JPH0884163A - 変調器 - Google Patents
変調器Info
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- JPH0884163A JPH0884163A JP22000594A JP22000594A JPH0884163A JP H0884163 A JPH0884163 A JP H0884163A JP 22000594 A JP22000594 A JP 22000594A JP 22000594 A JP22000594 A JP 22000594A JP H0884163 A JPH0884163 A JP H0884163A
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- modulator
- modulation
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】複数の異なる変調方式の変調器をまとめて短時
間で開発、設計、製造することを可能にする変調器を提
供する。 【構成】変調器２１は、発振回路部２２，ＡＳＫ変調回
路部２３，ＦＳＫ変調回路部２４を１チップのモノリシ
ックＩＣ２０内に形成し、発振回路部２２を、ＡＳＫ変
調回路部２３またはＦＳＫ変調回路部２４のどちらか一
方に、ボンディングワイヤーＢ２ａまたはＢ２ｂにて互
いに接続し、発信回路部２２に対して、モノリシックＩ
Ｃ２０の外部に配置された弾性表面波共振子１０を、ボ
ンディングワイヤーＢ２ｃにて互いに接続してなる。
間で開発、設計、製造することを可能にする変調器を提
供する。 【構成】変調器２１は、発振回路部２２，ＡＳＫ変調回
路部２３，ＦＳＫ変調回路部２４を１チップのモノリシ
ックＩＣ２０内に形成し、発振回路部２２を、ＡＳＫ変
調回路部２３またはＦＳＫ変調回路部２４のどちらか一
方に、ボンディングワイヤーＢ２ａまたはＢ２ｂにて互
いに接続し、発信回路部２２に対して、モノリシックＩ
Ｃ２０の外部に配置された弾性表面波共振子１０を、ボ
ンディングワイヤーＢ２ｃにて互いに接続してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はデジタル通信を行う微弱
電力や小電力の無線機器に用いられる変調器に関するも
のである。
電力や小電力の無線機器に用いられる変調器に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、微弱電力や小電力の無線機器は
携帯型であるものが多く、このため、無線機器に用いら
れる変調器は小型であることが望まれている。このよう
な要求に対し、発振源として用いる弾性表面波共振子等
の発振素子と、その他の回路を１チップモノリシック化
してなるＩＣとを１つにパッケージングした変調器が検
討されている。
携帯型であるものが多く、このため、無線機器に用いら
れる変調器は小型であることが望まれている。このよう
な要求に対し、発振源として用いる弾性表面波共振子等
の発振素子と、その他の回路を１チップモノリシック化
してなるＩＣとを１つにパッケージングした変調器が検
討されている。
【０００３】以下に、従来の変調器を図面を用いて説明
する。なお、周知のように、ＡＳＫ変調器は振幅変調方
式による変調器であり、ＦＳＫ変調器は周波数変調方式
による変調器である。
する。なお、周知のように、ＡＳＫ変調器は振幅変調方
式による変調器であり、ＦＳＫ変調器は周波数変調方式
による変調器である。
【０００４】図３は、従来の、１チップモノリシックＩ
Ｃ化したＡＳＫ変調器３１の構成を示す概念図である。
ＡＳＫ変調器３１は、発振回路部２２とＡＳＫ変調回路
部２３を、１チップのモノリシックＩＣ３０内に形成し
て、互いにボンディングワイヤーＢ３ａにて接続し、発
振回路部２２に対して、モノリシックＩＣ３０の外部に
配置された弾性表面波共振子１０を、ボンディングワイ
ヤーＢ３ｂにて接続してなる。
Ｃ化したＡＳＫ変調器３１の構成を示す概念図である。
ＡＳＫ変調器３１は、発振回路部２２とＡＳＫ変調回路
部２３を、１チップのモノリシックＩＣ３０内に形成し
て、互いにボンディングワイヤーＢ３ａにて接続し、発
振回路部２２に対して、モノリシックＩＣ３０の外部に
配置された弾性表面波共振子１０を、ボンディングワイ
ヤーＢ３ｂにて接続してなる。
【０００５】図４に、図３に示すＡＳＫ変調器３１の回
路図を示す。１０は１ポート型の弾性表面波共振子であ
り、Ｑ１，Ｑ２ａはＦＥＴであり、Ｃ１乃至Ｃ６，Ｃ７
ａはコンデンサであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ａ，Ｒ４ａは
抵抗であり、従来より周知の接続により構成される。こ
れら回路のうち、弾性表面波共振子１０を除く発振回路
部２２と、ＡＳＫ変調回路部２３が、１チップモノリシ
ックＩＣ化される。
路図を示す。１０は１ポート型の弾性表面波共振子であ
り、Ｑ１，Ｑ２ａはＦＥＴであり、Ｃ１乃至Ｃ６，Ｃ７
ａはコンデンサであり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ａ，Ｒ４ａは
抵抗であり、従来より周知の接続により構成される。こ
れら回路のうち、弾性表面波共振子１０を除く発振回路
部２２と、ＡＳＫ変調回路部２３が、１チップモノリシ
ックＩＣ化される。
【０００６】このように構成されたＡＳＫ変調器３１に
おいて、ＦＥＴＱ２ａのゲートにデジタル信号が入力さ
れることにより、ＦＥＴＱ２ａは、ドレインとソース間
の導通がＯＮまたはＯＦＦされるスイッチとして動作す
る。ここで、コンデンサＣ４を介したＦＥＴＱ１のソー
スからの搬送波出力は、ＦＥＴＱ２ａがＯＮの場合は、
ＦＥＴＱ２ａ，コンデンサＣ７ａを介して外部に出力さ
れ、またＦＥＴＱ２ａがＯＦＦの場合は、ＦＥＴＱ２ａ
により遮断されることにより、ＡＳＫ変調される。
おいて、ＦＥＴＱ２ａのゲートにデジタル信号が入力さ
れることにより、ＦＥＴＱ２ａは、ドレインとソース間
の導通がＯＮまたはＯＦＦされるスイッチとして動作す
る。ここで、コンデンサＣ４を介したＦＥＴＱ１のソー
スからの搬送波出力は、ＦＥＴＱ２ａがＯＮの場合は、
ＦＥＴＱ２ａ，コンデンサＣ７ａを介して外部に出力さ
れ、またＦＥＴＱ２ａがＯＦＦの場合は、ＦＥＴＱ２ａ
により遮断されることにより、ＡＳＫ変調される。
【０００７】図５は、従来の、１チップモノリシックＩ
Ｃ化したＦＳＫ変調器４１の構成を示す概念図である。
なお、図３と同一若しくは同等の部分については同じ番
号を付して説明する。ＦＳＫ変調器４１は、発振回路部
２２とＦＳＫ変調回路部２４を、１チップのモノリシッ
クＩＣ４０内に形成して、互いにボンディングワイヤー
Ｂ４ａにて接続し、発振回路部２２に対して、モノリシ
ックＩＣ４０の外部に配置された弾性表面波共振子１０
を、ボンディングワイヤーＢ４ａにて接続してなる。
Ｃ化したＦＳＫ変調器４１の構成を示す概念図である。
なお、図３と同一若しくは同等の部分については同じ番
号を付して説明する。ＦＳＫ変調器４１は、発振回路部
２２とＦＳＫ変調回路部２４を、１チップのモノリシッ
クＩＣ４０内に形成して、互いにボンディングワイヤー
Ｂ４ａにて接続し、発振回路部２２に対して、モノリシ
ックＩＣ４０の外部に配置された弾性表面波共振子１０
を、ボンディングワイヤーＢ４ａにて接続してなる。
【０００８】図６に、図５に示すＦＳＫ変調器４１の回
路図を示す。なお、図４と同一若しくは同等の部分につ
いては同じ番号を付して説明する。図６において、Ｑ２
ｂはＦＥＴであり、ＦＥＴＱ２ｂのソースとグランド間
にコンデンサＣ７ｂが接続され、ＦＥＴＱ２ｂのドレイ
ンと電源間に抵抗Ｒ３ｂが、またＦＥＴＱ２ｂのソース
と電源間に抵抗Ｒ４ｂが接続され、他の発振回路部２２
は、図４と同じ接続関係を有する。これら回路のうち、
弾性表面波共振子１０を除く、発振回路部２２とＦＳＫ
変調回路部２４が、１チップモノリシックＩＣ化され
る。
路図を示す。なお、図４と同一若しくは同等の部分につ
いては同じ番号を付して説明する。図６において、Ｑ２
ｂはＦＥＴであり、ＦＥＴＱ２ｂのソースとグランド間
にコンデンサＣ７ｂが接続され、ＦＥＴＱ２ｂのドレイ
ンと電源間に抵抗Ｒ３ｂが、またＦＥＴＱ２ｂのソース
と電源間に抵抗Ｒ４ｂが接続され、他の発振回路部２２
は、図４と同じ接続関係を有する。これら回路のうち、
弾性表面波共振子１０を除く、発振回路部２２とＦＳＫ
変調回路部２４が、１チップモノリシックＩＣ化され
る。
【０００９】このように構成されたＦＳＫ変調器４１
は、弾性表面波共振子１０と，ＦＳＫ変調回路部２４
と、コンデンサＣ６とを誘導性リアクタンス部とし、Ｆ
ＥＴＱ２ｂのゲートを変調入力部としたコルピッツ型で
構成されている。そして、ＦＥＴＱ２ｂのゲートにデジ
タル信号が入力されることにより、ＦＥＴＱ２ｂはドレ
インとソース間の導通がＯＮまたはＯＦＦされるスイッ
チとして動作し、ＯＮの場合は、コンデンサＣ６とコン
デンサＣ７ｂの並列回路が弾性表面波共振子１０と直列
に接続され、ＯＦＦの場合は、コンデンサＣ６のみが弾
性表面波共振子１０と直列に接続される。このため、入
力信号に応じて弾性表面波共振子１０と接続されるコン
デンサ容量が切り換えられ、発振する位相点が移動し、
ＦＥＴＱ１のソースからコンデンサＣ４を介して外部に
出力される搬送波出力は、２つの異なる発振周波数で発
振することによりＦＳＫ変調される。
は、弾性表面波共振子１０と，ＦＳＫ変調回路部２４
と、コンデンサＣ６とを誘導性リアクタンス部とし、Ｆ
ＥＴＱ２ｂのゲートを変調入力部としたコルピッツ型で
構成されている。そして、ＦＥＴＱ２ｂのゲートにデジ
タル信号が入力されることにより、ＦＥＴＱ２ｂはドレ
インとソース間の導通がＯＮまたはＯＦＦされるスイッ
チとして動作し、ＯＮの場合は、コンデンサＣ６とコン
デンサＣ７ｂの並列回路が弾性表面波共振子１０と直列
に接続され、ＯＦＦの場合は、コンデンサＣ６のみが弾
性表面波共振子１０と直列に接続される。このため、入
力信号に応じて弾性表面波共振子１０と接続されるコン
デンサ容量が切り換えられ、発振する位相点が移動し、
ＦＥＴＱ１のソースからコンデンサＣ４を介して外部に
出力される搬送波出力は、２つの異なる発振周波数で発
振することによりＦＳＫ変調される。
【００１０】このように、弾性表面波共振子を用いた変
調器をモノリシックＩＣ化する場合、キャリア周波数が
同じであっても、変調方式が異なれば、変調方式ごとに
別々にモノリシックＩＣを形成するのが一般的であっ
た。
調器をモノリシックＩＣ化する場合、キャリア周波数が
同じであっても、変調方式が異なれば、変調方式ごとに
別々にモノリシックＩＣを形成するのが一般的であっ
た。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
異なる変調方式の変調器ごとに別々にＩＣ化すると、部
品コストは最小となるが、開発、設計、製造にかかる総
時間は、１つの変調方式のＩＣを形成するまでの時間に
比べてかなり長く、非能率である。
異なる変調方式の変調器ごとに別々にＩＣ化すると、部
品コストは最小となるが、開発、設計、製造にかかる総
時間は、１つの変調方式のＩＣを形成するまでの時間に
比べてかなり長く、非能率である。
【００１２】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであり、複数の異なる変調方式の変調器
をまとめることにより、短時間で開発、設計、製造する
ことを可能にする変調器を提供することを目的とするも
のである。
になされたものであり、複数の異なる変調方式の変調器
をまとめることにより、短時間で開発、設計、製造する
ことを可能にする変調器を提供することを目的とするも
のである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明にかかる変調器は、１チップのモノリシック
ＩＣ内に、発振回路部、および複数の異なる変調方式の
変調回路部を形成してなることを特徴とする。また、前
記変調回路部を、ＡＳＫ変調回路部およびＦＳＫ変調回
路部としたことを特徴とする。
に、本発明にかかる変調器は、１チップのモノリシック
ＩＣ内に、発振回路部、および複数の異なる変調方式の
変調回路部を形成してなることを特徴とする。また、前
記変調回路部を、ＡＳＫ変調回路部およびＦＳＫ変調回
路部としたことを特徴とする。
【００１４】
【作用】上記の構成によれば、１チップのモノリシック
ＩＣ内に、複数の異なる変調方式の変調回路部を形成し
たことで、１つの変調器により複数の変調方式が選択で
きるようになる。
ＩＣ内に、複数の異なる変調方式の変調回路部を形成し
たことで、１つの変調器により複数の変調方式が選択で
きるようになる。
【００１５】また、１チップのモノリシックＩＣ内に、
振幅変調方式と周波数変調方式の変調回路部を形成した
ことで、１つの変調器により振幅変調方式または周波数
変調方式のいずれかを選択できるようになる。
振幅変調方式と周波数変調方式の変調回路部を形成した
ことで、１つの変調器により振幅変調方式または周波数
変調方式のいずれかを選択できるようになる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明による変調器の実施例を図面を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００１７】図１は、１チップのモノリシックＩＣ内に
発振部、ＡＳＫ変調部、およびＦＳＫ変調部を形成した
変調器２１の構成を示す概念図である。なお、図３，図
５と同一若しくは同等の部分には同じ番号を付して説明
する。変調器２１は、発振回路部２２，ＡＳＫ変調回路
部２３，ＦＳＫ変調回路部２４を１チップのモノリシッ
クＩＣ２０内に形成し、発振回路部２２を、ＡＳＫ変調
回路部２３またはＦＳＫ変調回路部２４のどちらか一方
に、ボンディングワイヤーＢ２ａまたはＢ２ｂにて互い
に接続し、発振回路部２２に対して、モノリシックＩＣ
２０の外部に配置された弾性表面波共振子１０を、ボン
ディングワイヤーＢ２ｃにて互いに接続してなる。
発振部、ＡＳＫ変調部、およびＦＳＫ変調部を形成した
変調器２１の構成を示す概念図である。なお、図３，図
５と同一若しくは同等の部分には同じ番号を付して説明
する。変調器２１は、発振回路部２２，ＡＳＫ変調回路
部２３，ＦＳＫ変調回路部２４を１チップのモノリシッ
クＩＣ２０内に形成し、発振回路部２２を、ＡＳＫ変調
回路部２３またはＦＳＫ変調回路部２４のどちらか一方
に、ボンディングワイヤーＢ２ａまたはＢ２ｂにて互い
に接続し、発振回路部２２に対して、モノリシックＩＣ
２０の外部に配置された弾性表面波共振子１０を、ボン
ディングワイヤーＢ２ｃにて互いに接続してなる。
【００１８】キャリア周波数が同じでＡＳＫ／ＦＳＫの
変調方式が異なる使用状況において、発振回路部２２は
いずれの変調方式を用いる場合でも共用され、発振回路
部２２は、ＡＳＫ変調回路部２３またはＦＳＫ変調回路
部２４のどちらかのうち目的に沿った一方に接続され
る。
変調方式が異なる使用状況において、発振回路部２２は
いずれの変調方式を用いる場合でも共用され、発振回路
部２２は、ＡＳＫ変調回路部２３またはＦＳＫ変調回路
部２４のどちらかのうち目的に沿った一方に接続され
る。
【００１９】図２に、図１に示す変調器２１の回路図を
示す。なお、図４，図６と同一若しくは同等の部分には
同じ符号を付してその説明を省略する。図２において
は、弾性表面波共振子１０を除く発振回路部２２と、Ａ
ＳＫ変調回路部２３と、ＦＳＫ変調回路部２４とが、１
チップモノリシックＩＣ化される。
示す。なお、図４，図６と同一若しくは同等の部分には
同じ符号を付してその説明を省略する。図２において
は、弾性表面波共振子１０を除く発振回路部２２と、Ａ
ＳＫ変調回路部２３と、ＦＳＫ変調回路部２４とが、１
チップモノリシックＩＣ化される。
【００２０】変調器２１をＡＳＫ変調器として用いる場
合は、発振回路部２２の電源端子Ｘ１とＡＳＫ変調回路
部２３の接続端子Ｘ４を、互いにボンディングワイヤー
にて接続し、発振回路部２２の接続端子Ｘ２とＡＳＫ変
調回路部２３の接続端子Ｘ５も、互いにボンディングワ
イヤーにて接続する。これにより、変調器２１の構成
は、従来例の変調器３１の構成と同等となり、変調器２
１はＡＳＫ変調器として用いることができる。
合は、発振回路部２２の電源端子Ｘ１とＡＳＫ変調回路
部２３の接続端子Ｘ４を、互いにボンディングワイヤー
にて接続し、発振回路部２２の接続端子Ｘ２とＡＳＫ変
調回路部２３の接続端子Ｘ５も、互いにボンディングワ
イヤーにて接続する。これにより、変調器２１の構成
は、従来例の変調器３１の構成と同等となり、変調器２
１はＡＳＫ変調器として用いることができる。
【００２１】変調器２１をＦＳＫ変調器として用いる場
合は、発振回路部２２の電源端子Ｘ１とＦＳＫ変調回路
部２４の接続端子Ｘ６を、互いにボンディングワイヤー
にて接続し、発振回路部２２の接続端子Ｘ３とＦＳＫ変
調回路部２４の接続端子Ｘ７も、互いにボンディングワ
イヤーにて接続する。これにより、変調器２１の構成
は、従来例の変調器４１の構成と同等となり、変調器２
１をＦＳＫ変調器として用いることができる。
合は、発振回路部２２の電源端子Ｘ１とＦＳＫ変調回路
部２４の接続端子Ｘ６を、互いにボンディングワイヤー
にて接続し、発振回路部２２の接続端子Ｘ３とＦＳＫ変
調回路部２４の接続端子Ｘ７も、互いにボンディングワ
イヤーにて接続する。これにより、変調器２１の構成
は、従来例の変調器４１の構成と同等となり、変調器２
１をＦＳＫ変調器として用いることができる。
【００２２】本実施例の変調器２１では、ＡＳＫ／ＦＳ
Ｋの２つの異なる変調方式の回路を、１チップモノリシ
ックＩＣ化したことにより、ＡＳＫ変調器とＦＳＫ変調
器を別々にＩＣ化する場合に比べて、短時間で開発、設
計、製造することが可能となる。
Ｋの２つの異なる変調方式の回路を、１チップモノリシ
ックＩＣ化したことにより、ＡＳＫ変調器とＦＳＫ変調
器を別々にＩＣ化する場合に比べて、短時間で開発、設
計、製造することが可能となる。
【００２３】なお、本実施例の変調器では、発振回路部
とＡＳＫ変調回路部およびＦＳＫ変調回路部を１チップ
モノリシック化したが、ＰＳＫ変調方式等、他の変調方
式の回路部も、併せて１チップモノリシック化すること
が可能である。
とＡＳＫ変調回路部およびＦＳＫ変調回路部を１チップ
モノリシック化したが、ＰＳＫ変調方式等、他の変調方
式の回路部も、併せて１チップモノリシック化すること
が可能である。
【００２４】また、本実施例の変調器では、弾性表面波
共振子を用いたが、これに代えて他の圧電共振子を用い
ることも可能である。
共振子を用いたが、これに代えて他の圧電共振子を用い
ることも可能である。
【００２５】また、本実施例の変調器では、ＦＥＴを用
いたが、これに代えてバイポーラトランジスタ等の半導
体を用いることも可能である。
いたが、これに代えてバイポーラトランジスタ等の半導
体を用いることも可能である。
【００２６】また、本実施例では発振回路部をＡＳＫ変
調回路部又はＦＳＫ変調回路部に接続する手段として、
ボンディングワイヤーを用いたが、これに代えて電子ス
イッチを用い、発振回路部と、ＡＳＫ変調回路部あるい
はＦＳＫ変調回路部の接続を、切り換えるようにするこ
とも可能である。
調回路部又はＦＳＫ変調回路部に接続する手段として、
ボンディングワイヤーを用いたが、これに代えて電子ス
イッチを用い、発振回路部と、ＡＳＫ変調回路部あるい
はＦＳＫ変調回路部の接続を、切り換えるようにするこ
とも可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる変
調器によれば、複数の異なる変調方式の変調回路部を１
チップのモノリシックＩＣ内に形成したことにより、複
数の異なる変調方式の変調器を別々にＩＣ化する場合に
比べて、短時間で開発、設計、製造することが可能とな
る。
調器によれば、複数の異なる変調方式の変調回路部を１
チップのモノリシックＩＣ内に形成したことにより、複
数の異なる変調方式の変調器を別々にＩＣ化する場合に
比べて、短時間で開発、設計、製造することが可能とな
る。
【００２８】また、変調回路部として、ＡＳＫ／ＦＳＫ
の２つの異なる変調方式の回路を、１チップモノリシッ
ク化したことにより、ＡＳＫ変調器とＦＳＫ変調器を別
々にＩＣ化する場合に比べて、短時間で開発、設計、製
造することが可能となる。
の２つの異なる変調方式の回路を、１チップモノリシッ
ク化したことにより、ＡＳＫ変調器とＦＳＫ変調器を別
々にＩＣ化する場合に比べて、短時間で開発、設計、製
造することが可能となる。
【図１】本発明の変調器の構成を示す概念図。
【図２】図１に示した構成による、本発明の変調器の回
路図。
路図。
【図３】従来のＡＳＫ変調器の構成を示す概念図。
【図４】図３に示した構成による、従来のＡＳＫ変調器
の回路図。
の回路図。
【図５】従来のＦＳＫ変調器の構成を示す概念図。
【図６】図５に示した構成による、従来のＡＳＫ変調器
の回路図。
の回路図。
２２ 発振回路部 ２３ ＡＳＫ変調回路部 ２４ ＦＳＫ変調回路部
Claims (2)
- 【請求項１】 １チップのモノリシックＩＣ内に、発振
回路部、および複数の異なる変調方式の変調回路部を形
成してなることを特徴とする、変調器。 - 【請求項２】 前記変調回路部を、ＡＳＫ変調回路部お
よびＦＳＫ変調回路部としたことを特徴とする、請求項
１に記載の変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22000594A JPH0884163A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22000594A JPH0884163A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0884163A true JPH0884163A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16744446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22000594A Pending JPH0884163A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0884163A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007018162A1 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and wireless communication system |
| JP2017017373A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | 沖電気工業株式会社 | 光通信装置及び光ネットワーク |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP22000594A patent/JPH0884163A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007018162A1 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and wireless communication system |
| US7826552B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and wireless communication system |
| JP2017017373A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | 沖電気工業株式会社 | 光通信装置及び光ネットワーク |
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