JPH0888193A - 半導体デバイスの製造装置 - Google Patents
半導体デバイスの製造装置Info
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- JPH0888193A JPH0888193A JP22725795A JP22725795A JPH0888193A JP H0888193 A JPH0888193 A JP H0888193A JP 22725795 A JP22725795 A JP 22725795A JP 22725795 A JP22725795 A JP 22725795A JP H0888193 A JPH0888193 A JP H0888193A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 縦型二重管加熱炉を用いる半導体デバイスの
製造装置において、反応ガス導入管に起因するパーティ
クルを少なくする。 【構成】 反応ガス導入口８を反応容器１の底部側面に
形成する。
製造装置において、反応ガス導入管に起因するパーティ
クルを少なくする。 【構成】 反応ガス導入口８を反応容器１の底部側面に
形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの製造装
置に関するものである。
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩなどの半導体デバイスの製造過程
における半導体素子の酸化、拡散或はＣＶＤ（化学気相
成長）などの処理工程においては、一般に石英ガラス製
反応管内に窒素、酸素、シラン、アンモニア、ホスフィ
ン、亜酸化窒素等の反応ガスを導入して加熱処理を行
う。前記した半導体素子の各処理工程の状態及び膜質は
温度、反応ガスの種類、混合比の他に該反応ガスの濃度
及び圧力に大きく依存する。
における半導体素子の酸化、拡散或はＣＶＤ（化学気相
成長）などの処理工程においては、一般に石英ガラス製
反応管内に窒素、酸素、シラン、アンモニア、ホスフィ
ン、亜酸化窒素等の反応ガスを導入して加熱処理を行
う。前記した半導体素子の各処理工程の状態及び膜質は
温度、反応ガスの種類、混合比の他に該反応ガスの濃度
及び圧力に大きく依存する。
【０００３】従来の半導体デバイスの製造装置の多くは
一重の反応管であり、縦型炉の場合はほとんどの場合上
端から反応ガスを排出する型式のものであった（特開昭
５５−１１８６３１号、５６−９１４１７号、５８−１
１００３４号、実開昭６１−１００１４１号など）。二
重管型で反応ガスを反応室内に上向きに流す半導体製造
装置も公知であり（実開昭６１−１２１７３４号）、こ
の半導体製造装置では反応ガスの濃度及び圧力のコント
ロールは、通常のように排気ポンプ、バルブの操作など
により行われるが、この通常の操作では対応できない範
囲の圧力などのコントロールは、反応管（内管）の閉じ
られた端部に複数個の孔を開けこの孔の大きさ及び個数
を変えることによって行われる。しかし、これは面倒で
ありまた一旦決めて反応管を製作すると、容易に孔の大
きさ、個数を変更できない。さらに穴の位置でガス流断
面積が激減するから、ガスの流れがスムースでないとい
う欠点があった。
一重の反応管であり、縦型炉の場合はほとんどの場合上
端から反応ガスを排出する型式のものであった（特開昭
５５−１１８６３１号、５６−９１４１７号、５８−１
１００３４号、実開昭６１−１００１４１号など）。二
重管型で反応ガスを反応室内に上向きに流す半導体製造
装置も公知であり（実開昭６１−１２１７３４号）、こ
の半導体製造装置では反応ガスの濃度及び圧力のコント
ロールは、通常のように排気ポンプ、バルブの操作など
により行われるが、この通常の操作では対応できない範
囲の圧力などのコントロールは、反応管（内管）の閉じ
られた端部に複数個の孔を開けこの孔の大きさ及び個数
を変えることによって行われる。しかし、これは面倒で
ありまた一旦決めて反応管を製作すると、容易に孔の大
きさ、個数を変更できない。さらに穴の位置でガス流断
面積が激減するから、ガスの流れがスムースでないとい
う欠点があった。
【０００４】また二重管型半導体デバイス製造装置とし
て特開昭６１−１１４５２２号に記載されたものは、外
管の下部から反応管頂部に達するガス通路を形成し、ガ
ス通路の下部に設けた吸気口から導かれたガスがガス通
路を上昇し、ウェーハと接触することなく反応管頂部に
達した後反応用内管内に下降して流れ、反応用内管下面
の排気口から外部に排出する形式のものである。しかし
ながらこの装置では、反応ガスが反応管内で空間反応を
起こし、温度が急激に降下する反応管下部にて反応生成
物が多量に析出する。ここで析出した反応生成物は処理
後のウェーハを反応管内外に出し入れするときに、ウェ
ーハの表面に付着し汚染する。
て特開昭６１−１１４５２２号に記載されたものは、外
管の下部から反応管頂部に達するガス通路を形成し、ガ
ス通路の下部に設けた吸気口から導かれたガスがガス通
路を上昇し、ウェーハと接触することなく反応管頂部に
達した後反応用内管内に下降して流れ、反応用内管下面
の排気口から外部に排出する形式のものである。しかし
ながらこの装置では、反応ガスが反応管内で空間反応を
起こし、温度が急激に降下する反応管下部にて反応生成
物が多量に析出する。ここで析出した反応生成物は処理
後のウェーハを反応管内外に出し入れするときに、ウェ
ーハの表面に付着し汚染する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した従来
の欠点を除去し、反応容器内におけるガスの流れをスム
ースにし、空間反応によるパ−ティクルやウェーハの出
入れ部に生じるパーティクルによる汚染を防止し、かつ
排気のコンダクタンスを任意に設定できる半導体デバイ
スの製造装置を提供することを目的とする。
の欠点を除去し、反応容器内におけるガスの流れをスム
ースにし、空間反応によるパ−ティクルやウェーハの出
入れ部に生じるパーティクルによる汚染を防止し、かつ
排気のコンダクタンスを任意に設定できる半導体デバイ
スの製造装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体デ
バイスの製造装置は、反応容器が、反応ガス導入口を下
端部に設けかつ上端側が開放されたスリーブ状内管とそ
れを覆う排気用外管とで構成され、該スリーブ状内管と
排気用外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成
し、前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上
端部との間に間隔が形成されかつ反応容器の下部に反応
ガスの排出口が設けられているともに、ウェーハを前記
スリーブ状内管内の空間に配置するウェーハ支持棒を担
持するとともに前記スリーブ状内管の底部開放部を閉鎖
する底板が前記反応容器の底部と気密にかつ着脱自在に
固定されている半導体デバイスの製造装置において、前
記反応ガス導入口は前記反応容器の底部側面に形成され
ていることを特徴とする。
バイスの製造装置は、反応容器が、反応ガス導入口を下
端部に設けかつ上端側が開放されたスリーブ状内管とそ
れを覆う排気用外管とで構成され、該スリーブ状内管と
排気用外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成
し、前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上
端部との間に間隔が形成されかつ反応容器の下部に反応
ガスの排出口が設けられているともに、ウェーハを前記
スリーブ状内管内の空間に配置するウェーハ支持棒を担
持するとともに前記スリーブ状内管の底部開放部を閉鎖
する底板が前記反応容器の底部と気密にかつ着脱自在に
固定されている半導体デバイスの製造装置において、前
記反応ガス導入口は前記反応容器の底部側面に形成され
ていることを特徴とする。
【０００７】この装置では、内管が上端が開放されたス
リーブ状であるために、内管出口におけるガス流路の断
面積が大きく、その結果ガスの流れがスムースになる。
さらに上記間隙は連続した環状空間であるためガスの流
れがスムースになることにより、ウェーハ面上、ウェー
ハ周縁部の流線が一様になり、反応ガスの導入側と排出
側との圧力バランスの保持及び調節が容易になる。
リーブ状であるために、内管出口におけるガス流路の断
面積が大きく、その結果ガスの流れがスムースになる。
さらに上記間隙は連続した環状空間であるためガスの流
れがスムースになることにより、ウェーハ面上、ウェー
ハ周縁部の流線が一様になり、反応ガスの導入側と排出
側との圧力バランスの保持及び調節が容易になる。
【０００８】上記間隙の大きさは装置の使用状況を勘案
して最適な値に設計する。又装置使用後は、排気ポンプ
及び排気側バルブを操作する通常の手段で排気コンダク
タンスを調節するが、処理条件を大幅に変える場合は上
記間隙の大きさを再調節することにより最適な排気コン
ダクタンスを得ることができる。再調節のためにはスリ
ーブ状内管の下端にスペーサーを配置しておくことが好
ましい。
して最適な値に設計する。又装置使用後は、排気ポンプ
及び排気側バルブを操作する通常の手段で排気コンダク
タンスを調節するが、処理条件を大幅に変える場合は上
記間隙の大きさを再調節することにより最適な排気コン
ダクタンスを得ることができる。再調節のためにはスリ
ーブ状内管の下端にスペーサーを配置しておくことが好
ましい。
【０００９】また、内管と外管の間の間隙は反応ガス排
出部とすることにより、反応生成物を含む反応ガスをウ
ェーハがない該間隙を通すとともに、急激な温度変化に
よるパーティクルの発生が避けられない排気口を反応容
器の下部に位置させて、パーティクルによるウェーハの
汚染の問題を少なくした。
出部とすることにより、反応生成物を含む反応ガスをウ
ェーハがない該間隙を通すとともに、急激な温度変化に
よるパーティクルの発生が避けられない排気口を反応容
器の下部に位置させて、パーティクルによるウェーハの
汚染の問題を少なくした。
【００１０】反応室内を上向きに流れるガス流は排気用
外管の内壁の頂点及びその周囲に当たって、下向きに方
向転換するためにガスの流れが対称的になる。このよう
に、スリーブ状内管の上端だけで反応ガスの流れを変え
ることにより、複数の孔のそれぞれでガスの流れが変わ
る従来の装置（実開昭６１−１２１７３４号）よりも反
応ガスの流線分布を等しくして孔の周りにおけるＣＶＤ
膜の付着を少なくし、もってパーティクルの発生も少な
くすることができる。
外管の内壁の頂点及びその周囲に当たって、下向きに方
向転換するためにガスの流れが対称的になる。このよう
に、スリーブ状内管の上端だけで反応ガスの流れを変え
ることにより、複数の孔のそれぞれでガスの流れが変わ
る従来の装置（実開昭６１−１２１７３４号）よりも反
応ガスの流線分布を等しくして孔の周りにおけるＣＶＤ
膜の付着を少なくし、もってパーティクルの発生も少な
くすることができる。
【００１１】さらに、反応ガス導入口は反応容器の底部
側面に形成され、かつスリーブ状内管の内部空間を底面
で閉鎖する底板はこの底部側面と気密かつ着脱自在に固
定されているので、ウェーハの出し入れの都度反応ガス
導入配管も付随して移動させる必要がなくなる。
側面に形成され、かつスリーブ状内管の内部空間を底面
で閉鎖する底板はこの底部側面と気密かつ着脱自在に固
定されているので、ウェーハの出し入れの都度反応ガス
導入配管も付随して移動させる必要がなくなる。
【００１２】加えて、反応用内管の排気側端部に屈曲部
を設けると、該屈曲部により排気側に於て堆積しがちな
反応生成物を排気通路寄りに堆積させ反応用内管内に落
下するのを防ぎ、かつ排気通路内の堆積物が剥離し逆流
するのを防ぐ効果を有する。
を設けると、該屈曲部により排気側に於て堆積しがちな
反応生成物を排気通路寄りに堆積させ反応用内管内に落
下するのを防ぎ、かつ排気通路内の堆積物が剥離し逆流
するのを防ぐ効果を有する。
【００１３】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１及び図２に本発明を縦型炉に適用した
実施例を示す。図１は反応用内管の排気側端部が中心軸
に対し垂直に切断されているスレート管を示し、図２は
該端部を外部に開いた屈曲部を有する末広がりとした場
合を示す。いずれの場合も反応用内管はスリーブ形状を
有し、かつ反応用内管の排気側端部と排気用外管の間に
は連続したリング状空間が形成されている。
に説明する。図１及び図２に本発明を縦型炉に適用した
実施例を示す。図１は反応用内管の排気側端部が中心軸
に対し垂直に切断されているスレート管を示し、図２は
該端部を外部に開いた屈曲部を有する末広がりとした場
合を示す。いずれの場合も反応用内管はスリーブ形状を
有し、かつ反応用内管の排気側端部と排気用外管の間に
は連続したリング状空間が形成されている。
【００１４】図１及び図２に於て、１Ａは管状の加熱炉
１の炉体、１Ｂは適宜な抵抗体からなるヒーターであ
り、２は加熱炉１内に納められている反応容器で例えば
石英ガラスからなる排気用外管３とスリーブ状内管４で
構成される。ウェーハ１５は支持台１１により反応用内
管４内の所定位置に保持される。該外管３及び内管４は
前記反応ガスの排気通路となる空間５で隔てられてい
る。排気用外管３の上端は閉じられており均熱な閉空間
を形成している。排気用外管の下端はフランジ６、Ｏリ
ングＯＲ、底板１６によって気密封止されている。
１の炉体、１Ｂは適宜な抵抗体からなるヒーターであ
り、２は加熱炉１内に納められている反応容器で例えば
石英ガラスからなる排気用外管３とスリーブ状内管４で
構成される。ウェーハ１５は支持台１１により反応用内
管４内の所定位置に保持される。該外管３及び内管４は
前記反応ガスの排気通路となる空間５で隔てられてい
る。排気用外管３の上端は閉じられており均熱な閉空間
を形成している。排気用外管の下端はフランジ６、Ｏリ
ングＯＲ、底板１６によって気密封止されている。
【００１６】反応ガスの導入口８は反応容器の底部に相
当するフランジ７内に形成されている。ウェーハ１５の
出し入れの際には底板１６をフランジ７から離し、ある
いはＯリングを介して気密に接触させる。９は反応容器
の下部に設けられたガス排出口であり排気系に接続され
反応管の真空排気にも用いられる。スリーブ内管４は両
端が開放されており、下端部はガイドリング１４により
安定に保持されている。スリーブ状内管４の上端部と排
気用外管３とのコンダクタンス調整間隙４Ｂにより反応
ガス通路５への入口断面積を調節し反応ガスｇの通路の
コンダクタンスを制御する。コンダクタンス調整間隙４
Ｂの変更を容易にするために反応用内管４の下に適当な
厚さのスペーサー（リング）１０を挿入している。
当するフランジ７内に形成されている。ウェーハ１５の
出し入れの際には底板１６をフランジ７から離し、ある
いはＯリングを介して気密に接触させる。９は反応容器
の下部に設けられたガス排出口であり排気系に接続され
反応管の真空排気にも用いられる。スリーブ内管４は両
端が開放されており、下端部はガイドリング１４により
安定に保持されている。スリーブ状内管４の上端部と排
気用外管３とのコンダクタンス調整間隙４Ｂにより反応
ガス通路５への入口断面積を調節し反応ガスｇの通路の
コンダクタンスを制御する。コンダクタンス調整間隙４
Ｂの変更を容易にするために反応用内管４の下に適当な
厚さのスペーサー（リング）１０を挿入している。
【００１７】また図２の外側に開いた屈曲部４Ａは反応
生成物が反応用内管４内に逆流することを抑える効果を
持つ。
生成物が反応用内管４内に逆流することを抑える効果を
持つ。
【図１】ストレート型スリーブ状内管を使用した縦型炉
の一実施例の概要を示す縦断面図である。
の一実施例の概要を示す縦断面図である。
【図２】上端が外側に広がったスリーブ状内管を使用し
た縦型炉の一実施例の概要を示す縦断面図である。
た縦型炉の一実施例の概要を示す縦断面図である。
１ 加熱炉 １Ａ 炉体 １Ｂ ヒーター ２ 反応容器 ３ 排気用外管 ４ 反応用内管 ４Ｂ 反応ガス排気通路のコンダクタンスを決める反応
用内管の上端部と排気用外管の内壁との間隙 ５ 反応ガスの排気通路 ６，７ フランジ ８ 反応ガス導入口 ９ 反応ガス排出口 １０ スペーサー（リング） １４ ガイドリング １５ ウェーハ １６ 底板 ｇ 反応ガス
用内管の上端部と排気用外管の内壁との間隙 ５ 反応ガスの排気通路 ６，７ フランジ ８ 反応ガス導入口 ９ 反応ガス排出口 １０ スペーサー（リング） １４ ガイドリング １５ ウェーハ １６ 底板 ｇ 反応ガス
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器が、反応ガス導入口を下端部に
設けかつ上端側が開放されたスリーブ状内管とそれを覆
う排気用外管とで構成され、該スリーブ状内管と排気用
外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成し、前
記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部と
の間に間隔が形成されかつ反応容器の下部に反応ガスの
排出口が設けられているともに、ウェーハを前記スリー
ブ状内管内の空間に配置するウェーハ支持棒を担持する
とともに前記スリーブ状内管の底部開放部を閉鎖する底
板が前記反応容器の底部と気密にかつ着脱自在に固定さ
れている半導体デバイスの製造装置において、 前記反応ガス導入口は前記反応容器の底部側面に形成さ
れていることを特徴とする半導体デバイスの製造装置。 - 【請求項２】 前記スリーブ状内管の下端に、前記排気
用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部の間に形
成された間隔の大きさを調整するスペーサを設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体デバイ
スの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7227257A JP2635019B2 (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 半導体デバイスの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7227257A JP2635019B2 (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 半導体デバイスの製造装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61179879A Division JP2646079B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導体デバイスの製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888193A true JPH0888193A (ja) | 1996-04-02 |
| JP2635019B2 JP2635019B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=16857993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7227257A Expired - Lifetime JP2635019B2 (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 半導体デバイスの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2635019B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008149609A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Lintec Corporation | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140817A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61101025A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS61121734U (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-31 | ||
| JPS6240720A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-21 | Nec Corp | 気相エピタキシヤル成長装置 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP7227257A patent/JP2635019B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140817A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61101025A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS61121734U (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-31 | ||
| JPS6240720A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-21 | Nec Corp | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008149609A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Lintec Corporation | 半導体チップ接着装置及び接着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2635019B2 (ja) | 1997-07-30 |
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