JPH0897026A - 酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタ - Google Patents
酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタInfo
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- JPH0897026A JPH0897026A JP6258956A JP25895694A JPH0897026A JP H0897026 A JPH0897026 A JP H0897026A JP 6258956 A JP6258956 A JP 6258956A JP 25895694 A JP25895694 A JP 25895694A JP H0897026 A JPH0897026 A JP H0897026A
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- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化物磁性材料と樹脂からなるモールド型イ
ンダクタで多層化処理を行うことなしにインダクタンス
の温度変化及びばらつきの小さいインダクタを提供する
こと。 【構成】 酸化物磁性材料の主成分の組成比が一般式ａ
［Ｎｉ(1-x)・ＣｕX］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＶ2Ｏ5・ｃＦｅ
2Ｏ3で表わされ、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、０.１
≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦３５、３２≦ｃ≦４８、０.１≦
ｄ≦０.５である磁芯用酸化物磁性材料とからなる磁芯
をつくり、この磁芯に絶縁被覆銅線を巻き回して、樹脂
でモールドしたインダクタとする。
ンダクタで多層化処理を行うことなしにインダクタンス
の温度変化及びばらつきの小さいインダクタを提供する
こと。 【構成】 酸化物磁性材料の主成分の組成比が一般式ａ
［Ｎｉ(1-x)・ＣｕX］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＶ2Ｏ5・ｃＦｅ
2Ｏ3で表わされ、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、０.１
≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦３５、３２≦ｃ≦４８、０.１≦
ｄ≦０.５である磁芯用酸化物磁性材料とからなる磁芯
をつくり、この磁芯に絶縁被覆銅線を巻き回して、樹脂
でモールドしたインダクタとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種の電子部品に使用
される酸化物磁性材料、特に、スピネル型フェライト磁
性材料及びそれを使用したインダクタに関するものであ
る。
される酸化物磁性材料、特に、スピネル型フェライト磁
性材料及びそれを使用したインダクタに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の磁芯となる軟磁性材料に
は、金属材料に比べ電気抵抗が高く、周波数特性が優れ
ていることから、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ
系フェライト、及びＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライトで代
表されるようなスピネル型フェライト磁性材料が使用さ
れてきた。これらのスピネル型フェライトは、特に、周
波数による制約がない場合、より高い透磁率を有する材
料が有用とされる。スピネル型フェライトの中でも、特
に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、高い磁束密度と高い透
磁率が得られるために、最も使用に供されてきていると
いえる。しかしながら、この材料は、直流比抵抗ρDCが
約１×１０3Ω・ｃｍと電気抵抗があまり大きくなく、
また、適用周波数帯も５００ｋＨｚ程度が上限である。
は、金属材料に比べ電気抵抗が高く、周波数特性が優れ
ていることから、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ
系フェライト、及びＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライトで代
表されるようなスピネル型フェライト磁性材料が使用さ
れてきた。これらのスピネル型フェライトは、特に、周
波数による制約がない場合、より高い透磁率を有する材
料が有用とされる。スピネル型フェライトの中でも、特
に、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、高い磁束密度と高い透
磁率が得られるために、最も使用に供されてきていると
いえる。しかしながら、この材料は、直流比抵抗ρDCが
約１×１０3Ω・ｃｍと電気抵抗があまり大きくなく、
また、適用周波数帯も５００ｋＨｚ程度が上限である。
【０００３】現在、これらインダクタの使用される領域
では、高周波化、小型化、軽量化が急速に進行し、その
ため、インダクタス素子は、表面実装化が進展してい
る。
では、高周波化、小型化、軽量化が急速に進行し、その
ため、インダクタス素子は、表面実装化が進展してい
る。
【０００４】従って、この種の軟磁性材料は、高能率
化、省力化の要請に対応せざるを得ない状況にある。例
えば、インダクタの製造方法においては、絶縁処理を施
すよりも絶縁性の高い材料が要求される。それは、イン
ダクタの巻線時等において、絶縁皮膜が破損するために
発生するインダクタンスのばらつきを小さく押さえるこ
とができるからである。
化、省力化の要請に対応せざるを得ない状況にある。例
えば、インダクタの製造方法においては、絶縁処理を施
すよりも絶縁性の高い材料が要求される。それは、イン
ダクタの巻線時等において、絶縁皮膜が破損するために
発生するインダクタンスのばらつきを小さく押さえるこ
とができるからである。
【０００５】そこで、スピネル型フェライトの中でもＮ
ｉ系フェライトを使用することにより、高周波化への適
用及び、軟磁性材料の高抵抗化が可能となり、この種の
フェライト磁性材料が、いわゆるチップインダクタとし
て工業化されてきている。このチップインダクタのひと
つに、フェライト磁性材料に電気導体を巻線した後、樹
脂をモールドして構成されるモールド型インダクタがあ
る。
ｉ系フェライトを使用することにより、高周波化への適
用及び、軟磁性材料の高抵抗化が可能となり、この種の
フェライト磁性材料が、いわゆるチップインダクタとし
て工業化されてきている。このチップインダクタのひと
つに、フェライト磁性材料に電気導体を巻線した後、樹
脂をモールドして構成されるモールド型インダクタがあ
る。
【０００６】又、これらのフェライト磁性材料と樹脂を
複合化して成形されるインダクタとしては、インダクタ
ンスの温度変化が零であるか、または正であるものを用
いるため、フェライトは透磁率の温度係数が零、もしく
は正の材料が使用されている。
複合化して成形されるインダクタとしては、インダクタ
ンスの温度変化が零であるか、または正であるものを用
いるため、フェライトは透磁率の温度係数が零、もしく
は正の材料が使用されている。
【０００７】しかしながら、インダクタの磁芯材料とし
て、透磁率の温度係数が正を示すフェライトを使用する
と、このようなモールド型インダクタでは、複合した樹
脂とフェライト間での熱膨張係数の差によってフェライ
トに発生する応力のために、素子のインダクタンスの変
動が著しく大きくなるといった欠点を生じている。
て、透磁率の温度係数が正を示すフェライトを使用する
と、このようなモールド型インダクタでは、複合した樹
脂とフェライト間での熱膨張係数の差によってフェライ
トに発生する応力のために、素子のインダクタンスの変
動が著しく大きくなるといった欠点を生じている。
【０００８】現在では、この変動を小さくするために、
樹脂を多層化する方法により、フェライトに加わる応力
の変化を減少し、素子のインダクタンスの変動幅を小さ
くする工夫がなされている。しかしながら、この方法は
処理工程が多くなるため、製造上は好ましくない。従っ
て、これらのことから、工業的には、フェライト磁性材
料に対し、例えば、樹脂を直接モールドする等、直接的
に複合化し、かつインダクタのインダクタンスの変化を
小さくできる製法は、極めて有益である。
樹脂を多層化する方法により、フェライトに加わる応力
の変化を減少し、素子のインダクタンスの変動幅を小さ
くする工夫がなされている。しかしながら、この方法は
処理工程が多くなるため、製造上は好ましくない。従っ
て、これらのことから、工業的には、フェライト磁性材
料に対し、例えば、樹脂を直接モールドする等、直接的
に複合化し、かつインダクタのインダクタンスの変化を
小さくできる製法は、極めて有益である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、スピネル型
フェライトと樹脂を複合化してインダクタを形成する際
に、多層化処理を行うことなしに、インダクタンスの温
度変化及びばらつきの小さいインダクタを提供すること
を目的とするものである。
フェライトと樹脂を複合化してインダクタを形成する際
に、多層化処理を行うことなしに、インダクタンスの温
度変化及びばらつきの小さいインダクタを提供すること
を目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、種々検討を
重ねた結果、インダクタンスの温度変化を改善する方法
として、フェライト材料の組成比を、次の一般式で示さ
れるようにすることが極めて有効であることがわかっ
た。
重ねた結果、インダクタンスの温度変化を改善する方法
として、フェライト材料の組成比を、次の一般式で示さ
れるようにすることが極めて有効であることがわかっ
た。
【００１１】本発明によれば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｖ，
Ｆｅの酸化物を主成分とする酸化物磁性材料において、
主成分の組成比が一般式ａ［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂ
ＺｎＯ・ｄＶ2０5・ｃＦｅ2Ｏ3で表わされ、かつａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＝１００，０.１≦ｘ≦０.８，０≦ｂ≦３５，
３２≦ｃ≦４８，０.１≦ｄ≦０.５であることを特徴と
する酸化物磁性材料が得られる。
Ｆｅの酸化物を主成分とする酸化物磁性材料において、
主成分の組成比が一般式ａ［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂ
ＺｎＯ・ｄＶ2０5・ｃＦｅ2Ｏ3で表わされ、かつａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＝１００，０.１≦ｘ≦０.８，０≦ｂ≦３５，
３２≦ｃ≦４８，０.１≦ｄ≦０.５であることを特徴と
する酸化物磁性材料が得られる。
【００１２】また、本発明によれば、前述した酸化物磁
性材料と樹脂を複合化して構成されるモールド型インダ
クタにおいて、前記酸化物磁性材料からなる磁芯に絶縁
被覆銅線を巻回して樹脂でモールドすることを特徴とす
るインダクタが得られる。
性材料と樹脂を複合化して構成されるモールド型インダ
クタにおいて、前記酸化物磁性材料からなる磁芯に絶縁
被覆銅線を巻回して樹脂でモールドすることを特徴とす
るインダクタが得られる。
【００１３】
【作用】本発明によるＮｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｖ，Ｆｅの酸
化物を主成分とするスピネル型フェライト酸化物磁性材
料であって、主成分の組成比が一般式ａ［Ｎｉ(1-x)・
Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＶ2Ｏ5・ｃＦｅ2Ｏ3で表わさ
れ、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、
０≦ｂ≦３５、３２≦ｃ≦４８、０.１≦ｄ≦０.５であ
る磁芯用酸化物磁性材料を用いて、樹脂と複合化するこ
とによりモールド型インダクタを作製し、インダクタン
スの変化及びばらつきを調査したところ、樹脂モールド
型インダクタのインダクタンスの温度変化を著しく低減
できることを見い出した。
化物を主成分とするスピネル型フェライト酸化物磁性材
料であって、主成分の組成比が一般式ａ［Ｎｉ(1-x)・
Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＶ2Ｏ5・ｃＦｅ2Ｏ3で表わさ
れ、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、
０≦ｂ≦３５、３２≦ｃ≦４８、０.１≦ｄ≦０.５であ
る磁芯用酸化物磁性材料を用いて、樹脂と複合化するこ
とによりモールド型インダクタを作製し、インダクタン
スの変化及びばらつきを調査したところ、樹脂モールド
型インダクタのインダクタンスの温度変化を著しく低減
できることを見い出した。
【００１４】ここで、本発明において、インダクタンス
の温度変化が低減される原因は、組成比の制御によりフ
ェライト磁性材料の熱膨張係数、あるいは磁歪等によっ
て発生する応力が緩和され、インダクタンスの変動幅が
小さくなったためと考える。
の温度変化が低減される原因は、組成比の制御によりフ
ェライト磁性材料の熱膨張係数、あるいは磁歪等によっ
て発生する応力が緩和され、インダクタンスの変動幅が
小さくなったためと考える。
【００１５】上述の組成比の一般式において、０.１≦
ｘ≦０.８，０≦ｂ≦３５，３２≦ｃ≦４８，０.１≦ｄ
≦０.５としたのは、この範囲を越えるとインダクタン
スの変動幅が著しく大きくなるからである。
ｘ≦０.８，０≦ｂ≦３５，３２≦ｃ≦４８，０.１≦ｄ
≦０.５としたのは、この範囲を越えるとインダクタン
スの変動幅が著しく大きくなるからである。
【００１６】また、３２≦ｃ≦４８としたのは、４８を
越えると、インダクタンスの変動幅が大きくなり、３２
を下回ると、インダクタのＱ（Ｑの値が大きい程損失が
小さく、高性能となる）が著しく小さくなるためであ
る。
越えると、インダクタンスの変動幅が大きくなり、３２
を下回ると、インダクタのＱ（Ｑの値が大きい程損失が
小さく、高性能となる）が著しく小さくなるためであ
る。
【００１７】主成分の組成比を限定し、透磁率の温度変
化が負となるＮｉ系フェライトである酸化物磁性材料を
得て、これに樹脂をモールドしてインダクタとする。こ
のインダクタは、インダクタンスの温度変化が小さくな
る。これは、フェライト自身の負の温度変化により、フ
ェライトと樹脂との間での熱膨張係数の差により、フェ
ライトに発生する応力に関係する透磁率の変化を緩和で
きるためと推察される。
化が負となるＮｉ系フェライトである酸化物磁性材料を
得て、これに樹脂をモールドしてインダクタとする。こ
のインダクタは、インダクタンスの温度変化が小さくな
る。これは、フェライト自身の負の温度変化により、フ
ェライトと樹脂との間での熱膨張係数の差により、フェ
ライトに発生する応力に関係する透磁率の変化を緩和で
きるためと推察される。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。
説明する。
【００１９】（実施例１）酸化鉄（ａ−Ｆｅ2Ｏ3）、酸
化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化第二銅（ＣｕＯ）及び酸化
亜鉛（ＺｎＯ）を原料とし、化学組成比が、２３［Ｎｉ
(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・３０ＺｎＯ・０.３Ｖ2Ｏ5・４７Ｆ
ｅ2Ｏ3で表わされ、ｘが０、０.１、０.２、０.３、０.
４、０.５、０.６、０.７、０.８、０.９、１.０と変化
され、それぞれの組成となるように酸化鉄（ａ−Ｆｅ2
Ｏ3）と酸化ニッケル（ＮｉＯ）と酸化第二銅（Ｃｕ
Ｏ）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び五酸化バナジウム（Ｖ2
Ｏ5）を秤量し、ボールミルにて２０時間湿式混合し
た。
化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化第二銅（ＣｕＯ）及び酸化
亜鉛（ＺｎＯ）を原料とし、化学組成比が、２３［Ｎｉ
(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・３０ＺｎＯ・０.３Ｖ2Ｏ5・４７Ｆ
ｅ2Ｏ3で表わされ、ｘが０、０.１、０.２、０.３、０.
４、０.５、０.６、０.７、０.８、０.９、１.０と変化
され、それぞれの組成となるように酸化鉄（ａ−Ｆｅ2
Ｏ3）と酸化ニッケル（ＮｉＯ）と酸化第二銅（Ｃｕ
Ｏ）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び五酸化バナジウム（Ｖ2
Ｏ5）を秤量し、ボールミルにて２０時間湿式混合し
た。
【００２０】次に、これら原料粉末を大気中８００℃で
２時間仮焼した後、ボールミルにて３時間粉砕した。
２時間仮焼した後、ボールミルにて３時間粉砕した。
【００２１】次に、これら粉砕粉末にＰＶＡを１ｗｔ％
加え、湿式混合し成形用粉末とした。この粉末を成形圧
２ｔｏｎ／ｃｍ2で、縦約１.５ｍｍ、横約１.５ｍｍ、
長さ約１０ｍｍの直方体状の成形体となるように金型を
使用し圧縮成形した。得られた成形体を大気中、徐熱、
炉冷にて１０００℃で４時間保持し焼結した。
加え、湿式混合し成形用粉末とした。この粉末を成形圧
２ｔｏｎ／ｃｍ2で、縦約１.５ｍｍ、横約１.５ｍｍ、
長さ約１０ｍｍの直方体状の成形体となるように金型を
使用し圧縮成形した。得られた成形体を大気中、徐熱、
炉冷にて１０００℃で４時間保持し焼結した。
【００２２】次に、これら焼結体に直径３０μｍの絶縁
被覆銅線を５０回巻線した後、１５０℃でエポキシ系樹
脂を射出成形し、形状が縦２ｍｍ、横２ｍｍ、長さ０．
５ｍｍの直方体状のモールド型マイクロインダクタンス
素子を作製した。
被覆銅線を５０回巻線した後、１５０℃でエポキシ系樹
脂を射出成形し、形状が縦２ｍｍ、横２ｍｍ、長さ０．
５ｍｍの直方体状のモールド型マイクロインダクタンス
素子を作製した。
【００２３】次に、このマイクロインダクタンス素子に
１ＭＨｚで０.１ｍＡの電流を流し、ＹＨＰ製インピー
ダンスアナライザーを使用して、−２０℃から８０℃の
範囲でインダクタンスの温度変化率△ＬTを測定した。
１ＭＨｚで０.１ｍＡの電流を流し、ＹＨＰ製インピー
ダンスアナライザーを使用して、−２０℃から８０℃の
範囲でインダクタンスの温度変化率△ＬTを測定した。
【００２４】尚、本文中に示した△ＬTは、−２０℃か
ら８０℃の範囲におけるＬの変動幅を２０℃におけるＬ
で標準化したものである。
ら８０℃の範囲におけるＬの変動幅を２０℃におけるＬ
で標準化したものである。
【００２５】その結果を図１に示す。図１に示すよう
に、ｘが０.１〜０.８の範囲でインダクタンスの温度変
化率△ＬTが著しく小さいことがわかる。
に、ｘが０.１〜０.８の範囲でインダクタンスの温度変
化率△ＬTが著しく小さいことがわかる。
【００２６】（実施例２）化学組成比以外は実施例１と
同様な手順で焼結体を作製した。化学組成比は、（５３
−ｂ）（Ｎｉ0.7・Ｃｕ0.3）Ｏ・ｂＺｎＯ・０.３Ｖ2Ｏ
5・４７Ｆｅ2Ｏ3とし、ｂ＝０、５、１０、１５、２
０、２５、３０、３５、４０と変化させた。実施例１と
同様な手順で縦１.５ｍｍ、横１.５ｍｍ、長さ１０ｍｍ
の直方体状の焼結体を得た後、直径３０μｍの絶縁被覆
銅線を５０回巻線し、１５０℃でエポキシ系樹脂を射出
成形し、形状が縦２ｍｍ、横２ｍｍ、長さ０.５ｍｍの
直方体状のモールド型マイクロインダクタンス素子を作
製した。
同様な手順で焼結体を作製した。化学組成比は、（５３
−ｂ）（Ｎｉ0.7・Ｃｕ0.3）Ｏ・ｂＺｎＯ・０.３Ｖ2Ｏ
5・４７Ｆｅ2Ｏ3とし、ｂ＝０、５、１０、１５、２
０、２５、３０、３５、４０と変化させた。実施例１と
同様な手順で縦１.５ｍｍ、横１.５ｍｍ、長さ１０ｍｍ
の直方体状の焼結体を得た後、直径３０μｍの絶縁被覆
銅線を５０回巻線し、１５０℃でエポキシ系樹脂を射出
成形し、形状が縦２ｍｍ、横２ｍｍ、長さ０.５ｍｍの
直方体状のモールド型マイクロインダクタンス素子を作
製した。
【００２７】次に、この得られたマイクロインダクタン
ス素子に１ＭＨｚで０.１ｍＡの電流を流し、ＹＨＰ製
インピーダンスアナライザーを使用して、−２０℃から
８０℃の範囲でインダクタンスの温度変化率△ＬTを測
定した。
ス素子に１ＭＨｚで０.１ｍＡの電流を流し、ＹＨＰ製
インピーダンスアナライザーを使用して、−２０℃から
８０℃の範囲でインダクタンスの温度変化率△ＬTを測
定した。
【００２８】その結果を図２に示す。図２に示すように
ｂが３５を上回ると、インダクタンスの温度変化率△Ｌ
Tが著しく大きくなることがわかる。
ｂが３５を上回ると、インダクタンスの温度変化率△Ｌ
Tが著しく大きくなることがわかる。
【００２９】（実施例３）実施例１と同様な手順で焼結
体を作製した。化学組成比は（２３−ｄ）（Ｎｉ0.7・
Ｃｕ0.3）Ｏ・３０ＺｎＯ・ｄＶ2Ｏ5・４７Ｆｅ2Ｏ3と
し、ｄ＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．
５、０．６と変化させた。また実施例１と同様な手順で
縦１．５ｍｍ、横１．５ｍｍ、長さ１０ｍｍの直方体状
の焼結体を得た後、直径３０μｍの絶縁被覆銅線を５０
回巻線し、１５０℃でエポキシ系樹脂を射出成形し、形
状が縦２ｍｍ、横２ｍｍ、長さ１０．５ｍｍの直方体状
のモールド型マイクロインダクタンス素子を作製した。
体を作製した。化学組成比は（２３−ｄ）（Ｎｉ0.7・
Ｃｕ0.3）Ｏ・３０ＺｎＯ・ｄＶ2Ｏ5・４７Ｆｅ2Ｏ3と
し、ｄ＝０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．
５、０．６と変化させた。また実施例１と同様な手順で
縦１．５ｍｍ、横１．５ｍｍ、長さ１０ｍｍの直方体状
の焼結体を得た後、直径３０μｍの絶縁被覆銅線を５０
回巻線し、１５０℃でエポキシ系樹脂を射出成形し、形
状が縦２ｍｍ、横２ｍｍ、長さ１０．５ｍｍの直方体状
のモールド型マイクロインダクタンス素子を作製した。
【００３０】次に、１ＭＨｚで０.１ｍＡの電流を流
し、ＹＨＰ製インピーダンスアナライザーを使用して、
−２０℃から８０℃におけるインダクタンスの温度変化
率△ＬTを測定した。
し、ＹＨＰ製インピーダンスアナライザーを使用して、
−２０℃から８０℃におけるインダクタンスの温度変化
率△ＬTを測定した。
【００３１】その結果を図３に示す。図３に示すように
ｄが０.１から０.５の範囲を越えると、インダクタンス
の温度変化率△ＬTが著しく大きくなることがわかる。
ｄが０.１から０.５の範囲を越えると、インダクタンス
の温度変化率△ＬTが著しく大きくなることがわかる。
【００３２】（実施例４）実施例１と同様な手順で焼結
体を作製した。化学組成比は（７０−ｃ）（Ｎｉ0.7・
Ｃｕ0.3）Ｏ・３ＯＺｎＯ・０.３Ｖ2Ｏ5・ｃＦｅ2Ｏ3と
し、ｃ＝３１、３２、３３、３４、４５、４６、４７、
４８、４９と変化させ、縦１.５ｍｍ、横１.５ｍｍ、長
さ１０.５ｍｍの立方体状の焼結体を得た後、直径３０
μｍの絶縁被覆導線を５０回巻線し、１５０℃でエポキ
シ系樹脂を射出成形し、形状が縦２ｍｍ、横２ｍｍ、長
さ１０.５ｍｍの直方体状のモールド型マイクロインダ
クタンス素子を作製した。
体を作製した。化学組成比は（７０−ｃ）（Ｎｉ0.7・
Ｃｕ0.3）Ｏ・３ＯＺｎＯ・０.３Ｖ2Ｏ5・ｃＦｅ2Ｏ3と
し、ｃ＝３１、３２、３３、３４、４５、４６、４７、
４８、４９と変化させ、縦１.５ｍｍ、横１.５ｍｍ、長
さ１０.５ｍｍの立方体状の焼結体を得た後、直径３０
μｍの絶縁被覆導線を５０回巻線し、１５０℃でエポキ
シ系樹脂を射出成形し、形状が縦２ｍｍ、横２ｍｍ、長
さ１０.５ｍｍの直方体状のモールド型マイクロインダ
クタンス素子を作製した。
【００３３】次に、１ＭＨｚで０.１ｍＡの電流を流
し、ＹＨＰ製インピーダンスアナライザーを使用して、
−２０℃から８０℃におけるインダクタンスの温度変化
率△ＬTを測定した。また、この時、Ｑも求めた。
し、ＹＨＰ製インピーダンスアナライザーを使用して、
−２０℃から８０℃におけるインダクタンスの温度変化
率△ＬTを測定した。また、この時、Ｑも求めた。
【００３４】その結果を図４に示す。図４に示すよう
に、ｃが４８以下では、インダクタンスの温度変化率△
ＬTが小さいことがわかる。一方、Ｑはｃが３２を下回
ると著しく低下することがわかる。
に、ｃが４８以下では、インダクタンスの温度変化率△
ＬTが小さいことがわかる。一方、Ｑはｃが３２を下回
ると著しく低下することがわかる。
【００３５】尚、上述した本発明の実施例では、Ｎｉ
Ｏ、ＣｕＯ、α−Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ｖ2Ｏ5を原料とし
て使用したフェライト焼結体についてのみ述べている
が、必ずしもこれら酸化物に限定されるものでなく、焼
結体がスピネル型フェライトを構成するものであれば、
本発明の範囲にあることは当業者であれば容易に理解で
きる。また、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｖ、Ｆｅを主成分とし
て含有するスピネル型フェライトであれば、Ｃｏ，Ｍ
ｎ，Ｃａ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ等の添加物を含有しても、
又、原料に含まれる不純物を含有しても、本発明の範囲
にある。
Ｏ、ＣｕＯ、α−Ｆｅ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ｖ2Ｏ5を原料とし
て使用したフェライト焼結体についてのみ述べている
が、必ずしもこれら酸化物に限定されるものでなく、焼
結体がスピネル型フェライトを構成するものであれば、
本発明の範囲にあることは当業者であれば容易に理解で
きる。また、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｖ、Ｆｅを主成分とし
て含有するスピネル型フェライトであれば、Ｃｏ，Ｍ
ｎ，Ｃａ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ等の添加物を含有しても、
又、原料に含まれる不純物を含有しても、本発明の範囲
にある。
【００３６】また、粉末の予備焼成及び成形体の焼結を
大気中で行っているが、焼結における生成物がスピネル
系フェライトであれば、成形用粉末の製法が、予備焼成
なし、共沈法、水熱合成法、噴霧培焼法等を適用して
も、焼結雰囲気が大気中に比べ酸化性であっても、還元
性であっても本発明の範囲にある。又、成形体の成形法
についても、特に上記実施例に限定されるものでない。
大気中で行っているが、焼結における生成物がスピネル
系フェライトであれば、成形用粉末の製法が、予備焼成
なし、共沈法、水熱合成法、噴霧培焼法等を適用して
も、焼結雰囲気が大気中に比べ酸化性であっても、還元
性であっても本発明の範囲にある。又、成形体の成形法
についても、特に上記実施例に限定されるものでない。
【００３７】
【発明の効果】以上の本発明の実施例１〜４からわかる
ように、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｖ、Ｆｅの酸化物を主成分
とするスピネル型フェライト酸化物磁性材料の化学組成
比が一般式ａ［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］０・ｂＺｎ０・ｄＶ
2Ｏ5・ｃＦｅ2Ｏ3で表わされ、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１
００、０．１≦ｘ≦０．８、０≦ｂ≦３５、３２≦ｃ≦
４８、０．１≦ｄ≦０．５とする磁芯用酸化物磁性材料
を得ることによって、インダクタンスの温度変化及びば
らつきが小さいインダクタを得ることができる。
ように、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｖ、Ｆｅの酸化物を主成分
とするスピネル型フェライト酸化物磁性材料の化学組成
比が一般式ａ［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］０・ｂＺｎ０・ｄＶ
2Ｏ5・ｃＦｅ2Ｏ3で表わされ、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１
００、０．１≦ｘ≦０．８、０≦ｂ≦３５、３２≦ｃ≦
４８、０．１≦ｄ≦０．５とする磁芯用酸化物磁性材料
を得ることによって、インダクタンスの温度変化及びば
らつきが小さいインダクタを得ることができる。
【図１】実施例１におけるＣｕＯの組成比Ｘにおけるイ
ンダクタンスの温度変化率△ＬTを示す図。
ンダクタンスの温度変化率△ＬTを示す図。
【図２】実施例２におけるＺｎＯの組成比ｂにおけるイ
ンダクタンスの温度変化率△ＬTを示す図。
ンダクタンスの温度変化率△ＬTを示す図。
【図３】実施例３におけるＶ2Ｏ5の組成比ｄにおけるイ
ンダクタンスの温度変化率△ＬTを示す図。
ンダクタンスの温度変化率△ＬTを示す図。
【図４】実施例４におけるＦｅ2Ｏ3の組成比ｃにおける
インダクタンスの温度変化率△ＬT、及びＱを示す図。
インダクタンスの温度変化率△ＬT、及びＱを示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 17/04 Ｌ 4230−5Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｖ，Ｆｅの酸化物を
主成分とする酸化物磁性材料において、主成分比が一般
式ａ［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＶ2０5・ｃ
Ｆｅ2Ｏ3で表わされ、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００，
０.１≦ｘ≦０.８，０≦ｂ≦３５，３２≦ｃ≦４８，
０.１≦ｄ≦０.５であることを特徴とする酸化物磁性材
料。 - 【請求項２】 請求項１記載の酸化物磁性材料と樹脂を
複合化して構成されるモールド型インダクタにおいて、
前記酸化物磁性材料からなる磁芯に、絶縁皮覆銅線を巻
回して樹脂でモールドすることを特徴とするインダク
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258956A JPH0897026A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258956A JPH0897026A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897026A true JPH0897026A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17327366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6258956A Pending JPH0897026A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897026A (ja) |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP6258956A patent/JPH0897026A/ja active Pending
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