JPH0887976A - イオン移動度スペクトロメータ - Google Patents

イオン移動度スペクトロメータ

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JPH0887976A
JPH0887976A JP828095A JP828095A JPH0887976A JP H0887976 A JPH0887976 A JP H0887976A JP 828095 A JP828095 A JP 828095A JP 828095 A JP828095 A JP 828095A JP H0887976 A JPH0887976 A JP H0887976A
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    • G01N27/62—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 構造が簡単で生産性が良く、低廉で性能の良
いイオン移動度スペクトロメータを提供する。 【構成】 イオン移動度管２０の外周面に、柔軟性印刷
回路基板２５を巻回し、該イオン移動度管２０長さ方向
に電界が形成されるように、イオン移動度スペクトロメ
ータを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン移動度スペクト
ロメータ(Ion Spectrometer)に係るもので、詳しくは、
分析性能が良好で構成が簡単であり、生産性が良好な柔
軟性印刷回路基板を有したイオン移動度スペクトロメー
タに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、有機物質又は空気中汚染物の探
知及び分析を行うため、イオン移動度スペクトロメータ
が１９７０年頃から使用されている。そして、従来のイ
オン移動度スペクトロメータにおいては、イオンを発生
する反応領域と該イオンの移動度を測定する拡散領域と
により構成され、それら反応領域と拡散領域にイオンの
流入を調整するシャッターグリッド(Shutter Grid)が設
置されていた。
【０００３】且つ、このように構成されたイオン移動度
スペクトロメータの吸入口から試料及びキャリアガス(C
arrier Gas) が流入すると、Ｎｉ−６３，Ａｍ−２４
１，チタニウム(tritium) のような放射性同位元素のイ
オン化又は多重イオン化によりイオンが発生し、該イオ
ンはイオン移動度管の電界により前記拡散領域のコレク
ター方向に移動する。
【０００４】次いで、拡散領域で拡散ガスと衝突しなが
ら重さ、大きさ及び電荷により分離され、コレクターで
検出され、電流が発生する。この場合、該拡散領域に流
入したイオンが分離して検出される間、他のイオンはシ
ャッターグリッドにより遮断され、該拡散領域に流入さ
れなくなる。通常、シャッターグリッドの開放周期は５
９ｍｓ程であり、開放時間は約０．５〜２ｍｓである。
【０００５】該シャッターグリッドは平行線が交互に形
成された２枚のアレイにて構成され、同様な電圧が加え
られるとイオンが拡散領域に流入し、拡散電界の３倍位
の相異な電圧が加えられるとイオン移動方向が偏向さ
れ、拡散領域に流入しなくなる。コレクターに至るイオ
ンの移動速度とピーク電流から反応領域に流入した化合
物の種類及び量を探知することができる。イオン移動度
スペクトロメータの構成及び特性は、イオン移動させる
ため反応領域及び拡散領域で電界を形成するイオン移動
度管の構造に大きく影響され、従来構造として、ＣＩ
Ｔ(condudtivelyinlaid tube)型、積層リング(stacke
d ring)型、イオンレンズ(ion lens)型の３つに分類
される。
【０００６】そして、ＣＩＴ型においては、米国特許
第4,390,784 号（発明者：D.R.Browning) に記載された
ように、セラミック管の内方側面に薄膜の抵抗物質がコ
ーティングされ、イオン移動度管の両方側端に電圧が加
えられ、該イオン移動度管長さ方向に電位差が発生する
と、抵抗物質により該イオン移動度管長さ方向に電界が
形成されるようになっている。
【０００７】且つ、積層リング型においては、米国特
許第4,777,363 （発明者G.A.Eiceman 及びC.S.Leasure)
に記載されたように、複数の金属リング及び絶縁リング
が相互に積層して円筒形管が形成され、該円筒形管両方
側端の金属リングに電圧を加えると、抵抗により金属リ
ングに不連続電圧がかかり、イオン移動度管内方側長さ
方向に電界が形成されるようになっている。
【０００８】又、イオンレンズ型においては、英国Gr
aseby Ionics社で開発されたAVM(Advanced Vapor Monit
or) と、爆発物探知機の薄い金属ディスクと、絶縁棒
と、が交互に積層され、金属ディスクに電圧を加える
と、イオン移動度管の長さ方向に電界が形成されるよう
になっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このように構
成された従来イオン移動度スペクトロメータのイオン移
動度管においては、前記項記載のＣＩＴ型の場合、イ
オン移動度管内方側壁内に抵抗物質を均一な厚さでコー
ティングするということが容易でなく、大量生産に適合
しないという不都合な点があった。
【００１０】且つ、前記項記載の積層リング型及び
項記載のイオンレンズ型の場合、部品数が多いので組み
立てが煩雑であり、均一な電界を形成することが難しい
ので、性能がＣＩＴ型よりも低下するという不都合な点
があった。本発明はこのような従来の課題に鑑みてなさ
れたもので、構造が簡単で生産性が良く、低廉で性能の
良いイオン移動度管を有するイオン移動度スペクトロメ
ータを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１の発
明にかかるイオン移動度スペクトロメータでは、反応領
域及び拡散領域を有し、シャッターグリッド，アパチャ
ーグリッド及びコレクターが夫々設置されたイオン移動
度管と、該イオン移動度管の外周面に巻回され、該イオ
ン移動度管長さ方向に亙り電界を形成させる柔軟性印刷
回路基板と、を備えた。
【００１２】請求項２の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータでは、前記柔軟性印刷回路基板は、相互所
定間隔をおいて平行に配列される複数の導電性バンドを
電気的に接続する抵抗部材を備えるようにした。請求項
３の発明にかかるイオン移動度スペクトロメータでは、
前記抵抗部材は、部品抵抗で構成されるようにした。
【００１３】請求項４の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータでは、前記抵抗部材は、チップ抵抗で構成
されるようにした。請求項５の発明にかかるイオン移動
度スペクトロメータでは、前記抵抗部材は、抵抗性コー
ティング層で構成されるようにした。請求項６の発明に
かかるイオン移動度スペクトロメータでは、前記柔軟性
印刷回路基板は、該基板を絶縁体円筒管外周面に巻回し
て高耐熱性及び耐化学性を有する接着剤又は機構により
付着させ、当該基板が付着した絶縁体円筒管をイオン移
動度管の外周面に被せることにより、イオン移動度管の
外周面に巻回された構成である。
【００１４】請求項７の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータでは、前記絶縁体円筒管は、セラミック、
ボロンニトライド、アルミナ、硝子、プラスチック、マ
イカー、繊維補強プラスチックのうち、いずれか１つの
物質で構成された。請求項８の発明にかかるイオン移動
度スペクトロメータでは、前記高耐熱性及び耐化学性を
有する接着剤は、耐化学性の有機質接着剤，シリコンシ
ラント，セラミック接着剤のうち、いずれか１つであ
る。
【００１５】請求項９の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータでは、前記高耐熱性及び耐化学性を有する
機構は、クランプ，テープ，バンドのうち、いずれか１
つである。請求項10の発明にかかるイオン移動度スペク
トロメータでは、前記絶縁体円筒管の代わりに導電性円
筒管を用い、当該円筒管をイオン移動度管の外周に被せ
て絶縁接着剤で接着するように構成された。
【００１６】
【作用】上記、請求項１の発明にかかるイオン移動度ス
ペクトロメータの構成によれば、従来の導電性リング，
ディスク及び抵抗物質の代わりに、柔軟性印刷回路基板
を使用しているので、軽量で構造が簡単である。且つ、
柔軟性印刷回路基板は、多様なパターンに生産すること
ができるし、大量生産が可能である。そして、該柔軟性
印刷回路基板の両方側端に電圧を供給すると、誘電体に
形成されたイオン移動度管の長さ方向に電界が形成され
る。
【００１７】請求項２の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータの構成によれば、柔軟性印刷回路基板は、
相互隣接した導電性バンドにて形成され、それら隣接す
る導電性バンドは抵抗部材により電気的に接続される。
請求項３の発明にかかるイオン移動度スペクトロメータ
の構成によれば、抵抗部材が汎用品である部品抵抗で構
成されている。
【００１８】請求項４の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータの構成によれば、前記抵抗部材がチップ抵
抗で構成されているため、より小型・軽量になる。請求
項５の発明にかかるイオン移動度スペクトロメータの構
成によれば、抵抗部材が抵抗性コーティング層で構成さ
れているため、さらに小型・軽量になり、生産性をより
向上させることが可能となる。
【００１９】請求項６の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータの構成によれば、絶縁体円筒管、高耐熱性
及び耐化学性を有する接着剤又は機構を用いることによ
り、柔軟性印刷回路基板を絶縁体円筒管の表面に容易に
付着させることができ、そして、簡単に柔軟性印刷回路
基板がイオン移動度管の外周面に巻回されるように構成
することが可能となる。
【００２０】請求項７の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータの構成によれば、絶縁体円筒管に上記物質
を使用すれば、イオン移動度管の外周面に被せることが
可能となる。請求項８の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータの構成によれば、高耐熱性及び耐化学性を
有する接着剤に上記物質を使用することにより、絶縁体
円筒管外周面の表面に柔軟性印刷回路基板を付着させる
ことが可能となる。
【００２１】請求項９の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータの構成によれば、高耐熱性及び耐化学性を
有する機構に上記機構を使用することにより、絶縁体円
筒管外周面の表面に柔軟性印刷回路基板を付着させるこ
とが可能となる。請求項10の発明にかかるイオン移動度
スペクトロメータの構成によれば、絶縁体円筒管の代わ
りに導電性円筒管と、絶縁接着剤と、を用いることが可
能である。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１及び図２に基
づいて詳細に説明する。本発明の一実施例を示す図１に
おいて、本発明に係るイオン移動度スペクトロメータ
は、スペクトロメータハウジング１０と、該ハウジング
１０内に設置されるイオン移動度管２０と、該イオン移
動度管２０の拡散領域２２ａ内に設置されるシャッター
グリッド３０と、該イオン移動度管２０の拡散領域２２
ａ後方側内部に設置されるアパチャーグリッド４０と、
コレクター５０と、を備えている。
【００２３】且つ、前記スペクトロメータハウジング１
０においては、先方側端に通孔１１を有したキャリアガ
ス及び試料ガスの混合ガス注入管１６が連結され、該注
入管１６にキャリアガス供給源１４及び試料ガス供給源
１５が連結され、後方側端に通孔１２を有した拡散ガス
注入管１８が連結され、該注入管１８に拡散ガス注入管
１７が連結され、スペクトロメータハウジング１０上面
には排気孔１３が穿孔形成されている。
【００２４】この場合、前記注入管１６は、キャリアガ
ス供給管１４ａ及び試料ガス供給管１５ａを介して、前
記キャリアガス供給管１４及び試料ガス供給源１５に夫
々連結され、該試料ガス供給源１５はオリピス，注射器
又は注入装置若しくはガスクロマトグラフィーのコロム
１５ｂを通って混合ガス注入管１６に連結され、必要に
応じ、試料濃縮装置又は試料供給装置を使用することが
できる。前記キャリアガスとしては、浄化された窒素又
は空気のような高純度ガス若しくは大気を使用すること
ができる。
【００２５】又、前記イオン移動度管２０は、例えば加
工性セラミックのマクロ（Macro;Duremic products. In
c. of Pallisades Park, New Jersey,米国）にて作られ
た円筒状管であって、前記注入管１６に連結され反応領
域２１ａを有した所定径の反応部２１と、前記拡散ガス
注入管１８に連結され、前記反応部２１よりもやや大き
い径の拡散領域２２ａを有した拡散部２２と、それら反
応部２１及び拡散部２２間に形成され、各排気孔２３
ａ，２３ｂが夫々穿孔形成された段部２３と、により構
成され、前記拡散部２２の後方側壁２４に注入孔２４ａ
が穿孔形成されて、該注入孔２４ａに前記拡散ガス注入
管１８が連結されている。
【００２６】該イオン移動度管２０には、必要に応じ、
マクロ（macro)の他に有機合成樹脂，アルミナ，硝子及
びボロンニトライド(Boron nitride) の誘電体を使用す
ることもできる。該イオン移動度管２０の外周面に、複
数の柔軟性印刷回路基板２５がシリコンシラントにより
付着している。且つ、該柔軟性印刷回路基板２５は所定
間隔を有して平行に配列された複数の導電性バンド２５
ａと、隣接する導電性バンド２５ａに電気的に接続され
た抵抗部材２７ａとを備えている。該抵抗部材２７ａと
しては、部品抵抗，チップ抵抗又は抵抗性コーティング
層を使用することができる。従って、前記柔軟性印刷回
路基板２５は、複数の抵抗部材２７ａを有した電圧分離
器２７を通って高電圧供給装置２６に電気的に接続さ
れ、電界が形成されるようになっている。
【００２７】即ち、図２（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、柔軟性印刷回路基板２５は、導電性の各バンド２５
ａと、それらバンド２５ａの一方側端に形成された電圧
分配器接続部２５ｂとにより構成され、前記イオン移動
度管２０の反応部２１及び拡散部２２外周面に巻回配置
されるが、高耐熱性及び耐化学性を有する接着剤又は機
構により絶縁体円筒管（図示せず）外周面に巻回され、
絶縁体円筒管が外周面に被せられる。
【００２８】この場合、絶縁体円筒管としては、高誘電
率，高耐熱性及び耐火性を有した物質、例えば、セラミ
ック，ボロンニトライド(boron nitride),アルミナ, 硝
子,プラスチック, マイカー, 繊維補強プラスチック(FR
P) 等が使用され、高耐熱性及び耐化学性を有する接着
剤としては、有機接着剤又はシリコンシラント，若しく
はセラミック接着剤が使用され、機構としては、クラン
プ又はテープ若しくはバンドが使用される。
【００２９】また、柔軟性印刷回路基板２５を配置する
ための管としては、絶縁体円筒管の他に導電性円筒管
（図示せず）が使用され、絶縁性接着剤によりイオン移
動度管２０の外周面に被せられている。且つ、柔軟性印
刷回路基板２５表面にテプロン又はセラミックのような
耐化学性物質をコーティングし、若しくはライニングし
て使用することもできるし、該柔軟性印刷回路基板２５
を折曲し得る状態のものに使用することもできる。
【００３０】前記スペクトロメータハウジング１０に
は、ヒーター（図示せず）が設置され、該ヒーターによ
り前記イオン移動度管２０が加熱される。又、前記電圧
分配器２７は、複数の抵抗部材２７ａにより構成され、
それら抵抗部材２７ａは前記高電圧供給装置２６及び前
記柔軟性印刷回路基板２５に夫々連結され、該高電圧供
給装置２６からの高電圧が柔軟性印刷回路基板２５に分
配される。
【００３１】そして、前記イオン移動度管２０の反応部
２１先方側端には、前記混合ガス注入管１６の貫通され
る反撥器２８が接続され、該反撥器２８と前記スペクト
ロメータハウジング１０先方側壁間に絶縁体１９が挟合
されている。該反撥器２８は、前記反応領域２１ａで生
成されたイオンＩ1 を前記コレクター５０で良好に収集
させるため、前記反応部２１の反応領域２１ａ内に内装
された放射性同位元素Ｎｉ−６３，Ａｍ−２４１，チタ
ニウム等のイオン化源２９の前方側に位置し、前記絶縁
体１９により前記スペクトロメータハウジング１０と絶
縁されている。
【００３２】且つ、前記シャッターグリッド３０は、グ
リッドパルス発生器３１の出力端３１ｂから駆動パルス
を受けるまで、イオンが前記拡散領域２２ａに流入する
のを遮断し、同一面上の各線は相互接続されるが、すぐ
そばの線同士は絶縁されるように２枚にて構成され、前
記グリッドパルス発生器３１の各出力端３１ａ，３１ｂ
に夫々連結されている。この場合、該シャッターグリッ
ド３０がスペクトロメータハウジング１０のＸ軸に沿っ
て互いに絶縁されるように、シャッターグリッド３０を
並列板シャッターグリッドで構成して使用することもで
きる。
【００３３】又、前記グリッドパルス発生器３１には、
基準電圧ｖｄと該基準電圧よりも低い電圧とに隔離する
optoisolatorを有した駆動回路が形成され、該グリッド
パルス発生器３１の一方側出力端３１ａから出力する基
準電圧ｖｄが前記シャッターグリッド３０の一方側アレ
イに印加され、該シャッターグリッド３０の他方側アレ
イには基準電圧よりも低い電圧が印加されるようになっ
ている。この場合、該グリッドパルス発生器３１を、内
蔵されたパルス発生回路により駆動することもできる
し、入力端３１ｃを通し、外部から駆動信号を受けて駆
動することもできる。更に、該グリッドパルス発生器３
１の出力端３１ｂには、タイマー回路３２が連結されて
いる。
【００３４】そして、前記アパチャーグリッド４０は、
前記コレクター５０にイオンが移動するとき、拡散領域
２２ａを通過するイオンによる誘電電流効果と、前記グ
リッドパルス発生器３１からコレクター５０に流入する
パルスとを遮断するものであって、前記電圧分配器２７
にリード線４０ａにて連結され、抵抗４１を通って接地
され、該抵抗４１及びコンデンサー４２が並列に接続さ
れることにより構成されている。
【００３５】前記コレクター５０は、該コレクター５０
に至ったイオンにより電流を検出するように、パラディ
板にて形成されている。該コレクター５０には増幅器５
１が連結され、該増幅器５１はＯＰアンプ５２と、該Ｏ
Ｐアンプ５２の入力端子５２ａと出力端子５２ｂ間に連
結された抵抗５３とを備えている。前記増幅器５１には
例えば、米国Keithley社のモデル４２７電流増幅器を使
用することができる。
【００３６】次に、このように構成された本発明に係る
イオン移動度スペクトロメータを利用し、イオン移動度
を分析する過程について説明する。試料ガス供給源１５
から試料ガス管１５ａを通って供給される試料ガスと、
キャリアガス供給源１４からキャリアガス供給源１４ａ
を通って供給されるキャリアガスとが、混合ガス注入管
１６を通ってイオン移動度管２０の反応領域２１ａ内に
注入され、拡散ガス供給源１７から拡散ガス注入管１８
を通って拡散ガスがイオン移動度管２０の拡散領域２２
ａ内に注入される。
【００３７】次いで、反応領域２１ａに注入されたキャ
リアガスは反応領域２１ａ内のイオン化源２９から放出
するβ粒子と反応して陽イオン及び陰イオンの反応イオ
ンを作り、それら反応イオンは試料ガスと反応して、陽
イオン又は陰イオンの生成イオンを作る。次いで、それ
ら反応イオン及び生成イオンは高電圧供給装置２６の電
圧極性により矢印“ａ”方向に移動される。この場合、
陽電圧の場合は陽イオンのみが矢印“ａ”方向に移動
し、陰イオンは反応領域２１ａのイオン移動度管２０に
衝突して中和され、陰電圧の場合は陰イオンのみが矢印
“ａ”方向に移動し、陽イオンはイオン移動度管２０に
衝突して中和される。
【００３８】且つ、それらイオンは、シャッターグリッ
ド３０により遮断されて拡散領域２２ａ内に流入せず、
グリッドパルス発生器３１の出力端子３１ｂから一方側
アレイに印加する電圧が該グリッドパルス発生器３１の
出力端子３１ａから他方側アレイに印加する基準電圧ｖ
ｄと同様になる場合のみ、そのシャッターグリッド３０
を通って前記拡散領域２２ａに流入する。
【００３９】即ち、該シャッターグリッド３０の２枚の
アレイ中、一方側にのみ前記グリッドパルス発生器３１
の出力端３１ａから出力する基準電圧ｖｄが印加され、
他のアレイには出力端３１ｂから前記基準電圧ｖｄと異
なる電圧が印加される。前記イオンは相対的に低い電圧
のアレイに衝突し、シャッターグリッド３０により抵抗
領域２２ａに流入しないように遮断される。
【００４０】しかし、瞬間的に、シャッターグリッド３
０の両方側アレイに基準電圧ｖｄと同様な電圧が印加さ
れると、反応領域２１ａから発生したイオンはシャッタ
ーグリッド３０のアレイに衝突せずに、拡散領域２２ａ
に流入する。次いで、該拡散領域２２ａに流入されたイ
オンは、矢印“ｂ”方向に沿ってコレクター５０側に移
動しながら加速される。又、この場合、拡散ガス供給源
１７から拡散ガス注入管１８を通って注入された非活性
拡散ガスは、矢印“ｃ”方向に移動しながら拡散領域２
２ａを通って排気孔２３ａ，２３ｂに至り、イオン移動
度管２０外部に排気される。
【００４１】このような過程を経て、試料ガスの生成イ
オンはそれらの衝突断面積，荷電量，温度，湿度及び圧
力により異なる速度になり、それら試料中の成分物質
は、前記シャッターグリッド３０に加えられるパルスを
基準にしてコレクター５０で検出され、検出信号が増幅
器５１で増幅された後、出力端５２ｂの出力電流により
スペクトロメータで分析される。
【００４２】そして、前記グリッドパルス発生器３１の
出力端３１ｂに連結されたタイマー回路３２は、トリガ
ーパルスが作動されて経過時間を測定し、出力端３２ａ
から比例信号が出力される。従って、タイマー回路３２
の出力端３２ａの経過時間を利用し、増幅器５１で感知
されるイオンピーク値により拡散領域２２ａを通過する
各イオンの時間を測定することができる。
【００４３】且つ、オシロスコープ又は他の装置を利用
し、イオンのモードピークが表れるイオン移動度スペク
トロメータを構成することができる。前記経過時間の逆
がイオン移動度測定値であり、それとイオンピーク値と
により試料を分析することができる。又、前記アパチャ
ーグリッド４０は、該アパチャーグリッド４０を通って
イオンがコレクター５０に移動するとき、拡散領域２２
ａを通過するイオンによる誘電電流効果と、グリッドパ
ルス発生器３１からコレクター６０に流入するパルス
と、を遮断する役割を行う。
【００４４】更に、前記反撥器２８は、反応領域２１ａ
で生成された生成イオンがコレクター５０で収集される
効率を向上させる役割をし、該反撥器２８の機能を良好
にさせるため、イオンの移動方向と垂直に該反撥器２８
に導電性網を挟合することもできる。そのような過程
で、イオン化されないキャリアガス及び試料ガスは、矢
印“ｄ”方向に移動し、排気孔２３ａ，２３ｂ及び１３
を夫々通って外部に排出される。
【００４５】又、本発明に係るイオン移動度スペクトロ
メータの柔軟性印刷回路基板２５において、図２
（Ａ），（Ｂ）に示すように、導電性バンド２５ａの長
さｌ1 及びｌ6 は、反応部２１及び拡散部２２の外周面
を巻回する長さに設定し、それらバンド２５ａの幅ｌ2
及びｌ3 と、バンド２５ａの数とを、形成すべき電界及
び反応領域２１ａの構造に従い、夫々適宜に決定して形
成することができる。
【００４６】この場合、バンド２５ａの数が多い程、電
極表面で電界の変化が減少され、図１の矢印“ｂ”方向
に沿って形成される電界が均一になって、安定性が良好
になる。更に、反応領域２１ａ及び拡散領域２２ａの長
さに従い、導電性バンド２５ａの幅をｌ2 の代わりにｌ
4 又はｌ5 のように形成することもできる。
【００４７】且つ、本発明に係る他の実施例として、反
応領域２１ａの外径と、拡散領域２２ａの外径とを同様
に形成し、１枚の柔軟性印刷回路基板２５を利用して、
イオン移動度管２０の電界を形成することもできる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
かかるイオン移動度スペクトロメータによれば、イオン
移動度管の外周面に柔軟性印刷回路基板を巻回して構成
されるため、構造が簡単で生産性が向上され、分解組立
が簡便で軽量であり、分析性能が良好で低廉なイオン移
動度スペクトロメータを得ることができるという効果が
ある。
【００４９】請求項２の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータによれば、柔軟性印刷回路基板が導電性バ
ンド、抵抗部材により形成されているので、柔軟性印刷
回路基板を電気的に接続することができる。請求項３の
発明にかかるイオン移動度スペクトロメータによれば、
抵抗部材が汎用品である部品抵抗であるので、安価にす
ることができる。
【００５０】請求項４の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータによれば、抵抗部材がチップ抵抗であるた
め、小型・軽量となる。請求項５の発明にかかるイオン
移動度スペクトロメータによれば、抵抗部材が抵抗性コ
ーティング層で構成されているため、より小型・軽量化
することができ、生産性もより向上する。
【００５１】請求項６の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータによれば、柔軟性印刷回路基板を絶縁体円
筒管の表面に容易に付着させることができ、そして、簡
単に柔軟性印刷回路基板がイオン移動度管の外周面に巻
回されるように構成することができる。請求項７の発明
にかかるイオン移動度スペクトロメータによれば、絶縁
体円筒管がセラミック等の物質で構成されているので、
イオン移動度管の外周面に被せることができる。
【００５２】請求項８の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータによれば、高耐熱性及び耐化学性を有する
接着剤に耐化学性の有機質接着剤等が使用されるので、
良好に柔軟性印刷回路基板を絶縁体円筒管外周面に付着
させることができる。請求項９の発明にかかるイオン移
動度スペクトロメータによれば、高耐熱性及び耐化学性
を有する機構は、クランプ等を使用しているので、良好
に柔軟性印刷回路基板を絶縁体円筒管外周面に付着させ
ることができる。
【００５３】請求項10の発明にかかるイオン移動度スペ
クトロメータによれば、絶縁体円筒管の代わりに導電性
円筒管、絶縁接着剤を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るイオン移動度スペクトロメータを
示した構成図。
【図２】本発明に係る柔軟性印刷回路基板を示した展開
図。
【符号の説明】
２０ イオン移動度管 ２１ａ 反応領域 ２２ａ 拡散領域 ２５ 柔軟性印刷回路基板 ２５ａ 導電性バンド２５ ３０ シャッターグリッド ４０ アパチャーグリッド ５０ コレクター

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】反応領域及び拡散領域を有し、シャッター
    グリッド，アパチャーグリッド及びコレクターが夫々設
    置されたイオン移動度管と、該イオン移動度管の外周面
    に巻回され、該イオン移動度管長さ方向に亙り電界を形
    成させる柔軟性印刷回路基板と、を備えたことを特徴と
    するイオン移動度スペクトロメータ。
  2. 【請求項２】前記柔軟性印刷回路基板は、相互所定間隔
    をおいて平行に配列される複数の導電性バンドを電気的
    に接続する抵抗部材を備えて構成されたことを特徴とす
    る請求項１に記載のイオン移動度スペクトロメータ。
  3. 【請求項３】前記抵抗部材は、部品抵抗で構成されたこ
    とを特徴とする請求項２記載のイオン移動度スペクトロ
    メータ。
  4. 【請求項４】前記抵抗部材は、チップ抵抗で構成された
    ことを特徴とする請求項２記載のイオン移動度スペクト
    ロメータ。
  5. 【請求項５】前記抵抗部材は、抵抗性コーティング層で
    構成されたことを特徴とする請求項２記載のイオン移動
    度スペクトロメータ。
  6. 【請求項６】前記柔軟性印刷回路基板は、該基板を絶縁
    体円筒管外周面に巻回して高耐熱性及び耐化学性を有す
    る接着剤又は機構により付着させ、当該基板が付着した
    絶縁体円筒管をイオン移動度管の外周面に被せることに
    より、イオン移動度管の外周面に巻回された構成である
    ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の
    イオン移動度スペクトロメータ。
  7. 【請求項７】前記絶縁体円筒管は、セラミック、ボロン
    ニトライド、アルミナ、硝子、プラスチック、マイカ
    ー、繊維補強プラスチックのうち、いずれか１つの物質
    で構成されたことを特徴とする請求項６に記載のイオン
    移動度スペクトロメータ。
  8. 【請求項８】前記高耐熱性及び耐化学性を有する接着剤
    は、耐化学性の有機質接着剤，シリコンシラント，セラ
    ミック接着剤のうち、いずれか１つであることを特徴と
    する請求項６に記載のイオン移動度スペクトロメータ。
  9. 【請求項９】前記高耐熱性及び耐化学性を有する機構
    は、クランプ，テープ，バンドのうち、いずれか１つで
    あることを特徴とする請求項６に記載のイオン移動度ス
    ペクトロメータ。
  10. 【請求項10】前記絶縁体円筒管の代わりに導電性円筒管
    を用い、当該円筒管をイオン移動度管の外周に被せて絶
    縁接着剤で接着するように構成されたことを特徴とする
    請求項６に記載のイオン移動度スペクトロメータ。
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