JPH05259063A - 半導体基板のスピンコーティング方法 - Google Patents
半導体基板のスピンコーティング方法Info
- Publication number
- JPH05259063A JPH05259063A JP5184392A JP5184392A JPH05259063A JP H05259063 A JPH05259063 A JP H05259063A JP 5184392 A JP5184392 A JP 5184392A JP 5184392 A JP5184392 A JP 5184392A JP H05259063 A JPH05259063 A JP H05259063A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- semiconductor substrate
- substrate
- solvent
- central portion
- Prior art date
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- Pending
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板のスピンコーティング方法を提供
する。 【構成】 回転台２に着脱自在に固定された半導体基板
１の面に塗布ノズル４を介してフォトレジストあるいは
接着用ワックスなどの塗布溶液５をスピンコーティング
する装置に、溶媒ノズル７を回転台２の上方側部に配設
し、塗布溶液５を滴下した後、基板１の回転開始と同時
に溶媒ノズル７から半導体基板１の中心部１ａに溶媒を
滴下してスピンコーティングを行って塗布溶液５の濃度
を下げることによりコーティング層の膜厚は薄くし、コ
ーティング層全体の膜厚の均一化を図る。
する。 【構成】 回転台２に着脱自在に固定された半導体基板
１の面に塗布ノズル４を介してフォトレジストあるいは
接着用ワックスなどの塗布溶液５をスピンコーティング
する装置に、溶媒ノズル７を回転台２の上方側部に配設
し、塗布溶液５を滴下した後、基板１の回転開始と同時
に溶媒ノズル７から半導体基板１の中心部１ａに溶媒を
滴下してスピンコーティングを行って塗布溶液５の濃度
を下げることによりコーティング層の膜厚は薄くし、コ
ーティング層全体の膜厚の均一化を図る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板のスピンコ
ーティング方法に関する。
ーティング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハやマスク基板な
どの半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワック
スなどの塗布溶液をコーティングする際の代表的な方法
としてスピンコート法がある。このスピンコート法は、
図４に示すように、回転台２に真空式などのウェーハチ
ャック３で吸着固定された半導体基板（以下、単に基板
という）１上に、軸線Ａが垂直とされる塗布ノズル４に
よって塗布溶液５をウェーハ１の中心部１ａに滴下し、
スピンドル軸６を介してモータ７で矢示Ｆ方向に高速回
転させることによりその作用する遠心力を利用して溶液
を広げて均一な厚みのコーティング層５ａを得るように
コーティングする方法である。このときのコーティング
層５ａの膜厚は溶液濃度や溶媒の揮発速度、スピン回転
数などによって決まり、溶媒の揮発速度は環境温度や湿
度、溶液温度あるいは基板１の温度などにより影響され
る。
どの半導体基板にフォトレジストあるいは接着用ワック
スなどの塗布溶液をコーティングする際の代表的な方法
としてスピンコート法がある。このスピンコート法は、
図４に示すように、回転台２に真空式などのウェーハチ
ャック３で吸着固定された半導体基板（以下、単に基板
という）１上に、軸線Ａが垂直とされる塗布ノズル４に
よって塗布溶液５をウェーハ１の中心部１ａに滴下し、
スピンドル軸６を介してモータ７で矢示Ｆ方向に高速回
転させることによりその作用する遠心力を利用して溶液
を広げて均一な厚みのコーティング層５ａを得るように
コーティングする方法である。このときのコーティング
層５ａの膜厚は溶液濃度や溶媒の揮発速度、スピン回転
数などによって決まり、溶媒の揮発速度は環境温度や湿
度、溶液温度あるいは基板１の温度などにより影響され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来のスピンコート法では、基板１の中心部１
ａでは回転によって生じる遠心力がほとんどゼロである
ため塗布溶液５の広がりが悪くなる。そして、コーティ
ング層５ａの膜厚が図５に示すように、基板１の中心部
１ａ付近において局所的に膜厚が厚くなりデッドスポッ
トとなるという欠点がある。
たような従来のスピンコート法では、基板１の中心部１
ａでは回転によって生じる遠心力がほとんどゼロである
ため塗布溶液５の広がりが悪くなる。そして、コーティ
ング層５ａの膜厚が図５に示すように、基板１の中心部
１ａ付近において局所的に膜厚が厚くなりデッドスポッ
トとなるという欠点がある。
【０００４】ところで、このような基板の中心部におけ
る厚膜対策としては、たとえば特開昭64− 73618号公報
に開示されているように基板の中心部に不活性ガスなど
の気体を吹きつける配管部を設けた塗布装置が提案され
ている。しかし、この方法では基板の中心部の平均膜厚
は低下するが、吹き付ける気体の風圧の影響により溶剤
が飛散してその周辺に２次的なデッドスポットを生じる
ことになり、やはり膜厚にバラツキが生じる欠点があ
る。
る厚膜対策としては、たとえば特開昭64− 73618号公報
に開示されているように基板の中心部に不活性ガスなど
の気体を吹きつける配管部を設けた塗布装置が提案され
ている。しかし、この方法では基板の中心部の平均膜厚
は低下するが、吹き付ける気体の風圧の影響により溶剤
が飛散してその周辺に２次的なデッドスポットを生じる
ことになり、やはり膜厚にバラツキが生じる欠点があ
る。
【０００５】本発明は、上記のような従来技術の課題を
解決した半導体基板のコーティング方法を提供すること
を目的とする。
解決した半導体基板のコーティング方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、回転台に固定
された半導体基板の中心部にフォトレジストあるいは接
着用ワックスなどの塗布溶液を滴下したのち高速回転で
スピンコーティングする方法において、前記半導体基板
の回転開始と同時に該中心部に溶媒を滴下することを特
徴とする半導体基板のスピンコーティング方法である。
された半導体基板の中心部にフォトレジストあるいは接
着用ワックスなどの塗布溶液を滴下したのち高速回転で
スピンコーティングする方法において、前記半導体基板
の回転開始と同時に該中心部に溶媒を滴下することを特
徴とする半導体基板のスピンコーティング方法である。
【０００７】
【作 用】本発明によれば、スピンコーティング開始と
同時に回転する基板の中心部に溶媒を滴下するようにし
たので、基板の中心部の塗布溶液の濃度が下がって粘性
が低下し、中心部のコーティング層の膜厚は薄くするこ
とができ、これによってコーティング層全体の膜厚を均
一化することができる。
同時に回転する基板の中心部に溶媒を滴下するようにし
たので、基板の中心部の塗布溶液の濃度が下がって粘性
が低下し、中心部のコーティング層の膜厚は薄くするこ
とができ、これによってコーティング層全体の膜厚を均
一化することができる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明するが、図中、従来例と同一部材は同一符号を
付して説明を省略する。図１は本発明の実施例の構成を
模式的に示す側面図であり、本発明に用いられる溶媒ノ
ズル７は回転台２の上方側部に配設される。この溶媒ノ
ズル７へは、図示しない溶媒タンクから溶媒が供給され
る。
して説明するが、図中、従来例と同一部材は同一符号を
付して説明を省略する。図１は本発明の実施例の構成を
模式的に示す側面図であり、本発明に用いられる溶媒ノ
ズル７は回転台２の上方側部に配設される。この溶媒ノ
ズル７へは、図示しない溶媒タンクから溶媒が供給され
る。
【０００９】そして、以下の手順でスピンコーティング
を行う。 まず、塗布ノズル４によって塗布溶液５を所定量だ
け基板１の中心部１ａに滴下する。 ついで、図２に示すように塗布ノズル４を基板１の
中心部１ａから側部に移動した後、溶媒ノズル７を中心
部１ａに移動して位置決めする。 スピンドル軸６を介して回転台２を矢示Ｆ方向に高
速回転させると同時に、溶媒ノズル７から溶媒８を回転
する基板１の中心部１ａに所定量滴下する。この溶媒８
によって、基板１の中心部１ａの塗布溶液５の濃度が下
がり、溶液の粘性が低下することによりコーティング層
５ａの膜厚は薄くなる。 所定の時間の経過後、回転台２を停止してスピンコ
ーティングを終了するとともに、溶媒ノズル７を所定の
位置に退避させる。これによって、局所的な膜厚が厚く
なるデッドスポットを解消し、基板１の全面に均一な厚
みのコーティング層５ａを形成することができる。
を行う。 まず、塗布ノズル４によって塗布溶液５を所定量だ
け基板１の中心部１ａに滴下する。 ついで、図２に示すように塗布ノズル４を基板１の
中心部１ａから側部に移動した後、溶媒ノズル７を中心
部１ａに移動して位置決めする。 スピンドル軸６を介して回転台２を矢示Ｆ方向に高
速回転させると同時に、溶媒ノズル７から溶媒８を回転
する基板１の中心部１ａに所定量滴下する。この溶媒８
によって、基板１の中心部１ａの塗布溶液５の濃度が下
がり、溶液の粘性が低下することによりコーティング層
５ａの膜厚は薄くなる。 所定の時間の経過後、回転台２を停止してスピンコ
ーティングを終了するとともに、溶媒ノズル７を所定の
位置に退避させる。これによって、局所的な膜厚が厚く
なるデッドスポットを解消し、基板１の全面に均一な厚
みのコーティング層５ａを形成することができる。
【００１０】塗布溶液として接着用ワックスを用いてシ
リコンウェーハをスピンコーティングする際に本発明法
を用いた。まず、シリコンウェーハの中心部に液状のワ
ックスを約2.4cc 滴下した後、回転台を4000rpm で高速
で回転させながらその中心部に溶媒を 1.0cc滴下し、シ
リコンウェーハの面にワックス膜を形成した。そのとき
の膜厚の分布の結果を図３に示した。なお、比較のため
に、従来法での膜厚分布も同図に併せて示した。この図
から明らかなように、従来法での最大値と最小値との差
が419 Åであるのに対し、本発明法では195 Åと約53％
も小さくなっており、膜厚の均一性が向上していること
がわかる。
リコンウェーハをスピンコーティングする際に本発明法
を用いた。まず、シリコンウェーハの中心部に液状のワ
ックスを約2.4cc 滴下した後、回転台を4000rpm で高速
で回転させながらその中心部に溶媒を 1.0cc滴下し、シ
リコンウェーハの面にワックス膜を形成した。そのとき
の膜厚の分布の結果を図３に示した。なお、比較のため
に、従来法での膜厚分布も同図に併せて示した。この図
から明らかなように、従来法での最大値と最小値との差
が419 Åであるのに対し、本発明法では195 Åと約53％
も小さくなっており、膜厚の均一性が向上していること
がわかる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
ピンコーティングする際にコーティング層の中心部に溶
媒を滴下するようにしたので、その中心部の膜厚の均一
性を高めることができ、これによって半導体基板全体の
膜厚の均一化を図ることができる。
ピンコーティングする際にコーティング層の中心部に溶
媒を滴下するようにしたので、その中心部の膜厚の均一
性を高めることができ、これによって半導体基板全体の
膜厚の均一化を図ることができる。
【図１】本発明のスピンコーティング装置の構成を模式
的に示す側面図である。
的に示す側面図である。
【図２】本発明の動作を説明する図である。
【図３】本発明によって得られたコーティング層の膜厚
分布を示す特性図である。
分布を示す特性図である。
【図４】従来のスピンコーティング装置の構成を模式的
に示す側面図である。
に示す側面図である。
【図５】従来のコーティング層の膜厚分布の説明図であ
る。
る。
１ 基板（半導体基板） ２ 回転台 ３ ウェーハチャック ４ 塗布ノズル ５ 塗布溶液 ５ａ コーティング層 ６ スピンドル軸 ７ 溶媒ノズル ８ 溶媒
Claims (1)
- 【請求項１】 回転台に固定された半導体基板の中心
部にフォトレジストあるいは接着用ワックスなどの塗布
溶液を滴下したのち高速回転でスピンコーティングする
方法において、前記半導体基板の回転開始と同時に前記
半導体基板の中心部に溶媒を滴下することを特徴とする
半導体基板のスピンコーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184392A JPH05259063A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体基板のスピンコーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184392A JPH05259063A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体基板のスピンコーティング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259063A true JPH05259063A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12898138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5184392A Pending JPH05259063A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体基板のスピンコーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259063A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004153262A (ja) * | 2003-10-14 | 2004-05-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | スピンコート法 |
| WO2021002269A1 (ja) * | 2019-07-04 | 2021-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布方法及び塗布装置 |
| JPWO2021060348A1 (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | ||
| CN114310653A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-12 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5184392A patent/JPH05259063A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004153262A (ja) * | 2003-10-14 | 2004-05-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | スピンコート法 |
| WO2021002269A1 (ja) * | 2019-07-04 | 2021-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布方法及び塗布装置 |
| JPWO2021002269A1 (ja) * | 2019-07-04 | 2021-01-07 | ||
| JPWO2021060348A1 (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | ||
| WO2021060348A1 (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 富士フイルム株式会社 | 導熱層の製造方法、積層体の製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| KR20220050196A (ko) * | 2019-09-26 | 2022-04-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 도열층의 제조 방법, 적층체의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| CN114450098A (zh) * | 2019-09-26 | 2022-05-06 | 富士胶片株式会社 | 导热层的制造方法、层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法 |
| US11848249B2 (en) | 2019-09-26 | 2023-12-19 | Fujifilm Corporation | Manufacturing method for thermal conductive layer, manufacturing method for laminate, and manufacturing method for semiconductor device |
| CN114310653A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-12 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
| CN114310653B (zh) * | 2021-11-29 | 2024-04-16 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
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