JPH0884716A - 勾配磁場コイル - Google Patents
勾配磁場コイルInfo
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- JPH0884716A JPH0884716A JP6222270A JP22227094A JPH0884716A JP H0884716 A JPH0884716 A JP H0884716A JP 6222270 A JP6222270 A JP 6222270A JP 22227094 A JP22227094 A JP 22227094A JP H0884716 A JPH0884716 A JP H0884716A
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R33/42—Screening
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、磁気共鳴映像装置用勾配磁場コイ
ルにおいて、従来のASGC並みの撮像視野と渦電流磁
場抑制効果を維持しつつ、高速な勾配磁場スイッチング
特性(または大きな勾配磁場)を有する勾配磁場コイル
を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は磁気共鳴映像装置用勾配磁場コイル
において、二重円筒の内側円筒に形成され、電流リター
ン配線の少なくとも一部が切断された指紋状電流分布を
有する主コイルと、外側円筒に形成された電流分布を有
するシールドコイルと、主コイルの電流リターン配線を
除去した部位の切断点とシールドコイルとの間を接続す
る接続用コイルと、を有し、シールドコイルは、主コイ
ルと接続用コイルが前記外側円筒の外側に形成する磁場
を消去すべく設定されたことを特徴とする。
ルにおいて、従来のASGC並みの撮像視野と渦電流磁
場抑制効果を維持しつつ、高速な勾配磁場スイッチング
特性(または大きな勾配磁場)を有する勾配磁場コイル
を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は磁気共鳴映像装置用勾配磁場コイル
において、二重円筒の内側円筒に形成され、電流リター
ン配線の少なくとも一部が切断された指紋状電流分布を
有する主コイルと、外側円筒に形成された電流分布を有
するシールドコイルと、主コイルの電流リターン配線を
除去した部位の切断点とシールドコイルとの間を接続す
る接続用コイルと、を有し、シールドコイルは、主コイ
ルと接続用コイルが前記外側円筒の外側に形成する磁場
を消去すべく設定されたことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気共鳴映像装置に係
り、特に磁場生成効率が高く、しかも渦電流に起因する
画質劣化を防止する勾配磁場コイル技術に関する。
り、特に磁場生成効率が高く、しかも渦電流に起因する
画質劣化を防止する勾配磁場コイル技術に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、医用診断装置の開発が進められる
中で、磁気共鳴映像装置(MRI)の研究開発が活発に
行われている。磁気共鳴映像法はよく知られるように、
固有の磁気モーメントを持つ核スピンの集団が一様な静
磁場中に置かれた時に、特定の周波数で回転する高周波
磁場のエネルギーを共鳴的に吸収する現象を利用して、
物質の科学的および物理的な微視的情報を映像化する方
法である。同方法は、生体の形態情報をハイコントラス
トで画像化できるばかりではなく、血液等の流れ情報、
拡散情報、化学シフト情報、酸化/還元ヘモグロビンの
磁化率の差を利用した脳機能情報等のさまざまな機能情
報も画像化できる方法として、大きな注目を集めてい
る。
中で、磁気共鳴映像装置(MRI)の研究開発が活発に
行われている。磁気共鳴映像法はよく知られるように、
固有の磁気モーメントを持つ核スピンの集団が一様な静
磁場中に置かれた時に、特定の周波数で回転する高周波
磁場のエネルギーを共鳴的に吸収する現象を利用して、
物質の科学的および物理的な微視的情報を映像化する方
法である。同方法は、生体の形態情報をハイコントラス
トで画像化できるばかりではなく、血液等の流れ情報、
拡散情報、化学シフト情報、酸化/還元ヘモグロビンの
磁化率の差を利用した脳機能情報等のさまざまな機能情
報も画像化できる方法として、大きな注目を集めてい
る。
【0003】この磁気共鳴映像法では、画像化用パルス
シーケンスにおいて、多種多様な勾配磁場のスイッチン
グを行う必要がある。上記パルスシーケンスとしては、
スピンエコー法やフィールドエコー法などの従来法、高
速スピンエコー法、高速フィールドエコー法、およびエ
コープラナー法等に代表される高速/超高速イメージン
グ法、さらに血流の分布や速度等を求める血管/血流イ
メージング法などがあげられる。
シーケンスにおいて、多種多様な勾配磁場のスイッチン
グを行う必要がある。上記パルスシーケンスとしては、
スピンエコー法やフィールドエコー法などの従来法、高
速スピンエコー法、高速フィールドエコー法、およびエ
コープラナー法等に代表される高速/超高速イメージン
グ法、さらに血流の分布や速度等を求める血管/血流イ
メージング法などがあげられる。
【0004】これらの方法は、それぞれ固有の勾配磁場
スイッチング方式を持ち、スイッチングに伴って超電導
マグネットの熱シールド群やヘリウム容器上には渦電流
が誘起される。これらの渦電流は、勾配磁場の時間的お
よび空間的性質を変調し、これらは画像ぼけ等の重大な
画像劣化の原因となる。
スイッチング方式を持ち、スイッチングに伴って超電導
マグネットの熱シールド群やヘリウム容器上には渦電流
が誘起される。これらの渦電流は、勾配磁場の時間的お
よび空間的性質を変調し、これらは画像ぼけ等の重大な
画像劣化の原因となる。
【0005】この問題を避けるため、漏洩磁場シールド
型勾配磁場コイル(アクティブシールド勾配磁場コイ
ル:ASGC)が提案されている。ASGCは、円筒面
上の電流分布によって内部に勾配磁場を生成する主コイ
ルと、それを取り囲むような円筒面上の電流分布によっ
て主コイルの漏洩磁場を外部でほぼゼルとするシールド
コイルとから構成される、同軸2重円筒形状のコイルで
ある。
型勾配磁場コイル(アクティブシールド勾配磁場コイ
ル:ASGC)が提案されている。ASGCは、円筒面
上の電流分布によって内部に勾配磁場を生成する主コイ
ルと、それを取り囲むような円筒面上の電流分布によっ
て主コイルの漏洩磁場を外部でほぼゼルとするシールド
コイルとから構成される、同軸2重円筒形状のコイルで
ある。
【0006】図17はRoemarらの提案しているA
SGCのシールドパターンを示す。静磁場方向と垂直な
方向の勾配磁場を生成するASGCでは、主コイルとシ
ールドコイルの電流分布がそれぞれ渦状で、各々が、所
望の勾配磁場を生成するための電流部(以下、磁場生成
電流という)と単に電流を帰すだけの電流部分(以下、
電流リターンという)から構成されている。しかし、A
SGCの問題として、電流リターンを持つために全体の
電流路が長くなってインダクタンスや抵抗が大きくな
り、高速な勾配磁場スイッチング特性(または大きな磁
場勾配強度)が得られないばかりでなく、駆動電力が増
加するという問題があった。
SGCのシールドパターンを示す。静磁場方向と垂直な
方向の勾配磁場を生成するASGCでは、主コイルとシ
ールドコイルの電流分布がそれぞれ渦状で、各々が、所
望の勾配磁場を生成するための電流部(以下、磁場生成
電流という)と単に電流を帰すだけの電流部分(以下、
電流リターンという)から構成されている。しかし、A
SGCの問題として、電流リターンを持つために全体の
電流路が長くなってインダクタンスや抵抗が大きくな
り、高速な勾配磁場スイッチング特性(または大きな磁
場勾配強度)が得られないばかりでなく、駆動電力が増
加するという問題があった。
【0007】従来、これらの問題に対する方法として、
ASGCの電流リターンの全部ないし一部を単純にカッ
トしてつないだ勾配磁場コイル(以下、単純カット型勾
配磁場コイルという)が提案されている。この公知例と
して、特開平4−144543号公報で開示されたもの
が知られている。同様のコイルをWongとHydeも
提案している(11th Annual Meetings of SMRM, 1992.
p711)。これらの提案の目的とするところは、電流リタ
ーンの一部をカットすることで、インダクタンスや抵抗
を小さくし、高速な勾配磁場スイッチング特性は(また
は大きな磁場勾配強度)を得ることにある。しかしこの
方法には、勾配磁場線形性(または撮像視野)と漏洩磁
場のシールド性能が、主コイルとシールドコイルを単純
にカットしたことと両者の接続配線によって大幅に劣化
するという問題があった。このため、カット量が少ない
ところで制限され、インダクタンスや抵抗の低減効果も
小さかった。
ASGCの電流リターンの全部ないし一部を単純にカッ
トしてつないだ勾配磁場コイル(以下、単純カット型勾
配磁場コイルという)が提案されている。この公知例と
して、特開平4−144543号公報で開示されたもの
が知られている。同様のコイルをWongとHydeも
提案している(11th Annual Meetings of SMRM, 1992.
p711)。これらの提案の目的とするところは、電流リタ
ーンの一部をカットすることで、インダクタンスや抵抗
を小さくし、高速な勾配磁場スイッチング特性は(また
は大きな磁場勾配強度)を得ることにある。しかしこの
方法には、勾配磁場線形性(または撮像視野)と漏洩磁
場のシールド性能が、主コイルとシールドコイルを単純
にカットしたことと両者の接続配線によって大幅に劣化
するという問題があった。このため、カット量が少ない
ところで制限され、インダクタンスや抵抗の低減効果も
小さかった。
【0008】これまでのところ、ASGCの渦電流磁場
抑制効果および勾配磁場線形性(または撮像視野)を維
持しつつ、高速な勾配磁場スイッチング特性(または大
きな磁場勾配強度)を有する、磁場生成効率の高い勾配
磁場コイルに関する提案は全くなされていなかった。
抑制効果および勾配磁場線形性(または撮像視野)を維
持しつつ、高速な勾配磁場スイッチング特性(または大
きな磁場勾配強度)を有する、磁場生成効率の高い勾配
磁場コイルに関する提案は全くなされていなかった。
【0009】また、ASGCでは、電流リターンを持つ
ために、勾配磁場線形性の良好な領域すなわち撮像視野
が軸長に対して占める割合が小さく、頭部用などの軸長
が制限されたコイルの場合には必要な撮像視野が得られ
ないという問題があった。
ために、勾配磁場線形性の良好な領域すなわち撮像視野
が軸長に対して占める割合が小さく、頭部用などの軸長
が制限されたコイルの場合には必要な撮像視野が得られ
ないという問題があった。
【0010】従来、これらの問題に対する方法として
は、ひとつのコイルの軸方向片側の電流ターンをもう一
方電流ターン部のほうへ折り返した、非対称型勾配磁場
コイルが提案されている。図18はレーマーによって提
案された横方向勾配磁場コイルの構成図であり、特開平
5−269099において開示されている。この非対称
型勾配磁場コイルの採用により、撮像視野が軸長に対し
て占める割合が大きくなり、軸長が制限されたコイルの
場合に必要な撮像視野が得ることが可能となった。しか
しこの方法には、インダクタンスが同じ勾配磁場強度の
ASGCのインダクタンスに対し約2倍になってしま
い、高速な勾配磁場スイッチング特性(または大きな磁
場勾配強度)が得られないのと共に、駆動電流が増加す
るという問題と、非対称な電流パスに働くローレンツ力
によってトルクが発生してしまうという問題があった。
は、ひとつのコイルの軸方向片側の電流ターンをもう一
方電流ターン部のほうへ折り返した、非対称型勾配磁場
コイルが提案されている。図18はレーマーによって提
案された横方向勾配磁場コイルの構成図であり、特開平
5−269099において開示されている。この非対称
型勾配磁場コイルの採用により、撮像視野が軸長に対し
て占める割合が大きくなり、軸長が制限されたコイルの
場合に必要な撮像視野が得ることが可能となった。しか
しこの方法には、インダクタンスが同じ勾配磁場強度の
ASGCのインダクタンスに対し約2倍になってしま
い、高速な勾配磁場スイッチング特性(または大きな磁
場勾配強度)が得られないのと共に、駆動電流が増加す
るという問題と、非対称な電流パスに働くローレンツ力
によってトルクが発生してしまうという問題があった。
【0011】このトルクをキャンセルする方法として、
さらにキャンセル用の電流リターンを巻いた非対称型コ
イルが提案されている。この方法の公知例として、Ab
duljalilらとPetrpoulostらが提案
しているコイルがある(ともに、1993年のSociety
of Magnetic Resonance in Medicine で発表されてい
る)。図19にAbduljalilらの提案したコイ
ルを示す。しかし、この方法では、加わった電流リター
ンによって一段とインダクタンスが増加してしまうとい
う問題があった。しかも、上記2つの方法は、渦電流磁
場が全く抑制されていないという問題を抱えていた。
さらにキャンセル用の電流リターンを巻いた非対称型コ
イルが提案されている。この方法の公知例として、Ab
duljalilらとPetrpoulostらが提案
しているコイルがある(ともに、1993年のSociety
of Magnetic Resonance in Medicine で発表されてい
る)。図19にAbduljalilらの提案したコイ
ルを示す。しかし、この方法では、加わった電流リター
ンによって一段とインダクタンスが増加してしまうとい
う問題があった。しかも、上記2つの方法は、渦電流磁
場が全く抑制されていないという問題を抱えていた。
【0012】また、上記2つの方法で強大な勾配磁場を
生成するとき、局所発熱が無視できないという問題があ
った。特に、コイルの外径が制限されている場合には導
体断面積を大きくすることができず、局所発熱が増大す
るという問題があった。
生成するとき、局所発熱が無視できないという問題があ
った。特に、コイルの外径が制限されている場合には導
体断面積を大きくすることができず、局所発熱が増大す
るという問題があった。
【0013】これまでのところ、撮像視野が大きく、イ
ンダクタンスの増加と発生トルクが抑えられ、かつ渦電
流磁場抑制効果を有する勾配磁場コイルは提案されてい
なかった。
ンダクタンスの増加と発生トルクが抑えられ、かつ渦電
流磁場抑制効果を有する勾配磁場コイルは提案されてい
なかった。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の2
重円筒形のASGCにおける電流リターンの一部を単純
にカットしてつないだ勾配場コイルでは、高速な勾配磁
場スイッチング特性(または大きな磁場勾配強度)が得
られるものの、従来ASGC並の渦電流磁場抑制効果お
よび勾配磁場線形性(または撮像視野)が実現できない
という問題があった。
重円筒形のASGCにおける電流リターンの一部を単純
にカットしてつないだ勾配場コイルでは、高速な勾配磁
場スイッチング特性(または大きな磁場勾配強度)が得
られるものの、従来ASGC並の渦電流磁場抑制効果お
よび勾配磁場線形性(または撮像視野)が実現できない
という問題があった。
【0015】また他方において、従来のASGCではコ
イルの大きさに対して撮像領域が小さく、頭部などの撮
像には十分な視野を提供できないという問題があった。
また、従来の非対称型勾配磁場コイルでは、ASGCよ
り大きな撮像視野を得るかわりに、インダクタンスが増
加するという問題と、非対称故にトルクが発生してしま
うという問題があった。
イルの大きさに対して撮像領域が小さく、頭部などの撮
像には十分な視野を提供できないという問題があった。
また、従来の非対称型勾配磁場コイルでは、ASGCよ
り大きな撮像視野を得るかわりに、インダクタンスが増
加するという問題と、非対称故にトルクが発生してしま
うという問題があった。
【0016】この発明はこのような従来の課題を解決す
るためになされたもので、その第1の目的は、従来AS
GCの渦電流磁場抑制効果および勾配磁場線形性(また
は撮像視野)を維持しつつ、高速な勾配磁場スイッチン
グ特性(または大きな磁場勾配強度)を有する勾配磁場
コイルを提供することである。
るためになされたもので、その第1の目的は、従来AS
GCの渦電流磁場抑制効果および勾配磁場線形性(また
は撮像視野)を維持しつつ、高速な勾配磁場スイッチン
グ特性(または大きな磁場勾配強度)を有する勾配磁場
コイルを提供することである。
【0017】また、第2の目的は、従来の非対称型勾配
磁場コイル並みの大きな撮像視野と従来のASGC並み
の渦電流磁場抑制効果を有し、かつインダクタンスの増
加と発生トルク及び局所発熱が抑えられた勾配磁場コイ
ルを提供することである。
磁場コイル並みの大きな撮像視野と従来のASGC並み
の渦電流磁場抑制効果を有し、かつインダクタンスの増
加と発生トルク及び局所発熱が抑えられた勾配磁場コイ
ルを提供することである。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記第1目的を達成する
ため、本願第1の発明は、磁気共鳴映像装置に用いられ
る勾配磁場コイルにおいて、二重円筒の内側円筒に形成
され、電流リターン配線の少なくとも一部が切断された
指紋状電流分布を有するコイルと、前記二重円筒の外側
円筒に形成された電流分布を有するシールドコイルと、
前記主コイルの電流リターン配線を除去した部位の切断
点と前記シールドコイルとの間を接続する接続用コイル
と、を有し、前記シールドコイルは、前記主コイルと前
記接続用コイルが前記外側円筒の外側に形成する磁場を
消去すべく設定されたことを特徴とする。
ため、本願第1の発明は、磁気共鳴映像装置に用いられ
る勾配磁場コイルにおいて、二重円筒の内側円筒に形成
され、電流リターン配線の少なくとも一部が切断された
指紋状電流分布を有するコイルと、前記二重円筒の外側
円筒に形成された電流分布を有するシールドコイルと、
前記主コイルの電流リターン配線を除去した部位の切断
点と前記シールドコイルとの間を接続する接続用コイル
と、を有し、前記シールドコイルは、前記主コイルと前
記接続用コイルが前記外側円筒の外側に形成する磁場を
消去すべく設定されたことを特徴とする。
【0019】また、本願第2の発明は、第1の発明に記
載の勾配磁場コイルにおいて、前記主コイルの電流リタ
ーン電線が前記内側円筒の被検体挿入側とは反対側に導
かれ、この位置で電流リターン配線の少なくとも一部が
切断されたことを特徴とする。
載の勾配磁場コイルにおいて、前記主コイルの電流リタ
ーン電線が前記内側円筒の被検体挿入側とは反対側に導
かれ、この位置で電流リターン配線の少なくとも一部が
切断されたことを特徴とする。
【0020】本願第3の発明は、磁気共鳴映像装置に用
いられる勾配磁場コイルにおいて、二重円筒の内側円筒
に形成され、該内側円筒の被検体挿入側とは反対側に電
流リターン配線が導かれた指紋状電流分布を有する主コ
イルと、前記二重円筒の外側円筒に形成され、前記主コ
イルが該外側円筒の外側に形成する磁場を消去するシー
ルドコイルと、を有することを特徴とする。
いられる勾配磁場コイルにおいて、二重円筒の内側円筒
に形成され、該内側円筒の被検体挿入側とは反対側に電
流リターン配線が導かれた指紋状電流分布を有する主コ
イルと、前記二重円筒の外側円筒に形成され、前記主コ
イルが該外側円筒の外側に形成する磁場を消去するシー
ルドコイルと、を有することを特徴とする。
【0021】本願第4の発明は、第1乃至第3の発明に
記載の勾配磁場コイルにおいて、当該勾配磁場コイルは
被検体の頭部撮影用であり、前記内側円筒に前記被検体
の肩部を挿入するための切り欠きを形成したことを特徴
とする。
記載の勾配磁場コイルにおいて、当該勾配磁場コイルは
被検体の頭部撮影用であり、前記内側円筒に前記被検体
の肩部を挿入するための切り欠きを形成したことを特徴
とする。
【0022】本願第5の発明は、第2の発明において、
前記電流リターン配線を円筒の被検体挿入側とは反対側
に導く配線は、該円筒の長軸方向に略平行に形成される
ことを特徴とする。
前記電流リターン配線を円筒の被検体挿入側とは反対側
に導く配線は、該円筒の長軸方向に略平行に形成される
ことを特徴とする。
【0023】本願第6の発明は、磁気共鳴映像装置に用
いられる勾配磁場コイルにおいて、二重円筒の内側円筒
に形成された電流分布を有する主コイルと、前記二重円
筒の外側円筒に形成された電流分布を有するシールドコ
イルと、前記主コイルと前記シールドコイルとに接続さ
れる接続用コイルと、を有し、前記主コイルと前記シー
ルドコイルの電流分布が、被検体挿入側の電流リターン
の少なくとも一部が切断された指紋状電流と、その切断
部で接続され、被検体挿入側とは反対側に、該円筒の長
軸方向に略平行に導かれる電流リターン配線とを有し、
被検体挿入側とは反対側において、前記主コイルと前記
シールドコイルが前記接続用コイルによって接続される
ことを特徴とする。
いられる勾配磁場コイルにおいて、二重円筒の内側円筒
に形成された電流分布を有する主コイルと、前記二重円
筒の外側円筒に形成された電流分布を有するシールドコ
イルと、前記主コイルと前記シールドコイルとに接続さ
れる接続用コイルと、を有し、前記主コイルと前記シー
ルドコイルの電流分布が、被検体挿入側の電流リターン
の少なくとも一部が切断された指紋状電流と、その切断
部で接続され、被検体挿入側とは反対側に、該円筒の長
軸方向に略平行に導かれる電流リターン配線とを有し、
被検体挿入側とは反対側において、前記主コイルと前記
シールドコイルが前記接続用コイルによって接続される
ことを特徴とする。
【0024】本願第7の発明は、第6の発明において、
主コイルおよびシールドコイルの前記指紋状電流分布と
電流リターン配線が別の層上にて形成され、主コイルの
より半径の小さい層とシールドコイルのより半径の大き
い層とが接続用コイルを介して接続されたことを特徴と
する。
主コイルおよびシールドコイルの前記指紋状電流分布と
電流リターン配線が別の層上にて形成され、主コイルの
より半径の小さい層とシールドコイルのより半径の大き
い層とが接続用コイルを介して接続されたことを特徴と
する。
【0025】本願第8の発明は、第1,第2,第6の発
明に記載の勾配磁場コイルにおいて、2チャンネルの前
記勾配磁場コイルが同一の対称軸を共有するように配置
されるとともに、一方のチャンネルの主コイル、シール
ドコイルおよび接続用コイルがもう一方のチャンネルの
主コイル、シールドコイルおよび接続用コイルに囲まれ
ていることを特徴とする。
明に記載の勾配磁場コイルにおいて、2チャンネルの前
記勾配磁場コイルが同一の対称軸を共有するように配置
されるとともに、一方のチャンネルの主コイル、シール
ドコイルおよび接続用コイルがもう一方のチャンネルの
主コイル、シールドコイルおよび接続用コイルに囲まれ
ていることを特徴とする。
【0026】
【作用】上述の如く構成された本発明によれば主コイル
の発生する漏洩磁場、及び主コイルとシールドコイルと
を接続する接続用コイル(余りリターン、渡り線)の発
生する漏洩磁場を消去するようにシールドコイルの配線
が設計される。従って、単に主コイルの発生する漏洩磁
場を消去する従来の方法よりも確実に漏洩磁場を消去す
ることが可能となる。
の発生する漏洩磁場、及び主コイルとシールドコイルと
を接続する接続用コイル(余りリターン、渡り線)の発
生する漏洩磁場を消去するようにシールドコイルの配線
が設計される。従って、単に主コイルの発生する漏洩磁
場を消去する従来の方法よりも確実に漏洩磁場を消去す
ることが可能となる。
【0027】また、本発明では、内側円筒の被検体を挿
入する開口とは反対側に電流リターン配線が配線され、
この電流リターン配線は接続用コイルを介して外側円筒
のシールドコイルに渡り線として接続される。また、電
流リターン配線の一部は余りリターンとしてループを形
成する。そして、この際主コイルとシールドコイルとで
電流の向きが逆となるので勾配磁場コイルに発生するト
ルクを抑制することができる。また、電流リターン配線
が主コイルでカットされるので、インダクタンスの増加
及び局所発熱を抑えることができるようになる。
入する開口とは反対側に電流リターン配線が配線され、
この電流リターン配線は接続用コイルを介して外側円筒
のシールドコイルに渡り線として接続される。また、電
流リターン配線の一部は余りリターンとしてループを形
成する。そして、この際主コイルとシールドコイルとで
電流の向きが逆となるので勾配磁場コイルに発生するト
ルクを抑制することができる。また、電流リターン配線
が主コイルでカットされるので、インダクタンスの増加
及び局所発熱を抑えることができるようになる。
【0028】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は、本発明に係る磁気共鳴映像装置の構成を
示すブロック図である。同図において、静磁場磁石10
1は励磁用電源102に駆動され、主勾配コイル群10
3およびシールドコイル群104は勾配コイル用電源1
05にて駆動される。これらにより、被検体106には
一様な静磁場とそれと同一方向で互いに直交する3方向
に線形磁場勾配を持つ勾配磁場が印加される。主勾配コ
イル群103とシールドコイル群104は直列接続され
共通の勾配コイル用電源105に接続されてもよいし、
上下左右の各コイルエレメントごとに複数の勾配コイル
用電源105に接続され分割駆動されてもよい。渦磁場
時間応答補償用入力信号は、渦補償回路部107にて生
成される。シムコイル群108は、シムコイル用電源1
09に駆動され、静磁場の均一性が調整される。
する。図1は、本発明に係る磁気共鳴映像装置の構成を
示すブロック図である。同図において、静磁場磁石10
1は励磁用電源102に駆動され、主勾配コイル群10
3およびシールドコイル群104は勾配コイル用電源1
05にて駆動される。これらにより、被検体106には
一様な静磁場とそれと同一方向で互いに直交する3方向
に線形磁場勾配を持つ勾配磁場が印加される。主勾配コ
イル群103とシールドコイル群104は直列接続され
共通の勾配コイル用電源105に接続されてもよいし、
上下左右の各コイルエレメントごとに複数の勾配コイル
用電源105に接続され分割駆動されてもよい。渦磁場
時間応答補償用入力信号は、渦補償回路部107にて生
成される。シムコイル群108は、シムコイル用電源1
09に駆動され、静磁場の均一性が調整される。
【0029】送信部110は高周波信号を出力するもの
であり、この高周波信号はプローブ111に送られ、被
検体106に高周波磁場が印加される。この時、プロー
ブ111は送受両用でも送受信別々に設けてもよい。ま
た、プローブ111と主勾配コイル群103の間には、
高周波シールド112が配設されている。
であり、この高周波信号はプローブ111に送られ、被
検体106に高周波磁場が印加される。この時、プロー
ブ111は送受両用でも送受信別々に設けてもよい。ま
た、プローブ111と主勾配コイル群103の間には、
高周波シールド112が配設されている。
【0030】プローブ111で受信された磁気共鳴信号
は、受信部113で検波された後、収集部111に転送
されA/D変換後、データ処理部115に送られる。そ
して、上述した励磁用電源102、勾配コイル用電源1
05、シムコイル用電源109、送信部110、受信部
113、データ収集部114は全てシステムコントロー
ラ116、及びデータ処理部115は、コンソール11
7により制御されており、データ処理部115ではデー
タ収集部114から送られたデータのフーリエ変換等が
行われ、被検体内部の所望原子核の密度分布などが計算
される。そして、得られた画像は画像ディスプレイ11
8に表示される。
は、受信部113で検波された後、収集部111に転送
されA/D変換後、データ処理部115に送られる。そ
して、上述した励磁用電源102、勾配コイル用電源1
05、シムコイル用電源109、送信部110、受信部
113、データ収集部114は全てシステムコントロー
ラ116、及びデータ処理部115は、コンソール11
7により制御されており、データ処理部115ではデー
タ収集部114から送られたデータのフーリエ変換等が
行われ、被検体内部の所望原子核の密度分布などが計算
される。そして、得られた画像は画像ディスプレイ11
8に表示される。
【0031】次に、本発明に係る具体的実施例につい
て、詳細に説明する。図2(a)は本発明の第1の実施
例に係る勾配磁場コイル、同図(b)は従来の勾配磁場
コイルの構成図であり、平面上に展開した、静磁場方向
と垂直な方向に勾配磁場を生成するコイルパターンの1
/2領域を示している。同図(a)に示すコイルは、静
磁場生成電流を主体とした電流分布を有する主コイル1
1と、主コイル11からシールドコイル12へつながる
複数の接続面13と、主コイル11および接続面13の
電流分布がつくる磁場を外部でほぼゼロにするような電
流分布を有するシールドコイル12とから構成されてい
る。接続面13では、主コイル11とシールドコイル1
2をつなぐ電流成分(以下、渡り線という)14と、主
コイル11上で蹄形状を成す電流パターン同士をつなぐ
電流成分(以下、余りパターンという)15が存在す
る。以上の電流分布はエッチング等でパターン形成され
た導体や矩形断面銅線等で実現される。ここで、本実施
例のシールドコイルは主コイル11および接続面13の
電流分布がつくる磁場をシールドしているのに対し、単
純カット型のシールドコイル(図2(b))は主コイル
や接続配線の漏洩磁場をシールドするパターンではな
い。また本発明では、主コイル、シールドコイル、およ
び接続面のすべての電流分布が存在するときに勾配磁場
線形性を確保しているのに対し、従来の単純カット型で
は、単純カットによる勾配磁場線形性の劣化が改善され
ていない。
て、詳細に説明する。図2(a)は本発明の第1の実施
例に係る勾配磁場コイル、同図(b)は従来の勾配磁場
コイルの構成図であり、平面上に展開した、静磁場方向
と垂直な方向に勾配磁場を生成するコイルパターンの1
/2領域を示している。同図(a)に示すコイルは、静
磁場生成電流を主体とした電流分布を有する主コイル1
1と、主コイル11からシールドコイル12へつながる
複数の接続面13と、主コイル11および接続面13の
電流分布がつくる磁場を外部でほぼゼロにするような電
流分布を有するシールドコイル12とから構成されてい
る。接続面13では、主コイル11とシールドコイル1
2をつなぐ電流成分(以下、渡り線という)14と、主
コイル11上で蹄形状を成す電流パターン同士をつなぐ
電流成分(以下、余りパターンという)15が存在す
る。以上の電流分布はエッチング等でパターン形成され
た導体や矩形断面銅線等で実現される。ここで、本実施
例のシールドコイルは主コイル11および接続面13の
電流分布がつくる磁場をシールドしているのに対し、単
純カット型のシールドコイル(図2(b))は主コイル
や接続配線の漏洩磁場をシールドするパターンではな
い。また本発明では、主コイル、シールドコイル、およ
び接続面のすべての電流分布が存在するときに勾配磁場
線形性を確保しているのに対し、従来の単純カット型で
は、単純カットによる勾配磁場線形性の劣化が改善され
ていない。
【0032】図20はXコイルとYコイルともに、接続
面13の電流分布を、エッチング等でパターン形成され
た導体群を主コイル導体およびシールドコイル導体にネ
ジ等で接続することによって構成した場合の層構造を軸
方向の断面で示している。図20のように、Xコイルの
主コイル導体層135とシールドコイルの導体層137
は渡り線131で接続され、Yコイルの主コイル導体層
136とシールドコイルの導体層138は渡り線132
で接続される。Xコイル,Yコイルはそれぞれこのよう
に、Xコイルの主コイル/シールドコイルのペアと、Y
コイルの主コイル/シールドコイルのペアとが“入れ
子”になっている。すなわち、Xコイルの主コイル13
5はYコイルの主コイル136の半径方向内側に位置
し、Xコイルのシールドコイル137はYコイルのシー
ルドコイル138の半径方向外側に位置する。図20の
ように、各導体層はFRP等の絶縁層139を挟んで円
筒ボビン130に固定用テープ140を使って固定され
る。スペーサ141はGコイル全体を一体化するための
樹脂が浸入しやすいように設けられている。図20のX
コイルとYコイルの層順は逆にすることも可能である。
接続のためのネジ穴はエッチングによって形成すること
ができ、接続時にその都度穴開け加工をする必要がな
い。このように接続面13の電流分布を図20の方法で
実現することで、矩形断面銅線や被覆銅線等で接続する
場合に対し、多数の接続を容易に実施することができる
とともに、接続するターンを間違える等の製造ミスを防
ぐことができる。
面13の電流分布を、エッチング等でパターン形成され
た導体群を主コイル導体およびシールドコイル導体にネ
ジ等で接続することによって構成した場合の層構造を軸
方向の断面で示している。図20のように、Xコイルの
主コイル導体層135とシールドコイルの導体層137
は渡り線131で接続され、Yコイルの主コイル導体層
136とシールドコイルの導体層138は渡り線132
で接続される。Xコイル,Yコイルはそれぞれこのよう
に、Xコイルの主コイル/シールドコイルのペアと、Y
コイルの主コイル/シールドコイルのペアとが“入れ
子”になっている。すなわち、Xコイルの主コイル13
5はYコイルの主コイル136の半径方向内側に位置
し、Xコイルのシールドコイル137はYコイルのシー
ルドコイル138の半径方向外側に位置する。図20の
ように、各導体層はFRP等の絶縁層139を挟んで円
筒ボビン130に固定用テープ140を使って固定され
る。スペーサ141はGコイル全体を一体化するための
樹脂が浸入しやすいように設けられている。図20のX
コイルとYコイルの層順は逆にすることも可能である。
接続のためのネジ穴はエッチングによって形成すること
ができ、接続時にその都度穴開け加工をする必要がな
い。このように接続面13の電流分布を図20の方法で
実現することで、矩形断面銅線や被覆銅線等で接続する
場合に対し、多数の接続を容易に実施することができる
とともに、接続するターンを間違える等の製造ミスを防
ぐことができる。
【0033】本実施例は具体的には図3に示す如くの設
計アルゴリズムで設計される。
計アルゴリズムで設計される。
【0034】まずはじめに、図3のステップ21におい
て、主コイルとシールドコイルの半径等の構造を設定
し、主コイルに磁場生成電流を主体とした電流分布を仮
定する。電流分布jのつくる磁場Bは、例えばカールソ
ン(Carlson)ら(Magnetic Resonance in Medicine. 2
6. pp191. 1992 )によると、一般に次の(1)式の関
係式から求めることができる。
て、主コイルとシールドコイルの半径等の構造を設定
し、主コイルに磁場生成電流を主体とした電流分布を仮
定する。電流分布jのつくる磁場Bは、例えばカールソ
ン(Carlson)ら(Magnetic Resonance in Medicine. 2
6. pp191. 1992 )によると、一般に次の(1)式の関
係式から求めることができる。
【0035】
【数1】 ここで、 μ0 :真空の透磁率 ρ<、ρ>:ρとρ’の小さい方および大きい方 Im 、Km :第1種および第2種変形ベッセル関数 主コイル電流分布jp とシールドコイル電流分布js は
一般に以下のように書ける。
一般に以下のように書ける。
【0036】
【数2】 ここで、 R、R’:主コイルおよびシールドコイルの半径 σφ、σz :面電流密度のφ成分、z成分 磁場生成電流を主体とした主コイルの電流分布は以下の
関係式を満たす。
関係式を満たす。
【0037】
【数3】 l:主コイル軸長 図4(a)はφ方向電流成分の典型的な基底関数のz方
向分布を図示したものである。正の部分31の面積は負
の部分32の面積より大きくなっており、その差が接続
電流成分に対応する。一方、従来のASGCでは、図4
(b)のように、正の部分33の面積は負の部分34の
面積と等しくなっている。電流密度ρφとして例えば、
向分布を図示したものである。正の部分31の面積は負
の部分32の面積より大きくなっており、その差が接続
電流成分に対応する。一方、従来のASGCでは、図4
(b)のように、正の部分33の面積は負の部分34の
面積と等しくなっている。電流密度ρφとして例えば、
【数4】 と仮定すると、(4)式は満たされる。βを本発明で初
めて導入することで、磁場生成電流を扱うことが可能と
なった。
めて導入することで、磁場生成電流を扱うことが可能と
なった。
【0038】次のステップ22ではシールドコイルの電
流分布を求める。これはシールドコイルの外部で磁場が
ゼロという条件から求められる。詳細は省くが、例えば
磁場のz成分=0から、
流分布を求める。これはシールドコイルの外部で磁場が
ゼロという条件から求められる。詳細は省くが、例えば
磁場のz成分=0から、
【数5】 が得られる。ここで、
【数6】 である。
【0039】係数anmは、磁場勾配強度Gx を所定値G
にするという条件、
にするという条件、
【数7】 および、勾配磁場の高次項をゼロにするという条件、
【数8】 さらに、インダクタンスL、
【数9】 を最小にするという条件の、計3つの条件から決定され
る。ここで、
る。ここで、
【数10】 こうして、図5(a)のように、主コイル部分41のみ
に対応したシールド電流パターン42が求められる。
に対応したシールド電流パターン42が求められる。
【0040】つづいて、図3のステップ23において、
シールド電流のリターン部分をカットし接続電流分布を
決定する。そして図5(b)のように、電流リターンの
一部ないし全部をカットし、シールドコイルの電流ター
ンと主コイルの電流ターンを渡り線43で接続する。一
般に、シールドコイルの電流ターン数は主コイルターン
数より小さいので、主コイルの電流ターンのなかにはシ
ールドコイルとつながらないターン(以下、余りターン
という)が存在する。図5(c)のように、この余りタ
ーンは、主円筒面上ないし主コイルとシールドコイルの
つなぐ接続面上で余りリターン45によって接続され
る。
シールド電流のリターン部分をカットし接続電流分布を
決定する。そして図5(b)のように、電流リターンの
一部ないし全部をカットし、シールドコイルの電流ター
ンと主コイルの電流ターンを渡り線43で接続する。一
般に、シールドコイルの電流ターン数は主コイルターン
数より小さいので、主コイルの電流ターンのなかにはシ
ールドコイルとつながらないターン(以下、余りターン
という)が存在する。図5(c)のように、この余りタ
ーンは、主円筒面上ないし主コイルとシールドコイルの
つなぐ接続面上で余りリターン45によって接続され
る。
【0041】ステップ24では、渡り線と余りリターン
に対するシールドパターン(44と46)を決定する。
例えば、ρ方向の渡り線の電流分布jl は、
に対するシールドパターン(44と46)を決定する。
例えば、ρ方向の渡り線の電流分布jl は、
【数11】 と、余りリターンの電流分布ja は、
【数12】 と記述でき、(1)式を使って同様に磁場分布が得られ
る。ここで、ρ0 、φ0、z0 は渡り線ないし余りリタ
ーンの位置である。この磁場をシールドコイルの外部で
打ち消すようなシールドパターンが求められる。
る。ここで、ρ0 、φ0、z0 は渡り線ないし余りリタ
ーンの位置である。この磁場をシールドコイルの外部で
打ち消すようなシールドパターンが求められる。
【0042】そして、つぎのステップ25では、ステッ
プ21で求めた主コイルシールドパターン42とステッ
プ24で止めた接続電流分布対応シールドパターン(4
4と46)とを重ね合わせて合成シールドパターン47
が決定される。
プ21で求めた主コイルシールドパターン42とステッ
プ24で止めた接続電流分布対応シールドパターン(4
4と46)とを重ね合わせて合成シールドパターン47
が決定される。
【0043】ステップ26では、まず、合成シールドパ
ターン47をカットして(ステップ23と同じ位置
で)、そのカットによる勾配磁場線形性の劣化成分を求
める。これはシールドパターンをカットすることで新た
に生じる磁場に相当し、(1)式を使って
ターン47をカットして(ステップ23と同じ位置
で)、そのカットによる勾配磁場線形性の劣化成分を求
める。これはシールドパターンをカットすることで新た
に生じる磁場に相当し、(1)式を使って
【数13】 と書ける。ここで、
【数14】 zcut はパターンカットのz座標である。また、接続電
流成分による劣化は、(12)式および(13)式と
(1)式とから容易に計算できる。このようにして、シ
ールドパターン47のカットおよび接続電流とによる勾
配磁場劣化成分が抽出される。
流成分による劣化は、(12)式および(13)式と
(1)式とから容易に計算できる。このようにして、シ
ールドパターン47のカットおよび接続電流とによる勾
配磁場劣化成分が抽出される。
【0044】そしてステップ27において、上記劣化成
分をキャンセルするように主コイル41とおよびそれに
対応したシールドパターン42の計算する。これはステ
ップ21と22とほぼ同じ作業であるが、(8)式と
(9)式に劣化成分の逆符号を加えることが必要とな
る。求められたシールドパターン42をカットして、ス
テップ23へもどり、以降、ループを繰り返して最適な
コイル電流パターンを見つけだす。
分をキャンセルするように主コイル41とおよびそれに
対応したシールドパターン42の計算する。これはステ
ップ21と22とほぼ同じ作業であるが、(8)式と
(9)式に劣化成分の逆符号を加えることが必要とな
る。求められたシールドパターン42をカットして、ス
テップ23へもどり、以降、ループを繰り返して最適な
コイル電流パターンを見つけだす。
【0045】こうして、主コイルと接続面の電流分布が
つくる漏洩磁場がシールドコイル外部においてほぼゼロ
になり、所望の撮像視野において良好な線形性を有した
勾配磁場を生成することができる。
つくる漏洩磁場がシールドコイル外部においてほぼゼロ
になり、所望の撮像視野において良好な線形性を有した
勾配磁場を生成することができる。
【0046】ここで、従来の単純カット型勾配磁場コイ
ルの設計手順を図6に示すフローチャートを用いて説明
する。まず、図6のステップ28において従来のASG
Cと同じ電流分布基底関数を仮定し、ステップ29にお
いて所望撮像視野とシールド性能を得るようにシールド
パターン設計を行う。図7(a)はその一例である。そ
して、主コイルとシールドコイルのパターンカットを行
い、接続配線を決定する。こうして、設計は終了する。
この際、図7(b),(c)に示したように、渡り線お
よび余りリターンによる勾配磁場劣化も残ったままであ
る。
ルの設計手順を図6に示すフローチャートを用いて説明
する。まず、図6のステップ28において従来のASG
Cと同じ電流分布基底関数を仮定し、ステップ29にお
いて所望撮像視野とシールド性能を得るようにシールド
パターン設計を行う。図7(a)はその一例である。そ
して、主コイルとシールドコイルのパターンカットを行
い、接続配線を決定する。こうして、設計は終了する。
この際、図7(b),(c)に示したように、渡り線お
よび余りリターンによる勾配磁場劣化も残ったままであ
る。
【0047】すなわち、従来の単純カット型コイルは、
撮像視野とシールド性能を犠牲にして磁場生成効率を高
くしているのに対し、本発明では、従来のASGC並の
撮像視野とシールド性能を維持しつつ、磁場生成効率の
高い勾配磁場コイルが実現可能となる。
撮像視野とシールド性能を犠牲にして磁場生成効率を高
くしているのに対し、本発明では、従来のASGC並の
撮像視野とシールド性能を維持しつつ、磁場生成効率の
高い勾配磁場コイルが実現可能となる。
【0048】したがって、提案するコイルは、従来のA
SGC並の撮像視野とシールド性能を維持しつつ、磁場
生成電流をメインにして勾配磁場コイルを構成したこと
により電流リターンが従来より少なく、同一の磁場勾配
強度のASGCと比べてインダクタンス、コイルの抵抗
すなわち発熱、および駆動電力を低減することが可能と
なるとともに、軸長を短くできる。軸長が短いことによ
って、勾配磁場スイッチング時の騒音/振動が小さくな
り、重量/製造コストも低減することができる。
SGC並の撮像視野とシールド性能を維持しつつ、磁場
生成電流をメインにして勾配磁場コイルを構成したこと
により電流リターンが従来より少なく、同一の磁場勾配
強度のASGCと比べてインダクタンス、コイルの抵抗
すなわち発熱、および駆動電力を低減することが可能と
なるとともに、軸長を短くできる。軸長が短いことによ
って、勾配磁場スイッチング時の騒音/振動が小さくな
り、重量/製造コストも低減することができる。
【0049】以上は従来のASGCとほぼ同じ勾配磁場
強度と撮像視野を有する場合である。この他、従来のA
SGCとほぼ同じインダクタンスと撮像視野を有する変
形例が考えられる。この場合は、(8)式の勾配磁場強
度の設定値を大きくして上記パターン設計を行い、イン
ダクタンスの最小値が従来のASGCとほぼ同じになっ
たことに対応する。
強度と撮像視野を有する場合である。この他、従来のA
SGCとほぼ同じインダクタンスと撮像視野を有する変
形例が考えられる。この場合は、(8)式の勾配磁場強
度の設定値を大きくして上記パターン設計を行い、イン
ダクタンスの最小値が従来のASGCとほぼ同じになっ
たことに対応する。
【0050】また他の変形例として、従来のASGCと
同じ半径と軸長を有する勾配磁場コイルがある。この場
合には、(9)式においてさらに高次の項をゼロとする
ことにより、ASGCと同じ構造(半径、軸長等)を持
つコイルでより撮像視野を大きくすることが可能とな
る。
同じ半径と軸長を有する勾配磁場コイルがある。この場
合には、(9)式においてさらに高次の項をゼロとする
ことにより、ASGCと同じ構造(半径、軸長等)を持
つコイルでより撮像視野を大きくすることが可能とな
る。
【0051】次に、本発明の第2の実施例を図8に示
す。本実施例は、円筒状主コイル(xコイル)51の軸
方向端の片側2ケ所、計4ケ所に矩形状の切れ込み(以
下、切り欠きという)52を有している。主コイルの電
流分布53は切り欠き52を取り囲むように配置されて
いる。従来の円筒状の頭部用勾配磁場コイルではコイル
軸長が被検体54の肩で制限されていたが、これらの切
り欠き52により、軸長のより大きいコイルにすること
ができる。例えば前述のCarlsonの論文にも示さ
れているように、コイル軸長が長いほど磁場生成効率が
高くなる傾向があるので、本実施例によってさらに磁場
生成効率を高くすることが可能となる。本実施例を実現
するには、(5)式を次のように変更して第1の実施例
の場合と同様なアルゴリズムで設計を行う。
す。本実施例は、円筒状主コイル(xコイル)51の軸
方向端の片側2ケ所、計4ケ所に矩形状の切れ込み(以
下、切り欠きという)52を有している。主コイルの電
流分布53は切り欠き52を取り囲むように配置されて
いる。従来の円筒状の頭部用勾配磁場コイルではコイル
軸長が被検体54の肩で制限されていたが、これらの切
り欠き52により、軸長のより大きいコイルにすること
ができる。例えば前述のCarlsonの論文にも示さ
れているように、コイル軸長が長いほど磁場生成効率が
高くなる傾向があるので、本実施例によってさらに磁場
生成効率を高くすることが可能となる。本実施例を実現
するには、(5)式を次のように変更して第1の実施例
の場合と同様なアルゴリズムで設計を行う。
【0052】
【数15】 ここで、
【数16】 図9は第2実施例の変形例を示す説明であり、yコイル
について第2の実施例と同様の切り欠きを導入したもの
である。
について第2の実施例と同様の切り欠きを導入したもの
である。
【0053】上記の実施例はともに矩形状の切り欠きを
有する場合であるが、他の形状の切り欠きであっても同
様の効果をもつことは当然である。切り欠きの形状とし
て、半円形、半楕円形、放物線形、台形等が考えられ
る。
有する場合であるが、他の形状の切り欠きであっても同
様の効果をもつことは当然である。切り欠きの形状とし
て、半円形、半楕円形、放物線形、台形等が考えられ
る。
【0054】図10は本発明の第3の実施例に係る勾配
磁場コイルを示す説明図である。同図は平面上に展開し
た、静磁場方向と垂直な方向に勾配磁場を生成するコイ
ルパターンの全領域の図である。同実施例は、磁場生成
電流を主体とした電流分布を有するコイル91と、主コ
イル91からシールドコイル92へつながる複数の接続
面93と、主コイル91および接続面93の電流分布が
つくる磁場の一部ないし全部をコイル外部で打ち消すよ
うな電流分布を有するシールドコイル92とから構成さ
れている。接続面93では、主コイル91とシールドコ
イル92をつなぐ電流成分(以下、渡り線という)94
と、主コイル91上でほぼ同心の蹄形状を成す電流ター
ン同士をつなぐ電流成分(以下余りリターン)95が存
在する。以上すべての電流分布によりコイル内部の所望
の撮像視野において線形性の高い勾配磁場が生成され
る。また、シールドコイル92の電流パターンは、主コ
イル91と接続面93の電流分布が生成する漏洩磁場の
ほぼ全て打ち消すように設定されている。以上の電流分
布はエッチング等でパターン形成された矩形断面銅線等
で実現される。
磁場コイルを示す説明図である。同図は平面上に展開し
た、静磁場方向と垂直な方向に勾配磁場を生成するコイ
ルパターンの全領域の図である。同実施例は、磁場生成
電流を主体とした電流分布を有するコイル91と、主コ
イル91からシールドコイル92へつながる複数の接続
面93と、主コイル91および接続面93の電流分布が
つくる磁場の一部ないし全部をコイル外部で打ち消すよ
うな電流分布を有するシールドコイル92とから構成さ
れている。接続面93では、主コイル91とシールドコ
イル92をつなぐ電流成分(以下、渡り線という)94
と、主コイル91上でほぼ同心の蹄形状を成す電流ター
ン同士をつなぐ電流成分(以下余りリターン)95が存
在する。以上すべての電流分布によりコイル内部の所望
の撮像視野において線形性の高い勾配磁場が生成され
る。また、シールドコイル92の電流パターンは、主コ
イル91と接続面93の電流分布が生成する漏洩磁場の
ほぼ全て打ち消すように設定されている。以上の電流分
布はエッチング等でパターン形成された矩形断面銅線等
で実現される。
【0055】この実施例は具体的には第1実施例で説明
した図3に示したフローチャートに従って設計されるの
で、以下、同図に従って設計の流れを説明する。
した図3に示したフローチャートに従って設計されるの
で、以下、同図に従って設計の流れを説明する。
【0056】ますはじめに、図3のステップ21におい
て、主コイルとシールドコイルの半径等の構造を設定
し、主コイルに磁場生成電流を主体とした電流分布を仮
定する。電流分布jのつくる磁場Bは既に示したように
(1)式で示される。
て、主コイルとシールドコイルの半径等の構造を設定
し、主コイルに磁場生成電流を主体とした電流分布を仮
定する。電流分布jのつくる磁場Bは既に示したように
(1)式で示される。
【0057】また、主コイル電流分布jp とシールドコ
イル電流分布js は一般に次の(2)式、(18)式の
ように書ける。
イル電流分布js は一般に次の(2)式、(18)式の
ように書ける。
【0058】
【数17】 R、R’:主コイルおよびシールドコイルの半径 σφ、σz :面電流密度のφ成分、z成分 磁場生成電流を主体とした主コイルの電流分布は以下の
関係式を満たす。
関係式を満たす。
【0059】
【数18】 z1 、z2 :主コイル両端のz座標 いま、aφとして例えば
【数19】 と仮定すると、(19)式は満たされる。βc およびβ
s を本発明で初めて導入することで、磁場生成電流を扱
うことが可能となった。
s を本発明で初めて導入することで、磁場生成電流を扱
うことが可能となった。
【0060】次のステップ22ではシールドコイルの電
流分布を求める。
流分布を求める。
【0061】この手順は、前記した第1の実施例で示し
たように、(6)式〜(11)式で求めることができ
る。
たように、(6)式〜(11)式で求めることができ
る。
【0062】こうして、図11(a)のように、主コイ
ル部分121のみに対応したシールド電流パターン12
2が求められる。
ル部分121のみに対応したシールド電流パターン12
2が求められる。
【0063】つづいて、図3のステップ23において、
シールド電流のリターン部分をカットし接続電流分布を
決定する。電流リターン123の一部ないし全部をカッ
トし、図11(b)のように、シールドコイルの電流タ
ーンと主コイルの電流ターンを渡り線124で接続す
る。一般に、シールドコイルの電流ターン数は主コイル
ターン数より小さいので、主コイルの電流ターンのなか
にはシールドコイルとつながらないターン(以下、余り
ターンという)が存在する。図11(c)のように、こ
の余りターンは、主コイル円筒面上ないし主コイルとシ
ールドコイルのつなぐ接続面上で余りターン126によ
って接続される。
シールド電流のリターン部分をカットし接続電流分布を
決定する。電流リターン123の一部ないし全部をカッ
トし、図11(b)のように、シールドコイルの電流タ
ーンと主コイルの電流ターンを渡り線124で接続す
る。一般に、シールドコイルの電流ターン数は主コイル
ターン数より小さいので、主コイルの電流ターンのなか
にはシールドコイルとつながらないターン(以下、余り
ターンという)が存在する。図11(c)のように、こ
の余りターンは、主コイル円筒面上ないし主コイルとシ
ールドコイルのつなぐ接続面上で余りターン126によ
って接続される。
【0064】ステップ24では、渡り線と余りリターン
に対するシールドパターン(45と47)を決定する。
この決定方法は第1の実施例同様である。
に対するシールドパターン(45と47)を決定する。
この決定方法は第1の実施例同様である。
【0065】そして、つぎのステップ25では、ステッ
プ21で求めた主コイル対応シールドパターン192と
ステップ124で求めた接続電流分布対応シールドパタ
ーン(45と47)とを重ね合わせて合成シールドパタ
ーン128が決定される。
プ21で求めた主コイル対応シールドパターン192と
ステップ124で求めた接続電流分布対応シールドパタ
ーン(45と47)とを重ね合わせて合成シールドパタ
ーン128が決定される。
【0066】ステップ26では、まず、合成シールドパ
ターン128をカットして(ステップ23と同じ位置
で)、そのカットによる勾配磁場線形性の劣化成分を求
める。そしてステップ27において、上記劣化成分をキ
ャンセルするように、主コイル121とおよびそれに対
応したシールドパターン142を計算する。求められた
シールドパターン122をカットして、ステップ23へ
もどり、以降、ループを繰り返して最適なコイル電流パ
ターンを見つけだす。
ターン128をカットして(ステップ23と同じ位置
で)、そのカットによる勾配磁場線形性の劣化成分を求
める。そしてステップ27において、上記劣化成分をキ
ャンセルするように、主コイル121とおよびそれに対
応したシールドパターン142を計算する。求められた
シールドパターン122をカットして、ステップ23へ
もどり、以降、ループを繰り返して最適なコイル電流パ
ターンを見つけだす。
【0067】こうして、漏洩磁場がほぼゼロであり、か
つ所望の撮像視野において高線形性を有した勾配磁場を
生成することができる。シールドコイルの磁場打ち消し
効果のために、主コイルのターン数は非シールドタイプ
のターン数に比べて多くなっているが、電流リターンの
カットによりインダクタンスの増加が抑えられている。
つ所望の撮像視野において高線形性を有した勾配磁場を
生成することができる。シールドコイルの磁場打ち消し
効果のために、主コイルのターン数は非シールドタイプ
のターン数に比べて多くなっているが、電流リターンの
カットによりインダクタンスの増加が抑えられている。
【0068】また、主コイルとシールドコイルでは電流
の向きが逆なので、電流ターンに働くローレンツ力が打
ち消しあい、コイル全体が受けるトルクは小さくでき
る。渡り線に働くローレンツ力は図12に示したように
なる。図12は静磁場方向へ勾配磁場コイルをみた場合
の図であり、符号57が主コイル、符号58がシールド
コイルを示している。各渡り線に対してローレンツ力5
5は静磁場と電流方向56に直角であり、渡り線全体と
してxの負の方向にローレンツ力を受ける。余りリター
ンに働くローレンツ力61は、図13に示すように、x
の正の方向に向く。つまり、渡り線と余りリターン働く
ローレンツ力は打ち消しあい、発生するトルクは小さ
い。したがって、本発明の勾配磁場コイルのトルクは従
来の非対称型勾配磁場コイルのトルクより大幅に小さく
できる。
の向きが逆なので、電流ターンに働くローレンツ力が打
ち消しあい、コイル全体が受けるトルクは小さくでき
る。渡り線に働くローレンツ力は図12に示したように
なる。図12は静磁場方向へ勾配磁場コイルをみた場合
の図であり、符号57が主コイル、符号58がシールド
コイルを示している。各渡り線に対してローレンツ力5
5は静磁場と電流方向56に直角であり、渡り線全体と
してxの負の方向にローレンツ力を受ける。余りリター
ンに働くローレンツ力61は、図13に示すように、x
の正の方向に向く。つまり、渡り線と余りリターン働く
ローレンツ力は打ち消しあい、発生するトルクは小さ
い。したがって、本発明の勾配磁場コイルのトルクは従
来の非対称型勾配磁場コイルのトルクより大幅に小さく
できる。
【0069】さらに、従来のASGCおよび非対称型勾
配磁場コイルに比べてコイル軸長が短くなり、かつコイ
ルに働くローレンツ力が小さくなることで、勾配磁場ス
イッチング時の騒音/振動を低減できる。また、コイル
軸長が短くなることにより重量/製造コストを避けるこ
とが可能となる。
配磁場コイルに比べてコイル軸長が短くなり、かつコイ
ルに働くローレンツ力が小さくなることで、勾配磁場ス
イッチング時の騒音/振動を低減できる。また、コイル
軸長が短くなることにより重量/製造コストを避けるこ
とが可能となる。
【0070】図14は本発明の第4の実施例を示したも
ので、主コイル71(同図(a))、シールドコイル7
2(同図(b))それぞれの電流ターンの平面展開図の
1/2である。本実施例は、従来のASGCの電流リタ
ーンの一部ないし全部をカットし、コイルの一方の片側
の各ターンの端点73からz方向にほぼ平行となる電流
路(以下、z方向電流路という。図14の一点鎖線に対
応)74によりコイルの一方の端75に電流ターンを寄
せて、各ターンを余りリターン76で接続することで構
成される。同図(a),(b)の点線を含めた渦状パタ
ーン77は従来のASGCと同じであり、点線部はカッ
トされた電流パターンである。z方向電流路74は、磁
場のz方向成分を生成しないので勾配磁場線形性に影響
を与えないし、ローレンツ力も加わらない。即ち、主コ
イルおよびシールドコイルは、勾配磁場を生成する指紋
状電流分布と、勾配磁場を生成しないz方向流路とで構
成される。図21の領域154は主コイルないしシール
ドコイルの指紋状電流分布とz方向電流路との接続を表
しており、両者間は各電流ターン毎に接続される。
ので、主コイル71(同図(a))、シールドコイル7
2(同図(b))それぞれの電流ターンの平面展開図の
1/2である。本実施例は、従来のASGCの電流リタ
ーンの一部ないし全部をカットし、コイルの一方の片側
の各ターンの端点73からz方向にほぼ平行となる電流
路(以下、z方向電流路という。図14の一点鎖線に対
応)74によりコイルの一方の端75に電流ターンを寄
せて、各ターンを余りリターン76で接続することで構
成される。同図(a),(b)の点線を含めた渦状パタ
ーン77は従来のASGCと同じであり、点線部はカッ
トされた電流パターンである。z方向電流路74は、磁
場のz方向成分を生成しないので勾配磁場線形性に影響
を与えないし、ローレンツ力も加わらない。即ち、主コ
イルおよびシールドコイルは、勾配磁場を生成する指紋
状電流分布と、勾配磁場を生成しないz方向流路とで構
成される。図21の領域154は主コイルないしシール
ドコイルの指紋状電流分布とz方向電流路との接続を表
しており、両者間は各電流ターン毎に接続される。
【0071】図15は本発明第5の実施例であり、同図
(a)は主コイル、同図(b)はシールドコイルを示し
ている。本実施例は、第4の実施例における主コイルと
シールドコイルを渡り線81で接続するとともに、主コ
イル、渡り線81、および余りリターン82とによる漏
洩磁場を打ち消すように合成シールドパターンが形成さ
れている。合成シールドパターンの片側はz方向電流路
によりもう一方の側で接続される。渡り線81を導入す
ることで、主コイルおよひシールドコイルの余りリター
ン82の本数が少なくなり、インダクタンスを第4の実
施例より小さくすることが可能となる。
(a)は主コイル、同図(b)はシールドコイルを示し
ている。本実施例は、第4の実施例における主コイルと
シールドコイルを渡り線81で接続するとともに、主コ
イル、渡り線81、および余りリターン82とによる漏
洩磁場を打ち消すように合成シールドパターンが形成さ
れている。合成シールドパターンの片側はz方向電流路
によりもう一方の側で接続される。渡り線81を導入す
ることで、主コイルおよひシールドコイルの余りリター
ン82の本数が少なくなり、インダクタンスを第4の実
施例より小さくすることが可能となる。
【0072】図21は本実施例の軸方向断面の具体的な
例を示す説明図である。図21のようにXコイル,Yコ
イルはそれぞれ4層の導体層から成り、各導体層の間に
は絶縁層が挟まれている。渡り線142はXコイルの主
コイルの指紋状電流分布層143とXコイルのシールド
コイルの指紋状電流分布144との間を接続し、渡り線
145はXコイルの主コイルのz方向電流路層146と
Xコイルのシールドコイルのz方向電流路層147との
間を接続する。Yコイルの主コイルシールドコイル間の
接続はXコイルと同様である。すなわち、渡り線148
はYコイルの主コイル指紋状電流分布層149とYコイ
ルのシールドコイルの指紋状電流分布層150との間を
接続し、渡り線151はYコイルの主コイルのz方向電
流路層152とYコイルのシールドコイルのz方向電流
路層153との間を接続する。主コイルないしシールド
コイルのz方向電流路層と指紋状電流分布層は図21の
領域154で接続される。このように構成することで、
各電流層の導体断面積を大きくすることができ、20m
T/mを越えるような強大な勾配磁場を生成する際の局
所発熱を低減することができる。図21では、主コイル
およびシールドコイルの指紋状電流分布層と両者を接続
する渡り線が主コイルおよびシールドコイルのz方向電
流路層と両者を接続する渡り線を囲むように構成されて
いるが、後者が前者を囲むように層順を変更して接続す
るような構成とすることもできる。
例を示す説明図である。図21のようにXコイル,Yコ
イルはそれぞれ4層の導体層から成り、各導体層の間に
は絶縁層が挟まれている。渡り線142はXコイルの主
コイルの指紋状電流分布層143とXコイルのシールド
コイルの指紋状電流分布144との間を接続し、渡り線
145はXコイルの主コイルのz方向電流路層146と
Xコイルのシールドコイルのz方向電流路層147との
間を接続する。Yコイルの主コイルシールドコイル間の
接続はXコイルと同様である。すなわち、渡り線148
はYコイルの主コイル指紋状電流分布層149とYコイ
ルのシールドコイルの指紋状電流分布層150との間を
接続し、渡り線151はYコイルの主コイルのz方向電
流路層152とYコイルのシールドコイルのz方向電流
路層153との間を接続する。主コイルないしシールド
コイルのz方向電流路層と指紋状電流分布層は図21の
領域154で接続される。このように構成することで、
各電流層の導体断面積を大きくすることができ、20m
T/mを越えるような強大な勾配磁場を生成する際の局
所発熱を低減することができる。図21では、主コイル
およびシールドコイルの指紋状電流分布層と両者を接続
する渡り線が主コイルおよびシールドコイルのz方向電
流路層と両者を接続する渡り線を囲むように構成されて
いるが、後者が前者を囲むように層順を変更して接続す
るような構成とすることもできる。
【0073】図16は、本発明の第6の実施例であり、
同図(a)は主コイル、同図(b)はシールドコイルを
示している。本実施例は、第5の実施例におけるz方向
電流路による漏洩磁場もシールドするように合成シール
ドパターンを形成している。主コイル上のz方向電流路
の電流密度はjlzは、
同図(a)は主コイル、同図(b)はシールドコイルを
示している。本実施例は、第5の実施例におけるz方向
電流路による漏洩磁場もシールドするように合成シール
ドパターンを形成している。主コイル上のz方向電流路
の電流密度はjlzは、
【数20】 と書けるので、渡り線、余りリターンと同様に、図3の
ステップ24において主コイル上のz方向電流路83に
対応するシールドパターンを求め、ステップ26におい
て合成シールドパターンのカットによる勾配磁場劣化成
分を抽出し、第3の実施例と同じアルゴリズムで劣化を
キャンセルできる。したがって、本実施例は、第5の実
施例よりシールド性能を高めた勾配磁場コイルである。
ステップ24において主コイル上のz方向電流路83に
対応するシールドパターンを求め、ステップ26におい
て合成シールドパターンのカットによる勾配磁場劣化成
分を抽出し、第3の実施例と同じアルゴリズムで劣化を
キャンセルできる。したがって、本実施例は、第5の実
施例よりシールド性能を高めた勾配磁場コイルである。
【0074】同時に、本実施例は、第3の実施例の主コ
イル電流分布を2層で構成し、かつそのうち1つの層が
z方向電流路層になっており、もう1つの層が指紋状電
流分布層になっている場合に相当する。図22は本実施
例の軸方向断面を示している。主コイルは2層の導体層
で、シールドコイルは1層の導体層でそれぞれ構成され
る。Xコイルの主コイルの1の指紋状電流分布層156
とz方向電流層159はともにXコイルのシールドコイ
ル157に渡り線155と158で接続される。Yコイ
ルの主コイルの指紋状電流分布層161とz方向電流層
164はともにYコイルのシールドコイル162に渡り
線160と163で接続される。主コイル電流分布を2
層で構成することで、渡り線や余りリターンを接続する
位置に近い領域において、1層当りの円周方向のターン
数を小さくすることができ、1ターン当りの導体断面積
が大きくなって、局所発熱を小さくすることができる。
したがって、本実施例は、第5の実施例よりシールド性
能が高まっていて、第3の実施例と同等の磁場性能を有
するとともに、第3実施例より局所発熱が小さくなって
いる。
イル電流分布を2層で構成し、かつそのうち1つの層が
z方向電流路層になっており、もう1つの層が指紋状電
流分布層になっている場合に相当する。図22は本実施
例の軸方向断面を示している。主コイルは2層の導体層
で、シールドコイルは1層の導体層でそれぞれ構成され
る。Xコイルの主コイルの1の指紋状電流分布層156
とz方向電流層159はともにXコイルのシールドコイ
ル157に渡り線155と158で接続される。Yコイ
ルの主コイルの指紋状電流分布層161とz方向電流層
164はともにYコイルのシールドコイル162に渡り
線160と163で接続される。主コイル電流分布を2
層で構成することで、渡り線や余りリターンを接続する
位置に近い領域において、1層当りの円周方向のターン
数を小さくすることができ、1ターン当りの導体断面積
が大きくなって、局所発熱を小さくすることができる。
したがって、本実施例は、第5の実施例よりシールド性
能が高まっていて、第3の実施例と同等の磁場性能を有
するとともに、第3実施例より局所発熱が小さくなって
いる。
【0075】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、従
来のASGCの渦電流磁場抑制効果および勾配磁場線形
性(または撮像視野)を維持しつつ、高速な勾配磁場ス
イッチング特性(または大きな磁場勾配強度)を有する
勾配磁場コイルが実現できる。また、従来のASGCと
ほぼ同じ構造と渦電流磁場抑制効果を持ち、しかもAS
GCより優れた勾配磁場線形性(またはより大きな撮像
視野)を有する勾配磁場コイルが実現できる。
来のASGCの渦電流磁場抑制効果および勾配磁場線形
性(または撮像視野)を維持しつつ、高速な勾配磁場ス
イッチング特性(または大きな磁場勾配強度)を有する
勾配磁場コイルが実現できる。また、従来のASGCと
ほぼ同じ構造と渦電流磁場抑制効果を持ち、しかもAS
GCより優れた勾配磁場線形性(またはより大きな撮像
視野)を有する勾配磁場コイルが実現できる。
【0076】また、本願発明により、従来のASGCと
比べてコイル軸長に対して撮像視野の占める割合を大き
くでき、頭部等において線形性の高い勾配磁場を形成す
ることが可能となる。また、従来の非対称型勾配磁場コ
イルと比べて、漏洩磁場が大幅に低減され、しかもトル
クを小さくすることが可能となる。また、電流分布を、
勾配磁場を生成しない軸方向電流分布と、勾配磁場を生
成する指紋状電流分布とに分割することで、局所の導体
断面積を大きくすることができ、局所発熱を小さくする
ことができる。
比べてコイル軸長に対して撮像視野の占める割合を大き
くでき、頭部等において線形性の高い勾配磁場を形成す
ることが可能となる。また、従来の非対称型勾配磁場コ
イルと比べて、漏洩磁場が大幅に低減され、しかもトル
クを小さくすることが可能となる。また、電流分布を、
勾配磁場を生成しない軸方向電流分布と、勾配磁場を生
成する指紋状電流分布とに分割することで、局所の導体
断面積を大きくすることができ、局所発熱を小さくする
ことができる。
【図1】本発明に係る頭部撮影用勾配磁場コイルが適用
される磁気共鳴映像装置の構成を示すブロック図であ
る。
される磁気共鳴映像装置の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】本発明の第1実施例に係る勾配磁場コイルの配
線パターン、及び従来の単純カット型勾配磁場コイルの
配線パターンを示す説明図である。
線パターン、及び従来の単純カット型勾配磁場コイルの
配線パターンを示す説明図である。
【図3】本発明の第1実施例に係る勾配磁場コイルを設
計する手順を示すフローチャートである。
計する手順を示すフローチャートである。
【図4】主コイルの直径方向の電流成分の基底関数を示
す説明図であり、(a)が第1実施例、(b)が従来例
である。
す説明図であり、(a)が第1実施例、(b)が従来例
である。
【図5】第1実施例に係るシールドパターンを作成する
手順を示す説明図である。
手順を示す説明図である。
【図6】従来例に係る勾配磁場コイルを設計する手順を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図7】従来例におけるシールドパターンを作成する手
順を示す説明図である。
順を示す説明図である。
【図8】本発明の第2実施例に係る勾配磁場コイルを示
す構成図である。
す構成図である。
【図9】第2実施例に係る勾配磁場コイルの変形例を示
す構成図である。
す構成図である。
【図10】本発明の第3実施例に係る勾配磁場コイルの
配線パターンを示す説明図である。
配線パターンを示す説明図である。
【図11】第3実施例に係るシールドパターンを作成す
る手順を示す説明図である。
る手順を示す説明図である。
【図12】渡り線に働くローレンツ力を示す説明図であ
る。
る。
【図13】余りリターンに働くローレンツ力を示す説明
図である。
図である。
【図14】本発明の第4実施例に係る勾配磁場コイルの
配線パターンを示す説明図である。
配線パターンを示す説明図である。
【図15】本発明の第5実施例に係る勾配磁場コイルの
配線パターンを示す説明図である。
配線パターンを示す説明図である。
【図16】第5実施例の変形例に係る勾配磁場コイルの
配線パターンを示す説明図である。
配線パターンを示す説明図である。
【図17】従来のASGCのxコイルの導線パターンを
示す説明図である。
示す説明図である。
【図18】従来の非対称型勾配磁場コイルの構成を示す
説明である。
説明である。
【図19】従来のトルクキャンセル非対象型勾配磁場コ
イルの構成を示す説明図である。
イルの構成を示す説明図である。
【図20】本発明の第4の実施例の軸方向断面を示す図
である。
である。
【図21】本発明の第5の実施例の軸方向断面を示す図
である。
である。
【図22】本発明の第6の実施例の軸方向断面を示す図
である。
である。
11,91 主コイル 12,92 シールドコイル 13,93 接続面 14,94 渡り線 15,
95 余りリターン 51 円筒状主コイル 52切り欠き 53 電流
分布 54 被検体 55 ローレンツ力 56 電流方
向 57,63,71 主コイル 58,64,72 シ
ールドコイル 61 ローレンツ力 62 渡り線 73 カット
後のターン端点 74,83 z方向電流路 75 カット後の接続側
ターン端点 76,82 余りリターン 77 ASGCパターン
81 渡り線 101 静磁場磁石、 102 励磁用電源 103
主コイル 104 シールドコイル 105 勾配コイル用電源
106 被検体 107 渦補償回路 108 シムコイル 109
シムコイル用電源 110 送信部 111 プローブ 112 高周
波シールド 113 受信部 114 データ収集部 115
データ処理部 116 システムコントローラ 117 コンソール 118 画像ディスプレイ
95 余りリターン 51 円筒状主コイル 52切り欠き 53 電流
分布 54 被検体 55 ローレンツ力 56 電流方
向 57,63,71 主コイル 58,64,72 シ
ールドコイル 61 ローレンツ力 62 渡り線 73 カット
後のターン端点 74,83 z方向電流路 75 カット後の接続側
ターン端点 76,82 余りリターン 77 ASGCパターン
81 渡り線 101 静磁場磁石、 102 励磁用電源 103
主コイル 104 シールドコイル 105 勾配コイル用電源
106 被検体 107 渦補償回路 108 シムコイル 109
シムコイル用電源 110 送信部 111 プローブ 112 高周
波シールド 113 受信部 114 データ収集部 115
データ処理部 116 システムコントローラ 117 コンソール 118 画像ディスプレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 9307−2G G01R 33/22
Claims (8)
- 【請求項1】 磁気共鳴映像装置に用いられる勾配磁場
コイルにおいて、 二重円筒の内側円筒に形成され、電流リターン配線の少
なくとも一部が切断された指紋状電流分布を有するコイ
ルと、 前記二重円筒の外側円筒に形成された電流分布を有する
シールドコイルと、 前記主コイルの電流リターン配線を除去した部位の切断
点と前記シールドコイルとの間を接続する接続用コイル
と、 を有し、 前記シールドコイルは、前記主コイルと前記接続用コイ
ルが前記外側円筒の外側に形成する磁場を消去すべく設
定されたことを特徴とする勾配磁場コイル。 - 【請求項2】 請求項1記載の勾配磁場コイルにおい
て、 前記主コイルの電流リターン電線が前記内側円筒の被検
体挿入側とは反対側に導かれ、この位置で電流リターン
配線の少なくとも一部が切断されたことを特徴とする勾
配磁場コイル。 - 【請求項3】 磁気共鳴映像装置に用いられる勾配磁場
コイルにおいて、 二重円筒の内側円筒に形成され、該内側円筒の被検体挿
入側とは反対側に電流リターン配線が導かれた指紋状電
流分布を有する主コイルと、 前記二重円筒の外側円筒に形成され、前記主コイルが該
外側円筒の外側に形成する磁場を消去するシールドコイ
ルと、 を有する勾配磁場コイル。 - 【請求項4】 請求項1または2または3のいずれかに
記載の勾配磁場コイルにおいて、当該勾配磁場コイルは
被検体の頭部撮影用であり、前記内側円筒に前記被検体
の肩部を挿入するための切り欠きを形成したことを特徴
とする勾配磁場コイル。 - 【請求項5】 請求項2記載の勾配磁場コイルにおい
て、前記電流リターン配線を円筒の被検体挿入側とは反
対側に導く配線は、該円筒の長軸方向に略平行に形成さ
れることを特徴とする勾配磁場コイル。 - 【請求項6】 磁気共鳴映像装置に用いられる勾配磁場
コイルにおいて、 二重円筒の内側円筒に形成された電流分布を有する主コ
イルと、 前記二重円筒の外側円筒に形成された電流分布を有する
シールドコイルと、 前記主コイルと前記シールドコイルとに接続される接続
用コイルと、 を有し、 前記主コイルと前記シールドコイルの電流分布が、被検
体挿入側の電流リターンの少なくとも一部が切断された
指紋状電流と、その切断部で接続され、被検体挿入側と
は反対側に、該円筒の長軸方向に略平行に導かれる電流
リターン配線とを有し、 被検体挿入側とは反対側において、前記主コイルと前記
シールドコイルが前記接続用コイルによって接続される
ことを特徴とする勾配磁場コイル。 - 【請求項7】 請求項6記載の勾配磁場コイルにおい
て、主コイルおよびシールドコイルの前記指紋状電流分
布と電流リターン配線が別の層上にて形成され、主コイ
ルのより半径の小さい層とシールドコイルのより半径の
大きい層とが接続用コイルを介して接続されたことを特
徴とする勾配磁場コイル。 - 【請求項8】 請求項1または2または6のいずれかに
記載の勾配磁場コイルにおいて、2チャンネルの前記勾
配磁場コイルが同一の対称軸を共有するように配置され
るとともに、一方のチャンネルの主コイル、シールドコ
イルおよび接続用コイルがもう一方のチャンネルの主コ
イル、シールドコイルおよび接続用コイルに囲まれてい
ることを特徴とする勾配磁場コイル。
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|---|---|---|---|
| JP6222270A JPH0884716A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 勾配磁場コイル |
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| JP6222270A JPH0884716A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 勾配磁場コイル |
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| JP6222270A Pending JPH0884716A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 勾配磁場コイル |
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