JPH0895248A - レジスト組成物，レジスト組成物の製造方法それを用いたパタン形成方法 - Google Patents
レジスト組成物，レジスト組成物の製造方法それを用いたパタン形成方法Info
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- JPH0895248A JPH0895248A JP6232772A JP23277294A JPH0895248A JP H0895248 A JPH0895248 A JP H0895248A JP 6232772 A JP6232772 A JP 6232772A JP 23277294 A JP23277294 A JP 23277294A JP H0895248 A JPH0895248 A JP H0895248A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】長期保存後でも、感度，解像度の安定化した化
学増幅系レジスト組成物、及びそれを用いたパタン形成
方法を提供する。 【構成】ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂，酸を触媒
とする反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性を変化
させる反応性を持った媒体、活性放射線の照射により酸
を発生する化合物、および有機溶剤からなるレジスト組
成物であり、且つ溶液のｐＨが３〜６の範囲にあるレジ
スト組成物を基板に塗布し、電子線照射した後、ベーク
を行う。この基板を有機アルカリ現像液で現像して、レ
ジストパタンを得る。この組成物は、２２〜２４℃で長
期保存後も同じ照射量で良好なレジストパタンを与え
る。
学増幅系レジスト組成物、及びそれを用いたパタン形成
方法を提供する。 【構成】ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂，酸を触媒
とする反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性を変化
させる反応性を持った媒体、活性放射線の照射により酸
を発生する化合物、および有機溶剤からなるレジスト組
成物であり、且つ溶液のｐＨが３〜６の範囲にあるレジ
スト組成物を基板に塗布し、電子線照射した後、ベーク
を行う。この基板を有機アルカリ現像液で現像して、レ
ジストパタンを得る。この組成物は、２２〜２４℃で長
期保存後も同じ照射量で良好なレジストパタンを与え
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線，遠紫外線，Ｘ
線等の電磁波、および電子線，イオン線等の粒子線を含
む放射線のパタン状照射によりパタン潜像形成部に酸を
生成せしめ、この酸を触媒とする反応によって、照射部
と未露光部のアルカリ水溶性に対する溶解性を変化さ
せ、アルカリ水溶液を現像液とする工程によりパタンを
現出させるパタン形成材料に関する。
線等の電磁波、および電子線，イオン線等の粒子線を含
む放射線のパタン状照射によりパタン潜像形成部に酸を
生成せしめ、この酸を触媒とする反応によって、照射部
と未露光部のアルカリ水溶性に対する溶解性を変化さ
せ、アルカリ水溶液を現像液とする工程によりパタンを
現出させるパタン形成材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路については高集積化に伴
う微細化が進み、解像力の優れたレジストが要望されて
いる。従来、集積回路の形成には、紫外線を露光光源に
用いた縮小投影露光装置が利用されてきたが、さらに解
像力を高めるために、紫外線よりも波長の短い遠紫外線
を用いた露光技術の開発が進められている。遠紫外光を
出す光源として注目されているものにエキシマレーザが
ある。しかし、このような遠紫外光を用いて露光を行う
と従来のノボラック樹脂をベースとするレジストでは、
光の吸収が強すぎて解像性が低下するため使用できな
い。そこで遠紫外線に対して高感度，高解像度を示すレ
ジストが求められている。
う微細化が進み、解像力の優れたレジストが要望されて
いる。従来、集積回路の形成には、紫外線を露光光源に
用いた縮小投影露光装置が利用されてきたが、さらに解
像力を高めるために、紫外線よりも波長の短い遠紫外線
を用いた露光技術の開発が進められている。遠紫外光を
出す光源として注目されているものにエキシマレーザが
ある。しかし、このような遠紫外光を用いて露光を行う
と従来のノボラック樹脂をベースとするレジストでは、
光の吸収が強すぎて解像性が低下するため使用できな
い。そこで遠紫外線に対して高感度，高解像度を示すレ
ジストが求められている。
【０００３】光を用いる露光よりもさらにパタンの微細
加工性をねらったのが、Ｘ線や電子ビームによる露光で
ある。パタンの最小寸法は、ビーム径に依存し、高い解
像度が得られる。しかしどんなに微細加工が可能な露光
方式でも、ＬＳＩ量産の面からウエハ処理のスループッ
トが問題となる。スループットを向上させる方法は、装
置の改良もさることながら、用いるレジストの高感度化
が重要である。
加工性をねらったのが、Ｘ線や電子ビームによる露光で
ある。パタンの最小寸法は、ビーム径に依存し、高い解
像度が得られる。しかしどんなに微細加工が可能な露光
方式でも、ＬＳＩ量産の面からウエハ処理のスループッ
トが問題となる。スループットを向上させる方法は、装
置の改良もさることながら、用いるレジストの高感度化
が重要である。
【０００４】例えば、高感度化を達成するためのパタン
形成材料として、米国特許第3779778号，特公平2−2766
0号公報，特開平2−25850 号公報に記載の組成物が知ら
れている。これらの組成物は、酸触媒下で反応性の高い
媒体と紫外線，電子線等，放射線の照射で酸を発生する
酸前駆体を含んでおり、化学増幅系レジストと呼ばれ
る。この種のレジスト組成物では、良好な基本的性能
（例えば、解像性，感度，パタン形状，塗膜の均一性
等）を有することは勿論、長期保存後も感度，解像度等
の基本性能が変化しないことが要求される。
形成材料として、米国特許第3779778号，特公平2−2766
0号公報，特開平2−25850 号公報に記載の組成物が知ら
れている。これらの組成物は、酸触媒下で反応性の高い
媒体と紫外線，電子線等，放射線の照射で酸を発生する
酸前駆体を含んでおり、化学増幅系レジストと呼ばれ
る。この種のレジスト組成物では、良好な基本的性能
（例えば、解像性，感度，パタン形状，塗膜の均一性
等）を有することは勿論、長期保存後も感度，解像度等
の基本性能が変化しないことが要求される。
【０００５】しかし、レジスト組成物としてフェノール
性水酸基を置換基に持つ高分子，酸前駆体，着色剤，抗
ストリエーション剤，可塑剤，溶解加速剤，低分子量フ
ェノール化合物，界面活性剤等を混合するため、レジス
ト溶液中の水素イオン濃度の増加が起こり、その結果、
酸触媒と反応性の高い媒体が水素イオンと反応し、レジ
スト製造直後からその保存中にレジストの基本性能が低
下することが知られている。このようなレジスト組成物
は、良好なレジストパタンを形成することが困難とな
り、集積回路作製時の歩留まりが悪くなるという問題が
ある。
性水酸基を置換基に持つ高分子，酸前駆体，着色剤，抗
ストリエーション剤，可塑剤，溶解加速剤，低分子量フ
ェノール化合物，界面活性剤等を混合するため、レジス
ト溶液中の水素イオン濃度の増加が起こり、その結果、
酸触媒と反応性の高い媒体が水素イオンと反応し、レジ
スト製造直後からその保存中にレジストの基本性能が低
下することが知られている。このようなレジスト組成物
は、良好なレジストパタンを形成することが困難とな
り、集積回路作製時の歩留まりが悪くなるという問題が
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、製造直後及
び長期保存後もレジストの基本性能（例えば、解像性，
感度，パタン形状，塗膜の均一性等）が変化しないレジ
スト組成物の製造方法並びに集積回路の作製時におい
て、その歩留まりが良好であるレジスト組成物を提供す
ることにある。
び長期保存後もレジストの基本性能（例えば、解像性，
感度，パタン形状，塗膜の均一性等）が変化しないレジ
スト組成物の製造方法並びに集積回路の作製時におい
て、その歩留まりが良好であるレジスト組成物を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来技術に用
いられている酸触媒で反応性の高い媒体と活性化学線の
照射で酸を発生する酸前駆体及び有機溶媒を含むレジス
ト組成物であって、溶液のｐＨが３〜６の範囲にあるこ
とを特徴とするレジスト組成物であり、かつ、組成中の
高分子成分と溶媒から成る混合物のｐＨが３〜６の範囲
にあるものを用いることを特徴とするレジスト組成物の
製造方法である。
いられている酸触媒で反応性の高い媒体と活性化学線の
照射で酸を発生する酸前駆体及び有機溶媒を含むレジス
ト組成物であって、溶液のｐＨが３〜６の範囲にあるこ
とを特徴とするレジスト組成物であり、かつ、組成中の
高分子成分と溶媒から成る混合物のｐＨが３〜６の範囲
にあるものを用いることを特徴とするレジスト組成物の
製造方法である。
【０００８】レジスト溶液のｐＨは、ガラス電極，比較
電極あるいはガラス電極と比較電極を一体化した複合電
極を用いることで測定することができる。例えば、堀場
製作所製の非水溶媒用複合電極（商品名６３７７−１０
Ｄ型）を用い、レジスト溶液中に浸し求めることができ
る。これにより求めたレジスト溶液のｐＨの値が３〜６
の範囲にあることが望ましい。これよりも低いｐＨで
は、反応性の高い媒体がレジスト溶液中の水素イオンと
反応して、現像液に対する溶解性を変化させる化合物に
変化し、レジストの基本性能（感度，解像度，パタン形
状等）が経時劣化する。また、これよりも高いｐＨで
は、感度が著しく劣化する傾向が生じ、好ましくない。
電極あるいはガラス電極と比較電極を一体化した複合電
極を用いることで測定することができる。例えば、堀場
製作所製の非水溶媒用複合電極（商品名６３７７−１０
Ｄ型）を用い、レジスト溶液中に浸し求めることができ
る。これにより求めたレジスト溶液のｐＨの値が３〜６
の範囲にあることが望ましい。これよりも低いｐＨで
は、反応性の高い媒体がレジスト溶液中の水素イオンと
反応して、現像液に対する溶解性を変化させる化合物に
変化し、レジストの基本性能（感度，解像度，パタン形
状等）が経時劣化する。また、これよりも高いｐＨで
は、感度が著しく劣化する傾向が生じ、好ましくない。
【０００９】本発明に用いられる酸を触媒とする反応に
よりアルカリ水溶液に対する溶解性を変化させる反応性
を持った媒体は、酸を触媒とする反応によりアルカリ水
溶液に対する溶解性が増加するものと、減少するものが
ある。例えば、アルカリ水溶液に対する溶解性が増加す
る反応は、上記反応性媒体中に酸触媒による加水分解に
よりアルカリ可溶性を促進する要素が出現する機構、あ
るいは、上記反応性媒体中にあらかじめ存在していたア
ルカリ溶解阻害性高分子の酸触媒解重合による、アルカ
リ可溶性を阻害する要素が消失する機構等がある。
よりアルカリ水溶液に対する溶解性を変化させる反応性
を持った媒体は、酸を触媒とする反応によりアルカリ水
溶液に対する溶解性が増加するものと、減少するものが
ある。例えば、アルカリ水溶液に対する溶解性が増加す
る反応は、上記反応性媒体中に酸触媒による加水分解に
よりアルカリ可溶性を促進する要素が出現する機構、あ
るいは、上記反応性媒体中にあらかじめ存在していたア
ルカリ溶解阻害性高分子の酸触媒解重合による、アルカ
リ可溶性を阻害する要素が消失する機構等がある。
【００１０】酸触媒による加水分解を起こす上記反応性
媒体の一例としてポリビニルフェノールなどのアルカリ
可溶性フェノール樹脂の水酸基をテトラヒドロピラニル
基，ｔ−ブトキシ基，シリル基，エトキシエチル基など
で保護した高分子化合物がある。酸により解重合を起こ
す上記反応性媒体の例としてアセタール，カーボネート
構造を主鎖に有する高分子、例えば、ポリフタルアルデ
ヒド，ポリカーボネートとノボラック樹脂等のアルカリ
可溶性樹脂との混合系がある。
媒体の一例としてポリビニルフェノールなどのアルカリ
可溶性フェノール樹脂の水酸基をテトラヒドロピラニル
基，ｔ−ブトキシ基，シリル基，エトキシエチル基など
で保護した高分子化合物がある。酸により解重合を起こ
す上記反応性媒体の例としてアセタール，カーボネート
構造を主鎖に有する高分子、例えば、ポリフタルアルデ
ヒド，ポリカーボネートとノボラック樹脂等のアルカリ
可溶性樹脂との混合系がある。
【００１１】アルカリ水溶液に対し溶解性が低下する反
応は、上記反応性媒体中に酸触媒による重合，縮合反応
によってアルカリ溶解性を阻害する因子が出現する機構
がある。例えば、ノボラック樹脂等のアルカリ可溶性樹
脂とエポキシ基，メトキシメチル基，メチロール基を有
する化合物とから成る系では、酸触媒による重合，縮合
によって、上記反応性媒体自身を架橋させアルカリ可溶
性を低下させる。
応は、上記反応性媒体中に酸触媒による重合，縮合反応
によってアルカリ溶解性を阻害する因子が出現する機構
がある。例えば、ノボラック樹脂等のアルカリ可溶性樹
脂とエポキシ基，メトキシメチル基，メチロール基を有
する化合物とから成る系では、酸触媒による重合，縮合
によって、上記反応性媒体自身を架橋させアルカリ可溶
性を低下させる。
【００１２】本発明に用いられる酸前駆体は、例えば、
各種ジアゾニウム塩，ジアリールヨードニウム塩，トリ
アリールスルホニウム塩，アルキルスルホニウム塩等の
オニウム塩，各種ハロゲン化合物，フェノール性水酸基
を複数含む化合物とアルキルスルホン酸とのエステル，
アリールスルホン酸のニトロベンジルエステル，イミド
スルホネート類等が挙げられる。
各種ジアゾニウム塩，ジアリールヨードニウム塩，トリ
アリールスルホニウム塩，アルキルスルホニウム塩等の
オニウム塩，各種ハロゲン化合物，フェノール性水酸基
を複数含む化合物とアルキルスルホン酸とのエステル，
アリールスルホン酸のニトロベンジルエステル，イミド
スルホネート類等が挙げられる。
【００１３】本発明において、酸触媒で反応性の高い媒
体のアルカリ溶解性を制御するために、必要に応じてア
ルカリ可溶性樹脂を用いることができる。アルカリ可溶
性樹脂は、例えば、ノボラック樹脂，アクリル樹脂，ス
チレンとアクリル酸との共重合体，ヒドロキシスチレン
の重合体，ポリビニルフェノールなどが挙げられる。
体のアルカリ溶解性を制御するために、必要に応じてア
ルカリ可溶性樹脂を用いることができる。アルカリ可溶
性樹脂は、例えば、ノボラック樹脂，アクリル樹脂，ス
チレンとアクリル酸との共重合体，ヒドロキシスチレン
の重合体，ポリビニルフェノールなどが挙げられる。
【００１４】本発明に用いられる溶剤は、沸点が１３０
〜１７０℃の範囲にあるものが好ましく、例えば、エチ
レングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエー
テル類，メチルセロソルブアセテート等のエチレングリ
コールアルキルエーテルアセテート類，ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル等のジエチレングリコール
類，プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等
のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート
類，シクロヘキサノン等のケトン類，キシレン等の芳香
族炭化水素類，乳酸エチル等の乳酸アルキルエステル
類，ピルビン酸エチル等のピルビン酸アルキルエステル
類，イソアミルアセテート等が挙げられる。溶剤量は、
ウエハ上に均一で、ピンホール及び塗布むらのない塗布
膜ができれば特に制限はないが、通常、アルカリ可溶性
樹脂及び酸前駆体等の固形分濃度が３〜５０重量％の範
囲となるように調合する。また、必要に応じ、少量の樹
脂，染料，界面活性剤等を添加することができる。
〜１７０℃の範囲にあるものが好ましく、例えば、エチ
レングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエー
テル類，メチルセロソルブアセテート等のエチレングリ
コールアルキルエーテルアセテート類，ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル等のジエチレングリコール
類，プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等
のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート
類，シクロヘキサノン等のケトン類，キシレン等の芳香
族炭化水素類，乳酸エチル等の乳酸アルキルエステル
類，ピルビン酸エチル等のピルビン酸アルキルエステル
類，イソアミルアセテート等が挙げられる。溶剤量は、
ウエハ上に均一で、ピンホール及び塗布むらのない塗布
膜ができれば特に制限はないが、通常、アルカリ可溶性
樹脂及び酸前駆体等の固形分濃度が３〜５０重量％の範
囲となるように調合する。また、必要に応じ、少量の樹
脂，染料，界面活性剤等を添加することができる。
【００１５】
【作用】本発明におけるレジスト組成物は、ある特定の
水素イオン濃度、すなわち、ｐＨで３〜６を有するもの
が適当である。この範囲のｐＨを有するレジスト溶液
は、長期保存後にも、レジストの基本性能が変化せず、
集積回路製作時の歩留まりを良好にすることができる。
水素イオン濃度、すなわち、ｐＨで３〜６を有するもの
が適当である。この範囲のｐＨを有するレジスト溶液
は、長期保存後にも、レジストの基本性能が変化せず、
集積回路製作時の歩留まりを良好にすることができる。
【００１６】
（実施例１）ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂（重量
平均分子量：１０,０００）(以下、この樹脂を樹脂Ｉと
する）：９０重量部，テトラヒドピラニルオキシ基をも
つポリ（ｐ−ビニルフェノール）（テトラヒドロピラニ
ル基の導入率９０％）：１０重量部，酸前駆体としてピ
ロガロールとメタンスルホン酸の三置換体エステル：２
重量部をメチルセロソルブアセテートに溶解して、固形
分濃度２０重量％の溶液を調合した。この溶液を孔径
０.２μｍ のメンブレンフィルタで濾過し、ポジ型レジ
スト組成物を製造した。堀場製作所製ｐＨメータ（Ｆ−
２１型）と複合電極（６３７７−１０Ｄ型）を用いて製
造直後のｐＨを測定し、４.３ の値を示した。シリコン
ウエハ上に上述のレジスト液を滴下、回転塗布後８０
℃，１０分間熱処理して、１μｍの厚さのレジスト膜を
得た。この基板に電子線描画装置（電子線の加速電圧は
３０ｋＶ）で、照射量を段階的に変化させて０.５μｍ
のパタンを描画後、１００℃，１０分間熱処理してレジ
ストの濳像部分の酸触媒反応を促進した。その後、水酸
化テトラメチルアンモニウム２.３８ 重量％を含む水溶
液を現像液に用いて、１２０秒間現像した。その結果、
基板面から垂直に切り立った良好なパタンが得られる照
射量は３.５（μＣ／cm2）であった。レジスト組成物を
２２〜２４℃のクリンルーム内に３０日保存後、ｐＨを
測定して、４.１の値を得た。レジスト組成物を用いて
上述と同じ方法でレジストパタンを形成すると、３.５
（μＣ／cm2）の照射量で良好なレジストパタンが得ら
れた。
平均分子量：１０,０００）(以下、この樹脂を樹脂Ｉと
する）：９０重量部，テトラヒドピラニルオキシ基をも
つポリ（ｐ−ビニルフェノール）（テトラヒドロピラニ
ル基の導入率９０％）：１０重量部，酸前駆体としてピ
ロガロールとメタンスルホン酸の三置換体エステル：２
重量部をメチルセロソルブアセテートに溶解して、固形
分濃度２０重量％の溶液を調合した。この溶液を孔径
０.２μｍ のメンブレンフィルタで濾過し、ポジ型レジ
スト組成物を製造した。堀場製作所製ｐＨメータ（Ｆ−
２１型）と複合電極（６３７７−１０Ｄ型）を用いて製
造直後のｐＨを測定し、４.３ の値を示した。シリコン
ウエハ上に上述のレジスト液を滴下、回転塗布後８０
℃，１０分間熱処理して、１μｍの厚さのレジスト膜を
得た。この基板に電子線描画装置（電子線の加速電圧は
３０ｋＶ）で、照射量を段階的に変化させて０.５μｍ
のパタンを描画後、１００℃，１０分間熱処理してレジ
ストの濳像部分の酸触媒反応を促進した。その後、水酸
化テトラメチルアンモニウム２.３８ 重量％を含む水溶
液を現像液に用いて、１２０秒間現像した。その結果、
基板面から垂直に切り立った良好なパタンが得られる照
射量は３.５（μＣ／cm2）であった。レジスト組成物を
２２〜２４℃のクリンルーム内に３０日保存後、ｐＨを
測定して、４.１の値を得た。レジスト組成物を用いて
上述と同じ方法でレジストパタンを形成すると、３.５
（μＣ／cm2）の照射量で良好なレジストパタンが得ら
れた。
【００１７】（実施例２）樹脂Ｉ：９０重量部，テトラ
ヒドロテトラヒドピラニル基をもつポリ（ｐ−ビニルフ
ェノール）（テトラヒドロピラニル基の導入率９０
％）：１０重量部とピロガロールとメタンスルホン酸の
三置換体エステル：２重量部をシクロヘキサノンに溶解
して、固形分濃度２０重量％の溶液を調合した。この溶
液を孔径０.２μｍのメンブレンフィルタで濾過し、ポ
ジ型レジスト組成物を製造した。堀場製作所製ｐＨメー
タ（Ｆ−２１型）と複合電極（６３７７−１０Ｄ型）を
用いて製造直後のｐＨを測定し、４.４ の値を示した。
以下、実施例１の方法に従って行った。その結果、３０
日保存後、ｐＨの値は、４.５ を示し、製造直後と同じ
照射量で良好なレジストパタンが得られた。
ヒドロテトラヒドピラニル基をもつポリ（ｐ−ビニルフ
ェノール）（テトラヒドロピラニル基の導入率９０
％）：１０重量部とピロガロールとメタンスルホン酸の
三置換体エステル：２重量部をシクロヘキサノンに溶解
して、固形分濃度２０重量％の溶液を調合した。この溶
液を孔径０.２μｍのメンブレンフィルタで濾過し、ポ
ジ型レジスト組成物を製造した。堀場製作所製ｐＨメー
タ（Ｆ−２１型）と複合電極（６３７７−１０Ｄ型）を
用いて製造直後のｐＨを測定し、４.４ の値を示した。
以下、実施例１の方法に従って行った。その結果、３０
日保存後、ｐＨの値は、４.５ を示し、製造直後と同じ
照射量で良好なレジストパタンが得られた。
【００１８】（実施例３）樹脂Ｉ：９０重量部，メチロ
ールメラミン：１０重量部とトリフェニルスルホニウム
トリフロロメタンスルホン酸塩：３重量部をシクロへキ
サノンに溶解して、固形分濃度２０重量％の溶液を調合
した。この溶液を孔径０.２μｍ のメンブレンフィルタ
で濾過し、ネガ型レジスト組成物を製造した。実施例１
と同様にｐＨを測定し、３.７ の値を示した。以下、実
施例１の方法に従ってパタン形成を行った。その結果、
基板面から垂直に切り立った０.５μｍ パタンが得られ
る照射量は１０(μＣ／cm2）であった。３０日保存後、
製造直後と同じ照射量で良好なレジストパタンが得られ
た。
ールメラミン：１０重量部とトリフェニルスルホニウム
トリフロロメタンスルホン酸塩：３重量部をシクロへキ
サノンに溶解して、固形分濃度２０重量％の溶液を調合
した。この溶液を孔径０.２μｍ のメンブレンフィルタ
で濾過し、ネガ型レジスト組成物を製造した。実施例１
と同様にｐＨを測定し、３.７ の値を示した。以下、実
施例１の方法に従ってパタン形成を行った。その結果、
基板面から垂直に切り立った０.５μｍ パタンが得られ
る照射量は１０(μＣ／cm2）であった。３０日保存後、
製造直後と同じ照射量で良好なレジストパタンが得られ
た。
【００１９】（比較例１）ｍ，ｐ−クレゾールノボラッ
ク樹脂（重量平均分子量：６,４００)（以下この樹脂を
樹脂IIとする）：９０重量部，テトラヒドロテトラヒド
ピラニル基をもつポリ（ｐ−ビニルフェノール）（テト
ラヒドロピラニル基の導入率９０％）：１０重量部とピ
ロガロールとメタンスルホン酸の三置換体エステル：２
重量部をメチルセロソルブアセテートに溶解して、固形
分濃度２０重量％の溶液を調合した。この溶液を孔径
０.２μｍ のメンブレンフィルタで濾過し、ポジ型レジ
スト組成物を製造した。実施例１と同様にｐＨを測定
し、２.５ の値を示した。以下実施例１の方法に従って
パタン形成を行った。その結果、３０日保存後、未照射
部の膜減りが大きくなり、解像度およびパタン形状の劣
化を生じた。
ク樹脂（重量平均分子量：６,４００)（以下この樹脂を
樹脂IIとする）：９０重量部，テトラヒドロテトラヒド
ピラニル基をもつポリ（ｐ−ビニルフェノール）（テト
ラヒドロピラニル基の導入率９０％）：１０重量部とピ
ロガロールとメタンスルホン酸の三置換体エステル：２
重量部をメチルセロソルブアセテートに溶解して、固形
分濃度２０重量％の溶液を調合した。この溶液を孔径
０.２μｍ のメンブレンフィルタで濾過し、ポジ型レジ
スト組成物を製造した。実施例１と同様にｐＨを測定
し、２.５ の値を示した。以下実施例１の方法に従って
パタン形成を行った。その結果、３０日保存後、未照射
部の膜減りが大きくなり、解像度およびパタン形状の劣
化を生じた。
【００２０】（比較例２）樹脂II：９０重量部，メチロ
ールメラミン：１０重量部とトリフェニルスルホニウム
トリフロロメタンスルホン酸塩：３重量部をシクロへキ
サノンに溶解して、固形分濃度２０重量％の溶液を調合
した。この溶液を孔径０.２μｍ のメンブレンフィルタ
で濾過し、ネガ型レジスト組成物を製造した。実施例１
と同様にｐＨを測定し、１.９ の値を示した。以下、実
施例１の方法に従ってパタン形成を行った。その結果、
基板面から垂直に切り立った０.５μｍ パタンが得られ
る照射量は１０（μＣ／cm2）であった。３０日保存
後、０.５μｍパタンが得られる照射量は、１５(μＣ／
cm2）に低下し、レジストパタン上部が丸みを帯び、パ
タン形状の劣化を生じた。
ールメラミン：１０重量部とトリフェニルスルホニウム
トリフロロメタンスルホン酸塩：３重量部をシクロへキ
サノンに溶解して、固形分濃度２０重量％の溶液を調合
した。この溶液を孔径０.２μｍ のメンブレンフィルタ
で濾過し、ネガ型レジスト組成物を製造した。実施例１
と同様にｐＨを測定し、１.９ の値を示した。以下、実
施例１の方法に従ってパタン形成を行った。その結果、
基板面から垂直に切り立った０.５μｍ パタンが得られ
る照射量は１０（μＣ／cm2）であった。３０日保存
後、０.５μｍパタンが得られる照射量は、１５(μＣ／
cm2）に低下し、レジストパタン上部が丸みを帯び、パ
タン形状の劣化を生じた。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、保存安定性が向上し、
かつ、レジストパタン形状を良好に形成できるため、集
積回路作製時の歩留まりを良好にすることができる。
かつ、レジストパタン形状を良好に形成できるため、集
積回路作製時の歩留まりを良好にすることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１ C5 Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 内野 正市 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液
に対する溶解性を変化させる反応性を持った媒体と、活
性放射線照射により酸を生じる化合物及び有機溶剤を含
むレジスト組成物であって、上記溶液のｐＨが３〜６の
範囲にあることを特徴とするレジスト組成物。 - 【請求項２】請求項１において、酸を触媒とする反応に
よりアルカリ水溶液に対する溶解性を変化させる反応が
溶解性を増加させる反応であるレジスト組成物。 - 【請求項３】請求項１において、酸を触媒とする反応に
よりアルカリ水溶液に対する溶解性を変化させる反応が
溶解性を減少させる反応であるレジスト組成物。 - 【請求項４】活性放射線照射により酸を生じる化合物，
高分子及び有機溶剤を含む化学増幅系レジスト組成物の
製造方法において、高分子及び有機溶剤から成る混合物
のｐＨが３〜６の範囲にあるものを用いるレジスト組成
物の製造方法。 - 【請求項５】請求項１，２または３に記載のレジスト組
成物を、基板上に塗布し塗膜を形成する工程，塗膜溶媒
を取り除くためのプリベーク工程，活性放射線を用いて
塗膜に所定のパタン潜像を形成する工程，酸触媒反応を
促進する工程，アルカリ水溶液を現像液とする工程によ
りパタンを現出させるパタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6232772A JPH0895248A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | レジスト組成物，レジスト組成物の製造方法それを用いたパタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6232772A JPH0895248A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | レジスト組成物，レジスト組成物の製造方法それを用いたパタン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0895248A true JPH0895248A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16944504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6232772A Pending JPH0895248A (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | レジスト組成物，レジスト組成物の製造方法それを用いたパタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0895248A (ja) |
-
1994
- 1994-09-28 JP JP6232772A patent/JPH0895248A/ja active Pending
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