JPH088480A - レーザ装置 - Google Patents
レーザ装置Info
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- JPH088480A JPH088480A JP13409194A JP13409194A JPH088480A JP H088480 A JPH088480 A JP H088480A JP 13409194 A JP13409194 A JP 13409194A JP 13409194 A JP13409194 A JP 13409194A JP H088480 A JPH088480 A JP H088480A
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- resonator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザ励起内部共振器型ＳＨＧレーザの
ノイズ低減と出力安定化をはかる。 【構成】共振器内にエタロンを用い、出力光をモニタ
し、共振器光路長の変化と非線形光学結晶の複屈折制
御，励起半導体レーザの波長と注入電流制御する。 【効果】何らかの外乱でＳＨＧの安定条件がずれても出
力光のモニタにより再び安定条件に持っていくことがで
き、ノイズの低減された安定なＳＨＧ出力を得ることが
できる。
ノイズ低減と出力安定化をはかる。 【構成】共振器内にエタロンを用い、出力光をモニタ
し、共振器光路長の変化と非線形光学結晶の複屈折制
御，励起半導体レーザの波長と注入電流制御する。 【効果】何らかの外乱でＳＨＧの安定条件がずれても出
力光のモニタにより再び安定条件に持っていくことがで
き、ノイズの低減された安定なＳＨＧ出力を得ることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非線形光学結晶を用いた
内部共振器型の波長変換レーザに係り、特に、レーザ出
力の安定化あるいは低ノイズ化に関する。
内部共振器型の波長変換レーザに係り、特に、レーザ出
力の安定化あるいは低ノイズ化に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクの高密度化，レーザプリンタ
の高精細化等に小型短波長レーザの要求が高まってい
る。短波長レーザとして、非線形光学結晶を用いたＳＨ
Ｇ（第２高調波発生）レーザがある。特に、図２のよう
なレーザ共振器内部に非線形光学結晶４を置いた内部共
振器型ＳＨＧレーザを固体レーザ結晶３の端面から半導
体レーザ１で励起する方法は小型高効率発振により様々
な応用が期待されている。ところで、図２のレーザは定
在波型の固体レーザで特別な手段を設けなければ、一般
的に縦マルチモード発振する。内部共振器型ＳＨＧレー
ザにおいて、基本波が縦マルチモードで発振すると共振
器内のモード競合が、非線形光学結晶における波長変換
の際にＳＨＧノイズを引き起こし、ＳＨＧ出力が不安定
になる。
の高精細化等に小型短波長レーザの要求が高まってい
る。短波長レーザとして、非線形光学結晶を用いたＳＨ
Ｇ（第２高調波発生）レーザがある。特に、図２のよう
なレーザ共振器内部に非線形光学結晶４を置いた内部共
振器型ＳＨＧレーザを固体レーザ結晶３の端面から半導
体レーザ１で励起する方法は小型高効率発振により様々
な応用が期待されている。ところで、図２のレーザは定
在波型の固体レーザで特別な手段を設けなければ、一般
的に縦マルチモード発振する。内部共振器型ＳＨＧレー
ザにおいて、基本波が縦マルチモードで発振すると共振
器内のモード競合が、非線形光学結晶における波長変換
の際にＳＨＧノイズを引き起こし、ＳＨＧ出力が不安定
になる。
【０００３】ＳＨＧノイズを低減し、出力を安定化する
には、基本波を縦シングルモード発振させるのが有効で
ある。そこで、共振器内部にエタロン（透明な平行平板
の両面に反射コーティングを施し、その多重反射を利用
し波長選択する素子）を挿入し、他の波長（縦モード）
のレーザ発振を抑える方法が考えられた。これは、エタ
ロンを傾けるなどしてエタロン内の実質的光路長を変化
させ、エタロンの選択波長と多数の共振器モード（共振
条件を満たすとびとびの波長）のなかの一つを一致させ
てシングルモード発振させる方法である。この方法で基
本波を縦シングルモード発振させ、安定な出力のＳＨＧ
が得られる。この例としてアイイーイーイー ジャーナ
ル オブ クアンタム エレクトロニクス（IEEE Journ
al of Quantum Electronics）, vol. QE−10, No.2, p2
53(1974)）、１９９３年春季第４０回応用物理学関係連
合講演会講演予稿集No３，ｐ９９６，３１ｐ−Ｚ−４な
どが挙げられる（図３）。
には、基本波を縦シングルモード発振させるのが有効で
ある。そこで、共振器内部にエタロン（透明な平行平板
の両面に反射コーティングを施し、その多重反射を利用
し波長選択する素子）を挿入し、他の波長（縦モード）
のレーザ発振を抑える方法が考えられた。これは、エタ
ロンを傾けるなどしてエタロン内の実質的光路長を変化
させ、エタロンの選択波長と多数の共振器モード（共振
条件を満たすとびとびの波長）のなかの一つを一致させ
てシングルモード発振させる方法である。この方法で基
本波を縦シングルモード発振させ、安定な出力のＳＨＧ
が得られる。この例としてアイイーイーイー ジャーナ
ル オブ クアンタム エレクトロニクス（IEEE Journ
al of Quantum Electronics）, vol. QE−10, No.2, p2
53(1974)）、１９９３年春季第４０回応用物理学関係連
合講演会講演予稿集No３，ｐ９９６，３１ｐ−Ｚ−４な
どが挙げられる（図３）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＫＴＰ(KTiOPO4）など
のようにＳＨＧ発生時にTYPE２の位相整合をする非線形
光学結晶は複屈折性を有するため、温度変化により結晶
を通過する光の偏光が変化する。一方、レーザ結晶は一
般に偏光方向に依存した利得を持っているため、共振器
内部の基本波の偏光が変化するとレーザ出力は変動す
る。この変動はエタロンの波長選択性では制御できない
ため、これを使用した従来のＳＨＧレーザ装置ではＳＨ
Ｇノイズが発生し、出力が不安定となる。
のようにＳＨＧ発生時にTYPE２の位相整合をする非線形
光学結晶は複屈折性を有するため、温度変化により結晶
を通過する光の偏光が変化する。一方、レーザ結晶は一
般に偏光方向に依存した利得を持っているため、共振器
内部の基本波の偏光が変化するとレーザ出力は変動す
る。この変動はエタロンの波長選択性では制御できない
ため、これを使用した従来のＳＨＧレーザ装置ではＳＨ
Ｇノイズが発生し、出力が不安定となる。
【０００５】その他に、励起半導体レーザの経時変化に
よる出力の減少と波長の変化がレーザ結晶に吸収される
励起エネルギの減少となり、その結果ＳＨＧ出力が低下
することも問題となる。
よる出力の減少と波長の変化がレーザ結晶に吸収される
励起エネルギの減少となり、その結果ＳＨＧ出力が低下
することも問題となる。
【０００６】本発明はこの点を考慮したもので、内部共
振器型ＳＨＧレーザに代表される波長変換レーザ装置に
おいて、共振器内部でエタロンを使用し、このエタロン
が選択した基本波の偏光を一定にさせ、安定に基本波シ
ングルモード発振をさせることで、モード競合によるＳ
ＨＧノイズを低減し、出力を安定させる。また励起光の
出力と波長をコントロールし経時変化にも対応し、ＳＨ
Ｇ出力が低下しないレーザ装置を提供することにある。
振器型ＳＨＧレーザに代表される波長変換レーザ装置に
おいて、共振器内部でエタロンを使用し、このエタロン
が選択した基本波の偏光を一定にさせ、安定に基本波シ
ングルモード発振をさせることで、モード競合によるＳ
ＨＧノイズを低減し、出力を安定させる。また励起光の
出力と波長をコントロールし経時変化にも対応し、ＳＨ
Ｇ出力が低下しないレーザ装置を提供することにある。
【０００７】このほかに本発明はレーザ装置部品のばら
つきによる性能の違いを、組立後に調整して一定にでき
るよう考慮し、さらに他の装置にこのレーザ装置を組み
込んで応用する場合に、小型で使い勝手の良い形態を取
れるようなレーザ装置を提供することにある。
つきによる性能の違いを、組立後に調整して一定にでき
るよう考慮し、さらに他の装置にこのレーザ装置を組み
込んで応用する場合に、小型で使い勝手の良い形態を取
れるようなレーザ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】共振器の光路長を変化さ
せ、共振器モードをエタロンが選択する波長範囲内に移
動させる。また複屈折の制御により非線形光学結晶を全
波長板あるいは１／２波長板にする。これによりレーザ
結晶における基本波の偏光方向が一定で安定な縦シング
ルモード発振が得られる。また励起用半導体レーザの経
時変化による出力低下と波長変化に対しては、半導体レ
ーザへの注入電流と温度の制御を行う。これら一連の制
御は出力されるＳＨＧ，基本波をモニタすることで制御
の方向を決定する。このときプログラム可能なＬＳＩで
制御すれば、部品ばらつきによる制御パラメータの違い
を、装置組立後にそれぞれのレーザ装置に最適化したプ
ログラミングをすることができる。またＬＳＩ使用によ
りレーザ装置を小型にすることができる。
せ、共振器モードをエタロンが選択する波長範囲内に移
動させる。また複屈折の制御により非線形光学結晶を全
波長板あるいは１／２波長板にする。これによりレーザ
結晶における基本波の偏光方向が一定で安定な縦シング
ルモード発振が得られる。また励起用半導体レーザの経
時変化による出力低下と波長変化に対しては、半導体レ
ーザへの注入電流と温度の制御を行う。これら一連の制
御は出力されるＳＨＧ，基本波をモニタすることで制御
の方向を決定する。このときプログラム可能なＬＳＩで
制御すれば、部品ばらつきによる制御パラメータの違い
を、装置組立後にそれぞれのレーザ装置に最適化したプ
ログラミングをすることができる。またＬＳＩ使用によ
りレーザ装置を小型にすることができる。
【０００９】
【作用】基本波のモード競合を抑えるため、エタロン表
面の反射率を上げ波長選択幅を狭くする必要がある。こ
の波長選択幅に対し共振器長変化による共振器モードの
移動は大きく、わずかの共振器長の変化でも共振器モー
ドがエタロン波長選択幅から外れてしまう。そのため共
振器温度をコントロールするなどして共振器の光路長を
制御し、エタロン波長選択幅内に共振器モードを収め
る。当然、この場合の許容温度幅は小さいものになる。
一方、ＫＴＰなどの複屈折性の非線形光学結晶を全波長
板あるいは１／２波長板に制御する温度許容幅は比較的
大きい。
面の反射率を上げ波長選択幅を狭くする必要がある。こ
の波長選択幅に対し共振器長変化による共振器モードの
移動は大きく、わずかの共振器長の変化でも共振器モー
ドがエタロン波長選択幅から外れてしまう。そのため共
振器温度をコントロールするなどして共振器の光路長を
制御し、エタロン波長選択幅内に共振器モードを収め
る。当然、この場合の許容温度幅は小さいものになる。
一方、ＫＴＰなどの複屈折性の非線形光学結晶を全波長
板あるいは１／２波長板に制御する温度許容幅は比較的
大きい。
【００１０】そこで、この二つの条件を満たすには、ま
ず非線形光学結晶を全波長板あるいは１／２波長板にす
る温度に設定し、その付近で温度の微調整を行いエタロ
ン波長選択幅内に共振器モードを移動させる。この一連
の操作は基本波のＰ，Ｓ偏光出力とＳＨＧ出力を参照し
ながら行う。つまり、非線形光学結晶が全波長板あるい
は１／２波長板になる温度に設定するためには、基本波
のＰ，Ｓ偏光出力をモニタし、一方が最大、もう一方が
最小となる（直線偏光になる）ようにする。また共振器
モードをエタロンの波長選択幅内に移動させるときには
ＳＨＧ出力が最大になるように共振器を温度変化させ
る。
ず非線形光学結晶を全波長板あるいは１／２波長板にす
る温度に設定し、その付近で温度の微調整を行いエタロ
ン波長選択幅内に共振器モードを移動させる。この一連
の操作は基本波のＰ，Ｓ偏光出力とＳＨＧ出力を参照し
ながら行う。つまり、非線形光学結晶が全波長板あるい
は１／２波長板になる温度に設定するためには、基本波
のＰ，Ｓ偏光出力をモニタし、一方が最大、もう一方が
最小となる（直線偏光になる）ようにする。また共振器
モードをエタロンの波長選択幅内に移動させるときには
ＳＨＧ出力が最大になるように共振器を温度変化させ
る。
【００１１】以上の操作によりノイズのない安定なＳＨ
Ｇ出力が得られる。しかし、これで規定のＳＨＧ出力が
得られないときは、励起パワーが低下しているか、励起
レーザ波長がずれているので、ＳＨＧ出力をモニタしな
がら励起用半導体レーザの注入電流と温度を少しずつ交
互に調整する。上の操作により出力低下のない、安定な
ＳＨＧ出力を得ることができる。
Ｇ出力が得られる。しかし、これで規定のＳＨＧ出力が
得られないときは、励起パワーが低下しているか、励起
レーザ波長がずれているので、ＳＨＧ出力をモニタしな
がら励起用半導体レーザの注入電流と温度を少しずつ交
互に調整する。上の操作により出力低下のない、安定な
ＳＨＧ出力を得ることができる。
【００１２】
（実施例１）図４のように、ペルチエ素子１９上にホル
ダ１３に固定されたNd：YVO4 １２,ホルダ１４に固定さ
れたＫＴＰ(KTiOPO4）１５，エタロン１６，ホルダ１８
に固定された出力ミラー１７で内部共振器型ＳＨＧレー
ザ共振器を構成する。このとき１２のｃ軸は１５のｃ軸
と４５°となるようにする。１２の左面と１７の左面は
波長１０６４ｎｍに対する高反射コーティング，ミラー
１７の左面はさらに５３２ｎｍに対して無反射コーティ
ングをしてある。波長約８１０の半導体レーザ１３の励
起光を集光レンズ１１でホルダ１３の端面から入射させ
Nd：YVO4 12を励起する。これにより共振器内部には１
０６４ｎｍの基本波がレーザ発振し、ＫＴＰ１５により
５３２ｎｍのＳＨＧが発振する。ミラー１７からは基本
波とＳＨＧの二つの異なった波長のレーザが射出する。
射出されたレーザのうち基本波をビームスプリッタ２０
で分離し、さらに偏光ビームスプリッタ２４でＰ，Ｓ偏
光に分離しそれぞれを受光素子２５，２６に入射させ
る。
ダ１３に固定されたNd：YVO4 １２,ホルダ１４に固定さ
れたＫＴＰ(KTiOPO4）１５，エタロン１６，ホルダ１８
に固定された出力ミラー１７で内部共振器型ＳＨＧレー
ザ共振器を構成する。このとき１２のｃ軸は１５のｃ軸
と４５°となるようにする。１２の左面と１７の左面は
波長１０６４ｎｍに対する高反射コーティング，ミラー
１７の左面はさらに５３２ｎｍに対して無反射コーティ
ングをしてある。波長約８１０の半導体レーザ１３の励
起光を集光レンズ１１でホルダ１３の端面から入射させ
Nd：YVO4 12を励起する。これにより共振器内部には１
０６４ｎｍの基本波がレーザ発振し、ＫＴＰ１５により
５３２ｎｍのＳＨＧが発振する。ミラー１７からは基本
波とＳＨＧの二つの異なった波長のレーザが射出する。
射出されたレーザのうち基本波をビームスプリッタ２０
で分離し、さらに偏光ビームスプリッタ２４でＰ，Ｓ偏
光に分離しそれぞれを受光素子２５，２６に入射させ
る。
【００１３】またビームスプリッタ２０を透過したＳＨ
Ｇの一部をビームスプリッタ２１で分け、受光素子２７
に入射させる。２５，２６，２７に入った光強度の情報
は電気信号に変換され、制御回路３７に入力される。光
強度が変化すると３７が温度コントローラ３８に指示を
出し、ＳＨＧの光強度が増加し基本波が直線偏光になる
ように共振器温度を増加あるいは減少させるように制御
する。共振器温度の制御だけではＳＨＧ出力が元に戻ら
ないときは半導体レーザ用温度コントローラ２９に指示
を出し、半導体レーザ温度を変化させ、ＳＨＧ出力が一
番大きくなる温度にする。それでもＳＨＧ出力が元に戻
らないときはレーザドライバ２８に指示を出し、半導体
レーザ注入電流を増加させてＳＨＧ出力を元に戻す。
Ｇの一部をビームスプリッタ２１で分け、受光素子２７
に入射させる。２５，２６，２７に入った光強度の情報
は電気信号に変換され、制御回路３７に入力される。光
強度が変化すると３７が温度コントローラ３８に指示を
出し、ＳＨＧの光強度が増加し基本波が直線偏光になる
ように共振器温度を増加あるいは減少させるように制御
する。共振器温度の制御だけではＳＨＧ出力が元に戻ら
ないときは半導体レーザ用温度コントローラ２９に指示
を出し、半導体レーザ温度を変化させ、ＳＨＧ出力が一
番大きくなる温度にする。それでもＳＨＧ出力が元に戻
らないときはレーザドライバ２８に指示を出し、半導体
レーザ注入電流を増加させてＳＨＧ出力を元に戻す。
【００１４】（実施例２）図１のような装置で、実施例
１と同様で共振器はペルチエ素子上に構成されている。
この共振器からの出力レーザを左から基本波Ｓ偏光,基
本波Ｐ偏光,ＳＨＧの一部を蹴りだすビームスプリッタ
４０，４１，４２を使って受光素子４３に入射させる。
これらペルチエ素子に乗った共振器とビームスプリッ
タ，受光素子，励起用半導体レーザ，集光レンズを筺体
４５に納めＳＨＧ出力用５０を残して密閉する。４５と
４２は接着されており空気の移動はない。４３からの電
気信号はＬＳＩ（大規模集積回路）４６に入力される。
４６にはあらかじめこの共振器に合わせた初期共振器温
度，半導体レーザ温度，注入電流等の制御パラメータと
制御アルゴリズムがプログラムされている。４６の指示
により共振器温度，半導体レーザ温度，半導体レーザ注
入電流を制御し、安定なＳＨＧ出力を得る。
１と同様で共振器はペルチエ素子上に構成されている。
この共振器からの出力レーザを左から基本波Ｓ偏光,基
本波Ｐ偏光,ＳＨＧの一部を蹴りだすビームスプリッタ
４０，４１，４２を使って受光素子４３に入射させる。
これらペルチエ素子に乗った共振器とビームスプリッ
タ，受光素子，励起用半導体レーザ，集光レンズを筺体
４５に納めＳＨＧ出力用５０を残して密閉する。４５と
４２は接着されており空気の移動はない。４３からの電
気信号はＬＳＩ（大規模集積回路）４６に入力される。
４６にはあらかじめこの共振器に合わせた初期共振器温
度，半導体レーザ温度，注入電流等の制御パラメータと
制御アルゴリズムがプログラムされている。４６の指示
により共振器温度，半導体レーザ温度，半導体レーザ注
入電流を制御し、安定なＳＨＧ出力を得る。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、エタロン使用の小型の
内部共振器型ＳＨＧレーザをノイズのない安定な出力で
動作させることができる。出力が安定かつサイズが小型
なため、光ディスクシステム，レーザビームプリンタ，
その他の分野において有効に利用できる。
内部共振器型ＳＨＧレーザをノイズのない安定な出力で
動作させることができる。出力が安定かつサイズが小型
なため、光ディスクシステム，レーザビームプリンタ，
その他の分野において有効に利用できる。
【図１】本発明の実施例１を示した説明図。
【図２】従来の半導体レーザ励起内部共振器型ＳＨＧレ
ーザの構造の説明図。
ーザの構造の説明図。
【図３】エタロンを使用した従来の半導体レーザ励起内
部共振器型ＳＨＧレーザの構造の説明図。
部共振器型ＳＨＧレーザの構造の説明図。
【図４】本発明の実施例２を示した説明図。
１０…半導体レーザ、１１…集光レンズ、１２…Nd：YV
O4、１３…Nd：YVO4ホルダ、１４…ＫＴＰ（KTiOPO4）
ホルダ、１５…ＫＴＰ（KTiOPO4）、１６…エタロン、
１７…出力ミラー、１８…出力ミラーホルダ、２７…受
光素子、２８…半導体レーザドライバ、２９…温度コン
トローラ、３１…サーミスタへの配線、３２…半導体レ
ーザ注入電流用配線、３３…半導体レーザモニタ用配
線、３５…ペルチエ電流用配線、３６…ペルチエ電流用
配線、４０…ビームスプリッタ、４１…ビームスプリッ
タ、４２…ビームスプリッタ、４３…受光素子、４５…
筺体、４６…ＬＳＩ、５０…ＳＨＧ出力窓。
O4、１３…Nd：YVO4ホルダ、１４…ＫＴＰ（KTiOPO4）
ホルダ、１５…ＫＴＰ（KTiOPO4）、１６…エタロン、
１７…出力ミラー、１８…出力ミラーホルダ、２７…受
光素子、２８…半導体レーザドライバ、２９…温度コン
トローラ、３１…サーミスタへの配線、３２…半導体レ
ーザ注入電流用配線、３３…半導体レーザモニタ用配
線、３５…ペルチエ電流用配線、３６…ペルチエ電流用
配線、４０…ビームスプリッタ、４１…ビームスプリッ
タ、４２…ビームスプリッタ、４３…受光素子、４５…
筺体、４６…ＬＳＩ、５０…ＳＨＧ出力窓。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/131 3/16
Claims (13)
- 【請求項１】エタロン使用のレーザ共振器の内部に非線
形光学結晶を用いる波長変換レーザにおいて、前記非線
形光学結晶の複屈折と共振器光路長を制御する手段を有
する半導体レーザで励起することを特徴とするレーザ装
置。 - 【請求項２】請求項１において、出力される基本波レー
ザと波長変換されたレーザのパワーを参照して前記非線
形光学結晶の複屈折と共振器光路長を制御する手段を有
するレーザ装置。 - 【請求項３】請求項２において、出力される基本波レー
ザと波長変換されたレーザのパワーを参照して温度と注
入電流の一方または両方を制御する半導体レーザで励起
するレーザ装置。 - 【請求項４】請求項２において、大規模集積回路を制御
に使用するレーザ装置。 - 【請求項５】請求項３において、大規模集積回路を制御
に使用するレーザ装置。 - 【請求項６】請求項２において、非線形光学結晶の複屈
折と共振器光路長を温度制御素子で制御するレーザ装
置。 - 【請求項７】請求項６において、一つの温度制御素子で
非線形光学結晶の複屈折と共振器光路長を制御するレー
ザ装置。 - 【請求項８】請求項３において、非線形光学結晶の複屈
折と共振器光路長を温度制御素子で制御するレーザ装
置。 - 【請求項９】請求項８において、一つの温度制御素子で
非線形光学結晶の複屈折と共振器光路長を制御するレー
ザ装置。 - 【請求項１０】請求項４において、非線形光学結晶の複
屈折と共振器光路長を温度制御素子で制御するレーザ装
置。 - 【請求項１１】請求項１０において、一つの温度制御素
子で非線形光学結晶の複屈折と共振器光路長を制御する
レーザ装置。 - 【請求項１２】請求項５において、非線形光学結晶の複
屈折と共振器光路長を温度制御素子で制御するレーザ装
置。 - 【請求項１３】請求項１２において、非線形光学結晶の
複屈折と共振器光路長を温度制御素子で制御するレーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13409194A JPH088480A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13409194A JPH088480A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088480A true JPH088480A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15120223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13409194A Pending JPH088480A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088480A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997035370A1 (en) * | 1996-03-18 | 1997-09-25 | Kabushiki Kaisha Topcon | Laser and method of controlling laser |
| DE19962327A1 (de) * | 1999-12-23 | 2001-07-12 | Daimler Chrysler Ag | Verfahren und Einrichtung zur Stabilisierung der Ausgangsleistung eines Festkörperlasers mit resonatorinterner Frequenzverdoppelung |
| DE10108436A1 (de) * | 2001-02-22 | 2002-09-12 | Carl V Ossietzky Uni Oldenburg | Verfahren zur Stabilisierung der Ausgangsleistung eines Festkörperlasers und Festkörperlasersystem |
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