JPH089694Y2

JPH089694Y2 - ズームレンズの倍率検出装置

Info

Publication number: JPH089694Y2
Application number: JP12000589U
Authority: JP
Inventors: 徹阪口; 友也北島
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1989-10-14
Filing date: 1989-10-14
Publication date: 1996-03-21
Anticipated expiration: 2004-10-14
Also published as: JPH0358610U

Description

【考案の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本考案は、例えば通常型のカメラやビデオカメラ等の
ズームレンズ利用機器に用いられるズームレンズの倍率
検出装置の改良に関するものである。

〔従来の技術〕

一般に、ズームレンズの倍率検出装置（以下、単に
「倍率検出装置」とも略称する）に要望される性能とし
ては、その基本的な要求条件として、（ａ）繰返し検出の際に良好な精度維持が必要であると
ころから、絶対位置検出系或いは基準位置からの相対的
位置検出系であること。

（ｂ）全領域または必要な位置において、良好な検出精
度を達成し得ること。

の２つの条件があり、また、望ましい形での要求条件と
しては、（ｃ）装置の構成が出来る限り簡単で、その製作が容易
であること。

（ｄ）組立時における装置の調整が容易であるか、或い
は、調整そのものが不要であること。

（ｅ）コスト的に有利であること。

等の条件を挙げることができる。

しかしながら、現在までに提案されているズームレン
ズの倍率検出装置では、次に述べるいずれの方式を採る
装置でも、これらの条件、特に基本的な要求条件を満た
しているものは、見当たらないというのが現状である。

既に提案されているズームレンズの倍率検出装置とし
て、下記〜については、特開昭58−143307号に記載
があり、また、下記，については、特開昭59−1073
10号公報に記載がある。

すなわち、反射率が可変のパターンまたはコードを光学的に検知
する方式を使用した倍率検出装置。

歯車の歯の移動数を光学的に検出する方式を用いた倍
率検出装置。

カムによって光量が変化するようにし、その光量変化
を検出する方式を用いた倍率検出装置。

凹凸形状のパターンを利用してスイッチをオン・オフ
させる方式を用いた倍率検出装置。

抵抗板を利用する方式を用いた倍率検出装置。

フォト・リフレクタを利用する方式の倍率検出装置などが知られているが、それぞれに問題点を有してい
て、前述の諸条件を満たしているとは言えない状態にあ
る。

〔考案が解決しようとする課題〕

例えば、項の反射率検出方式を使用する倍率検出装
置では、絶対位置の検出は可能であるが、その反面、反
射率で全検出領域をカバーする方式であるため、広いレ
ンジを有する装置の場合には、センサー出力の増幅およ
び調整が必要となり、さらに、ズーム位置とセンサー検
出値との誤差の調整も必要になるなど、複雑な調整を多
々行う必要があるという問題点を内包している。

また、上記項の歯車を利用した光学検出方式を用い
る倍率検出装置では、絶対位置検出系でないため、ズー
ムレンズが一方向にスムースに移動するケースでは問題
がないとしても、移動方向を反転させたり、或いは、作
動中に電気的なノイズが入ったりしてパルスカウントが
狂った場合には、これらがそのまま検出誤差に直結して
しまうという問題点がある。

また、上記項の光量変化を利用する方式を用いる倍
率検出装置では、その基本的な作動方式が、前述した反
射率方式における反射率を光量変化に置き換えただけの
作動方式となるため、反射率方式の場合と同様に、複雑
な調整を多々行う必要があるという問題点を生じる。

一方、上記項の凹凸形式のパターンを利用してスイ
ッチをオン・オフさせる方式を用いる倍率検出装置で
は、絶対位置検出系の装置であるが、検出レンジを大き
くし、且つ、パターンの分解能を上げて行くと、その分
だけスイッチの設定数およびスイッチに付属する回路が
増加することになり、装置そのものが複雑且つ高価なも
のになるという問題点を生じる。

なお、この凹凸形状のパターンを利用する方式の倍率
検出装置と、後述するフォト・リフレクタを利用する方
式の倍率検出装置とは、元々が、少なくとも３個（３ビ
ット分）以上のスイッチ、または、フォト・リフレクタ
を必要とする高価なシステムである。

さらに、上記項の抵抗板を利用する方式を用いる倍
率検出装置も、絶対位置検出系の装置であるが、装置と
しての精度が抵抗板の製作精度に依存することになるた
め、抵抗値のリニアリテイ（直線性）が厳しく要求され
る。その結果、抵抗板の製造コストの如何では、装置が
高価なものになるという問題点を生じる。

また、上記項のフォト・リフレクタを利用する方式
の倍率検出装置では、その基本的な作動方式が、前述の
凹凸形状のパターンを利用する方式の場合と同様になる
ため、検出レンジを大きくし且つパターンの分解能を上
げて行くと、その分だけフォト・リフレクタの設置数と
その付属回路が増加して、装置が複雑且つ高価なものに
なるという問題点を生じることになる。

しかし、このズームレンズの倍率検出装置は、単に通
常型のカメラやビデオカメラに使用されるのみならず、
ズームレンズを利用する機器全般に広く用いられるもの
であるだけに、前述の基本的な要件条件は基より、望ま
しい形での要求条件をも充分に満足し得る構成の、ズー
ムレンズの倍率検出装置の出現が待たれていた。

本考案は、上述の事情に鑑みてなされたもので、精度
の高くない摺動抵抗体を用いながら、精度の高い位置検
出制御および位置決め制御を可能ならしめた製造容易な
ズームレンズの倍率検出装置を提供することを目的とし
た。

〔課題を解決するための手段〕

この目的を達成させるために、本考案は、ズームレン
ズの倍率変更のために往復的に運動する倍率変更部材
と、この倍率変更部材に設けられ一体的に往復変位する
摺動子と、この摺動子と接触し且つ前記摺動子の変位量
に応じてその抵抗出力値が変化する摺動抵抗体と、所定
の絶縁間隔を隔てて並設された複数個の導電性小片を有
し、前記摺動子が導電性小片に接触しているときの出力
信号の性格と、摺動子が絶縁間隔に接触しているときの
出力信号の性格とが異なるオン−オフ信号を発生するオ
ン−オフ・パターンと、このオン−オフ・パターンの各
導電性小片の形成位置に対応する摺動抵抗体上の位置に
おける抵抗出力基準値を予め設定しておく手段と、前記
摺動子がオン−オフ・パターンの導電性小片群と摺動抵
抗体とに同時に接触したときに、その接触位置に対応し
た導電性小片の出力信号により、接触時の摺動抵抗体の
抵抗出力値を前記抵抗出力基準値に設定する設定手段と
を有することを特徴としたものである。

〔作用〕

上記のように構成されたズームレンズの倍率検出装置
は、ズームレンズ筒の移動に連動して変位する摺動子
と、摺動子の変位に伴って抵抗出力値を変化させる摺動
抵抗体と、例えばズームレンズ筒のWIDE端位置、TELE端
位置、収納位置、マクロ位置および使用頻度の高い移動
位置（特定の焦点距離位置）等を表す複数の特定ポイン
ト位置に、それぞれ設けられた複数の導電性小片から成
るオン−オフ・パターンとを設けると共に、複数の特定
ポイント位置に対応した摺動抵抗体の位置で発生すべき
性格な抵抗出力基準値を予め設定して置き、それぞれの
導電性小片と摺動子との接触時に発生する接触信号に基
づいて、複数の特定ポイント位置に対応した摺動抵抗体
の位置で実際に発生する抵抗出力値を、この抵抗出力基
準値に更生するようになしたことにある。

〔実施例〕

以下、図示の実施例に基づいて本考案のズームレンズ
の倍率検出装置を詳細に説明する。

第１図は、本考案に係るズームレンズの倍率検出装置
に適用するズーム・システムの一例を示すシステム構成
図、第２図は、第１図に示すズーム・システムを用いた
ズームレンズの倍率検出装置の概略の一構成例を示す斜
視図である。

両図において、本考案の第１実施例であるズームレン
ズの倍率検出装置１は、ズームレンズ光軸Ｏに沿って第
２図上を矢印方向に直進的に往復動するズームレンズ筒
10と、ズーム検出板20と、駆動制御回路30とから構成さ
れている。

この場合、ズームレンズ筒10は、通常は後述するDCモ
ータ36の駆動力によって、ズーム範囲を定めるWIDE端位
置とTELE端位置との間を往復動するが、ズームレンズの
不使用時には、WIDE端位置を超えて設定された例えばカ
メラボデー（図示せず）内の収納位置まで移動し得るよ
うに構成されている。

そして、ズームレンズ筒10の適当な側方位置には、ズ
ーム光軸Ｏと直交する方向に突出する摺動子11が設けら
れている。

ズーム検出板20には、いずれもズーム光軸Ｏに対して
平行に配置された摺動抵抗体21、導電パターン22、スイ
ッチパターン23から成る３列の位置検出用電気部材が配
設されている。

そして、これらの位置検出用電気部材21〜23とズーム
レンズ筒10側の摺動子11とは、ズームレンズ筒10の往復
移動に際して、摺動子11が各々の位置検出用電気部材21
〜23上を圧接的に摺動して、それぞれのズーム位置（倍
率位置）にて目的の電気部材と電気的に接続し得るよう
に構成されている。

この場合、第３図に示すように、細長い形状の摺動抵
抗体21は、ズーム検出板20の中央位置に形成され、摺動
子11の接触位置の如何でその抵抗出力値（図示例では分
圧電圧）が変化するように構成され、また、この摺動抵
抗体21とほぼ同じ長さを有する導電パターン22は、ズー
ムレンズ筒10側から見て最も内側に位置する個所に形成
され、どの位置においても常に同電位で摺動子11と接触
するように構成されている。

また、最も外側に位置するスイッチパターン23は、所
定幅の絶縁間隔を隔てて並列的に形成された例えば６個
の導電性小片23a〜23fから成るON−OFFパターンと、こ
のON−OFFパターンの６個の導電性小片23a〜23fに所定
幅の絶縁間隔を隔てて連続する形で設けられた１個の制
限用抵抗23gとから構成されている。

このON−OFFパターンの６個の導電性小片23a〜23f
は、摺動抵抗体21の左端からその途中位置までの範囲に
対応する領域に形成され、制限用抵抗23gは、この途中
位置から摺動抵抗体21の右端までの範囲に対応する領域
に形成される。

そして、このON−OFFパターンの６個の導電性小片23a
〜23fは、例えばズーム撮影に際して使用頻度が高いと
考えられる幾つかの倍率（焦点距離）を実現するための
ズームレンズ筒10の移動位置や、前述のWIDE端位置、TE
LE端位置および収納位置またはマクロ位置を実現し得る
ズームレンズ筒10（摺動子11）の移動位置（以下、「特
定ポイント位置」という）を決定するために、それぞれ
の特定ポイント位置に対応した位置に形成される。

しかも、摺動子11がいずれかの導電性小片と接触した
ときには、ズームレンズ筒10が導電性小片と接触してい
ることを示す導通信号（Ｌレベル信号）を、後述の最上
段端子24から出力するようにも構成されている。

なお、この導電性小片23a〜23fの幅および絶縁間隔の
幅は、基本的には任意に設定することができることを付
記する。

制限用抵抗23gは、摺動子11がいずれの導電性小片23a
〜23fにも接触していないときに、言い換えれば、摺動
子11が各導電性小片23a〜23fを隔てる所定幅の絶縁間隔
の位置にあるときに、不導通信号であるＨレベル信号
（≒Vcc）を作り出すための固定抵抗である。

なお、導電性小片23a〜23fおよび絶縁間隔から出力さ
れる信号は、摺動子11が接触しているときの信号の性格
と、摺動子が絶縁間隔に接触しているときの信号の性格
とが異なればよいので、前述のＬレベル信号とＨレベル
信号とを逆に設定してもよい。

24〜27は、ズーム検出板20の一方の端部に設けられた
端子群で、これらの端子群24〜27と位置検出用電気部材
21〜23とは、第４図に示す等価回路図のように接続され
ている。

まず、図において、最上段に位置する端子24は、ON−
OFFパターンの６個の導電性小片23a〜23fの端部と制限
用抵抗23gの一端とに接続していて、第５図に示すよう
に、前述のＬレベル信号とＨレベル信号とを交互に出力
する。

２番目の端子25は、摺抵抗体21の右端と制限用抵抗23
gの他端とに接続し、ここに回路作動電圧Vccが印加され
る。

また、３番目の端子26は、摺動抵抗体21の抵抗値R
₁（ただし、この抵抗値R₁は可変）と抵抗値R₂との分圧
点に接続されていて、 Vx＝（R₁／R₁＋R₂）×Vcc の分圧電圧から成る位置決定電圧を出力する。

この位置決定電圧Vxは、摺動抵抗体21上の摺動子11の
位置によって第５図に示すように変化する。

さらに、最下段の端子27は、導電パターン22の右端に
接続され、グランド電位に設定されている。

なお、この導電パターン22の左端と摺動抵抗体21の左
端とは互いに接続されているため、摺動抵抗体21の左端
はグランド電位となる。

次に、ズーム検出板20に接続される駆動制御回路30の
構成について説明する。

この駆動制御回路30は、基本的には、スイッチパター
ン入力部31、CPU32、抵抗出力A/D入力部33、ズーム演算
制御部34、DCモータ36、DCモータドライバ37、DCモータ
制御部38等の電気素子を有するものとして構成される
が、必要に応じて不揮発性メモリ35を付加的に設けても
よい。

この場合、スイッチパターン入力部31は、ズーム検出
板20の最上段端子24に接続し、ON−OFFパターンの導電
性小片23a〜23fからのＬレベル信号およびＨレベル信号
を、入力ポート32aを介してCPU32のズーム演算制御部34
に導入する。

一方、CPU32は、内部に抵抗出力A/D入力部33、ズーム
演算制御部34、いずれも図示なきRAM、ROM、I/Oインタ
ーフェイスを内蔵し、入力ポート32a、A/D変換入力ポー
ト32bおよびI/Oインターフェイスの出力ポート32cを備
えているが、CPU32内のRAMや演算レジスタを、ズーム演
算制御部34として利用することも可能である。

そして、ROMには、CPU32の制御プログラム、演算アル
ゴリズムがメモリされ、また、前述の各特定ポイント位
置に対応する摺動抵抗体21の位置決定電圧Vxに係る各基
準電圧が予め登録されている。

この基準電圧は、装置設計の段階で決定された各特定
ポイント位置に対する摺動抵抗体21の正確な出力電圧値
である。

不揮発性メモリ35は、例えばE²PROMから構成され、そ
れぞれの特定ポイント位置の基準電圧と特定ポイント位
置に対応する位置で摺動抵抗体21が発生する実際の位置
決定電圧Vxとが異なる場合に、その誤差電圧をメモリす
るためのものである。

このメモリされた誤差電圧は、以後のズームレンズ筒
10の移動の際に、各特定ポイント位置の基準電圧と実際
の位置決定電圧Vxとの調整に使用することができる。

なお、前述の誤差電圧は、ROMを使用しないで、初め
から不揮発性メモリ35にメモリして置くようにしてもよ
い。

一方、DCモータ36は、前記ズームレンズ筒10を往復方
向に駆動するためのモータで、このDCモータ36の代りに
例えばステップモータを使用することもできる。なお、
このDCモータ36は、その回転停止時に電磁ブレーキが作
用するように予め構成されている。

DCモータドライバ37は、例えばパワートランジスタと
ロジックICとを組合せたものから構成され、DCモータ制
御部38からのパルス信号に基いて、DCモータ36を正逆方
向に回転駆動する。

なお、このDCモータ制御部38は、CPU32のI/Oインター
フェイスの出力ポート32cに接続している。

以下、このズームレンズの倍率検出装置１の作用につ
いて説明する。

ズームレンズの使用に当って、２番目の端子25と最下
段の端子27との間に回路作動電圧Vccが印加され、ズー
ムレンズ筒10がDCモータ36の駆動力によって、例えば、
収納位置から或る倍率位置まで移動したとする。

このとき、摺動抵抗体21上の摺動子11の位置に応じた
位置決定電圧Vxが３番目の端子26から出力され、その値
が、A/D変換入力ポート32bを介し、さらにCPU32内の抵
抗出力A/D入力部33を介してズーム演算制御部34に入力
される。

それと同時に、最上段の端子24からは、Ｌレベル信号
およびＨレベル信号のいずれかの信号が出力され、その
値が、スイッチパターン入力部31および入力ポート32a
を介してCPU32内のズーム演算制御部34に入力される。

さて、ズーム演算制御部34では、このようにして入力
された３番目端子26からの位置決定電圧Vxと、最上段端
子24からのＬレベル信号またはＨレベル信号に基づい
て、まず、摺動子11が導電性小片23a〜23f中のどの導電
性小片に接触しているかを判別し、もし、摺動子11がい
ずれかの特定ポイント位置を示す導電性小片に接触して
いた場合には、同時にそのときの摺動抵抗体21の実際の
分圧電圧を基準電圧に更生する。

すなわち、もし、摺動子11が、例えば通常の写真レン
ズにおける標準焦点距離に相当する倍率位置を表す、特
定ポイント位置の導電性小片23cに接触していたと仮定
すると、このときの摺動子11の摺動抵抗体21上の位置に
よって定まる位置決定電圧は、摺動子11が他の導電性小
片と接触しているときの位置決定電圧とは異る値となる
から、この位置決定電圧の差異とこの導電性小片23cか
らのＬレベル信号とによって、摺動子11の接触している
導電性小片（このケースでは、23c）であることを判別
する。

この場合、CPU32内のROMには、それぞれの特定ポイン
ト位置に係る基準電圧が登録されているため、ズーム演
算制御部34では、前述の導電性小片23cの接触判別結果
に基いて、そのときの摺動抵抗体21の実際の分圧電圧を
基準電圧に設定すると共に、実際の位置決定電圧とこの
特定ポイント位置に係る基準電圧との差異（誤差）を演
算して、その演算結果を不揮発性メモリ35にメモリす
る。

なお、接触判別の精度は、導電性小片同士が区別さえ
できればよいので、第５図におけるΔＶの判別が可能で
ある程度の精度で足りる。

このように、各々の特定ポイント位置では、倍率設定
のためのズームレンズ筒10の移動につれて、それぞれの
基準電圧と実際の位置決定電圧との差異が演算され、そ
の演算結果が不揮発性メモリ35にメモリされて行く。

一方、特定ポイント位置と他の特定ポイント位置との
間（導電性小片23a〜23fの間）に対応する摺動抵抗体21
の範囲内では、そこから発生する位置決定電圧Vxに対す
る基準電圧の設定は行われていない。

しかし、不揮発性メモリ35には、各特定ポイント位置
に係る摺動抵抗体21の電圧誤差がメモリされているた
め、或る特定ポイント位置とこれに隣接する特定ポイン
ト位置との範囲内の摺動抵抗体21の位置決定電圧Vxに対
しては、ズーム演算制御部34において、前後の特定ポイ
ント位置に係る前述の電圧誤差を加味して、その誤差分
に見合うように電圧値を補正するようにする。

第６図に示すのは、本考案の第２実施例であるズーム
レンズの倍率検出装置１′で、ズームレンズ筒またはズ
ームレンズ筒駆動部材が回転式（例えばヘリコイド式）
に構成され、ズーム検出板20′が円板式に構成された場
合における実施例である。

図において、ズーム検出板20′は、ズームレンズ光軸
Ｏを中心とした円板状に構成され、その基板上には、い
ずれも環状あるいは扇形状の摺動抵抗体21′、導電パタ
ーン22′、スイッチパターン23′が、ズーム光軸Ｏを中
心として同心的に形成されている。

一方、ズームレンズ筒10′の側周からは、この３本の
電気的部材21′〜23′上をカバーし得る長さの摺動子1
1′が、放射方向に突出する形で設けられており、その
下面には、前記３本の電気的部材21′〜23′にそれぞれ
摺接する３本の導電性ブラシ11a′が設けられている。

そして、その他の構成および回路については、第１実
施例の場合と同様に構成されている。

すなわち、この実施例の場合と第１実施例の場合とで
は、ズームレンズ筒10,10′がズーム光軸Ｏに沿って直
線的に移動するか、また、ズーム光軸Ｏを中心として左
右方向に回動するかの差異があるだけで、装置としての
目的、機能および作用については両者同一に構成されて
いる。

以上説明したように、本考案のズームレンズの倍率検
出装置１・１′では、WIDE端位置、TELE端位置、収納位
置および使用頻度が高いズームレンズ筒10の移動位置な
どで代表される、複数の特定ポイント位置での摺動抵抗
体21・21′の位置決定電圧Vxを、予め設定して置いた基
準電圧に設定することができ、さらには、或る特定ポイ
ント位置と他の特定ポイント位置との中間部分に対応す
る摺動抵抗体21・21′の位置決定電圧Vxも、この基準電
圧に基いて更正することが可能になる。

そのため、このズームレンズの倍率検出装置１・１′
の出力を例えば倍率表示などに利用する場合には、それ
ぞれの特定ポイント位置における位置の検出ないし決定
を高い精度で行うことができ、また、その出力は、ズー
ムレンズ筒10・10′の移動停止または移動先指示のため
に利用する場合には、最上段端子24からＨレベル信号が
出力されたのち、モータ・シャントまでの時間を調整す
る等の手段を用いることによって、その停止位置に係る
位置決め制御を高い精度で実現することができるように
なった。従って、WIDE端位置、TELE端位置、収納位置の
ように、オーバーすると他部材との衝突を心配しなけれ
ばならないケースの位置決め制御の場合も、充分にその
目的を達することができる。しかも、ON−OFFパターン
の各導電性小片23a〜23fの幅を任意に設定し得るため、
摺動子11・11′が各導電性小片23a〜23fにおける接触区
間内にあるか、または、隣接する各導電性小片23a〜23f
間に絶縁間隔の区間内にあるという検出結果を基にし
て、接触区間内にあるとき、或いは、絶縁間隔区間内に
あるときの制御を、例えば緩速制御や、この緩速制御を
パルス駆動で行ったときのデューティ比可変制御など
の、固有の制御方式で実施するように設定した場合に
は、より高い精度での制御を行うことが可能になる。

さらに、いずれの場合でも、位置検出および位置決め
制御の精度は、摺動抵抗体21・21′のリニアリティや変
位量の精度に依存することなく、ON−OFFパターンの導
電性小片23a〜23fの設定間隔の精度で決定し得るため、
例えば、プリント基板上にパターン印刷をするような位
置精度のよい方法でON−OFFパターンを製作するように
すれば、ズームレンズの倍率検出装置１・１′の精度を
著しく高めることができるようになる。

また、ON−OFFパターンの各導電性小片23a〜23fの摺
動抵抗体21・21′に対する位置設定に際しては、位置決
め精度が最も必要な特定ポイント位置の導電性小片に対
して機械的なパターン位置調整（基板の位置調整など）
を行えば、この特定ポイント位置の導電性小片の位置設
定精度は勿論のこと、他の特定ポイント位置の導電性小
片に対する位置設定精度も、パターン印刷の製作精度で
高く設定することができる。

また、摺動抵抗体21・21′の製作に際して、その抵抗
出力値のリニアリティや加工精度を厳しく規定しなくて
もよくなり、製作時の歩留りの向上や、コストの大幅な
低減が可能になる。

また、組立て時において、摺動抵抗体21,21′とON〜O
FFパターンの導電性小片23a〜23fとの位置ズレや、この
両部材に対する摺動子11,11′の検出ズレ等が生じた場
合、または、摺動子11,11′がこの両部材に対して斜め
に接触しているような場合でも、それらの誤差を記憶さ
せることによって最終的に誤差補正を行えるため、その
分だけ両部材の関係位置の設定をラフにすることがで
き、この面からも製造が容易となる。

一方、ズームレンズの倍率検出装置1,1′を実現する
ための手段については、少ない入力回路で構成すること
ができるので、入出力ポートの多少がチップのコストに
直接関係するCPUを使用する装置では、このことが極め
て有利に働くことになる。

以上複数の実施例について説明したが、本考案はこれ
に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲
内で、種々に変形実施することができる。

例えば、図示例では、摺動子をズームレンズ筒に設置
しているが、これを、例えばズームレンズ筒を駆動する
ための部材のように、ズームレンズ筒と連動する部材に
設けるようにしてもよい。

また、図示例では、摺動抵抗体、ON−OFFパターン、
導電パターンの３部材に対して１個の摺動子を使用して
いるが、例えばそれぞれの部材に対して各１個の摺動子
を設けるようにすることも可能である。

また、摺動抵抗体、ON−OFFパターン、導電パターン
の３者は、単一部材として構成しても、或いは、それぞ
れ独立した別部材として構成してもよい。

一方、図示例では、摺動抵抗体の抵抗出力値として、
摺動抵抗体の分圧電圧を用いているが、摺動抵抗体の抵
抗値をそのまま使用するようにしてもよい。

〔考案の効果〕

以上述べた通り本考案によれば、精度の高くない摺動
抵抗体を用いながら、精度の高い位置検出制御および位
置決め制御を可能ならしめた制御容易なズームレンズの
倍率検出装置を実現することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案に係るズームレンズの倍率検出装置に
適用するズーム・システムの一例を示すシステム構成
図、第２図は第１図に示すズーム・システムを用いたズ
ームレンズの倍率検出装置の概略の一構成例を示す斜視
図、第３図は、第２図に示すズームレンズの倍率検出装
置のズーム検出板の構成を模式的に示す平面図、第４図
は、このズーム検出板の電気回路を等価的に示す等価回
路図、第５図は、最上段の端子から出力されるON−OFF
パターンの出力と、３番目の端子から出力される位置決
定電圧Vxの出力とを同一図上で示す出力特性図、第６図
は、ズーム検出板の他の実施例概略構成を示す部分平面
図である。 1,1′……ズームレンズの倍率検出装置、10,10′……ズ
ームレンズ筒、11,11′……摺動子、11a′……導電性ブ
ラシ、20,20′……ズーム検出板、21,21′……摺動抵抗
体、22,22′……導電パターン、23,23′……スイッチパ
ターン、23a〜23f……導電性小片（ON−OFFパター
ン）、23g……制限用抵抗、24〜27……端子群、30……
駆動制御回路、31……スイッチパターン入力部、32……
CPU、32a……入力ポート、32b……A/D変換入力ポート、
32c……I/Oインターフェイスの出力ポート、33……抵抗
出力A/D入力部、34……ズーム演算制御部、35……不揮
発性メモリ、36……DCモータ、37……DCモータドライ
バ、38……DCモータ制御部、Ｏ……ズームレンズ光軸、
Vx……位置決定電圧。

フロントページの続き (56)参考文献特開平１−201613（ＪＰ，Ａ) 特開平１−296207（ＪＰ，Ａ) 特開昭51−58973（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−46479（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−250802（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−6323（ＪＰ，Ａ)

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】ズームレンズの倍率変更のために往復的に
運動する倍率変更部材と、この倍率変更部材に設けられ
一体的に往復変位する摺動子と、この摺動子と接触し且
つ前記摺動子の変位量に応じてその抵抗出力値が変化す
る摺動抵抗体と、所定の絶縁間隔を隔てて並設された複
数個の導電性小片を有し、前記摺動子が導電性小片に接
触しているときの出力信号の性格と、摺動子が絶縁間隔
に接触しているときの出力信号の性格とが異なるオン−
オフ信号を発生するオン−オフ・パターンと、このオン
−オフ・パターンの各導電性小片の形成位置に対応する
摺動抵抗体上の位置における抵抗出力基準値を予め設定
しておく手段と、前記摺動子がオン−オフ・パターンの
導電性小片群と摺動抵抗体とに同時に接触したときに、
その接触位置に対応した導電性小片の出力信号により、
接触時の摺動抵抗体の抵抗出力値を前記抵抗出力基準値
に設定する設定手段とを有することを特徴とするズーム
レンズの倍率検出装置。
【請求項２】抵抗出力基準値を予め設定して置く手段
が、E²PROMから成る不揮発性メモリである請求項１記載
のズームレンズの倍率検出装置。