JPH089627Y2 - ガスサンプリング装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、例えば自動車の排ガス中に含まれる排出物
質、すなわち、エミッション（例えばCO,CO₂,HC,NO_x，
パーティキュレート，SO_xなど）の総量を測定するのに
用いられるガスサンプリング装置に関する。

〔従来の技術〕

上記総量測定を行う場合、一般には排ガス全量を所謂
CVS法によってサンプリングすることが行われ、ベンチ
ュリの下流側に配管を介して吸引装置を設けたガスサン
プリング装置が用いられる。

第２図は従来のこの種のガスサンプリング装置を概略
的に示し、この図において、１は自動車、２は自動車１
から排出されるガス（排ガス）を導出する排ガス流路で
ある。３は排ガス流路２の下流側に接続される混合管
で、適宜フィルタ４を備えたエヤー導入管５が接続され
ている。自動車１からの排ガスは混合管３内において適
宜希釈された希釈ガスとなり、その一部はCFV上流に形
成された採取口（図外）からサンプルガスとして採取さ
れる。そして、混合管３の下流側には、CFV（Critical
FLOW Venturi）と呼ばれるベンチュリ６が接続してあ
り、さらに、ベンチュリ６には配管７を介してターボブ
ロアなどの吸引装置８が設けられており、前記希釈ガス
は吸引装置８を介して排出されるように構成されてい
る。

〔考案が解決しようとする課題〕

ところで、この種のガスサンプリング装置において
は、ベンチュリ６を通過する希釈ガスの瞬時流量を、温
度換算や圧力換算して積算して全流量を求めるところか
ら、一般的には、熱交換器は取り付けられることはない
ため、前記希釈ガスがそのままの温度を維持して吸引装
置８に吸引され、その結果、吸引装置８の各部が損傷さ
れることがある。すなわち、吸引装置８のモータの絶縁
部分やベアリング部分などには耐熱性の部材が使用され
ているが、その耐熱性に限度があるため、希釈ガスの温
度が例えば60℃を超えると前記部材が損傷され、絶縁不
良や性能劣化が生じることになる。

これに対して、前記各部分の部材として耐熱性のより
優れたものを使用することが考えられるが、その場合は
それだけコストアップとなる。

本考案は、上述の事柄に留意してなされたもので、そ
の目的とするところは、吸引装置の熱的損傷を安価な構
成によって巧みに回避したガスサンプリング装置を提供
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上述の目的を達成するため、本考案に係るガスサンプ
リング装置は、ベンチュリ管の下流側に配管を接続し、
その配管の下流端に吸引装置を設けてなるガスサンプリ
ング装置にあって、前記配管内に、水を噴霧するスプレ
ーノズルを下流側に向けて配置するとともに、その配管
内を流れるガスの温度を検出する温度センサを、前記ス
プレーノズルの下流側に適宜な間隔をおいて配置し、か
つその温度センサによって検出されたガスの温度が設定
値以上になると、前記スプレーノズルからガスに対して
水を噴霧させるコントローラを設けてなることを特徴と
している。

〔作用〕

上記構成よりなるガスサンプリング装置においては、
配管内を流れるガスの温度が設定値以上になると、開閉
弁が開いてスプレーノズルからガスに対して水が霧状に
噴射され、この噴射された霧状の水はガス中において蒸
発し、そのときの蒸発潜熱によってガスの温度が下げら
れる。そして、ガスの温度が設定値より低くなると、開
閉弁が閉じて水の噴射が停止する。

〔実施例〕

以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本考案に係るガスサンプリング装置の一例を
示し、この図において、第２図に示す符号と同一符号は
同一物を示しており、従来と異なる部分について説明す
ると、９は配管７内を流れる希釈ガスＧに対して水を霧
状に噴射するスプレーノズルで、配管７内に挿設された
給水管10の先端に、その噴射口が例えば吸引装置８方向
に向くように取り付けられている。11はレギュータ、12
は開閉弁としての電磁弁で、これらレギュレータ11およ
び電磁弁12によって給水管10内の水が制御される。

また、13は配管７内を流れる希釈ガスＧの温度を検出
する温度センサで、スプレーノズル９の下流側にこれと
は適宜の間隔をおいて配設されている。そして、14はコ
ントローラで、温度センサ13から送られてくる検出信号
（温度信号）が設定値以上になると、前記電磁弁12に対
して開信号を出力し、前記検出信号が設定値より低くな
ると電磁弁12に対して閉信号を出力する。

而して、上記構成のガスサンプリング装置において
は、配管７内を流れる希釈ガスＧの温度が設定値（例え
ば60℃）以上になると、これが温度センサ13によって検
出されて、コントローラ14から開信号が電磁弁12に出力
される。これによって電磁弁12が開いて、スプレーノズ
ル９から希釈ガスＧに対して水が霧状に噴射され、この
噴射された霧状の水が希釈ガスＧ中において蒸発し、そ
のときの蒸発潜熱によって希釈ガスＧの温度が下げられ
る。そして、希釈ガスＧの温度が設定値より低くなる
と、電磁弁12が閉じて水の噴射が停止する。

上記構成によれば、配管７内を吸引装置８に向かって
流れる希釈ガスＧの温度が設定値以上になると、スプレ
ーノズル９から希釈ガスＧに対して水が霧状に噴射され
ることにより、希釈ガスＧの温度が設定値以下に下げら
れるので、吸引装置８の熱的損傷を巧みに回避すること
ができる。

この場合、温度センサ13を吸引装置８に余り近づけ過
ぎると、希釈ガスＧの温度検出が遅れてスプレーノズル
９から必要以上に水が噴出することになり、また、スプ
レーノズル９と温度センサ13が近すぎると、スプレーノ
ズル９からの水が温度センサ13に付着して、真のガス温
度を検出することができなくなるので、これらを考慮し
てスプレーノズル９と温度センサ13を設置する必要があ
る。

〔考案の効果〕

本考案に以上のように構成されるので、吸引装置の構
成部材として高価なものを用いることなく、吸引装置の
熱的損傷を回避することができ、この種のガスサンプリ
ング装置を安価に構成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係るガスサンプリング装置の一例を示
す構成図である。 第２図は従来技術を説明するための図である。 ６……ベンチュリ、７……配管、８……吸引装置、９…
…スプレーノズル、13……温度センサ、Ｇ……ガス。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】ベンチュリ管の下流側に配管を接続し、そ
   の配管の下流端に吸引装置を設けてなるガスサンプリン
   グ装置において、前記配管内に、水を噴霧するスプレー
   ノズルを下流側に向けて配置するとともに、その配管内
   を流れるガスの温度を検出する温度センサを、前記スプ
   レーノズルの下流側に適宜な間隔をおいて配置し、かつ
   その温度センサによって検出されたガスの温度が設定値
   以上になると、前記スプレーノズルからガスに対して水
   を噴霧させるコントローラを設けてなることを特徴とす
   るガスサンプリング装置。