JPH089183A - 高圧発生装置 - Google Patents
高圧発生装置Info
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- JPH089183A JPH089183A JP13317595A JP13317595A JPH089183A JP H089183 A JPH089183 A JP H089183A JP 13317595 A JP13317595 A JP 13317595A JP 13317595 A JP13317595 A JP 13317595A JP H089183 A JPH089183 A JP H089183A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】フライバックトランスの出力波形のリンギング
防止と、高圧出力の一定化を実現できる高圧発生装置を
得る。 【構成】フライバックトランスの１次側及び２次側のそ
れぞれに、共振用トランスと抵抗とを有して成り上記フ
ライバックトランスの負荷電流に対応して上記共振用ト
ランスのインダクタンス値が変化し負荷電流値が低い状
態（第１の状態）で該フライバックトランスの水平周波
数の複数奇数倍の高調波に共振する構成の第１，第２の
共振回路を設ける。 【効果】低コスト構成下で、確実に高圧レギュレーショ
ンを行える。
防止と、高圧出力の一定化を実現できる高圧発生装置を
得る。 【構成】フライバックトランスの１次側及び２次側のそ
れぞれに、共振用トランスと抵抗とを有して成り上記フ
ライバックトランスの負荷電流に対応して上記共振用ト
ランスのインダクタンス値が変化し負荷電流値が低い状
態（第１の状態）で該フライバックトランスの水平周波
数の複数奇数倍の高調波に共振する構成の第１，第２の
共振回路を設ける。 【効果】低コスト構成下で、確実に高圧レギュレーショ
ンを行える。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高圧発生装置に係り、
特にフライバックトランス高圧レギュレーション改善に
関する。 【０００２】 【従来の技術】従来技術例の１つに、特開昭和５２−６
９５２２号公報記載の技術がある。これを図９に示す。
本従来技術は、コイル７、コンデンサ８、抵抗９より成
る共振回路を、フライバックトランス６の１次巻線と直
列に挿入し、高圧出力波形の高調波成分を抵抗９にて減
衰させ、フライバックトランス出力波形頭部を図３の点
線で示すようにほぼ平坦にして高圧ダイオード１０の導
通範囲を広げ、高圧レギュレーションを改善しようとす
るものである。しかしながら、本回路においても、高圧
負荷を取った分だけ高圧出力が低下するのはまぬがれな
い。 【０００３】又、別の従来例として、フライバックトラ
ンス１次巻線に並列に可飽和トランスを挿入し、高圧負
荷によりインダクタンスを変化させ、帰線期間パルス幅
変化により高圧安定化を図る方法があるが、この場合、
インダクタンス変化は、数百μＨ〜数ｍＨにも及び、ト
ランスが大型で高価になってしまい、又、インダクタン
スによるリンギングも発生し画面に妨害を与え易くなる
欠点がある。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、高圧
負荷増大につれ高圧出力が低下する問題がある。又、可
飽和トランスのインダクタンスを可変にする方法におい
てはトランス部を中心に大型化し高価になる。さらに、
インダクタンスによるリンギングがフライバックトラン
ンスの出力波形に出て画面に妨害を与え易くなる。 【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の欠点を改
善し、低コスト、小型かつ簡易構成下で、フライバック
トランスの出力波形のリンギング成分を小さくするとと
もに、負荷変動の影響を抑えて高圧出力を一定にできる
技術を実現することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、フライバックトランス（該当実施例符号
６）の１次側に接続され、２次側に抵抗（該当実施例符
号９）が接続され１次側に供給される上記フライバック
トランスの負荷電流対応の電流によってインダクタンス
値が変化する第１の共振用トランス（該当実施例符号１
２）を有し、上記負荷電流値が低い状態（第１の状態）
で該フライバックトランスの水平周波数の複数奇数倍の
高調波に共振する構成の第１の共振回路と、上記フライ
バックトランスの２次側に接続され、２次側に抵抗（該
当実施例符号９´）が接続され１次側に供給される上記
フライバックトランスの負荷電流対応の電流によってイ
ンダクタンス値が変化する第２の共振用トランス（該当
実施例符号１２´）を有し、上記負荷電流値が低い状態
（第１の状態）で該フライバックトランスの水平周波数
の複数奇数倍の高調波に共振する構成の第２の共振回路
と、上記フライバックトランスの２次側でフライバック
パルスの少なくとも正極側のピーク部を整流する構成の
整流器と、を備え、上記第１，第２の共振回路が、上記
第１の状態では上記共振と上記抵抗により高調波成分を
減らし、上記負荷電流が該第１の状態より増大する第２
の状態では上記共振がずれ上記高調波成分の減少を小さ
くして、上記第１，第２の状態で上記フライバックトラ
ンスの高圧値を略一定とするように構成する。 【０００７】 【作用】第１，第２の共振回路は、第１の状態では共振
による高インピーダンス化と抵抗による損失とで高調波
成分を減らし、第２の状態では上記高調波成分の減少を
小さくし、該第１の状態と第２の状態とで負荷電流に増
大変化が生じても高圧値を略一定にする。すなわち、負
荷電流値の増大に従いフライバックトランスの１次側パ
ルスに含まれている高調波を除去する割合を減らすこと
によりパルスのピーク値の減少を抑えるように調整す
る。 【０００８】 【実施例】以下本発明を、図１〜図９により説明する。 【０００９】図１〜図６は、本発明の原理説明図であ
る。１は水平出力トランジスタ、２はダンパーダイオー
ド、３は共振コンデンサ、４は水平偏向コイル、５はＳ
字補正コンデンサ、６はフライバックトランス、８はコ
ンデンサ、９は抵抗、１０は高圧整流ダイオード、１１
は電源コンデンサ、１２は可飽和トランスである。コン
デンサ８と、抵抗９と、可飽和トランス１２の２次巻線
でフライバックトランス出力の高調波成分を減衰させる
共振回路を形成している。 【００１０】可飽和トランス１２の特性図を図２に示
す。 【００１１】１次巻線電流が増大すると２次インダクタ
ンスは図のように減少する。 【００１２】本構成において、高圧負荷が増大した場
合、Ｂ点から流入する電源電流は増大する。これによ
り、トランス１２の２次インダクタンスは減少し、この
巻線と、並列に接続されている、コンデンサ８と抵抗９
の直列回路による共振効果が減少する。このため高調波
成分は減衰されず、出力波形のピーク値は、図３の実線
で示すように伸びた特性になる。 【００１３】反対に、高圧負荷が減少した場合は、Ｂ点
から流入する電源電流は減少し、トランス１２の２次イ
ンダクタンスは増大し、共振が活発になり、共振効果が
増大する。これにより、高調成分は減衰されて図３の点
線で示すようにピーク値が下がり平坦な特性になる。高
圧は、図３に示す波形を、高圧整流ダイオード１０で整
流して得るため、上述した原理で、高圧レギュレーショ
ン特性は改善される。この特性を図８に示す。 【００１４】実験では、コンデンサ０.０１μＦ、抵抗
２７Ω、可飽和トランス、２次巻線インダクタンス６８
μＨ〜２０μＨ変化で、高圧レギュレーション改善が
１.５ＫＶであった。 【００１５】ここで、可飽和トランス１２の１次巻線電
流は高圧負荷に応じた電流でよいため、ブラウン管ビー
ム電流に応じたＡ．Ｂ．Ｌ（自動輝度制限）検出電圧を
利用し駆動してもよい。 【００１６】抵抗９を半導体素子で構成し、高圧負荷に
応じて、内部インピーダンスを変化させてもよい。 【００１７】又、図１の回路で、可飽和トランス１２を
使用せず、電流に応じた自己飽和型コイルを利用しても
よい。 【００１８】図４に、画面歪防止回路を示している。図
面歪は、画面が明るい部分で高圧が低下し偏向感度が上
昇して画面サイズが広がってしまう現象である。上記説
明より、可飽和トランス１２の１次巻線に画面明るさに
応じた電流を流し、高圧補正することにより画面歪が補
正できることが明らかである。 【００１９】又、本発明を異なる高次同調のフライバッ
クトランスに適用した場合は、高調波周波数が高いた
め、共振回路周波数も高くする必要がある。このため、
コンデンサ容量は小さくしなければならない。実際に
は、可飽和トランス巻線には分布容量があるのでコンデ
ンサは接続せずともよい。すなわち、可飽和トランス
と、抵抗の並列回路でも構成可能である。これを図５に
示す。この回路では、フライバックトランスの１次巻線
に印加されるパルスは、フライバックトランスの１次巻
線のインダクタンス、可飽和トランスのインダクタンス
の分割で得られ、高圧負荷が重い時、可飽和トランスの
インダクタンスが小さくなり、フライバックトランスの
１次巻線のパルスが大きくなり高圧レギュレーションが
改善される。 【００２０】本構成は、フライバックトランスの１次巻
線に、抵抗を含んだ可変共振回路を接続する構成として
いるが、フライバックトランスは、トランス構成のた
め、高圧巻線側に共振回路を挿入してもよく、この場合
の構成を図６に示す。 【００２１】図７には本発明の実施例構成を示す。すな
わち、１次巻線、２次巻線の両方に、トランスを含む共
振回路を挿入した構成であって、これにより一層、高圧
レギュレーション効果が増大する。 【００２２】 【発明の効果】本発明によれば、低コストかつ小型・簡
易な回路構成下でも容易に高圧出力の一定化を実現で
き、同時に、水平走査期間でのリンキング発生も抑えら
れる。
特にフライバックトランス高圧レギュレーション改善に
関する。 【０００２】 【従来の技術】従来技術例の１つに、特開昭和５２−６
９５２２号公報記載の技術がある。これを図９に示す。
本従来技術は、コイル７、コンデンサ８、抵抗９より成
る共振回路を、フライバックトランス６の１次巻線と直
列に挿入し、高圧出力波形の高調波成分を抵抗９にて減
衰させ、フライバックトランス出力波形頭部を図３の点
線で示すようにほぼ平坦にして高圧ダイオード１０の導
通範囲を広げ、高圧レギュレーションを改善しようとす
るものである。しかしながら、本回路においても、高圧
負荷を取った分だけ高圧出力が低下するのはまぬがれな
い。 【０００３】又、別の従来例として、フライバックトラ
ンス１次巻線に並列に可飽和トランスを挿入し、高圧負
荷によりインダクタンスを変化させ、帰線期間パルス幅
変化により高圧安定化を図る方法があるが、この場合、
インダクタンス変化は、数百μＨ〜数ｍＨにも及び、ト
ランスが大型で高価になってしまい、又、インダクタン
スによるリンギングも発生し画面に妨害を与え易くなる
欠点がある。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、高圧
負荷増大につれ高圧出力が低下する問題がある。又、可
飽和トランスのインダクタンスを可変にする方法におい
てはトランス部を中心に大型化し高価になる。さらに、
インダクタンスによるリンギングがフライバックトラン
ンスの出力波形に出て画面に妨害を与え易くなる。 【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の欠点を改
善し、低コスト、小型かつ簡易構成下で、フライバック
トランスの出力波形のリンギング成分を小さくするとと
もに、負荷変動の影響を抑えて高圧出力を一定にできる
技術を実現することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、フライバックトランス（該当実施例符号
６）の１次側に接続され、２次側に抵抗（該当実施例符
号９）が接続され１次側に供給される上記フライバック
トランスの負荷電流対応の電流によってインダクタンス
値が変化する第１の共振用トランス（該当実施例符号１
２）を有し、上記負荷電流値が低い状態（第１の状態）
で該フライバックトランスの水平周波数の複数奇数倍の
高調波に共振する構成の第１の共振回路と、上記フライ
バックトランスの２次側に接続され、２次側に抵抗（該
当実施例符号９´）が接続され１次側に供給される上記
フライバックトランスの負荷電流対応の電流によってイ
ンダクタンス値が変化する第２の共振用トランス（該当
実施例符号１２´）を有し、上記負荷電流値が低い状態
（第１の状態）で該フライバックトランスの水平周波数
の複数奇数倍の高調波に共振する構成の第２の共振回路
と、上記フライバックトランスの２次側でフライバック
パルスの少なくとも正極側のピーク部を整流する構成の
整流器と、を備え、上記第１，第２の共振回路が、上記
第１の状態では上記共振と上記抵抗により高調波成分を
減らし、上記負荷電流が該第１の状態より増大する第２
の状態では上記共振がずれ上記高調波成分の減少を小さ
くして、上記第１，第２の状態で上記フライバックトラ
ンスの高圧値を略一定とするように構成する。 【０００７】 【作用】第１，第２の共振回路は、第１の状態では共振
による高インピーダンス化と抵抗による損失とで高調波
成分を減らし、第２の状態では上記高調波成分の減少を
小さくし、該第１の状態と第２の状態とで負荷電流に増
大変化が生じても高圧値を略一定にする。すなわち、負
荷電流値の増大に従いフライバックトランスの１次側パ
ルスに含まれている高調波を除去する割合を減らすこと
によりパルスのピーク値の減少を抑えるように調整す
る。 【０００８】 【実施例】以下本発明を、図１〜図９により説明する。 【０００９】図１〜図６は、本発明の原理説明図であ
る。１は水平出力トランジスタ、２はダンパーダイオー
ド、３は共振コンデンサ、４は水平偏向コイル、５はＳ
字補正コンデンサ、６はフライバックトランス、８はコ
ンデンサ、９は抵抗、１０は高圧整流ダイオード、１１
は電源コンデンサ、１２は可飽和トランスである。コン
デンサ８と、抵抗９と、可飽和トランス１２の２次巻線
でフライバックトランス出力の高調波成分を減衰させる
共振回路を形成している。 【００１０】可飽和トランス１２の特性図を図２に示
す。 【００１１】１次巻線電流が増大すると２次インダクタ
ンスは図のように減少する。 【００１２】本構成において、高圧負荷が増大した場
合、Ｂ点から流入する電源電流は増大する。これによ
り、トランス１２の２次インダクタンスは減少し、この
巻線と、並列に接続されている、コンデンサ８と抵抗９
の直列回路による共振効果が減少する。このため高調波
成分は減衰されず、出力波形のピーク値は、図３の実線
で示すように伸びた特性になる。 【００１３】反対に、高圧負荷が減少した場合は、Ｂ点
から流入する電源電流は減少し、トランス１２の２次イ
ンダクタンスは増大し、共振が活発になり、共振効果が
増大する。これにより、高調成分は減衰されて図３の点
線で示すようにピーク値が下がり平坦な特性になる。高
圧は、図３に示す波形を、高圧整流ダイオード１０で整
流して得るため、上述した原理で、高圧レギュレーショ
ン特性は改善される。この特性を図８に示す。 【００１４】実験では、コンデンサ０.０１μＦ、抵抗
２７Ω、可飽和トランス、２次巻線インダクタンス６８
μＨ〜２０μＨ変化で、高圧レギュレーション改善が
１.５ＫＶであった。 【００１５】ここで、可飽和トランス１２の１次巻線電
流は高圧負荷に応じた電流でよいため、ブラウン管ビー
ム電流に応じたＡ．Ｂ．Ｌ（自動輝度制限）検出電圧を
利用し駆動してもよい。 【００１６】抵抗９を半導体素子で構成し、高圧負荷に
応じて、内部インピーダンスを変化させてもよい。 【００１７】又、図１の回路で、可飽和トランス１２を
使用せず、電流に応じた自己飽和型コイルを利用しても
よい。 【００１８】図４に、画面歪防止回路を示している。図
面歪は、画面が明るい部分で高圧が低下し偏向感度が上
昇して画面サイズが広がってしまう現象である。上記説
明より、可飽和トランス１２の１次巻線に画面明るさに
応じた電流を流し、高圧補正することにより画面歪が補
正できることが明らかである。 【００１９】又、本発明を異なる高次同調のフライバッ
クトランスに適用した場合は、高調波周波数が高いた
め、共振回路周波数も高くする必要がある。このため、
コンデンサ容量は小さくしなければならない。実際に
は、可飽和トランス巻線には分布容量があるのでコンデ
ンサは接続せずともよい。すなわち、可飽和トランス
と、抵抗の並列回路でも構成可能である。これを図５に
示す。この回路では、フライバックトランスの１次巻線
に印加されるパルスは、フライバックトランスの１次巻
線のインダクタンス、可飽和トランスのインダクタンス
の分割で得られ、高圧負荷が重い時、可飽和トランスの
インダクタンスが小さくなり、フライバックトランスの
１次巻線のパルスが大きくなり高圧レギュレーションが
改善される。 【００２０】本構成は、フライバックトランスの１次巻
線に、抵抗を含んだ可変共振回路を接続する構成として
いるが、フライバックトランスは、トランス構成のた
め、高圧巻線側に共振回路を挿入してもよく、この場合
の構成を図６に示す。 【００２１】図７には本発明の実施例構成を示す。すな
わち、１次巻線、２次巻線の両方に、トランスを含む共
振回路を挿入した構成であって、これにより一層、高圧
レギュレーション効果が増大する。 【００２２】 【発明の効果】本発明によれば、低コストかつ小型・簡
易な回路構成下でも容易に高圧出力の一定化を実現で
き、同時に、水平走査期間でのリンキング発生も抑えら
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高圧発生装置の原理説明図である。
【図２】図１の回路に使用されている可飽和トランスの
特性図である。 【図３】高圧出力の波形図である。 【図４】画面歪補正回路の回路例である。 【図５】可飽和トランスと抵抗で構成された高調波減衰
回路の回路図である。 【図６】本発明の高圧発生装置の原理説明図である。 【図７】本発明の実施例を示す回路図である。 【図８】電圧降下の特性図である。 【図９】従来例図である。 【符号の説明】 １…水平出力トランジスタ、 ２…ダンパーダイオード、 ３…共振コンデンサ、 ４…水平偏向コイル、 ５…Ｓ字補正コンデンサ、 ６…フライバックトランス、 ７…コイル、 ８…コンデンサ、 ９…抵抗、 １０…高圧整流ダイオード、 １１…電源コンデンサ、 １２…可飽和トランス。
特性図である。 【図３】高圧出力の波形図である。 【図４】画面歪補正回路の回路例である。 【図５】可飽和トランスと抵抗で構成された高調波減衰
回路の回路図である。 【図６】本発明の高圧発生装置の原理説明図である。 【図７】本発明の実施例を示す回路図である。 【図８】電圧降下の特性図である。 【図９】従来例図である。 【符号の説明】 １…水平出力トランジスタ、 ２…ダンパーダイオード、 ３…共振コンデンサ、 ４…水平偏向コイル、 ５…Ｓ字補正コンデンサ、 ６…フライバックトランス、 ７…コイル、 ８…コンデンサ、 ９…抵抗、 １０…高圧整流ダイオード、 １１…電源コンデンサ、 １２…可飽和トランス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．フライバックトランス（６）の１次側に接続され、
２次側に抵抗（９）が接続され１次側に供給される上記
フライバックトランスの負荷電流対応の電流によってイ
ンダクタンス値が変化する第１の共振用トランス（１
２）を有し、上記負荷電流値が低い状態（第１の状態）
で該フライバックトランスの水平周波数の複数奇数倍の
高調波に共振する構成の第１の共振回路と、 上記フライバックトランス（６）の２次側に接続され、
２次側に抵抗（９´）が接続され１次側に供給される上
記フライバックトランスの負荷電流対応の電流によって
インダクタンス値が変化する第２の共振用トランス（１
２´）を有し、上記負荷電流値が低い状態（第１の状
態）で該フライバックトランスの水平周波数の複数奇数
倍の高調波に共振する構成の第２の共振回路と、 上記フライバックトランスの２次側でフライバックパル
スの少なくとも正極側のピーク部を整流する構成の整流
器と、 を備え、 上記第１，第２の共振回路が、上記第１の状態では上記
共振と上記抵抗により高調波成分を減らし、上記負荷電
流が該第１の状態より増大する第２の状態では上記共振
がずれ上記高調波成分の減少を小さくして、上記第１，
第２の状態で上記フライバックトランスの高圧値を略一
定とするように構成したことを特徴とする高圧発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13317595A JP2715991B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 高圧発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13317595A JP2715991B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 高圧発生装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60292609A Division JP2708404B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 高圧発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH089183A true JPH089183A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2715991B2 JP2715991B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=15098436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13317595A Expired - Lifetime JP2715991B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 高圧発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715991B2 (ja) |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13317595A patent/JP2715991B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2715991B2 (ja) | 1998-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |