JPH0897167A - 処理装置及び熱処理装置 - Google Patents

処理装置及び熱処理装置

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JPH0897167A
JPH0897167A JP6259108A JP25910894A JPH0897167A JP H0897167 A JPH0897167 A JP H0897167A JP 6259108 A JP6259108 A JP 6259108A JP 25910894 A JP25910894 A JP 25910894A JP H0897167 A JPH0897167 A JP H0897167A
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reaction container
heat
wafer
heat treatment
reaction
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JP6259108A
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Wataru Okase
亘 大加瀬
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Tokyo Electron Tohoku Ltd
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Tohoku Ltd
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハの面内温度の高い均一性を確保するこ
とができ、これにより歩留まりを向上させることができ
る処理装置及び熱処理装置を提供すること。 【構成】 反応容器２の周囲に断熱部材３１を配設し、
反応容器２の上方側の反応容器２と断熱部材３１との間
に均熱部材を介して加熱源３３を設ける。反応容器２は
例えば石英で作られ、頂部及びその近傍部分に透明部２
Ａを形成し、それ以外の部分に不透明部２Ｂを形成す
る。処理の際、加熱源３３から均熱部材３２を介して熱
線を輻射すると、熱線は反応容器２の透明部２Ａを透過
してウエハＷを加熱するが、断熱部材３１より反射され
た熱線は反応容器２の不透明部２Ｂより遮られる。従っ
て反応容器２内に入り込む熱線の量を制御できるため、
ウエハＷの面内温度の高い均一性を確保することがで
き、この結果歩留まりが向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置及び熱処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスの中に、
高温下においてシリコンの表面部を酸化しこれにより酸
化膜（絶縁膜）を得る酸化処理や、不純物層を表面に形
成したシリコン層を加熱し、これにより不純物をシリコ
ン層内に熱拡散する拡散処理などがある。
【０００３】この種の酸化、拡散を行う熱処理装置とし
てバッチ式である縦型熱処理装置が知られているが、例
えばキャパシタ絶縁膜の酸化膜やゲート酸化膜の形成あ
るいは不純物イオンの拡散処理では、極めて薄い膜や浅
い接合を得る場合、膜質、膜厚や拡散深さがサーマルバ
ジェット（熱履歴）の影響を大きく受け、バッチ式の熱
処理装置では、先に反応管内に搬入されたウエハと最後
の方に搬入されたウエハとではサーマルバジェットに大
きな差が生じてしまう。
【０００４】そこで上述の熱処理炉を改良し、反応管内
の設定位置に１枚づつウエハを保持具に載せて搬入した
後急加熱する枚葉式の熱処理装置についても検討が進め
られている。このような枚葉式の熱処理装置について図
７に示す概略図を参照しながら説明すると、１は透明な
石英ガラスよりなる反応管であり、この反応管１内には
ウエハ保持具１１が昇降自在に設けられている。反応管
１の外側には、反応管１を囲むように断熱部材１２が設
けられており、反応管１の上方側には例えば（窒化珪
素）ＳｉＣなどの面状の均熱部材１３を介して抵抗発熱
体よりなるヒータ１４が設けられている。１５はガス供
給管、１６は排気管、１７は水冷ジャケットである。
【０００５】このような熱処理装置では、先ずウエハ保
持具１１に、処理室１の下方側の図示しない移載室にて
図示しない搬送手段により１枚のウエハＷが載置され、
このウエハ保持具１１が所定位置まで上昇する。一方ヒ
ータ１４により均熱部材１３が加熱され、その輻射熱に
よりウエハＷが所定温度まで加熱されると共にガス供給
管１５より処理ガスが供給されて例えば酸化処理され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】上述の装置ではウ
エハＷから見ると、面状の均熱部材１３が加熱源である
が、この加熱源から直接ウエハＷに輻射される熱線の外
に、断熱部材１２の内壁面で反射してウエハＷに輻射さ
れる熱線も存在する。ここで加熱源から、これに対向す
るウエハＷに直接向かう熱線のみを取り上げれば、ウエ
ハＷと加熱源との距離や加熱源の大きさなどを考慮して
設計することにより、ウエハＷの面内温度について非常
に高い均一性を確保することができる。
【０００７】しかしながら実際には断熱部材１２にて反
射した熱線がウエハＷに輻射されるので、面内温度につ
いて高い均一性を確保しようとすると、装置の設計が非
常に難しくなり、面内均一性を高めることには限界があ
る。一方デバイスの高集積化に伴い、パターンが微細化
し、各層の薄膜化が進んでおり、更にウエハが６インチ
サイズから８インチ、１２インチサイズへと大口径化す
る傾向にある。このため例えば５０オングストロームも
の極薄酸化膜を形成することがあるが、この場合数オン
グストロームの膜厚のばらつきが問題になる。従ってこ
うしたプロセスではウエハの面内温度について非常に高
い均一性が要求されるが、上述の熱処理装置では、特に
ウエハが大口径化すると、この要求に応えることが難し
く、結局歩留まりの低下が避けられないという問題があ
る。
【０００８】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、被処理体の面内温度について高
い均一性を確保することができ、これにより歩留まりを
向上することのできる熱処理装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理体を反応容器内に搬入して、前記反応容器の外の輻射
源からの輻射エネルギーにより処理する装置において、
前記反応容器は、透明部分と不透明部分とを備えたこと
を特徴とする。
【００１０】請求項２の発明は、被処理体を反応容器内
に搬入して、前記反応容器の外の加熱源からの輻射熱に
より熱処理する装置において、前記反応容器は、透明部
分と不透明部分とを備えたことを特徴とする。
【００１１】請求項３の発明は、一枚の被処理体を保持
具に保持させ、加熱炉内に設けられた反応容器内に搬入
して熱処理する装置において、前記反応容器は、透明部
分と不透明部分とを備えたことを特徴とする。
【００１２】請求項４の発明は、多数枚の被処理体を保
持具に保持させ、この保持具を、加熱炉内に設けられた
反応容器内に搬入して熱処理する熱処理装置において、
前記反応容器は、透明部分と不透明部分とを備えたこと
を特徴とする。
【００１３】請求項５の発明は、被処理体を反応容器内
に搬入して、前記反応容器の外の光源からの光エネルギ
ーにより処理する装置において、前記反応容器は、透明
部分と不透明部分とを備えたことを特徴とする。
【００１４】
【作用】反応容器に透明部分と不透明部分とを設ける
と、輻射源から輻射された輻射エネルギーは、透明部分
は透過するが、不透明部分では透過を妨げられるので、
輻射エネルギーを反応容器により制御することができ
る。従って被処理体の面内温度について高い均一性を確
保することができ、これにより歩留まりを向上させるこ
とができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の実施例の全体構成を示す図で
ある。先ずこの枚葉式熱処理装置の全体構成を説明する
と、２は例えば合成石英ガラスや溶融石英ガラス等の石
英よりなる、厚さが例えば３〜５ｍｍの反応容器であ
り、この反応容器２により被処理体例えば半導体ウエハ
Ｗに対して熱処理を行う処理室が構成されている。この
反応容器２は、図２に示すように頂部及びその近傍付近
が透明部分２１に形成され、側壁等のその他の部分が不
透明部分２２に形成されている。ここで合成石英ガラス
は、四塩化ケイ素などのケイ素化合物を原料として酸水
素炎や高周波誘導プラズマなどによる合成法により製造
されるものであり、溶融石英ガラスは、水晶を原料とし
て例えば酸水素炎溶融法や電気真空溶融法などの溶融法
により製造されるものである。そして透明部分２１と不
透明部分２２は、例えば反応容器２を製造する際、成形
型の中の圧力を透明部分とすべき箇所と不透明部分とす
べき箇所との間で異ならせることにより製造することが
できる。また不透明とは、透明よりも透明度が低いこと
を意味し、例えば後述する加熱源からの熱線が実質的に
透過しない程度のもの及び半透明なども含まれる。
【００１６】前記反応容器２の周囲には、反応容器２を
間隙を介して覆うように加熱炉３が配設されており、こ
の加熱炉３は、反応容器１を囲むように設けられた例え
ばアルミナなどの断熱部材３１と、この断熱部材３１の
内側の反応容器２の上方側に設けられた例えばＳｉＣよ
りなる板状の均熱部材３２と、この均熱部材３２の上面
と断熱部材３１との間に設けられた抵抗発熱線よりなる
ヒータ３３と、断熱部材３１の外側に設けられた水冷ジ
ャケット３４とから構成されている。この実施例では均
熱部材３２とヒータ３３とにより加熱源が構成されてい
る。
【００１７】前記反応容器２内にはウエハ保持部４が設
けられており、このウエハ保持部４は昇降軸４１の頂部
に設けられ、昇降軸４１は熱処理装置本体の下端部にて
ボールネジなどの昇降機構４２により昇降できるように
構成されている。そして昇降軸４１は、内部に回転軸４
３を有しており、モータＭにより回転軸４３が回転し、
これによりウエハ保持部４が回転できるようになってい
る。ただし昇降軸４１の外管部分と回転軸４３との間に
は処理ガスが侵入しないように上部にてシール構造が施
されている。反応容器２には図示しない処理ガス供給源
からの処理ガスを被処理体保持部４上のウエハＷに供給
するように処理ガス供給管３５が設けられると共に反応
容器２内を排気する排気管３６が接続されている。
【００１８】前記反応容器２の下方側には、左右両側に
突出して形成されたシャッタ室５Ａ、５Ｂが配置され、
このシャッタ室５Ａ、５Ｂの中には、反応容器２内と後
述の移載室６との間を気密に遮断するための左右に分割
されているシャッタ５１Ａ、５１Ｂが設けられている。
これらのシャッタ５１Ａ、５１Ｂは、ウエハ保持部４の
通路と、その左右両側のシャッタ室５Ａ、５Ｂとの間を
進退するように、シャッタ室５Ａ、５Ｂの側壁を貫通す
るピストン５２を介して流体シリンダ５３により作動さ
れる。５４はベローズである。
【００１９】そしてシャッタ室５Ａ、５Ｂの下方側には
ウエハＷの移載室６が配置されている。この移載室６
は、シャッタ５１Ａ、５１Ｂの進退方向を左右方向とす
ると、移載室６に対して前後に配置された図示しないロ
ードロック室（一方が搬入室、他方が排出室）との間で
図示しない搬送アームによりゲートバルブＧを介してウ
エハＷの受け渡しが行われる領域である。
【００２０】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずウエハ保持部４を移載室６内に位置させておき、図示
しない搬送アームにより外部のロードロック室からゲー
トバルブＧを介して処理前の被処理体であるウエハＷを
ウエハ保持部４に移載する。この後ウエハ保持部４を反
応容器２内の所定位置まで上昇させて、シャッタ５１
Ａ、５１Ｂを進出させ、反応容器２と移載室６との間を
遮断する。
【００２１】一方ヒータ３３により均熱部材３２が加熱
されてここから熱線が輻射されており、この熱線の一部
は反応容器２の透明部分２１を透過してウエハＷに到達
し、ウエハＷを所定温度まで急激に加熱する。そして均
熱部材３２から輻射された熱線のうち断熱部材３１の内
壁面で反射された熱線の大部分は不透明部分２２により
遮られて反応容器２の透過を妨げられ、こうしてウエハ
Ｗの加熱に寄与する熱線の量が反応容器２により制御さ
れる。
【００２２】このようにしてウエハＷを所定の温度まで
加熱すると共に、処理ガス供給管３５より所定の処理ガ
ス例えばＨＣｌガスとＨ2 ＯとをウエハＷの表面に供給
し、例えば反応容器２内を７６０Ｔｏｒｒに維持してウ
エハＷの表面のシリコン層を酸化する。酸化処理が終了
した後、シャッタ５１Ａ、５１Ｂを後退させて通路を開
きウエハ保持部４を移載室６まで下降させ、処理済みの
ウエハＷを外部のロードロック室に移載し、次のウエハ
Ｗをウエハ保持部４上に搬入する。
【００２３】上述の枚葉式熱処理装置によれば、反応容
器２の頂部及びその近傍のみを透明にし、その他の部分
を不透明としているため、ウエハＷの表面には均熱部材
３２からの直接の熱線が輻射され、断熱部材３１の内壁
面で反射された熱線の大部分は反応容器２の不透明部分
２２で遮られるので、ウエハＷに届く熱線の量が抑えら
れる。この結果ウエハＷの面内温度について均一性を高
めるにあたって、例えば均熱部材３１の大きさや均熱部
材３１とウエハＷとの距離などの設定を含めた装置設計
がやりやすくなり、従ってウエハＷの面内温度について
高い均一性を確保することができ、歩留まりを向上させ
ることができる。
【００２４】上述の実施例では反応容器２の頂部及びそ
の付近のみを透明にしているが、本発明の本質は、透明
部分をどの部位に形成したかということにあるのではな
く、反応容器２に透明部分と不透明部分とを設け、その
両者の配置パターンにより反応容器２の外側から入って
くる熱線を制御し、例えば必要な熱線のみを反応容器２
内に取り込むことができるように構成することによりウ
エハＷの面内温度についての高い均一性を得ることにあ
り、その両者の配置パターンは、加熱源３３の形状や、
ウエハＷと加熱源３３（上述の例では均熱部材３２）と
の相対位置などに応じて設定される。
【００２５】従って反応容器２の透明部分と不透明部分
との配置パターンは、例えば図３（ａ）に示すように、
反応容器２の頂部及びその近傍付近に不透明部２Ｂを形
成し、反応容器２のその他の部分に透明部２Ａを形成し
てもよいし、図３（ｂ）に示すように、反応容器２の頂
部及びその近傍付近に不透明部２Ｂを形成すると共に、
反応容器２の周方向に沿って伸びる帯状の不透明部２Ｂ
を所定の間隔で反応容器２の上下に形成してもよい。ま
た図３（ｃ）に示すように反応容器２の側壁部分の数箇
所に不透明部２Ｂを島状に形成するようにしてもよい。
【００２６】次に本発明を実施するための好適な縦型熱
処理装置について図４、５を参照しながら説明する。図
中２は下端が開口している円筒状の反応容器であり、例
えば上述の第１実施例と同様に合成石英ガラスや溶融石
英ガラス等の石英より作られている。この反応容器２に
は、例えば図５に示すように、反応容器２の周方向に沿
って伸びる帯状の不透明部分２Ｂが上下に間隔をおいて
形成されている。これら不透明部分２Ｂの帯幅や間隔は
後述のウエハボート８７に載置されたウエハＷに、後述
の加熱源から届く熱線の一部を遮り、これにより各ウエ
ハＷの面内温度が均一になるように設定されている。
【００２７】反応容器２の周囲には加熱炉７が配設され
ており、この加熱炉７は、例えば断熱部材７１の内周面
に抵抗発熱線よりなるヒータ７２を上下に繰り返し屈曲
させながら周方向に沿って設けた加熱ブロックを複数段
配列して構成される。ヒータ７２としては例えば二ケイ
化モリブデン（ＭｏＳｉ2 ）を用いることができ、これ
によれば反応容器２内を５０〜１００℃／分の高速な昇
温速度で昇温させることができる。
【００２８】前記反応容器２には、図示しないガス供給
源に接続された処理ガス供給管８１が突入して設けら
れ、その先端は反応容器２の天井面に対向する位置まで
伸びている。また反応容器２には、真空ポンプ８２に接
続された排気管８３が設けられている。さらに反応容器
２の下部側には、昇降台８４の上に搭載された蓋体８５
が設けられており、この蓋体８５は上限位置にあるとき
には反応容器２の下端開口部を気密に閉塞する役割をも
つものである。前記蓋体８５には保温筒８６を介して保
持具であるウエハボート８７が搭載されている。
【００２９】前記加熱炉７の下端部と反応管２との間に
は、シャッタ８８を介して装置の外部に開口するかある
いは送気ファン８９に連通する吸気路９０が例えば反応
管２の周方向に４ヶ所形成されており、この吸気路９０
の先端には、ノズル９１が設けられている。更に加熱炉
７の上面には、排気ダクト９２に連通する排気口９３が
形成されており、この排気ダクト９２には、排気口９３
を開閉するために支軸９４を支点として回動するシャッ
タ９５、熱交換器９６及び排気ファン９７が上流側より
この順に設けられている。これら吸気路９０や排気ダク
ト９２は、ウエハＷに対して成膜が終了した後に反応容
器２内を強制冷却するための強制冷却手段を構成するも
のである。
【００３０】このような装置では、例えば反応容器２内
を８５０℃に加熱しておき、例えば３０枚の半導体ウエ
ハＷをウエハボート８７に載せて反応容器２内に搬入し
た後例えば１００℃／分の昇温速度で約１０００℃まで
昇温し、所定の処理ガスを反応容器２内に供給して例え
ば酸化処理が行われる。この際加熱炉７から輻射された
熱線は反応容器２の透明部分２Ａを透過してウエハＷへ
到達し、ウエハＷを加熱するが、反応容器２の不透明部
分２Ｂでは透過を妨げられ、こうしてヒータ７２からの
熱線が反応容器２で制御されてウエハＷの周縁部に届
き、これによりウエハＷが所定温度に加熱される。
【００３１】上述の縦型熱処理装置によれば、反応容器
１の周方向に沿って伸びる帯状の不透明部分を、所定の
間隔で反応容器１の上下に形成しているため、ヒータか
らの熱線が反応容器１の管壁をすべて通るのではなく不
透明部分２Ｂにより遮られる。ここで従来の縦型熱処理
装置の反応管は全体が透明であり、一方ウエハＷ同士が
接近して上下に配列されているので、ウエハＷの中央部
では、その上のウエハＷの陰になるため、ヒータから受
ける輻射熱はウエハＷの中央部側よりも周縁部側の方が
多く、このためウエハＷの面内温度についてのある程度
の不均一性を避けることができない。これに対して上述
実施例では、不透明部分２ＢによりウエハＷの面内にお
ける輻射熱の量を制御できるため、ウエハＷの面上の温
度の高低パターンをならすことができ、この結果ウエハ
Ｗの面内温度の均一性を高め、歩留まりを向上させるこ
とができる。
【００３２】また上述の装置においては、例えば図６に
示すように、反応容器２の上下両端部分を除いた中央部
分に、上下方向に伸びるスリット状の不透明部２Ｂを、
周方向に所定間隔をあけて形成してもよい。この場合に
は、不透明部２Ｂにより加熱炉７から輻射された熱線が
遮られるため、反応容器２内部の中央部分が受ける輻射
熱の熱量を抑えることができる。ここで従来の熱処理装
置では、加熱炉７から遠い反応容器２の上下両端部分は
中央部分よりも若干温度が低い傾向があったが、このよ
うな構成にすると、反応容器２内部の中央部分が受ける
熱量を上下両端部分が受ける熱量と同程度の量に制御で
きるためウエハの面間均一性を高めることができる。
【００３３】以上において本発明は、上述の枚葉式熱処
理装置や縦型熱処理装置の他に、横型熱処理装置や、例
えばサセプタ上に載置したウエハに、エキレマレーザや
紫外線ランプ等の光源から光エネルギーを照射し、この
エネルギーにより反応ガスを分解し、堆積または反応す
る分子を作る光ＣＶＤ装置等にも適用でき、筒状の反応
容器に限らずバレル型の反応容器にも適用できる。また
エネルギー源としては、ランプや抵抗発熱体、均熱部材
等、熱や光等の輻射エネルギを発生するものを用いるこ
とができ、処理の対象としては、酸化処理、拡散処理、
ＣＶＤ処理、エッチング処理、スパッタリング処理、ア
ッシング処理、アニール処理等に適用できる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、反応容器に透明部分と
不透明部分とを設けることにより、輻射源から輻射され
た輻射エネルギーを反応容器により制御できるため、被
処理体の面内温度について高い均一性を確保することが
でき、これにより歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の一例を示す枚葉式熱処理装置
の全体構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例の反応容器を示す斜視図であ
る。
【図３】本発明の反応容器の他の例を示す断面図であ
る。
【図４】本発明の実施例の他の例を示す縦型熱処理装置
の全体構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例の他の例で使用される反応容器
において熱線の透過の様子を説明するための説明図であ
る。
【図６】本発明の反応容器のさらに他の例を示す側面図
である。
【図７】従来の枚葉式熱処理装置を示す断面図である。
【符号の説明】
２ 反応容器 ２Ａ 透明部 ２Ｂ 不透明部 ３、７ 加熱炉 ３１、７１ 断熱部材 ３２ 均熱部材 ３３ 加熱源 ４ ウエハ保持部 ５Ａ、５Ｂ シャッタ室 ６ 移載室 ７２ 抵抗発熱線
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１１月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を反応容器内に搬入して、前記
    反応容器の外の輻射源からの輻射エネルギーにより処理
    する装置において、 前記反応容器は、透明部分と不透明部分とを備えたこと
    を特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 被処理体を反応容器内に搬入して、前記
    反応容器の外の加源からの輻射熱により熱処理する装置
    において、 前記反応容器は、透明部分と不透明部分とを備えたこと
    を特徴とする熱処理装置。
  3. 【請求項３】 一枚の被処理体を保持具に保持させ、加
    熱炉内に設けられた反応容器内に搬入して熱処理する装
    置において、 前記反応容器は、透明部分と不透明部分とを備えたこと
    を特徴とする熱処理装置。
  4. 【請求項４】 多数枚の被処理体を保持具に保持させ、
    この保持具を、加熱炉内に設けられた反応容器内に搬入
    して熱処理する熱処理装置において、 前記反応容器は、透明部分と不透明部分とを備えたこと
    を特徴とする熱処理装置。
  5. 【請求項５】 被処理体を反応容器内に搬入して、前記
    反応容器の外の光源からの光エネルギーにより処理する
    装置において、 前記反応容器は、透明部分と不透明部分とを備えたこと
    を特徴とする処理装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996028843A1 (en) * 1995-03-13 1996-09-19 Tokyo Electron Limited Heat-treating apparatus
US6660095B2 (en) * 2001-01-15 2003-12-09 Jusung Engineering Co., Ltd. Single wafer LPCVD apparatus
KR100464928B1 (ko) * 2001-11-26 2005-01-05 소프트픽셀(주) 플라스틱 필름-금속/절연체/금속 소자로 구성된액정표시장치의 열처리장치
JP2015502055A (ja) * 2011-12-15 2015-01-19 ソイテック その場でのメトロロジ用に構成された反応チャンバを有する堆積システムおよび関連の方法
JP2015072937A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 株式会社東芝 半導体製造装置、半導体製造方法及びプロセスチューブ
US9644285B2 (en) 2011-08-22 2017-05-09 Soitec Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods

Families Citing this family (297)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6067931A (en) * 1996-11-04 2000-05-30 General Electric Company Thermal processor for semiconductor wafers
US6530994B1 (en) * 1997-08-15 2003-03-11 Micro C Technologies, Inc. Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
US6900413B2 (en) 1998-08-12 2005-05-31 Aviza Technology, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6300600B1 (en) 1998-08-12 2001-10-09 Silicon Valley Group, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6462310B1 (en) * 1998-08-12 2002-10-08 Asml Us, Inc Hot wall rapid thermal processor
DE19962452B4 (de) 1999-12-22 2004-03-18 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren für die Herstellung von opakem Quarzglas
US6666924B1 (en) * 2000-03-28 2003-12-23 Asm America Reaction chamber with decreased wall deposition
DE10051125A1 (de) * 2000-10-16 2002-05-02 Steag Rtp Systems Gmbh Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
US6930041B2 (en) * 2000-12-07 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Photo-assisted method for semiconductor fabrication
JP3877157B2 (ja) * 2002-09-24 2007-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
EP1904661A4 (en) * 2005-07-21 2010-12-29 Hard Technologies Pty Ltd DUPLEX SURFACE TREATMENT OF METAL OBJECTS
CN100470717C (zh) * 2006-05-22 2009-03-18 台湾圆益石英股份有限公司 反应容器、石英组件与保温筒及其形成方法
DE102007058002B4 (de) * 2007-12-03 2016-03-17 Mattson Thermal Products Gmbh Vorrichtung zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Halbleitersubstraten
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN105210173A (zh) * 2013-05-23 2015-12-30 应用材料公司 用于半导体处理腔室的经涂布的衬里组件
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) * 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
JP7203588B2 (ja) * 2018-12-17 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
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TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
JP7411699B2 (ja) * 2022-01-28 2024-01-11 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60211947A (ja) * 1984-04-06 1985-10-24 Hitachi Ltd 瞬間アニ−ル装置
JPS61247022A (ja) * 1985-04-25 1986-11-04 Toshiba Corp 半導体処理用石英管
JP2716116B2 (ja) * 1986-11-18 1998-02-18 日本電気株式会社 光照射加熱炉
JP2773150B2 (ja) * 1988-09-08 1998-07-09 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置
JP2851055B2 (ja) * 1989-04-10 1999-01-27 東芝セラミックス株式会社 炉芯管装置
JPH02284417A (ja) * 1989-04-26 1990-11-21 Mitsubishi Electric Corp 気相結晶成長装置
JPH0462836A (ja) * 1990-06-25 1992-02-27 Nec Corp 熱処理方法及びその装置
JPH0493026A (ja) * 1990-08-09 1992-03-25 Seiko Epson Corp 絶縁膜形成装置
US5429498A (en) * 1991-12-13 1995-07-04 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment method and apparatus thereof
JPH06333866A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の反応管
JP2884556B2 (ja) * 1994-06-10 1999-04-19 信越石英株式会社 枚葉式ウェーハ熱処理装置
JPH08316154A (ja) * 1995-02-23 1996-11-29 Applied Materials Inc 疑似ホットウォール反応チャンバ

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996028843A1 (en) * 1995-03-13 1996-09-19 Tokyo Electron Limited Heat-treating apparatus
US6031205A (en) * 1995-03-13 2000-02-29 Tokyo Electron Limited Thermal treatment apparatus with thermal protection members intercepting thermal radiation at or above a predetermined angle
US6660095B2 (en) * 2001-01-15 2003-12-09 Jusung Engineering Co., Ltd. Single wafer LPCVD apparatus
KR100464928B1 (ko) * 2001-11-26 2005-01-05 소프트픽셀(주) 플라스틱 필름-금속/절연체/금속 소자로 구성된액정표시장치의 열처리장치
US9644285B2 (en) 2011-08-22 2017-05-09 Soitec Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods
JP2015502055A (ja) * 2011-12-15 2015-01-19 ソイテック その場でのメトロロジ用に構成された反応チャンバを有する堆積システムおよび関連の方法
JP2015072937A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 株式会社東芝 半導体製造装置、半導体製造方法及びプロセスチューブ

Also Published As

Publication number Publication date
TW428792U (en) 2001-04-01
US5862302A (en) 1999-01-19
KR960012316A (ko) 1996-04-20

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