JPH0887029A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0887029A JPH0887029A JP22130794A JP22130794A JPH0887029A JP H0887029 A JPH0887029 A JP H0887029A JP 22130794 A JP22130794 A JP 22130794A JP 22130794 A JP22130794 A JP 22130794A JP H0887029 A JPH0887029 A JP H0887029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- signal line
- liquid crystal
- electrically connected
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電気起因による線欠陥を減少させるための
根本対策となる液晶表示装置の製造方法を確立する。 【構成】 第１の基板の一主面上に、ソース信号用電極
１と接続部分３を介して電気的に接続された薄膜トラン
ジスタと、この薄膜トランジスタと接続部分５ｂを介し
て電気的に接続されるとともにゲート信号用電極２に対
して面的な重なり部分からなる容量を介して接続された
付加容量電極部７と接続部分６ａを介して電気的に接続
された画素電極部６をＸＹマトリクス状に形成する。こ
の第１の基板において画素電極部６の電位が不正規な単
位セルに対し、前記接続部分３または５ｂまたは６ａの
少なくとも１つを物理的に除去し電気的接続状態を解消
した後、対向電極を形成した第２の基板と第１の基板と
の間隙に液晶層を封入する。
根本対策となる液晶表示装置の製造方法を確立する。 【構成】 第１の基板の一主面上に、ソース信号用電極
１と接続部分３を介して電気的に接続された薄膜トラン
ジスタと、この薄膜トランジスタと接続部分５ｂを介し
て電気的に接続されるとともにゲート信号用電極２に対
して面的な重なり部分からなる容量を介して接続された
付加容量電極部７と接続部分６ａを介して電気的に接続
された画素電極部６をＸＹマトリクス状に形成する。こ
の第１の基板において画素電極部６の電位が不正規な単
位セルに対し、前記接続部分３または５ｂまたは６ａの
少なくとも１つを物理的に除去し電気的接続状態を解消
した後、対向電極を形成した第２の基板と第１の基板と
の間隙に液晶層を封入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明、薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴという）を駆動素子として液晶を動作させる
液晶表示装置の製造方法に関するものである。
下、ＴＦＴという）を駆動素子として液晶を動作させる
液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ液晶表示装置には高精度・高信頼
性に付加して高品質が要求されている。近年、様々な製
造方法で表示品質を高める開発がされてきているが、工
程不良及び市場不良において重大品質欠陥の一つに線欠
陥が上げられ、線欠陥は表示画面状態に存在しないＸ方
向もしくはＹ方向への直線状の画素単位の欠陥として発
生する。線欠陥発生のメカニズムには、Ｘ方向もしくは
Ｙ方向の信号線群を制御するドライバーＩＣ不具合によ
る起因と、Ｘ方向もしくはＹ方向の信号線群と対向電極
とが異物等を通じてショートすることによる対向ショー
ト起因と、Ｘ方向とＹ方向信号線群がショートもしくは
断線する成膜工程時における信号線群のパターンニング
不良起因、及びＸ方向もしくはＹ方向の信号線と画素電
極部間でのパターンニング不良等によるショート部分を
通じ、当該画素のＴＦＴ部を介して各信号線での容量比
に応じＸ方向信号線からＹ方向信号線へもしくはＹ方向
信号線からＸ方向信号線へと、信号線群の端子部及び各
信号線と対向電極部間の液晶層を介してチャージアップ
した電荷が流れることにより発生する静電気起因が上げ
られる。
性に付加して高品質が要求されている。近年、様々な製
造方法で表示品質を高める開発がされてきているが、工
程不良及び市場不良において重大品質欠陥の一つに線欠
陥が上げられ、線欠陥は表示画面状態に存在しないＸ方
向もしくはＹ方向への直線状の画素単位の欠陥として発
生する。線欠陥発生のメカニズムには、Ｘ方向もしくは
Ｙ方向の信号線群を制御するドライバーＩＣ不具合によ
る起因と、Ｘ方向もしくはＹ方向の信号線群と対向電極
とが異物等を通じてショートすることによる対向ショー
ト起因と、Ｘ方向とＹ方向信号線群がショートもしくは
断線する成膜工程時における信号線群のパターンニング
不良起因、及びＸ方向もしくはＹ方向の信号線と画素電
極部間でのパターンニング不良等によるショート部分を
通じ、当該画素のＴＦＴ部を介して各信号線での容量比
に応じＸ方向信号線からＹ方向信号線へもしくはＹ方向
信号線からＸ方向信号線へと、信号線群の端子部及び各
信号線と対向電極部間の液晶層を介してチャージアップ
した電荷が流れることにより発生する静電気起因が上げ
られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前者３起因により線欠
陥が発生した場合には、不良ＩＣの交換や対向ショート
部及びパターンニング不良部にレーザー光等を照射して
加工することにより、線欠陥の修復はほぼ完全に可能で
ある。しかし、静電気起因により線欠陥が発生した場合
には、対象パネルを放置して該当ラインにチャージアッ
プした電荷が飽和するのを待つか、対象パネルを数十℃
〜数百℃の高温状態に保ち該当ライン上の配向膜プレチ
ルト角が正常状態にもどるようにするが、修復成功率は
極めて不安定であり、かつ工程タクトの増加に伴い対象
パネルの取扱い数が増す分だけ反対に悪化させる可能性
がある。よって、現状では静電気起因の線欠陥の完全な
修復法が確立されているとは言えず、品質・生産性の面
で問題があった。
陥が発生した場合には、不良ＩＣの交換や対向ショート
部及びパターンニング不良部にレーザー光等を照射して
加工することにより、線欠陥の修復はほぼ完全に可能で
ある。しかし、静電気起因により線欠陥が発生した場合
には、対象パネルを放置して該当ラインにチャージアッ
プした電荷が飽和するのを待つか、対象パネルを数十℃
〜数百℃の高温状態に保ち該当ライン上の配向膜プレチ
ルト角が正常状態にもどるようにするが、修復成功率は
極めて不安定であり、かつ工程タクトの増加に伴い対象
パネルの取扱い数が増す分だけ反対に悪化させる可能性
がある。よって、現状では静電気起因の線欠陥の完全な
修復法が確立されているとは言えず、品質・生産性の面
で問題があった。
【０００４】本発明は液晶表示装置の製造方法におい
て、静電気起因の線欠陥の発生を減少させる方法におい
て、信号線とＴＦＴと画素電極部が形成された基板単体
状態において、パターンニング不良が起こっている当該
画素を検出し、当該画素部のうちの電極部を物理的に破
壊し、静電気起因の線欠陥自体の発生を未然に防ぐこと
により品質・生産性の向上を図るものである。
て、静電気起因の線欠陥の発生を減少させる方法におい
て、信号線とＴＦＴと画素電極部が形成された基板単体
状態において、パターンニング不良が起こっている当該
画素を検出し、当該画素部のうちの電極部を物理的に破
壊し、静電気起因の線欠陥自体の発生を未然に防ぐこと
により品質・生産性の向上を図るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、第１の基板の一主面上に、複数の走査信号
線及び表示信号線と、この表示信号線と第１の接続部分
を介して電気的に接続される薄膜トランジスタと、この
薄膜トランジスタと第２の接続部分を介して電気的に接
続されるとともに前記走査信号線に対して面的な重なり
部分からなる容量を介して接続された電極部と第３の接
続部分を介して電気的に接続される画素電極部とをＸＹ
マトリクス状に形成し、かつ一組の走査信号線と表示信
号線と薄膜トランジスタと画素電極部とから単位セルを
構成し、前記第１の基板において前記画素電極部の電位
が不正規な単位セルに対し、前記第１の接続部分、第２
の接続部分及び第３の接続部分のうちの少なくとも１つ
を物理的に除去して電気的接続状態を解消した後、対向
電極が形成された第２の基板と前記第１の基板との対向
間隙に液晶層を封入するものである。
に本発明は、第１の基板の一主面上に、複数の走査信号
線及び表示信号線と、この表示信号線と第１の接続部分
を介して電気的に接続される薄膜トランジスタと、この
薄膜トランジスタと第２の接続部分を介して電気的に接
続されるとともに前記走査信号線に対して面的な重なり
部分からなる容量を介して接続された電極部と第３の接
続部分を介して電気的に接続される画素電極部とをＸＹ
マトリクス状に形成し、かつ一組の走査信号線と表示信
号線と薄膜トランジスタと画素電極部とから単位セルを
構成し、前記第１の基板において前記画素電極部の電位
が不正規な単位セルに対し、前記第１の接続部分、第２
の接続部分及び第３の接続部分のうちの少なくとも１つ
を物理的に除去して電気的接続状態を解消した後、対向
電極が形成された第２の基板と前記第１の基板との対向
間隙に液晶層を封入するものである。
【０００６】
【作用】液晶表示装置の製造方法において、信号線とＴ
ＦＴと画素電極部が形成された基板単体状態において、
パターンニング不良が起こっている当該画素を検出し、
液晶層を介して信号線にチャージアップした電荷が当該
画素のＴＦＴを介して各信号線へ電荷が流れる前に、当
該画素部のうちの電極部を物理的に破壊して電荷の流出
経路を絶ち、静電気起因の線欠陥自体の発生を未然に防
ぐ。これにより、液晶表示装置の製造方法における静電
気起因の線欠陥発生率を減少させ、品質・生産性の向上
が可能となる。
ＦＴと画素電極部が形成された基板単体状態において、
パターンニング不良が起こっている当該画素を検出し、
液晶層を介して信号線にチャージアップした電荷が当該
画素のＴＦＴを介して各信号線へ電荷が流れる前に、当
該画素部のうちの電極部を物理的に破壊して電荷の流出
経路を絶ち、静電気起因の線欠陥自体の発生を未然に防
ぐ。これにより、液晶表示装置の製造方法における静電
気起因の線欠陥発生率を減少させ、品質・生産性の向上
が可能となる。
【０００７】
【実施例】以下に具体的な実施例について説明する。
【０００８】図２に信号線とＴＦＴ及び画素電極部が形
成された基板を示す。信号線はソース信号用電極１及び
ゲート信号用電極２から成り立つ。ＴＦＴは、ソース信
号用電極１との接続部分３を通じて電気的に接続された
電極部とゲート信号用電極２と電気的に接続された電極
部４及びドレイン電極部５を有している。ドレイン電極
部５は接続部分３と容量を介して接続した接続部分５ａ
を持つ。画素電極部６は透明金属からなり、ドレイン電
極部５と接続部分５ｂを通じて電気的に接続され、さら
にゲート信号用電極２と容量を介して接続した接続部分
７ａを持つ付加容量電極部７と接続部分６ａを通じて電
気的に接続されている。
成された基板を示す。信号線はソース信号用電極１及び
ゲート信号用電極２から成り立つ。ＴＦＴは、ソース信
号用電極１との接続部分３を通じて電気的に接続された
電極部とゲート信号用電極２と電気的に接続された電極
部４及びドレイン電極部５を有している。ドレイン電極
部５は接続部分３と容量を介して接続した接続部分５ａ
を持つ。画素電極部６は透明金属からなり、ドレイン電
極部５と接続部分５ｂを通じて電気的に接続され、さら
にゲート信号用電極２と容量を介して接続した接続部分
７ａを持つ付加容量電極部７と接続部分６ａを通じて電
気的に接続されている。
【０００９】液晶表示装置の製造方法として、図２の基
板単体状態において、第１の場合として、接続部分５ａ
付近での成膜パターンニング不良が起こり、電極部４と
ドレイン電極部５間でショートしていることが検出され
たとき、図２の接続部分３もしくは接続部分３と５ｂの
両方を物理的に破壊し電気的な接続状態を解消するた
め、図１のＡ部もしくはＡ部とＢ部にレーザー光を照射
する。
板単体状態において、第１の場合として、接続部分５ａ
付近での成膜パターンニング不良が起こり、電極部４と
ドレイン電極部５間でショートしていることが検出され
たとき、図２の接続部分３もしくは接続部分３と５ｂの
両方を物理的に破壊し電気的な接続状態を解消するた
め、図１のＡ部もしくはＡ部とＢ部にレーザー光を照射
する。
【００１０】次に、第２の場合として、接続部分７ａ付
近での成膜パターンニング不良が起こり、ゲート信号用
電極２と付加容量電極部７間でショートしていることが
検出されたとき、図２の接続部分３もしくは接続部分３
と６ａの両方を物理的に破壊し電気的な接続状態を解消
するため、図１のＡ部もしくはＡ部とＣ部にレーザー光
を照射する。
近での成膜パターンニング不良が起こり、ゲート信号用
電極２と付加容量電極部７間でショートしていることが
検出されたとき、図２の接続部分３もしくは接続部分３
と６ａの両方を物理的に破壊し電気的な接続状態を解消
するため、図１のＡ部もしくはＡ部とＣ部にレーザー光
を照射する。
【００１１】信号線、ＴＦＴ、画素電極部が形成された
基板単体状態においては、信号線における容量は無限大
であり電荷がチャージアップする前段階である。このと
きに、第１の場合、第２の場合のどちらかの処理を施し
ておくことで、パターンニング不良部の当該画素のＴＦ
Ｔを介して、電荷が各信号線へ流出する電極経路を未然
に絶つことになる。よって、これらの処理を施した基板
と対向電極が形成された基板間隙に液晶層を封入するこ
とにより、信号線における容量が減少し電荷がチャージ
アップしても、当該画素のＴＦＴを介して電荷が各信号
線へ流出することはなくなる。これにより、上記液晶表
示装置の製造方法において、静電気起因の線欠陥を著し
く減少させることが可能となる。
基板単体状態においては、信号線における容量は無限大
であり電荷がチャージアップする前段階である。このと
きに、第１の場合、第２の場合のどちらかの処理を施し
ておくことで、パターンニング不良部の当該画素のＴＦ
Ｔを介して、電荷が各信号線へ流出する電極経路を未然
に絶つことになる。よって、これらの処理を施した基板
と対向電極が形成された基板間隙に液晶層を封入するこ
とにより、信号線における容量が減少し電荷がチャージ
アップしても、当該画素のＴＦＴを介して電荷が各信号
線へ流出することはなくなる。これにより、上記液晶表
示装置の製造方法において、静電気起因の線欠陥を著し
く減少させることが可能となる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、本発明により静電気起因
による線欠陥を減少させる液晶表示装置の製造方法とし
て、チャージアップして電荷の流出により静電気が発生
した後の液晶表示装置に対して、静電気を緩和させる対
策処理を施すのではなく、信号線とＴＦＴと画素電極部
が形成された基板単体状態において、静電気発生のメカ
ニズムから考えられるチャージアップした電荷の流出経
路部分を未然に破壊して電気的接続状態を解消しておく
ことで、静電気起因の線欠陥を減少させる根本対策とな
る。その後にこの処理を施した基板と対向電極間隙に液
晶層を封入してもチャージアップした電荷の流出はなく
なるため、以上の液晶表示装置の製造方法における静電
気発生率は著しく減少し、品質・生産性の向上が可能と
なり実用的に極めて有用である。
による線欠陥を減少させる液晶表示装置の製造方法とし
て、チャージアップして電荷の流出により静電気が発生
した後の液晶表示装置に対して、静電気を緩和させる対
策処理を施すのではなく、信号線とＴＦＴと画素電極部
が形成された基板単体状態において、静電気発生のメカ
ニズムから考えられるチャージアップした電荷の流出経
路部分を未然に破壊して電気的接続状態を解消しておく
ことで、静電気起因の線欠陥を減少させる根本対策とな
る。その後にこの処理を施した基板と対向電極間隙に液
晶層を封入してもチャージアップした電荷の流出はなく
なるため、以上の液晶表示装置の製造方法における静電
気発生率は著しく減少し、品質・生産性の向上が可能と
なり実用的に極めて有用である。
【図１】本発明の一実施例における液晶表示装置の製造
方法において、ＴＦＴとソース信号用電極の接続部分、
ドレイン電極部と画素電極部の接続部分、画素電極部と
付加容量電極の接続部分を熱的に破壊した場合を示す平
面図
方法において、ＴＦＴとソース信号用電極の接続部分、
ドレイン電極部と画素電極部の接続部分、画素電極部と
付加容量電極の接続部分を熱的に破壊した場合を示す平
面図
【図２】同じく信号線とＴＦＴと画素電極部が形成され
た基板を示す平面図
た基板を示す平面図
１ ソース信号用電極 ２ ゲート信号用電極 ３，５ａ，５ｂ，６ａ，７ａ 接続部分 ４ 電極部 ５ ドレイン電極部 ６ 画素電極部 ７ 付加容量電極部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松村 清一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小川 鉄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の基板の一主面上に、複数の走査信
号線及び表示信号線と、この表示信号線と第１の接続部
分を介して電気的に接続される薄膜トランジスタと、こ
の薄膜トランジスタと第２の接続部分を介して電気的に
接続されるとともに前記走査信号線に対して面的な重な
り部分からなる容量を介して接続された電極部と第３の
接続部分を介して電気的に接続される画素電極部とをＸ
Ｙマトリクス状に形成し、かつ一組の走査信号線と表示
信号線と薄膜トランジスタと画素電極部とから単位セル
を構成し、前記第１の基板において前記画素電極部の電
位が不正規な単位セルに対し、前記第１の接続部分、第
２の接続部分及び第３の接続部分のうちの少なくとも１
つを物理的に除去して電気的接続状態を解消した後、対
向電極が形成された第２の基板と前記第１の基板との対
向間隙に液晶層を封入することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項２】 第１の基板上の第１、第２、第３の接続
部分の少なくとも１つを物理的に除去し電気的接続状態
を解消する際に、レーザー光を照射して熱的に破壊する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22130794A JPH0887029A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22130794A JPH0887029A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0887029A true JPH0887029A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16764749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22130794A Pending JPH0887029A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0887029A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111627A (en) * | 1997-11-25 | 2000-08-29 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display having electrode for preventing static electricity |
| KR100542300B1 (ko) * | 1998-06-22 | 2006-04-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN100403143C (zh) * | 2003-11-18 | 2008-07-16 | 三星电子股份有限公司 | 薄膜面板 |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP22130794A patent/JPH0887029A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111627A (en) * | 1997-11-25 | 2000-08-29 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display having electrode for preventing static electricity |
| KR100542300B1 (ko) * | 1998-06-22 | 2006-04-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN100403143C (zh) * | 2003-11-18 | 2008-07-16 | 三星电子股份有限公司 | 薄膜面板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2479045C1 (ru) | Устройство отображения | |
| JP3072707B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US8077284B2 (en) | Substrate for a display device, a method for repairing the same, a method for repairing a display device and a liquid-crystal display device | |
| JP2669954B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| US7330222B2 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
| US7271855B2 (en) | Liquid crystal display with pads having one edge having grooves therein wherein the edge is formed at a cutting line of the shorting bar | |
| KR20010030494A (ko) | 액정표시장치 및 그 회로단선 보수방법 | |
| JP4173332B2 (ja) | 表示装置、表示装置の画素修復方法及び表示装置の製造方法 | |
| JPH0887029A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0519294A (ja) | アクテイブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法 | |
| JPH11190858A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 | |
| US6873388B2 (en) | Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing the same | |
| JP2994853B2 (ja) | 液晶表示装置の欠陥修正方法 | |
| JP2004219706A (ja) | 表示素子及び表示素子の駆動電圧検出方法 | |
| JP2654259B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JP3287985B2 (ja) | 液晶パネル及びその欠陥修正方法 | |
| JPH02179614A (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JP2002082346A (ja) | アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 | |
| JPH0786619B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JPH02127614A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2009244559A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| JPH0933937A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示パネル | |
| JP2002031811A (ja) | 表示装置および表示装置の断線修復方法 | |
| JP3245551B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法およびその製造装置 | |
| JP4041326B2 (ja) | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその欠陥修復方法 |