JPH02127614A - アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法に関し
、 エバーオフ点欠陥に起因する表示欠陥の拡大を防止する
ことを目的とし、 絶縁性基板上にマトリクス状に配列された複数個の画素
電極と、該画素電極に対応付けて配置された薄膜トラン
ジスタと、該薄膜トランジスタに選択信号を印加するゲ
ートバスと、前記薄膜トランジスタを介して前記画素電
極に表示データを供給するドレインバスとを有する能動
素子基板を形成した後の処理において、該能動素子基板
上の点欠陥を検出し、該検出された点欠陥部の画素電極
を除去する工程を含む構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する
。

液晶等の画素駆動用に薄膜トランジスタを用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置は、薄膜トランジスタが
液晶セルに対する電圧駆動用のスイッチング素子として
働くため、各セルの電圧を正確に制御することができ、
大容量１階調表示に適した表示装置である。そこで昨今
では、ポケットＴＶの表示装置として既に商品化されて
いるのを始め、ＯＡ端末機器の表示装置を目指して盛ん
な開発が進められている。

このような趨性下にあって、液晶表示装置は今以１−の
高画質化および長寿命化が要求されており、従って、表
示欠陥をより少なくし、また、駆動時間の経過とともに
表示欠陥の増大や拡大が発生しないようにすることが必
要である。

〔従来の技術〕

第２図（ａ）、　（ｂ）に、従来の薄膜トランジスタ駆
動液晶表示装置の構造を模式的に示す。

同図（ａ）に示すように、薄膜トランジスタ（以後ＴＰ
Ｔと略記する）３の制御電極はスキャンバスとも呼ぶゲ
ートバスＣＢに、被制御電極の一方はデータバスとも呼
ぶドレインバスＤＢに、他方は画素電極已に接続されて
いる。上記ＴＦＴ３はゲートバスＧＢから選択信号を受
けてオンとなり、この時のドレインバスＤＢ上の表示デ
ータが画素部ｉＥに送られ、表示が行われる。

上記液晶表示装置の断面構造は、同図（ａ）のＡ−へ矢
視部の断面図である（１））に見られるように、ＩＴＯ
膜のような透明導電膜からなる画素電極Ｅ。

ドレインバスＤＢ、配向膜４．および図示はされていな
いがゲートバスＣＢ、ＴＰＴ３等をガラス基板１上に形
成した能動素子基板Ｐと、ＩＴＯ膜等からなる対向電極
Ｅ゛とその上に配向膜４“をガラス基板１′上に形成し
た対向基板Ｐ゛間に、液晶層５を挟持する構成を有する
。

なお上記配向膜４，４°は一般に画素部だけではなく、
非画素部にも全面的に形成されている。

かかる構成において、ＴＦＴ３の断線欠陥等により、常
にドレインバスＤＢから絶縁状態に保たれる画素（今後
エバーオフ点欠陥と呼ぶ）の画素電極Ｅの電位は、それ
を取り囲む周辺のゲートバスＣＢ、　　ドレインバスＤ
Ｂの電位で定まる。

〔発明が解決しようとする課題〕

このようなエバーオフ点欠陥が存在する場合、駆動時間
の経過につれて、このエバーオフ点欠陥の周辺部の光学
状態が変化し、表示欠陥が拡大する現象が生し、表示品
質を著しく損なっていた。

本発明者らは、上記表示欠陥の原因を種々検討の結果、
表示欠陥部では外部からの印加電圧がない時であっても
画素電極Ｅと対向電極Ｅ′間に電位差が存在しており、
そのために外部から正負対称な電圧波形を印加しても液
晶５に加わる電圧は非対称なものになるため、正常な画
素に比べて異なる光学状態を示していることを見出した
。

即ち、エバーオフ点欠陥部の電荷が周辺の画素に回り込
む結果、周辺部の電位が変化するものと考えられる。

ここでエバーオフ点欠陥部が電荷を持つ理由は次のよう
に解される。エバーオフ点欠陥部の電位は周辺のゲート
ハスＧＢとドレインバスＤＢとの容量結合により定まる
。このうち、ドレインバスＤＢには正負対称の電圧が印
加されているのに対し、ゲートバスＣＢの電位は時間平
均しても０にならない直流成分を持っている。従ってエ
バーオフ点欠陥部の電位もまたある直流成分を持つこと
になる結果、液晶５中の電荷がエバーオフ点欠陥部に集
まるものと解される。

本発明はエバーオフ点欠陥に起因する表示欠陥の拡大を
防止することを目的とする。

（課題を解決するための手段〕 本発明は、能動素子基板完成後またはそれ以後の段階で
、検知されたエバーオフ点欠陥部の画素電極を、レーザ
ビーム等の熱照射により除去することを特徴とする。

〔作　用〕

上述した如く、エバーオフ点欠陥部では、液晶に加わる
電圧は非対称なものとなる結果、電荷が周囲の画素に回
り込む。その結果、周囲部の画素電極の電位の変化を引
起すことによって、表示欠陥が拡大するという現象を生
じると考えられる。

そこで本発明では、画素電極を除去することにより、エ
バーオフ点欠陥部から表示欠陥が拡大する原因そのもの
が除かれる。

〔実　施　例〕

以下本発明の一実施例を第１図（ａ）、　（ｂ）により
説明する。

本実施例においても、同図（ａ）に示す如く、ゲートバ
スＣＢから選択信号を受けてＴＦＴ３がオンとなり、ド
レインパスＤＢ上の表示データを画素電極Ｅに送り込む
構成は、従来と何ら変わりはなく、従って液晶表示装置
が完成するまでの製造工程も従来と同様である。

即ち第１図（ｂ）に見られるように、絶縁性基板として
のガラス基板１上に、能動素子として薄膜トランジスタ
（ＴＰＴ）３と画素電極４を対応付けて形成し、その上
にポリイミド膜を配向膜４として塗布した能動素子基板
Ｐと、同じくガラス基板１゛上に対向電極Ｅ゛とその上
にポリイミド膜を配向膜４°として塗布した対向基板Ｐ
′とを所定間隔を隔てて対向配置し、その間に液晶層５
を封入して、液晶表示パネルを作製する。

この液晶表示パネルを駆動回路に接続して表示状態を検
査し、エバーオフ点欠陥画素を検出し、検出された全て
のエバーオフ点欠陥部分にレーザビームを照射して画素
電極を破壊した。第１図に参照符号１０で示す部分は、
上述の画素電極Ｅを除去した部分であって、図示したよ
うに画素電極Ｅを除去した部分は、その上の配向膜４も
同時に除去される。

なお、本工程で使用するレーザは、画素電極を破壊でき
るものであればどのようなものでも良いが、本実施例で
はＹＡＧレーザを使用し、出力パワーを約１ｍＪに絞り
、パルス幅が凡そ５ｍｓのパルスを繰り返し画素電極に
照射して、エバーオフ点欠陥部画素電橋の破壊を行なっ
た。

この後、上記液晶表示装置を実際に動作させて寿命試験
を行ったところ、表示欠陥の拡大は一切見られなかった
。

この効果は、本実施例でエバーオフ点欠陥部の画素電極
Ｅを除去することにより、表示欠陥の拡大の原因そのも
のを取り除いたことによるものである。

上記一実施例では、液晶を封入した後に欠陥部の画素電
極を除去する方法を述べたが、能動素子基板Ｐが完成し
た状態で各画素を調べて能動素子の欠陥を検出し、エバ
ーオフ点欠陥となる危険性の高い画素を検出し、この画
素電極をフォトプロセスによって除去することも出来る
。

液晶表示パネル完成後にレーザービームを照射して画素
電極を除去する上記一実施例の方法では、画素電極の破
片が液晶中に混じるが、この方法ではその問題がなく、
液晶パネルの上下基板間に画素電極の破片等により橋絡
する問題の発生を防止することができる。

［発明の効果］ 以上説明した如く本発明によれば、アクティブマトリク
ス型液晶表示装置において、エバーオフ点欠陥が発生し
た場合でも、これの周辺画素への拡大を防止することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明一実施例の説明図、第
２図（ａ）、　（ｂ）は従来の問題点説明図である。 図において、１は絶縁性基板（ガラス基板）、３は薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）、４，４°は配向膜、５は液晶
層、Ｅ、Ｅ’　は画素電極、Ｐ、Ｐ“は能動素子基板お
よび対向基板、ＣＢはゲートハス、ＤＢはドレインパス
を示す。 ３ＴＦＴ ダ巳著のＴ匍匙７虫、名先口用図 憤　７　　ｎ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁性基板（１）上にマトリクス状に配列された複数個
   の画素電極（Ｅ）と、該画素電極（Ｅ）に対応付けて配
   置された薄膜トランジスタ（３）と、該薄膜トランジス
   タ（３）に選択信号を印加するゲートバス（ＧＢ）と、
   前記薄膜トランジスタ（３）を介して前記画素電極（Ｅ
   ）に表示データを供給するドレインバス（ＤＢ）とを有
   する能動素子基板（Ｐ）を形成した後の処理において、
   該能動素子基板（Ｐ）上の点欠陥を検出し、該検出され
   た点欠陥部の画素電極（Ｅ）を除去する工程を含むこと
   を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製
   造方法。