JPH088615A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
- Publication number
- JPH088615A JPH088615A JP16590794A JP16590794A JPH088615A JP H088615 A JPH088615 A JP H088615A JP 16590794 A JP16590794 A JP 16590794A JP 16590794 A JP16590794 A JP 16590794A JP H088615 A JPH088615 A JP H088615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- wave device
- ferrimagnetic
- transducers
- magnetostatic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title abstract 2
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 11
- 240000001585 Limonium sinuatum Species 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型化が可能な静磁波素子を提供する。
【構成】 静磁波装置１０は、フェリ磁性素子２０を含
む。このフェリ磁性素子２０としては、たとえばＧＧＧ
基板２２の一方主面にフェリ磁性基体としてＹＩＧ薄膜
２４が形成されたものが利用される。ＹＩＧ薄膜２４上
には、入出力用のトランスデューサ１４，１６が互いに
所定の間隔を隔てて平行に形成される。また、この静磁
波装置１０は、フェリ磁性素子２０に直流磁界を印加す
るための筒状のコイル２６を含む。フェリ磁性素子２０
は、コイル２６の空洞２６ａ内に配置される。この時、
コイル２６は、トランスデューサ１４，１６の延びる方
向と同じ方向に平行に延びる軸を中心軸として、フェリ
磁性素子２０およびホルダー１２の周囲を周回するよう
配置される。
む。このフェリ磁性素子２０としては、たとえばＧＧＧ
基板２２の一方主面にフェリ磁性基体としてＹＩＧ薄膜
２４が形成されたものが利用される。ＹＩＧ薄膜２４上
には、入出力用のトランスデューサ１４，１６が互いに
所定の間隔を隔てて平行に形成される。また、この静磁
波装置１０は、フェリ磁性素子２０に直流磁界を印加す
るための筒状のコイル２６を含む。フェリ磁性素子２０
は、コイル２６の空洞２６ａ内に配置される。この時、
コイル２６は、トランスデューサ１４，１６の延びる方
向と同じ方向に平行に延びる軸を中心軸として、フェリ
磁性素子２０およびホルダー１２の周囲を周回するよう
配置される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波装置に関し、特
にたとえば、フィルタ，遅延線，共振器などに利用され
る静磁波装置に関する。
にたとえば、フィルタ，遅延線，共振器などに利用され
る静磁波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の静磁波装置の一例を示す図
解図である。この静磁波装置１は、ＹＩＧ（イットリウ
ム，アイアン，ガーネット）薄膜を有するフェリ磁性素
子２を含む。フェリ磁性素子２の上下には、フェリ磁性
素子２に直流磁界を印加するためのコイル３およびコイ
ル４が配置される。コイル３，４は、それぞれ直流電源
５に接続される。この静磁波装置１では、コイル３，４
による直流磁界の大きさを変化させることにより、中心
周波数を変化させることができる。
解図である。この静磁波装置１は、ＹＩＧ（イットリウ
ム，アイアン，ガーネット）薄膜を有するフェリ磁性素
子２を含む。フェリ磁性素子２の上下には、フェリ磁性
素子２に直流磁界を印加するためのコイル３およびコイ
ル４が配置される。コイル３，４は、それぞれ直流電源
５に接続される。この静磁波装置１では、コイル３，４
による直流磁界の大きさを変化させることにより、中心
周波数を変化させることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
静磁波装置１では、フェリ磁性素子２の上下にコイル
３，４を配置していたため、装置の小型化を図ることが
難しかった。
静磁波装置１では、フェリ磁性素子２の上下にコイル
３，４を配置していたため、装置の小型化を図ることが
難しかった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型化が可能な静磁波装置を提供することである。
型化が可能な静磁波装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、フェリ磁性
基体と、フェリ磁性基体上に形成されるトランスデュー
サと、フェリ磁性基体に直流磁界を印加するためのコイ
ルとを含む静磁波装置であって、フェリ磁性基体とトラ
ンスデューサとがコイルの内部に配置される、静磁波装
置である。
基体と、フェリ磁性基体上に形成されるトランスデュー
サと、フェリ磁性基体に直流磁界を印加するためのコイ
ルとを含む静磁波装置であって、フェリ磁性基体とトラ
ンスデューサとがコイルの内部に配置される、静磁波装
置である。
【０００６】
【作用】コイルに直流電流を流すことによって生じる直
流磁界が、コイルの内部に配置されたフェリ磁性基体に
印加される。フェリ磁性基体に印加される直流磁界の大
きさを変化させることにより、静磁波装置の中心周波数
を変化させることができる。
流磁界が、コイルの内部に配置されたフェリ磁性基体に
印加される。フェリ磁性基体に印加される直流磁界の大
きさを変化させることにより、静磁波装置の中心周波数
を変化させることができる。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば、フェリ磁性基体とト
ランスデューサとがコイルの内部に配置されるので、装
置の小型化が可能になる。また、直流磁界を印加するた
めのコイルが１つで良いので、部品点数を削減すること
ができる。
ランスデューサとがコイルの内部に配置されるので、装
置の小型化が可能になる。また、直流磁界を印加するた
めのコイルが１つで良いので、部品点数を削減すること
ができる。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図２はその分解斜視図である。また、図３は図１の
線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図解図である。静磁波装
置１０は、たとえば合成樹脂などの絶縁体からなる断面
矩形のホルダー１２を含む。ホルダー１２の上面には、
入出力用のトランスデューサ１４，１６が互いに所定の
間隔を隔てて平行に形成される。入出力用のトランスデ
ューサ１４，１６の一端は、それぞれホルダー１２の上
面から一方側面に引き出され、さらにホルダー１２の下
面に回りこむようにして形成される。トランスデューサ
１４，１６において、ホルダー１２の側面に引き出され
た部分が、入出力端子１４ａ，１６ａとして用いられ
る。トランスデューサ１４，１６の他端は、ホルダー１
２の他方側面側に形成されたグランド電極１８に接続さ
れる。なお、トランスデューサ１４，１６およびグラン
ド電極１８は、ホルダー１２の表面に、たとえばめっき
などの方法によって形成される。また、トランスデュー
サ１４，１６の上には、フェリ磁性素子２０が固着され
る。このフェリ磁性素子２０としては、たとえばＧＧＧ
（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板２２の一
方主面に、フェリ磁性基体としてＹＩＧ薄膜２４が形成
されたものが利用される。そして、フェリ磁性素子２０
は、ＹＩＧ薄膜２４がホルダー１２上のトランスデュー
サ１４，１６に接する向きで固着され、ＹＩＧ薄膜２４
と入出力用のトランスデューサ１４，１６とが電磁界的
に結合される。したがって、トランスデューサ１４，１
６は、ＹＩＧ薄膜２４上に形成されることとなる。
り、図２はその分解斜視図である。また、図３は図１の
線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図解図である。静磁波装
置１０は、たとえば合成樹脂などの絶縁体からなる断面
矩形のホルダー１２を含む。ホルダー１２の上面には、
入出力用のトランスデューサ１４，１６が互いに所定の
間隔を隔てて平行に形成される。入出力用のトランスデ
ューサ１４，１６の一端は、それぞれホルダー１２の上
面から一方側面に引き出され、さらにホルダー１２の下
面に回りこむようにして形成される。トランスデューサ
１４，１６において、ホルダー１２の側面に引き出され
た部分が、入出力端子１４ａ，１６ａとして用いられ
る。トランスデューサ１４，１６の他端は、ホルダー１
２の他方側面側に形成されたグランド電極１８に接続さ
れる。なお、トランスデューサ１４，１６およびグラン
ド電極１８は、ホルダー１２の表面に、たとえばめっき
などの方法によって形成される。また、トランスデュー
サ１４，１６の上には、フェリ磁性素子２０が固着され
る。このフェリ磁性素子２０としては、たとえばＧＧＧ
（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板２２の一
方主面に、フェリ磁性基体としてＹＩＧ薄膜２４が形成
されたものが利用される。そして、フェリ磁性素子２０
は、ＹＩＧ薄膜２４がホルダー１２上のトランスデュー
サ１４，１６に接する向きで固着され、ＹＩＧ薄膜２４
と入出力用のトランスデューサ１４，１６とが電磁界的
に結合される。したがって、トランスデューサ１４，１
６は、ＹＩＧ薄膜２４上に形成されることとなる。
【００１０】また、この静磁波装置１０は、フェリ磁性
素子２０に直流磁界Ｈｅｘを印加するための筒状のコイ
ル２６を含む。コイル２６は、たとえば被膜銅線を巻い
て形成される。コイル２６の外周には、たとえばＦｅな
どの磁性体からなるヨーク２８が形成される。コイル２
６の一端および他端は、引き出されて直流電源３０に接
続される。ホルダー１２上に固着されたフェリ磁性素子
２０は、ホルダー１２とともにコイル２６の空洞２６ａ
内に配置される。この時、コイル２６は、トランスデュ
ーサ１４，１６の延びる方向と同じ方向に平行に延びる
軸を中心軸として、フェリ磁性素子２０およびホルダー
１２の周囲を周回するよう配置される。したがって、コ
イル２６による直流磁界Ｈｅｘは、フェリ磁性素子２０
のＹＩＧ薄膜２４に対して水平な方向で、かつ、静磁波
の伝搬方向に対して垂直な方向に印加されることとな
る。
素子２０に直流磁界Ｈｅｘを印加するための筒状のコイ
ル２６を含む。コイル２６は、たとえば被膜銅線を巻い
て形成される。コイル２６の外周には、たとえばＦｅな
どの磁性体からなるヨーク２８が形成される。コイル２
６の一端および他端は、引き出されて直流電源３０に接
続される。ホルダー１２上に固着されたフェリ磁性素子
２０は、ホルダー１２とともにコイル２６の空洞２６ａ
内に配置される。この時、コイル２６は、トランスデュ
ーサ１４，１６の延びる方向と同じ方向に平行に延びる
軸を中心軸として、フェリ磁性素子２０およびホルダー
１２の周囲を周回するよう配置される。したがって、コ
イル２６による直流磁界Ｈｅｘは、フェリ磁性素子２０
のＹＩＧ薄膜２４に対して水平な方向で、かつ、静磁波
の伝搬方向に対して垂直な方向に印加されることとな
る。
【００１１】次に、この静磁波装置１０の作動状況につ
いてする。一方の入出力用のトランスデューサ１４の入
出力端子１４ａにＲＦ信号を入力すると、ＹＩＧ薄膜２
４にＭＳＳＷモードの静磁波が励起され、他方の入出力
用のトランスデューサ１６側に伝搬される。伝搬された
静磁波は、トランスデューサ１６で受信され、入出力端
子１６ａからＲＦ信号として出力される。この時、フェ
リ磁性素子２０に印加される直流磁界Ｈｅｘの大きさを
変化させることにより、静磁波装置１０の中心周波数を
変化させることができる。
いてする。一方の入出力用のトランスデューサ１４の入
出力端子１４ａにＲＦ信号を入力すると、ＹＩＧ薄膜２
４にＭＳＳＷモードの静磁波が励起され、他方の入出力
用のトランスデューサ１６側に伝搬される。伝搬された
静磁波は、トランスデューサ１６で受信され、入出力端
子１６ａからＲＦ信号として出力される。この時、フェ
リ磁性素子２０に印加される直流磁界Ｈｅｘの大きさを
変化させることにより、静磁波装置１０の中心周波数を
変化させることができる。
【００１２】この静磁波装置１０では、上述のように、
コイル２６の空洞２６ａ内にフェリ磁性素子２０を配置
するので、静磁波装置１０の小型化を図ることができ
る。また、この静磁波装置１０では、直流磁界Ｈｅｘを
フェリ磁性素子２０に印加するためのコイル２６が１つ
でよいので、従来の装置に比べて部品点数を削減するこ
とができる。
コイル２６の空洞２６ａ内にフェリ磁性素子２０を配置
するので、静磁波装置１０の小型化を図ることができ
る。また、この静磁波装置１０では、直流磁界Ｈｅｘを
フェリ磁性素子２０に印加するためのコイル２６が１つ
でよいので、従来の装置に比べて部品点数を削減するこ
とができる。
【００１３】図４はこの発明の他の実施例を示す平面図
であり、図５はその分解斜視図である。また、図６は図
４の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図解図であり、図７は図
５の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける断面図解図である。この
静磁波装置１０は、断面逆Ｔ字状のホルダー１２を含
む。このホルダー１２は、たとえば真鍮などの金属から
なる。ホルダー１２の上面には、入出力用のトランスデ
ューサ１４，１６が互いに所定の間隔を隔てて平行に形
成された銅張プリント基板３２が貼着される。トランス
デューサ１４，１６の一端には、それぞれ入出力端子１
４ａ，１６ａが形成される。入出力端子１４ａ，１６ａ
は、それぞれビアホール３４，３６を通じてホルダー１
２の下面に引き出される。また、トランスデューサ１
４，１６の他端は、銅張プリント基板３２の上面に形成
された矩形のグランド電極１８に接続され、グランド電
極１８は複数のビアホール３８を通じてホルダー１２の
下面に引き出される。そして、入出力用のトランスデュ
ーサ１４，１６の上には、図１に示す実施例と同様にフ
ェリ磁性素子２０が固着される。
であり、図５はその分解斜視図である。また、図６は図
４の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図解図であり、図７は図
５の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける断面図解図である。この
静磁波装置１０は、断面逆Ｔ字状のホルダー１２を含
む。このホルダー１２は、たとえば真鍮などの金属から
なる。ホルダー１２の上面には、入出力用のトランスデ
ューサ１４，１６が互いに所定の間隔を隔てて平行に形
成された銅張プリント基板３２が貼着される。トランス
デューサ１４，１６の一端には、それぞれ入出力端子１
４ａ，１６ａが形成される。入出力端子１４ａ，１６ａ
は、それぞれビアホール３４，３６を通じてホルダー１
２の下面に引き出される。また、トランスデューサ１
４，１６の他端は、銅張プリント基板３２の上面に形成
された矩形のグランド電極１８に接続され、グランド電
極１８は複数のビアホール３８を通じてホルダー１２の
下面に引き出される。そして、入出力用のトランスデュ
ーサ１４，１６の上には、図１に示す実施例と同様にフ
ェリ磁性素子２０が固着される。
【００１４】そして、図５に示すように、ホルダー１２
は、下面に信号の入出力のためのパターン電極４２，４
２′が形成された銅張プリント基板４０上に固着され
る。銅張プリント基板４０には、ホルダー１２と対応し
てビアホール３４，３６，および複数のビアホール３８
が形成される。そして、図７に示すように、ビアホール
３４，３６中には、絶縁体４６，４６′によって取り巻
かれ絶縁された導線４８，４８′がそれぞれ挿通され
る。導線４８，４８′によって、トランスデューサ１
４，１６の入出力端子１４ａ，１６ａと銅張プリント基
板４０下面のパターン電極４２，４２′とが、それぞれ
接続される。
は、下面に信号の入出力のためのパターン電極４２，４
２′が形成された銅張プリント基板４０上に固着され
る。銅張プリント基板４０には、ホルダー１２と対応し
てビアホール３４，３６，および複数のビアホール３８
が形成される。そして、図７に示すように、ビアホール
３４，３６中には、絶縁体４６，４６′によって取り巻
かれ絶縁された導線４８，４８′がそれぞれ挿通され
る。導線４８，４８′によって、トランスデューサ１
４，１６の入出力端子１４ａ，１６ａと銅張プリント基
板４０下面のパターン電極４２，４２′とが、それぞれ
接続される。
【００１５】また、図４に示す静磁波装置１０のコイル
２６は、フェリ磁性素子２０のＹＩＧ薄膜２４の主面と
直交する軸を中心軸として、フェリ磁性素子２０および
ホルダ１２を周回するよう配置される。そして、コイル
２６の一端および他端は、引き出されて直流電源３０に
接続される。コイル２６の外周には、ヨーク２８が形成
される。コイル２６およびヨーク２８は、図６および図
７に示すよう逆Ｔ字状のホルダー１２の張出部１２ａに
固着される。また、コイル２６およびヨーク２８の上方
の開口部は、蓋４４によって密閉される。
２６は、フェリ磁性素子２０のＹＩＧ薄膜２４の主面と
直交する軸を中心軸として、フェリ磁性素子２０および
ホルダ１２を周回するよう配置される。そして、コイル
２６の一端および他端は、引き出されて直流電源３０に
接続される。コイル２６の外周には、ヨーク２８が形成
される。コイル２６およびヨーク２８は、図６および図
７に示すよう逆Ｔ字状のホルダー１２の張出部１２ａに
固着される。また、コイル２６およびヨーク２８の上方
の開口部は、蓋４４によって密閉される。
【００１６】図４に示す静磁波素子１０では、コイル２
６による直流磁界Ｈｅｘが、フェリ磁性素子２０のＹＩ
Ｇ薄膜２４の主面に対して垂直な方向で、かつ、静磁波
の伝搬方向に対して垂直な方向に印加されることとな
る。したがって、一方の入出力用のトランスデューサ１
４の入出力端子１４ａにＲＦ信号を入力すれば、ＹＩＧ
薄膜２４にＭＳＦＶＷモードの静磁波が励起され、他方
の入出力用のトランスデューサ１６側に伝搬される。伝
搬された静磁波は、トランスデューサ１６で受信され、
入出力端子１６ａからＲＦ信号として出力される。ま
た、フェリ磁性素子２０に印加される直流磁界Ｈｅｘの
大きさを変化させることにより、静磁波装置１０の中心
周波数を変化させることができる。図４に示す実施例で
も、上述と同様の効果を得ることができる。
６による直流磁界Ｈｅｘが、フェリ磁性素子２０のＹＩ
Ｇ薄膜２４の主面に対して垂直な方向で、かつ、静磁波
の伝搬方向に対して垂直な方向に印加されることとな
る。したがって、一方の入出力用のトランスデューサ１
４の入出力端子１４ａにＲＦ信号を入力すれば、ＹＩＧ
薄膜２４にＭＳＦＶＷモードの静磁波が励起され、他方
の入出力用のトランスデューサ１６側に伝搬される。伝
搬された静磁波は、トランスデューサ１６で受信され、
入出力端子１６ａからＲＦ信号として出力される。ま
た、フェリ磁性素子２０に印加される直流磁界Ｈｅｘの
大きさを変化させることにより、静磁波装置１０の中心
周波数を変化させることができる。図４に示す実施例で
も、上述と同様の効果を得ることができる。
【００１７】なお、その内部にフェリ磁性素子２０が配
置されるコイル２６は、上述のように配置されるものに
限らず、フェリ磁性素子１２の周囲のどの向きに周回す
るように配置されてもよい。すなわち、フェリ磁性素子
２０に印加される直流磁界の方向は、フェリ磁性素子２
０のどの方向から印加されてもよい。
置されるコイル２６は、上述のように配置されるものに
限らず、フェリ磁性素子１２の周囲のどの向きに周回す
るように配置されてもよい。すなわち、フェリ磁性素子
２０に印加される直流磁界の方向は、フェリ磁性素子２
０のどの方向から印加されてもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す実施例の分解斜視図である。
【図３】図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図解図で
ある。
ある。
【図４】この発明の他の実施例を示す平面図である。
【図５】図４に示す実施例の分解斜視図である。
【図６】図５の線ＶＩ−ＶＩにおける断面図解図であ
る。
る。
【図７】図５の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける断面図解図で
ある。
ある。
【図８】従来の静磁波装置の一例を示す図解図である。
１０ 静磁波装置 １２ ホルダー １４，１６ トランスデューサ １４ａ，１６ａ 入出力端子 １８ グランド電極 ２０ フェリ磁性素子 ２２ ＧＧＧ基板 ２４ ＹＩＧ薄膜 ２６ コイル ２６ａ 空洞 ２８ ヨーク ３０ 直流電源 ３２ 銅張プリント基板 ３４，３６，３８ ビアホール ４０ 銅張プリント基板 ４２，４２′ パターン電極 ４４ 蓋 ４６，４６′ 絶縁体 ４８，４８′ 導線
Claims (1)
- 【請求項１】 フェリ磁性基体、 前記フェリ磁性基体上に形成されるトランスデューサ、
および前記フェリ磁性基体に直流磁界を印加するための
コイルを含む静磁波装置であって、 前記フェリ磁性基体と前記トランスデューサとが前記コ
イルの内部に配置される、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16590794A JPH088615A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16590794A JPH088615A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 静磁波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088615A true JPH088615A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15821276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16590794A Pending JPH088615A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088615A (ja) |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP16590794A patent/JPH088615A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6353375B2 (en) | Magnetostatic wave device | |
| US6160465A (en) | High-frequency choke coil | |
| JP2002110428A (ja) | 巻線型コモンモードチョークコイル | |
| JP3634619B2 (ja) | 誘電体共振器およびこれを用いた誘電体フィルタ | |
| EP0836276A2 (en) | Magnetostatic-wave device | |
| US4521753A (en) | Tuned resonant circuit utilizing a ferromagnetically coupled interstage line | |
| JPH051605B2 (ja) | ||
| JPH088615A (ja) | 静磁波装置 | |
| KR100397740B1 (ko) | 비가역 회로소자 및 통신 장치 | |
| EP1093181A2 (en) | Nonreciprocal circuit device and communication device using same | |
| JP3202290B2 (ja) | インダクタンス素子 | |
| JP2643822B2 (ja) | バラントランス | |
| JPH06112048A (ja) | 発振防止部材 | |
| JPS62224101A (ja) | 静磁波フイルタバンク | |
| JP3272967B2 (ja) | 静磁波デバイスおよびこれを用いた電圧制御発振器 | |
| JPH1167540A (ja) | 静磁波デバイス | |
| US5289143A (en) | Magnetostatic wave device | |
| JPH01305603A (ja) | 線路変成器 | |
| EP0211958A1 (en) | Magnetostatic wave circulator | |
| JPH10163716A (ja) | Ｙｉｇ共振器 | |
| JP2002314304A (ja) | 静磁波装置 | |
| JP2595830B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP2001189606A (ja) | 非可逆回路素子及び通信機装置 | |
| JP3364781B2 (ja) | ラッチング・サーキュレータ用磁性体 | |
| JPH0697706A (ja) | 同軸サーキュレータ |