JPH0894561A - ガスセンサおよびその製造方法 - Google Patents
ガスセンサおよびその製造方法Info
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- JPH0894561A JPH0894561A JP6228556A JP22855694A JPH0894561A JP H0894561 A JPH0894561 A JP H0894561A JP 6228556 A JP6228556 A JP 6228556A JP 22855694 A JP22855694 A JP 22855694A JP H0894561 A JPH0894561 A JP H0894561A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】低消費電力で半導体回路とハイブリッド化が可
能なガスセンサを得る。 【構成】シリコン基板１と、シリコン基板１に積層され
酸化シリコン絶縁層２，３と空洞部７を介して酸化シリ
コン絶縁層３に形成された懸垂部１０と、懸垂部１０に
設けられた窓部６と、懸垂部１０に積層されたヒータ４
Ｃ，４Ｄと、ヒータ４Ｃ上に積層された触媒層５の構成
を有する。
能なガスセンサを得る。 【構成】シリコン基板１と、シリコン基板１に積層され
酸化シリコン絶縁層２，３と空洞部７を介して酸化シリ
コン絶縁層３に形成された懸垂部１０と、懸垂部１０に
設けられた窓部６と、懸垂部１０に積層されたヒータ４
Ｃ，４Ｄと、ヒータ４Ｃ上に積層された触媒層５の構成
を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はガスセンサおよびその
製造方法に係り、特にヒータの消費電力が少なく実装密
度に優れるガスセンサおよびその製造方法に関する。
製造方法に係り、特にヒータの消費電力が少なく実装密
度に優れるガスセンサおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】消費電力の小さい接触燃焼式ガスセンサ
が特公平３−５２０２８号公報に開示されている。図７
は従来の接触燃焼式ガスセンサを示す断面図である。シ
リコンの異方性エッチングを利用してアンダカットされ
たシリコン基板１Ａの上部に酸化シリコン絶縁層２Ａか
らなる懸垂部を張出しこの懸垂部にヒータ４Ａ，４Ｂと
触媒層５Ａを支持した構造となっている。触媒層５Ａは
貴金属の担持されたセラミックス担体であり、可燃性ガ
スが接触的に燃焼し、ヒータ４Ｂの温度を上昇させ、ヒ
ータ４Ｂの電気抵抗を変化させる。ヒータ４Ａは温度補
償用の抵抗である。ヒータ４Ａ，４Ｂは直列接続され図
示しない固定抵抗とともにブリッジ回路に組み込まれ
る。
が特公平３−５２０２８号公報に開示されている。図７
は従来の接触燃焼式ガスセンサを示す断面図である。シ
リコンの異方性エッチングを利用してアンダカットされ
たシリコン基板１Ａの上部に酸化シリコン絶縁層２Ａか
らなる懸垂部を張出しこの懸垂部にヒータ４Ａ，４Ｂと
触媒層５Ａを支持した構造となっている。触媒層５Ａは
貴金属の担持されたセラミックス担体であり、可燃性ガ
スが接触的に燃焼し、ヒータ４Ｂの温度を上昇させ、ヒ
ータ４Ｂの電気抵抗を変化させる。ヒータ４Ａは温度補
償用の抵抗である。ヒータ４Ａ，４Ｂは直列接続され図
示しない固定抵抗とともにブリッジ回路に組み込まれ
る。
【０００３】このようなガスセンサは酸化シリコン絶縁
層の熱容量が小さいために、消費電力が少なく応答も速
いという長所を有している。
層の熱容量が小さいために、消費電力が少なく応答も速
いという長所を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来のガスセンサにおいては異方性エッチングにより
アンダカットを行うために予め所定の結晶面（例えば
（１００）面）を有するシリコンウエーハをシリコン基
板として用いることが必要であり、この結晶面が検出回
路として使用できるＩＣを製造するために必要とされる
結晶面（例えば（１１１）面）と一致しないため、ガス
センサを塔載したシリコン基板にＩＣの集積を行うこと
ができないという問題があった。
な従来のガスセンサにおいては異方性エッチングにより
アンダカットを行うために予め所定の結晶面（例えば
（１００）面）を有するシリコンウエーハをシリコン基
板として用いることが必要であり、この結晶面が検出回
路として使用できるＩＣを製造するために必要とされる
結晶面（例えば（１１１）面）と一致しないため、ガス
センサを塔載したシリコン基板にＩＣの集積を行うこと
ができないという問題があった。
【０００５】この課題を解決するために表面が平坦なシ
リコン基板を用い、この基板上に空洞部を介して絶縁層
を形成し、この絶縁層上に電極対、ヒータ、絶縁層、酸
化物半導体を形成してなるガスセンサが特開平３−２９
３５５３号公報に開示されている。しかしながらこのよ
うなガスセンサにおいては、ヒータと酸化物半導体層と
の間に介される絶縁層の形成とエッチングが必要で製造
工程が複雑になる上にヒータをその絶縁層で絶縁しなけ
ればならず熱容量が大きくなるという欠点があった。
リコン基板を用い、この基板上に空洞部を介して絶縁層
を形成し、この絶縁層上に電極対、ヒータ、絶縁層、酸
化物半導体を形成してなるガスセンサが特開平３−２９
３５５３号公報に開示されている。しかしながらこのよ
うなガスセンサにおいては、ヒータと酸化物半導体層と
の間に介される絶縁層の形成とエッチングが必要で製造
工程が複雑になる上にヒータをその絶縁層で絶縁しなけ
ればならず熱容量が大きくなるという欠点があった。
【０００６】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的はシリコン基板の異方性エッチングを用いないで懸垂
部を構成することにより、低消費電力であるうえに半導
体能動素子の集積も可能なガスセンサおよびその製造方
法を提供することにある。
的はシリコン基板の異方性エッチングを用いないで懸垂
部を構成することにより、低消費電力であるうえに半導
体能動素子の集積も可能なガスセンサおよびその製造方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は第一の発明
によれば、シリコン基板と、酸化シリコン絶縁層と、１
対のヒータと、触媒層を有し、シリコン基板は表面平坦
な支持体であり、酸化シリコン絶縁層は基板上に積層さ
れ、基板との間に空洞部を介して形成された懸垂部と、
前記懸垂部に設けられ内部の空洞部と連通する窓部を備
え、１対のヒータは絶縁層の前記懸垂部上に窓部を介し
て対向して配置され、且つ選択的に積層され、触媒層は
貴金属を担持したセラミックス担体からなり、１対のヒ
ータのうちの１方のヒータ上に選択的に積層されるもの
であるとすることにより達成される。
によれば、シリコン基板と、酸化シリコン絶縁層と、１
対のヒータと、触媒層を有し、シリコン基板は表面平坦
な支持体であり、酸化シリコン絶縁層は基板上に積層さ
れ、基板との間に空洞部を介して形成された懸垂部と、
前記懸垂部に設けられ内部の空洞部と連通する窓部を備
え、１対のヒータは絶縁層の前記懸垂部上に窓部を介し
て対向して配置され、且つ選択的に積層され、触媒層は
貴金属を担持したセラミックス担体からなり、１対のヒ
ータのうちの１方のヒータ上に選択的に積層されるもの
であるとすることにより達成される。
【０００８】第二の発明によれば、第１の工程ないし、
第７の工程を有し、第１の工程は、シリコン基板上に第
１の酸化シリコン絶縁層を形成し、次いでポリシリコン
層を前記第１の酸化シリコン絶縁層上に形成し、第２の
工程はポリシリコン層を所定のパターンでエッチング
し、第３の工程は第２の酸化シリコン絶縁層を第１の酸
化シリコン絶縁層とパターニングされたポリシリコン層
上に積層し、第４の工程は白金層を第２の酸化シリコン
絶縁層上に積層してパターニングして１対のヒータを前
記ポリシリコン層上の第２の酸化シリコン絶縁層上に形
成し、第５の工程は１対のヒータのうちの１方のヒータ
上に触媒層を形成し、第６の工程はエッチングにより第
２の酸化シリコン絶縁層に窓部を設け、第７の工程はポ
リシリコン層を窓部を介して溶解除去して空洞部を形成
するものであるとすることにより達成される。
第７の工程を有し、第１の工程は、シリコン基板上に第
１の酸化シリコン絶縁層を形成し、次いでポリシリコン
層を前記第１の酸化シリコン絶縁層上に形成し、第２の
工程はポリシリコン層を所定のパターンでエッチング
し、第３の工程は第２の酸化シリコン絶縁層を第１の酸
化シリコン絶縁層とパターニングされたポリシリコン層
上に積層し、第４の工程は白金層を第２の酸化シリコン
絶縁層上に積層してパターニングして１対のヒータを前
記ポリシリコン層上の第２の酸化シリコン絶縁層上に形
成し、第５の工程は１対のヒータのうちの１方のヒータ
上に触媒層を形成し、第６の工程はエッチングにより第
２の酸化シリコン絶縁層に窓部を設け、第７の工程はポ
リシリコン層を窓部を介して溶解除去して空洞部を形成
するものであるとすることにより達成される。
【０００９】
【作用】シリコン基板に積層された酸化シリコン絶縁層
に空洞部を介して懸垂部が設けられ、この懸垂部にヒー
タと触媒層が支持されるためシリコン基板の異方性エッ
チングが不要となる。また、第２の発明によるガスセン
サの製造方法によれば、空間部がポリシリコン層の溶解
除去によりシリコン基板上に形成される。
に空洞部を介して懸垂部が設けられ、この懸垂部にヒー
タと触媒層が支持されるためシリコン基板の異方性エッ
チングが不要となる。また、第２の発明によるガスセン
サの製造方法によれば、空間部がポリシリコン層の溶解
除去によりシリコン基板上に形成される。
【００１０】
【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基いて説明す
る。図１は第一の発明の実施例に係るガスセンサを示す
平面図である。図２は図１に示されたガスセンサのＡ−
Ａ矢視断面図である。シリコン基板１上に酸化シリコン
絶縁層２，３が積層されており、酸化シリコン絶縁層２
と酸化シリコン絶縁層３の間には空洞部７が設けられて
いる。酸化シリコン絶縁層３の上にはパッド９Ａ，９
Ｂ，９Ｃとヒータ４Ｃ，４Ｄが設けられる。酸化シリコ
ン絶縁層３の空洞部７を囲繞する側壁の一部は懸垂部１
０となっている。この懸垂部１０は酸化シリコン絶縁層
の厚膜でありヒータ４Ｃ，４Ｄと触媒層５が支持され約
３５０℃のセンサ表面温度に維持される。懸垂部にはＨ
型の窓部６が設けられており、ヒータ４Ｃと４Ｄの相互
の熱拡散を防止する。触媒層５はアルミナ担体に白金触
媒が担持された構造を有する。
る。図１は第一の発明の実施例に係るガスセンサを示す
平面図である。図２は図１に示されたガスセンサのＡ−
Ａ矢視断面図である。シリコン基板１上に酸化シリコン
絶縁層２，３が積層されており、酸化シリコン絶縁層２
と酸化シリコン絶縁層３の間には空洞部７が設けられて
いる。酸化シリコン絶縁層３の上にはパッド９Ａ，９
Ｂ，９Ｃとヒータ４Ｃ，４Ｄが設けられる。酸化シリコ
ン絶縁層３の空洞部７を囲繞する側壁の一部は懸垂部１
０となっている。この懸垂部１０は酸化シリコン絶縁層
の厚膜でありヒータ４Ｃ，４Ｄと触媒層５が支持され約
３５０℃のセンサ表面温度に維持される。懸垂部にはＨ
型の窓部６が設けられており、ヒータ４Ｃと４Ｄの相互
の熱拡散を防止する。触媒層５はアルミナ担体に白金触
媒が担持された構造を有する。
【００１１】パッド９Ａ，９Ｂ，９Ｃにはリード線が接
続され図示しない固定抵抗と共にブリッジ回路に組み込
まれる。パッド９Ｂは出力端子となる。ヒータ４Ｃ，４
Ｄは通電により上述の温度に維持されるが可燃性ガス雰
囲気になると、触媒層５で可燃性ガスの接触的な燃焼が
おこり、ヒータ４Ｃの温度上昇により抵抗が増大する。
ヒータ４Ｄでの接触燃焼は少ない。このようにしてパッ
ド９Ｂに非平衡出力が発生する。
続され図示しない固定抵抗と共にブリッジ回路に組み込
まれる。パッド９Ｂは出力端子となる。ヒータ４Ｃ，４
Ｄは通電により上述の温度に維持されるが可燃性ガス雰
囲気になると、触媒層５で可燃性ガスの接触的な燃焼が
おこり、ヒータ４Ｃの温度上昇により抵抗が増大する。
ヒータ４Ｄでの接触燃焼は少ない。このようにしてパッ
ド９Ｂに非平衡出力が発生する。
【００１２】酸化シリコンの厚膜である懸垂部はその熱
容量が小さく、また熱伝導率や放熱面積も小さいために
上記温度を維持するためのガスセンサの消費電力は小さ
くできる。応答速度も速い。図４は第一の発明の実施例
に係るガスセンサにつきセンサブリッジ出力のイソブタ
ン濃度依存性（イ）を従来のガスセンサの特性（ロ）と
対比して示す線図である。従来のガスセンサはシリコン
基板の異方性エッチングのために溝面積が大きくなるが
本発明の空洞部は面積を小さくすることができそのため
に懸垂部の熱容量が小さくなる。本発明の実施例に係る
ガスセンサはセンサブリッジ出力が従来のものの約２倍
の大きさである。
容量が小さく、また熱伝導率や放熱面積も小さいために
上記温度を維持するためのガスセンサの消費電力は小さ
くできる。応答速度も速い。図４は第一の発明の実施例
に係るガスセンサにつきセンサブリッジ出力のイソブタ
ン濃度依存性（イ）を従来のガスセンサの特性（ロ）と
対比して示す線図である。従来のガスセンサはシリコン
基板の異方性エッチングのために溝面積が大きくなるが
本発明の空洞部は面積を小さくすることができそのため
に懸垂部の熱容量が小さくなる。本発明の実施例に係る
ガスセンサはセンサブリッジ出力が従来のものの約２倍
の大きさである。
【００１３】図５は第一の発明の実施例に係るガスセン
サにつきセンサ温度上昇率の通電時間依存性を示す線図
である。９０％応答は約１０ｍｓである。図６は第一の
発明の実施例に係るガスセンサにつき、センサ表面温度
のヒータ消費電力依存性を示す線図である。センサ表面
温度が３５０℃の場合時消費電力は約２０ｍＷである。
サにつきセンサ温度上昇率の通電時間依存性を示す線図
である。９０％応答は約１０ｍｓである。図６は第一の
発明の実施例に係るガスセンサにつき、センサ表面温度
のヒータ消費電力依存性を示す線図である。センサ表面
温度が３５０℃の場合時消費電力は約２０ｍＷである。
【００１４】図３は第二の発明の実施例に係るガスセン
サの製造工程を示し、図３（ａ）は第１の工程を示す断
面図、図３（ｂ）は第２の工程を示す断面図、図３
（ｃ）は第３の工程ないし第６の工程を示す断面図、図
３（ｄ）は第７の工程を示す断面図である。 表面が
（１１１）の結晶面を有するシリコン基板１の上に熱酸
化法により酸化シリコン絶縁層２（第１の酸化シリコン
層）が形成され、次いでポリシリコン層８がＣＶＤ法に
より２μｍ厚さに形成される（図３（ａ））。ポリシリ
コン層８が所定のパターンでエッチングされポリシリコ
ン層８Ａとなる（図３（ｂ））。約１μｍの酸化シリコ
ン絶縁層３（第２の酸化シリコン層）がポリシリコン層
８Ａと酸化シリコン絶縁層２の上に積層され、窓部６が
ホトエッチングされる。続いて０．２μｍ厚さの白金層
がスパッタリングにより積層され、パターニングにより
パッド９Ａ，９Ｂ，９Ｃとヒータ４Ｃ，４Ｄが形成され
る。ヒータ４Ｃ，４Ｄは前記ポリシリコン層８Ａに対応
して形成される。触媒層５が電子ビーム蒸着法によりヒ
ータ４Ｃ上に積層される。触媒層５は貴金属の添加され
たアルミナ等がターゲットとしてこれに電子ビームを照
射し蒸発させる（図３（ｃ））。最後にフッ酸−硝酸−
酢酸の混酸からなるエッチング液を用いポリシリコン層
８Ａを除去し空洞部７を形成する（図３（ｄ））。この
ようにして空洞部７を囲繞する酸化シリコン絶縁層のう
ち酸化シリコン絶縁層３の一部が懸垂部１０を形成す
る。酸化シリコン絶縁層２はエッチング液によるシリコ
ン基板１の溶解を防止する。
サの製造工程を示し、図３（ａ）は第１の工程を示す断
面図、図３（ｂ）は第２の工程を示す断面図、図３
（ｃ）は第３の工程ないし第６の工程を示す断面図、図
３（ｄ）は第７の工程を示す断面図である。 表面が
（１１１）の結晶面を有するシリコン基板１の上に熱酸
化法により酸化シリコン絶縁層２（第１の酸化シリコン
層）が形成され、次いでポリシリコン層８がＣＶＤ法に
より２μｍ厚さに形成される（図３（ａ））。ポリシリ
コン層８が所定のパターンでエッチングされポリシリコ
ン層８Ａとなる（図３（ｂ））。約１μｍの酸化シリコ
ン絶縁層３（第２の酸化シリコン層）がポリシリコン層
８Ａと酸化シリコン絶縁層２の上に積層され、窓部６が
ホトエッチングされる。続いて０．２μｍ厚さの白金層
がスパッタリングにより積層され、パターニングにより
パッド９Ａ，９Ｂ，９Ｃとヒータ４Ｃ，４Ｄが形成され
る。ヒータ４Ｃ，４Ｄは前記ポリシリコン層８Ａに対応
して形成される。触媒層５が電子ビーム蒸着法によりヒ
ータ４Ｃ上に積層される。触媒層５は貴金属の添加され
たアルミナ等がターゲットとしてこれに電子ビームを照
射し蒸発させる（図３（ｃ））。最後にフッ酸−硝酸−
酢酸の混酸からなるエッチング液を用いポリシリコン層
８Ａを除去し空洞部７を形成する（図３（ｄ））。この
ようにして空洞部７を囲繞する酸化シリコン絶縁層のう
ち酸化シリコン絶縁層３の一部が懸垂部１０を形成す
る。酸化シリコン絶縁層２はエッチング液によるシリコ
ン基板１の溶解を防止する。
【００１５】上述の例では空洞部７を形成するためにポ
リシリコン層８，８Ａを使用しているがポリシリコン層
に替えてポリシリコン層よりエッチング容易なAl等の金
属を用いることもできる。この場合には酸化シリコン絶
縁層２は不要であり、シリコン基板１の上に直接的にAl
層を形成することができる。Al層の形成に次ぐ工程はポ
リシリコン層を用いる場合と同様である。
リシリコン層８，８Ａを使用しているがポリシリコン層
に替えてポリシリコン層よりエッチング容易なAl等の金
属を用いることもできる。この場合には酸化シリコン絶
縁層２は不要であり、シリコン基板１の上に直接的にAl
層を形成することができる。Al層の形成に次ぐ工程はポ
リシリコン層を用いる場合と同様である。
【００１６】シリコン基板は表面を（１１１）の結晶面
にして、不純物拡散により素子形成をしておくと、上述
の第１の酸化シリコン絶縁層２の形成とエッチング，ポ
リシリコン層８の形成とエッチング，第２の酸化シリコ
ン絶縁層３の形成とエッチング，白金等の金属層１２の
形成とエッチングの工程がＭＯＳＦＥＴの製造に共通に
利用できガスセンサと半導体回路を同一のシリコン基板
上に集積したハイブリッド型のガスセンサが得られる。
にして、不純物拡散により素子形成をしておくと、上述
の第１の酸化シリコン絶縁層２の形成とエッチング，ポ
リシリコン層８の形成とエッチング，第２の酸化シリコ
ン絶縁層３の形成とエッチング，白金等の金属層１２の
形成とエッチングの工程がＭＯＳＦＥＴの製造に共通に
利用できガスセンサと半導体回路を同一のシリコン基板
上に集積したハイブリッド型のガスセンサが得られる。
【００１７】図８は従来のＭＯＳＦＥＴの製造工程の一
部を示す断面図である。ＭＯＳＦＥＴの製造はシリコン
基板１に素子１１を拡散法で形成したのち、酸化シリコ
ン絶縁層２とポリシリコン層８Ａを積層し、ポリシリコ
ン層８Ａと酸化シリコン絶縁層２に窓部を設ける。次い
で酸化シリコン絶縁層３を積層して図２に示す窓部（図
示せず）を設け白金等の金属層１２を形成する工程を含
んでいる。図３と図８とを対比すると、共通の製造工程
が読み取れる。
部を示す断面図である。ＭＯＳＦＥＴの製造はシリコン
基板１に素子１１を拡散法で形成したのち、酸化シリコ
ン絶縁層２とポリシリコン層８Ａを積層し、ポリシリコ
ン層８Ａと酸化シリコン絶縁層２に窓部を設ける。次い
で酸化シリコン絶縁層３を積層して図２に示す窓部（図
示せず）を設け白金等の金属層１２を形成する工程を含
んでいる。図３と図８とを対比すると、共通の製造工程
が読み取れる。
【００１８】
【発明の効果】第一の発明によれば、シリコン基板上に
積層された酸化シリコン絶縁層自体に空洞部を設けるこ
とにより懸垂部を形成しているので、シリコン基板の結
晶面の如何にかかわらず懸垂部を形成して、この懸垂部
にヒータと触媒層を積層し、高感度，高速応答，低消費
電力のガスセンサが得られると共にシリコン基板の表面
を半導体回路の集積に適した結晶面とすることによりガ
スセンサと半導体回路を単一のシリコン基板上に集積し
たハイブリッド型のガスセンサが得られる。
積層された酸化シリコン絶縁層自体に空洞部を設けるこ
とにより懸垂部を形成しているので、シリコン基板の結
晶面の如何にかかわらず懸垂部を形成して、この懸垂部
にヒータと触媒層を積層し、高感度，高速応答，低消費
電力のガスセンサが得られると共にシリコン基板の表面
を半導体回路の集積に適した結晶面とすることによりガ
スセンサと半導体回路を単一のシリコン基板上に集積し
たハイブリッド型のガスセンサが得られる。
【００１９】第二の発明によればシリコン基板とその上
に形成されパターニングされたポリシリコン層の両者に
酸化シリコン絶縁層を積層して、次いで酸化シリコン絶
縁層に窓部を設け、ポリシリコン層を溶解除去するの
で、酸化シリコン層自体に空洞部が設けられ、それとと
もに酸化シリコン絶縁層の懸垂部が形成されて、シリコ
ン基板の異方性エッチングの手段を要しないで、高感
度，高速応答性，低消費電力のガスセンサが得られる。
に形成されパターニングされたポリシリコン層の両者に
酸化シリコン絶縁層を積層して、次いで酸化シリコン絶
縁層に窓部を設け、ポリシリコン層を溶解除去するの
で、酸化シリコン層自体に空洞部が設けられ、それとと
もに酸化シリコン絶縁層の懸垂部が形成されて、シリコ
ン基板の異方性エッチングの手段を要しないで、高感
度，高速応答性，低消費電力のガスセンサが得られる。
【図１】第一の発明の実施例に係るガスセンサを示す平
面図
面図
【図２】図１に示すガスセンサのＡ−Ａ矢視断面図
【図３】第二の発明の実施例に係るガスセンサの製造工
程を示す、図３（ａ）は第１の工程を示す断面図、図３
（ｂ）は第２の工程を示す断面図、図３（ｃ）は第３の
工程ないし第６の工程を示す断面図、図３（ｄ）は第７
の工程を示す断面図
程を示す、図３（ａ）は第１の工程を示す断面図、図３
（ｂ）は第２の工程を示す断面図、図３（ｃ）は第３の
工程ないし第６の工程を示す断面図、図３（ｄ）は第７
の工程を示す断面図
【図４】第一の発明の実施例に係るガスセンサにつきセ
ンサブリッジ出力のイソブタン濃度依存性（イ）を従来
のガスセンサの特性（ロ）と対比して示す線図
ンサブリッジ出力のイソブタン濃度依存性（イ）を従来
のガスセンサの特性（ロ）と対比して示す線図
【図５】第一の発明の実施例に係るガスセンサにつきセ
ンサ濃度上昇率の通電時間依存性を示す線図
ンサ濃度上昇率の通電時間依存性を示す線図
【図６】第一の発明の実施例に係るガスセンサにつき、
センサ表面温度のヒータ消費電力依存性を示す線図
センサ表面温度のヒータ消費電力依存性を示す線図
【図７】従来のガスセンサを示す断面図
【図８】従来のＭＯＳＦＥＴの製造工程の一部を示す断
面図
面図
１ シリコン基板 １Ａ シリコン基板 ２ 酸化シリコン絶縁層 ２Ａ 酸化シリコン絶縁層 ３ 酸化シリコン絶縁層 ４Ａ ヒータ ４Ｂ ヒータ ４Ｃ ヒータ ４Ｄ ヒータ ５ 触媒層 ５Ａ 触媒層 ６ 窓部 ７ 空洞部 ８ ポリシリコン層 ８Ａ ポリシリコン層 ９Ａ パッド ９Ｂ パッド ９Ｃ パッド １０ 懸垂部 １１ 素子 １２ 白金等の金属層
Claims (2)
- 【請求項１】シリコン基板と、酸化シリコン絶縁層と、
１対のヒータと、触媒層を有し、 シリコン基板は表面平坦な支持体であり、 酸化シリコン絶縁層は基板上に積層され、基板との間に
空洞部を介して形成された懸垂部と、前記懸垂部に設け
られ内部の空洞部と連通する窓部を備え、 １対のヒータは絶縁層の前記懸垂部上に窓部を介して対
向して配置され、且つ選択的に積層され、 触媒層は貴金属を担持したセラミックス担体からなり、
１対のヒータのうちの一方のヒータ上に選択的に積層さ
れるものであることを特徴とするガスセンサ。 - 【請求項２】第１の工程ないし第７の工程を有し、 第１の工程は、シリコン基板上に第１の酸化シリコン絶
縁層を形成し、次いでポリシリコン層を前記第１の酸化
シリコン絶縁層上に形成し、 第２の工程はポリシリコン層を所定のパターンでエッチ
ングし、 第３の工程は第２の酸化シリコン絶縁層を第１の酸化シ
リコン絶縁層とパターニングされたポリシリコン層上に
積層し、 第４の工程は白金層を第２の酸化シリコン絶縁層上に積
層してパターニングして１対のヒータを前記ポリシリコ
ン層上の第２の酸化シリコン絶縁層上に形成し、 第５の工程は１対のヒータのうちの一方のヒータ上に触
媒層を形成し、 第６の工程はエッチングにより第２の酸化シリコン絶縁
層に窓部を設け、 第７の工程はポリシリコン層を窓部を介して溶解除去し
て空洞部を形成するものであることを特徴とするガスセ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6228556A JPH0894561A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6228556A JPH0894561A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894561A true JPH0894561A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16878230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6228556A Pending JPH0894561A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | ガスセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0894561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286674A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサおよびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60243549A (ja) * | 1984-05-05 | 1985-12-03 | ゲゼルシヤフト、フユール、ゲレーテバウ、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング | ガスの触媒燃焼用のセンサの製造方法 |
| JPS63169547A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接触燃焼式ガスセンサ |
| JPH0352028B2 (ja) * | 1981-10-09 | 1991-08-08 | Honeywell Inc | |
| JPH03293553A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-12-25 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP6228556A patent/JPH0894561A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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