止された電子回路
装置の製造方法を述べると、まず、図３（ａ）に示すご
とく各種材料からなる基板２上に各々の材料に適した方
法で電極５を形成する。たとえば上記基板２がアルミナ
セラミックで形成されている場合には、Ａｇ−Ｐｂおよ
びＷなどの導体ペーストを印刷、焼成して上記電極５を
形成する。導体ペーストがＷのときには、さらにＮｉメ
ッキなどをおこなって電極５を形成する。このようにし
て形成された電極５上に低融点のはんだを、たとえばＰ
ｂ−ＳｎあるいはＡｎ−Ｓｎなどの共晶はんだをはんだ
ペーストの印刷・リフロやはんだボール、真空蒸着など
による供給・リフロおよびはんだディップによりはんだ
７を形成して回路基板を作成する。同様な方法でキャッ
プ２５上の電極４にも低融点のはんだ８を形成する。つ
いで図３（ｂ）に示すごとく、上記電極４，５の形状が
たとえば円形、四角形、三角形などであるとして、これ
に対応する形状をした高融点の加工はんだ２６を形成す
る。すなわち、加工はんだ２６はたとえば９５ｗｔ％Ｐ
ｂ−５ｗｔ％Ｓｎ、８０ｗｔ％Ａｕ−２０ｗｔ％Ｓｎを
成形して、上記回路基板２上の低融点はんだ７に一致さ
せて載置する。この状態で加熱し、低融点はんだ７のみ
を溶融して加工はんだ２６を電極５上に固定する。な
お、上記加工はんだ２６は溶解・鋳造して板状に圧延し
たのち、圧延率９０％まで加工して５０°Ｃで２日間不
活性雰囲気中で熱処理をおこなったもので、この引張特
性は前記図５に示すｃ′の特性にほぼ一致した。つい
で、図３（ｃ）に示すごとく上記キャップ２５をその低
融点のはんだ８が上記加工はんだ２６に一致するごとく
載置したのち、低融点はんだ８の融点よりもわずかに高
い温度で加熱して加工はんだ２６の上部に溶融接続する
と、図３（ｄ）に示すごとく電子回路装置を得ることが
できる。上記実施例では上記加工はんだ２６の形状は直
径０．１５ｍｍ、長さ０．３ｍｍの円柱を用いている。
また上記加工はんだ２６の回路基板２への供給方法は、
電極５のパターンに対応して穴の開いたステンレスマス
クを使用している。このようにして得られたはんだ接続
部は、加工はんだ２６の融点が高く、体積も多いため、
上記低融点はんだ７，８と接続加工する加工はんだ２６
の領域が２０〜３０μｍと非常にわずかであるため、ほ
とんど加工はんだである。これを温度サイクル−５５〜
＋１５０°Ｃ、１サイクル／ｈｒ試験で寿命を評価する
と、疲労寿命は従来の鋳造はんだに比較して９５Ｐｂ−
５Ｓｎはんだで５倍、８０Ａｕ−２０Ｓｎはんだで２倍
であった。
導体チップ等の部品が接続されているものとして、その
部品が回路基板上でキャップにより封止された電子回路
装置の製造方法を述べると、まず、図３（ａ）に示すご
とく各種材料からなる基板２上に各々の材料に適した方
法で電極５を形成する。たとえば上記基板２がアルミナ
セラミックで形成されている場合には、Ａｇ−Ｐｂおよ
びＷなどの導体ペーストを印刷、焼成して上記電極５を
形成する。導体ペーストがＷのときには、さらにＮｉメ
ッキなどをおこなって電極５を形成する。このようにし
て形成された電極５上に低融点のはんだを、たとえばＰ
ｂ−ＳｎあるいはＡｎ−Ｓｎなどの共晶はんだをはんだ
ペーストの印刷・リフロやはんだボール、真空蒸着など
による供給・リフロおよびはんだディップによりはんだ
７を形成して回路基板を作成する。同様な方法でキャッ
プ２５上の電極４にも低融点のはんだ８を形成する。つ
いで図３（ｂ）に示すごとく、上記電極４，５の形状が
たとえば円形、四角形、三角形などであるとして、これ
に対応する形状をした高融点の加工はんだ２６を形成す
る。すなわち、加工はんだ２６はたとえば９５ｗｔ％Ｐ
ｂ−５ｗｔ％Ｓｎ、８０ｗｔ％Ａｕ−２０ｗｔ％Ｓｎを
成形して、上記回路基板２上の低融点はんだ７に一致さ
せて載置する。この状態で加熱し、低融点はんだ７のみ
を溶融して加工はんだ２６を電極５上に固定する。な
お、上記加工はんだ２６は溶解・鋳造して板状に圧延し
たのち、圧延率９０％まで加工して５０°Ｃで２日間不
活性雰囲気中で熱処理をおこなったもので、この引張特
性は前記図５に示すｃ′の特性にほぼ一致した。つい
で、図３（ｃ）に示すごとく上記キャップ２５をその低
融点のはんだ８が上記加工はんだ２６に一致するごとく
載置したのち、低融点はんだ８の融点よりもわずかに高
い温度で加熱して加工はんだ２６の上部に溶融接続する
と、図３（ｄ）に示すごとく電子回路装置を得ることが
できる。上記実施例では上記加工はんだ２６の形状は直
径０．１５ｍｍ、長さ０．３ｍｍの円柱を用いている。
また上記加工はんだ２６の回路基板２への供給方法は、
電極５のパターンに対応して穴の開いたステンレスマス
クを使用している。このようにして得られたはんだ接続
部は、加工はんだ２６の融点が高く、体積も多いため、
上記低融点はんだ７，８と接続加工する加工はんだ２６
の領域が２０〜３０μｍと非常にわずかであるため、ほ
とんど加工はんだである。これを温度サイクル−５５〜
＋１５０°Ｃ、１サイクル／ｈｒ試験で寿命を評価する
と、疲労寿命は従来の鋳造はんだに比較して９５Ｐｂ−
５Ｓｎはんだで５倍、８０Ａｕ−２０Ｓｎはんだで２倍
であった。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、以上述べたごとく、軟らか
く、かつ延性や疲労特性のすぐれた加工はんだを用いて
半導体および部品の封止をおこなうことができるから、
簡単な構成、容易な操作により高信頼度の電子回路装置
を得ることができ、かつ今後ますます高信頼度および高
密度が要求される面付実装の分野、たとえば計算機など
の電子回路装置の高機能化に大きい貢献をすることがで
きる。
く、かつ延性や疲労特性のすぐれた加工はんだを用いて
半導体および部品の封止をおこなうことができるから、
簡単な構成、容易な操作により高信頼度の電子回路装置
を得ることができ、かつ今後ますます高信頼度および高
密度が要求される面付実装の分野、たとえば計算機など
の電子回路装置の高機能化に大きい貢献をすることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例を示す電子回路装置の斜視図
である。
である。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面図である。
【図３】その電子回路装置の製造過程を示す説明用断面
図である。
図である。
【図４】従来の電子回路装置を示す斜視図である。
【図５】本発明にかかる加工はんだと従来のはんだとの
引張特性図である。
引張特性図である。
【図６】本発明にかかる加工はんだと従来の鋳造はんだ
との組織を示す図面に代わる写真である。
との組織を示す図面に代わる写真である。
【図７】本発明にかかるＰｂ−Ｓｎ合金の状態図であ
る。
る。
【図８】Ｐｂ−Ｉｎ合金の状態図である。
【図９】Ｐｂ−Ｓｂ合金の状態図である。
【符号の説明】２…回路基板、７，８…低融点のはんだ、４，５…電
極、２５…キャップ、２６…高融点の加工はんだ 。
極、２５…キャップ、２６…高融点の加工はんだ 。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 勝 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社 日立製作所 生産技術研究所内 (72)発明者 村田 旻 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社 日立製作所 生産技術研究所内 (72)発明者 廣田 和夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社 日立製作所 生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭51−16260（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 メタライズを有する回路基板上の部品を
キャップではんだ封止した電子回路装置であって、上記
はんだは、キャップ側に設けられた第１の低融点はんだ
と、回路基板側に設けられた第２の低融点はんだと、該
第２の低融点はんだと上記第１の低融点はんだとの間に
介挿された、予め圧延・熱処理された高融点加工はんだ
とからなり、上記第１，第２の低融点はんだ自体の溶融
によって回路基板上の実装部品がはんだ封止されてなる
構成の電子回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4125018A JPH088408B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4125018A JPH088408B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 電子回路装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208072A Division JPS6187396A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 電子回路装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275553A JPH05275553A (ja) | 1993-10-22 |
| JPH088408B2 true JPH088408B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=14899827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4125018A Expired - Lifetime JPH088408B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088408B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2890065B1 (fr) * | 2005-08-30 | 2007-09-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'encapsulation d'un composant, notamment electrique ou electronique au moyen d'un cordon de soudure ameliore |
| JP6984787B2 (ja) * | 2019-05-07 | 2021-12-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP4125018A patent/JPH088408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05275553A (ja) | 1993-10-22 |
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