JPH0896412A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0896412A JPH0896412A JP6226539A JP22653994A JPH0896412A JP H0896412 A JPH0896412 A JP H0896412A JP 6226539 A JP6226539 A JP 6226539A JP 22653994 A JP22653994 A JP 22653994A JP H0896412 A JPH0896412 A JP H0896412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask layer
- recording medium
- layer
- information recording
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】設計に困難性を伴わず、しかも情報読み出しの
際の温度上昇による読み出し回数の制限なく高密度に記
録された情報を読み出すことができる情報記録媒体を提
供することを目的とする。 【構成】基板10と、その上に設けられ、読み出し用の
光ビームが照射されることによりそのフォトンエネルギ
ーによって可逆的に透過率が変化して該ビーム径を絞る
マスク層11と、その上に設けられた反射層12とを有
する情報記録媒体。
際の温度上昇による読み出し回数の制限なく高密度に記
録された情報を読み出すことができる情報記録媒体を提
供することを目的とする。 【構成】基板10と、その上に設けられ、読み出し用の
光ビームが照射されることによりそのフォトンエネルギ
ーによって可逆的に透過率が変化して該ビーム径を絞る
マスク層11と、その上に設けられた反射層12とを有
する情報記録媒体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的特性変化を検出
して情報を読み出す情報記録媒体に関し、特に高密度に
記録された情報を読み出し可能な情報記録媒体に関す
る。
して情報を読み出す情報記録媒体に関し、特に高密度に
記録された情報を読み出し可能な情報記録媒体に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の光再生系において、記録密度は記
録再生に用いる光源の波長(λ)と対物レンズの開口数
(NA)により決定される。一般的に、λ/2NAが光
学的限界といわれこれ以上高密度に記録された信号は再
生することができない。例えば、光源の波長を780n
mとし、対物レンズのNAを0.5とした場合、記録マ
ークの長さと信号強度をC/N比で表すと図8に示すよ
うになる。図からわかるように記録マークの長さが短く
なると信号強度も小さくなり、光学的な検出限界は0.
39μmとなる。従来の光再生系では、これ以上の密度
で記録された情報は光学的に識別できない。
録再生に用いる光源の波長(λ)と対物レンズの開口数
(NA)により決定される。一般的に、λ/2NAが光
学的限界といわれこれ以上高密度に記録された信号は再
生することができない。例えば、光源の波長を780n
mとし、対物レンズのNAを0.5とした場合、記録マ
ークの長さと信号強度をC/N比で表すと図8に示すよ
うになる。図からわかるように記録マークの長さが短く
なると信号強度も小さくなり、光学的な検出限界は0.
39μmとなる。従来の光再生系では、これ以上の密度
で記録された情報は光学的に識別できない。
【0003】この場合、さらに記録密度を上げるために
は、読み出しに用いる光源の波長を短くするか、対物レ
ンズの開口数を大きくすることにより読み出し光ビーム
径を小さくする必要がある。読み出しに用いる光源の波
長を短くするためにはレーザ素子の開発が必要であり、
また対物レンズの開口数を大きくすると媒体と再生系の
傾きに対する許容範囲が狭くなるため、開口数は0.6
程度が実用的限界である。
は、読み出しに用いる光源の波長を短くするか、対物レ
ンズの開口数を大きくすることにより読み出し光ビーム
径を小さくする必要がある。読み出しに用いる光源の波
長を短くするためにはレーザ素子の開発が必要であり、
また対物レンズの開口数を大きくすると媒体と再生系の
傾きに対する許容範囲が狭くなるため、開口数は0.6
程度が実用的限界である。
【0004】このような再生系に対し、記録媒体の側か
ら高密度化を図る提案がなされている。特開平5−89
511号においては、図9に示す様に位相ピットが形成
された基板1上に、溶融後結晶化しうる相変化材料から
なる相変化材料層3を形成し、この相変化材料層3が読
み出し光(再生光)の光スポット内で熱を吸収し、部分
的に溶融液相化して反射率変化を起こし、この部分のみ
が光スポットの中でマスクされる方法が示されている。
すなわち図10に示すように、読み出し光が照射された
読み出しスポット6部分のうち高温部7において相変化
材料層3に読み出し光の熱による変化が生じて反射率が
変化し、これによって高温部7がマスクされて見かけ上
読み出しスポットが小さくなり、高密度記録信号の再生
を可能としている。なお、図9中参照符号2,5は保護
層、4は反射層である。
ら高密度化を図る提案がなされている。特開平5−89
511号においては、図9に示す様に位相ピットが形成
された基板1上に、溶融後結晶化しうる相変化材料から
なる相変化材料層3を形成し、この相変化材料層3が読
み出し光(再生光)の光スポット内で熱を吸収し、部分
的に溶融液相化して反射率変化を起こし、この部分のみ
が光スポットの中でマスクされる方法が示されている。
すなわち図10に示すように、読み出し光が照射された
読み出しスポット6部分のうち高温部7において相変化
材料層3に読み出し光の熱による変化が生じて反射率が
変化し、これによって高温部7がマスクされて見かけ上
読み出しスポットが小さくなり、高密度記録信号の再生
を可能としている。なお、図9中参照符号2,5は保護
層、4は反射層である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら特開平5
−89511号に開示された方法では、記録媒体中で、
読み出し光により吸収された熱を利用して見かけ上読み
出しスポットをマスクするため、マスクに用いる材料の
選択が難しい。特にマスクの形状が周囲温度に影響され
やすいとい問題点がある。また読み出す際には、読み出
し光を吸収しその部分の融点温度まで上昇するため、位
相ビットを形成した基板にプラスチックを用いた場合、
位相ピットの変形による読み出し回数の制限がある。た
とえば、GeSbTeをマスク層に用いた場合、再生の
たびごとに融点である600℃以上になる。
−89511号に開示された方法では、記録媒体中で、
読み出し光により吸収された熱を利用して見かけ上読み
出しスポットをマスクするため、マスクに用いる材料の
選択が難しい。特にマスクの形状が周囲温度に影響され
やすいとい問題点がある。また読み出す際には、読み出
し光を吸収しその部分の融点温度まで上昇するため、位
相ビットを形成した基板にプラスチックを用いた場合、
位相ピットの変形による読み出し回数の制限がある。た
とえば、GeSbTeをマスク層に用いた場合、再生の
たびごとに融点である600℃以上になる。
【0006】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、設計に困難性を伴わず、しかも情報読み出
しの際の温度上昇による読み出し回数の制限なく高密度
に記録された情報を読み出すことができる情報記録媒体
を提供することを目的とする。
のであって、設計に困難性を伴わず、しかも情報読み出
しの際の温度上昇による読み出し回数の制限なく高密度
に記録された情報を読み出すことができる情報記録媒体
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、上
記課題を解決するために、第1に、基板と、その上に設
けられ、照射される光ビームの強度の増加に対し光透過
率が非線形に増加するマスク層と、このマスク上に設け
られ前記マスク層を透過した光ビームにより情報が記録
される記録層とを有することを特徴とする情報記録媒体
を提供するものである。
記課題を解決するために、第1に、基板と、その上に設
けられ、照射される光ビームの強度の増加に対し光透過
率が非線形に増加するマスク層と、このマスク上に設け
られ前記マスク層を透過した光ビームにより情報が記録
される記録層とを有することを特徴とする情報記録媒体
を提供するものである。
【0008】第2に、基板と、その上に設けられ、読み
出し用の光ビームが照射されることによりそのフォトン
エネルギーによって可逆的に透過率が変化して該ビーム
径を絞るマスク層と、このマスク層上に設けられ、情報
が記録される記録層とを有することを特徴とする情報記
録媒体を提供するものである。
出し用の光ビームが照射されることによりそのフォトン
エネルギーによって可逆的に透過率が変化して該ビーム
径を絞るマスク層と、このマスク層上に設けられ、情報
が記録される記録層とを有することを特徴とする情報記
録媒体を提供するものである。
【0009】第3に、基板と、その上に設けられ、読み
出し用の光ビームが照射されることによりそのフォトン
エネルギーによって可逆的に透過率が変化して該ビーム
径を絞るマスク層と、反射層とを有することを特徴とす
る情報記録媒体を提供するものである。
出し用の光ビームが照射されることによりそのフォトン
エネルギーによって可逆的に透過率が変化して該ビーム
径を絞るマスク層と、反射層とを有することを特徴とす
る情報記録媒体を提供するものである。
【0010】すなわち、本発明では、マスク材料として
これまで読み出し光の熱(ヒートモード)ではなく、読
み出し光の光エネルギー(フォントモード)によりマス
クを形成することを特徴とするものである。この場合、
マスク材料として光のエネルギーにより透過率が変化す
る材料を用いるため、これまでの熱を利用したものに比
べて安定的に反応する。また光のエネルギーにより透過
率が変化する現象は、熱による温度上昇が少ないため、
プラスチック基板に対するダメージが少なく、読み出し
回数の制限がないという特徴を有する。
これまで読み出し光の熱(ヒートモード)ではなく、読
み出し光の光エネルギー(フォントモード)によりマス
クを形成することを特徴とするものである。この場合、
マスク材料として光のエネルギーにより透過率が変化す
る材料を用いるため、これまでの熱を利用したものに比
べて安定的に反応する。また光のエネルギーにより透過
率が変化する現象は、熱による温度上昇が少ないため、
プラスチック基板に対するダメージが少なく、読み出し
回数の制限がないという特徴を有する。
【0011】フォトンエネルギーによって可逆的に透過
率が変化する材料としては、フタロシアニンまたはフタ
ロシアニン誘導体を樹脂または無機誘電体に分散させた
もの、およびカルコゲナイドが挙げられる。
率が変化する材料としては、フタロシアニンまたはフタ
ロシアニン誘導体を樹脂または無機誘電体に分散させた
もの、およびカルコゲナイドが挙げられる。
【0012】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の構
造を示す図である。この情報記録媒体は、基板10上に
マスク層11と反射層12とが積層された構造を有す
る。
する。図1は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の構
造を示す図である。この情報記録媒体は、基板10上に
マスク層11と反射層12とが積層された構造を有す
る。
【0013】基板10はガラスやプラスチック材料(例
えばポリメチルメタクリレート樹脂やポリカーボネート
樹脂等)からなり、この基板上には読み出し光の波長の
1/4λからなる深さの位相ピット10aが形成されて
いる。
えばポリメチルメタクリレート樹脂やポリカーボネート
樹脂等)からなり、この基板上には読み出し光の波長の
1/4λからなる深さの位相ピット10aが形成されて
いる。
【0014】反射層12はAl,Auまたはこれらを母
材としTi,Mo,Zr,Crなどを含む合金からな
る。反射層12は光学的な反射の目的のため積層され
る。その膜厚は100nm以上が望ましい。反射層12
は、蒸着、スパッタリングなどの真空堆積法やスピンコ
ート法などにより形成することができる。
材としTi,Mo,Zr,Crなどを含む合金からな
る。反射層12は光学的な反射の目的のため積層され
る。その膜厚は100nm以上が望ましい。反射層12
は、蒸着、スパッタリングなどの真空堆積法やスピンコ
ート法などにより形成することができる。
【0015】マスク層11は光のエネルギーにより透過
率の変化する材料からなる。図2はこのマスク層につい
て、光強度に対する透過率変化を示す。図からわかるよ
うに光強度の増加に対して透過率は非線形に増加する。
マスク層材料としては、光エネルギーにより可逆的に透
過率が変化する材料ならどのような現象を用いるもので
もよい。たとえば、フタロシアニンまたはH2 PCフタ
ロシアニンなどのフタロシアニン誘導体をフェノキシ樹
脂のような有機系高分子樹脂に分散させたものを用いる
と、光のエネルギーにより材料中の電子状態が励起状態
となる。この励起状態と通常の状態(基底状態)では吸
収のスペクトルが変化する。光を切った状態では、励起
状態から基底状態へ電子状態が戻るため吸収スペクトル
も基底状態へもどる。この状態への遷移は励起状態の寿
命により決定される。
率の変化する材料からなる。図2はこのマスク層につい
て、光強度に対する透過率変化を示す。図からわかるよ
うに光強度の増加に対して透過率は非線形に増加する。
マスク層材料としては、光エネルギーにより可逆的に透
過率が変化する材料ならどのような現象を用いるもので
もよい。たとえば、フタロシアニンまたはH2 PCフタ
ロシアニンなどのフタロシアニン誘導体をフェノキシ樹
脂のような有機系高分子樹脂に分散させたものを用いる
と、光のエネルギーにより材料中の電子状態が励起状態
となる。この励起状態と通常の状態(基底状態)では吸
収のスペクトルが変化する。光を切った状態では、励起
状態から基底状態へ電子状態が戻るため吸収スペクトル
も基底状態へもどる。この状態への遷移は励起状態の寿
命により決定される。
【0016】一方このような有機物質樹脂分散系の代わ
りに光により可逆的に構造の変化する無機系材料を用
い、このときの吸収率変化を利用しても同様の効果を得
ることができる。
りに光により可逆的に構造の変化する無機系材料を用
い、このときの吸収率変化を利用しても同様の効果を得
ることができる。
【0017】このような光により可逆的に構造変化する
材料としては、硫化砒素、As2 Se3 、Ge2 Se3
などのカルコゲナイドが挙げられる。たとえば、As57
S43からなるカルコゲナイド合金においては、田中らに
より光照射により透過率が可逆的に変化する現象が報告
されている(応用物理 47巻1号(1978)p.
2)。このような材料を使えば、光照射により構造変化
が起こり、透過率の変化が得られる。
材料としては、硫化砒素、As2 Se3 、Ge2 Se3
などのカルコゲナイドが挙げられる。たとえば、As57
S43からなるカルコゲナイド合金においては、田中らに
より光照射により透過率が可逆的に変化する現象が報告
されている(応用物理 47巻1号(1978)p.
2)。このような材料を使えば、光照射により構造変化
が起こり、透過率の変化が得られる。
【0018】ここで図3中(a)のような光ビームのプ
ロファイルがマスク層を通過した場合のビームプロファ
イルは、(b)のような形状となり、見かけ上ビーム径
が小さくなる。このような特性をもつマイク層と反射層
を位相ピットが形成された基板上に積層した場合、光が
マスク層を通過後のビームプロファイルは図3中(b)
の様になり、この光が反射層12で反射されてマスクさ
れていない部分の位相ピット情報が検出できる。
ロファイルがマスク層を通過した場合のビームプロファ
イルは、(b)のような形状となり、見かけ上ビーム径
が小さくなる。このような特性をもつマイク層と反射層
を位相ピットが形成された基板上に積層した場合、光が
マスク層を通過後のビームプロファイルは図3中(b)
の様になり、この光が反射層12で反射されてマスクさ
れていない部分の位相ピット情報が検出できる。
【0019】このマスク層11は、蒸着、スパッタリン
グなどの真空堆積法やスピンコート法などにより形成す
ることができる。以上は、情報記録媒体として位相ピッ
トを有する再生専用光ディスクの例を示したが、本発明
は記録消去が可能な光ディスクにおいても適用可能であ
る。
グなどの真空堆積法やスピンコート法などにより形成す
ることができる。以上は、情報記録媒体として位相ピッ
トを有する再生専用光ディスクの例を示したが、本発明
は記録消去が可能な光ディスクにおいても適用可能であ
る。
【0020】図4は記録消去が可能な光ディスクにおけ
る実施例である。この光ディスクは基板13上にマスク
層14、保護層15、記録層16、保護層15、反射層
17を順次積層した構成を有している。マスク層14と
しては、前述のマスク層11と同様の材料を用いること
ができる。保護層15としてはSiO2 ,ZnS,Al
2 O3 などの無機誘電体またはこれらの混合物が用いら
れる。記録層16としてはGeSbTeなどの相変化記
録材料が用いられる。反射層17としてはAl,Auま
たはこれらを母材としTi,Mo,Zr,Crなどを含
む合金が用いられる。このような記録媒体において、記
録時には、高い強度の光が照射されることにより、マス
ク層の透過率は増加し、記録層を加熱する。このとき記
録層は融点以上に加熱され、その後冷却課程で非晶質化
し記録される。再生時には弱い読み出し光が記録部に照
射され、中心の強度の高い部分のみのマスク層の透過率
が増加し、信号が再生される。消去時には、中間レベル
の光が照射され、記録層全体を融点以下、結晶化温度以
上で加熱することにより、非晶質化した記録部は消去さ
れる。
る実施例である。この光ディスクは基板13上にマスク
層14、保護層15、記録層16、保護層15、反射層
17を順次積層した構成を有している。マスク層14と
しては、前述のマスク層11と同様の材料を用いること
ができる。保護層15としてはSiO2 ,ZnS,Al
2 O3 などの無機誘電体またはこれらの混合物が用いら
れる。記録層16としてはGeSbTeなどの相変化記
録材料が用いられる。反射層17としてはAl,Auま
たはこれらを母材としTi,Mo,Zr,Crなどを含
む合金が用いられる。このような記録媒体において、記
録時には、高い強度の光が照射されることにより、マス
ク層の透過率は増加し、記録層を加熱する。このとき記
録層は融点以上に加熱され、その後冷却課程で非晶質化
し記録される。再生時には弱い読み出し光が記録部に照
射され、中心の強度の高い部分のみのマスク層の透過率
が増加し、信号が再生される。消去時には、中間レベル
の光が照射され、記録層全体を融点以下、結晶化温度以
上で加熱することにより、非晶質化した記録部は消去さ
れる。
【0021】次にこのように構成された情報記録媒体を
用いて情報を再生する場合について説明する。ここで使
用する媒体としては、直径130mm、厚さ1.2mm
の基板上に深さ1/4λの位相ピットを長さ0.2μm
から1μmまで変化させたディスクを作成し、このディ
スク上に、フタロシアニン1重量部、ブチラール樹脂1
重量部、イソプロピルアルコール20重量部を分散させ
たものをスピンコート法により、厚さ5000オングス
トローム(以下Aと記す)になるように塗布した。乾燥
後、反射層としてAlを2000A真空蒸着法により積
層した。
用いて情報を再生する場合について説明する。ここで使
用する媒体としては、直径130mm、厚さ1.2mm
の基板上に深さ1/4λの位相ピットを長さ0.2μm
から1μmまで変化させたディスクを作成し、このディ
スク上に、フタロシアニン1重量部、ブチラール樹脂1
重量部、イソプロピルアルコール20重量部を分散させ
たものをスピンコート法により、厚さ5000オングス
トローム(以下Aと記す)になるように塗布した。乾燥
後、反射層としてAlを2000A真空蒸着法により積
層した。
【0022】図5は、本発明の情報記録媒体を用いて情
報の記録・再生を行うための装置を示す説明図である。
光ディスク21は、モータ22により一定の速度で回転
する。このモータ22は、モータ制御回路38によって
制御されている。光ディスク21に対する情報の記録・
再生は、光学ヘッド23によって行われる。この光学ヘ
ッド23は、リニアモータ51の可動部を構成する駆動
コイル33に固定されており、この駆動コイル33はリ
ニアモータ制御回路37に接続されている。また、リニ
アモータ51の固定部には、図示しない永久磁石が設け
られており、駆動コイル33がリニアモータ制御回路3
7によって励磁されることにより、光学ヘッド23は光
ディスク21の半径方向にほぼ等速で移動するようにな
っている。
報の記録・再生を行うための装置を示す説明図である。
光ディスク21は、モータ22により一定の速度で回転
する。このモータ22は、モータ制御回路38によって
制御されている。光ディスク21に対する情報の記録・
再生は、光学ヘッド23によって行われる。この光学ヘ
ッド23は、リニアモータ51の可動部を構成する駆動
コイル33に固定されており、この駆動コイル33はリ
ニアモータ制御回路37に接続されている。また、リニ
アモータ51の固定部には、図示しない永久磁石が設け
られており、駆動コイル33がリニアモータ制御回路3
7によって励磁されることにより、光学ヘッド23は光
ディスク21の半径方向にほぼ等速で移動するようにな
っている。
【0023】上記光学ヘッド23には、対物レンズ26
が図示しないワイヤあるいは板ばねによって保持されて
おり、この対物レンズ26は、駆動コイル25によって
フォーカシング方向(レンズの光軸方向)に移動し、駆
動コイル24によってトラッキング方向(レンズの光軸
と直交方向)に移動可能となっている。
が図示しないワイヤあるいは板ばねによって保持されて
おり、この対物レンズ26は、駆動コイル25によって
フォーカシング方向(レンズの光軸方向)に移動し、駆
動コイル24によってトラッキング方向(レンズの光軸
と直交方向)に移動可能となっている。
【0024】レーザ制御回路34によって駆動するレー
ザダイオード(半導体レーザ発振器)29より発生した
レーザ光は、コリメータレンズ31a、ハーフプリズム
31b、対物レンズ26を介して光ディスク21上に照
射され、この光ディスク21からの反射光は、対物レン
ズ26、ハーフプリズム31b、集光レンズ30aおよ
びシリンドリカルレンズ30bを介して光検出器28に
導かれる。この光検出器28は、4分割の光検出セル2
8a,28b,28c,28dによって構成されてい
る。
ザダイオード(半導体レーザ発振器)29より発生した
レーザ光は、コリメータレンズ31a、ハーフプリズム
31b、対物レンズ26を介して光ディスク21上に照
射され、この光ディスク21からの反射光は、対物レン
ズ26、ハーフプリズム31b、集光レンズ30aおよ
びシリンドリカルレンズ30bを介して光検出器28に
導かれる。この光検出器28は、4分割の光検出セル2
8a,28b,28c,28dによって構成されてい
る。
【0025】光検出器28の光検出セル28aの出力信
号は、増幅器32aを介して加算器50a,50cの一
端に供給され、光検出セル28bの出力信号は、増幅器
32bを介して加算器50b,50dの一端に供給さ
れ、光検出セル28cの出力信号は、増幅器32cを介
して加算器50b,50cの他端に供給され、光検出セ
ル28dの出力信号は、増幅器32dを介して加算器5
0a,50dの他端に供給されるようになっている。こ
の加算器50aの出力信号は、差動増幅器OP1の反転
入力端に供給され、この差動増幅器OP1の非反転入力
端には加算器50bの出力信号が供給される。これによ
り、差動増幅器OP1は、加算器50a,50bの差に
応じてトラック差信号をトラッキング制御回路36に供
給するようになっている。このトラッキング制御回路3
6は、差動増幅器OP1から供給されるトラック差信号
に応じてトラック駆動信号を作成するものである。
号は、増幅器32aを介して加算器50a,50cの一
端に供給され、光検出セル28bの出力信号は、増幅器
32bを介して加算器50b,50dの一端に供給さ
れ、光検出セル28cの出力信号は、増幅器32cを介
して加算器50b,50cの他端に供給され、光検出セ
ル28dの出力信号は、増幅器32dを介して加算器5
0a,50dの他端に供給されるようになっている。こ
の加算器50aの出力信号は、差動増幅器OP1の反転
入力端に供給され、この差動増幅器OP1の非反転入力
端には加算器50bの出力信号が供給される。これによ
り、差動増幅器OP1は、加算器50a,50bの差に
応じてトラック差信号をトラッキング制御回路36に供
給するようになっている。このトラッキング制御回路3
6は、差動増幅器OP1から供給されるトラック差信号
に応じてトラック駆動信号を作成するものである。
【0026】トラッキング制御回路36から出力される
トラック駆動信号は、トラッキング方向の駆動コイル2
4に供給される。また、トラッキング制御回路36で用
いられたトラック差信号は、リニアモータ制御回路37
に供給されるようになっている。リニアモータ制御回路
37は、トラッキング制御回路36からのトラック差信
号やCPU43からの移動制御信号に応じて後述するリ
ニアモータ51内の駆動コイル(導線)33に移動速度
に対応した電圧を印加するものである。
トラック駆動信号は、トラッキング方向の駆動コイル2
4に供給される。また、トラッキング制御回路36で用
いられたトラック差信号は、リニアモータ制御回路37
に供給されるようになっている。リニアモータ制御回路
37は、トラッキング制御回路36からのトラック差信
号やCPU43からの移動制御信号に応じて後述するリ
ニアモータ51内の駆動コイル(導線)33に移動速度
に対応した電圧を印加するものである。
【0027】リニアモータ制御回路37には、リニアモ
ータ51内の駆動コイル33が磁気部材(図示しない)
から発生する磁束を横切る瞬間に生じる駆動コイル33
の内部の電気的変化を利用して、駆動コイル33と磁気
部材との相対速度、すなわちリニアモータ51の移動速
度を検知する速度検知回路(図示しない)が設けられて
いる。
ータ51内の駆動コイル33が磁気部材(図示しない)
から発生する磁束を横切る瞬間に生じる駆動コイル33
の内部の電気的変化を利用して、駆動コイル33と磁気
部材との相対速度、すなわちリニアモータ51の移動速
度を検知する速度検知回路(図示しない)が設けられて
いる。
【0028】一方、上記加算器50cの出力信号は、差
動増幅器OP2の反転入力端に供給され、この差動増幅
器OP2の非反転入力端には加算器50dの出力信号が
供給される。これにより、差動増幅器OP2は、加算器
50c,50dの出力の差に応じてフォーカス点に関す
る信号をフォーカシング制御回路35に供給するように
なっている。このフォーカシング制御回路35の出力信
号は、フォーカシング駆動コイル25に供給され、レー
ザ光が光ディスク21上で常時ジャストフォーカスとな
るように制御される。
動増幅器OP2の反転入力端に供給され、この差動増幅
器OP2の非反転入力端には加算器50dの出力信号が
供給される。これにより、差動増幅器OP2は、加算器
50c,50dの出力の差に応じてフォーカス点に関す
る信号をフォーカシング制御回路35に供給するように
なっている。このフォーカシング制御回路35の出力信
号は、フォーカシング駆動コイル25に供給され、レー
ザ光が光ディスク21上で常時ジャストフォーカスとな
るように制御される。
【0029】上記のようにフォーカシング、トラッキン
グを行った状態での光検出器28の各光検出セル28a
〜28dの出力の和信号、すなわち加算器50a,50
bからの出力信号には、トラック上に形成されたビット
(記録情報)からの反射率の変化が反映されている。こ
の信号は、信号処理回路39に供給され、この信号処理
回路39において記録情報、アドレス情報(トラック番
号、セクタ番号等)が再生される。
グを行った状態での光検出器28の各光検出セル28a
〜28dの出力の和信号、すなわち加算器50a,50
bからの出力信号には、トラック上に形成されたビット
(記録情報)からの反射率の変化が反映されている。こ
の信号は、信号処理回路39に供給され、この信号処理
回路39において記録情報、アドレス情報(トラック番
号、セクタ番号等)が再生される。
【0030】また、レーザダイオード29のレーザ発光
出力は、フォトダイオード52でモニタされ、電気信号
に変換されてレーザ制御回路34にフィードバックされ
て、レーザダイオード29のレーザ発光出力の安定化が
行われる。このレーザ制御回路34には、マイクロプロ
セッサ等で構成される記録データ信号制御回路53から
レーザ発光オンオフ信号と記録データ信号が入力され
る。レーザ制御回路34から出力される駆動電流には、
高周波電流発生回路54からカップリングコンデンサ5
5を通して後述する高周波電源が重畳される。
出力は、フォトダイオード52でモニタされ、電気信号
に変換されてレーザ制御回路34にフィードバックされ
て、レーザダイオード29のレーザ発光出力の安定化が
行われる。このレーザ制御回路34には、マイクロプロ
セッサ等で構成される記録データ信号制御回路53から
レーザ発光オンオフ信号と記録データ信号が入力され
る。レーザ制御回路34から出力される駆動電流には、
高周波電流発生回路54からカップリングコンデンサ5
5を通して後述する高周波電源が重畳される。
【0031】また、この装置においては、それぞれフォ
ーカシング制御回路35、トラッキング制御回路36、
リニアモータ制御回路37、およびCPU43の間で情
報の授受を行うために用いられるD/A変換器42が設
けられている。トラッキング制御回路36は、CPU4
3からD/A変換器42を介して供給されるトラックジ
ャンプ信号に応じて対物レンズ26を移動させ、1トラ
ック分だけビーム光を移動させるようになっている。レ
ーザ制御回路34、フォーカシング制御回路35、トラ
ッキング制御回路36、リニアモータ制御回路37、モ
ータ制御回路38、信号処理回路39、記録データ信号
制御回路53、高周波電流発生回路54等は、バスライ
ン40を介してCPU43によって制御されるようにな
っており、このCPU43はメモリ44に記憶されたプ
ログラムによって所定の動作を行うようになっている。
ーカシング制御回路35、トラッキング制御回路36、
リニアモータ制御回路37、およびCPU43の間で情
報の授受を行うために用いられるD/A変換器42が設
けられている。トラッキング制御回路36は、CPU4
3からD/A変換器42を介して供給されるトラックジ
ャンプ信号に応じて対物レンズ26を移動させ、1トラ
ック分だけビーム光を移動させるようになっている。レ
ーザ制御回路34、フォーカシング制御回路35、トラ
ッキング制御回路36、リニアモータ制御回路37、モ
ータ制御回路38、信号処理回路39、記録データ信号
制御回路53、高周波電流発生回路54等は、バスライ
ン40を介してCPU43によって制御されるようにな
っており、このCPU43はメモリ44に記憶されたプ
ログラムによって所定の動作を行うようになっている。
【0032】この装置を用いて、上述のように作成され
たディスク上の長さ0.2μmから1μmまでの位相ピ
ットを再生した。図6は、このときの再生C/Nをピッ
ト長さに対してプロットしたものである。(a)はマス
ク層を有する場合の再生特性であり、(b)はマスク層
なしの状態で反射層のみ積層した場合の再生特性であ
る。図からわかるように、マスク層を有する場合、マス
ク層のない場合に比べて小さいピット長においても高い
再生C/Nが得られていることがわかる。
たディスク上の長さ0.2μmから1μmまでの位相ピ
ットを再生した。図6は、このときの再生C/Nをピッ
ト長さに対してプロットしたものである。(a)はマス
ク層を有する場合の再生特性であり、(b)はマスク層
なしの状態で反射層のみ積層した場合の再生特性であ
る。図からわかるように、マスク層を有する場合、マス
ク層のない場合に比べて小さいピット長においても高い
再生C/Nが得られていることがわかる。
【0033】次に記録消去が可能な光ディスクにおいて
評価を行った。直径130mm、厚さ1.2mmの溝付
き基板上にマスク層As50S50 2000A、保護層S
iO2 1500A、記録層GeSbTe 300A、
保護層SiO2 400A、反射層Al 1000Aを
それぞれ積層し上記の装置を用いて回転数を1800R
PMとし、記録パワー15mWでピットの長さが0.2
μmから1μmの記録マークを記録した。図7は、この
ときの再生C/Nをピット長さに対してプロットしたも
のである。(a)はマスク層を有する場合の再生特性で
あり、(b)はマスク層なしの状態で4層構成とした場
合の再生特性である。記録可能な媒体においてもマスク
層のない場合に比べて小さいピットにおいて高い再生C
/Nが得られていることがわかった。この後消去パワー
6mWでこのデータを消去したところ、消去率は25d
Bであった。
評価を行った。直径130mm、厚さ1.2mmの溝付
き基板上にマスク層As50S50 2000A、保護層S
iO2 1500A、記録層GeSbTe 300A、
保護層SiO2 400A、反射層Al 1000Aを
それぞれ積層し上記の装置を用いて回転数を1800R
PMとし、記録パワー15mWでピットの長さが0.2
μmから1μmの記録マークを記録した。図7は、この
ときの再生C/Nをピット長さに対してプロットしたも
のである。(a)はマスク層を有する場合の再生特性で
あり、(b)はマスク層なしの状態で4層構成とした場
合の再生特性である。記録可能な媒体においてもマスク
層のない場合に比べて小さいピットにおいて高い再生C
/Nが得られていることがわかった。この後消去パワー
6mWでこのデータを消去したところ、消去率は25d
Bであった。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フォトンエネルギーによって可逆的に透過率が変化して
該ビーム径を絞るマスク層の存在により、設計に困難性
を伴わず、しかも情報読み出しの際の温度上昇による読
み出し回数の制限なく高密度に記録された情報を読み出
すことができる情報記録媒体が提供される。
フォトンエネルギーによって可逆的に透過率が変化して
該ビーム径を絞るマスク層の存在により、設計に困難性
を伴わず、しかも情報読み出しの際の温度上昇による読
み出し回数の制限なく高密度に記録された情報を読み出
すことができる情報記録媒体が提供される。
【図1】本発明の一実施例に係る情報記録媒体を示す断
面図。
面図。
【図2】マスク層の光強度に対する透過率のグラフ。
【図3】マスク層入射前および入射後の光ビームプロフ
ァイルを示す図。
ァイルを示す図。
【図4】本発明の他のの実施例に係る情報記録媒体を示
す断面図。
す断面図。
【図5】本発明の情報記録媒体の記録・消去を行うため
の装置を示す図。
の装置を示す図。
【図6】本発明の実施例のピット長に対する再生C/N
を示す図。
を示す図。
【図7】本発明の実施例のピット長に対する再生C/N
を示す図。
を示す図。
【図8】従来例のピット長に対する再生C/Nを示す
図。
図。
【図9】従来の情報記録媒体を示す断面図。
【図10】図9の情報記録媒体の読み出し方法の模式
図。
図。
10,13…透明基板、11,14…マスク層、12,
17…反射層、15…保護層、16…記録層、21…光
ディスク、22…モータ、23…光学ヘッド、26…対
物レンズ、24,25,33…駆動コイル、28…光検
出器、28a,28b,28c,28d…光検出セル、
29…レーザダイオード、30a…集光レンズ、30b
…シリンドリカルレンズ、31a…コリメータレンズ、
31b…ハーフプリズム、32a,32b,32c,3
2d…増幅器、34…レーザ制御回路、35…フォーカ
シング制御回路、36…トラッキング制御回路、37…
リニアモータ制御回路、39…信号処理回路、40…バ
スライン、42…D/A変換器、43…CPU、44…
メモリ、50a,50b,50c,50d…加算器、5
1…リニアモータ、52…フォトダイオード、53…記
録データ信号制御回路、54…高周波電流発生回路、5
5…カップリングコンデンサ。
17…反射層、15…保護層、16…記録層、21…光
ディスク、22…モータ、23…光学ヘッド、26…対
物レンズ、24,25,33…駆動コイル、28…光検
出器、28a,28b,28c,28d…光検出セル、
29…レーザダイオード、30a…集光レンズ、30b
…シリンドリカルレンズ、31a…コリメータレンズ、
31b…ハーフプリズム、32a,32b,32c,3
2d…増幅器、34…レーザ制御回路、35…フォーカ
シング制御回路、36…トラッキング制御回路、37…
リニアモータ制御回路、39…信号処理回路、40…バ
スライン、42…D/A変換器、43…CPU、44…
メモリ、50a,50b,50c,50d…加算器、5
1…リニアモータ、52…フォトダイオード、53…記
録データ信号制御回路、54…高周波電流発生回路、5
5…カップリングコンデンサ。
Claims (6)
- 【請求項1】 基板と、その上に設けられ、照射される
光ビームの強度の増加に対し光透過率が非線形に増加す
るマスク層と、このマスク上に設けられ前記マスク層を
透過した光ビームにより情報が記録される記録層とを有
することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項2】 基板と、その上に設けられ、読み出し用
の光ビームが照射されることによりそのフォトンエネル
ギーによって可逆的に透過率が変化して該ビーム径を絞
るマスク層と、このマスク層上に設けられ、情報が記録
される記録層とを有することを特徴とする情報記録媒
体。 - 【請求項3】 基板と、その上に設けられ、読み出し用
の光ビームが照射されることによりそのフォトンエネル
ギーによって可逆的に透過率が変化して該ビーム径を絞
るマスク層と、反射層とを有することを特徴とする情報
記録媒体。 - 【請求項4】 さらに、記録層を挟むように設けられた
一対の保護層と、反射層とを有することを特徴とする請
求項2に記載の情報記録媒体。 - 【請求項5】 前記マスク層がフタロシアニンまたはフ
タロシアニン誘導体を樹脂または無機誘電体に分散させ
たものであることを特徴とする請求項1ないし請求項4
のいずれか1項に記載の情報記録媒体。 - 【請求項6】 前記マスク層がカルコゲナイドからなる
ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1
項に記載の情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6226539A JPH0896412A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6226539A JPH0896412A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0896412A true JPH0896412A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16846737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6226539A Pending JPH0896412A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0896412A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5985401A (en) * | 1997-06-09 | 1999-11-16 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording medium |
| US6430128B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-08-06 | Tdk Corporation | Method for reading optical information medium and optical information medium |
| US6667946B1 (en) * | 1998-06-29 | 2003-12-23 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording medium |
| US6965556B1 (en) | 1999-07-02 | 2005-11-15 | Tdk Corporation | Optical information medium having high resolution beyond a diffraction limit and reading method |
| US7016290B2 (en) | 2001-10-15 | 2006-03-21 | Tdk Corporation | Readout method and apparatus for optical information medium |
| KR100571984B1 (ko) * | 1999-05-17 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 기록밀도가 향상되는 광기록매체 및 이를 이용하는 광기록/재생장치 |
| US7163729B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-01-16 | Hitachi, Ltd. | Nonlinear optical thin film, optical recording medium using nonlinear optical film and optical switch |
| US7245577B2 (en) | 2002-10-30 | 2007-07-17 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording apparatus and optical information recording medium |
| KR100822224B1 (ko) * | 2000-06-29 | 2008-04-16 | 소니 가부시끼 가이샤 | 기록 매체, 기록 재생 방법, 및 기록 재생 장치 |
| US7397755B2 (en) * | 2002-03-05 | 2008-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
| US7436755B2 (en) | 2002-11-18 | 2008-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording and reproduction methods using the same, optical information recording device, and optical information reproduction device |
| US7496019B2 (en) | 2001-04-20 | 2009-02-24 | Tdk Corporation | Information readout method for non mask layer type optical information medium |
| EP2040255A3 (en) * | 2007-09-20 | 2009-05-06 | Hitachi Ltd. | Optical information reproducing method, optical information reproducing device, and optical information recording medium |
| US7556912B2 (en) | 2003-06-06 | 2009-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducting method using the same, and optical information processing device |
| US7682678B2 (en) | 2003-06-06 | 2010-03-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording and readout methods using the same, optical information recording device, and optical information readout device |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP6226539A patent/JPH0896412A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6440517B1 (en) | 1997-06-09 | 2002-08-27 | Hitachi, Ltd. | Glass material |
| US6177169B1 (en) | 1997-06-09 | 2001-01-23 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording medium |
| US5985401A (en) * | 1997-06-09 | 1999-11-16 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording medium |
| US7169334B2 (en) | 1998-06-29 | 2007-01-30 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording medium |
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| KR100571984B1 (ko) * | 1999-05-17 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 기록밀도가 향상되는 광기록매체 및 이를 이용하는 광기록/재생장치 |
| US6965556B1 (en) | 1999-07-02 | 2005-11-15 | Tdk Corporation | Optical information medium having high resolution beyond a diffraction limit and reading method |
| US7701838B2 (en) | 1999-07-02 | 2010-04-20 | Tdk Corporation | Optical information medium including an information bearing surface and a functional layer, and reading method |
| US6430128B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-08-06 | Tdk Corporation | Method for reading optical information medium and optical information medium |
| KR100822224B1 (ko) * | 2000-06-29 | 2008-04-16 | 소니 가부시끼 가이샤 | 기록 매체, 기록 재생 방법, 및 기록 재생 장치 |
| US7859968B2 (en) | 2001-04-20 | 2010-12-28 | Tdk Corporation | Information readout method for non mask layer type optical information medium |
| US7496019B2 (en) | 2001-04-20 | 2009-02-24 | Tdk Corporation | Information readout method for non mask layer type optical information medium |
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| US7163729B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-01-16 | Hitachi, Ltd. | Nonlinear optical thin film, optical recording medium using nonlinear optical film and optical switch |
| US7397755B2 (en) * | 2002-03-05 | 2008-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium |
| US7245577B2 (en) | 2002-10-30 | 2007-07-17 | Hitachi, Ltd. | Optical information recording apparatus and optical information recording medium |
| US7436755B2 (en) | 2002-11-18 | 2008-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording and reproduction methods using the same, optical information recording device, and optical information reproduction device |
| US7556912B2 (en) | 2003-06-06 | 2009-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducting method using the same, and optical information processing device |
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| EP2040255A3 (en) * | 2007-09-20 | 2009-05-06 | Hitachi Ltd. | Optical information reproducing method, optical information reproducing device, and optical information recording medium |
| US7933179B2 (en) | 2007-09-20 | 2011-04-26 | Hitachi, Ltd. | Optical information reproducing method, optical information reproducing device, and optical information recording medium |
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