JPH088615A - Static magnetic wave device - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title abstract 2
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 11
- 240000001585 Limonium sinuatum Species 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は静磁波装置に関し、特
にたとえば、フィルタ，遅延線，共振器などに利用され
る静磁波装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetostatic wave device, and more particularly to a magnetostatic wave device used for a filter, a delay line, a resonator and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図８は従来の静磁波装置の一例を示す図
解図である。この静磁波装置１は、ＹＩＧ（イットリウ
ム，アイアン，ガーネット）薄膜を有するフェリ磁性素
子２を含む。フェリ磁性素子２の上下には、フェリ磁性
素子２に直流磁界を印加するためのコイル３およびコイ
ル４が配置される。コイル３，４は、それぞれ直流電源
５に接続される。この静磁波装置１では、コイル３，４
による直流磁界の大きさを変化させることにより、中心
周波数を変化させることができる。2. Description of the Related Art FIG. 8 is an illustrative view showing an example of a conventional magnetostatic wave device. The magnetostatic wave device 1 includes a ferrimagnetic element 2 having a YIG (yttrium, iron, garnet) thin film. A coil 3 and a coil 4 for applying a DC magnetic field to the ferrimagnetic element 2 are arranged above and below the ferrimagnetic element 2. The coils 3 and 4 are connected to the DC power supply 5, respectively. In this magnetostatic wave device 1, the coils 3, 4
The center frequency can be changed by changing the magnitude of the DC magnetic field due to.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
静磁波装置１では、フェリ磁性素子２の上下にコイル
３，４を配置していたため、装置の小型化を図ることが
難しかった。However, in the conventional magnetostatic wave device 1, since the coils 3 and 4 are arranged above and below the ferrimagnetic element 2, it is difficult to miniaturize the device.
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型化が可能な静磁波装置を提供することである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a magnetostatic wave device which can be miniaturized.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明は、フェリ磁性
基体と、フェリ磁性基体上に形成されるトランスデュー
サと、フェリ磁性基体に直流磁界を印加するためのコイ
ルとを含む静磁波装置であって、フェリ磁性基体とトラ
ンスデューサとがコイルの内部に配置される、静磁波装
置である。The present invention provides a magnetostatic wave device including a ferrimagnetic substrate, a transducer formed on the ferrimagnetic substrate, and a coil for applying a DC magnetic field to the ferrimagnetic substrate. A magnetostatic wave device in which a ferrimagnetic substrate and a transducer are arranged inside a coil.
【０００６】[0006]
【作用】コイルに直流電流を流すことによって生じる直
流磁界が、コイルの内部に配置されたフェリ磁性基体に
印加される。フェリ磁性基体に印加される直流磁界の大
きさを変化させることにより、静磁波装置の中心周波数
を変化させることができる。A direct current magnetic field generated by applying a direct current to the coil is applied to the ferrimagnetic substrate arranged inside the coil. The center frequency of the magnetostatic wave device can be changed by changing the magnitude of the DC magnetic field applied to the ferrimagnetic substrate.
【０００７】[0007]
【発明の効果】この発明によれば、フェリ磁性基体とト
ランスデューサとがコイルの内部に配置されるので、装
置の小型化が可能になる。また、直流磁界を印加するた
めのコイルが１つで良いので、部品点数を削減すること
ができる。According to the present invention, since the ferrimagnetic substrate and the transducer are arranged inside the coil, the device can be downsized. Further, since only one coil is required to apply the DC magnetic field, the number of parts can be reduced.
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments with reference to the drawings.
【０００９】[0009]
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図２はその分解斜視図である。また、図３は図１の
線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図解図である。静磁波装
置１０は、たとえば合成樹脂などの絶縁体からなる断面
矩形のホルダー１２を含む。ホルダー１２の上面には、
入出力用のトランスデューサ１４，１６が互いに所定の
間隔を隔てて平行に形成される。入出力用のトランスデ
ューサ１４，１６の一端は、それぞれホルダー１２の上
面から一方側面に引き出され、さらにホルダー１２の下
面に回りこむようにして形成される。トランスデューサ
１４，１６において、ホルダー１２の側面に引き出され
た部分が、入出力端子１４ａ，１６ａとして用いられ
る。トランスデューサ１４，１６の他端は、ホルダー１
２の他方側面側に形成されたグランド電極１８に接続さ
れる。なお、トランスデューサ１４，１６およびグラン
ド電極１８は、ホルダー１２の表面に、たとえばめっき
などの方法によって形成される。また、トランスデュー
サ１４，１６の上には、フェリ磁性素子２０が固着され
る。このフェリ磁性素子２０としては、たとえばＧＧＧ
（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板２２の一
方主面に、フェリ磁性基体としてＹＩＧ薄膜２４が形成
されたものが利用される。そして、フェリ磁性素子２０
は、ＹＩＧ薄膜２４がホルダー１２上のトランスデュー
サ１４，１６に接する向きで固着され、ＹＩＧ薄膜２４
と入出力用のトランスデューサ１４，１６とが電磁界的
に結合される。したがって、トランスデューサ１４，１
６は、ＹＩＧ薄膜２４上に形成されることとなる。1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view thereof. In addition, FIG. 3 is a sectional schematic view taken along line III-III in FIG. 1. The magnetostatic wave device 10 includes a holder 12 having a rectangular cross section made of an insulating material such as synthetic resin. On the upper surface of the holder 12,
Input / output transducers 14 and 16 are formed in parallel with each other with a predetermined space therebetween. One end of each of the input / output transducers 14 and 16 is formed so as to be drawn out from the upper surface of the holder 12 to one side surface thereof, and further wrap around the lower surface of the holder 12. The portions of the transducers 14 and 16 that are pulled out to the side surface of the holder 12 are used as the input / output terminals 14a and 16a. The other ends of the transducers 14 and 16 are connected to the holder 1
2 is connected to the ground electrode 18 formed on the other side surface side. The transducers 14 and 16 and the ground electrode 18 are formed on the surface of the holder 12 by a method such as plating. Further, the ferrimagnetic element 20 is fixed on the transducers 14 and 16. As this ferrimagnetic element 20, for example, GGG
A (gadolinium, gallium, garnet) substrate 22 on one main surface of which a YIG thin film 24 is formed as a ferrimagnetic substrate is used. Then, the ferrimagnetic element 20
Is fixed so that the YIG thin film 24 is in contact with the transducers 14 and 16 on the holder 12.
And the transducers 14 and 16 for input and output are electromagnetically coupled. Therefore, the transducers 14, 1
6 will be formed on the YIG thin film 24.
【００１０】また、この静磁波装置１０は、フェリ磁性
素子２０に直流磁界Ｈｅｘを印加するための筒状のコイ
ル２６を含む。コイル２６は、たとえば被膜銅線を巻い
て形成される。コイル２６の外周には、たとえばＦｅな
どの磁性体からなるヨーク２８が形成される。コイル２
６の一端および他端は、引き出されて直流電源３０に接
続される。ホルダー１２上に固着されたフェリ磁性素子
２０は、ホルダー１２とともにコイル２６の空洞２６ａ
内に配置される。この時、コイル２６は、トランスデュ
ーサ１４，１６の延びる方向と同じ方向に平行に延びる
軸を中心軸として、フェリ磁性素子２０およびホルダー
１２の周囲を周回するよう配置される。したがって、コ
イル２６による直流磁界Ｈｅｘは、フェリ磁性素子２０
のＹＩＧ薄膜２４に対して水平な方向で、かつ、静磁波
の伝搬方向に対して垂直な方向に印加されることとな
る。The magnetostatic wave device 10 also includes a cylindrical coil 26 for applying a DC magnetic field Hex to the ferrimagnetic element 20. The coil 26 is formed by winding a coated copper wire, for example. A yoke 28 made of a magnetic material such as Fe is formed on the outer periphery of the coil 26. Coil 2
One end and the other end of 6 are drawn out and connected to the DC power supply 30. The ferrimagnetic element 20 fixed on the holder 12 is provided with the holder 12 and the cavity 26 a of the coil 26.
Placed inside. At this time, the coil 26 is arranged so as to circulate around the ferrimagnetic element 20 and the holder 12 with an axis extending parallel to the extending direction of the transducers 14 and 16 as a central axis. Therefore, the DC magnetic field Hex generated by the coil 26 is applied to the ferrimagnetic element 20.
Is applied in a direction horizontal to the YIG thin film 24 and in a direction perpendicular to the propagation direction of the magnetostatic wave.
【００１１】次に、この静磁波装置１０の作動状況につ
いてする。一方の入出力用のトランスデューサ１４の入
出力端子１４ａにＲＦ信号を入力すると、ＹＩＧ薄膜２
４にＭＳＳＷモードの静磁波が励起され、他方の入出力
用のトランスデューサ１６側に伝搬される。伝搬された
静磁波は、トランスデューサ１６で受信され、入出力端
子１６ａからＲＦ信号として出力される。この時、フェ
リ磁性素子２０に印加される直流磁界Ｈｅｘの大きさを
変化させることにより、静磁波装置１０の中心周波数を
変化させることができる。Next, the operating condition of the magnetostatic wave device 10 will be described. When an RF signal is input to the input / output terminal 14a of one of the input / output transducers 14, the YIG thin film 2
A magnetostatic wave in the MSSW mode is excited at 4 and propagates to the other input / output transducer 16 side. The propagated magnetostatic wave is received by the transducer 16 and output as an RF signal from the input / output terminal 16a. At this time, the center frequency of the magnetostatic wave device 10 can be changed by changing the magnitude of the DC magnetic field Hex applied to the ferrimagnetic element 20.
【００１２】この静磁波装置１０では、上述のように、
コイル２６の空洞２６ａ内にフェリ磁性素子２０を配置
するので、静磁波装置１０の小型化を図ることができ
る。また、この静磁波装置１０では、直流磁界Ｈｅｘを
フェリ磁性素子２０に印加するためのコイル２６が１つ
でよいので、従来の装置に比べて部品点数を削減するこ
とができる。In the magnetostatic wave device 10, as described above,
Since the ferrimagnetic element 20 is arranged in the cavity 26a of the coil 26, the magnetostatic wave device 10 can be downsized. Further, in this magnetostatic wave device 10, since only one coil 26 is required to apply the DC magnetic field Hex to the ferrimagnetic element 20, the number of parts can be reduced as compared with the conventional device.
【００１３】図４はこの発明の他の実施例を示す平面図
であり、図５はその分解斜視図である。また、図６は図
４の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図解図であり、図７は図
５の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける断面図解図である。この
静磁波装置１０は、断面逆Ｔ字状のホルダー１２を含
む。このホルダー１２は、たとえば真鍮などの金属から
なる。ホルダー１２の上面には、入出力用のトランスデ
ューサ１４，１６が互いに所定の間隔を隔てて平行に形
成された銅張プリント基板３２が貼着される。トランス
デューサ１４，１６の一端には、それぞれ入出力端子１
４ａ，１６ａが形成される。入出力端子１４ａ，１６ａ
は、それぞれビアホール３４，３６を通じてホルダー１
２の下面に引き出される。また、トランスデューサ１
４，１６の他端は、銅張プリント基板３２の上面に形成
された矩形のグランド電極１８に接続され、グランド電
極１８は複数のビアホール３８を通じてホルダー１２の
下面に引き出される。そして、入出力用のトランスデュ
ーサ１４，１６の上には、図１に示す実施例と同様にフ
ェリ磁性素子２０が固着される。FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an exploded perspective view thereof. 6 is a schematic sectional view taken along line VI-VI in FIG. 4, and FIG. 7 is a schematic sectional view taken along line VII-VII in FIG. The magnetostatic wave device 10 includes a holder 12 having an inverted T-shaped cross section. The holder 12 is made of metal such as brass. On the upper surface of the holder 12, a copper-clad printed circuit board 32, on which input / output transducers 14 and 16 are formed in parallel at a predetermined interval, is attached. The input / output terminal 1 is provided at one end of each of the transducers 14 and 16.
4a and 16a are formed. Input / output terminals 14a, 16a
Is the holder 1 through the via holes 34 and 36, respectively.
2 is pulled out to the lower surface. Also, the transducer 1
The other ends of 4, 16 are connected to a rectangular ground electrode 18 formed on the upper surface of the copper-clad printed circuit board 32, and the ground electrode 18 is led out to the lower surface of the holder 12 through a plurality of via holes 38. Then, the ferrimagnetic element 20 is fixed on the input / output transducers 14 and 16 as in the embodiment shown in FIG.
【００１４】そして、図５に示すように、ホルダー１２
は、下面に信号の入出力のためのパターン電極４２，４
２′が形成された銅張プリント基板４０上に固着され
る。銅張プリント基板４０には、ホルダー１２と対応し
てビアホール３４，３６，および複数のビアホール３８
が形成される。そして、図７に示すように、ビアホール
３４，３６中には、絶縁体４６，４６′によって取り巻
かれ絶縁された導線４８，４８′がそれぞれ挿通され
る。導線４８，４８′によって、トランスデューサ１
４，１６の入出力端子１４ａ，１６ａと銅張プリント基
板４０下面のパターン電極４２，４２′とが、それぞれ
接続される。Then, as shown in FIG. 5, the holder 12
Are pattern electrodes 42 and 4 for inputting and outputting signals on the lower surface.
It is fixed on the copper clad printed circuit board 40 on which 2'is formed. The copper-clad printed circuit board 40 has via holes 34, 36 and a plurality of via holes 38 corresponding to the holder 12.
Is formed. Then, as shown in FIG. 7, the conductive wires 48 and 48 'surrounded by the insulators 46 and 46' and insulated are inserted into the via holes 34 and 36, respectively. The conductors 48, 48 'allow the transducer 1
The input / output terminals 14a and 16a of 4, 16 and the pattern electrodes 42 and 42 'on the lower surface of the copper clad printed board 40 are connected to each other.
【００１５】また、図４に示す静磁波装置１０のコイル
２６は、フェリ磁性素子２０のＹＩＧ薄膜２４の主面と
直交する軸を中心軸として、フェリ磁性素子２０および
ホルダ１２を周回するよう配置される。そして、コイル
２６の一端および他端は、引き出されて直流電源３０に
接続される。コイル２６の外周には、ヨーク２８が形成
される。コイル２６およびヨーク２８は、図６および図
７に示すよう逆Ｔ字状のホルダー１２の張出部１２ａに
固着される。また、コイル２６およびヨーク２８の上方
の開口部は、蓋４４によって密閉される。The coil 26 of the magnetostatic wave device 10 shown in FIG. 4 is arranged so as to circulate the ferrimagnetic element 20 and the holder 12 with the axis orthogonal to the main surface of the YIG thin film 24 of the ferrimagnetic element 20 as the central axis. To be done. Then, one end and the other end of the coil 26 are drawn out and connected to the DC power supply 30. A yoke 28 is formed on the outer circumference of the coil 26. The coil 26 and the yoke 28 are fixed to the protruding portion 12a of the inverted T-shaped holder 12 as shown in FIGS. 6 and 7. Further, the openings above the coil 26 and the yoke 28 are closed by a lid 44.
【００１６】図４に示す静磁波素子１０では、コイル２
６による直流磁界Ｈｅｘが、フェリ磁性素子２０のＹＩ
Ｇ薄膜２４の主面に対して垂直な方向で、かつ、静磁波
の伝搬方向に対して垂直な方向に印加されることとな
る。したがって、一方の入出力用のトランスデューサ１
４の入出力端子１４ａにＲＦ信号を入力すれば、ＹＩＧ
薄膜２４にＭＳＦＶＷモードの静磁波が励起され、他方
の入出力用のトランスデューサ１６側に伝搬される。伝
搬された静磁波は、トランスデューサ１６で受信され、
入出力端子１６ａからＲＦ信号として出力される。ま
た、フェリ磁性素子２０に印加される直流磁界Ｈｅｘの
大きさを変化させることにより、静磁波装置１０の中心
周波数を変化させることができる。図４に示す実施例で
も、上述と同様の効果を得ることができる。In the magnetostatic wave element 10 shown in FIG.
The DC magnetic field Hex due to 6 causes the YI of the ferrimagnetic element 20.
It is applied in a direction perpendicular to the main surface of the G thin film 24 and in a direction perpendicular to the propagation direction of the magnetostatic wave. Therefore, one input / output transducer 1
If an RF signal is input to the input / output terminal 14a of No. 4, YIG
A magnetostatic wave in the MSFVW mode is excited in the thin film 24 and propagated to the other input / output transducer 16 side. The propagated magnetostatic wave is received by the transducer 16,
An RF signal is output from the input / output terminal 16a. Further, the center frequency of the magnetostatic wave device 10 can be changed by changing the magnitude of the DC magnetic field Hex applied to the ferrimagnetic element 20. Also in the embodiment shown in FIG. 4, the same effect as described above can be obtained.
【００１７】なお、その内部にフェリ磁性素子２０が配
置されるコイル２６は、上述のように配置されるものに
限らず、フェリ磁性素子１２の周囲のどの向きに周回す
るように配置されてもよい。すなわち、フェリ磁性素子
２０に印加される直流磁界の方向は、フェリ磁性素子２
０のどの方向から印加されてもよい。The coil 26 in which the ferrimagnetic element 20 is disposed is not limited to the coil disposed as described above, and may be disposed in any direction around the ferrimagnetic element 12 so as to circulate. Good. That is, the direction of the DC magnetic field applied to the ferrimagnetic element 20 is
It may be applied from any direction of 0.
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す実施例の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the embodiment shown in FIG.
【図３】図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図解図で
ある。FIG. 3 is a schematic sectional view taken along line III-III in FIG.
【図４】この発明の他の実施例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the present invention.
【図５】図４に示す実施例の分解斜視図である。5 is an exploded perspective view of the embodiment shown in FIG.
【図６】図５の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図解図であ
る。FIG. 6 is a schematic sectional view taken along line VI-VI in FIG.
【図７】図５の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける断面図解図で
ある。FIG. 7 is a schematic sectional view taken along the line VII-VII in FIG.
【図８】従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。FIG. 8 is an illustrative view showing one example of a conventional magnetostatic wave device.
１０ 静磁波装置 １２ ホルダー １４，１６ トランスデューサ １４ａ，１６ａ 入出力端子 １８ グランド電極 ２０ フェリ磁性素子 ２２ ＧＧＧ基板 ２４ ＹＩＧ薄膜 ２６ コイル ２６ａ 空洞 ２８ ヨーク ３０ 直流電源 ３２ 銅張プリント基板 ３４，３６，３８ ビアホール ４０ 銅張プリント基板 ４２，４２′ パターン電極 ４４ 蓋 ４６，４６′ 絶縁体 ４８，４８′ 導線 10 Magnetostatic Wave Device 12 Holder 14, 16 Transducer 14a, 16a Input / Output Terminal 18 Ground Electrode 20 Ferrimagnetic Element 22 GGG Substrate 24 YIG Thin Film 26 Coil 26a Cavity 28 Yoke 30 DC Power Supply 32 Copper-clad Printed Substrate 34, 36, 38 Via Hole 40 Copper-clad printed circuit board 42,42 'Pattern electrode 44 Lid 46,46' Insulator 48,48 'Conductor
Claims (1)
および前記フェリ磁性基体に直流磁界を印加するための
コイルを含む静磁波装置であって、 前記フェリ磁性基体と前記トランスデューサとが前記コ
イルの内部に配置される、静磁波装置。1. A ferrimagnetic substrate, a transducer formed on the ferrimagnetic substrate,
And a magnetostatic wave device including a coil for applying a DC magnetic field to the ferrimagnetic substrate, wherein the ferrimagnetic substrate and the transducer are arranged inside the coil.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16590794A JPH088615A (en) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | Static magnetic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16590794A JPH088615A (en) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | Static magnetic wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088615A true JPH088615A (en) | 1996-01-12 |
Family
ID=15821276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16590794A Pending JPH088615A (en) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | Static magnetic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088615A (en) |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP16590794A patent/JPH088615A/en active Pending
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