JPH0885887A - エッチング後処理方法 - Google Patents
エッチング後処理方法Info
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- JPH0885887A JPH0885887A JP22478794A JP22478794A JPH0885887A JP H0885887 A JPH0885887 A JP H0885887A JP 22478794 A JP22478794 A JP 22478794A JP 22478794 A JP22478794 A JP 22478794A JP H0885887 A JPH0885887 A JP H0885887A
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- resist
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的はインラインアッシングにより被
エッチング材としてＷを用いた単層膜あるいは積層膜の
エッチング処理後のレジスト及び付着物除去を簡略化
し、他装置によるレジスト除去及び湿式洗浄処理を省略
又は簡略化する後処理方法を提供することにある。 【構成】エッチング処理されたウェハは、図示を省略し
た真空搬送装置により図１の後処理室に搬送される。後
処理室では、ガス流量制御弁２によって制御された後処
理用ガスを後処理室３に導入し、圧力調整弁５によって
処理室内の圧力を調整する。この状態でマイクロ波発生
器６により発信されたマイクロ波により後処理用ガスが
プラズマ化され、レジストと付着物を同時に除去する。
エッチング材としてＷを用いた単層膜あるいは積層膜の
エッチング処理後のレジスト及び付着物除去を簡略化
し、他装置によるレジスト除去及び湿式洗浄処理を省略
又は簡略化する後処理方法を提供することにある。 【構成】エッチング処理されたウェハは、図示を省略し
た真空搬送装置により図１の後処理室に搬送される。後
処理室では、ガス流量制御弁２によって制御された後処
理用ガスを後処理室３に導入し、圧力調整弁５によって
処理室内の圧力を調整する。この状態でマイクロ波発生
器６により発信されたマイクロ波により後処理用ガスが
プラズマ化され、レジストと付着物を同時に除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエッチング後処理方法に
係り、特に被エッチング材がＷを用いた単層膜あるいは
積層膜のエッチング処理後の後処理方法に関するもので
ある。
係り、特に被エッチング材がＷを用いた単層膜あるいは
積層膜のエッチング処理後の後処理方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術は、被エッチング材がＷを用
いた単層膜あるいは積層膜のエッチング処理後、他の後
処理装置により酸素プラズマによりレジストを除去し、
付着物等を湿式洗浄装置により除去するというものであ
った。なお、この種の装置として関連するものには例え
ば、特公昭６２−３０２６８号公報が挙げられる。
いた単層膜あるいは積層膜のエッチング処理後、他の後
処理装置により酸素プラズマによりレジストを除去し、
付着物等を湿式洗浄装置により除去するというものであ
った。なお、この種の装置として関連するものには例え
ば、特公昭６２−３０２６８号公報が挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、エ
ッチング処理後試料を大気に暴露する為付着物が酸化
し、付着物除去が困難であった。また、他の後処理装
置、湿式洗浄処理装置を使用するため、工程数も多かっ
た。
ッチング処理後試料を大気に暴露する為付着物が酸化
し、付着物除去が困難であった。また、他の後処理装
置、湿式洗浄処理装置を使用するため、工程数も多かっ
た。
【０００４】本発明の目的は、インラインアッシングに
より被エッチング材としてＷを用いた単層膜あるいは積
層膜のエッチング処理後のレジスト及び付着物除去を簡
略化し、他の後処理装置、湿式洗浄工程を省略、又は簡
略化するエッチング後処理方法を提供することにある。
より被エッチング材としてＷを用いた単層膜あるいは積
層膜のエッチング処理後のレジスト及び付着物除去を簡
略化し、他の後処理装置、湿式洗浄工程を省略、又は簡
略化するエッチング後処理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本装置内の
後処理室でレジストと付着物等の除去を同時に行うこと
により、達成される。
後処理室でレジストと付着物等の除去を同時に行うこと
により、達成される。
【０００６】
【作用】Ｗ膜のエッチング処理後は、側壁に反応生成物
（Ｗ系物質）が付着する。又、大気に暴露すると生成物
が酸化し、ドライプラズマアッシングによる除去が困難
となる。そこで、エッチング処理後、真空搬送装置にて
試料を後処理室に搬送した後、Ｗ系物質と反応しやすい
フッ素系ガスを酸素ガスに添加し、ドライプラズマアッ
シングを実施する。それによりレジストと付着物とを同
時に除去することができ、しかもフッ素ガスが少量のた
め、Ｗ膜や下地膜に対しほとんど反応することなく除去
できる。
（Ｗ系物質）が付着する。又、大気に暴露すると生成物
が酸化し、ドライプラズマアッシングによる除去が困難
となる。そこで、エッチング処理後、真空搬送装置にて
試料を後処理室に搬送した後、Ｗ系物質と反応しやすい
フッ素系ガスを酸素ガスに添加し、ドライプラズマアッ
シングを実施する。それによりレジストと付着物とを同
時に除去することができ、しかもフッ素ガスが少量のた
め、Ｗ膜や下地膜に対しほとんど反応することなく除去
できる。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を図１により説明する。図
１において、エッチング処理されたウエハは図示を省略
した真空搬送装置によって図１の後処理装置に搬送され
る。後処理装置では、ガス導入口１からガス流量制御弁
２によって制御された後処理用ガスを後処理室３に導入
し、排気孔４を介して真空ポンプ及び圧力調整弁５によ
って処理室内の圧力を調整する。この状態でマイクロ波
発生器６により発信されたマイクロ波がマイクロ波導波
管７を介し、石英窓８を通して後処理室３に導入され、
後処理用ガスがプラズマ化される。
１において、エッチング処理されたウエハは図示を省略
した真空搬送装置によって図１の後処理装置に搬送され
る。後処理装置では、ガス導入口１からガス流量制御弁
２によって制御された後処理用ガスを後処理室３に導入
し、排気孔４を介して真空ポンプ及び圧力調整弁５によ
って処理室内の圧力を調整する。この状態でマイクロ波
発生器６により発信されたマイクロ波がマイクロ波導波
管７を介し、石英窓８を通して後処理室３に導入され、
後処理用ガスがプラズマ化される。
【０００８】本発明では後処理用ガスとしてＣＨＦ3を
６％のガス比となるように添加し、圧力を０．７Ｔｏｒ
ｒに制御し、マイクロ波Ｈ．Ｖ．電流を４００ｍＡ流し
た状態で６０秒試料台９に置かれた試料１０の処理を行
うことにより、レジストと付着物を同時に除去すること
ができた。
６％のガス比となるように添加し、圧力を０．７Ｔｏｒ
ｒに制御し、マイクロ波Ｈ．Ｖ．電流を４００ｍＡ流し
た状態で６０秒試料台９に置かれた試料１０の処理を行
うことにより、レジストと付着物を同時に除去すること
ができた。
【０００９】以上、本一実施例によれば、試料を大気に
暴露することなく同装置内でレジストと付着物を同時に
除去することができ、他の後処理装置と湿式洗浄処理装
置を省略又は簡略化することができる。
暴露することなく同装置内でレジストと付着物を同時に
除去することができ、他の後処理装置と湿式洗浄処理装
置を省略又は簡略化することができる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、同装置内においてレジ
スト除去と付着物除去を同時に行うことにより、他装置
によるレジスト除去と湿式洗浄処理を省略又は簡略でき
るという効果がある。
スト除去と付着物除去を同時に行うことにより、他装置
によるレジスト除去と湿式洗浄処理を省略又は簡略でき
るという効果がある。
【図１】本発明の一実施例である後処理装置を示す構成
図である。
図である。
２…ガス流量制御弁、３…後処理室、５…圧力調整弁、
６…マイクロ波発生器。
６…マイクロ波発生器。
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板に設けた酸化膜上の被エッチン
グ材料であるタングステン（Ｗ）膜のエッチング処理
後、真空搬送装置により後処理室に搬送されたウエハに
対し、レジストと付着物とを同時にマイクロ波プラズマ
によるドライプラズマプロセスにより除去する工程を有
することを特徴とするエッチング後処理方法。 - 【請求項２】請求項１記載の後処理用プロセスガスとし
て、酸素原子を含有してなる第１のガスとフッ素を含有
してなる第２のガスとの混合ガスを用いることを特徴と
するエッチング後処理方法。 - 【請求項３】請求項１記載の被エッチング材が、ＷとＴ
ｉＮ，ＷとＴｉＮとＴｉの積層膜であることを特徴とす
るエッチング後処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22478794A JP3348804B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | エッチング後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22478794A JP3348804B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | エッチング後処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0885887A true JPH0885887A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3348804B2 JP3348804B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=16819200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22478794A Expired - Fee Related JP3348804B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | エッチング後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3348804B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134480A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6629538B2 (en) | 2001-01-16 | 2003-10-07 | Hitachi, Ltd. | Method for cleaning semiconductor wafers in a vacuum environment |
| US6643893B2 (en) | 2001-01-16 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers in a vacuum environment |
| US6713401B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US6977229B2 (en) | 2002-07-25 | 2005-12-20 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method for semiconductor devices |
-
1994
- 1994-09-20 JP JP22478794A patent/JP3348804B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134480A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6629538B2 (en) | 2001-01-16 | 2003-10-07 | Hitachi, Ltd. | Method for cleaning semiconductor wafers in a vacuum environment |
| US6643893B2 (en) | 2001-01-16 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers in a vacuum environment |
| US6713401B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR100727418B1 (ko) * | 2001-01-16 | 2007-06-13 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 드라이 세정방법 |
| US6977229B2 (en) | 2002-07-25 | 2005-12-20 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method for semiconductor devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3348804B2 (ja) | 2002-11-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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