JPH0895815A - 温度変化監視装置及び半導体集積回路装置 - Google Patents
温度変化監視装置及び半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0895815A JPH0895815A JP6231552A JP23155294A JPH0895815A JP H0895815 A JPH0895815 A JP H0895815A JP 6231552 A JP6231552 A JP 6231552A JP 23155294 A JP23155294 A JP 23155294A JP H0895815 A JPH0895815 A JP H0895815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- temperature
- temperature change
- circuit
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】温度の変化に応じた信号を出力することができ
る温度変化監視装置を提供する。 【構成】温度変化監視装置１の電圧発生回路部２は、直
列に接続された第１，第２の抵抗体４，５により構成さ
れている。抵抗体４は、温度上昇に対してその抵抗値が
増加する性質であって、抵抗体５は、温度上昇に対して
その抵抗値が減少する性質である。電圧発生回路部２
は、抵抗体４，５の抵抗値の変化を電圧値の変化に変換
し、検出電圧Ｖt として出力する。電圧比較回路部３
は、電圧発生回路部２から出力される検出電圧Ｖt と、
予め印加される温度が所定の温度のときに電圧発生回路
部２から出力される検出電圧Ｖt に設定された基準電圧
Ｖref とを入力し、その検出電圧Ｖt と基準電圧Ｖref
とを比較した結果に基づいて検出信号INT を出力する。
る温度変化監視装置を提供する。 【構成】温度変化監視装置１の電圧発生回路部２は、直
列に接続された第１，第２の抵抗体４，５により構成さ
れている。抵抗体４は、温度上昇に対してその抵抗値が
増加する性質であって、抵抗体５は、温度上昇に対して
その抵抗値が減少する性質である。電圧発生回路部２
は、抵抗体４，５の抵抗値の変化を電圧値の変化に変換
し、検出電圧Ｖt として出力する。電圧比較回路部３
は、電圧発生回路部２から出力される検出電圧Ｖt と、
予め印加される温度が所定の温度のときに電圧発生回路
部２から出力される検出電圧Ｖt に設定された基準電圧
Ｖref とを入力し、その検出電圧Ｖt と基準電圧Ｖref
とを比較した結果に基づいて検出信号INT を出力する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は温度変化監視機能を備え
た半導体集積回路装置に関するものである。近年、マイ
クロコンピュータ等を用いたシステムにおいては、様々
な仕様に応じたデバイスが組み込まれ、複雑化してい
る。そのため、システムを構成するデバイスは、高温に
なると、正常に動作しなくなったり、故障したりする場
合がある。その１つのデバイスの故障はシステム全体の
故障につながることから、デバイスの温度変化を監視
し、温度による故障を防止することが要求されている。
た半導体集積回路装置に関するものである。近年、マイ
クロコンピュータ等を用いたシステムにおいては、様々
な仕様に応じたデバイスが組み込まれ、複雑化してい
る。そのため、システムを構成するデバイスは、高温に
なると、正常に動作しなくなったり、故障したりする場
合がある。その１つのデバイスの故障はシステム全体の
故障につながることから、デバイスの温度変化を監視
し、温度による故障を防止することが要求されている。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路装置、例えばマイ
クロコンピュータを用いたシステムにおいては、そのシ
ステムを構成するデバイスがその動作によって高温にな
ると、電気的特性が変化したり、正常に動作しなくなる
場合がある。そのため、通常の動作において高温となる
デバイス、例えばＣＰＵには、放熱フィンが備えられた
り、ファンによる送風で冷却されるようになっている。
クロコンピュータを用いたシステムにおいては、そのシ
ステムを構成するデバイスがその動作によって高温にな
ると、電気的特性が変化したり、正常に動作しなくなる
場合がある。そのため、通常の動作において高温となる
デバイス、例えばＣＰＵには、放熱フィンが備えられた
り、ファンによる送風で冷却されるようになっている。
【０００３】また、システムには、様々な周辺装置を接
続するために、拡張バスが設けられている。拡張バスに
は、周辺装置のインタフェース基板が挿入される。そし
て、システムは、そのインタフェース基板を介して周辺
装置をアクセスするようになっている。
続するために、拡張バスが設けられている。拡張バスに
は、周辺装置のインタフェース基板が挿入される。そし
て、システムは、そのインタフェース基板を介して周辺
装置をアクセスするようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、挿入したイ
ンタフェース基板自体に問題があったり、基板の接続不
良等があると、拡張バスのバスコンフリクト等によりシ
ステムのデバイスに異常に多くの電流が流れて発熱する
場合がある。しかしながら、そのようなデバイスは、基
板に問題がない場合や、基板の接続が正常な場合には異
常な電流が流れないので高温にならない。そのため、当
該デバイスには、放熱フィンや、ファン等の放熱対策が
施されていない。また、当該デバイスは、その配線が細
く設計されているので、多くの電流が流れて高温になる
と、繰り返しの使用によってエレクトロマイグレーショ
ン等が発生して配線が断線する場合がある。その結果、
デバイスは温度が低くなっても故障したままとなり、シ
ステム全体が使用できなくなるという問題があった。
ンタフェース基板自体に問題があったり、基板の接続不
良等があると、拡張バスのバスコンフリクト等によりシ
ステムのデバイスに異常に多くの電流が流れて発熱する
場合がある。しかしながら、そのようなデバイスは、基
板に問題がない場合や、基板の接続が正常な場合には異
常な電流が流れないので高温にならない。そのため、当
該デバイスには、放熱フィンや、ファン等の放熱対策が
施されていない。また、当該デバイスは、その配線が細
く設計されているので、多くの電流が流れて高温になる
と、繰り返しの使用によってエレクトロマイグレーショ
ン等が発生して配線が断線する場合がある。その結果、
デバイスは温度が低くなっても故障したままとなり、シ
ステム全体が使用できなくなるという問題があった。
【０００５】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は温度の変化に応じた信号
を出力することができる温度変化監視装置を提供するこ
とにある。また、内部回路の温度を監視し、その温度の
変化に応じた信号を出力することができる温度変化監視
回路を備えた半導体集積回路装置を提供することにあ
る。
れたものであって、その目的は温度の変化に応じた信号
を出力することができる温度変化監視装置を提供するこ
とにある。また、内部回路の温度を監視し、その温度の
変化に応じた信号を出力することができる温度変化監視
回路を備えた半導体集積回路装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。温度変化監視装置１は、電圧発生回路部２と
電圧比較回路部３とから構成されている。電圧発生回路
部２は、直列に接続された第１，第２の抵抗体４，５に
より構成されている。抵抗体４は、温度上昇に対してそ
の抵抗値が増加する性質であって、抵抗体５は、温度上
昇に対してその抵抗値が減少する性質である。電圧発生
回路部２は、抵抗体４，５の抵抗値の変化を電圧値の変
化に変換し、検出電圧Ｖt として出力する。電圧比較回
路部３は、電圧発生回路部２から出力される検出電圧Ｖ
t と、予め印加される温度が所定の温度のときに電圧発
生回路部２から出力される検出電圧Ｖt に設定された基
準電圧Ｖref とを入力し、その検出電圧Ｖt と基準電圧
Ｖref とを比較した結果に基づいて検出信号INT を出力
する。
図である。温度変化監視装置１は、電圧発生回路部２と
電圧比較回路部３とから構成されている。電圧発生回路
部２は、直列に接続された第１，第２の抵抗体４，５に
より構成されている。抵抗体４は、温度上昇に対してそ
の抵抗値が増加する性質であって、抵抗体５は、温度上
昇に対してその抵抗値が減少する性質である。電圧発生
回路部２は、抵抗体４，５の抵抗値の変化を電圧値の変
化に変換し、検出電圧Ｖt として出力する。電圧比較回
路部３は、電圧発生回路部２から出力される検出電圧Ｖ
t と、予め印加される温度が所定の温度のときに電圧発
生回路部２から出力される検出電圧Ｖt に設定された基
準電圧Ｖref とを入力し、その検出電圧Ｖt と基準電圧
Ｖref とを比較した結果に基づいて検出信号INT を出力
する。
【０００７】また、温度変化監視装置１は、その温度変
化監視装置１に隣接するチップの温度変化を検出する。
図２に示すように、半導体集積回路装置１０には、その
チップ上に内部回路１１と温度変化監視回路１２とが形
成されている。温度変化監視回路１２は、電圧発生回路
部１３と電圧比較回路部１４とから構成されている。電
圧発生回路部１３は、内部回路11の温度上昇に対して抵
抗値が増加する第１の抵抗体15と、温度上昇に対して抵
抗値が減少する第２の抵抗体16からなり、第１及び第２
の抵抗体１５，１６の抵抗値の変化を電圧値の変化に変
換した検出電圧Ｖt として出力する。電圧比較回路部１
４は、電圧発生回路部１３から出力された検出電圧Ｖt
と、予め設定された基準電圧Ｖref とを比較し、その比
較結果に基づいた検出信号INT を出力する。
化監視装置１に隣接するチップの温度変化を検出する。
図２に示すように、半導体集積回路装置１０には、その
チップ上に内部回路１１と温度変化監視回路１２とが形
成されている。温度変化監視回路１２は、電圧発生回路
部１３と電圧比較回路部１４とから構成されている。電
圧発生回路部１３は、内部回路11の温度上昇に対して抵
抗値が増加する第１の抵抗体15と、温度上昇に対して抵
抗値が減少する第２の抵抗体16からなり、第１及び第２
の抵抗体１５，１６の抵抗値の変化を電圧値の変化に変
換した検出電圧Ｖt として出力する。電圧比較回路部１
４は、電圧発生回路部１３から出力された検出電圧Ｖt
と、予め設定された基準電圧Ｖref とを比較し、その比
較結果に基づいた検出信号INT を出力する。
【０００８】内部回路１１は中央処理装置であって、温
度変化監視回路１２は、中央処理装置を構成する演算回
路の近傍に形成されている。また、第１の抵抗体はマグ
ネシウムであって、第２の抵抗体はセレン化鉛である。
度変化監視回路１２は、中央処理装置を構成する演算回
路の近傍に形成されている。また、第１の抵抗体はマグ
ネシウムであって、第２の抵抗体はセレン化鉛である。
【０００９】
【作用】従って、請求項１に記載の発明によれば、第１
及び第２の抵抗体４，５の温度変化に応じた検出信号IN
T が出力される。
及び第２の抵抗体４，５の温度変化に応じた検出信号IN
T が出力される。
【００１０】請求項２に記載の発明によれば、隣接する
チップの温度変化に応じた検出信号INT が出力される。
請求項３に記載の発明によれば、内部回路１１の温度変
化に応じた検出信号INT が出力される。
チップの温度変化に応じた検出信号INT が出力される。
請求項３に記載の発明によれば、内部回路１１の温度変
化に応じた検出信号INT が出力される。
【００１１】請求項４に記載の発明によれば、温度変化
監視回路は、演算回路の温度の変化に応じた検出信号IN
T が出力される。請求項５に記載の発明によれば、第１
の抵抗体はマグネシウムであって温度上昇にともなって
その抵抗値が増大し、第２の抵抗体１６はセレン化鉛で
あって温度上昇にともなってその抵抗値が減少する。
監視回路は、演算回路の温度の変化に応じた検出信号IN
T が出力される。請求項５に記載の発明によれば、第１
の抵抗体はマグネシウムであって温度上昇にともなって
その抵抗値が増大し、第２の抵抗体１６はセレン化鉛で
あって温度上昇にともなってその抵抗値が減少する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図２に
従って説明する。図２に示すように、半導体集積回路装
置１０には、同一チップ上に内部回路１１と共に温度変
化監視回路１２が形成されている。半導体集積回路装置
１０は、マイクロコンピュータを用いたシステムを構成
するデバイスであって、内部回路１１は、システムの拡
張バスに対して信号を出力する。また、内部回路１１
は、マイクロコンピュータからの指示に基づいて動作す
る。
従って説明する。図２に示すように、半導体集積回路装
置１０には、同一チップ上に内部回路１１と共に温度変
化監視回路１２が形成されている。半導体集積回路装置
１０は、マイクロコンピュータを用いたシステムを構成
するデバイスであって、内部回路１１は、システムの拡
張バスに対して信号を出力する。また、内部回路１１
は、マイクロコンピュータからの指示に基づいて動作す
る。
【００１３】温度変化監視回路１２は、電圧発生回路部
１３と電圧比較回路部１４とから構成されている。電圧
発生回路部１３は、内部回路１１の温度を検出し、その
温度に応じた検出電圧Ｖt を生成し、電圧比較回路部１
４へ出力する。
１３と電圧比較回路部１４とから構成されている。電圧
発生回路部１３は、内部回路１１の温度を検出し、その
温度に応じた検出電圧Ｖt を生成し、電圧比較回路部１
４へ出力する。
【００１４】電圧発生回路部１３は、第１の抵抗体とし
ての良導体１５と、第２の抵抗体としての半導体１６と
から構成されている。良導体１５は、金属であって例え
ばマグネシウム（Mg）が用いられており、温度上昇にと
もなってその抵抗値が増大する性質を持っている。半導
体１６は、半導体であって例えばセレン化鉛（PbSe）が
用いられており、良導体１５とは逆に、温度上昇にとも
なってその抵抗値が減少する性質を持っている。尚、良
導体１５及び半導体１６は、図示していないが、チップ
の半導体基板に形成された絶縁膜上に蒸着等の方法によ
り形成されている。
ての良導体１５と、第２の抵抗体としての半導体１６と
から構成されている。良導体１５は、金属であって例え
ばマグネシウム（Mg）が用いられており、温度上昇にと
もなってその抵抗値が増大する性質を持っている。半導
体１６は、半導体であって例えばセレン化鉛（PbSe）が
用いられており、良導体１５とは逆に、温度上昇にとも
なってその抵抗値が減少する性質を持っている。尚、良
導体１５及び半導体１６は、図示していないが、チップ
の半導体基板に形成された絶縁膜上に蒸着等の方法によ
り形成されている。
【００１５】良導体１５の一端は、内部回路１１の動作
電源である電源電圧ＶDDに接続され、他端は、半導体１
６を介してグランドGND に接続されている。良導体１５
と半導体１６の抵抗値は、それぞれ内部回路１１の温度
の変化に応じて変化する。従って、良導体１５と半導体
１６は、そのときどきの抵抗値によって電源電圧ＶDDを
分圧し、その分圧電圧を検出電圧Ｖt として電圧比較回
路部１４へ出力する。
電源である電源電圧ＶDDに接続され、他端は、半導体１
６を介してグランドGND に接続されている。良導体１５
と半導体１６の抵抗値は、それぞれ内部回路１１の温度
の変化に応じて変化する。従って、良導体１５と半導体
１６は、そのときどきの抵抗値によって電源電圧ＶDDを
分圧し、その分圧電圧を検出電圧Ｖt として電圧比較回
路部１４へ出力する。
【００１６】また、良導体１５と半導体１６は、所定の
温度（例えば１５０℃）のときに抵抗値が同じとなるよ
うに形成されている。従って、電圧発生回路部１３から
出力される検出電圧Ｖt は、内部回路１１の温度が１５
０℃のときに電源電圧ＶDDの１／２の電圧となる。
温度（例えば１５０℃）のときに抵抗値が同じとなるよ
うに形成されている。従って、電圧発生回路部１３から
出力される検出電圧Ｖt は、内部回路１１の温度が１５
０℃のときに電源電圧ＶDDの１／２の電圧となる。
【００１７】尚、良導体１５と半導体１６の抵抗値が同
じとなる温度は、内部回路１１の正常動作時における温
度よりも高い温度であって、内部回路１１が誤動作した
り破損したりする温度よりも低い温度に設定されてい
る。
じとなる温度は、内部回路１１の正常動作時における温
度よりも高い温度であって、内部回路１１が誤動作した
り破損したりする温度よりも低い温度に設定されてい
る。
【００１８】電圧比較回路部１４には、電圧発生回路部
１３から出力される検出電圧Ｖt が入力されるととも
に、予め設定された基準電圧Ｖref が入力されている。
そして、電圧比較回路部１４は、入力された検出電圧Ｖ
t と基準電圧Ｖref とを比較し、その比較結果に基づい
て検出信号INT を出力する。即ち、電圧比較回路部１４
は、検出電圧Ｖt の方が基準電圧Ｖref よりも高い場合
には、Ｌレベルの検出信号INT を、検出電圧Ｖt の方が
基準電圧Ｖref よりも低い場合には、Ｈレベルの検出信
号INT を図示しないマイクロコンピュータへ出力する。
１３から出力される検出電圧Ｖt が入力されるととも
に、予め設定された基準電圧Ｖref が入力されている。
そして、電圧比較回路部１４は、入力された検出電圧Ｖ
t と基準電圧Ｖref とを比較し、その比較結果に基づい
て検出信号INT を出力する。即ち、電圧比較回路部１４
は、検出電圧Ｖt の方が基準電圧Ｖref よりも高い場合
には、Ｌレベルの検出信号INT を、検出電圧Ｖt の方が
基準電圧Ｖref よりも低い場合には、Ｈレベルの検出信
号INT を図示しないマイクロコンピュータへ出力する。
【００１９】尚、基準電圧Ｖref は、内部回路１１の温
度が１５０℃のときに電圧発生回路部１３から出力され
る検出電圧Ｖt （電源電圧ＶDDの１／２）と同じ電圧に
設定されている。
度が１５０℃のときに電圧発生回路部１３から出力され
る検出電圧Ｖt （電源電圧ＶDDの１／２）と同じ電圧に
設定されている。
【００２０】マイクロコンピュータは、Ｌレベルの検出
信号INT の入力に基づいて内部回路１１を動作させ、Ｈ
レベルの検出信号INT の入力に基づいて内部回路１１の
動作を停止させる。
信号INT の入力に基づいて内部回路１１を動作させ、Ｈ
レベルの検出信号INT の入力に基づいて内部回路１１の
動作を停止させる。
【００２１】次に、上記のように構成された半導体集積
回路装置の動作を説明する。内部回路１１が正常に動作
している場合、その内部回路１１の温度は所定の温度
（１５０℃）よりも低くなっている。温度変化監視回路
１２の電圧発生回路部１３は、その内部回路１１の温度
に応じた検出電圧Ｖt を出力する。
回路装置の動作を説明する。内部回路１１が正常に動作
している場合、その内部回路１１の温度は所定の温度
（１５０℃）よりも低くなっている。温度変化監視回路
１２の電圧発生回路部１３は、その内部回路１１の温度
に応じた検出電圧Ｖt を出力する。
【００２２】このとき、内部回路１１の温度は１５０℃
よりも低いので、電圧発生回路部１３の良導体１５の抵
抗値は、半導体１６の抵抗値に比べて低くなっている。
従って、良導体１５と半導体１６とにより電源電圧ＶDD
を分圧した分圧電圧は、その１／２よりも高い電圧とな
り、その電圧が、検出電圧Ｖt として出力される。
よりも低いので、電圧発生回路部１３の良導体１５の抵
抗値は、半導体１６の抵抗値に比べて低くなっている。
従って、良導体１５と半導体１６とにより電源電圧ＶDD
を分圧した分圧電圧は、その１／２よりも高い電圧とな
り、その電圧が、検出電圧Ｖt として出力される。
【００２３】電圧比較回路部１４は、検出電圧Ｖt と基
準電圧Ｖref とを比較する。基準電圧Ｖref は、電源電
圧ＶDDの１／２に設定されているので、基準電圧Ｖref
に比べて検出電圧Ｖt の方が高い電圧となる。従って、
電圧比較回路部１４は、Ｌレベルの検出信号INT を出力
する。
準電圧Ｖref とを比較する。基準電圧Ｖref は、電源電
圧ＶDDの１／２に設定されているので、基準電圧Ｖref
に比べて検出電圧Ｖt の方が高い電圧となる。従って、
電圧比較回路部１４は、Ｌレベルの検出信号INT を出力
する。
【００２４】マイクロコンピュータは、Ｌレベルの検出
信号INT を入力するので、内部回路１１をそのまま動作
させる。拡張バスに挿入したインタフェース基板に不良
があって、その拡張バスがバスコンフリクトした場合、
内部回路１１に多くの電流が流れ、内部回路１１の温度
が所定の温度、即ち１５０℃よりも高くなる。すると、
内部回路１１の温度を受けて、電圧発生回路部１３の良
導体１５の抵抗値は増加し、半導体１６の抵抗値は減少
する。その結果、電圧発生回路部１３から出力される検
出電圧Ｖt は、良導体１５の抵抗値が半導体１６の抵抗
値に比べて大きくなるので、電源電圧ＶDDの１／２より
も低くなる。
信号INT を入力するので、内部回路１１をそのまま動作
させる。拡張バスに挿入したインタフェース基板に不良
があって、その拡張バスがバスコンフリクトした場合、
内部回路１１に多くの電流が流れ、内部回路１１の温度
が所定の温度、即ち１５０℃よりも高くなる。すると、
内部回路１１の温度を受けて、電圧発生回路部１３の良
導体１５の抵抗値は増加し、半導体１６の抵抗値は減少
する。その結果、電圧発生回路部１３から出力される検
出電圧Ｖt は、良導体１５の抵抗値が半導体１６の抵抗
値に比べて大きくなるので、電源電圧ＶDDの１／２より
も低くなる。
【００２５】すると、電圧比較回路部１４は、検出電圧
Ｖt が基準電圧Ｖref よりも低い電圧となるので、Ｈレ
ベルの検出信号INT を出力する。マイクロコンピュータ
は、Ｈレベルの検出信号INT の入力に基づいて内部回路
１１の動作を停止させる。その結果、内部回路１１に
は、電流が流れなくなり、温度が低くなるので、内部回
路１１の破損、即ち半導体集積回路装置１０の破損を防
止することができる。
Ｖt が基準電圧Ｖref よりも低い電圧となるので、Ｈレ
ベルの検出信号INT を出力する。マイクロコンピュータ
は、Ｈレベルの検出信号INT の入力に基づいて内部回路
１１の動作を停止させる。その結果、内部回路１１に
は、電流が流れなくなり、温度が低くなるので、内部回
路１１の破損、即ち半導体集積回路装置１０の破損を防
止することができる。
【００２６】このように、本実施例では、半導体集積回
路装置１０には、内部回路１１と温度変化監視回路１２
を設けた。温度変化監視回路１２は、内部回路１１の温
度を監視し、その温度が所定の温度以下の場合にはＬレ
ベル、所定の温度以上の場合にはＨレベルの検出信号IN
T を出力するようにした。そして、マイクロコンピュー
タは、Ｌレベルの検出信号INT を入力すると内部回路１
１を動作させ、Ｈレベルの検出信号INT を入力すると内
部回路１１の動作を停止するようにした。
路装置１０には、内部回路１１と温度変化監視回路１２
を設けた。温度変化監視回路１２は、内部回路１１の温
度を監視し、その温度が所定の温度以下の場合にはＬレ
ベル、所定の温度以上の場合にはＨレベルの検出信号IN
T を出力するようにした。そして、マイクロコンピュー
タは、Ｌレベルの検出信号INT を入力すると内部回路１
１を動作させ、Ｈレベルの検出信号INT を入力すると内
部回路１１の動作を停止するようにした。
【００２７】その結果、異常により内部回路１１の温度
が上昇した場合には、内部回路１１を停止することがで
きるので、内部回路１１の破損、ひいては半導体集積回
路装置１０の破損を防止することができる。
が上昇した場合には、内部回路１１を停止することがで
きるので、内部回路１１の破損、ひいては半導体集積回
路装置１０の破損を防止することができる。
【００２８】尚、本発明は前記実施例の他、以下の態様
で実施するようにしてもよい。 １）上記実施例では、マグネシウムとセレン化鉛を用い
たが、温度上昇によってその抵抗値が増加する物質と、
抵抗値が減少する物質との組合せであれば何でも良く、
例えば抵抗値が増加する物質としてガドリニウム（G
d）、抵抗値が減少する物質としてテルル化鉛（PbTe）
の組合せにより実施する。
で実施するようにしてもよい。 １）上記実施例では、マグネシウムとセレン化鉛を用い
たが、温度上昇によってその抵抗値が増加する物質と、
抵抗値が減少する物質との組合せであれば何でも良く、
例えば抵抗値が増加する物質としてガドリニウム（G
d）、抵抗値が減少する物質としてテルル化鉛（PbTe）
の組合せにより実施する。
【００２９】２）上記実施例では、良導体１５を電源電
圧ＶDD側に設けたが、半導体１６を電源電圧ＶDD側に設
けてもよい。このとき、良導体１５と半導体１６間から
出力される検出電圧Ｖt は、内部回路１１の温度上昇に
応じて高くなる。従って、電圧比較回路部１４は、検出
電圧Ｖt が基準電圧Ｖref よりも低い場合にはＬレベ
ル、検出電圧Ｖt が基準電圧Ｖref よりも高い場合には
Ｈレベルの検出信号INTを出力するように構成する。
圧ＶDD側に設けたが、半導体１６を電源電圧ＶDD側に設
けてもよい。このとき、良導体１５と半導体１６間から
出力される検出電圧Ｖt は、内部回路１１の温度上昇に
応じて高くなる。従って、電圧比較回路部１４は、検出
電圧Ｖt が基準電圧Ｖref よりも低い場合にはＬレベ
ル、検出電圧Ｖt が基準電圧Ｖref よりも高い場合には
Ｈレベルの検出信号INTを出力するように構成する。
【００３０】３）上記実施例では、システムを構成する
デバイスに温度変化監視回路１２を設けて内部回路１１
の温度を監視するようにしたが、システムのマイクロコ
ンピュータ、即ち、ＣＰＵ自体に設けて実施してもよ
い。このとき、ＣＰＵの中で温度の発生が多い演算回路
（ＡＬＵ：Arithmetic Logic Unit ）の近傍に設ける
と、より効果がある。
デバイスに温度変化監視回路１２を設けて内部回路１１
の温度を監視するようにしたが、システムのマイクロコ
ンピュータ、即ち、ＣＰＵ自体に設けて実施してもよ
い。このとき、ＣＰＵの中で温度の発生が多い演算回路
（ＡＬＵ：Arithmetic Logic Unit ）の近傍に設ける
と、より効果がある。
【００３１】４）上記実施例では、温度変化監視回路１
２を内部回路１１とともに半導体集積回路装置１０に形
成したが、図３に示すように、温度変化監視回路１２の
みを設けた半導体集積回路装置２０を、別のチップに形
成された半導体集積回路装置２１の近傍に設け、半導体
集積回路装置２１の温度を監視するようにしてもよい。
２を内部回路１１とともに半導体集積回路装置１０に形
成したが、図３に示すように、温度変化監視回路１２の
みを設けた半導体集積回路装置２０を、別のチップに形
成された半導体集積回路装置２１の近傍に設け、半導体
集積回路装置２１の温度を監視するようにしてもよい。
【００３２】５）上記実施例では、良導体１５と半導体
１６の抵抗値が同じ値となる温度を１５０℃に設定する
とともに、基準電圧Ｖref と検出電圧Ｖt とが同じ電圧
となる温度を１５０℃に設定したが、設定する温度を適
宜変更してもよい。また、良導体１５と半導体１６の抵
抗値が同じ値となる温度と、基準電圧Ｖref と検出電圧
Ｖt とが同じ電圧となる温度とを別々の温度に設定する
ようにしてもよい。
１６の抵抗値が同じ値となる温度を１５０℃に設定する
とともに、基準電圧Ｖref と検出電圧Ｖt とが同じ電圧
となる温度を１５０℃に設定したが、設定する温度を適
宜変更してもよい。また、良導体１５と半導体１６の抵
抗値が同じ値となる温度と、基準電圧Ｖref と検出電圧
Ｖt とが同じ電圧となる温度とを別々の温度に設定する
ようにしてもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
温度の変化に応じた信号を出力することが可能な温度変
化監視装置を提供することができる。また、内部回路の
温度を監視し、その温度の変化に応じた信号を出力する
ことが可能な温度変化監視回路を備えた半導体集積回路
装置を提供することができる。
温度の変化に応じた信号を出力することが可能な温度変
化監視装置を提供することができる。また、内部回路の
温度を監視し、その温度の変化に応じた信号を出力する
ことが可能な温度変化監視回路を備えた半導体集積回路
装置を提供することができる。
【図１】 本発明の原理説明図である。
【図２】 一実施例の半導体集積回路装置を示すブロッ
ク回路図である。
ク回路図である。
【図３】 別例を示すブロック回路図である。
１ 電圧変化監視装置 ２ 電圧発生回路部 ３ 電圧比較回路部 ４ 第１の抵抗体としての良導体 ５ 第２の抵抗体としての半導体 Ｖt 検出電圧 ＶDD 電源電圧 GND グランド Ｖref 基準電圧 INT 検出信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/58 27/04 21/822 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｆ
Claims (5)
- 【請求項１】 温度上昇に対して抵抗値が増加する第１
の抵抗体と、 温度上昇に対して抵抗値が減少する第２の抵抗体からな
り、第１及び第２の抵抗体の抵抗値の変化を電圧値の変
化に変換した検出電圧として出力する電圧発生回路部
と、 前記電圧発生回路から出力された検出電圧と、予め設定
された基準電圧とを比較し、その比較結果に基づいた検
出信号を出力する電圧比較回路部とから構成された温度
変化監視装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の温度変化監視装置は、 該温度変化監視装置に隣接するチップの温度変化を検出
する温度変化監視装置。 - 【請求項３】 内部回路とともにチップ上に形成され、
その内部回路の温度変化を監視し、その温度に応じた信
号を出力する温度変化監視回路を備えた半導体集積回路
装置において、 前記温度変化監視回路は、 前記内部回路の温度上昇に対して抵抗値が増加する第１
の抵抗体と、 温度上昇に対して抵抗値が減少する第２の抵抗体からな
り、第１及び第２の抵抗体の抵抗値の変化を電圧値の変
化に変換した検出電圧として出力する電圧発生回路部
と、 前記電圧発生回路部から出力された検出電圧と、予め設
定された基準電圧とを比較し、その比較結果に基づいた
検出信号を出力する電圧比較回路部とから構成された半
導体集積回路装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の半導体集積回路装置に
おいて、 前記内部回路は中央処理装置であって、 前記温度変化監視回路は、中央処理装置を構成する演算
回路の近傍に形成された半導体集積回路装置。 - 【請求項５】 前記第１の抵抗体はマグネシウムであっ
て、前記第２の抵抗体はセレン化鉛である請求項１〜４
のうちいずれか１項に記載の温度変化監視装置及び半導
体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6231552A JPH0895815A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 温度変化監視装置及び半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6231552A JPH0895815A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 温度変化監視装置及び半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0895815A true JPH0895815A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16925292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6231552A Withdrawn JPH0895815A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 温度変化監視装置及び半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0895815A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006170731A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Yamari Sangyo Kk | 温度伝送器における温度制御システム |
| CN103309757A (zh) * | 2013-06-25 | 2013-09-18 | 四川品杰科技有限公司 | 用于保护平板电脑的电源接口 |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP6231552A patent/JPH0895815A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006170731A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Yamari Sangyo Kk | 温度伝送器における温度制御システム |
| CN103309757A (zh) * | 2013-06-25 | 2013-09-18 | 四川品杰科技有限公司 | 用于保护平板电脑的电源接口 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5526289A (en) | Temperature dependent fan control circuit for personal computer | |
| US6909922B2 (en) | Apparatus, method and computer system for reducing power consumption of a processor or processors upon occurrence of a failure condition affecting the processor or processors | |
| US7609018B2 (en) | Fan system and control device thereof | |
| EP0820098A2 (en) | Switched management of thermal impedance to reduce temperature excursions | |
| US20070096665A1 (en) | Method and circuit for controlling motor speed | |
| JPH0846102A (ja) | コンピュータシステムの保護装置 | |
| US6219215B1 (en) | Chip thermal protection device | |
| US20050167083A1 (en) | Heat sink including redundant fan sinks | |
| JPH10163660A (ja) | 空冷電子機器装置 | |
| US6876164B2 (en) | Complementary fan rotational speed control method and apparatus | |
| US8045315B2 (en) | Electronic device with ion cooling system | |
| JPH0895815A (ja) | 温度変化監視装置及び半導体集積回路装置 | |
| CN115373480B (zh) | 计算系统以及通过计算系统中的控制器实施的方法 | |
| KR100685000B1 (ko) | 온도 감지장치 및 이를 포함하는 컴퓨터 | |
| JPH1038964A (ja) | 半導体モジュールの温度検出装置 | |
| US6657325B2 (en) | Multiple fan sensing circuit and method for monitoring multiple cooling fans utilizing a single fan sense input | |
| JP2019078739A (ja) | 電子装置及び過温の検出方法 | |
| JPH04317365A (ja) | 半導体集積回路及びそれを含むデータ処理システム | |
| JP7787162B2 (ja) | 電子装置 | |
| TWI754941B (zh) | 電子設備及其操作方法 | |
| JP3145868B2 (ja) | パワーデバイス及びパワーデバイス制御システム | |
| CN101154112B (zh) | 风扇系统及其控制装置 | |
| TWI848801B (zh) | 運算系統及其控制方法 | |
| JPH06303718A (ja) | 放熱装置 | |
| KR200247746Y1 (ko) | 냉각팬 감시 기능을 구비한 서버 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |